Недостатками этого фотошаблона вл ютс низка разрешающа способность и невысока механическа прочность эмульсионного сло , обусловленные тем, что в качестве светочувствительного материала используютс дорогосто щие галогены серебра, при этом толщина эмульсионного сло получаетс сравнительно большой (5 10 мкм). Кроме того, качество эмульсионных фотошаблонов в большой степени зависит от чистоты-исходных компонентов эмульсии, степени их переме3-9 шивани и температуры. Оборудование дл изготовлени эмульсионных фотошаблонов должно располагатьс в.затемненной комнате, что также усложн ет процесс изготовлени фотошаблонов . Следует также отметить-, что эмульсионные фотошаблоны не позвол йт в процессе их совмещени с рисунком , нанесённым на полупроводниковую пластину, осуществл ть визуальный контроль совмещени на всей площади пластийы из-за наличи темного поjMi на фотошаблоне. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс фотошаблон, содержащий прозрачную стекл нную подложку с нанесенным на нее маскирующим слоем из металла или топологи 23, Известен способ изготовлени фотошаблонов , включающий операции нанесени на стекл нную подложку сло метал ла или окисла металла (хром, окись хрома, окись железа и т. д.) с последующим нанесением на него фоторезистивной пленки, ее экспонировани и про влени , травлени металлического сло 2. Фотошаблоны, изготавлива мые по этому способу, по сравнению с эмульсионными фотошаблонами,обладают более высокой разрешающей способ ностью, поэтому способ получил широкое распространение в полупроводниковом производстве. Однако фотошаблоны, изготовленные по этому способу, обладают недостато ной оптической плотностью, механичес кой прочностью и химической стойко-, стью, что вл етс их существенным недостатком, который отрицательно вл ет на качество изготавливаемых при помощи этих фотошаблонов микросхем, снижает процент выхода годных издели и срок службь самих фотошаблонов. Эт объ сн етс наличием большого количе ства 1роколов в пленке металла (или окисла металла), которые вскрываютс после удалени фоторезистивной пленки . Кроме того, тонкое металлическое покрытие при эксплуатации фотошаблонов легко повреждаетс , на нем образуютс царапины и вырывы, что снижает срок службы фотошаблонов. Кроме .того, недостатком металлостекл нных. фото.шаблонов вл етс паразитное отражение света от поверхности маскирующего покрыти и вследствие этого искажение геометрических размеров элементов переносимого на полупроводниковую пластину рисунка микросхем. Следует также отметить, что в процессе контактировани фотошаблона с полупроводниковой пластиной поверхность металлического маскирующего сло электризуетс , а это ведет к осаждению на ней пылинок из окружающей среды , которые в процессе совмещени царапают маскирующее покрытие. Возникновение статического электричест- . ва в зоне контактировани фотошаблона и полупроводниковой пластины вл етс также основной причиной переноса частиц фоторезиста с полупроводниковой пластины на фотошаблон, что приводит к слипанию фотошаблона .и полупроводниковой пластины. Цель изобретени - уменьшение количества дефектов типа прокол уменьшение поверхностного статического зар да и отражающей способности маскирующего покрыти , а также повышени износостойкости. Зта цель достигаетс тем, что фотошаблон дополнительно содержит слой легированного фоторезиста, нанесенный на маскирующий слой. Кроме того, согласно способу изготовлени фотошаблона после операции травлени металлического сло производ т за.крепление фоторезистивной пленки путем ионного легировани , например, ионами бора (6+), фосфора (Р+) или сурьмы (), при этом легирование производ т ионами с энергией 100-200 кэВ, а доза легировани составл ет 100-500 мкКл/см. Оптимальные режимы ионного легировани (энерги ионов, доза легировани ) выбираютс в зависимости от массы ионов, используемых дл легировани , и от толщины пленки фоторезиста , нанесенной на маскирующий слой стекл нной подложки. Если легирование производитс ионами с энергией менее 100 кэВ, то ионы не внедр ютс на всю глубину сло фоторезиста, вследствие этого не происходит сшивание фоторезиста с маскирующей пленкой-и положительный эффект не достигаетс . При легировании, ионами с энергией более 2t)0 кэВ происходит разогревание подложки до температуры, при которой, происходит разрушение фоторезиста . Если доза легировани менее 100 мкКл/см, то не достигаетс опт мальна оптическа плотность, не полностью зат гиваютс проколы и, следовательно, цель изобретени не достигаетс . При дозе легировани , больше 500 мкКл/см происходит разогрев стекл нной подложки, что отрицатель но вли ет на качество легированного фоторезиста, резист разрушаетс . На чертеже изображен предлагаемый фотошаблон, разрез. Фотошаблон содержит стекл нную подложку t с нанесенным-на нее маски рующим слоем 2 из металла или окисла металла (хром, окись хрома, окись железа и т. п.), в котором выполнен рисунок (топологи ) микросхемы, который должен быть воспроизведен на полупроводниковой пластине -в процессе фотолитографии. На поверхность маскирующего сло 2 нанесен дополнительный слой 3. из легированного фоторезиста. Предлагаемый способ изготовлени фотошаблонов реализуетс на серийно выпускаемом оборудовании следуодим образом. ; На тщательно очищенную стекл нную Iподложку методом напылени накос т |слой металла или окисла металла, на|пример хрома, окиси хрома, окиси железа и т. п., толщиной 0,08-0,15 мкм На напыленный слой металла (окисла металла) методом центрифугировани нанос т слой фоторезиста толщиной 0,3-0,6 мкм. Об зательным условием при выполнении этих операций вл етс соблюдение сверхчистых условий, что обеспечиваетс минимальным разры вом по времени меищу операци ми и хр нением подложек в среде.инертного га за. Соблюдение этих условий гарантирует хорошую адгезию фоторезиста к напыленному слою металла (окисла металла ) . Затем светочувствительный слой подвергают экспонированию в течение 10-15 с через маску, на которой имеетс рисунок (топологи ) микросхем , который впоследствии необходимо воспроизводить на полупроводниковых пластинах. После этого производ т про вление рисунка в 0,6%-ном растворе едкого кали и травление металлической пленки. Если напыление пленки осуществл лось хромом (окисью хрома), то травление осуществл ют в смеси сол ной кислоты и воды в соот38 6 ношении 1:1, если напыление осуществл ют окисью железа, тс травление пропроизвод т в травителе, содержащем однобромистую медь (три части) и сол ную кислоту (1000 мл). После травлени фотошаблон подвергают задубливанию при температуре 200 С в течение 30 мин и осуществл ют закрепление фоторезистивной пленки, оставшейс на участках фотошаблона, не подвергшихс травлению, путем ионного легировани . Ионное легирование производ т на серийно выпускаемом оборудовании дл ионной имплантации, например на установке Везувий-2. Легирование осуществл ют ионами, например , бора (В+), фосфора (Р+) или сурьмы ( Sb--) с энергией кэВ, а доза легировани составл ет 100-500 кмКл/см . В результате ионного легировани фоторезистивна пленка на оставшихс после травлени металлизированных участках фотошаблона темнеет, упрочнаетс и становитс химически стойкой по отношению к кислотам , щелочам и растворител м. При этом происходит зат гивание дефектов (прокол, царапин) металлизированного покрыти , образующего непрозрачные участки фотошаблона, в результате чего повышаетс оптическа плотность фотошаблона, до минимума уменьшаетс количество дефектов на фотошаблоне и повышаетс его механическа прочность м химическа стойкость. Предла-. гаемый способ обеспечивает изготовление металлостекл нных фотошаблонов с числом дефектов, не превышающим 1-2 от общего числа микроструктур, в то врем как известные.фотошаблоны имеют 7-10 дефектных структур. Испытани показали, что износостойкость фотошаблонов , изготовленных по предлагаемому способу, выросла в -6 раз, за счет.чего их тиражестойкость увеличилась до 00-600 совмещений. Фотошаблоны , изготовленные по существующей технологии, допускают не более 100 совмещений. Наличие на металлическом маскирующем слое легированного сло фоторе- зиста снижает отраженную способность маскирующего покрыти до , в то врем как у фотошаблонов, не имеющих дополнительного фоторезистивного покрыти , паразитное отражение света составл ет 50-60. Это приводит к значительному повышению качества nepCHOcj Moro изображени . Кроме того. 79 за смет повышени оптической плотности фотошаблона сокращаетс врем экспонировани , что позвол ет увеличить производительность труда на опе рации экспонировани полупроводниковых пластин. Ионное легирование фото резистивной пленки фотошаблона спог собствует сн тию статического электричества , что предотвращает осаждение пылинок на поверхности фотошабло на при контактировании его с полупро водниковой пластиной в процессе совмещени . Благодар этому отпадает необходимость в частой отмывке фотошаблонов , что также способствует увеличению срока их службы Формула изобретени 1. Фотошаблон, содержащий прозрач ную подложку с нанесенным на нее мас кирующим слоем из металла или окисла металла, в котором выполнена топологи , отличающийс тем, что, с целью уменьшени количества дефектов типа прокол, уменьшени поверхностного статического зар да и отражающей способности маскирующег 8 го покрыти , а также повышени износостойкости , он дополнительно содержит слой легированного фоторезиста, нанесенный на маскирующий слой. 2. Способ изготовлени фотошаблона по п. 1, включающий операции нанесени настекл нную подложку сло металла или окисла металла с последующим нанесением на него фоторезистивной пленки, экспонировани и про влени фотОрезистивнойпленки, травлени металлического сло , отличающийс тем, что после one- рации травлени металлического сло производ т закрепление фоторезистивной пленки путем ионного легировани , например, ионами бора (В+), фосфора ( Р+) или сурьмы (), при этом легирование производ т ионами с энергией 100-200 кэВ, а доза легировани составл ет 100-500 мкКл/см . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Solid State Technology, 1972, . V, 115, p. 29-36.