DE2335072C3 - - Google Patents

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DE2335072C3
DE2335072C3 DE2335072A DE2335072A DE2335072C3 DE 2335072 C3 DE2335072 C3 DE 2335072C3 DE 2335072 A DE2335072 A DE 2335072A DE 2335072 A DE2335072 A DE 2335072A DE 2335072 C3 DE2335072 C3 DE 2335072C3
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Description

Fotomasken bzw. Fotoschablonen finden breite Anwendung bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen für die Mikroelektronik. Dieser Anwendungszweck ist beispielsweise in der DE-OS 1 797 255 und dem dort genannten Artikel von M. He ρ her in »Journal of Photographic Science«, Band 12 (1964), Seiten ISl bis 190, beschrieben.
Es ist üblich, Fotomasken nach bekannten fotolithographischen Verfahren herzustellen= Zuerst wird eine Originalzeichnung angefertigt, die dann durch lichtoptische Verkleinerung auf eine lichtempfindliche Platte mit hohem Auflösungsvermögen übertragen wird. Zu diesem Zweck werden spezielle Repeater-Anlagen benutzt, deren Lichtquelle aus technischen Gründen eine beschränkte Stärke besitzt, Die Emulsionsplatten besitzen eine ausreichende Empfindlichkeit, so daß sie mit der beschränkten Lichtenergie der üblichen Repeater-Anlagen belichtet werden können. Die so erhaltenen Fotomasken aber unterliegen leicht einer mechanischen Abnutzung und werden nach mehreren Kontaktkopien beschädigt. Dementsprechend wurden Metalllkopien von den Emulsionsfotomasken eingeführt. Das auf der Emulsionsplatte erhaltene Bild wird durch ein zusätzliches Kontaktkopieverfahren auf eine Chromplatte übertragen, die aus einer Glasunterlage, einer Chromschicht und einer Fotoresistschicht besteht.
Nach geeigneter Belichtung (gewöhnlich mit hochintensivem Ultraviolettlicht) wird, in Abhängigkeit von dem verwendeten Fotoresistmaterial, eine positive oder negative Kopie des Originals erhalten. Eine direkte Belichtung des Fotoresistmaterials in einer üblichen verwendeten Repeater-Anlage ist wegen der niedrigen Empfindlichkeit des Fotore&i^Tnaterials heutzutage nicht möglich.
Die durch Kontaktkopieren erhaltenen Chrommasken sind viel beständiger als die Emulsionsmasken. Die Übertragung des Bildes von dem Emulsionsmaskenmuster auf die Chromplatte aber führt zu einer Verschlechterung der Mikrodetailwiedergabe, was auf die Struktur der Emulsionsmasken zurückzuführen ist. Das Bild wird in der gesamten Dicke der Emulsionsschicht erzeugt. Nach Entwicklung und Fixierung wird ein klar ausgeprägtes Relief im Mikronenbereich erhalten. Der gute Kontakt zwischen der Emulsion und der Chromplatte ist wegen des Reliefs unmöglich, was zu einer Verschlechterung der Bildqualität führt. Infolgedessen erweist sich das Kontaktkopieren der Emulsionsfotomasken als ein unbefriedigendes Verfahren zur Herstellung von Fotomasken mit hoher Qualität. Andererseits macht die niedrige Empfindlichkeit des Fotoresistmaterials, wie bereits erwähnt, die unmittelbare Anwendung von Chromplatten in den Repeater-Anlagen unmöglich.
Die Herstellung von Fotomasken mit Hilfe aufgedampfter Metallschichten wird beispielsweise in der DE-OS 1 622386 und der CH-PS 464693 beschrieben. Dabei wird zur Herstellung einer Fotomaske auf einer Glasplatte eine Schicht eines lichtundurchlässigen ätzbaren Metalls (gegebenenfalls aus einer lichtundurchlässigen Metallschicht als Unterschicht) aufgetragen und die Metallschicht danach mit einer Fotoresistschicht bedeckt. Nach dem Kontaktkopierverfahren wird dann die Fotoresistschicht bildmäßig belichtet und anschließend entwickelt. Auch bei diesem bekannten Verfahren kann dem: ach der Vorgang des Kontaktkopierens nicht vermieden werden.
fn der letzten Zeit werden wieder die Vorteile der Silbcrhalogenic'dampfschichten als fotografisches Aufzeichnungsmaterial hervorgehoben. In einer üblichen fotografischen Emulsion ist die lichtempfindliche Substanz - Silberhalogenidmikrokristalle - in einer verhältnismäßig dicken Gelatineschicht dispergiert. Demzufolge sind die konventionellen fotografischen Materialien optisch-heterogen mit einer stark ausgeprägten Raleighschen Lichtstreuung. Bekanntlich nimmt die Intensität des gestreuten Lichtes mit der Verminderung der Wellenlänge zu. Andererseits ver^ Ursachen die für Bildprojektion verwendeten optischen Systeme eine Erhöhung des Auflösungsvermögens im kürzwelligen Spektrumsbereich. Im Prinzip wird damit die Anwendbarkeit der fotografischen Emulsionsmaterialien für eine qualitative Registrierung des Objektes im Mikronbereich zwangsläufig
eingeschränkt. Da die Aufdampfschichten optisch homogen sind, werden diese prinzipiellen Schwierigkeiten tatsächlich vermieden. Ferner erlaubt die geringere Dicke der Aufdampfschichten nicht, ein scharfes Bild außerhalb der Tiefe des Fokus der Objektive zu erhalten, wobei die Tiefe der in Mikrofotografie benutzten Objektive viel geringer als die Schichtdicke der konventionellen fotografischen Emulsionen ist.
Nachteilig an diesem Stand der Technik ist die Tat- ι ο sache, daß bei den üblichen Verfahren zur Herstellung von Metallfotomasken der Kontaktkopiervorgang nicht vermieden werden kann, der zu einem wesentlichen Genauigkeitsverlust bei der Detailwiedergabe des Originalbildes führt. Werden darüber hinaus SiI-berhalogenid-EmuIsionsschichten angewendet, wird wegen der Dicke des gebildeten Reliefs die Bildqualität weiter verschlechtert.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein neues fotografisches Aufzeichnungsmaterial zur unmittelbaren M Herstellung von Masken zur Verfügung zu stellen, welches die Durchführung eines Kontaktkopiervorgangs vermeidet und daher hohes Auflösungsvermögen und genaue Bildwiedergabe ermöglicht, welches andererseits aber ausgezeichnete mechanische Beständigkeit besitzt.
Die Erfindung geht aus von einem Aufzeichnungsmaterial zur fotografischen Herstellung von Masken mit einem Bildträger, einer Fotoresistschicht, einer isolierenden Kunstharzschicht und einer Silberhalo- 3n genidschicht in der angegebenen Reihenfolge.
Dieses Aufzeich· ungsmaterial ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß es (a) ainen Schichtträger aus Glas, (b) eine darauf im Vakuum aufgedampfte Metallschicht oder eine darauf durch katho- n dische Zerstäubung aufgebrachte Metalloxydschicht und (c) eine im Vakuum auf die isolierende Kunststoffschicht aufgedampfte Silberhalogenidschicht aufweist.
Bei der Herstellung des erfindungsgemäßen Auf- -in Zeichnungsmaterials wird die Anwendung des üblichen Kontaktkopierens vollständig vermieden. Aufgrund seiner Empfindlichkeit kann das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial mit einer Repeater-Anlagc unmittelbar belichtet werden, was im Falle der Chromplatten wegen der niedrigen Empfindlichkeit des Fotoresistmaterials unmöglich ist. Das Aufzeichnungsmaterial besitzt auch die mechanische Beständigkeit, welche die in der Prasxis benutzten festen Schichten aufweisen.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung besteht die auf der Glasplatte aufgedampfte Metallschicht aus Chrom, Nickel, Nickel-Chrom-Legierung oder kathodisch zerstäubtem Eisenoxyd. Dadurch wird eine gute Auftragbarkeit der Metall- bzw. Metalloxydschicht auf den aus Glas bestehenden Schichtträger ermöglicht
Ein wichtiges Merkmal der Erfindung ist die Anwesenheit einer isolierenden Zwischenschicht aus Kunststof /wischen der Fotoresistschicht und der aufgeda iij ten Silberhalogenidschicht.
Durch Untersuchungen Wurde festgestellt, daß ohne solche isolierende Zwischenschicht das aufgedampfte Silberhalogenid teilweise in die Fötoresistschichl cinuiingt, Wodurch die" Behandlung des Fotoresistmaterial unmöglich wird, Außerdem ermöglicht diese Schicht die Zugabe Von Farbstoffe^ die Licht mit einer Wellenlänge größer als 400-500 nm absor^ bjeren, einem Wellenlängenbereich, in dem nämlich das Silberbromid seine Empfindlichkeit aufweist. So wird die von der Metallschicht verursachte Rückreflexion des aktinischen Lichtes verhindert und die Verschwommenheit des Bildes eliminiert. Die isolierende Zwischenschicht muß einigen Anforderungen entsprechen:
l.Sie muß wasserunlöslich sein, um die Behandlung des erfindungsgemäßen fotografis"hen Aufzeichnungsmaterials mit wäßrigen Lösungen zu ermöglichen.
2. Sie muß unlöslich mit den organischen Lösungsmitteln sein, die bei der Behandlung der positiv- oder negativ arbeitenden Fotoresistmaterialien angewendet werden.
i. Sie muß sich leicht mit billigen und zugänglichen Lösungsmitteln, die das Fotoresistmaterial nicht beeinflussen, entfernen lassen.
Die Anforderungen werden durch mehrere Kunstharze erfüllt.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung besteht bei der Awendung eines negativ arbeitenden Fotoresistmaterials diese isolierende Kunststoffschicht aus Phenolformaldehydharzen, die in Ketonen, Estern und Alkoholen löslich sind. Im Fall eines positiv arbeitenden Fotoresistmaterials werden bevorzugt Phenolformaldehydharze verwendet, die in Kohlenwasserstoffen (aromatischen, zyklischen oder gesättigten Kohlenwasserstoffen) löslich sind. Dadurch wird erreicht, daß die isolierende Kunststoffschicht völlig unabhängig von der P'oioresistschicht abgelöst werden kann.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß die isolierende Kunstharzschicht einen Farbstoff oder eine Kombination von Farbstoffen enthält. Dieser Farbstoff bzw. diese Farbstoffe müssen folgenden Anforderungen genügen:
1. Licht mit einer Wellenlänge über 400—450 nm /u absorbieren, das kurzwellige Licht dagegen frei durchzulassen.
2. Sich in den Lösungsmitteln für die synthetischen Phenolformaldehydharze - in Ketonen, Estern, Alkoholen und/oder Kohlenwasserstoffen zu lösen.
Diese Anforderungen werden von einer ganzen Reihe von Azo-, Polymethin- und Pyrazolonfarbstoffen, beispielsweise Chrysoidin, Auramin, Tartrazin u. dgl., erfüllt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung enthält das Aufzeichnungsmaterial eine 0,07 bis 0,1 jim dicke Metallschicht und eine 0,1 bis 1 μτη dicke Silberhalugenidschicht. Mit Hilfe dieser Schichtdicken wird ein sehr genau arbeitendes Auf-/Cv τ. lgsmuici.al ι 'itit, das zur Herstellung von scharfe: Masken füh.i
Die Silberhal'- ■ '■■ schicht wird gemäß einer Ausführungsform ' Erfindung durch Aufdampfen einer monoatoniaren Silberschicht oder mit Hilfe eines Gemisches aus einem Gold- und einem Irdiumsalz sensibilisiert. Auf diese Weise wird eine besonders gute Empfindlichkeit erzielt.
Zur Herstellung dieses Aüfzeichnungsmäterials wird die dünne Metall- oder Metalloxydschicht auf die Glasunterlage aufgetragen, danach die Fötoresistschichf auf der Metall- oder Metalloxydschicht aufgebracht, schließlich die isolierende Zwischenschicht, die einen geeigneten Farbstoff enthalten kann, aufgetragen Und danach die dünne Silberhalogenidschicht
durch Aufdampfen aufgebracht. Im einzelnen kann dieses Verfahren auf folgende Weise durchgeführt werden: Eine Schicht, beispielsweise aus Chrom, Nikkei oder Nickelchromlegierung mit einer Schichtdicke von 0,07 bis 0,1 Mikron wird auf eine Glasunterlage im Vakuum aufgedampft, oder eine Schicht aus Eisenoxyd wird auf eine Glasunterlage durch kathodische Zerstäubung in Sauerstoffatmosphäre aufgetragen. Alsdann wird die Metall- oder Metalloxydschicht mit einer positiven oder negativen Fotoresistschicht mit einer Dicke von 0,8 bis 1 Mikron beschichtet. Die Beschichtung erfolgt nach einem der bekannten Verfahren, beispielsweise durch Zentrifugieren, Eintauchen oder Zerstäubung. Über die Fotoresistschicht wird eine isolierende Zwischenschicht, die einen Farbstoff oder eine Kombination aus Farbstoffen mit den obengenannten Spektralcharakteristiken enthält, auch durch Zentrifugierung, Eintauchen oder Zerstäubung aufgebracht. Die Dicke der Zwischenschicht ist vorzugsweise größer als 0,08 Mikron. Nunmehr wird eine dünne, lichtempfindliche Schicht aus Silberhalogenid, mit einer Schichtdicke von 0,1 bis 1 Mikron, über die Zwischenschicht im Vakuum aufgedampft. Die Sensibilisierung der Silberhalogenidschicht erfolgt beispielsweise durch Aufdampfen im Vakuum von einer monoatomaren Metallschicht, wobei ein direkt positives fotografisches System erzielt wird, oder durch Eintauchen in eine Lösung von Gold-Iridiumsalzen, wobei ein negatives fotografisches System gewonnen wird.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen:
Beispiel 1
Auf eine gründlich gereinigte planparallele Glasunterlage wurde durch Aufdampfen in einer üblichen Vakuumbedampfungsanlage im Druckbereich unter 1,10 4 Torr Chrom aufgetragen. Das Chrom wurde aus einem Wolframschiffchen bei einer Temperatur von etwa 1600° C und bei einem Abstand zwischen dem Wolframschiffchen und der Glasunterlage von etwa 15 cm in 5 Minuten verdampft. Es wurde eine Schicht mit einer Dicke von 0,07 bis zu 0,10 Mikron erhalten. In einer Cleanbox, d. h. einem Staubschutzkasten mit Laminarluftströmung wurde ein negativ arbeitendes Fotoresistmateria! mit einer Schichtdicke von 0,8 bis 1,0 Mikron über die Chromschicht durch Zentrifugierung aufgebracht. Die Fotoresistschicht wurde alsdann mit einer Zwischenschicht aus Phenolformaldehydharz beschichtet. Zu diesem Zweck wurde eine Mischung benutzt, die aus 2 Teilen einer 4%igen Azetonlösung von Phenolformaldehydharz und 1 Feil einer 6 %igen Azetonlösung von Chrysoidin bestand. 0,5 ml von dieser gefärbten Mischung wurde, wie die Fotoresistschicht, abgelagert, wobei eine Schicht mit einer Dicke von etwa 0,5 Mikron erhalten wurde. Die Chromplatte mit der isolierenden Zwischenschicht wurde bei 80° C 30 Minuten lang erhitzt. Eine Schicht aus reinem Silberbromid, synthetisiert nach dem Malinowski-Verfahren (J. Phot. Sei., 8, 69 [I960]) wurde nun auch durch Aufdampfen im Vakuum aufgetragen. Aus einem bei 650-700° C erhitzten Wolframschiffchen wurde in 15 Minuten eine Schicht mit einer Dicke Von 0,2 bis 0,5 Mikron erhallen. Da das Silberbromid eine hohe Reinheit besaß (eine notwendige Bedingung, um reproduzierbare Ergebnisse zu erhalten), besaß die so erhaltene Schicht praktisch keine fotografische Empfindlichkeit Und wurde einer zusätzlichen Sensibilisierung unterworfen. Dies konnte nach jedem der bekannten ühlichen Verfahren erfolgen. In diesem Beispiel wurde die Sensibilisierung durch Eintauchen der Proben in eine Lösung mit der folgenden Zusammensetzung durchgeführt:
Natrium-Goldthiosulfat 20 mg
Ammoniumhexachloroiridat 20 mg
ίο Gelatine 2 g
Wasser bis 1 I.
Das so gewonnene fotografische Aufzeichnungsmaterial besaß nunmehr eine ausreichende Empfindlichkeit, um direkt in einer Repeater-Anlage belichtet zu werden, beispielsweise in einem 6-KanaI-MultipIikator mit Objektiven mit einem Auflösungsvermögen höher als 600-700 Linien pro Millimeter. Nach der Belichtung wurde das Material 50 Sekunden lang in einer Lösung, beispielsweise mit der folgenden Zusammensetzung entwickelt:
Methol 0,67 g
Natriumsulfit (wasserfrei) 26 g
Hydrochinon 2,5 g
Watriumkarbonat (wasserfrei) 26 g
Kaliumbromid 0,67 g
Gelatine 1,67 g
Wasser bis 1 I.
Die Platte wurde alsdann 15 Sekunden lang in eine 2%ige Essigsäurelösung eingetaucht und nachher mit destilliertem Wasser abgewaschen. So wurde ein negatives Bild des Originals auf der Silberbromidschicht erhalten. Nach Trocknen in dem Staubschutzkasten erfolgte eine zweite Belichtung 15 bis 30 Sekunden lang mit Ultraviolettlicht, beispielsweise mittels einer Quecksilberlampe HBO-50. Das entwickelte Silber diente als Fotomaske für das Fotoresistmaterial. Das negative Fotoresistmaterial war in den Stellen unlöslich, wo die entwickelte Silberbromidschicht das Licht durchgelassen hatte. Durch Eintauchen in Azeton wurde die isolierende Zwischenschicht abgelöst, indem auch das Silberbild entfeint wurde. Die Platte wurde reichlich im Wasser abgewaschen, im Staubschutzkasten abgetrocknet und weiter nach dem vom Fotoresisthersteller empfohlenen Standardprozeß behandelt: Eintauchen für 7. Minuten in einen Fotoresistentwickler, unmittelbar danach Abspülen 30 Sekünden lang mit Butylazetat und anschließend Einbrennen während 30 Minuten bei einer Temperatur von etwa 180° C. Die Chromschicht wurde alsdann in einer Lösung beispielsweise mit der folgenden Zusammensetzung geätzt.
Lösung A
Vor dem Gebrauch wurde 1 Teil der Lösung A mit 3 Teilen der Lösung 13 gemischt. Die Ätzung dauerte etwa 30 Sekunden, nachdem die Platte reichlich im Wasser abgewaschen wurde. Abschließend wurde das
Natriumhydroxyd
destillieites Wasser bis
50 g
100 ml
Lösung B
Kaliümeisenzyanid
destilliertes Wasser bis
100 g
300 ml
polymerisierte Fotoresistmaterial mit einer 1: 1-Mischung von Schwefelsaure und Wasserstoffoxyd entfernt.
Die so gewonnene Fotomaske stellte eine positive Kopie des Originals dar und besaß eine höhere Quali- r' tat als die Fotomasken, die mittels der konventionellen Fotolithographie durch Kontaktkopierer! auf einer Chromplatte erhalten werden.
Beispiel 2
Das Aufdampfen der Chromschicht, das Auftragen der negativarbeitenden Fotoresistschicht und der isolierenden Zwischenschicht und das Aufdampfen der Silberbromidschicht erfolgten entsprechend dem Beispiel 1. Die aufgedampfte Silberbromidschicht wurde !■> sensibilisiert, indem eine monoatomare Silberschicht aus einem Wolframschiffchen bei einer Temperatur von 950° bis 1100° C aufgedampft wurde. Bei einem Abstand zwischen dem woiifamschilfchen und der Unterlage von etwa 25 cm wurde die Schicht in 1-2 w Minuten erhalten. Nach Belichtung und Entwicklung, wie es im Beispiel 1 geschildert ist, wurde eine direkt positive Kopie des Originals auf der Silberbromidschicht erhalten. Nach der Ultraviolettbestrahlung und nach der im Beispiel 1 beschriebenen Behandlung 2r> wurde eine negative Metallfotomaske gewonnen. Da das übliche Kontaktkopieren vermieden wurde, besaß die so erhaltene Fotomaske wieder eine höhere Qualität im Vergleich zu den Fotomasken, die nach der Standardtechnik hergestellt werden.
Beispiel 3
Entsprechend der im Beispiel I beschriebenen Technik wurde eine positiv arbeitende Fotoresistschicht über die aufgedampfte Chromschicht aufgetragen. Da das positive Fotoresistmaterial im Azeton löslich ist, wurde eine isolierende Zwischenschicht angewandt, die entsprechend der im Beispiel 1 geschilderten Technik aufgetragen wurde. Diese Zwischenschicht Wurde aus einer Lösung, beispielsweise mit der folgenden Zusammensetzung erhalten:
2 Teile einer 4%igen Benzollösung von Phenolformaldehydharz Und 1 Teil einer 6%igen Benzollösung von Chrysoidin.
Die Sensibilisierung) die Belichtung und die Behandlung der Silberbromidschicht erfolgte entspre-. chendderim Beispiel 1 beschriebenen Technik. Nach der Uitfaviölettbelichtürig wurde die isolierende Zwischenschicht durch Eintauchen in Benzol abgelöst. Dies erlaubte, die Standardbehandlung der Fotoresistschicht durchzuführen, indem die Platte in einen positiven Fotorcsistentwickler 1 Minute lang eingetaucht, nachfolgend reichlich in Wasser abgewaschen und bei 110° C während 15 Minuten abgetrocknet wurde. Die Ätzung der Chromschicht erfolgte in sauren Lösungen, beispielsweise Salzsäure, Salpetersäure u. dgl. Die positive Fotoresistschicht wurde mit Azeton entfernt. So wurde eine negative Metallkopie des Originals gewonnen, die im Vergleich zu der mit Standardtechnik hergestellten Fotomasken wiederum eine höhere Qualität aufwies.
Beispiel 4
Das Aufdampfen der Chromschicht, das Auftragen eine«; positiv arbeitenden Fotoresistmaterials und der isolierendeis Zwischenschicht und das Aufdampfen der Silberbromidschicht wurden entsprechend der im Beispiel 3 gegebenen Beschreibung durchgeführt. Die SensibiiisieruPig, die Belichtung und die Behandlung der Silberbromidaufdampfschicht erfolgte entsprechend der im Beispiel 2 geschilderten Technik, während die Chromplatte nach der Beschreibung im Beispiel 3 behandelt wurde. So wurde eine positive Metallkopie des Originals erhalten, die eine höhere Qualität aufwies als die Fotomasken, die bei der konventionellen Fotolithographie durch Kontaktkopieren auf einer Chromplatte hergestellt werden.
909 613/220

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Aufzeichnungsmaterial zur fotografischen Herstellung von Masken mit einem Schichtträger. einer Fotoresistschicht, einer isolierenden Kunststoffschicht und einer Silberhalogenidschicht in der angegebenen Reihenfolge, dadurch gekennzeichnet, daß es (a) einen Schichtträger aus Glas, (b) eine darauf im Vakuum aufge- "J dampfte Metallschicht oder eine darauf durch kathodische Zerstäubung aufgebrachte Metalloxydschicht und (c) eine im Vakuum auf die isolierende Kunststoffschicht aufgedampfte Silberhalogenidschicht aufweist. ü
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine aufgedampfte Chrom- und/oder Nickelschicht oder eine durch kathodische Zerstäubung aufgebrachte Eisenoxydschicht enthält. w
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffschicht einen Kunststoff enthält, der in Lösungsmitteln für die Fotoresistschicht unlöslich ist, und daß die Kunststoffschicht wenigstens einen Färbstoff enthält.
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffschicht als Kunststoff ein Phenol-Formaldehyd-Harz, das in Ketonen, Estern, Alkoholen und/ jo oder Kohlenwasserstoffen löslich ist, enthält.
5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffschicht wenigstens einen in Ketonen, Estern, Alkoholen und/oder Kohlenwasserstoffen löslichen J5 Farbstoff enthält.
6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberhalogenidschicht mit einer Mischung aus einem Gold- und einem Iridiumsalz oder mit einer aufgedampften, -to monomolekularen Silberschicht sensibilisiert ist.
7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine 0,07-0,1 μιη dicke Metallschicht und eine 0,1-1 um dicke Silberhalogenidschicht enthält.
DE19732335072 1972-07-17 1973-07-10 Fotografisches aufzeichnungsmaterial zur direkten herstellung von fotomasken und verfahren zu dessen herstellung Granted DE2335072A1 (de)

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