DE3831290A1 - Lichtempfindliches material und verfahren zur bildbildung - Google Patents

Lichtempfindliches material und verfahren zur bildbildung

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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein licht­ empfindliches Material, das als lichtempfindliche Kom­ ponente o-Chinondiazidverbindungen umfaßt, und auf ein Verfahren zur Herstellung von Bildern unter dessen Ver­ wendung und insbesondere auf ein Verfahren zur Bildung von Bildern, das die Reproduktion eines Negativbildes ermöglicht.
Auf diesem Gebiet ist es allgemein bekannt, daß, wenn eine o-Chinondiazidverbindung mit aktinischen Strahlen bestrahlt wird, sich deren Diazogruppen zersetzen, um eine Verbindung mit Carboxylgruppen zu bilden, und folg­ lich können Bilder gebildet werden, indem eine diese o-Chinondiazidverbindung enthaltende lichtempfindliche Schicht dem Licht ausgesetzt wird und danach diese Schicht mit einem alkalischen Entwickler entwickelt wird, um die belichteten Bereiche zu entfernen, während die unbelichteten Bereiche unentwickelt bleiben. Die Bildbildung vom sogenannten Positiv-Positiv-Typ kann durchgeführt werden.
Auf der anderen Seite ist es ebenfalls bekannt, daß die Bildbildung vom Negativ-Positiv-Typ durchgeführt werden kann, indem ein positiv arbeitendes Material zur Repro­ duktion, das eine o-Chinondiazidverbindung als Grund­ material enthält, einer spezifischen Behandlung unter­ zogen wird. Die japanische ungeprüfte Patentveröffent­ lichung (hier nachfolgend als "J. P. KOKAI" bezeichnet) Nr. 49-127615 und die japanische Patentveröffentlichung zu Einspruchszwecken (hier nachfolgend als "J. P. KOKOKU" bezeichnet) Nr. 56-14970 beschreiben ein Verfah­ ren zur Bildung von Negativbildern, bei dem zuerst eine lichtempfindliche Schicht, die aus einer o-Chinondiazid­ verbindung und zumindest einer Verbindung zusammenge­ setzt ist, die aus der Gruppe sekundärer Amine, terti­ ärer Amine und Hydroxylgruppen enthaltender Verbindungen ausgewählt ist, bildweise mit aktinischen Strahlen belich­ tet wird, gleichzeitig mit oder nach dieser bildweisen Belichtung die lichtempfindliche Schicht erwärmt wird, damit nur die belichteten Bereiche in einem alkalischen Entwickler unlöslich sind, die gesamte Oberfläche dieser Schicht durchweg mit aktinischen Strahlen bestrahlt wird, um die lichtempfindliche Schicht, die der während der bildweisen Belichtung gebildeten unbelichteten Fläche entspricht, im alkalischen Entwickler löslich zu machen und anschließend die unbelichteten Bereiche entfernt werden, indem dieses Material mit dem alkalischen Ent­ wickler entwickelt wird.
Darüber hinaus wurden viele Versuche zur Verbesserung der lichtempfindlichen Schicht durchgeführt, so daß sie durch bildweise Belichtung der lichtempfindlichen Schicht, die aus einer solchen o-Chinondiazidverbindung als Grundmaterial zusammengesetzt ist, Erwärmen dieser Schicht, Belichtung der gesamten Oberfläche dieser Schicht und anschließende Entwicklung der Schicht mit einem alkalischen Entwickler Negativbilder liefert.
Bis heute wurden verschiedene Maßnahmen zur Verbesserung der Eigenschaften einer solchen lichtempfindlichen Schicht vorgeschlagen, die z. B. die Zugabe eines basi­ schen Carboniumfarbstoffes (J. P. KOKAI Nr. 56-9740), von Resol (US-PS 20 82 339), von 1-Hydroxyethyl-2-alkyl­ imidazolin (J. P. KOKOKU Nr. 54-8304), eines o-Chinon­ diazid-4-derivats (J. P. KOKAI Nr. 60-39641) oder eines Phosphoniumsalzes (J. P. KOKAI Nr. 61-97648) zur licht­ empfindlichen Schicht umfassen.
All diese lichtempfindlichen Materialien zeigen jedoch sehr enge Toleranzgrenzen in bezug auf die Erwärmungs­ bedingungen. Wenn das Erwärmen nicht ausreichend ist, kann insbesondere kein klares Negativbild erhalten wer­ den, wohingegen, wenn das Erwärmen zu stark ist, sogar der unbelichtete Bereich im Entwickler unlöslich wird, was wiederum das Entwicklungsverfahren erschwert.
Darüber hinaus zeigen die meisten dieser lichtempfindli­ chen Materialien niemals befriedigende Eigenschaften, da sie eine sehr geringe Lagerbeständigkeit und eine gerin­ ge Empfindlichkeit für wirksame Strahlen aufweisen.
Es ist grundlegende Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein aus o-Chinondiazidverbindungen zusammengesetztes lichtempfindliches Material zu schaffen, das im wesent­ lichen eine positiv arbeitende Wirkung aufweist.
Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung eines Negativbildes aus diesem Material durch bildweise Belichtung dieses lichtempfind­ lichen Materials, anschließende Erwärmung, Belichtung seiner gesamten Oberfläche und seine Entwicklung mit einem alkalischen Entwickler zu schaffen.
Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein lichtempfindliches Material mit weiten Toleranzgrenzen in bezug auf die Erwärmungsbedingungen während der Bil­ dung der Negativbilder und ein Verfahren zur Bildung eines Negativbilds unter Verwendung dieses lichtempfind­ lichen Materials zu schaffen.
Es wurden verschiedene Untersuchungen durchgeführt, um die obengenannten, mit herkömmlichen lichtempfindlichen Materialien verbundenen Nachteile bei der Vewendung in einem Verfahren zur Bildbildung vom Negativ-Positiv-Typ zu beseitigen, und es wurde gefunden, daß es wirksam ist, eine Kombination einer spezifischen o-Chinondiazid­ verbindung und einer spezifischen organischen Base zu verwenden, um die obengenannten Aufgaben dieser Erfin­ dung zu lösen.
Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein lichtempfindliches Material zur Reproduktion geschaffen, das ein Substrat umfaßt, auf dem eine lichtempfindliche Schicht vorgesehen ist, die aus (a) zumindest einer Ver­ bindung, die aus der Gruppe von Estern und Amiden von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-sulfonsäure, Estern und Ami­ den von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sul­ fonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2- diazid-4-carbonsäure ausgewählt ist und (b) zumindest einer organischen Base zusammengesetzt ist.
Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Bildung von Bildern geschaffen, welches die Schritte umfaßt: bildweise Belichtung des obengenannten lichtempfindlichen Materials zur Reproduk­ tion, Erwärmen dieses Materials, Belichtung der gesamten Oberfläche des Materials und anschließende Entwicklung dieses Materials mit einem alkalischen Entwickler, um die lichtempfindliche Schicht zu entfernen, die den un­ belichteten Bereichen entspricht, die während der bild­ weisen Belichtung gebildet wurden.
Es wurde gefunden, daß das lichtempfindliche Material zur Reproduktion, das mit der oben erläuterten licht­ empfindlichen Schicht versehen ist, verglichen mit den herkömmlichen, sehr breite Toleranzgrenzen für die Er­ wärmungsbedingungen zeigt. Dieser bemerkenswerte Effekt kann weder der Wirkung zugeschrieben werden, die allein durch die Verwendung der o-Chinondiazid-4-derivate er­ zielt wird, noch der, die allein durch die Verwendung der organischen Basen erzielt wird.
Herkömmlicherweise wird das Erwärmen des lichtempfindli­ chen Materials bei einer Temperatur im Bereich von 100 bis 130°C 30 s bis 1 min lang durchgeführt. Demgegen­ über ermöglicht es die vorliegende Erfindung, den Tempe­ raturbereich auf 80 bis 140° und die Erwärmungszeit auf 20 s bis 5 min auszudehnen.
Die in der vorliegenden Erfindung verwendbare o-Chinon­ diazidverbindung ist zumindest eine Verbindung, die aus der nachfolgenden Gruppe ausgewählt ist: Ester und Amide von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-sulfonsäure, Ester und Amide von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure, Ester und Amide von 1,2-Naphthinon-2-diazid-4-sulfon­ säure und Ester und Amide von 1,2-Naphthochinon-2- diazid-4-carbonsäure. Besonders bevorzugte Beispiele der Ester sind die der vorangegangenen Säuren oder Halogenide davon mit einem Harz, wie ein Kondensat von Pyrrogaol und Aceton, ein Phenol-Formaldehydharz oder ein mehrwertiges Phenol (z. B. 2,3,4-Trihydroxybenzo­ phenon, 2,4-Dihydroxybenzophenon). Auf der anderen Seite können die Amide nach jedem bekannten Verfahren aus der obengenannten Säure oder dem Halogenid davon und einem aromatischen oder langkettigen aliphatischen Amin herge­ stellt werden.
Die o-Chinondiazidverbindung wird wünschenswerterweise, bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht, in einer Menge im Bereich von 5 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise 10 bis 35 Gew.-% in die lichtempfindliche Schicht eingearbeitet.
Darüber hinaus können, zusätzlich zum o-Chinondiazid-4- derivat, o-Chinondiazid-5-derivate zur lichtempfind­ lichen Schicht in einer Menge zugegeben werden, die den obengenannten Bereich der letzteren nicht übersteigt.
Besonders bevorzugte, in der vorliegenden Erfindung verwendbare organische Basen sind die mit einem Siede­ punkt von nicht weniger als 200°C, und Beispiele davon sind folgende:
Tributylamin, Triamylamin, Monoethanolamin, Diethanol­ amin, N-Methylethanolamin, N-Methyldiethynolamin, Dipropanolamin, Triethanolamin, Hexamethylentetramin, Anilin, Diethylanilin, Aminopyridin, Imidazol, 2-Methyl­ imidazol, 2,4-Dimethylimidazol, 2,4-Diethylimidazol und Imidazolin.
Es ist erwünscht, diese organischen Basen bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht dieser lichtempfindlichen Schicht in einer Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-%, zuzugeben.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht enthält vorteilhafterweise ein alkalilösliches Harz als Binde­ mittel. Beispiele dieser alkalilöslichen Harze umfassen Novolakharze, Resolharze, ein Copolymer von Styrol und Acrylsäure, ein Copolymer von Methylmethacrylat und Methacrylsäure, alkalilösliche Polyurethanharze und alkalilösliche Polybutylatharze.
Falls erforderlich, umfaßt die erfindungsgemäße licht­ empfindliche Schicht darüber hinaus andere Farbstoffe, Pigmente und/oder Weichmacher. Bevorzugte Beispiele dieser Farbstoffe sind öllösliche Farbstoffe und basi­ sche Farbstoffe. Spezifische Beispiele umfassen Ölgelb bzw. Dimethylgelb Nr. 101, Dimethylgelb Nr. 130, Ölrosa Nr. 312, Ölgrün BG, Ölblau BOS, Ölblau Nr. 603, Ruß­ schwarz bzw. Ölschwarz BY, Rußschwarz BS, Rußschwarz T-505 (diese Farbstoffe sind von Orient Chemical Industries, Ltd. erhältlich), Kristallviolett (Farb­ index 42 555), Methylviolett (Farbindex 42 535), Rhodamin B (Farbindex 45 170B), Malachitgrün (Farbindex 42 000) und Methylenblau (Farbindex 52 015). Diese Farbstoffe können, bezogen auf das Gesamtgewicht der Schicht, in einer Menge von nicht mehr als 1 Gew.-% der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Schicht zugegeben werden.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht kann her­ gestellt werden, indem eine Lösung der obengenannten Komponenten in einem geeigneten Lösungsmittel auf die Oberfläche des gewünschten Substrats aufgetragen wird. Beispiele des hier verwendbaren Lösungsmittels umfassen Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Ethylen­ glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Toluol, Ethylacetat, Propylengly­ kolmonomethyletheracetat und Propylenglykolmethylether. Dieses Lösungsmittel kann allein oder in Kombination verwendet werden. Die Konzentration der Zusammensetzung (Feststoffgehalt) liegt im Bereich von 2 bis 50 Gew.-%. Ihre aufgebrachte Menge schwankt in Abhängigkeit von der Anwendung der resultierenden lichtempfindlichen Materia­ lien, es gilt jedoch allgemein, für eine vorsensibili­ sierte Platte für die Herstellung von Lithographiedruck­ platten, diese Zusammensetzung in einer Menge von 0,5 bis 7 g/m² (Feststoffgehalt), vorzugsweise 1,5 bis 3 g/m², aufzutragen.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht umfaßt vorzugsweise Verbindungen, die eine Säure erzeugen können, die durch Bestrahlung mit Licht die Farbphase der obengenannten Farbstoffe verändern kann, um den sichtbaren Kontrast der lichtempfindlichen Schicht nach der Belichtung zu verbessern. Beispiele solcher Verbindungen umfassen o-Naphthochinondiazid-4-sulfonylchlorid, wie es in US-PS 39 69 118 beschrieben ist, 2-Styryl-5-trihalogenmethyl- 1,3,4-oxazol, wie es in US-PS 42 12 970 beschrieben ist, und Vinyltrihalogenmethyl-s-triazin, wie es in US-PS 39 87 037 beschrieben ist.
Darüber hinaus ist es ebenfalls erwünscht, einen grenz­ flächenaktiven Stoff bzw. ein Netzmittel (nachfolgend als Netzmittel bezeichnet) oder ähnliches einzuarbei­ ten, um die Leistung der beschichteten Filmoberfläche zu erhöhen.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht kann weiterhin andere Additive in einer geringen Menge um­ fassen, wie cyclische Säureanhydride, die in US-PS 41 15 128 beschrieben sind.
Beispiele der lichtempfindlichen Materialien zur Repro­ duktion nach der vorliegenden Erfindung umfassen insbe­ sondere eine vorsensibilisierte Platte zur Herstellung einer Lithographiedruckplatte (die der Einfachheit halber auch als "PS-Platte" bezeichnet wird).
Substrate für PS-Platten können alle sein, soweit sie eine hydrophile Oberfläche aufweisen, und Beispiele davon umfassen verschiedene bekannte Substrate, die herkömmlicherweise als Substrate für Lithographiedruck­ platten verwendet wurden, insbesondere Aluminiumplatten. Bevorzugte Beispiele dieser Aluminiumplatten umfassen eine reine Aluminiumplatte, eine Platte aus einer Alu­ miniumlegierung, genauso wie Plastikfilme, auf die Aluminium aufgetragen ist, oder mit denen ein Aluminium­ film laminiert ist. Die Aluminiumoberfläche dieser Alu­ miniumplatten wird vorzugsweise einer Oberflächenbe­ handlung unterzogen, wie Körnen, Tauchen in eine wäßrige Lösung von Natriumsilikat, Kaliumfluorzirkonat oder -phosphat und/oder Anodisierung. Es ist ebenfalls bevor­ zugt, eine Aluminiumplatte zu verwenden, die anodisiert und danach in eine wäßrige Alkalimetallsilikatlösung getaucht wurde, wie es in US-PS 31 81 461 beschrieben ist, oder eine solche, die anodisiert und danach in eine wäßrige Polyvinylphosphonsäurelösung getaucht wurde, wie es in US-PS 41 53 461 beschrieben ist. Die Anodisie­ rungsbehandlung kann z. B. durchgeführt werden, indem elektrischer Strom in einem Elektrolyt durch die als Anode dienende Aluminiumplatte geleitet wird, wie in einer wäßrigen oder nichtwäßrigen Lösung anorganischer Säuren, z. B. Phosphorsäure, Chromsäure, Schwefelsäure und Borsäure, oder einer organischen Säure, z. B. Oxal­ säure und Sulfaminsäure oder eine Mischung davon.
Darüber hinaus wird die in US-PS 36 58 662 beschriebene Silikatgalvanisierung ebenfalls wirksam in der vorlie­ genden Erfindung angewendet. Andere vorteilhafte Sub­ strate umfassen, die die durch elektrolytisches Körnen und anschließend durch die obengenannte Anodisierung behan­ delt wurden, wie in US-PS 40 87 341, J. P. KOKOKU Nr. 46-27481 und J. P. KOKAI Nr. 52-30503 beschrieben, und die, die gekörnt, chemisch geätzt und danach anodisiert wurden, wie in US-PS 38 34 998 beschrieben.
Die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Materialien können als Andruck- bzw. Korrekturplatten (proofing plates) zum Drucken, Filme für Overheadprojektoren, lichtempfindliche Materialien zur Reproduktion bei der Herstellung von Filmen für Zwischendrucke verwendet werden. Beispiele der Substrate, die zur Bildung dieser Materialien zur Reproduktion geeignet sind, umfassen transparente Filme, wie einen Polyethylenterephthalat­ film, einen Cellulosetriacetatfilm und die Plastikfilme, deren Oberfläche chemisch oder physikalisch mattiert wurde.
Die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Materialien können ebenfalls bei der Herstellung von Filmen für Photomasken verwendet werden, und Beispiele der Sub­ strate dafür unfassen Polyethylenterephthalatfilme, auf die Aluminium, eine Aluminiumlegierung oder Chrom auf­ getragen wurde, oder die, auf denen eine gefärbte Schicht ausgebildet wurde.
Nach der vorliegenden Erfindung wird das lichtempfind­ liche Material zur Reproduktion, wie eine PS-Platte, bildweise durch eine transparente Vorlage von einer Lichtquelle belichtet, die mit aktinischen Strahlen ange­ reichert ist, wie eine Kohlenstoffbogenlampe, eine Quecksilberlampe, eine Metallhalogenidlampe oder eine Xenonlampe, erwärmt, um die während der bildweisen Be­ lichtung gebildeten belichteten Bereiche im alkalischen Entwickler unlöslich zu machen, danach über die gesamte Oberfläche belichtet, um die während der bildweisen Be­ lichtung gebildeten unbelichteten Bereiche in diesem Entwickler löslich zu machen und danach mit dem alkali­ schen Entwickler entwickelt, um die unbelichteten Berei­ che zu entfernen und um dadurch die hydrophile Oberflä­ che des Substrats freizulegen. Somit wird die Lithogra­ phiedruckplatte hergestellt. Das Erwärmungsverfahren wird geeigneterweise bei einer Temperatur von 80 bis 140°C 20 s bis 5 min lang durchgeführt. Die Bedingungen während der Belichtung der gesamten Oberfläche des Mate­ rials können die gleichen sein, wie die während der bildweisen Belichtung.
Beispiele der in der vorliegenden Erfindung verwendeten bevorzugten Entwickler umfassen wäßrige Lösungen, die zumindest ein alkalisches Mittel enthalten, wie ein an­ organisches alkalisches Mittel, wie Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithium­ hydroxid, Trinatriumphosphat, Dinatriumhydrogenphosphat, Trikaliumphosphat, Dikaliumhydrogenphosphat, Tri­ ammoniumphosphat, Diammoniumhydrogenphosphat, Natrium­ metasilikat, Natriumbicarbonat und wäßriger Ammoniak, und ein organisches alkalisches Mittel, wie Monoethanol­ amin und Diethanolamin. Die Zusammensetzung der beson­ ders bevorzugten wäßrigen alkalischen Lösungen ist in US-PS 42 59 434 detailliert beschrieben. Die Entwicklung des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Materials kann unter Verwendung verschiedener Einrichtungen durchge­ führt werden, wie eine automatische Entwicklungsmaschi­ ne, die sowohl mit einer Entwicklungszone als auch einer Zone zur Verhinderung des Verschmierens bzw. Verklebens (gumming up) versehen ist, eine herkömmliche automati­ sche Entwicklungsmaschine, die mit einer Waschzone ver­ sehen ist, eine Schalen- bzw. Kolonnenentwicklung oder kann durch manuelle Entwicklung durchgeführt werden.
Das erfindungsgemäße lichtempfindliche Material zeigt in bezug auf die Erwärmungsbedingungen (Zeit und Tempera­ tur) sehr breite Toleranzgrenzen beim Verfahren zur Bil­ dung des Negativbildes, welches die bildweise Belichtung des Materials, das Erwärmen des Materials, die Belich­ tung der gesamten Oberfläche des Materials und die an­ schließende Entwicklung des Materials mit einem alkali­ schen Entwickler umfaßt.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezug­ nahme auf die folgenden Beispiele erläutert. Die durch die vorliegende Erfindung praktisch erzielten Wirkungen werden mit Vergleichsbeispielen verglichen. In den fol­ genden Beispielen steht die Bezeichnung "%" für "Gew.-%", wenn es nicht anders ausgedrückt ist.
Beispiele 1 bis 3
Eine Aluminiumplatte von 0,24 mm Dicke wurde mit einer Nylonbürste und einer Suspension von Bimsstein und Wasser mit 400 mesh (0,037 mm) gekörnt und danach aus­ reichend mit Wasser gewaschen. Die Aluminiumplatte wurde darüber hinaus 20 s lang in eine wäßrige 10%ige Natrium­ hydroxidlösung bei 50°C getaucht, um diese zu ätzen, und 1 min lang mit fließendem Wasser gewaschen, das bei 20°C gehalten wurde.
Diese Aluminiumplatte wurde dann 20 s lang bei 20°C in einer wäßrigen, 1,5%igen Salpetersäurelösung elektro­ chemisch gekörnt, wobei Wechselstrom mit einer Kennwelle bzw. Sinuswelle (sign wave) (Spannung=10 V) bei einer Elektrizitätsmenge von 900 C/dm² verwendet wurde, und danach 30 s lang in eine 20%ige Phosphorsäurelösung ge­ taucht, die bei 70°C gehalten wurde, um diese Platte zu säubern. Nach ausreichendem Waschen mit Wasser wurde durch die Platte ein Gleichstrom mit 22 V geleitet, wobei die Platte als Anode diente und in eine bei 25°C gehaltene, 15%ige Schwefelsäurelösung getaucht wurde, um darauf einen anodisierten Film von 3,0 g/m² zu bilden.
Die folgende lichtempfindliche Lösung wurde auf das so behandelte Substrat aufgetragen und danach getrocknet, um eine lichtempfindliche Schicht von 2,5 g/m² zu erhal­ ten (nach dem Trocknen gewogen):
Lichtempfindliche Lösung:
Verestertes Reaktionsprodukt von 1,2-Naphthochinondiazid-4-sulfonylchlorid und Cresolnovolak 0,85 g
m-Cresol/p-Cresol-Novolakharz (Verhältnis der m-Form zur p-Form = 60/40) 1,70 g
p-tert-Butylphenolharz 0,03 g
reines Viktoriablau BOH 0,04 g
2-Trichlormethyl-5-p-butylstyryl-1,2,3-oxadiazol 0,06 g
Hexahydrophthalsäureanhydrid 0,4 g
organische Base (siehe Tabelle I) 0,1 g
Ölblau Nr. 603 (von Orient Chemical Industries, Ltd. erhältlich) 0,04 g
Ethylendichlorid 18 g
2-Methoxyethylacetat 12 g
Vergleichsbeispiel 1
PS-Platten wurden hergestellt, die denen in Beispiel 1 hergestellten ähnlich sind, außer daß sie in der licht­ empfindlichen Schicht keine organische Base enthalten, und diese wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 behandelt.
Vergleichsbeispiel 2
Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 wurde wieder­ holt, außer daß das veresterte Reaktionsprodukt von 1,2- Naphthochinondiazid-5-sulfonylchlorid/Cresolnovolak als o-Chinondiazidkomponente verwendet wurde, um die PS- Platten herzustellen, und diese PS-Platten wurden auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 behandelt.
Vergleichsbeispiel 3
PS-Platten wurden hergestellt, die denen im Vergleichs­ beispiel 2 hergestellten ähnlich waren, außer daß sie in der lichtempfindlichen Schicht keine organische Base enthielten, und diese wurden in der gleichen Weise wie im Vergleichsbeispiel 2 behandelt.
Die so hergestellte PS-Platte wurde eine Woche lang bei üblicher Temperatur und Feuchtigkeit stehengelassen und danach durch eine transparente negative Vorlage aus einer Metallhalogenidlampe mit 3 kW 60 s lang in einem Abstand von 1 m bildweise belichtet. Diese PS-Platten wurden danach unter den folgenden Bedingungen A, B oder C in einem Wärmeofen erwärmt (hergestellt und geliefert von Tabai Co., Ltd.).
Erwärmungsbedingungen:
A: 1 min lang bei 80°C
B: 2 min lang bei 100°C oder
C: 4 min lang bei 140°C
Danach wurde die gesamte Oberfläche dieser PS-Platten in einem Abstand von 1 m 60 s lang aus der gleichen Metall­ halogenidlampe vollkommen belichtet, ohne daß die trans­ parente Vorlage verwendet wurde. Danach wurden die PS- Platten bei 25°C 1 min lang mit einer wäßrigen Natrium­ silikatlösung entwickelt, deren Molverhältnis von SiO₂ zu Na₂O 1,2 betrug, wobei der Gehalt an SiO₂ 1,5% betrug, und danach mit Wasser gewaschen. Ein Schutz­ gummi, der ein hydrophiles Kolloid umfaßt, wurde auf die entwickelten PS-Platten aufgebracht, die danach auf einer Druckmaschine befestigt wurden, um das Drucken durchzuführen.
Die resultierenden Drucksätze wurden auf der Basis der folgenden dreistufigen Bewertung geprüft:
X: Die Drucksätze trugen klare Bilder.
Y: Die Bilder auf den Drucksätzen waren teilweise ge­ brochen und/oder wiesen Hintergrundverunreinigung auf und
Z: Die PS-Platten lieferten keine Drucksätze, die nor­ male Bilder trugen.
Die Ergebnisse sind in Tabelle I unten zusammengefaßt.
Tabelle I
Aus den in Tabelle I aufgeführten Ergebnissen können die folgenden Schlußfolgerungen gezogen werden:
Die von PS-Platten erhaltenen Lithographiedruckplatten, bei denen in der lichtempfindlichen Schicht das Naphtho­ chinondiazid-4-derivat und die organische Base verwendet wurden (Beispiele 1 bis 3), lieferten unter beiden Er­ wärmungsbedingungen A (1 min lang bei 80°C) und C (4 min lang bei 140°C) Drucksätze, die klare Bilder trugen. Demgegenüber lieferten die Lithographiedruck­ platten, die aus PS-Platten erhalten wurden, deren lichtempfindliche Schicht das Naphthochinondiazid-4- derivat enthielt und keine organische Base (Vergleichs­ beispiel 1) unter der Bedingung A überhaupt keine nor­ malen Bilder. Die Lithographiedruckplatten, die im Ver­ gleichsbeispiel 2 erhalten wurden, bei denen das Naphthochinondiazid-5-derivat anstelle des Naphthochi­ nondiazid-4-derivats verwendet wurde, zeigte unter den Bedingungen A und C keine befriedigende Fähigkeit zur Bildbildung, wodurch wiederum offensichtlich wird, daß diese PS-Platten in bezug auf die Erwärmungsbedingungen enge Toleranzgrenzen haben. Die im Vergleichsbeispiel 3 erhaltenen Lithographiedruckplatten, bei denen das Naphthochinondiazid-5-derivat durch sein 4-Derivat sub­ situiert ist, liefern bei allen Bedingungen A, B und C niemals Drucksätze, die normale Bilder tragen.

Claims (20)

1. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion, gekenn­ zeichnet durch ein Substrat, auf dem eine lichtemp­ findliche Schicht vorgesehen ist, die aus:
  • (a) zumindest einer Verbindung, die aus der Gruppe von Estern und Amiden von 1,2-Benzochinon-2-diazid- 4-sulfonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Benzochi­ non-2-diazid-4-carbonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sulfonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-carbon­ säure ausgewählt ist, und
  • (b) zumindest einer organischen Base zusammengesetzt ist.
2. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ester aus der Gruppe von Estern ausgewählt wird, die aus den Säuren oder Halogeniden davon mit einem Kondensat von Pyrogallol und Aceton, Phenol-Formaldehyd-Harz, 2,3,4-Trihydroxybenzophenon oder 2,4-Dihydroxy­ benzophenon erhalten werden.
3. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Amid aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Amiden besteht, die aus den Säuren oder Halogeniden davon und aro­ matischen und langkettigen aliphatischen Aminen erhalten werden.
4. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der o-Chinondiazidkomponente in der lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamt­ gewicht der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 5 bis 50 Gew.-% liegt.
5. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Menge der o-Chinondiazidkomponen­ te in der lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht 10 bis 35 Gew.-% beträgt.
6. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht weiter­ hin ein o-Chinondiazid-5-derivat in einer Menge um­ faßt, die die Menge des o-Chinondiazid-4-derivats nicht übersteigt.
7. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die organische Base aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Tributylamin, Triamylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, N-Methylethanolamin, N-Methyldiethanolamin, Dipropanolamin, Triethanol­ amin, Hexamethylentetraamin, Anilin, Diethylanilin, Aminopyridin, Imidazol, 2-Methylimidazol, 2,4-Di­ methylimidazol, 2,4-Diethylimidazol und Imidazolin besteht.
8. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Menge der organischen Base in der lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamt­ gewicht der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 0,5 bis 20 Gew.-% liegt.
9. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Menge der organischen Base in der lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamt­ gewicht der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 1 bis 10 Gew.-% liegt.
10. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht zumin­ dest ein alkalilösliches Bindemittel umfaßt.
11. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das alkalilösliche Bindemittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Novolakharz, Resol­ harz, einem Copolymer von Styrol und Acrylsäure, einem Copolymer von Methylmethacrylat und Methacryl­ säure, einem alkalilöslichen Polyurethanharz und einem alkalilöslichen Polybutylatharz besteht.
12. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht weiter­ hin zumindest einen Farbstoff in einer Menge von nicht mehr als 1 Gew.-% bezogen auf das Gesamtge­ wicht der lichtempfindlichen Schicht umfaßt.
13. Verfahren zur Ausbildung von Bildern, gekennzeichnet durch die Schritte:
bildweise Belichtung eines lichtempfindlichen Mate­ rials zur Reproduktion, das ein Substrat umfaßt, das mit einer lichtempfindlichen Schicht versehen ist, die aus (a) zumindest einer Verbindung aus der Gruppe von Estern und Amiden von 1,2-Benzochinon-2- diazid-4-sulfonsäure, Estern und Amiden von 1,2- Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sulfonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2- diazid-4-carbonsäure und (b) zumindest einer or­ ganischen Base zusammengesetzt ist, anschließendes Erwärmen des Materials und Belichtung der gesamten Oberfläche des Materials und Entfernung der lichtempfindlichen Schicht, die den unbelichteten Bereichen des Materials entspricht, die während der bildweisen Belichtung gebildet wur­ den, durch Behandlung mit einem alkalischen Entwick­ ler.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Erwärmen des bildweise belichteten lichtemp­ findlichen Materials bei einer Temperatur im Bereich von 80 bis 140°C 20 s bis 5 min lang durchgeführt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Entwickler eine alkalische wäßrige Lösung ist, die zumindest ein alkalisches Mittel enthält, das aus Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithiumhydroxid, Trinatriumphosphat, Dinatriumhydrogenphosphat, Tri­ kaliumphosphat, Dikaliumhydrogenphosphat, Triammo­ niumphosphat, Diammoniumhydrogenphosphat, Natrium­ metasilikat, Natriumbicarbonat, wäßrigem Ammoniak, Monoethanolamin und Diethanolamin ausgewählt ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, da­ durch gekennzeichnet, daß die Menge der o-Chinon­ diazidkomponente in der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 5 bis 50 Gew.-% und die der organi­ schen Base im Bereich von 0,5 bis 20 Gew.-% liegt, bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, da­ durch gekennzeichnet, daß die Menge der o-Chinon­ diazidkomponente in der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 10 bis 35 Gew.-% und die der organi­ schen Base im Bereich von 1 bis 10 Gew.-% liegt, be­ zogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, da­ durch gekennzeichnet, daß der Ester aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Estern besteht, die aus den Säuren oder Halogeniden davon mit einem Kondensat von Pyrogallol und Aceton, Phenol-Formaldehyd-Harz, 2,3,4-Trihydroxybenzophenon oder 2,4-Dihydroxybenzo­ phenon erhalten wurden; das Amid aus der Gruppe aus­ gewählt ist, die aus Amiden besteht, die aus den Säuren oder Halogeniden davon und aromatischen oder lang­ kettigen aliphatischen Aminen erhalten wurden; und die organische Base aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Tributylamin, Triamylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, N-Methylethanolamin, N-Methyldietha­ nolamin, Dipropanolamin, Triethanolamin, Hexamethy­ lentetraamin, Anilin, Diethylanilin, Aminopyridin, Imidazol, 2-Methylimidazol, 2,4-Dimethylimidazol, 2,4-Diethylimidazol und Imidazolin besteht.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, da­ durch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht zumindest ein alkalilösliches Bindemittel umfaßt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, da­ durch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Binde­ mittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Novolakharz, Resolharz, einem Copolymer von Styrol und Acrylsäure, einem Copolymer von Methylmethycry­ lat und Methacrylsäure, alkalilöslichem Polyurethan­ harz und alkalilöslichem Polybutylatharz besteht.
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