JP2016114905A - リソグラフィ用ペリクル容器。 - Google Patents

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Abstract

【課題】マスクや露光原版などの変形歪みを抑制することができるリソグラフィ用ペリクル容器を提供する。【解決手段】ペリクルフレーム3と、ペリクルフレーム3の一の面に張設されたペリクル膜2と、ペリクルフレーム3のペリクル膜張設面と対向する他の面に塗布された接着剤層4とで構成されるペリクルを収納するリソグラフィ用ペリクル容器1であって、ペリクルを載置するペリクル載置部6を有し、このペリクル載置部6に平坦度が10μm以下の平板、好ましくは、石英製平板7を設けたことを特徴とするリソグラフィ用ペリクル容器である。【選択図】図1

Description

本発明は、LSI、超LSIなどの半導体装置、液晶表示板などを製造する際に用いるリソグラフィ用マスクのゴミよけとして使用されるペリクルを収納するリソグラフィ用ペリクル容器に関する。
一般に、LSI、超LSIなどの半導体製造又は液晶表示板の製造においては、半導体ウエハ又は液晶用原板に光を照射してパターンを作製するが、この場合に、ゴミがリソグラフィ用マスク(以下、単に「マスク」ともいう)及びレチクル(以下、総称して「露光原版」という)に付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジが粗雑なものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題がある。
そこで、これら半導体製造又は液晶表示板の製造作業は、通常、クリーンルームで行われているが、それでも露光原版を常に清浄に保つことは難しいために、露光原版表面にゴミよけとしてペリクルを貼り付けた後に露光をする方法が一般に採用されている。そして、この露光の場合に、ゴミなどの異物は、露光原版の表面には直接付着せずにペリクル上に付着するため、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上の異物は転写に無関係となる。
このペリクルの基本的な構成は、図1又は図3に示すように、ペリクルフレーム3に透明なペリクル膜1が張設されるとともに、下端面にマスク又は露光原版に貼り付けるための粘着剤層5が形成されたものである。
また、ペリクル膜2の材質は、露光に用いる光の例えば水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)などを良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどであり、ペリクルフレーム3の上端面に良溶媒を塗布してペリクル膜2を貼付し、風乾して接着されるか、又はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂などの接着剤によって接着される。ペリクルフレーム3の下端面には、露光原版に貼付するために、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着剤層4が設けられ、更に、必要に応じて、粘着剤層4の保護を目的としたセパレータが貼り付けられる。
このペリクルは、マスク上に異物が付着するのを防止するものであるが、ペリクル自体にも異物が付着しない方が好ましいので、ペリクルの保管や搬送の場合は、ペリクル容器1に収納されているのが通常である。図3は、ペリクルが樹脂製ペリクル容器1の載置部6に載置された状態を示すものである。
ところで、近年、LSIのデザインルールは、サブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴って、露光光源の短波長化が進んでいる。そのため、露光光源は、これまで主流であった水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)から、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)などに移行しつつある。そして、露光光の波長が短波長になるにつれて、マスクの変形歪みによるリソグラフィ像の変形の影響が問題となってきており、マスクに要求される平坦性がますます厳しくなってきている状況である。
このマスクの平坦性に影響を及ぼす要因の1つとして、貼り付けるペリクルの平坦度が挙げられるために、特許文献1には、ペリクルをマスクに貼り付ける場合に、マスクに与える変形歪みを少なくするために、ペリクルフレームの粘着剤層の平坦度を15μm以下にすることが記載されている。
しかし、ペリクルフレームの粘着剤層の平坦度を向上させたとしても、短波長による露光時にリソグラフィ像に歪みが生じる例が散見されるという問題が発生している。
特開2012−108277号
本発明の目的は、このような実情に鑑みなされたものであり、マスクや露光原版などの変形歪みを抑制することができるソグラフィ用ペリクル容器を提供することである。
本発明者らは、鋭意検討を行ったところ、射出成型によって作られる樹脂製ペリクル容器のペリクル載置部の平坦度に原因があるのではないかと考え、従来の樹脂製ペリクル容器のペリクル載置部の平坦度を検査したところ、図6に示すように、最大で約80μの凹凸があることが判明した。そして、ペリクルをペリクル容器に収納する際に、この凹凸がペリクル粘着剤層の表面と接触したときに、粘着剤層の平坦度を悪化させることを見出して、本発明に至ったものである。
すなわち、本発明は、ペリクル膜と、ペリクルフレームと、このペリクルフレームに塗布された接着剤層とで構成されるペリクルを収納するリソグラフィ用ペリクル容器であって、そのペリクル載置部に平坦度が10μm以下の平板、好ましくは、石英製平板を設けたことを特徴とするものである。
本発明によれば、平坦度が良好な石英製平板を樹脂製のペリクル載置部に設けて、ペリクルにおける粘着剤層面の平坦度の悪化を抑制することができるから、マスクなどの変形歪みを防止してパターンの高精度な微細加工を可能とすることができる。
ペリクルが載置された本発明のペリクル容器(トレイ)の概要図である。 本発明のペリクル容器(トレイ)の平面図及び側面図とA−A断面図である。 ペリクルが載置された従来のペリクル容器(トレイ)の概要図である。 従来のペリクル容器(トレイ)の平面図及び側面図とA−A断面図である。 本発明のペリクル容器(トレイ)のペリクル載置部の凹凸状況を示す図である。 従来のペリクル容器(トレイ)のペリクル載置部の凹凸状況を示す図である。
以下、本発明の実施例と比較例を図面に基づいて説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。本発明では、平坦度が10μm以下の平板、好ましくは石英製平板7を用いることを特徴とするものであり、この平板以外のペリクル容器の構成は従来のものと同様である。
また、本発明の実施例では、石英製平板7を用いるが、この石英製の平板は、硬くて耐久性が良く、しかも磨くことで表面の平坦度を容易に10μm以下にすることができると共に、長期に亘って表面の平坦状態を保持することができるので好ましい。
<実施例1>
実施例1では、図2に示すように、外形サイズが200mm角のポリカーボネート製ペリクル容器1を射出成型によって製作した。また、その中央には、150×116mm、厚み6.35mmの石英製平板7を設置して、ペリクル載置部6とした。この石英製平板7の平坦度は7μmであった。
次に、図1に示すように、この石英製平板7にセパレータ5を貼った粘着剤層4を載置してペリクルを一定期間保管した。その後、このペリクル容器1からペリクルを取り出して、粘着剤層4の表面の平坦度の変化を測定したところ、10μmであった。また、このペリクルを粘着剤層を介してマスクに貼り付けたところ、マスクに変形歪みは殆ど見られなかった。
<実施例2>
実施例2でも、実施例1と同様のポリカーボネート製ペリクル容器を使用し、その中央には、同寸法の平坦度が10μの石英製平板7を設置して、ペリクル載置部6とした。この石英製平板7にセパレータ5を貼った粘着剤層4を載置してペリクルを一定期間保管した。その後、このペリクル容器1からペリクルを取り出して、粘着剤層4の表面の平坦度の変化を測定したところ、12μmであった。また、このペリクルを粘着剤層を介してマスクに貼り付けたところ、マスクに変形歪みは殆ど見られなかった。
比較例
<比較例1>
比較例1では、図4に示すように、外形サイズが200mm角のポリカーボネート製ペリクル容器1を射出成型によって製作した。また、その中央のペリクル載置部6の凹凸を測定したところ、図6に示すように、最大約80μmの凹凸があり、平坦度は悪かった。
次に、図3に示すように、このペリクル容器1のペリクル載置部6にセパレータ5を貼った粘着剤層4を載置してペリクルを一定期間保管した。その後、このペリクル容器1からペリクルを取り出して、粘着剤層4の表面の平坦度の変化を測定したところ、30μmであった。また、このペリクル容器1からペリクルを取り出して、マスクに貼り付けたところ、マスクに変形歪みが見られた。
1 ペリクル容器
2 ペリクル膜
3 ペリクルフレーム
4 粘着剤層
5 セパレータ
6 ペリクル載置部
7 石英製平板

Claims (2)

  1. ペリクルフレームと、該ペリクルフレームの一の面に張設されたペリクル膜と、前記ペリクルフレームの前記ペリクル膜張設面と対向する他の面に塗布された接着剤層とで構成されるペリクルを収納するリソグラフィ用ペリクル容器であって、前記ペリクルを載置するペリクル載置部を有し、該ペリクル載置部に平坦度が10μm以下の平板を設けたことを特徴とするリソグラフィ用ペリクル容器。
  2. 前記平板が石英製平板であることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ用ペリクル容器

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EP15197003.5A EP3043207B1 (en) 2014-12-18 2015-11-30 A container for storing a pellicle for lithography
KR1020150175721A KR102619269B1 (ko) 2014-12-18 2015-12-10 리소그래피용 펠리클 용기
TW104141613A TWI585517B (zh) 2014-12-18 2015-12-11 Dustproof film module containers for microfilm for incorporating dustproof film modules
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102172218B1 (ko) 2018-07-31 2020-10-30 주식회사 시엠테크놀로지 펠리클 수납용기
KR102172221B1 (ko) 2018-07-31 2020-10-30 주식회사 시엠테크놀로지 Dlc 코팅층을 구비한 펠리클 수납용기
KR102172217B1 (ko) 2018-07-31 2020-10-30 주식회사 시엠테크놀로지 펠리클 수납용기 및 이를 이용한 파티클 제거 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63305359A (ja) * 1987-06-05 1988-12-13 Nec Yamagata Ltd 半導体用ペリクル膜保管ケ−ス
JPH0862828A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置の収納ケース
JP2007334069A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ペリクル収納容器
JP2008216846A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ペリクル収納容器
JP2008215846A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Denso Corp 温度センサの取付構造
US20090029269A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lithographic pellicle
JP2011079572A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Asahi Kasei E-Materials Corp ペリクル収納ケースの梱包体
US20110195350A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
US20120122024A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
US20120276473A1 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4511038A (en) * 1984-01-30 1985-04-16 Ekc Technology, Inc. Container for masks and pellicles
JP3200776B2 (ja) * 1992-08-06 2001-08-20 大日本印刷株式会社 基板保持用ケース
US5344677A (en) * 1992-08-27 1994-09-06 Hong Gilbert H Photochemically stable deep ultraviolet pellicles for excimer lasers
JP3143337B2 (ja) * 1994-10-12 2001-03-07 信越ポリマー株式会社 ペリクル収納容器
US6317479B1 (en) * 1996-05-17 2001-11-13 Canon Kabushiki Kaisha X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same
US5820950A (en) * 1996-10-30 1998-10-13 Micro Lithography, Inc. Optical pellicle and package
JP2000019721A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Canon Inc レチクル容器、露光方法及びデバイス製造方法
US6264773B1 (en) * 1998-09-01 2001-07-24 Mark Damian Cerio Apparatus and method for temporary and permanent attachment of pellicle frame to photomask substrate
US6639650B2 (en) * 1999-12-21 2003-10-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light exposure method, light exposure apparatus, pellicle and method for relieving warpage of pellicle membrane
DE60111118T2 (de) * 2000-04-26 2006-05-18 Asahi Glass Co., Ltd. Behälter für einen optischen Gegenstand
JP2003043670A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
US7205074B2 (en) * 2002-12-31 2007-04-17 Intel Corporation Venting of pellicle cavity for a mask
US6834549B2 (en) * 2003-04-03 2004-12-28 Intel Corporation Characterizing in-situ deformation of hard pellicle during fabrication and mounting with a sensor array
JP2005265876A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4391435B2 (ja) * 2005-03-22 2009-12-24 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
KR101532893B1 (ko) 2005-09-27 2015-07-02 엔테그리스, 아이엔씨. 레티클 포드
JP2007128030A (ja) * 2005-10-07 2007-05-24 Shin Etsu Polymer Co Ltd ペリクル用収納容器
JP2008083618A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ペリクル収納容器の補強材
JP2008256925A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP5051840B2 (ja) * 2007-11-22 2012-10-17 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器内にペリクルを保管する方法
US7851109B2 (en) * 2008-03-31 2010-12-14 Intel Corporation Low stress pellicle frames and reticle pellicle assemblies
US8159654B2 (en) * 2009-06-03 2012-04-17 Matsushita Seiki Co., Ltd. Pressure body and pellicle mounting apparatus
JP5586618B2 (ja) * 2009-10-07 2014-09-10 三井化学株式会社 ペリクルおよびそのマスク接着剤
JP5528190B2 (ja) * 2010-04-23 2014-06-25 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
US8945799B2 (en) * 2010-07-09 2015-02-03 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle and mask adhesive agent for use in same
JP2012093595A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレームおよびペリクル
US8888086B2 (en) * 2011-05-11 2014-11-18 Sematech, Inc. Apparatus with surface protector to inhibit contamination
KR101514591B1 (ko) * 2011-05-18 2015-04-22 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 펠리클, 펠리클용 점착제, 펠리클 부착 포토마스크 및 반도체 소자의 제조 방법
JP2013109007A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Toshiba Corp フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP5684752B2 (ja) * 2012-03-29 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
JP5984187B2 (ja) * 2013-04-22 2016-09-06 信越化学工業株式会社 ペリクルとフォトマスクのアセンブリ

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63305359A (ja) * 1987-06-05 1988-12-13 Nec Yamagata Ltd 半導体用ペリクル膜保管ケ−ス
JPH0862828A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置の収納ケース
JP2007334069A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ペリクル収納容器
JP2008215846A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Denso Corp 温度センサの取付構造
JP2008216846A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ペリクル収納容器
JP2009025560A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
US20090029269A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lithographic pellicle
JP2011079572A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Asahi Kasei E-Materials Corp ペリクル収納ケースの梱包体
US20110195350A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
JP2011164259A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
US20120122024A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
JP2012108277A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
US20120276473A1 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
JP2012230227A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル

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