DE3831290A1 - Lichtempfindliches material und verfahren zur bildbildung - Google Patents
Lichtempfindliches material und verfahren zur bildbildungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein licht
empfindliches Material, das als lichtempfindliche Kom
ponente o-Chinondiazidverbindungen umfaßt, und auf ein
Verfahren zur Herstellung von Bildern unter dessen Ver
wendung und insbesondere auf ein Verfahren zur Bildung
von Bildern, das die Reproduktion eines Negativbildes
ermöglicht.
Auf diesem Gebiet ist es allgemein bekannt, daß, wenn
eine o-Chinondiazidverbindung mit aktinischen Strahlen
bestrahlt wird, sich deren Diazogruppen zersetzen, um
eine Verbindung mit Carboxylgruppen zu bilden, und folg
lich können Bilder gebildet werden, indem eine diese
o-Chinondiazidverbindung enthaltende lichtempfindliche
Schicht dem Licht ausgesetzt wird und danach diese
Schicht mit einem alkalischen Entwickler entwickelt
wird, um die belichteten Bereiche zu entfernen, während
die unbelichteten Bereiche unentwickelt bleiben. Die
Bildbildung vom sogenannten Positiv-Positiv-Typ kann
durchgeführt werden.
Auf der anderen Seite ist es ebenfalls bekannt, daß die
Bildbildung vom Negativ-Positiv-Typ durchgeführt werden
kann, indem ein positiv arbeitendes Material zur Repro
duktion, das eine o-Chinondiazidverbindung als Grund
material enthält, einer spezifischen Behandlung unter
zogen wird. Die japanische ungeprüfte Patentveröffent
lichung (hier nachfolgend als "J. P. KOKAI" bezeichnet)
Nr. 49-127615 und die japanische Patentveröffentlichung
zu Einspruchszwecken (hier nachfolgend als "J. P. KOKOKU"
bezeichnet) Nr. 56-14970 beschreiben ein Verfah
ren zur Bildung von Negativbildern, bei dem zuerst eine
lichtempfindliche Schicht, die aus einer o-Chinondiazid
verbindung und zumindest einer Verbindung zusammenge
setzt ist, die aus der Gruppe sekundärer Amine, terti
ärer Amine und Hydroxylgruppen enthaltender Verbindungen
ausgewählt ist, bildweise mit aktinischen Strahlen belich
tet wird, gleichzeitig mit oder nach dieser bildweisen
Belichtung die lichtempfindliche Schicht erwärmt wird,
damit nur die belichteten Bereiche in einem alkalischen
Entwickler unlöslich sind, die gesamte Oberfläche dieser
Schicht durchweg mit aktinischen Strahlen bestrahlt wird,
um die lichtempfindliche Schicht, die der während der
bildweisen Belichtung gebildeten unbelichteten Fläche
entspricht, im alkalischen Entwickler löslich zu machen
und anschließend die unbelichteten Bereiche entfernt
werden, indem dieses Material mit dem alkalischen Ent
wickler entwickelt wird.
Darüber hinaus wurden viele Versuche zur Verbesserung
der lichtempfindlichen Schicht durchgeführt, so daß sie
durch bildweise Belichtung der lichtempfindlichen
Schicht, die aus einer solchen o-Chinondiazidverbindung
als Grundmaterial zusammengesetzt ist, Erwärmen dieser
Schicht, Belichtung der gesamten Oberfläche dieser
Schicht und anschließende Entwicklung der Schicht mit
einem alkalischen Entwickler Negativbilder liefert.
Bis heute wurden verschiedene Maßnahmen zur Verbesserung
der Eigenschaften einer solchen lichtempfindlichen
Schicht vorgeschlagen, die z. B. die Zugabe eines basi
schen Carboniumfarbstoffes (J. P. KOKAI Nr. 56-9740),
von Resol (US-PS 20 82 339), von 1-Hydroxyethyl-2-alkyl
imidazolin (J. P. KOKOKU Nr. 54-8304), eines o-Chinon
diazid-4-derivats (J. P. KOKAI Nr. 60-39641) oder eines
Phosphoniumsalzes (J. P. KOKAI Nr. 61-97648) zur licht
empfindlichen Schicht umfassen.
All diese lichtempfindlichen Materialien zeigen jedoch
sehr enge Toleranzgrenzen in bezug auf die Erwärmungs
bedingungen. Wenn das Erwärmen nicht ausreichend ist,
kann insbesondere kein klares Negativbild erhalten wer
den, wohingegen, wenn das Erwärmen zu stark ist, sogar
der unbelichtete Bereich im Entwickler unlöslich wird,
was wiederum das Entwicklungsverfahren erschwert.
Darüber hinaus zeigen die meisten dieser lichtempfindli
chen Materialien niemals befriedigende Eigenschaften, da
sie eine sehr geringe Lagerbeständigkeit und eine gerin
ge Empfindlichkeit für wirksame Strahlen aufweisen.
Es ist grundlegende Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein aus o-Chinondiazidverbindungen zusammengesetztes
lichtempfindliches Material zu schaffen, das im wesent
lichen eine positiv arbeitende Wirkung aufweist.
Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren zur Bildung eines Negativbildes aus diesem
Material durch bildweise Belichtung dieses lichtempfind
lichen Materials, anschließende Erwärmung, Belichtung
seiner gesamten Oberfläche und seine Entwicklung mit
einem alkalischen Entwickler zu schaffen.
Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
lichtempfindliches Material mit weiten Toleranzgrenzen
in bezug auf die Erwärmungsbedingungen während der Bil
dung der Negativbilder und ein Verfahren zur Bildung
eines Negativbilds unter Verwendung dieses lichtempfind
lichen Materials zu schaffen.
Es wurden verschiedene Untersuchungen durchgeführt, um
die obengenannten, mit herkömmlichen lichtempfindlichen
Materialien verbundenen Nachteile bei der Vewendung in
einem Verfahren zur Bildbildung vom Negativ-Positiv-Typ
zu beseitigen, und es wurde gefunden, daß es wirksam
ist, eine Kombination einer spezifischen o-Chinondiazid
verbindung und einer spezifischen organischen Base zu
verwenden, um die obengenannten Aufgaben dieser Erfin
dung zu lösen.
Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein
lichtempfindliches Material zur Reproduktion geschaffen,
das ein Substrat umfaßt, auf dem eine lichtempfindliche
Schicht vorgesehen ist, die aus (a) zumindest einer Ver
bindung, die aus der Gruppe von Estern und Amiden von
1,2-Benzochinon-2-diazid-4-sulfonsäure, Estern und Ami
den von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure,
Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sul
fonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-
diazid-4-carbonsäure ausgewählt ist und (b) zumindest
einer organischen Base zusammengesetzt ist.
Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung
wird ein Verfahren zur Bildung von Bildern geschaffen,
welches die Schritte umfaßt: bildweise Belichtung des
obengenannten lichtempfindlichen Materials zur Reproduk
tion, Erwärmen dieses Materials, Belichtung der gesamten
Oberfläche des Materials und anschließende Entwicklung
dieses Materials mit einem alkalischen Entwickler, um
die lichtempfindliche Schicht zu entfernen, die den un
belichteten Bereichen entspricht, die während der bild
weisen Belichtung gebildet wurden.
Es wurde gefunden, daß das lichtempfindliche Material
zur Reproduktion, das mit der oben erläuterten licht
empfindlichen Schicht versehen ist, verglichen mit den
herkömmlichen, sehr breite Toleranzgrenzen für die Er
wärmungsbedingungen zeigt. Dieser bemerkenswerte Effekt
kann weder der Wirkung zugeschrieben werden, die allein
durch die Verwendung der o-Chinondiazid-4-derivate er
zielt wird, noch der, die allein durch die Verwendung
der organischen Basen erzielt wird.
Herkömmlicherweise wird das Erwärmen des lichtempfindli
chen Materials bei einer Temperatur im Bereich von 100
bis 130°C 30 s bis 1 min lang durchgeführt. Demgegen
über ermöglicht es die vorliegende Erfindung, den Tempe
raturbereich auf 80 bis 140° und die Erwärmungszeit auf
20 s bis 5 min auszudehnen.
Die in der vorliegenden Erfindung verwendbare o-Chinon
diazidverbindung ist zumindest eine Verbindung, die aus
der nachfolgenden Gruppe ausgewählt ist: Ester und Amide
von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-sulfonsäure, Ester und
Amide von 1,2-Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure,
Ester und Amide von 1,2-Naphthinon-2-diazid-4-sulfon
säure und Ester und Amide von 1,2-Naphthochinon-2-
diazid-4-carbonsäure. Besonders bevorzugte Beispiele
der Ester sind die der vorangegangenen Säuren oder
Halogenide davon mit einem Harz, wie ein Kondensat von
Pyrrogaol und Aceton, ein Phenol-Formaldehydharz oder
ein mehrwertiges Phenol (z. B. 2,3,4-Trihydroxybenzo
phenon, 2,4-Dihydroxybenzophenon). Auf der anderen Seite
können die Amide nach jedem bekannten Verfahren aus der
obengenannten Säure oder dem Halogenid davon und einem
aromatischen oder langkettigen aliphatischen Amin herge
stellt werden.
Die o-Chinondiazidverbindung wird wünschenswerterweise,
bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen
Schicht, in einer Menge im Bereich von 5 bis 50 Gew.-%,
vorzugsweise 10 bis 35 Gew.-% in die lichtempfindliche
Schicht eingearbeitet.
Darüber hinaus können, zusätzlich zum o-Chinondiazid-4-
derivat, o-Chinondiazid-5-derivate zur lichtempfind
lichen Schicht in einer Menge zugegeben werden, die den
obengenannten Bereich der letzteren nicht übersteigt.
Besonders bevorzugte, in der vorliegenden Erfindung
verwendbare organische Basen sind die mit einem Siede
punkt von nicht weniger als 200°C, und Beispiele davon
sind folgende:
Tributylamin, Triamylamin, Monoethanolamin, Diethanol
amin, N-Methylethanolamin, N-Methyldiethynolamin,
Dipropanolamin, Triethanolamin, Hexamethylentetramin,
Anilin, Diethylanilin, Aminopyridin, Imidazol, 2-Methyl
imidazol, 2,4-Dimethylimidazol, 2,4-Diethylimidazol und
Imidazolin.
Es ist erwünscht, diese organischen Basen bezogen auf
das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht dieser
lichtempfindlichen Schicht in einer Menge von 0,5 bis
20 Gew.-%, vorzugsweise 1 bis 10 Gew.-%, zuzugeben.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht enthält
vorteilhafterweise ein alkalilösliches Harz als Binde
mittel. Beispiele dieser alkalilöslichen Harze umfassen
Novolakharze, Resolharze, ein Copolymer von Styrol und
Acrylsäure, ein Copolymer von Methylmethacrylat und
Methacrylsäure, alkalilösliche Polyurethanharze und
alkalilösliche Polybutylatharze.
Falls erforderlich, umfaßt die erfindungsgemäße licht
empfindliche Schicht darüber hinaus andere Farbstoffe,
Pigmente und/oder Weichmacher. Bevorzugte Beispiele
dieser Farbstoffe sind öllösliche Farbstoffe und basi
sche Farbstoffe. Spezifische Beispiele umfassen Ölgelb
bzw. Dimethylgelb Nr. 101, Dimethylgelb Nr. 130, Ölrosa
Nr. 312, Ölgrün BG, Ölblau BOS, Ölblau Nr. 603, Ruß
schwarz bzw. Ölschwarz BY, Rußschwarz BS, Rußschwarz
T-505 (diese Farbstoffe sind von Orient Chemical
Industries, Ltd. erhältlich), Kristallviolett (Farb
index 42 555), Methylviolett (Farbindex 42 535), Rhodamin
B (Farbindex 45 170B), Malachitgrün (Farbindex 42 000) und
Methylenblau (Farbindex 52 015). Diese Farbstoffe können,
bezogen auf das Gesamtgewicht der Schicht, in einer
Menge von nicht mehr als 1 Gew.-% der erfindungsgemäßen
lichtempfindlichen Schicht zugegeben werden.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht kann her
gestellt werden, indem eine Lösung der obengenannten
Komponenten in einem geeigneten Lösungsmittel auf die
Oberfläche des gewünschten Substrats aufgetragen wird.
Beispiele des hier verwendbaren Lösungsmittels umfassen
Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Ethylen
glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether,
2-Methoxyethylacetat, Toluol, Ethylacetat, Propylengly
kolmonomethyletheracetat und Propylenglykolmethylether.
Dieses Lösungsmittel kann allein oder in Kombination
verwendet werden. Die Konzentration der Zusammensetzung
(Feststoffgehalt) liegt im Bereich von 2 bis 50 Gew.-%.
Ihre aufgebrachte Menge schwankt in Abhängigkeit von der
Anwendung der resultierenden lichtempfindlichen Materia
lien, es gilt jedoch allgemein, für eine vorsensibili
sierte Platte für die Herstellung von Lithographiedruck
platten, diese Zusammensetzung in einer Menge von 0,5
bis 7 g/m² (Feststoffgehalt), vorzugsweise 1,5 bis
3 g/m², aufzutragen.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht umfaßt vorzugsweise
Verbindungen, die eine Säure erzeugen können, die durch
Bestrahlung mit Licht die Farbphase der obengenannten
Farbstoffe verändern kann, um den sichtbaren Kontrast
der lichtempfindlichen Schicht nach der Belichtung zu
verbessern. Beispiele solcher Verbindungen umfassen
o-Naphthochinondiazid-4-sulfonylchlorid, wie es in US-PS
39 69 118 beschrieben ist, 2-Styryl-5-trihalogenmethyl-
1,3,4-oxazol, wie es in US-PS 42 12 970 beschrieben ist,
und Vinyltrihalogenmethyl-s-triazin, wie es in US-PS
39 87 037 beschrieben ist.
Darüber hinaus ist es ebenfalls erwünscht, einen grenz
flächenaktiven Stoff bzw. ein Netzmittel (nachfolgend
als Netzmittel bezeichnet) oder ähnliches einzuarbei
ten, um die Leistung der beschichteten Filmoberfläche zu
erhöhen.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Schicht kann
weiterhin andere Additive in einer geringen Menge um
fassen, wie cyclische Säureanhydride, die in US-PS
41 15 128 beschrieben sind.
Beispiele der lichtempfindlichen Materialien zur Repro
duktion nach der vorliegenden Erfindung umfassen insbe
sondere eine vorsensibilisierte Platte zur Herstellung
einer Lithographiedruckplatte (die der Einfachheit
halber auch als "PS-Platte" bezeichnet wird).
Substrate für PS-Platten können alle sein, soweit sie
eine hydrophile Oberfläche aufweisen, und Beispiele
davon umfassen verschiedene bekannte Substrate, die
herkömmlicherweise als Substrate für Lithographiedruck
platten verwendet wurden, insbesondere Aluminiumplatten.
Bevorzugte Beispiele dieser Aluminiumplatten umfassen
eine reine Aluminiumplatte, eine Platte aus einer Alu
miniumlegierung, genauso wie Plastikfilme, auf die
Aluminium aufgetragen ist, oder mit denen ein Aluminium
film laminiert ist. Die Aluminiumoberfläche dieser Alu
miniumplatten wird vorzugsweise einer Oberflächenbe
handlung unterzogen, wie Körnen, Tauchen in eine wäßrige
Lösung von Natriumsilikat, Kaliumfluorzirkonat oder
-phosphat und/oder Anodisierung. Es ist ebenfalls bevor
zugt, eine Aluminiumplatte zu verwenden, die anodisiert
und danach in eine wäßrige Alkalimetallsilikatlösung
getaucht wurde, wie es in US-PS 31 81 461 beschrieben
ist, oder eine solche, die anodisiert und danach in eine
wäßrige Polyvinylphosphonsäurelösung getaucht wurde, wie
es in US-PS 41 53 461 beschrieben ist. Die Anodisie
rungsbehandlung kann z. B. durchgeführt werden, indem
elektrischer Strom in einem Elektrolyt durch die als
Anode dienende Aluminiumplatte geleitet wird, wie in
einer wäßrigen oder nichtwäßrigen Lösung anorganischer
Säuren, z. B. Phosphorsäure, Chromsäure, Schwefelsäure
und Borsäure, oder einer organischen Säure, z. B. Oxal
säure und Sulfaminsäure oder eine Mischung davon.
Darüber hinaus wird die in US-PS 36 58 662 beschriebene
Silikatgalvanisierung ebenfalls wirksam in der vorlie
genden Erfindung angewendet. Andere vorteilhafte Sub
strate umfassen, die die durch elektrolytisches Körnen
und anschließend durch die obengenannte Anodisierung behan
delt wurden, wie in US-PS 40 87 341, J. P. KOKOKU Nr.
46-27481 und J. P. KOKAI Nr. 52-30503 beschrieben, und
die, die gekörnt, chemisch geätzt und danach anodisiert
wurden, wie in US-PS 38 34 998 beschrieben.
Die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Materialien
können als Andruck- bzw. Korrekturplatten (proofing
plates) zum Drucken, Filme für Overheadprojektoren,
lichtempfindliche Materialien zur Reproduktion bei der
Herstellung von Filmen für Zwischendrucke verwendet
werden. Beispiele der Substrate, die zur Bildung dieser
Materialien zur Reproduktion geeignet sind, umfassen
transparente Filme, wie einen Polyethylenterephthalat
film, einen Cellulosetriacetatfilm und die Plastikfilme,
deren Oberfläche chemisch oder physikalisch mattiert
wurde.
Die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Materialien
können ebenfalls bei der Herstellung von Filmen für
Photomasken verwendet werden, und Beispiele der Sub
strate dafür unfassen Polyethylenterephthalatfilme, auf
die Aluminium, eine Aluminiumlegierung oder Chrom auf
getragen wurde, oder die, auf denen eine gefärbte
Schicht ausgebildet wurde.
Nach der vorliegenden Erfindung wird das lichtempfind
liche Material zur Reproduktion, wie eine PS-Platte,
bildweise durch eine transparente Vorlage von einer
Lichtquelle belichtet, die mit aktinischen Strahlen ange
reichert ist, wie eine Kohlenstoffbogenlampe, eine
Quecksilberlampe, eine Metallhalogenidlampe oder eine
Xenonlampe, erwärmt, um die während der bildweisen Be
lichtung gebildeten belichteten Bereiche im alkalischen
Entwickler unlöslich zu machen, danach über die gesamte
Oberfläche belichtet, um die während der bildweisen Be
lichtung gebildeten unbelichteten Bereiche in diesem
Entwickler löslich zu machen und danach mit dem alkali
schen Entwickler entwickelt, um die unbelichteten Berei
che zu entfernen und um dadurch die hydrophile Oberflä
che des Substrats freizulegen. Somit wird die Lithogra
phiedruckplatte hergestellt. Das Erwärmungsverfahren
wird geeigneterweise bei einer Temperatur von 80 bis
140°C 20 s bis 5 min lang durchgeführt. Die Bedingungen
während der Belichtung der gesamten Oberfläche des Mate
rials können die gleichen sein, wie die während der
bildweisen Belichtung.
Beispiele der in der vorliegenden Erfindung verwendeten
bevorzugten Entwickler umfassen wäßrige Lösungen, die
zumindest ein alkalisches Mittel enthalten, wie ein an
organisches alkalisches Mittel, wie Natriumsilikat,
Kaliumsilikat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithium
hydroxid, Trinatriumphosphat, Dinatriumhydrogenphosphat,
Trikaliumphosphat, Dikaliumhydrogenphosphat, Tri
ammoniumphosphat, Diammoniumhydrogenphosphat, Natrium
metasilikat, Natriumbicarbonat und wäßriger Ammoniak,
und ein organisches alkalisches Mittel, wie Monoethanol
amin und Diethanolamin. Die Zusammensetzung der beson
ders bevorzugten wäßrigen alkalischen Lösungen ist in
US-PS 42 59 434 detailliert beschrieben. Die Entwicklung
des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Materials kann
unter Verwendung verschiedener Einrichtungen durchge
führt werden, wie eine automatische Entwicklungsmaschi
ne, die sowohl mit einer Entwicklungszone als auch einer
Zone zur Verhinderung des Verschmierens bzw. Verklebens
(gumming up) versehen ist, eine herkömmliche automati
sche Entwicklungsmaschine, die mit einer Waschzone ver
sehen ist, eine Schalen- bzw. Kolonnenentwicklung oder
kann durch manuelle Entwicklung durchgeführt werden.
Das erfindungsgemäße lichtempfindliche Material zeigt in
bezug auf die Erwärmungsbedingungen (Zeit und Tempera
tur) sehr breite Toleranzgrenzen beim Verfahren zur Bil
dung des Negativbildes, welches die bildweise Belichtung
des Materials, das Erwärmen des Materials, die Belich
tung der gesamten Oberfläche des Materials und die an
schließende Entwicklung des Materials mit einem alkali
schen Entwickler umfaßt.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezug
nahme auf die folgenden Beispiele erläutert. Die durch
die vorliegende Erfindung praktisch erzielten Wirkungen
werden mit Vergleichsbeispielen verglichen. In den fol
genden Beispielen steht die Bezeichnung "%" für "Gew.-%",
wenn es nicht anders ausgedrückt ist.
Eine Aluminiumplatte von 0,24 mm Dicke wurde mit einer
Nylonbürste und einer Suspension von Bimsstein und
Wasser mit 400 mesh (0,037 mm) gekörnt und danach aus
reichend mit Wasser gewaschen. Die Aluminiumplatte wurde
darüber hinaus 20 s lang in eine wäßrige 10%ige Natrium
hydroxidlösung bei 50°C getaucht, um diese zu ätzen,
und 1 min lang mit fließendem Wasser gewaschen, das bei
20°C gehalten wurde.
Diese Aluminiumplatte wurde dann 20 s lang bei 20°C in
einer wäßrigen, 1,5%igen Salpetersäurelösung elektro
chemisch gekörnt, wobei Wechselstrom mit einer Kennwelle
bzw. Sinuswelle (sign wave) (Spannung=10 V) bei einer
Elektrizitätsmenge von 900 C/dm² verwendet wurde, und
danach 30 s lang in eine 20%ige Phosphorsäurelösung ge
taucht, die bei 70°C gehalten wurde, um diese Platte zu
säubern. Nach ausreichendem Waschen mit Wasser wurde
durch die Platte ein Gleichstrom mit 22 V geleitet,
wobei die Platte als Anode diente und in eine bei 25°C
gehaltene, 15%ige Schwefelsäurelösung getaucht wurde, um
darauf einen anodisierten Film von 3,0 g/m² zu bilden.
Die folgende lichtempfindliche Lösung wurde auf das so
behandelte Substrat aufgetragen und danach getrocknet,
um eine lichtempfindliche Schicht von 2,5 g/m² zu erhal
ten (nach dem Trocknen gewogen):
Lichtempfindliche Lösung: | |
Verestertes Reaktionsprodukt von 1,2-Naphthochinondiazid-4-sulfonylchlorid und Cresolnovolak | 0,85 g |
m-Cresol/p-Cresol-Novolakharz (Verhältnis der m-Form zur p-Form = 60/40) | 1,70 g |
p-tert-Butylphenolharz | 0,03 g |
reines Viktoriablau BOH | 0,04 g |
2-Trichlormethyl-5-p-butylstyryl-1,2,3-oxadiazol | 0,06 g |
Hexahydrophthalsäureanhydrid | 0,4 g |
organische Base (siehe Tabelle I) | 0,1 g |
Ölblau Nr. 603 (von Orient Chemical Industries, Ltd. erhältlich) | 0,04 g |
Ethylendichlorid | 18 g |
2-Methoxyethylacetat | 12 g |
PS-Platten wurden hergestellt, die denen in Beispiel 1
hergestellten ähnlich sind, außer daß sie in der licht
empfindlichen Schicht keine organische Base enthalten,
und diese wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 1
behandelt.
Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 wurde wieder
holt, außer daß das veresterte Reaktionsprodukt von 1,2-
Naphthochinondiazid-5-sulfonylchlorid/Cresolnovolak als
o-Chinondiazidkomponente verwendet wurde, um die PS-
Platten herzustellen, und diese PS-Platten wurden auf
die gleiche Weise wie in Beispiel 1 behandelt.
PS-Platten wurden hergestellt, die denen im Vergleichs
beispiel 2 hergestellten ähnlich waren, außer daß sie in
der lichtempfindlichen Schicht keine organische Base
enthielten, und diese wurden in der gleichen Weise wie
im Vergleichsbeispiel 2 behandelt.
Die so hergestellte PS-Platte wurde eine Woche lang bei
üblicher Temperatur und Feuchtigkeit stehengelassen und
danach durch eine transparente negative Vorlage aus
einer Metallhalogenidlampe mit 3 kW 60 s lang in einem
Abstand von 1 m bildweise belichtet. Diese PS-Platten
wurden danach unter den folgenden Bedingungen A, B oder
C in einem Wärmeofen erwärmt (hergestellt und geliefert
von Tabai Co., Ltd.).
Erwärmungsbedingungen:
A: 1 min lang bei 80°C
B: 2 min lang bei 100°C oder
C: 4 min lang bei 140°C
A: 1 min lang bei 80°C
B: 2 min lang bei 100°C oder
C: 4 min lang bei 140°C
Danach wurde die gesamte Oberfläche dieser PS-Platten in
einem Abstand von 1 m 60 s lang aus der gleichen Metall
halogenidlampe vollkommen belichtet, ohne daß die trans
parente Vorlage verwendet wurde. Danach wurden die PS-
Platten bei 25°C 1 min lang mit einer wäßrigen Natrium
silikatlösung entwickelt, deren Molverhältnis von SiO₂
zu Na₂O 1,2 betrug, wobei der Gehalt an SiO₂ 1,5%
betrug, und danach mit Wasser gewaschen. Ein Schutz
gummi, der ein hydrophiles Kolloid umfaßt, wurde auf die
entwickelten PS-Platten aufgebracht, die danach auf
einer Druckmaschine befestigt wurden, um das Drucken
durchzuführen.
Die resultierenden Drucksätze wurden auf der Basis der
folgenden dreistufigen Bewertung geprüft:
X: Die Drucksätze trugen klare Bilder.
Y: Die Bilder auf den Drucksätzen waren teilweise ge brochen und/oder wiesen Hintergrundverunreinigung auf und
Z: Die PS-Platten lieferten keine Drucksätze, die nor male Bilder trugen.
Y: Die Bilder auf den Drucksätzen waren teilweise ge brochen und/oder wiesen Hintergrundverunreinigung auf und
Z: Die PS-Platten lieferten keine Drucksätze, die nor male Bilder trugen.
Die Ergebnisse sind in Tabelle I unten zusammengefaßt.
Aus den in Tabelle I aufgeführten Ergebnissen können die
folgenden Schlußfolgerungen gezogen werden:
Die von PS-Platten erhaltenen Lithographiedruckplatten,
bei denen in der lichtempfindlichen Schicht das Naphtho
chinondiazid-4-derivat und die organische Base verwendet
wurden (Beispiele 1 bis 3), lieferten unter beiden Er
wärmungsbedingungen A (1 min lang bei 80°C) und C
(4 min lang bei 140°C) Drucksätze, die klare Bilder
trugen. Demgegenüber lieferten die Lithographiedruck
platten, die aus PS-Platten erhalten wurden, deren
lichtempfindliche Schicht das Naphthochinondiazid-4-
derivat enthielt und keine organische Base (Vergleichs
beispiel 1) unter der Bedingung A überhaupt keine nor
malen Bilder. Die Lithographiedruckplatten, die im Ver
gleichsbeispiel 2 erhalten wurden, bei denen das
Naphthochinondiazid-5-derivat anstelle des Naphthochi
nondiazid-4-derivats verwendet wurde, zeigte unter den
Bedingungen A und C keine befriedigende Fähigkeit zur
Bildbildung, wodurch wiederum offensichtlich wird, daß
diese PS-Platten in bezug auf die Erwärmungsbedingungen
enge Toleranzgrenzen haben. Die im Vergleichsbeispiel 3
erhaltenen Lithographiedruckplatten, bei denen das
Naphthochinondiazid-5-derivat durch sein 4-Derivat sub
situiert ist, liefern bei allen Bedingungen A, B und
C niemals Drucksätze, die normale Bilder tragen.
Claims (20)
1. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion, gekenn
zeichnet durch ein Substrat, auf dem eine lichtemp
findliche Schicht vorgesehen ist, die aus:
- (a) zumindest einer Verbindung, die aus der Gruppe von Estern und Amiden von 1,2-Benzochinon-2-diazid- 4-sulfonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Benzochi non-2-diazid-4-carbonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sulfonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-carbon säure ausgewählt ist, und
- (b) zumindest einer organischen Base zusammengesetzt ist.
2. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ester
aus der Gruppe von Estern ausgewählt wird, die aus den
Säuren oder Halogeniden davon mit einem Kondensat
von Pyrogallol und Aceton, Phenol-Formaldehyd-Harz,
2,3,4-Trihydroxybenzophenon oder 2,4-Dihydroxy
benzophenon erhalten werden.
3. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Amid aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Amiden
besteht, die aus den Säuren oder Halogeniden davon und aro
matischen und langkettigen aliphatischen Aminen
erhalten werden.
4. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Menge der o-Chinondiazidkomponente in der
lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamt
gewicht der lichtempfindlichen Schicht im Bereich
von 5 bis 50 Gew.-% liegt.
5. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Menge der o-Chinondiazidkomponen
te in der lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das
Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht 10 bis
35 Gew.-% beträgt.
6. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht weiter
hin ein o-Chinondiazid-5-derivat in einer Menge um
faßt, die die Menge des o-Chinondiazid-4-derivats nicht
übersteigt.
7. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die organische Base aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Tributylamin, Triamylamin,
Monoethanolamin, Diethanolamin, N-Methylethanolamin,
N-Methyldiethanolamin, Dipropanolamin, Triethanol
amin, Hexamethylentetraamin, Anilin, Diethylanilin,
Aminopyridin, Imidazol, 2-Methylimidazol, 2,4-Di
methylimidazol, 2,4-Diethylimidazol und Imidazolin
besteht.
8. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Menge der organischen Base in der
lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamt
gewicht der lichtempfindlichen Schicht im Bereich
von 0,5 bis 20 Gew.-% liegt.
9. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Menge der organischen Base in der
lichtempfindlichen Schicht bezogen auf das Gesamt
gewicht der lichtempfindlichen Schicht im Bereich
von 1 bis 10 Gew.-% liegt.
10. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht zumin
dest ein alkalilösliches Bindemittel umfaßt.
11. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das alkalilösliche Bindemittel aus der
Gruppe ausgewählt ist, die aus Novolakharz, Resol
harz, einem Copolymer von Styrol und Acrylsäure,
einem Copolymer von Methylmethacrylat und Methacryl
säure, einem alkalilöslichen Polyurethanharz und
einem alkalilöslichen Polybutylatharz besteht.
12. Lichtempfindliches Material zur Reproduktion nach
einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht weiter
hin zumindest einen Farbstoff in einer Menge von
nicht mehr als 1 Gew.-% bezogen auf das Gesamtge
wicht der lichtempfindlichen Schicht umfaßt.
13. Verfahren zur Ausbildung von Bildern, gekennzeichnet
durch die Schritte:
bildweise Belichtung eines lichtempfindlichen Mate rials zur Reproduktion, das ein Substrat umfaßt, das mit einer lichtempfindlichen Schicht versehen ist, die aus (a) zumindest einer Verbindung aus der Gruppe von Estern und Amiden von 1,2-Benzochinon-2- diazid-4-sulfonsäure, Estern und Amiden von 1,2- Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sulfonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2- diazid-4-carbonsäure und (b) zumindest einer or ganischen Base zusammengesetzt ist, anschließendes Erwärmen des Materials und Belichtung der gesamten Oberfläche des Materials und Entfernung der lichtempfindlichen Schicht, die den unbelichteten Bereichen des Materials entspricht, die während der bildweisen Belichtung gebildet wur den, durch Behandlung mit einem alkalischen Entwick ler.
bildweise Belichtung eines lichtempfindlichen Mate rials zur Reproduktion, das ein Substrat umfaßt, das mit einer lichtempfindlichen Schicht versehen ist, die aus (a) zumindest einer Verbindung aus der Gruppe von Estern und Amiden von 1,2-Benzochinon-2- diazid-4-sulfonsäure, Estern und Amiden von 1,2- Benzochinon-2-diazid-4-carbonsäure, Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2-diazid-4-sulfonsäure und Estern und Amiden von 1,2-Naphthochinon-2- diazid-4-carbonsäure und (b) zumindest einer or ganischen Base zusammengesetzt ist, anschließendes Erwärmen des Materials und Belichtung der gesamten Oberfläche des Materials und Entfernung der lichtempfindlichen Schicht, die den unbelichteten Bereichen des Materials entspricht, die während der bildweisen Belichtung gebildet wur den, durch Behandlung mit einem alkalischen Entwick ler.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß das Erwärmen des bildweise belichteten lichtemp
findlichen Materials bei einer Temperatur im Bereich
von 80 bis 140°C 20 s bis 5 min lang durchgeführt
wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Entwickler eine alkalische wäßrige
Lösung ist, die zumindest ein alkalisches Mittel
enthält, das aus Natriumsilikat, Kaliumsilikat,
Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithiumhydroxid,
Trinatriumphosphat, Dinatriumhydrogenphosphat, Tri
kaliumphosphat, Dikaliumhydrogenphosphat, Triammo
niumphosphat, Diammoniumhydrogenphosphat, Natrium
metasilikat, Natriumbicarbonat, wäßrigem Ammoniak,
Monoethanolamin und Diethanolamin ausgewählt ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, da
durch gekennzeichnet, daß die Menge der o-Chinon
diazidkomponente in der lichtempfindlichen Schicht
im Bereich von 5 bis 50 Gew.-% und die der organi
schen Base im Bereich von 0,5 bis 20 Gew.-% liegt,
bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen
Schicht.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, da
durch gekennzeichnet, daß die Menge der o-Chinon
diazidkomponente in der lichtempfindlichen Schicht
im Bereich von 10 bis 35 Gew.-% und die der organi
schen Base im Bereich von 1 bis 10 Gew.-% liegt, be
zogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen
Schicht.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, da
durch gekennzeichnet, daß der Ester aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Estern besteht, die aus den
Säuren oder Halogeniden davon mit einem Kondensat
von Pyrogallol und Aceton, Phenol-Formaldehyd-Harz,
2,3,4-Trihydroxybenzophenon oder 2,4-Dihydroxybenzo
phenon erhalten wurden; das Amid aus der Gruppe aus
gewählt ist, die aus Amiden besteht, die aus den Säuren
oder Halogeniden davon und aromatischen oder lang
kettigen aliphatischen Aminen erhalten wurden; und
die organische Base aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Tributylamin, Triamylamin, Monoethanolamin,
Diethanolamin, N-Methylethanolamin, N-Methyldietha
nolamin, Dipropanolamin, Triethanolamin, Hexamethy
lentetraamin, Anilin, Diethylanilin, Aminopyridin,
Imidazol, 2-Methylimidazol, 2,4-Dimethylimidazol,
2,4-Diethylimidazol und Imidazolin besteht.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, da
durch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche
Schicht zumindest ein alkalilösliches Bindemittel
umfaßt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, da
durch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Binde
mittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus
Novolakharz, Resolharz, einem Copolymer von Styrol
und Acrylsäure, einem Copolymer von Methylmethycry
lat und Methacrylsäure, alkalilöslichem Polyurethan
harz und alkalilöslichem Polybutylatharz besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23454987A JPS6478249A (en) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | Photosensitive material and image forming method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3831290A1 true DE3831290A1 (de) | 1989-04-06 |
Family
ID=16972764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883831290 Withdrawn DE3831290A1 (de) | 1987-09-18 | 1988-09-14 | Lichtempfindliches material und verfahren zur bildbildung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6478249A (de) |
DE (1) | DE3831290A1 (de) |
GB (1) | GB2210172A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0558280A1 (de) * | 1992-02-25 | 1993-09-01 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Chemisch amplifizierter Photolack |
US5580695A (en) * | 1992-02-25 | 1996-12-03 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Chemically amplified resist |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03142918A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
US6806020B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-10-19 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Negative working imageable composition containing sulfonic acid |
US6921620B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-07-26 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Imageable composition containing colorant having a counter anion derived from a non-volatile acid |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL125781C (de) * | 1959-02-04 | |||
US3661582A (en) * | 1970-03-23 | 1972-05-09 | Western Electric Co | Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof |
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JPS5614970B2 (de) * | 1974-02-01 | 1981-04-07 | ||
DE2529054C2 (de) * | 1975-06-30 | 1982-04-29 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes |
JPS5559456A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electron beam recording method |
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DE3040156A1 (de) * | 1980-10-24 | 1982-06-03 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch und damit hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial |
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JPS6235350A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト |
-
1987
- 1987-09-18 JP JP23454987A patent/JPS6478249A/ja active Pending
-
1988
- 1988-09-06 GB GB8820926A patent/GB2210172A/en not_active Withdrawn
- 1988-09-14 DE DE19883831290 patent/DE3831290A1/de not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8820926D0 (en) | 1988-10-05 |
JPS6478249A (en) | 1989-03-23 |
GB2210172A (en) | 1989-06-01 |
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