DE1765942A1 - Verfahren zum Herstellen von optisch dichten maskenartigen Metallisierungsmustern - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von optisch dichten maskenartigen MetallisierungsmusternInfo
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Description
Verfahren zum Herstellen von optisch dichten maskenartigen Metallisierungsmustern
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren, das mittels eines photoselektiven Sensibilisators die
Wiedergabe einer Abbildung und die Katalyse des chemischen Niederschlags eines Metalles auf der Abbildung
zur Herstellung von Metallisierungsmustern bezweckt.
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Bei elektrischen·integrierten oder monolithischen Schaltungen
werden die charakteristischen Eigenschaften in grossem Masse sowohl von der Beschaffenheit des Niederschlages als auch von
der Grosse und der Geometrie der auf den Unterlagen niedergeschlagenen
Metallisierungen bestimmt. Das Aufbringen der Metallisierungsmuster erfordert eine sehr hohe Genauigkeit, und die bei
dem Herstellungsverfahren verwendeten Masken müssen konstante Abmessungen aufweisen, die sehr genau dem wiederzugebenden
Muster entsprechen.
Bei der bisherigen Technik musste die in der Photographie übliche Gelatieneschicht eine Mindeetdicke aufweisen, die zur Erzielung der
für die optische Maske notwendigen hohen optischen Dichte in den dunklen Bereichen notwendig ist. Ausserdem musste ein hohes
Auflösungsvermögen erzielt werden, wodurch sich die Forderung einer geringen Dicke der verwendeten Schicht ergibt, was dem
Erfordernis einer hohen optimalen Dichte der dunkelen Bereiche der photographischen Maske widerspricht. Dies gilt auch bei der
Herstellung einer Photowider stands schicht, die dick genug sein muss,
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um im Falle von geätzten Metallmasken gegen die Ätzung zu
schützen.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, welches es gestattet, metallische
Leiterzüge oder ähnliche Objekte in Form scharf begrenzter Mikrobilder zu erstellen, -wobei im Gegensatz zu den bisher bekannt
gewordenen Verfahren die Erzielung eines guten Auflösungsvermögens bei der Abbildung des zu erstellenden Musters
und die Erzielung der erforderlichen optischen Dichte des Musters zeitlich nacheinander stattfinden.
Das die genannte Aufgabe lösende Verfahren benutzt zur Abbildung eine Schicht aus mindestens zwei Komponenten, wobei eine erste
Komponente die Photoempfindlichkeit aufweist und eine zweite Komponente für einen durchzuführenden stromlosen Plattierungsvorgang
als Katalysator wirksam ist. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindliche Komponente und die
für den metallischen Niederschlag als Katalysator wirkende Komponente in einer gemeinsamen Lösung auf die Unterlage aufgebracht
werden.
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Die vorli egende Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels und der zugehörigen Zeichnungen
näher erklärt.
Es zeigen :
die Fig. IA, 1 B
und 1 C schematische Seitenansichten von
Leitungen, die entsprechend mit
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einer photographischen Maske, einer eingeätzten Metallmaske und einer als Beispiel angegebenen
photo selektiven Sensibilisatormaske erzielt wurde,
Fig. 2 eine schematische Ansicht einer
metallisierten Leitung, die ein Mikron breit ist und unter Verwendung
des photo selektiven Sensibilisator ε erzielt wurde.
Die in der bisherigen Technik hergestellten photographischen Platten haben den Nachteil, dass die von ihnen getragene
Anprdnung nicht scharf begrenzt ist und daher auch unscharf auf die photoempfindliche Schicht übertragen wird.
Bei der Uebertragung sehr dünner Linien entstehen grosse Schwierigkeiten bei phot'ographischen Prozessen in der
Erfüllung der Makierungsfunktionen, da sie zwei entgegengesetzte Erscheinungen fordern:
fr 9-67-304 1098 83/ Θ*τ7 4
Die Dichte der dunklen Bereiche (Dichte = Durchlässigkeitslogarithmus, wobei die Durchlässigkeit gleich dem
Verhältnis der Intensität des einfallenden Lichtes und des übertragenen Lichtes ist) erfordert eine dicke
Gelatine schicht mit einer grossen Menge metallischen
Silbers auf der einen Seite.
die Bildauflösung, die vom Kontrast abhängt, erfordert andererseits eine sehr dünne Gelatine schicht.
Bei den bisherigen Verfahren wurden die bekannten Grens werte dadurch herabgesetzt, dass man hoch auflösende
Platten einer nur 6 Mikron dicken Gelatine schicht verwendete, die einen grösseren SilberantAU enthielten. Auf
diese Weise kann man Bilder mit einer; annehmbaren , ,
Dichte in den dunklen Bereichen .er sielen. Wie jedoch
Fig. IA zeigt, ist der Versuch, 1 Mikron breite Linien
herzustellen, indem man Ϊ Mikron breite Linien (3) belichtet, erfolglos, da in-den Bereichen," in denen das
Silber reduziert wurde, die Dichte inhomogen ist und
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dadurch die kleinste undurchsichtige Linie mindestens gleich 3 Mikron breit ist. Die Undurchsichtigkeit entsteht
durch eine ausreichende Menge von undurchsichtigen Silberkörnern (1), die in der transparenten Gelatine
lagern. Die Inhomogenität bringt natürlich einen Verlust von Auflösungsvermögen mit sich, sowohl auf Grund der
Dicke, als auch auf Grund des heterogenen Charaktere der Emulsion. Die eigentliche Ursache für diesen Antagonismus
zwischen Kontrast und Auflösungsvermögen ■ liegt in der Tatsache, dass das leicht gleichzeitig einmal
den bilder zeugenden Auswahleffekt und zum anderen den durch die Undurchsichtigkeit erzeugten Maskierungseffekt hervorrufen muss. Diese Forderung ist zu stellen
solange das photographische Verfahren für künstlerische Zwecke verwendet wird. Sie ist nicht mehr notwendig,
wenn das zu erreichende Ziel eine Maske ist, bei der auf Zwischentonwerte verzichtet werden kann. Sobald
die Möglichkeit besteht, nicht gleichzeitig sowohl ein hohes Auflösungsvermögen als auch hohe Undurchsichtig-
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keit erzielen zu müssen und zuerst die Erzeugung eines Bildes und dann die der Undurchsichtigkeit ins Auge
gefasst wird, ändert sich das Problern vollständig.
Bei einer geätzten Metallmaske (Fig. IB) war der Versuch erfolgreich, zuerst die Undurchsichtigkeit in
einer von der Erzeugung des Bildes unabhängigen Art zu erzeugen. Zuerst wird auf eine transparente Unter»
lage eine Metallschicht aufgedampft, dann werden die Bereiche der Metallschicht, die durch eine photoempfindliche Schicht (1) gegen Aetzmittel geschützt
wurden, maskiert und nach Belichtung und Entwicklung die nicht maskierten Bereiche der Metallschicht mit
Hilfe entsprechender Chemikalien entfernt. Ein Nachteil dieses Verfahrene liegt darin, dass das Bild des
Photolacke das Metall vor dem anschliessend zur Erzielung der transparenten Bereiche folgenden Lösungs-
prozess schützen muss. Bas Photolackmaterial muss un-
o '
gefähr 5000 A dick sein,und die Aetzung ermöglicht die
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Herstellung von undurchsichtigen .Linien mit seitlichen
Abmessungen in der Grössenordnung von 2 Mikron. Diese
Aetzung ist jedoch sehr schwierig zu steuern, und die Möglichkeit, einen Zwischenraum zwischen zwei Linien
zu entwickeln und einzuätzen ist nicht sicher genug, weil die in Fig. IB dargestellte Schicht mindestens 0,5 Mikron
dick sein muss, um undurchlässig zu sein. Ansonst bestünde die Gefahr unscharfer Kanten sowie der Bildung von
Löchern.
Das erfindungsgemässe Verfahren vermeidet diese Nachteile
durch Verwendung bekannter photoempfindlicher Materialien, die eine hohe Feinheit und Auflösung der
Bilder ermöglichen, wenn diese Materialien in dünnen . Schichten verwendet werden. Da die optische Dichte und
die Randschärfe von der Dicke der aufgelegten Metallschicht abhängig sind, wurden zwei Verfahren kombiniert,
von denen jedes keine besonders dicken Schichten aus photoempfindlichem Material-erfordern. Diese Ver-
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ORIGINAL INSPECTED
fahren verwenden ein photoempfindliches Produkt, das
das Bild in einer extrem dünnen Schicht festhält und eine
chemische Metallisierung um die Undurchsichtigkeit
t dieses Bildes zu erzeugen. Um die beiden Verfahren
miteinander zu verbinden, muss die photoempfindliche
Schicht ein Sensibilisatorelement enthalten, das den metallischen Niederschlag katalysieren kann. Das wird
durch Verwendung des in Fig. IC oder Fig. 2 gezeigten
photoselektiven Sensibilisator β (1) erreicht.
■ - ο
Dicke reicht aus, um eine Dichte von 4 zu erzeugen, die
wesentlich höher liegt als die einer 20 mal dickeren photographischen Emulsion. Diesen metallischen Niederschlag erhält man mit Hilfe einer sehr dünnen Schicht
eines Sensibilisators oder Katalysators auf einer Unterlage. Im vorliegenden Verfahren ist der Katalysator in
dem photoselektiven Sensibilisator enthalten.
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Für die photoempfindliche Schicht können Stoffe verwendet werden, die normalerweise in Form einer Lösung verwendbar
sind und durch das Licht polimerisiert werden. Dazu gehören negative oder photogehärtete Stoffe wie
Polyvinylalkohol, Bichromat enthaltender Fischleim usw.j sowie-grundsätzlich alle Bichromatkolloide und Photopolymere
wie die Kodakprodukte KPR, KMER, KTFR, KOR oder andere synthetische Stoffe, deren molekulare
Anordnung die Polymerisation begünstigt.
Es können auch Stoffe verwendet werden, die normalerweise unlöslich sind und die durch Licht nach Zerstörung *
der Verbindung lösbar gemacht werden. Dies sind positive oder lichtzerstörte Stoffe, d.h. sie geben
direkt ein positives Bild wie z.B. die Diazoverbindungen.
Die Metalle, die als Sensibilisator oder Katalysator eines metallischen Nieder.echlages zu dienen haben,
sind allgemein bekannt. Palladium, Gold, Silber oder
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At
andere Metalle kommen in Frage, deren elektrochemische· Potential höher als das des niederzuschlagenden
Metalles ist. Sie werden allgemein in der Form von Chloriden verwendet. * " ■ '
Die in den verschiedenen möglichen Zusammensetzungen des chemischen Metallniederschlages verwendeten Metalle
können Gold, Silber, Kupfer, Zinn, Nickel usw. sein. Ein Metall, das sich sehr gut zum stromlosen Niederschlag
eignet ist Nickel in der Form eines Sulfates und mit einem bestimmten mengenmässigen Anteil von Hiifsstoffen,
z. B. Hypophosphit, die zu seinem stromlosen Niederschlag nötig sind.
Das· vorliegende Verfahren wird bei der Maskenherstellung
wie folgt angewandt. Der photoempfindliche Sensibilisator wird auf eine gegebene Unterlage in
einer sehr dünnen und gleichförmigen Schicht ,aufgesprüht, da eine hohe Auflösung erforderlich ist. Dann wird das
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Bild erzeugt, in dem man als Objekt die Maskenkonfiguration
abbildet. Anschlieäsend wird die Platte entwickelt,
um entweder die nicht belichteten Bereiche im Falle von negativen oder photo gehärteten Stoffen, oder die belichteten
Bereiche im Falle von positiven oder photozerstörten Stoffen zu entfernen. Schliesslich werden
die im Entwicklungsbad nicht gelösten Bereiche durch die Einwirkung des Sensibilisators metallisiert, der durch
Katalyse den Metallniederschlag ermöglicht, wenn die
Platte in das chemische Niederschlagsbad getaucht wird» ■ . ."-"■"..·.
Eine andere Ausführung des Verfahrens arbeitet mit einem Metallniederschlag-Sensibilisator, der ebenfalls ' :
photoempfindlich ist, wie z. B. Silberbromi'd, das kürzere Belichtungen ermöglicht, als die oben erwähnten ·
Stoffe, da es in Sekundenbruchteilen auf die Belichtung in den sichtbaren Bereichen reagiert. Ih diesem Fall
wird der Sensibilisator während, der Entwicklung in den
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nichtbelichteten Bereichen auf chemischem Wege entfernt. Bei dieser Art von Sensibilisator wird die Erzielung eines sichtbaren Bildes im Gegensatz zur Photographic nicht auegenützt,und der Sensibilisator ist umso aktiver je feiner er verteilt ist. Oa der Sensibilisator ausserdem eine Oberflächenerscheinung» die
Katalyse, ausnützt, können Schichten um 100 bis 200 Ä Dicke verwendet werden. Die Vorteile da· Sensibili-' sators gegenüber einem normalen photograph!sehen
Produkt liegen in der Tatsache, das« b«£4»tn vorliegenden Verfahren beide Stufen, nämlich die-BilddarStellung
und der Metallnieder schlage hintereinander erfolgen,
im Gegensatz zur Gelatine, die nae^tf* $§H#i*klung ·«■<<
·■ ein fertige» Bild enthältV ; '
- i - ■ Ci
v 1
fe''Φ·: · M"*7 °ί<
Zum besseren Ver.tändnis der Erfin&uhl'lei dii folgende Beispiel angeführt, in dem ein SeniibHUator au β '
Palladiumchlorid zusammen mit' Bicnromilp^lyvlnyl- ^ '
alkohol einem in Wasser entwickelbaren und löslichen Harz verwendet wird.
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Diese Art des Bichromatcolloid wird durch die Anwesenheit von Palladiumsalzen nicht beeinflusst,und die
Sensibilisierungsschicht hat praktisch keine Dicke, da
sie durch Absorption des Palladiumchlorids in der Oberfläche der Unterlage entsteht. Dieser Umstand ist
äusserst günstig für die Erisielung eines Bildes mit
grösstmöglicher Begrenzung und Genauigkeit, da der Kanteneffekt als Funktion der Dicke praktisch Null ist.
Wenn z. B. eine Linie mit einer Breite yon I Mikron belichtet wird, erhält man eine sensibilisierte Linie, die
ο
auf etwa 100 A genau 1 Mikron breit ist. Im Moment des metallischen Niederschlages wird aber ein seitlicher Niederschlag erzeugt, dessen Wert etwas unter dem der Dicke der niedergeschlagenen Schicht liegt. Unter Berücksichtigung des Umstandes, dass
auf etwa 100 A genau 1 Mikron breit ist. Im Moment des metallischen Niederschlages wird aber ein seitlicher Niederschlag erzeugt, dessen Wert etwas unter dem der Dicke der niedergeschlagenen Schicht liegt. Unter Berücksichtigung des Umstandes, dass
ο
2000 A Nickel ausreichen, um eine Schicht zu erhalten, deren Dichte im wesentlichen gleich 4 ist, kann ein Seitenniederschlag von 1500 A auf jeder Seite der Linie au einer Endbreite von 1, 3 Mikron führen. Da dieser
2000 A Nickel ausreichen, um eine Schicht zu erhalten, deren Dichte im wesentlichen gleich 4 ist, kann ein Seitenniederschlag von 1500 A auf jeder Seite der Linie au einer Endbreite von 1, 3 Mikron führen. Da dieser
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Seitenniederschlag, der ja proportional zur Dicke des niedergeschlagenen Metallee ist, vorweg berücksichtigt
werden kann, kann er auch gemäss der Darstellung in Fig. Z korrigiert werden.
Das folgende Beispiel bezieht sich, auf die Herstellung
1
r t
optischer Masken, in welchem die verwendete Unterlage transparent ist, a. B. Glas.
Polyvinyl-Alkohol 15 g .
Kalium Bichromat 4 g
Palladium Chlorid 17 g einer Lösung mit lOg/l
metallischen Palladiums
mit Wasser auf 1000 cc auffüllen (ph 6, Viscosität 3,8
cps bei 20° C).
Um einen möglichst homogenen Sensibilisator zu erhalten,,
empfiehlt es sich, die Lösung etwa 30 Minuten umzurühren und dann ungefähr eine Stunde stehen zu lassen.
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Die angegebene Menge von Bichromat und Polyvinyl*
Alkohol ist eine Funktion der zur Erzielung der geforderten Dicke nötigen Viscosität. Sie kann innerhalb
weiter Grenzen geändert werden. Die angegebene Konzentration von Palladiumchlorid kann ebenfalls
zur Erreichung eines bestimmten Aushärtungsgrades
des Sensibilisators nach Entwicklung des Bildes geändert
werden.
Nach dem Reinigen der Unterlagen wird der Sensibilisator
mit einer Zentrifuge bei hoher Geschwindigkeit aufgesprüht und dann bei Raumtemperatur trocknen' gelassen,
bis die Ränder verschwinden.
Belichtung der Platte mit einer 200 Watt Quecksilberlichtbogenlampe
ungefähr 1 Minute lang.
Entwicklung in destiliertem Wasser ungefähr; 5 Minuten
unter Umrühren» -
Ofentrocknung bei 190 C 15 Minuten lang.
Metallisierung:
Bei' einer Nickelmetallisierung erfolgt der Niederschlag
Bei' einer Nickelmetallisierung erfolgt der Niederschlag
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in 3 Minuten aus folgender Lösung:
Nickel sulfat (SO4Ni, 7H2O) 30g/l
Natrium Hypophosphit (PO H Na, HO) 25g/l
Trinatriumcitrat (C.H O Na , 5H2°) 10S/1
Natriumacetat (CH CO Na, 3HO) lOg/l
Borsäure (BOH) 3g/l
Netzmittel . 0,25 cc/l
Aufheller -5 cc/l
Wenn das Bild in die Lösung eingetaucht wird, entsteht zuerst folgende Aktivierungsreaktion:
PdCl2 + Na H2PO2 + H2O —*- Na H2PO3 + Pd + 2HCl.
Dann wirkt die Oberfläche katalytisch und die Metallniederschlagsreaktion
erzeugt:
NiSO .+ 2Na H0PO- + 2H.O—*-Ni + H.SO. + 2NaH_PO +.K
Somit entsteht durch das Palladium ein stromloser Nickelniederschlag
und. die Niederschlagsreaktion läuft durch die Autokatalyse des Nickels weiter.
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iS
Obwohl der Sensibilisator besondere bei der Herstellung
optischer Masken angewendet wird, kann er auch bei der Herstellung von Schaltbildern wie Mikromoduln
oder gedruckten Schaltungen benutzt werden, wo die Unterlage z. B. ein Isoliermaterial wie Epoxydharz,
Glas oder beschichtetes Papier ist und die leitenden
Bereiche aus leitendem Material wie z. B. Kupfer bestehen. Unter diesen Bedingungen ist das erfindungsgemässe Verfahren von besonderem Interesse, da das
Metall in reiner Form niedergeschlagen wird.
Der Sensibilisator kann ebenfalls zur Herstellung metallisierter Verbindungen verwendet werden, die durch
eine Unterlage hindurchgehen und so die beiden Seiten mit einer hervorragenden elektrischen Leitfähigkeit
miteinander verbinden, da diese Verbindungen gleichzeitig mit den anderen leitenden Bereichen hergestellt'
werden. Ausserdem kann*das Verfahren in der magnetischen
Dünnfilmtechnik oder der Kapazitätsspeicher-Herstellung verwendet werden.
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Eine andere Anwendungsmöglichkeit des Sensibilisator
nutzt den Reliefeffekt dee niedergeschlagenen Metalles bei der relief- oder typographischen Herstellung von
Platten für Druckereizwecke und im graphischen Gewerbe allgemein. Wenn ein öleophiles Metall mit
einer hydrophilen Unterlage verbunden wird oder umgekehrt, kann man lithographische Platten herstellen.
einer hydrophilen Unterlage verbunden wird oder umgekehrt, kann man lithographische Platten herstellen.
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Claims (13)
1. Verfahren zum Herstellen von optisch dichten maskenartigen Metallisierungsmustern hohen Auflösungsvermögens
durch Bedecken eines Substrats mit einer mindestens zweikomponentigen Schicht, welche photoempfindlich
und gleichzeitig bei einem anschliessend durchzuführenden stromlosen Plattierungsprpzeß als Katalysator
wirksam ist, wobei das gewünschte Muster durch Belichten der Schicht durch eine optische Maske hindurch realisiert
wird und die sensibilisierte Schicht anschliessend entwickelt und einem stromlosen Plattierungsverfahren unterworfen
wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die photoempfindliche und die für den metallischen Niederschlag
als Katalysator wirkende Schichtkomponenten in einer gemeinsamen Lösung verwendet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindliche Schicht, auf welche die Photomaske
abgebildet wird, so dünn ist, daß zwar keine wesentliche optische
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2λ
Dichte, dafür aber eine gute Auflösung der Maskenkonturen
erzielt wird und daß der unter dem Einfluß der als Katalysator wirkenden Schichtkomponente stattfindende stromlose Metallniederschlag
solange fortgesetzt wird, bis eine hinreichende optische Dichte erreicht ist.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 2, gekennzeichnet durch die Anwendung zur Herstellung von Metallmasken.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 2, gekennzeichnet durch die Verwendung zur Herstellung von gedruckten Schaltungen
oder von Leitungsführungen bei monolithischen Schaltungen.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 2, gekennzeichnet durch die Anwendung zur Herstellung von typographischen Klischees.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das photoempfindliche Material normalerweise in dem
Entwicklungsbad löslich ist, daß es aber in diesem Bad nach der Belichtung unlöslich ist.
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7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Material ein an sich
bekanntes kolloides Bichromat ist, einschliessuch der
Substanzen Polyvinyl-Alkohol, Fischleim, Gummi, Gelatine, und Albumin.
8. Verfahren nach dem Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das photoempfindliche Material einephotopolymere
Substanz benutzt wird.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das photoempfindliche Material normalerweise
unlöslich in dem Entwicklungsbad, aber löslich in dem Entwicklungsbad
nach der Entwicklung ist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Katalysator ein Metallsalz benutzt
wird, wobei das elektrochemische Potential des Metalles
höher ist, als das des niederzuschlagenden Metalles.
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11. Verfahren nach dem Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß als Katalysator ein Salz der Metalle Gold, Silber oder Palladium benutzt wird.
12. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß das Metall für das stromlose Plattierungsbad Gold, Silber, Kupfer, Zinn, Nickel oder
eine Eisen-Nickel-Legierung enthält.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß für
das Plattierungsbad eine Lösung aus Nickelsulfat benutzt wird.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR6008645A FR1548401A (de) | 1967-08-16 | 1967-08-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1765942A1 true DE1765942A1 (de) | 1972-01-13 |
Family
ID=8970608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681765942 Pending DE1765942A1 (de) | 1967-08-16 | 1968-08-14 | Verfahren zum Herstellen von optisch dichten maskenartigen Metallisierungsmustern |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3615471A (de) |
BE (1) | BE718674A (de) |
CH (1) | CH494416A (de) |
DE (1) | DE1765942A1 (de) |
FR (1) | FR1548401A (de) |
GB (1) | GB1232883A (de) |
NL (1) | NL6810219A (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3839039A (en) * | 1969-11-18 | 1974-10-01 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Process for producing color stripe filter |
US3900320A (en) * | 1971-09-30 | 1975-08-19 | Bell & Howell Co | Activation method for electroless plating |
DE2635457C2 (de) * | 1976-08-04 | 1985-06-05 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Katalytischer Lack und seine Verwendung zur Herstellung von gedruckten Schaltungen |
US4107351A (en) * | 1976-10-15 | 1978-08-15 | Rca Corporation | Method of depositing or repairing a patterned metal layer on a substrate |
US4054479A (en) * | 1976-12-22 | 1977-10-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Additive process for producing printed circuit elements using a self-supported photosensitive sheet |
DE2728465C2 (de) * | 1977-06-24 | 1982-04-22 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Gedruckte Schaltung |
US4157407A (en) * | 1978-02-13 | 1979-06-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Toning and solvent washout process for making conductive interconnections |
JPS6318692A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | 日立化成工業株式会社 | 印刷配線板の製造方法 |
US4910072A (en) * | 1986-11-07 | 1990-03-20 | Monsanto Company | Selective catalytic activation of polymeric films |
US5075037A (en) * | 1986-11-07 | 1991-12-24 | Monsanto Company | Selective catalytic activation of polymeric films |
US5631753A (en) * | 1991-06-28 | 1997-05-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Black matrix base board and manufacturing method therefor, and liquid crystal display panel and manufacturing method therefor |
US5382483A (en) * | 1992-01-13 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Self-aligned phase-shifting mask |
US5424009A (en) * | 1994-05-24 | 1995-06-13 | Monsanto Company | Catalytic, crosslinked polymeric films for electroless deposition of metal |
EP1664935B1 (de) * | 2003-08-19 | 2007-10-17 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Ablös- und reinigungszusammensetzungen für die mikroelektronik |
US7833695B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-11-16 | Corning Incorporated | Methods of fabricating metal contact structures for laser diodes using backside UV exposure |
WO2016159974A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Uni-Pixel Displays, Inc. | Catalytic photoresist for photolithographic metal mesh touch sensor fabrication |
-
1967
- 1967-08-16 FR FR6008645A patent/FR1548401A/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-07-19 NL NL6810219A patent/NL6810219A/xx unknown
- 1968-07-26 BE BE718674D patent/BE718674A/xx unknown
- 1968-07-29 GB GB1232883D patent/GB1232883A/en not_active Expired
- 1968-08-07 CH CH1175568A patent/CH494416A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-08-12 US US751908A patent/US3615471A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-08-14 DE DE19681765942 patent/DE1765942A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3615471A (en) | 1971-10-26 |
FR1548401A (de) | 1968-12-06 |
BE718674A (de) | 1968-12-31 |
CH494416A (de) | 1970-07-31 |
NL6810219A (de) | 1969-02-18 |
GB1232883A (de) | 1971-05-19 |
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