DE1597803B2 - Photomaske zum belichten ausgewaehlter teile einer licht empfindlichen schicht - Google Patents
Photomaske zum belichten ausgewaehlter teile einer licht empfindlichen schichtInfo
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Description
maske hindurch, die entsprechend dem gewünschten Maskenmuster durchbrochen ist, oder durch Niederschlagen
eines Flächenfilms, gefolgt von einer höchst beständigen Maskierung, z. B. durch Photolithographie
und Ätzen. Das zuerst erwähnte Verfahren wurde jedoch in mehrfacher Hinsicht als nachteilig
befunden:
Erstens müssen die Metallmasken häufig gereinigt werden, um einen Aufbau des niedergeschlagenen
Materials zu vermeiden, zweitens müssen gesonderte Metallmasken für jede verschiedene Photomaske, die
herzustellen ist, bereitgehalten werden, drittens sind die Metallmasken schwierig zu handhaben und viertens
ist es schwierig, Metallmasken mit verwickelten oder hochdetaillierten Mustern herzustellen. Die
zweite Methode wurde, während sie im allgemeinen die obigen Nachteile nicht besitzt, nicht als befriedigend
bei der Herstellung sehr kleiner und verwickelter Muster (z. B. Linienbreiten und Zwischenlinienabstände
der Größenordnung 2 Mikron) befunden, und zwar wegen der nachteiligen Einwirkung während
des Ätzens auf die sehr dünnen Photolackbeschichtungen, die zur Erzeugung solcher Muster
notwendig sind.
Die erwähnten Nachteile können jedoch dadurch vermieden werden, daß eine Schicht aus filmbildendem
Material auf einer lichtdurchlässigen Unterlage niedergeschlagen wird und ausgewählte Teile der
Schicht zur Bildung eines Oxidmusters des filmbildenden Materials auf der Schicht oxidiert werden.
Dann wird das gesamte nicht oxidierte filmbildende Metall von der Unterlage durch Ätzen mit einem
Ätzmittel entfernt, welches das filmbildende Material angreift, nicht aber das Oxidmuster.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Photomaske besteht das filmbildende
Metall aus Tantal und die Oxidschicht aus Tantalpentoxid. Dabei empfiehlt es sich, die Oxidschicht
aus einem Anodisierungsoxid des filmbildenden Metalls aufzubauen.
Die Herstellung der Photomaske kann dann so erfolgen, daß die Oxidation ausgewählter Teile dadurch
bewerkstelligt wird, daß zunächst auf photolithographischem Weg ein Photolackmuster auf der Unterlage
erzeugt wird, dessen Aufbau dem Negativ des gewünschten Musters entspricht. Sodann wird das mit
diesem Abdeckungsmuster versehene Material anodisiert, um ein Anodisierungsmuster zu erzeugen,
worauf es durch das Anodisierungsoxidmuster hindurchgeätzt wird.
Die Erfindung ist in der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit der
Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigt
Fig. 1 eine Schnittansicht einer Photomaske,
F i g. 2 eine Schnittansicht, die darstellt, wie die Photomaske nach Fig. 1 zur Belichtung ausgewählter
Teile eines lichtempfindlichen Körpers verwendet wird und
F i g. 3 bis 9 eine Reihe Schnittansichten zur Erläuterung des Verfahrensablaufs bei einer erfindungsgemäßen
Herstellungsweise für die Maske nach Fig. 1,
In den Zeichnungen sind die Abmessungen der Deutlichkeit halber stark vergrößert dargestellt.
Photomasken-Aufbau
Fig. 1 zeigt eine Photomaske 10, die ein auf einer
Unterlage 12 gebildetes Muster eines filmbildenden Materials 11 sowie ein auf dem Muster erzeugtes
Oxid 13 des filmbildenden Materials aufweist.
Das Unterlagsmaterial ist so gewählt, daß es für das im Zusammenhang mit der Photomaske 10 zu
verwendende Licht transparent ist. Liegt beispielsweise das zu verwendende Licht im Ultraviolett-Bereich,
so kann die Unterlage aus Glas oder Quarz bestehen.
In ähnlicher Weise hängt die Auswahl eines filmbildenden Materials von dem im Zusammenhang mit
der Photomaske 10 zu verwendenden Licht ab. So sollte das filmbildende Material 11 gegenüber dem
Licht undurchlässig sein und ein Oxid 13 haben, das diesem gegenüber durchlässig ist. Beispielsweise würden
sich in Verbindung mit ultraviolettem Licht alle filmbildende Materialien, wie Tantal, Niob, Aluminium,
Titan, Hafnium u. dgl., allgemein eignen.
Wie nachstehend im einzelnen noch erläutert wird, wird die Dicke des Oxids 13 so gewählt, daß beim
Gebrauch die Reflexionen von hierauf auffallendem Licht durch auslöschende Interferenz weitgehend
unterdrückt sind.
Gebrauch
In F i g. 2 ist ein Körper 14 mit einer lichtempfindlichen Beschichtung 16 dargestellt, die durch die
Photomaske 10 hindurch belichtet werden soll. Die Photomaske 10 wird mit der Oxidseite nach unten in
innigen Kontakt mit der Beschichtung 16 gebracht. Licht einer (nicht dargestellten) Quelle wird dann auf
die Photomaske 10 gerichtet, um diejenigen Teile der Beschichtung 16 zu belichten, welche nicht durch das
Muster aus oxydiertem, filmbildendem Material abgedeckt sind.
Die Wellenlänge des Lichts wird entsprechend der spektralen Empfindlichkeit der Beschichtung 16 ausgewählt.
Besteht beispielsweise die Beschichtung 16 aus einem der Photolacke der Firma Kodak, wie
KPR, KMER, KTFR usw., so sollte das verwendete Licht Ultraviolettlicht mit einer Wellenlänge von etwa
3200 A sein.
Außerdem sollte das Licht kollimiert und senkrecht auf die Photomaske 10 gerichtet sein. In diesem
Fall wird jegliches Licht, das durch die Beschichtung 16 hindurchgeht, am Körper 14 senkrecht
zurückreflektiert,-, es wird also durch dasjenige »Fenster« wieder austreten, durch welches es eingetreten
ist. Ist jedoch das Licht nicht vollkommen kollimiert oder fällt es nicht senkrecht ein, wie dies
durch den Strahl 17 dargestellt ist, oder wird das Licht nach seinem Durchlauf durch die Photomaske
10 gebeugt, wie dies durch den Strahl 18 dargestellt ist, so wird das Licht vom Körper 14 gegen die Oberfläche
des Musters hin schief reflektiert. Wenn diesem reflektierten, durch die Strahlen 17 α und 18 α dargestellten
Licht gestattet würde, von der Oberfläche des Musters wieder zurückreflektiert zu werden, so würde
dies zu Mehrfachreflexionen (dargestellt durch die Strahlen 17 b und 18 b) zwischen der Musteroberfläche
und der Oberfläche des Körpers führen, wodurch jene Teile der Beschichtung 16 belichtet würden,
welche nicht belichtet werden sollen.
Diese Erscheinung wird durch sorgfältige Einstellung der Dicke des Oxids 13 verhindert, so daß die
Belichtungswirkung des Lichts, das an der Oxid-Beschichtungsgrenzfläche reflektiert wird, weitgehend
durch auslöschende Interferenz unterdrückt wird. Im einzelnen wird, wie allgemein bekannt ist (s. beispiels-
5 6
weise L. Young, Anodic Oxide Films, Academic schiedlicher Oxiddicken bei einer bestimmten WeI-Press,
London und New York, 1961), auf ein trans- lenlänge spektrophotometrisch bestimmt. Sodann
parentes Oxid einfallendes Licht teils reflektiert und kann eine Kurve, die die Abhängigkeit des Reteils
durchgelassen. Je nach dem Brechungsindex flexionsvermögens von der Oxiddicke wiedergibt, aus
des Oxids gegenüber der Beschichtung 16 kann ein 5 den Resulaten dieser Messungen aufgestellt werden.
Phasensprung um eine halbe Wellenlänge zwischen Die Auslöschungsdicken können dann bestimmt
dem reflektierten und dem einfallenden oder ge- werden durch Markieren der Punkte minimalen Rebrochenen
Licht auftreten, d. h., ein Phasensprung flexionsvermögens. Mit Hilfe einer derartigen Metritt
auf, wenn das Licht von einem Medium reflek- thode wurde für ein Tantal-Tantalpentoxid-System
tiert wird, dessen Brechungsindex größer ist als der- io bestimmt, daß eine Tantalpentoxiddicke von 450 A
jenige des davorliegenden Mediums, in welchem sich eine Auslöschungsdicke bei einer Wellenlänge von
das Licht fortpflanzt. Das gebrochene Licht wird 3200A war. Beim tatsächlichen Gebrauch wurde
dann von der Grenzfläche zwischen Oxid und dem diese Dicke als zu einer sehr befriedigenden Refilmbildenden
Material zurück zur Oberfläche des flexionsunterdrückung führend befunden.
Oxids reflektiert. Da Oxide der filmbildenden Ma- 15
Oxids reflektiert. Da Oxide der filmbildenden Ma- 15
terialien unverändert kleinere Brechungsindizes als Herstellungsverfahren
ihre Grundmaterialien haben, tritt ein Phasensprung Ein Verfahren zum Herstellen der Photomaske 10 um eine halbe Wellenlänge zwischen dem einfallen- ist in den F i g. 3 bis 9 dargestellt,
den Licht und dem reflektierten Licht an der Grenz- Der erste Schritt beim Herstellungsverfahren ist das fläche zwischen filmbildendem Material und Oxid 20 Niederschlagen einer dünnen Schicht des filmbildenauf. Das von der Grenzfläche zwischen filmbildendem den Materials auf der Unterlage 12 (F i g. 3) nach Material und Oxid reflektierte Licht läuft dann zu- üblichen Methoden, beispielsweise durch kathodisches rück zur Oxid/Beschichtung-Grenzfläche, aus der es Aufstäuben oder durch Vakuumbedampfung (s. beiaustritt und mit dem anfänglich an der Oxid/Be- spielsweise Vacuum Deposition of Thin Films, schichtung-Grenzfläche reflektierten Licht interferiert. 25 L.Holland, J. Wiley and Sons, 1956). Die Dicke
ihre Grundmaterialien haben, tritt ein Phasensprung Ein Verfahren zum Herstellen der Photomaske 10 um eine halbe Wellenlänge zwischen dem einfallen- ist in den F i g. 3 bis 9 dargestellt,
den Licht und dem reflektierten Licht an der Grenz- Der erste Schritt beim Herstellungsverfahren ist das fläche zwischen filmbildendem Material und Oxid 20 Niederschlagen einer dünnen Schicht des filmbildenauf. Das von der Grenzfläche zwischen filmbildendem den Materials auf der Unterlage 12 (F i g. 3) nach Material und Oxid reflektierte Licht läuft dann zu- üblichen Methoden, beispielsweise durch kathodisches rück zur Oxid/Beschichtung-Grenzfläche, aus der es Aufstäuben oder durch Vakuumbedampfung (s. beiaustritt und mit dem anfänglich an der Oxid/Be- spielsweise Vacuum Deposition of Thin Films, schichtung-Grenzfläche reflektierten Licht interferiert. 25 L.Holland, J. Wiley and Sons, 1956). Die Dicke
Sind die interferierenden Lichtwellen außer Phase, der Schicht ist nicht kritisch und kann beispielsweise
so wird sich eine auslöschende Interferenz ergeben, zwischen 1000 und 10 000 A liegen,
wodurch die Wirkung der Reflexionen an der Oxid- Nach dem Niederschlag der filmbildenden Schicht Beschichtung--Grenzfläche minimalisiert wird. Die tat- 11 wird die Schicht mit einem anodisierungsbeständisächliche Phasenbeziehung hängt von der Oxiddicke 30 gen Material maskiert. Vorzugsweise erfolgt dabei ab. So wird beispielsweise für senkrecht einfallendes diese Maskierung nach einer üblichen photolitogra-Licht, wenn der Brechungsindex (^1) der Beschich- phischen Methode. Hiernach wird die filmbildende tung 16 kleiner als der (n2) des Oxids 13 ist und Schicht 11 mit einer Schicht 19 eines üblichen Photoletzterer wiederum kleiner als der (rc3) des Materials lacks, z.B. Kodak KTFR, überzogen (Fig. 4). Die 11 ist (d. h. nt<.n2<. nz), eine Oxiddicke von einer 35 Dicke der Schicht 19 wird so gewählt, daß sie gleich viertel Wellenlänge (oder einem ungeradzahligen oder kleiner als die Breiten der Linien und Abstände Vielfachen hiervon) allgemein eine auslöschende zwischen den Linien des zu erzeugenden Masken-Interferenz zwischen dem anfänglich an der Oxid- musters ist. Liegen daher beispielsweise die Breiten Beschichtung-Grenzfläche reflektierten Licht und dem der Linien und die Zwischenlinienabstände in der an der Grenzfläche zwischen filmbildendem Material 40 Größenordnung 2 Mikron, so ist die Dicke der Photo- und Oxid reflektierten Licht eine auslöschende Inter- lackschicht 19 in der Größenordnung 1 Mikron oder ferenz zur Folge haben. In ähnlicher Weise wird, darunter.
wodurch die Wirkung der Reflexionen an der Oxid- Nach dem Niederschlag der filmbildenden Schicht Beschichtung--Grenzfläche minimalisiert wird. Die tat- 11 wird die Schicht mit einem anodisierungsbeständisächliche Phasenbeziehung hängt von der Oxiddicke 30 gen Material maskiert. Vorzugsweise erfolgt dabei ab. So wird beispielsweise für senkrecht einfallendes diese Maskierung nach einer üblichen photolitogra-Licht, wenn der Brechungsindex (^1) der Beschich- phischen Methode. Hiernach wird die filmbildende tung 16 kleiner als der (n2) des Oxids 13 ist und Schicht 11 mit einer Schicht 19 eines üblichen Photoletzterer wiederum kleiner als der (rc3) des Materials lacks, z.B. Kodak KTFR, überzogen (Fig. 4). Die 11 ist (d. h. nt<.n2<. nz), eine Oxiddicke von einer 35 Dicke der Schicht 19 wird so gewählt, daß sie gleich viertel Wellenlänge (oder einem ungeradzahligen oder kleiner als die Breiten der Linien und Abstände Vielfachen hiervon) allgemein eine auslöschende zwischen den Linien des zu erzeugenden Masken-Interferenz zwischen dem anfänglich an der Oxid- musters ist. Liegen daher beispielsweise die Breiten Beschichtung-Grenzfläche reflektierten Licht und dem der Linien und die Zwischenlinienabstände in der an der Grenzfläche zwischen filmbildendem Material 40 Größenordnung 2 Mikron, so ist die Dicke der Photo- und Oxid reflektierten Licht eine auslöschende Inter- lackschicht 19 in der Größenordnung 1 Mikron oder ferenz zur Folge haben. In ähnlicher Weise wird, darunter.
wenn nx ~>
no > n3 oder wenn nx
<. n2 < n3 gilt, eine Danach werden (F i g. 5) ausgewählte Teile der
Oxiddicke von einer halben Wellenlänge (oder einem Photolackschicht 19 belichtet, und zwar unter
ungeradzahligen Vielfachen hiervon) zu einer aus- 45 Zwischenschalten einer Photomaske 21 zwischen die
löschenden Interferenz führen. Erwünschtermaßen Photolackschicht und die (nicht dargestellte) Lichtsollten
zur Maximalisierung der auslöschenden Inter- quelle. Die Schicht 19 wird dann nach üblichen Meferenz
die Oberfläche des Oxids und die Oberfläche thoden entwickelt, was unter Weglösen der nicht bedes
filmbildenden Materials weitgehend das gleiche lichteten Teile zu der in F i g. 6 dargestellten Konfi-Reflexionsvermögen
haben, wie dies beispielsweise 50 guration führt. Es sollte sich verstehen, daß an Stelle
für Tantal und Tantalpentoxid der Fall ist. eines Negativ-Photolacks (z. B. Kodak KTFR) auch
Für nicht senkrecht einfallendes Licht, wie dies ein Positiv-Photolack, z. B. Azoplate AZ 1350 der
vorliegend der Fall ist, werden die Auslöschungs- Shipley Co., Newton, Massachusetts, zur Maskierung
dicken von einer viertel Wellenlänge oder einer hai- der Schicht 11 verwendet werden kann, wobei in dieben
Wellenlänge in Abhängigkeit von den Einfalls- 55 sem Falle der Entwicklungsprozeß zu einer Entfernwinkeln
des Lichts und der optischen Konstanten der nung der belichteten Teile des Photolacks führt.
betreffendenMaterialienabweichen.DieAuslöschungs- Nach Bildung des anodisierungsbeständigen Mudicken können aus allgemein bekannten optischen sters auf der filmbildenden Schicht 11 wird diese Formeln errechnet werden (s. Young a. a. Ο., ferner einem üblichen Anodisierungsverfahren unterworfen, Born und WoIt, Principles of Optics, Macmillan, 60 z.B. dem Verfahren nach der USA.-Patentschrift New York, 1964, sowie Kubaschewski und 3 148 129, H. B as sech es et. al. Beispielsweise kann Hopkins, Oxidation of Metals and Alloys, Butter- das Anodisieren erfolgen durch Eintauchen der ganworths, London, 1962). Vorzugsweise werden jedoch, zen Unterlage in einen Anodisierungs-Elektrolyt, da üblicherweise die betreffenden optischen Konstan- z. B. in eine verdünnte wäßrige Phosphorsäureten nicht genau bekannt sind, die Auslöschungs- 65 lösung, und durch Anlegen einer Spannung zwischen dicken mit Hilfe üblicher optischer Meßmethoden der Schicht 11 und einer im Elektrolyt angeordneten empirisch bestimmt. So werden beispielsweise zu- Kathode. Die Höhe der Spannung wird entsprechend nächst die Reflexionsvermögen einer Reihe unter- der gewünschten Dicke des Oxids 13 gewählt. Dies
betreffendenMaterialienabweichen.DieAuslöschungs- Nach Bildung des anodisierungsbeständigen Mudicken können aus allgemein bekannten optischen sters auf der filmbildenden Schicht 11 wird diese Formeln errechnet werden (s. Young a. a. Ο., ferner einem üblichen Anodisierungsverfahren unterworfen, Born und WoIt, Principles of Optics, Macmillan, 60 z.B. dem Verfahren nach der USA.-Patentschrift New York, 1964, sowie Kubaschewski und 3 148 129, H. B as sech es et. al. Beispielsweise kann Hopkins, Oxidation of Metals and Alloys, Butter- das Anodisieren erfolgen durch Eintauchen der ganworths, London, 1962). Vorzugsweise werden jedoch, zen Unterlage in einen Anodisierungs-Elektrolyt, da üblicherweise die betreffenden optischen Konstan- z. B. in eine verdünnte wäßrige Phosphorsäureten nicht genau bekannt sind, die Auslöschungs- 65 lösung, und durch Anlegen einer Spannung zwischen dicken mit Hilfe üblicher optischer Meßmethoden der Schicht 11 und einer im Elektrolyt angeordneten empirisch bestimmt. So werden beispielsweise zu- Kathode. Die Höhe der Spannung wird entsprechend nächst die Reflexionsvermögen einer Reihe unter- der gewünschten Dicke des Oxids 13 gewählt. Dies
7 8
gilt selbstverständlich mit der Maßgabe, daß die der USA.-Patentanmeldung Serial Nr. 564 332 vom
Spannung kleiner als die Durchbruchsspannung des 11.7. 1966 verwendet. Alternativ kann eine Anodi-Photolacks
bleibt. Die Anodisierung führt zu einem sierungsapparatur des Kapillartypus verwendet wer-Anodisierungsoxid
13 (F i g. 7) auf den nicht mas- den, wie diese in der kanadischen Patentschrift
kierten Teilen der Schicht 11, beispielsweise zu 5 742 200, R. D. Sutch beschrieben ist.
Tantalpentoxid, wenn die Schicht 11 aus Tantal Der letzte Schritt des vorliegenden Herstellungsverbesteht. Der Photolack 19 schützt dabei seine darun- fahrens ist das durch Ätzen der oxydmarkierten terliegenden Teile der Schicht 11 vor der Anodi- Schicht 11 mit einem Ätzmittel, das das filmbildende sierung. Wie erwähnt, tritt wegen der gegenüber einer Material angreift, nicht aber dessen Anodisierungs-Ätzbehandlung vergleichsweise milden Anodisierungs- io oxid 13. Besteht beispielsweise die Schicht 11 aus behandlung keine Beschädigung der Schicht 19 wäh- Tantal, so kann entsprechend der eigenen älteren rend der Anodisierung auf, wodurch das resultierende Anmeldung W 40 226 vom 3. November 1965 (ent-Anodisierungsoxidmuster ein getreues und scharfes spricht belgischer Patentschrift 671926), ein salpeter-Negativ des Photolackmusters ist. säure- und flußsäurehaltiges Ätzmittel hierfür ver-Der Photolack 19 wird dann mit einem Lösungs- 15 wendet werden. Die Ätzbehandlung bewirkt die Entmittel entfernt, es ergibt sich also der in F i g. 8 dar- fernung aller exponierten Teile der Schicht 13, wähgestellte Aufbau. Es sei bemerkt, daß die Schicht 11 rend die nicht exponierten Teile gegen den Ätzmittelgegebenenfalls auch ohne vorheriges Aufbringen angriff durch ihre dichte, stark haftende Oxidabeines Photolacks selektiv anodisiert werden kann, deckungen 13 geschützt sind. Der resultierende Aufwenn man einen viskosen Elektrolyten entsprechend 20 bau ist in F i g. 9 dargestellt.
Tantalpentoxid, wenn die Schicht 11 aus Tantal Der letzte Schritt des vorliegenden Herstellungsverbesteht. Der Photolack 19 schützt dabei seine darun- fahrens ist das durch Ätzen der oxydmarkierten terliegenden Teile der Schicht 11 vor der Anodi- Schicht 11 mit einem Ätzmittel, das das filmbildende sierung. Wie erwähnt, tritt wegen der gegenüber einer Material angreift, nicht aber dessen Anodisierungs-Ätzbehandlung vergleichsweise milden Anodisierungs- io oxid 13. Besteht beispielsweise die Schicht 11 aus behandlung keine Beschädigung der Schicht 19 wäh- Tantal, so kann entsprechend der eigenen älteren rend der Anodisierung auf, wodurch das resultierende Anmeldung W 40 226 vom 3. November 1965 (ent-Anodisierungsoxidmuster ein getreues und scharfes spricht belgischer Patentschrift 671926), ein salpeter-Negativ des Photolackmusters ist. säure- und flußsäurehaltiges Ätzmittel hierfür ver-Der Photolack 19 wird dann mit einem Lösungs- 15 wendet werden. Die Ätzbehandlung bewirkt die Entmittel entfernt, es ergibt sich also der in F i g. 8 dar- fernung aller exponierten Teile der Schicht 13, wähgestellte Aufbau. Es sei bemerkt, daß die Schicht 11 rend die nicht exponierten Teile gegen den Ätzmittelgegebenenfalls auch ohne vorheriges Aufbringen angriff durch ihre dichte, stark haftende Oxidabeines Photolacks selektiv anodisiert werden kann, deckungen 13 geschützt sind. Der resultierende Aufwenn man einen viskosen Elektrolyten entsprechend 20 bau ist in F i g. 9 dargestellt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Photomaske zum Belichten ausgewählter Ziel entwickelt, entweder die unbelichteten oder beAbschnitte
einer auf einem Körper aufgebrach- 5 lichteten Teile desselben zu entfernen, je nachdem,
ten lichtempfindlichen Schicht, die aus einer licht- ob ein Negativ- oder Positiv-Photolack verwendet
durchlässigen Unterlage und einem auf dieser wird. Üblicherweise wird dann der Körper zur BiI-aufgebrachten,
metallischen, für Licht undurch- dung des gewünschten Musters geätzt.
lässigen Muster besteht, welches beim Gebrauch Eines der diesen Prozeß begleitenden Probleme
in Berührung mit der lichtempfindlichen Schicht io ist das, daß wegen des kleinen Absorptionsversteht,
während das Licht durch die Maske auf die mögens der normalerweise verwendeten Photolacke,
lichtempfindliche Schicht fällt, dadurch ge- insbesondere bei sehr dünnen Photolackschichten,
kennzeichnet, daß das Muster aus einem das auffallende Licht durch die Beschichtung hinfilmbildenden
Metall (H) besteht, das bezüglich durchläuft und vom darunter befindlichen Körper
des Lichtes Reflexionseigenschaften hat, und zur 15 reflektiert wird. Fällt das Licht nicht vollständig
Schaffung einer abriebfesten Schutzschicht eine senkrecht auf die Oberfläche des Photolacks ein
Oxidschicht (13) aus filmbildenden Metall trägt, oder wird es nach seinem Durchgang durch die licht-
und daß die Oxidschicht (13) die Fähigkeit hat, durchlässigen »Fenster« der Maske gebeugt, so wird
das Licht teilweise durchzulassen und teilweise das einfallende Licht von der Oberfläche des Körzu
reflektieren, wobei ihre Dicke so gewählt ist, 20 pers schief statt senkrecht reflektiert. Als Folge hierdaß
sie im Gebrauch, wenn die Maske mit der von trifft das reflektierte Licht, statt wieder durch
Oxidschichtseite in enger Anlage an der lichtemp- die Fenster auszutreten, auf die lichtundurchlässigen
findlichen Schicht (16) liegt und Licht (17, 18) Teile der Maske von unten her auf. Sind die lichtdurch
die Maske geschickt wird, um die ausge- undurchlässigen Teile der Maske reflektierend, so
wählten Abschnitte der lichtempfindlichen Schicht 25 führt dies zu Mehrfachreflexionen zwischen den lichtzu
belichten, von der lichtempfindlichen Schicht durchlässigen Teilen und der Oberfläche des Kör-(16),
deren Körper (14) und dem metallischen pers, wodurch der Photolack in Bereichen belichtet
Muster (11) einfallendes reflektiertes Licht durch wird, die unbelichtet bleiben sollten. Dies führt einerauslöschende
Interferenz weitgehend unterdrückt. seits zu einer schlechten Musterbegrenzung.
2. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch ge- 30 Es wurde bereits eine Photomaske vorgeschlagen,
kennzeichnet, daß das fihnbildende Metall (11) die aus einem lichtdurchlässigen Substrat, z. B. Glas,
aus Tantal und die Oxidschicht (13) aus Tantal- besteht, das mit einem Muster aus Metall (Chrom)
pentoxid besteht. bedeckt ist, welches entweder mattiert oder ge-
3. Photomaske nach Anspruch 1 oder 2, da- schwärzt ist. Das Mattieren oder Schwärzen erfolgt
durch gekennzeichnet, daß die Oxidschicht (13) 35 bei dieser Maske auf eine beliebige geeignete Weise,
aus einem Anodisierungsoxid des filmbildenden beispielsweise durch chemisches Einfärben oder ther-Metalls
aufgebaut ist. mische oder anodische Oxydation. Durch anodische
Oxydation wird bei dieser Druckschrift also eine Dunkelfärbung der Metallschicht erzielt, die zu schär-
40 feren Abbildungen bei kleinen Strukturen führen soll.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine neue und verbesserte Photomaske anzu-
Die Erfindung betrifft eine Photomaske zum Be- geben, die nicht nur nichtreflektierend, sondern auch
lichten ausgewählter Abschnitte einer auf einem extrem dauerhaft und abriebbeständig ist. Dabei soll
Körper aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht, 45 die Photomaske auf einfache Weise auch die Erzeu-
die aus einer lichtdurchlässigen Unterlage und gung sehr verwickelter und genauer kleiner Masken-
einem auf dieser aufgebrachten, metallischen, für muster ermöglichen.
Licht undurchlässigen Muster besteht, welches beim Ausgehend von einer Photomaske der eingangs
Gebrauch in Berührung mit der lichtempfindlichen erwähnten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß
Schicht steht, während das Licht durch die Maske 50 dadurch gelöst, daß das Muster aus einem filmbilden-
auf die lichtempfindliche Schicht fällt. den Metall besteht, das bezüglich des Lichtes Re-
Bei der Herstellung elektronischer Bauteile und flexionseigenschaften hat, und zur Schaffung einer
Schaltungen in Miniaturausführung, z. B. Halbleiter- abriebfesten Schutzschicht eine Oxidschicht aus dem
bauelemente und Dünnfilmschaltungen, ist einer der filmbildenden Metall trägt, und daß die Oxidschicht
wichtigsten Prozesse die photolithographische Erzeu- 55 die Fähigkeit hat, das Licht teilweise durchzulassen
gung einer gewünschten Schaltungselement- oder und teilweise zu reflektieren, wobei ihre Dicke so
Schaltungskonfiguration. In der Tat ist in den gewählt ist, daß sie im Gebrauch, wenn die Maske
meisten Fällen die Genauigkeit, mit der dieser Pro- mit der Oxidschichtseite in enger Anlage an der lichtzeß
ausgeführt werden kann, der Hauptfaktor, der empfindlichen Schicht liegt und Licht durch die
den Grad der erhältlichen Miniaturisierung be- 60 Maske geschickt wird, um die ausgewählten Abstimmt,
schnitte der lichtempfindlichen Schicht zu belichten,
Allgemein wird die Erzeugung photolithographi- von der lichtempfindlichen Schicht, deren Körper
scher Muster bewerkstelligt durch Beschichten eines und dem metallischen Muster einfallendes reflek-
Körpers, auf dem ein Muster erzeugt werden soll, tiertes Licht durch auslöschende Interferenz weit-
mit einem ätzbeständigen Photolack (photoresist 65 gehend unterdrückt.
material). Danach wird der photolackbeschichtete Die erfindungsgemäße Photomaske kann in einKörper
durch eine Photomaske hindurch im Kon- fächer Weise hergestellt werden durch Niederschlataktverfahren
belichtet, wobei diese Photomaske aus gen des filmbildenden Materials durch eine Metall-
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1597803A1 DE1597803A1 (de) | 1970-05-06 |
| DE1597803B2 true DE1597803B2 (de) | 1972-03-23 |
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|---|---|---|---|
| DE19671597803 Pending DE1597803B2 (de) | 1966-10-20 | 1967-10-12 | Photomaske zum belichten ausgewaehlter teile einer licht empfindlichen schicht |
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|---|---|
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| GB (1) | GB1205795A (de) |
| NL (1) | NL6711110A (de) |
| SE (1) | SE348298B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2930416A1 (de) * | 1978-10-30 | 1980-05-14 | Gunina Geb Roldugina | Fotoschablone und verfahren zu deren herstellung |
| DE3310962A1 (de) * | 1983-03-25 | 1984-09-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur reduzierung von linienbreitenschwankungen bei der herstellung von fotolackstrukturen |
Families Citing this family (92)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4939863B1 (de) * | 1970-02-02 | 1974-10-29 | ||
| GB1462618A (en) * | 1973-05-10 | 1977-01-26 | Secretary Industry Brit | Reducing the reflectance of surfaces to radiation |
| US3885877A (en) * | 1973-10-11 | 1975-05-27 | Ibm | Electro-optical fine alignment process |
| US3999301A (en) * | 1975-07-24 | 1976-12-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Reticle-lens system |
| US4139386A (en) * | 1976-12-08 | 1979-02-13 | Swiss Aluminium Ltd. | Method for obtaining engravers template |
| US4260675A (en) * | 1979-05-10 | 1981-04-07 | Sullivan Donald F | Photoprinting plate and method of preparing printed circuit board solder masks therewith |
| EP0049799B1 (de) * | 1980-10-09 | 1986-02-12 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Blankophotoschablone und Photoschablone |
| US4619894A (en) * | 1985-04-12 | 1986-10-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid-transformation thermal resist |
| US6653193B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable device |
| US6638820B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices |
| US6727192B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of metal doping a chalcogenide material |
| US6818481B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell |
| US6734455B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides |
| US7102150B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-05 | Harshfield Steven T | PCRAM memory cell and method of making same |
| US6951805B2 (en) | 2001-08-01 | 2005-10-04 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry |
| US6737312B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode |
| US6784018B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry |
| US6955940B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices |
| US6881623B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device |
| US6646902B2 (en) | 2001-08-30 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM |
| US6709958B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials |
| US6815818B2 (en) | 2001-11-19 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Electrode structure for use in an integrated circuit |
| US6791859B2 (en) | 2001-11-20 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation |
| US6873538B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto |
| US6909656B2 (en) | 2002-01-04 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | PCRAM rewrite prevention |
| US20030143782A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Gilton Terry L. | Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures |
| US6867064B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
| US6791885B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
| US7151273B2 (en) * | 2002-02-20 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory |
| US7087919B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Layered resistance variable memory device and method of fabrication |
| US6891749B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable ‘on ’ memory |
| US6809362B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-10-26 | Micron Technology, Inc. | Multiple data state memory cell |
| US6847535B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation |
| US6937528B2 (en) | 2002-03-05 | 2005-08-30 | Micron Technology, Inc. | Variable resistance memory and method for sensing same |
| US6849868B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for resistance variable material cells |
| US6751114B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-06-15 | Micron Technology, Inc. | Method for programming a memory cell |
| US6858482B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of programmable switching circuits and memory cells employing a glass layer |
| US6864500B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor memory cell structure |
| US6855975B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-02-15 | Micron Technology, Inc. | Thin film diode integrated with chalcogenide memory cell |
| US6731528B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation |
| US6825135B2 (en) | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition |
| US6890790B2 (en) | 2002-06-06 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides |
| US7015494B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-03-21 | Micron Technology, Inc. | Assemblies displaying differential negative resistance |
| US7209378B2 (en) | 2002-08-08 | 2007-04-24 | Micron Technology, Inc. | Columnar 1T-N memory cell structure |
| US7018863B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-03-28 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of a resistance variable memory cell |
| US7163837B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistance variable memory element |
| US7294527B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-11-13 | Micron Technology Inc. | Method of forming a memory cell |
| US6867996B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Single-polarity programmable resistance-variable memory element |
| US7010644B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Software refreshed memory device and method |
| US6831019B1 (en) | 2002-08-29 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods and methods of forming memory devices comprising a chalcogenide comprising layer received operably proximate conductive electrodes |
| US6867114B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology Inc. | Methods to form a memory cell with metal-rich metal chalcogenide |
| US6864521B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method to control silver concentration in a resistance variable memory element |
| US7364644B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
| US6813178B2 (en) * | 2003-03-12 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide glass constant current device, and its method of fabrication and operation |
| US7022579B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method for filling via with metal |
| US7050327B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Differential negative resistance memory |
| US6930909B2 (en) | 2003-06-25 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Memory device and methods of controlling resistance variation and resistance profile drift |
| US6961277B2 (en) | 2003-07-08 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | Method of refreshing a PCRAM memory device |
| US7061004B2 (en) | 2003-07-21 | 2006-06-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory elements and methods of formation |
| US6903361B2 (en) | 2003-09-17 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory structure |
| US7098068B2 (en) | 2004-03-10 | 2006-08-29 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a chalcogenide material containing device |
| US7583551B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Power management control and controlling memory refresh operations |
| US7326950B2 (en) | 2004-07-19 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Memory device with switching glass layer |
| US7190048B2 (en) | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device and method of fabrication |
| US7354793B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element |
| US7365411B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory with temperature tolerant materials |
| US7151688B2 (en) | 2004-09-01 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Sensing of resistance variable memory devices |
| US7374174B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Small electrode for resistance variable devices |
| US20060131555A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable devices with controllable channels |
| US7317200B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | SnSe-based limited reprogrammable cell |
| US7427770B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Memory array for increased bit density |
| US7269044B2 (en) | 2005-04-22 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for accessing a memory array |
| US7709289B2 (en) | 2005-04-22 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same |
| US7269079B2 (en) | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Power circuits for reducing a number of power supply voltage taps required for sensing a resistive memory |
| US7233520B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Process for erasing chalcogenide variable resistance memory bits |
| US7274034B2 (en) | 2005-08-01 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication |
| US7317567B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for providing color changing thin film material |
| US7332735B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory cell and method of formation |
| US7579615B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Access transistor for memory device |
| US7304368B2 (en) | 2005-08-11 | 2007-12-04 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide-based electrokinetic memory element and method of forming the same |
| US7251154B2 (en) | 2005-08-15 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance |
| US7277313B2 (en) | 2005-08-31 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory element with threshold device and method of forming the same |
| US7560723B2 (en) | 2006-08-29 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication |
| US8467236B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-06-18 | Boise State University | Continuously variable resistor |
| JP5225421B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置および電子写真感光体 |
| US8778848B2 (en) * | 2011-06-09 | 2014-07-15 | Illumina, Inc. | Patterned flow-cells useful for nucleic acid analysis |
| US9362428B2 (en) * | 2012-11-27 | 2016-06-07 | Artilux, Inc. | Photonic lock based high bandwidth photodetector |
| US10388806B2 (en) | 2012-12-10 | 2019-08-20 | Artilux, Inc. | Photonic lock based high bandwidth photodetector |
| US10916669B2 (en) | 2012-12-10 | 2021-02-09 | Artilux, Inc. | Photonic lock based high bandwidth photodetector |
| US10644187B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-05 | Artilux, Inc. | Multi-wafer based light absorption apparatus and applications thereof |
| CN106406030A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-02-15 | 王宝根 | 金属菲林及制作方法 |
| CN113009776B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3035990A (en) * | 1958-11-05 | 1962-05-22 | Collins Radio Co | Chemical blanking of aluminum sheet metal |
| NL253834A (de) * | 1959-07-21 | 1900-01-01 | ||
| US3135638A (en) * | 1960-10-27 | 1964-06-02 | Hughes Aircraft Co | Photochemical semiconductor mesa formation |
| BE628956A (de) * | 1962-02-28 | |||
| US3361662A (en) * | 1964-02-20 | 1968-01-02 | Western Electric Co | Anodizing apparatus |
| US3197391A (en) * | 1964-06-18 | 1965-07-27 | Fredrick H Bowers | Method of etching aluminum |
-
1966
- 1966-10-20 US US593610A patent/US3622319A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-08-11 NL NL6711110A patent/NL6711110A/xx unknown
- 1967-10-11 BE BE704941D patent/BE704941A/xx unknown
- 1967-10-11 GB GB46391/67A patent/GB1205795A/en not_active Expired
- 1967-10-12 DE DE19671597803 patent/DE1597803B2/de active Pending
- 1967-10-19 SE SE14320/67A patent/SE348298B/xx unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2930416A1 (de) * | 1978-10-30 | 1980-05-14 | Gunina Geb Roldugina | Fotoschablone und verfahren zu deren herstellung |
| DE3310962A1 (de) * | 1983-03-25 | 1984-09-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur reduzierung von linienbreitenschwankungen bei der herstellung von fotolackstrukturen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1205795A (en) | 1970-09-16 |
| BE704941A (de) | 1968-02-15 |
| SE348298B (de) | 1972-08-28 |
| DE1597803A1 (de) | 1970-05-06 |
| NL6711110A (de) | 1968-04-22 |
| US3622319A (en) | 1971-11-23 |
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