DE2930416A1 - Fotoschablone und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Fotoschablone und verfahren zu deren herstellung

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Description

SCHIFF V. FDNER STREHL SCHDBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft das Erhalten von Reliefbildern und bezieht sich insbesondere auf eine Fotoschablone und auf deren Herstellungsverfahren.
Die Erfindung findet in der Halbleiterindustrie bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, beispielsweise von integrierten Großschaltkreisen und Höchstfrequenzgeräten, Anwendung. Darüber hinaus kann die Erfindung in der Holographie, bei der Herstellung von optischen Geräten, präzisen Teilen in der Uhrenindustrie und bei der Fertigung von gedruckten Leiterplatten verwendet werden.
Zur Zeit sind Fotoschablonen bekannt, die ein transparentes Substrat, beispielsweise aus Glas mit einer darauf aufgetragenen dünnen Schicht von auf dem genannten Substrat ein Reliefbild erzeugendem Metall oder Metalloxid, darstellen»
Die genannten Fotoschablonen werden folgenderweise hergestellt:
Auf ein sorgfältig gereinigtes transparentes Substrat, beispielsweise aus Glas, wird durch Bedampfung eine 0,08 bis 0,15 um dicke Metall- oder Metalloxidschicht aufgebracht. Auf die aufgebrachte Metallschicht (Metalloxidschicht) wird durch Zentrifugieren eine Fotoresistschicht - ein lichtempfindliches Polymer, beispielsweise auf der Basis von Novolakharz - aufgetragen. Die Dicke dieser Schicht beträgt in der Regel nicht mehr als 1 um. Das erhaltene Material wird einer Belichtung durch eine kontinuierlich arbeitende Lampe im Laufe von 10 bis 30 s über eine Maske ausgesetzt, auf der es ein Leiterbild (Topologie) von Mikrοschaltungen gibt, die im folgenden auf Halbleiterplatten zu reproduzieren sind. Danach wird das Leiterbild in einer alkalischen Lösung entwickelt. Die übriggebliebene lichtempfindliche Schicht wird gehärtet und die offenen Stellen des
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Metallüberzuges werden geätzt. Wenn die Schicht aus Chrom (Chromoxid) aufgedampft wurde, so wird es in einer Mischung von Salzsäure und Wasser in einem Verhältnis 1:1 geätzt. Erfolgte die Bedampfung mit Eisenoxid, so wird es in einer 3 Teile Kupfer(])-bromid und 1000 ml Salzsäure enthaltenden Lösung geätzt.
Die in diesem Verfahren hergestellten Fotoschablonen besitzen ein hohes Auflösungsvermögen. Sie weisen aber eine unzureichende optische Dichte, mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit auf, was deren wesentlicher Nachteil ist, der sich auf die Qualität der mit Hilfe dieser Fotoschablonen hergestellten Mikroschaltungen negativ auswirkt, die Ausschußquote der Erzeugnisse erhöht und die Lebensdauer der Fotoschablonen selbst verkürzt. Dies ist auf das Vorhandensein einer großen Anzahl von Kurzschlüssen durch die Metallschicht (Metalloxidschicht) zurückzuführen, was eine nicht qualitätsgerechte Bildübertragung zur Folge hat. Außerdem wird der dünne Metallüberzug bei Betrieb leicht beschädigt und darin entstehen Ritzen und Ausrisse. Hauptsache ist aber, daß er eine leicht beschädigbare Glasfläche nicht schützen kann.
Den bekannten Fotoschablonen haften auch als Nachteile eine parasitäre Lichtreflexion von der Oberfläche der Abdeckschicht und als Folge davon eine Verzerrung geometrischer Abmessungen von Bauelementen eines auf eine Halbleiterplatte zu übertragenden Leiterbildes der Mikroschaltungen an. Es ist auch zu betonen, daß bei einer Kontaktierung der Fotoschablone mit der Halbleiterplatte die Oberfläche der metallischen Abdeckschicht elektrisiert wird, was zum Absetzen von Stäubchen aus der Umgebung darauf führt, die bei der Deckung die Abdeckschicht kratzen. Die Entstehung einer statischen Elektrizität in der Kontaktzone der Fotoschablone mit der Halbleiterplatte ist auch die Hauptsache einer Übertragung von Teilchen des lichtempfindlichen Materials von der Halbleiterplatte auf die Fotoschablone, was zur Verschmelzung der Fotoschablone mit der Halbleiterplatte führt.
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Zweck der vorliegenden Erfindung ist es, die genannten Nachteile zu überwinden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Herstellungsverfahren für solch eine Fotoschablone zu schaffen, die zusätzlich eine Schicht enthält, die es gestattet, die Lebensdauer der Fotoschablone und ihre optische Dichte zu erhöhen und eine Verminderung einer statischen Oberflächenladung und eine Reflexionsfähigkeit gewährleistet.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Fotoschablone, die ein transparentes Substrat mit einer Topologie aus einer Metalloder Metalloxidschicht aufweist, gemäß der vorliegenden Erfindung eine auf der genannten Metall- oder Metalloxidschicht aufliegende Zusatzschicht aus einem dotierten lichtempfindlichen Material enthält.
Zweckmäßig ist, daß die Zusatzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung einen mit Ionen von Bor (Mol-Gew. II), Phosphor (MoI.-Gew. 31) oder Antimon (Mol. Gew. 122) dotierten Material darstellt.
Dank der vorliegenden Erfindung ist die Lebensdauer der erhaltenen Fotoschablonen um das 4- bis 6-fache gestiegen und beträgt 400 bis 600 Deckungen. Die Anzahl der Fehler vom Typ "Durchschlag" sank auf 1 bis 2 % gegenüber 5 Ms 7 % der bekannten Fotoschablonen ab. Die Reflexionsfähigkeit der erhaltenen Fotoschablone macht 5 bis 7 % im Vergleich zu 50 bis 60 % der unter Verwendung einer Chromschicht hergestellten Fotoschablone aus. Die optische Dichte der erhaltenen Fotoschablone wurde 2,2 auf 3,00 Einheiten erhöht, was es gestattet, die Belichtungszeit zu verringern und folglich die Arbeitsproduktivität zu steigern. Darüber hinaus enthält die erhaltene Fotoschablone gemäß der vorliegenden Erfindung keine statische Oberflächenladung.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es zweckmäßig, die Fotoschablone durch Auftragen auf ein transparentes Substrat zuerst einer Metall- oder Metalloxidschicht und dann einer licht-
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empfindlichen Schicht, durch Belichten des erhaltenen Materials, Entwickeln der lichtempfindlichen Schicht und Ätzen der nach der Entwicklung übriggebliebenen Metall- oder Metalloxidschicht bis auf das Glassubstrat zu erhalten, wobei gemäß der vorliegenden Erfindung nach der genannten Ätzung die danach übriggebliebenen Stellen der lichtempfindlichen Schicht einer Dotierung durch Ionen von Metallen mit einer Energie von 100 bis 200 keV bei einer Dotierungsdosis gleich 100 bis 500 uC/cm ausgesetzt wurden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es zweckmäßig, als Metallionen Ionen von Bor (Mol. Gew. II), Phosphor (Mol. Gew. 31) oder Antimon (Mol. Gew. 122) zu verwenden.
Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet es, eine die oben genannten Vorteile aufweisende Fotoschablone herzustellen.
Die anderen Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachstehenden ausführlichen Beschreibung der Fotoschablone, ihres Herstellungsverfahrens und der Ausführungsbeispiele des Verfahrens ersichtlich.
Zur Erzeugung der erfindungsgemäßen Fotoschablonen kann man beispielsweise ein gewöhnliches, bei der Fertigung von Fotoschablonen aus Metallglas weit verwendetes Borsilikatglas einsetzen.
Das Glas muß neutral gegen die Einwirkung einer Ionendotierung sein (d.h., seine optischen Eigenschaften nicht ändern, sich nicht färben).
Die auf ein transparentes Substrat aufgebrachte Schicht, die infolge einer speziellen Behandlung ein Reliefbild formiert, kann aus Metall oder Metalloxid, beispielsweise aus Chrom, Eisenoxid, Kupfer, Vanadium oder Wolfram, hergestellt sein. Die Dicke dieser Schicht beträgt in der Regel 0,08 bis 0,15 um.
Zur Vermeidung der den bekannten Fotoschablonen anhaftenden Mängel, d.h. des Vorhandenseins einer großen Anzahl von Durchschlägen, einer hohen Reflexionsfähigkeit und einer kurzen Lebensdauer, wird vorgeschlagen, einen Schutzüberzug mit einer minimalen Reflexionsfähigkeit auf der Oberfläche eines durch
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eine Metall- oder Metalloxidschicht formierten Reliefbildes zu erzeugen. An diesen Schutzüberzug werden folgende Anforderungen gestellt: er muß leicht verformbar (analog der Verformbarkeit von Kautschuk), in der Lage sein, eine Einwirkung seitens fremder Teilchen auf die Fotoschablone zu dämpfen, und auf solche Weise sowohl den Metallüberzug als auch das transparente Substrat zu schützen; außerdem muß der Schutzüberzug eine minimal mögliche Dicke aufweisen (um das Auflösungsvermögen der aus Metallen oder Metalloxiden erzeugten Grundschicht nicht zu verzerren).
Es wurde festgestellt, daß zur Erfüllung der genannten Bedingungen eine früher in einer Zwischenstufe bei der Fertigung der Fotoschablone aus einem lichtempfindlichen Polymer - einem Fotoresist - verwendete Schicht paßt, die auf der Basis von beispielsweise Novolakharz und einer lichtempfindlichen Komponente, beispielsweise von Naphthochinondiazid, hergestellt ist. Um der genannten Schicht aus einem lichtempfindlichen Stoff vorgegebene Eigenschaften zu verleihen, muß sie aber mit Metallionen dotiert werden, was es erlaubt, den Überzug aus Polymer zu festigen. Durch die Ionendotierung gewinnt die Fotoschicht die Eigenschaften des Kautschuks, d.h. sie ist in der Lage, sich leicht zu verformen und die Einwirkung von Fremdteilchen auf die Fotoschablone zu dämpfen. Wir sind der Auffassung, daß sich die Dotierung mit Ionen beliebiger Elemente des Periodensystems, beispielsweise mit Ionen von Bor (Mol. Gew. II), Stickstoff (MoI.-Gew. 14), Aluminium (Mol. Gew. 27), Phosphor (Mol. Gew. 31), Argon (Mol. Gew. 40), Gallium (Mol. Gew. 70), Arsen (Mol. Gew. 75), Antimon (Mol. Gew. 122), verwirklichen läßt. Die besten Ergebnisse der Dotierung werden aber bei dem Einsatz der Ionen derjenigen Elemente erzielt, die ein höheres Molekulargewicht aufweisen.
Infolge der Ionendotierung der Fotoschicht wird die Letztere dunkel, fester und chemisch beständiger gegenüber Säuren, Alkalien, Lösungsmittelj mehr noch, es werden bei der Dotierung die Defekte (Durchschläge, Ritze) der aus Metall- oder Metalloxid erzeugten Schicht behoben, worauf sich die optische Dichte der Fotoschablone und deren mechanische Festigkeit erhöhen.
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Die erfindungsgemäße Fotoschablone kann folgenderweise hergestellt werden:
Das transparente Substrat, beispielsweise aus Glas, wird durch Behandlung zuerst in einer einen Gewichtsteil KgCrgO™ und 3 Gewichtsteile HpSO^ enthaltenden Lösung im Laufe von 30 Minuten, dann in einem entionisierten Wasser mit einer nachfolgenden Trocknung in einem Thermostaten bei einer Temperatur von 100 C gereinigt. Auf das gereinigte Substrat wird in den bekannten Anlagen zur Vakuumbedampfung eine Metall- oder Metalloxidschicht mit einer Dicke von 0,08 bis 0,15 um aufgetragen. Dann wird auf die vorhandene Schicht in einer Zentrifuge eine polymere Fotoschicht = eine Fotoresistschicht = aufgetragen, deren Zusammensetzung vorstehend aufgeführt ist. Die Stärke der Fotoschicht beträgt in der Regel 0,3 bis 0,6 pn. Dann wird die Fotoschicht durch Lampen einer Ultraviolettstrahlung über eine Maske belichtet, auf der es ein gewünschtes Leitermuster (Topologie), beispielsweise eine Mikroschaltung ergibt, die im folgenden auf Halbleiterplatten zu reproduzieren ist.
Die belichtete Fotoschicht wird z.B. in einer 0,6-bis 1,2-prozentigen wässrigen Ätzkalilösung entwickelt, worauf die belichteten oder nicht belichteten Stellen der Fotoschicht (in Abhängigkeit von der Art des benutzten Fotoresists) ausgewaschen werden. Die nach der Entwicklung offenstehenden Stellen der aus Metall- oder Metalloxid erzeugten Schicht werden einer Ätzung bis auf das transparente Substrat in einer wässrigen Salz- oder Salpetersäurelösung unterzogen. Die nach der Entwicklung verbliebenen Stellen der Fotoschicht werden durch Wärmebehandlung bei einer Temperatur von höchstens 2000C gehärtet.
Dann wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Ionendotierung der verbliebenen Stellen der Fotoschicht mit Metallionen, beispielsweise auf den bekannten Anlagen für eine Ionenimplantation vorgenommen. Es ist zweckmäßig, die Dotierung, wie bereits erwähnt wurde, mit Ionen von ein höheres Molekulargewicht aufweisenden Elementen durchzuführen; die optimalen Verhältnisse für eine Ionendotierung (Ionenenergie, Dotierungsdosis) werden aber
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in Abhängigkeit von der Masse, dem Radius der ausgenutzten Ionen und der Schichtdicke des lichtempfindlichen Materials gewählt. Es wurde gefunden, daß, je schwerer das Ion ist, umso wahrscheinlicher eine sicherere Dotierung zu erwarten ist, gleichzeitig aber, je schwerer das Ion ist, umso schwerer es auf hohe Energien zu beschleunigen ist- es ist erforderlich, von massiveren Anlagen für eine Ionenimplantation Gebrauch zu machen. Es wurde festgestellt, daß für die vorliegende Dotierung Ionen von Elementen mit einer Energie von 100 bis 200 keV bei einer Dotierungsdosis gleich 100 bis 500 pC/cm einzusetzen sind.
Erfolgt die Dotierung durch Ionen mit einer Energie unterhalb von 100 keV, so dringen die Ionen nicht in die ganze Tiefe der Fotoschicht ein, weshalb keine Verschmelzung des lichtempfindlichen Materials mit der aus Metall oder Metalloxid erzeugten Schicht stattfindet und kein positiver Effekt erzielt wird.
Bei einer Dotierung durch Ionen mit einer Energie von mehr als 200 keV wird das Substrat auf eine Temperatur erhitzt, bei der das lichtempfindliche Material zerstört wird.
Liegt die Dotierungsdosis unterhalb von 100 pC/cm , wird keine optimale optische Dichte erreicht, die Durchschläge werden nicht ganz beseitigt, und es wird also keine Erhöhung der optischen Dichte der Fotoschablone erreicht.
Bei einer Dotierungsdosis oberhalb von 500 uC/cm wird das Glassubstrat erhitzt, was sich negativ auf die Qualität der dotierten Fotoschicht auswirkt - die Fotoschicht wird zerstört.
Beispiel 1
Das Substrat aus Borsilikatglas wird in einer Chromschwefelsäure im Laufe von 30 Minuten bearbeitet. Dann wird die Chromschwefelsäure vom Substrat durch einen Strahl entionisierten Wassers im Laufe von 20 Minuten heruntergespült und das Substrat im Laufe von 10 bis 20 Minuten in einem Wärmeschrank bei einer Temperatur
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von 1000C getrocknet. Die Chromschicht von 0,08 bis 0,15 um Dicke wird auf einer Anlage zur Bedampfung von Dünnschichten aufgedampft, und dann wird eine (positive) Fotoschicht aus Novolakharz und Naphthochinondiazid mit einer Stärke von 0,6 pn durch Schleudern aufgetragen. Die Fotoschicht wird bei einer Temperatur von 650C im Laufe von 5 Minuten auf einer Anlage für eine infrarote Wärmebehandlung getrocknet. Dann wird die Fotoschicht einer Belichtung im Laufe von 10 bis 15 s über eine Maske auf einer Kontaktdruckanlage unterzogen, wo die Leistung einer Lampe für eine UV-Strahlung 250 bis 25000 Ix beträgt. Das Bild wird in einem genormten Entwickler oder in einer 1,2-prozentigen Ätzkalilösung 10 bis 40 s lang entwickelt. Die offenen Chrorastellen werden in einem genormten Zerium-Ätzmittel im Laufe von 10 bis AO s (oder in einer Mischung - Salzsäure: Wasser = 1:1 im Laufe von 1 bis 2 min) geätzt. Die gebliebene Fotoschicht wird in einem Schrank bei einer Temperatur bis zu 200 C im Laufe von 30 min oder in einer Anlage für eine infrarote Wärmebehandlung im Laufe von 8 bis 10 min bei einer Temperatur von 100 C gehärtet. Ferner wird die Fotoschicht durch Ionendotierung fixiert, weshalb die Substrate mit der erzeugten Topologie auf einer Trommel in einer Vakuumkammer einer Anlage für eine Ionenimplantation angeordnet werden. Die Arbeitskammer wird auf einen Restdruck von 10 mm QS evakuiert. Es wird eine Hochspannung gleich 200 kW eingeschalet. Hierbei werden die Phosphorionen auf eine Energie von 150 keV beschleunigt. Die Fotoschicht wird beschossen, während sich die Trommel mit dem Substrat um ihre Achse mit einer Drehzahl von 9 U/min umdreht. Der Abtaststrahl der auf die hohe Energie beschleunigten Phosphorionen verschmilzt die Fotoschicht. Für 20 min nimmt jede Stelle der Fotoschicht eine Dotierungsdosis von 500 uC/cm auf.
Die erhaltene Fotoschablone besitzt eine erhöhte Verschleißfestigkeit (bis zu 600 Abzüge), niedrige Fehlordnung (1 bis 2 %), schwache Reflexionsfähigkeit (5 bis 7 %), hohe optische Dichte (3,0) und speichert keine statische Oberflächenladung.
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Beispiel 2
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 aufgeführten angestellt, nur daß auf ein Glassubstrat nicht eine Chrom-, sondern eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Die Eisenoxidschicht wird nach der Belichtung und Entwicklung in einer Lösung: Kupfer(l)-t>romid: Salzsäure = 3:1 - im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung erfolgt durch Antimonionen (Mol. Gew. = 122). Die Ionenenergie beträgt 200 keV, die Dotierungsdosis = 300 uC/cm
Die erzeugte Fotoschablone besitzt die in Beispiel 1 aufgeführten Kenndaten.
Beispiel 3
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 aufgeführten durchgeführt, nur daß die Dotierung durch Borionen (Mol. Gew. II) mit einer Energie 200 keV erfolgt; die Dotierungsdosis beträgt 500 uC/cm .
Es wird eine Fotoschablone mit Kenndaten erhalten, die den in Beispiel 1 aufgeführten ganz ähnlich sind.
Beispiel 4
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 aufgeführten durchgeführt, nur daß die Dotierung mit Stickstoffionen (Mol. Gew. 14) mit einer Ionenenergie von 200 keV erfolgt. Die Dotierungsdosis macht 500 uC/cm aus.
Es wird eine Fotoschablone analog wie in Beispiel 1 erzeugt.
Beispiel 5
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 aufgeführten durchgeführt, nur daß die Dotierung durch Aluminiumionen (Mol. Gew. 27) mit einer Ionenenergie von 150 keV erfolgt.
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Die Dotierungsdosis beträgt 500 uC/cm .
Es wird eine Fotoschablone erzeugt, wie sie in Beispiel 1 ist.
Beispiel 6
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 aufgeführten durchgeführt, nur daß die Dotierung durch Argonionen (Mol. Gew. 40) mit einer Ionenenergie von 150 keV geschieht.
Die Dotierungsdosis macht 300 pC/cm aus. Es wird eine Fotoschablone ähnlich der Fotoschablone in Beispiel 1 hergestellt.
Beispiel 7
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten durchgeführt, nur daß die Dotierung durch Galliumionen (Mol. Gew. 70) mit einer Ionenenergie von 200 keV und
einer Dotierungsdosis von 300 uC/cm erfolgt.
Es wird eine Fotoschablone ähnlich wie die Fotoschablone in Beispiel 1 erhalten.
Beispiel 8
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten durchgeführt, nur daß die Dotierung durch Arsenionen (Mol. Gew. 75) mit einer Ionenenergie von 200 keV und einer Do-
tierungsdosis von 500 uC/cm geschieht.
Es wird eine Fotoschablone ähnlich wie die Fotoschablone in Beispiel 1 erzeugt.
Beispiel 9
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 aufgeführten durchgeführt, nur daß die Dotierung durch Antimon-Ionen (Mol. Gew. 122) mit einer Ionenenergie von 200 keV erfolgt.
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Die Dotierungsdosis "beträgt 300 uC/cm .
Es wird eine Fotoschablone analog der Fotoschablone in Beispiel 1 erhalten.
Beispiel 10
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten verwirklicht, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgebracht wird. Sie wird nach einer Belichtung und Entwicklung in einer Lösung - Kupfer(l)-bromid; Salzsäure = 3:1 im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Es wird eine Fotoschablone analog der in Beispiel 1 erhaltenen hergestellt.
Beispiel 11
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten durchgeführt, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird nach einer Belichtung und Entwicklung in einer Lösung - Kupfer(l)-bromid: Salzsäure =3:1 im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung erfolgt durch Borionen (Mol. Gew. II), die Ionen-
energie beträgt 200 keV und die Dotierungsdosis - 500 uC/cm .
Es wird eine Fotoschablone erhalten, deren Kenndaten den in Beispiel 1 aufgeführten ähnlich sind.
Beispiel 12
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten angestellt, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird in einer Lösung - Kupfer-(i)-bromid: Salzsäure = 3:1 - im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung erfolgt durch Stickstoffionen (Mol. Gew. 14) mit einer Ionenenergie von 200 keV; die Dotierungsdosis macht 500 uC/
cm aus.
030020/063«
Es wird eine Fotoschablone erhalten, deren Kenndaten den in Beispiel 1 genannten analog sind.
Beispiel 13
Der Versuch wird unter den Verhältnissen in Analogie zu den in Beispiel 1 genannten durchgeführt, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird in einer Lösung - Kupfer(l)-bromid: Salzsäure =3:1 - geätzt. Die Dotierung erfolgt durch Aluminiumionen (Mol. Gew. 27) mit einer Ionenenergie von 125 keV; die Dotierungsdosis beträgt 300 uC/cm «
Es wird eine Fotoschablone erzeugt, deren Kenndaten den in Beispiel 1 genannten ähnlich sind.
Beispiel 14
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten angestellt, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird in einer Lösung - Kupfer(l)-bromid:Salzsäure = 3:1 - im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung erfolgt durch Argonionen (Mol.Gew. 40) bei einer Ionenenergie von 150 keV und einer Dotierungsdosis von 300 uC/ cm .
Es wird eine Fotoschablone erzeugt, deren Kenndaten ähnlich den in Beispiel 1 genannten sind.
Beispiel 15
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 durchgeführt, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird in einer Lösung - Kupfer(l)-bromld: Salzsäure =3:1 - im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung erfolgt durch Galliumionen (Mol.Gew. 70), die Ionenenergie macht 200 keV, die Dotierungsdosis 300 uC/cm aus.
Es wird eine Fotoschablone erzeugt, deren Kenndaten den in Beispiel 1 aufgeführten ähnlich sind.
030020/063«
Beispiel 16
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten durchgeführt, nur daß auf ein Glassubstrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird in einer Lösung Kupfer(l)-bromid:Salzsäure = 3:1 - im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung erfolgt durch Arsenionen (Mol.Gew. 75), die Ionenenergie beträgt 200 keV und die Dotierungsdosis = 500 pC/ci
Es wird eine Fotoschablone erhalten, deren Kenndaten den in Beispiel 1 aufgeführten analog sind.
Beispiel 17
Der Versuch wird unter den Verhältnissen analog den in Beispiel 1 genannten durchgeführt, nur dai3 auf ein Glas substrat eine Eisenoxidschicht aufgedampft wird. Sie wird in einer Lösung Kupfer(l)-bromid:Salzsäure =3:1 - im Laufe von 10 bis 120 s geätzt.
Die Dotierung geschieht durch Antimonionen (Mol.Gew. 122), die Ionenenergie beträgt 200 keV, die Dotierungsdosis - 300 uC/cm .
Es wird eine Fotoschablone erzeugt, deren Kenndaten analog den in Beispiel 1 aufgeführten sind.
03 00 20 /0538

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    1,- Fotoschablone, die ein transparentes Substrat mit einer Topologie aus einer Metall- oder Metalloxidschicht aufweist f dadurch gekennzeichnet , daß sie eine auf der genannten Metall- oder Metalloxidschicht aufliegende Zusatzschicht aus einem dotierten Fotoresist enthält.
  2. 2. Fotoschablone nach Anspruch 1, dadurch g e k e ix η zeichnet , daß die Zusatzschicht einen mit Ionen von Bor (Mol. Gew. II), Phosphor (Mol. Gew. 31) oder Antimon (Mol. Gew. 122) dotierten Fotoresist darstellt.
  3. 3. Verfahren zur Herstellung einer Fotoschablone nach Anspruch
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    1 oder 2, bestehend im Auftragen auf ein transparentes Substrat zuerst einer Metall- oder Metalloxidschicht und dann einer lichtempfindlichen Schicht, im Belichten des erhaltenen Materials, dem Entwickeln der lichtempfindlichen Schicht und Ätzen der nach der Entwicklung übriggebliebenen Metall- oder Metalloxidschicht bis auf das Glassubstrat, dadurch gekennzeichnet , daß nach der genannten Ätzung die danach übriggebliebenen Stellen der lichtempfindlichen Schicht einer Dotierung durch Ionen von Elementen mit einer Energie von 100 bis 200 keV bei einer Dotierungsdosis gleich 100 bis 500 uC/cm ausgesetzt werden.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungsionen Ionen von Bor (Mol. Gew. 11), Phosphor (Mol. Gew. 31) oder Antimon (Mol. Gew. 122) verwendet werden.
    t)30020/053Ö
DE19792930416 1978-10-30 1979-07-26 Fotoschablone und Verfahren zu deren Herstellung Expired DE2930416C2 (de)

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