JP7456526B2 - ペリクルの製造方法、ペリクル付フォトマスクの製造方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、液晶ディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Description
1.ペリクル膜がペリクルフレームに張設されたペリクルであって、上記ペリクル膜がアニール処理を施したペリクル膜であることを特徴とするペリクル。
2.上記ペリクルフレームに張設された上記ペリクル膜の膜張力(膜振動数)が30Hz以上である上記1記載のペリクル。
3.ペリクル膜をペリクルフレームに張設してペリクルを製造する方法であって、上記ペリクル膜をペリクルフレームに張設する前に該ペリクル膜単体をアニール処理する工程、上記ペリクル膜の張設後にペリクルをアニール処理する工程、または上記ペリクル膜の張設前及び張設後の両方でペリクル膜単体及びペリクルをアニール処理する工程を有することを特徴とするペリクルの製造方法。
実施例1では、まず、アルミ合金製のペリクルフレーム(外寸149mm×115mm×3.15mm)を準備した。また、このペリクルフレームの短辺の中央部には、直径10mmのフィルタ穴も設けてある。
ここで、ペリクル膜の振動数は、ONO SOKKI社製PERSONAL FFT ANALYZER:CF-4210Zで測定した。測定方法としては、ペリクルに一定の衝撃を与えてペリクル膜を振動させ、ONO SOKKI社製普通騒音計で振動数を検出し、PERSONAL FFT ANALYZER:CF-4210Zに表示される数値を膜の振動数とした。このペリクル膜の膜振動数を測定した後、ペリクルを150mm角のフォトマスク基板に貼り付け、オーバーレイ精度を評価したところ、オーバーレイは1.34nmであった。なお、フォトマスクへのペリクル貼り付け条件を、荷重5kgf、荷重時間30秒とした。
実施例2では、ペリクル膜の膜振動数が28Hzになるように、設定温度は70℃、処理時間は1時間の条件でアニール処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。この時、オーバーレイは1.07nmであった。
実施例3では、ペリクル膜の膜振動数が30Hzになるように、設定温度は90℃、処理時間は1時間の条件でアニール処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。この時、オーバーレイは0.81nmであった。
実施例4では、ペリクル膜の膜振動数が32Hzになるように、設定温度は90℃、処理時間は12時間の条件でアニール処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。この時、オーバーレイは0.51nmであった。
実施例5では、ペリクル膜の膜振動数が33Hzになるように、設定温度は90℃、処理時間は48時間の条件でアニール処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。この時、オーバーレイは0.50nmであった。
比較例1は、アニール処理を行わないペリクルの場合である。アニール処理を行わない以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。このときのペリクル膜の膜振動数は24Hzであり、オーバーレイは1.54nmであった。
比較例2は、アニール処理の設定温度が108℃の場合である。設定温度が108℃、処理時間が1時間の条件でアニール処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを作製した。このときのペリクル膜の膜振動数は15Hzであり、オーバーレイは2.83nmであった。
Claims (8)
- ペリクル膜がペリクルフレームに張設されたペリクルの製造方法であって、上記ペリクル膜に、上記ペリクル膜のガラス転移温度-30℃~-10℃の温度でのアニール処理を施す工程を有することを特徴とするArFエキシマレーザーを用いた液浸露光装置に使用されるペリクルの製造方法。
- 上記ペリクル膜の厚みが、上記ペリクル膜を透過する光の斜入射による透過率の減少を抑制できる厚みである請求項1記載のペリクルの製造方法。
- 上記ペリクルフレームに張設された状態でのペリクル膜の膜張力(膜振動数)が、30~33Hzである請求項1又は2記載のペリクルの製造方法。
- 請求項1~3のいずれか1項記載のペリクルの製造方法により製造されたペリクルを準備する工程、及び、
上記ペリクルをフォトマスクに装着する工程
を有することを特徴とするペリクル付フォトマスクの製造方法。 - 請求項1~3のいずれか1項記載のペリクルの製造方法により製造されたペリクルを準備する工程、及び、
上記ペリクルを用いて露光する工程
を有することを特徴とする露光方法。 - 請求項1~3のいずれか1項記載のペリクルの製造方法により製造されたペリクルを準備する工程、及び、
上記ペリクルを用いて露光する工程
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1~3のいずれか1項記載のペリクルの製造方法により製造されたペリクルを準備する工程、及び、
上記ペリクルを用いて露光する工程
を有することを特徴とする液晶ディスプレイの製造方法。 - 請求項1~3のいずれか1項記載のペリクルの製造方法により製造されたペリクルを準備する工程、及び、
上記ペリクルを用いて露光する工程
を有することを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。
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