DE2452326C2 - Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung

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Description

2. Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß als energiereiche Strahlung ein Elektronenstrahl verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung des dünnen Films das auf unterschiedliche Energiezufuhr ansprechende Polymer mit einer zur Bildung einer Lösung ausreichenden Menge eines aromatischen Lösungsmittels gemischt wird, diese Lösung auf den Träger aufgebracht wird, und der Auftrag zur Entfernung des Lösungsmittels unter Verbleib eines dünnen Polymerfilms auf dem Träger getrocknet wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung, bei dem auf einem Träger ein dünner Film aus einem strahlungsempfindlichen Polymer gebildet wird, dieser dünne Film mit einem energiereichen Strahl in einem vorbestimmten Muster so abgetastet wird, daß nur ein Teil des Polymers soweit vernetzt, daß es in bestimmten Lösungsmitteln unlöslich wird, und der nicht bestrahlte Teil des Polymers mittels eines Lösungsmittels gelöst und entfernt wird, wobei der bestrahlte Teil mit einem gewünschten Öffnungsmuster auf dem Träger zurückbleibt.
Ein solches Verfahren ist aus der DE-AS 16 22 285 und aus der US-PS 37 03 402 bekannt. Dabei besteht die strahlungsempfindliche Schicht aus einem Homopolymerisat oder Copolymerisat des Maleinsäureanhydrids, während als energiereiche Strahlung bei dem bekannten Verfahren ein Elektronenstrahl zur Abtastung des dünnen Films verwendet wird.
Da die auf den dünnen Resistfilm auftreffende energiereiche Strahlung nicht »ideal« reflektiert wird, so daß Einfallswinkel gleich Ausfallwinkel ist, sonder ein bestimmter Anteil der einfallenden Strahlung unter einem Ausfallswinkel zwischen 0 und 90° reflektiert wird, wird der Resist öei dem bekannten Verfahren sowohl von der einfallenden Primärstrahlung als auch von dei Streustrahlung oder Sekundärstrahlung in gleicher Weise umgewandelt Nach dem Ätzen des so bestrahlten Resists entsteht deshalb eine Maske, die breiter ist als der Breite des Primärelektronenstrahls entspricht Ursache für die Verbreiterung ist die Sekundärstrahlung, die üuch Resistbereiche erfaßt, die nicht von der Primärstrahlung getroffen werden.
Da die Größe eines Elektrons nur ein Tausendstel der Größe eines Lichtquants beträgt sollte ein Elektronenstrahl theoretisch Öffnungen mit Strichbreiten ergeben können, die um mehrere Größenordnungen kleiner sind ais die mit Photoiacken erzielten öffnungsgrößen. Infolge der geschilderten Sekundärstrahlung konnten so geringe Öffnungsbreiten bisher jedoch nicht erzielt werden; vielmehr waren 0,7 Mikrometer in der Praxis die untere Grenze.
Um die Auflösung zu verbessern, bei sich zunächst die Verwendung dürtnerer Filme an, da die von der Streustrahlung zusätzlich innerhalb des Resistfilms zurückgelegte Strecke mit dem Abstand vom Ausgangspunkt zunimmt In den meisten Fällen stellte dies jedoch keine praktische Lösung dar, da der Lack durch die zum Ätzen von öffnungen in dem Träger verwendeten scharfen Ätzmittel nicht angegriffen werden darf. Je dikker aber der Lack ist, umso größer ist seine Beständig-
keit gegenüber Ätzmitteln. Dickere Filme sind auch deshalb erwünscht, weil Staubteilchen oder andere Verunreinigungen bedeckt und feine Löcher im Lack ausgefüllt werden und sich somit ein gleichmäßigerer Film ergibt.
Das am häufigsten für die Reaktion mit Elektronenstrahlen verwendete Resistmaterial ist derzeit Polymethylmethacrylat (PMMA), das positiv reagiert Ein positiver Resist besteht aus einem Polymer, das in bestimmten Lösungsmitteln unlöslich ist, jedoch bei Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl abgebaut und dadurch löslich wird, während ein negativer Resist ein Polymer ist, das in bestimmten Lösungsmitteln vor der Bestrahlung löslich ist PMMA zeichnet sich durch eine ausgezeichnete Auflösung und günstige Strichbreite sowie durch eine gute Bearbeitbarkeit aus. PMMA erfordert jedoch verhältnismäßig lange Belichtungszeiten bis zu Ladungsdichten von etwa 5 χ 10~5C/cm2 und ist gegenüber starken oxidierenden Säuren und basischen Ätzmitteln nicht beständig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung zu schaffen, mit dem es gelingt, die Verbreiterung der Ätzmasken infolge der Streustrahlung oder Sekundärstrahlung und damit die Verschlechterung der Auflösung eines vorgegebenen Bildes oder Musters zu vermeiden, und zwar unter Verwendung eines Resists mit guter Haftung auf vielen Materialien, guter Bearbeitbarkeit und Wärmebeständigkeit, der außerdem mit hoher Geschwindigkeit abgetastet werden kann.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Gattung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
— zur Bildung des dünnen Films ein auf unterschiedliche Energiezufuhr ansprechendes, aus der aus Po-Iy-Ä-chloracrylsäure-methyleEter und Vinylchlorid-Vinylacetat-Copolymeren bestehenden Gruppe ausgewähltes Polymer verwendet wird und
— der dünne Polymerfilm mit einer Geschwindigkeit abgetastet wird, die nur iur Vernetzung des direkt bestrahlten Anteils des Polymers ausreicht, so daß dieser Anteil in den Lösungsmitteln unlöslich wird, und
— der andere, nicht direkt bestrahlte Anteil zusammen mit dem nicht bestrahlten Teil des Polymers in dem Lösungsmittel gelöst und entfernt wird.
Vorteilhafte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens bestehen darin, daß als energiereiche Strahlung ein Elektronenstrahl verwendet wird und daß zur Bildung des dünnen Films das auf unterschiedliche Energiezufuhr ansprechende Polymer mit einer zur Bildung einer Lösung ausreichenden Menge eines aromatischen Lösungsmittels gemischt wird, diese Lösung auf den Träger aufgebracht wird, und der Auftrag zur Fntfernung des Lösungsmittels unter Verbleib eines dünnen Polymerfilms auf dem Träger getrocknet w ird.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden also Homopolymerisate oder Copolymerisate als Ätzschutzlacke bzw. Resists verwendet, deren Reaktivität von der Intensität bzw. der Dosis der auftreffenden energiereichen Strahlung abhängt Ein solches Homopolymerisat ist Poiy-Ä-chloracrylsäure-methylester (PMCA) und ein solches Copolymerisat ist Vinylchlorid-Vinylacetat-Copolymer. Das Polymerisat wird in Form einer Flüssigkeit auf einen Träger aufgebracht, wo man es zu einem dünnen Film trocknen läßt. Dann wird die Oberfläche des Polymerfilms mit einem Elektronenstrahl in dem gewünschten Muster abgetastet. Im Falle der Verwendung von PNiCA nimmt der Teil des Polymers, der direkt vom Elektronenstrahl getroffen wird, eine zur Vernetzung ausreichende Energiemenge auf und wird somit in bestimmten Lösungsmitteln unlöslich. Der direkt bestrahlte Polymeranteil wirkt als negativer Schutzlack. Der an den direkt bestrahlten Teil angrenzende Teil des Polymers, der von zurückprallenden Elektronen (Streustrahlung oder Sekundärstrahlung) getroffen wird, erhält jedoch nicht genügend Energie, um zu vernetzen, sondern beginnt abzubauen, und wirkt daher als positiver Lack. Der Anteil des Polymers, der weder vom Primärelektronenstrahl noch von der Sekundärstrahlung getroffen wird, ist in bestimmten Lösungsmitteln löslich und kann zusammen mit dem von der Sekundärstrahlung getroffenen Polymeranteil gelöst und mit den Lösungsmitteln entfernt werden.
Im Falle der Verwendung des Vinylchlorid-Vinylacetat-Copolymerisats wirken sowohl der direkt bestrahlte Teil als auch der von der Sekundärstrahlung getroffene Polymeranteil als negativer Lack. Der direkt bestrahlte Anteil nimmt jedoch von dem Elektronenstrahl eine zur Vernetzung ausreichende Energiemenge auf und wird in den Lösungsmitteln unlöslich, während der von der Sekundärstrahlung getroffene Anteil des Polymers keine zur Vernetzung ausreichende Energie erhält, weshalb dieser Anteil von dem Lösungsmittel gelöst und entfernt werden kann.
Durch die Verwendung von Polymeren, deren Reaktivität von der aufgenommenen Energiemenge abhängt, kann man somit eine bessere Auflösung und schmalere Öffnungsbreiten erreichen als mit üblichen, für Elektronenstrahlung geeigneten iichutzlacken.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung weiter erläutert
F i g. 1 ist ein Schnitt durch einen Teil eines mit einer dünnen Schutzlackschicht versehenen Trägers, der der Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl ausgesetzt ist;
F i g. 2 ist ein Schnitt durch einen Träger mit einer herkömmlichen Ätzmaske, nach der Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl und Entwicklung mit einem Lösungsmittel;
:o Fig.3 ist ein Schnitt durch einen Träger mit einer erfindungagemäß hergestellten Maske, nach der Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl und Entwicklung mit einem Lösungsmittel.
Bei der in F i g. 1 schematisch wiedergegebenen Ausführungsform befindet sich ein dünner Film aus dem Schutzlack 1 auf einem Träger 2. Auf die Oberfläche des Lackfilms 1 ist ein Elektronenstrahl 3 (durch Pfeile dargestellt) gerichtet Die zurückpraller.den Elektronen 5 der Sekundärstrahlung (gestrichelte Pfeile) zeigen, daß ein größerer Anteil als der direkt vom Primärelektronenstrahl 3 getroffene Teil des Lack;'.ns I Energie von den Elektronen zugeführt bekommt
Die Anordnung gemäß Fig.2 ist nach einem üblichen, bekannten Verfahren hergestellt Es ist schematisch ein Teil eines in die Form eines Musters gebrachten negativen Schutzlacks nach der Entfernung des unbestrahlten und unvernetzten Anteils durch ein Lösungsmittel dargestellt Die abgeschrägten Seiten 6 sind deutlich sichtbar, und der vernetzte Anteil 7 des PoIymers weist eine größere Breite auf, als Jem Durchmesser des Elektronenstrahls 3 entspricht. Die scharfen Kanten 8 werden durch die zum Ätzen des Trägers 2 verwendeten Ätzmittel zerstört, so daß man größere Öffnungen, und damit eine geringere Auflösung, erhält als gewünscht.
In Fig. 3 ist-schematisch eine Anordnung dargestellt, die nach dein erfindungsgcmäßcn Verfahren unter Ver wendung eines dosisabhängigen Polymers hergestellt worden ist Der Anteil des Schutzlacks 9, der nach. Emfernung des löslichen Anteils des Polymers verblieben ist, ist durch senkrecht zur Oberfläche verlaufende Seiteniiächen 10 abgegrenzt. Dabei entspricht die Breite des verbliebenen, den Schutzlack bildenden Polymers im wesentlichen der Breite des Elektronenstrahls 3. Als Schutzlack wurde hierbei PMCA verwendet. Die damit erzielte Auflösung ist wesentlich besser als bei dem bekannten Verfahren gemäß F i g. 2, und die Maske besitzt engere, sauber abgegrenzte Öffnungen.
Im Falle des bei dem bekannten Verfahren verwendeten negativen Schutzlacks vernetzt der Anteil des direkt vom Primärelektronenstrahl getroffenen Polymers so stark, daß dieser Teil in bestimmten Lösungsmitteln unlöslich wird. Die Elektronen werden jedoch nach der Durchdringung des dünnen Polymerfilms beim Auftreffen auf die Trägeroberfläche unter verschiedenen Winkeln zwischen 0 uiid 90° durch den Polymerfilm hindurch zurück reflektiert (Streu- oder Sekundärstrahlung), so daß der Schutzlack insgesamt über einen viel größeren Querschnitt bestrahlt wird, als dem ursprüngliehen Durchmesser des Strahls entspricht. Zwar nimmt der Teil des Polymers, auf den nur die Sekundärstrahlung auftrifft, nicht so viel Energie auf wie dei direkt bestrahlte Anteil, doch reicht die Energie der Sekundärstrahlung zur Vernetzung bis zu einem bestimmten Grad aus, weshalb der vernetzte und unlösliche Anteil des Polymers viel grötfer wird, als erwünscht.
Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird Poly-ar-chlor-acrylsäure-methyiester
(PMCA) als strahlungsempfindliche Polymer verwendet, das folgende Struktureinheiten aufweist:
H Cl
I I
—c—c—
I I
H C = O
OCH3
Nach der Belichtung mit energiereicher Strahlung, beispielsweise mit Elektronen-, Alpha- oder Röntgenstrahlung, wirkt PMCA als negativer Schutzlack in dem von der Primärstrahlung direkt erfaßten Anteil des Polymers, jedoch als positiver Lack in dem von der Sekundärstrahlung getroffenen Anteil des Polymers. Nach Aufnahme einer hohen Ercktronendosis werden in dem direkt bestrahlten Anteil eine Reihe reaktionsfähiger Spezies gebildet. Beispielsweise entsteht ein reaktionsfähiges Zentrum durch Entfernung des Chloridions (Cl"), wobei das Reaktionszentrum in der nachstehenden Formel durch einen Punkt dargestellt ist:
I I
. C Γ1
I i
H C = O
OCH3
Es werden sich genügend reaktionsfähige Moleküle in enger Nachbarschaft finden, so daß sie miteinander reagieren. Diese Reaktion führt zur Vernetzung, wodurch das Polymer unlöslich wird und somit als negativer Schutzlack v/irkt.
In dem von der Sekundärstrahlung getroffenen Anteil, der im Vergleich zu dem direkt bestrahlten Anteil des Polymers eine geringere Strahlungsdosis erhalten hat, werden nicht sehr viele Reaktionszentren erzeugt, die sich zudem nicht so dicht beieinander befinden. Es werden zwar auch reaktionsfähige Zentren gebildet, doch finden diese keinen Reaktionspartner. Da die Beweglichkeit der reaktionsfähigen Moleküle im festen Zustand sehr begrenzt ist und von der jeweiligen Polymerstruktur abhängt, werden diese reaktionsfähigen Moleküle entweder so lange isoliert bleiben, bis SiQ1 durch Verunreinigungen, z. B. Sauerstoff, reagieren, oder die Polymerkette wird zerfallen. Das PMCA neigt zum Zerfall.
Bei einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als strahlungsempfindliches Polymer Vinylchtorid-Vinylacetat-Copolymer verwendet, das folgende Struktureinheiten aufweist:
H H
I I
—c—c—
H
ι		 H
I
I
h 		I
I I
I
H		 I
Cl
H O
CH3
Dieses Copolymer reagiert strahlungsdosisabhängig; es wirkt jedoch nur als negativer Schutzlack, während PMCA1 wie erläutert, teilweise als negativer and teilweise als positiver Lack reagiert.
Wenn ein dünner Film aus Vinylchlörid-Vinylacetat-Copolymer mit einem Elektronenstrahl belichtet wird, werden die Wasserstoffbindungen des Vinylacetats unter Bildung reaktiver Moleküle aufgespalten, welche miteinander reagieren, während gleichzeitig die Wasserstoff- und Chlorbindungen des Vinylchlorids unter Abtrennung von Chlorwasserstoff und Bildung einer Doppelbindung gespalten werden:
H H
I I
C-C
I I
In dem von der Primärstrahlung getroffenen Bereich liegt eine hohe Konzentration an beiden reaktionsfähigen Spezies vor, so daß eine große Wahrscheinlichkeit für eine Reaktion des Vinylchlorids mit dem Vinylacetat besteht. Der Elektronenstrahl erzeugt somit zwei reaktionsfähige Spezies, die miteinander reagieren und durch Reaktion mit der Doppelbindung eine Kettenreaktion auslösen. In der von energiereicher Strahlung betroffcΛνίη Fläche laufen gleichzeitig beide Reaktionen nebeneinander ab und es liegt eine hohe Konzentration an beiden Gruppen vor, so daß die beiden Gruppen mit großer Wahrscheinlichkeit untereinander reagieren. Der Elektronenstrahl hat zwei miteinander reagierende Spezies erzeugt, und wenn diese einmal miteinander reagieren, ergibt sich die Kettenreaktion wegen der fortlaufenden Bildung der Doppelbindungen. In dem von der Sekundärstrahlung erfaßten Bereich werden zwar auch beide reaktionsfähige Spezies erzeugt: deren Konzentrationen sind jedoch wegen der geringeren Anzahl von Elektronen und somit der geringeren Energie viel niedriger, so daß die Wahrscheinlichkeit, daß diese beiden reaktionsfähigen Spezies eine Reaktion miteinander eingehen, wegen ihrer geringeren Anzahl viel kleiner ist. Im Gegensatz zu Polymerisaten, die nur eine reaktionsfähige Spezies bilden, die keine Kettenreaktion hervorruft, bewirkt die Kettenreaktion bei Vinylchlorid-Vinylacetat-Copolymerisaten einen viel größeren Unterschied des Vernetzungsgrads zwischen dem energiereichen Anteil und dem energieärmeren Anteil. Das erfindungsgemäße Verfahren unter Bildung eines negativ-positiven Schutzlacks aus PMCA wird wie folgt durchgeführt: PMCA wird mit einem aromatischen Lösungsmittel, z. B. Xylol oder Toluol, unter Bildung beispielsweise einer 2- bis 5%igen Lösung gemischt.
Obwohl das Verfahren nachstehend anhand einer Maske auf einem Chromträger oder einer Chromplatte als Fotoätzmaske zum Ätzen von Halbleiierplättchen beschrieben wird, ist das erfindungsgemäße Verfahren auch zur direkten Aufbringung des Lacks auf das HaIbleiterplättchen geeignet, wobei die Chromätzung durch eine Halbleiterätzung ersetzt wird.
Die Polymerlösung wird auf den Träger, z. B. Chrom, aufgebracht und der Träger wird mit der Polymerschicht mit einer Geschwindigkeit von beispielsweise 3000 U/min zur Bildung einer gleichförmigen Schicht in schnelle Umdrehung versetzt. Der Träger mit der Polymerschicht wird dann in einer Stickstoffatmosphäre bei einer Temperatur zwischen 80 und 130° C während etwa 30 Minuten z. B. gesintert, wobei das gesamte Lösungs-
mitte} entfernt wird und ein trockener dünner 100 bis 500 nm dicker Film zurückbleibt.
Das Substrat mit dem aufgesinterten Polymer kommt dann in eine Elekironenbestrahlungsvorrichtung, wobei die Oberfläche des Polymers in einem vorherbestimmten Muster, das durch einen Computer gesteuert wird, von einem Elektronenstrahl abgetastet wird. Damit das PMCfe als negativer-positiver Lack bei der direkten ElektrcYfenbestrahlung wirkt, muß ein Strom von > 5 χ 10-5C/cm2s aufrechterhalten werden.
Wenn das PMCA als negativer-positivir Lack verwendet wird, wird der Teil des von dem direkten Elektronenstrahl getroffenen Lacks vernetzt und wird in bestimmten Lösungsmitteln, z. B. Toluol oder Xylolen oder Keton, unlöslich. Der angrenzende Teil des Lacks, der von der Sekundärstrahlung getroffen wird, wirkt als positiver Lack, der zum Kettenabbau führt und zusammen mit dem unbestrahlten Anteil von dem Lösungsn*!i*s! e!*li?m! wiru. Dss Pc!wiTisr wird tiuren Besprühen oder durch Eintauchen des damit bedeckten Trägers in das gleiche aromatische Lösungsmittel oder Keton, das zu Beginn dieses Verfahren verwendet wurde, entwikkelt;etwa 30 Sekunden genügen zum Lösen und Entfernen des von der Sekundärstrahlung getroffenen und des unbestrahlten Anteils des Polymers, während das gewünschte Öffnungsmuster in dem Lack zurückbleibt.
Zur Entfernung des Lösungsmittels und zur Aushärtung des auf dem Träger verbliebenen vernetzten Polymermusters, wird der Träger samt dem Polymer bei einer Temperatur zwischen 80 und 1300C 30 Minuten in Luft _. B. gesintert, wonach die erfindungsgemäße Polymermaske fertig ist.
Eine Auflösung oder Strichbreiten von < 0,3 μπι wurden bei Verwendung von PMCA als Negativ Positiv-Lack erzielt.
Zur Bildung einer Elektronen-Ätzmaske aus Vinylchlorid-Vinyiacetat-Copolymerisat wird dieses mit einem aromatischen Lösungsmittel, z. B. Xylol oder Toluol, unter Bildung beispielsweise einer 2 bis 5 Gew.-%igen Lösung gemischt. Die Copolymerisatesung wird auf einen Träger aufgebracht und der Träger wird dann mit einer Geschwindigkeit von etwa 3000 U/ min zur Bildung einer gleichförmigen Schicht in schnelle Umdrehung versetzt. Der Träger mit der Deckschicht aus Copolymerisat wird dann bei einer Temperatur zwisehen 80 und 130°C 15 Minuten zur Entfernung des gesamten Lösungsmittels in einer Stickstoffatmosphäre gesintert, wobei ein trockener, etwa 100 bis 500 nm dünner Film zurückbleibt
Das Chromsubstrat mit dem aufgebackenen Copolymerisat komm·! dann in eine Vorrichtung zur Bestrahlung mit Elektronen, wobei die Oberfläche des Copolymerisate in einem von einem Computer gesteuerten vorherbestimmten von einem Elektronenstrahl abgetastet wird. Da das Copolymerisat ein negativer Lack ist, vernetzt der von dem Elektronenstrahl betroffene Anteil und wird in einem aromatischen Lösungsmittel oder Keton unlöslich und bei der anschließenden Entwicklung mit einem solchen Lösungsmittel nicht angegriffen. Der von der Sekundärstrahlung getroffene Anteil des ω Polymerisats vernetzt wesentlich schwächer und bleibt zusammen mit dem unbestrahlten Anteil des Polymerisats in dem Lösungsmittel löslich. Das Copolymerisat wird durch Besprühen oder durch Eintauchen des damit bedeckten Trägers in ein aromatisches Lösungsmittel oder Keton während etwa 30 Sekunden entfernt, was zur Lösung und Entfernung des von der Sekundärstrahlung getroffenen und des unbestrahlten Anteils des Copolymerisats ausreicht, wobei das gewünschte Öffnungsmuster in dem Lack zurückbleibt. Eine Auflösung oder Strichbreiten von 0,5 μνη wurden bei Verwendung von Vinylchlorid-Vinylacetat-Copolymerisat als Negativlack erzielt.
Zum Aushärten des auf dem Träger verbliebenen vernetzten Copolymerisatmusters wird dieser Träger mit dem Copolymerisat 30 Minuten bei 1000C in Sauerstoff gesintert, wonach die Copolymerisatmaske fertig ist.
Die angegebenen Temperaturen, Zeiträume und Konzentrationen sind nicht kritisch und können innerhalb weiter Grenzen ohne Einfluß auf das Endprodukt variiert werden. Da man durch Ausschaltung des von der Sekundärstrahlung verursachten Nachteils öffnungen mit senkrechten Wänden erzielen kann, sind mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens viel engere Öffnungsbreiten erzielbar als mit üblichen Ätzlacken.
Die beiden hier beschriebenen Lackmaterialien besitzen eine Εϋ£σ£Ζ£!θηη£££ Häf*uncr ϊΐπ ^"-Hrorn- Gold und Silicium; eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber Ätzmitteln für Chrom, Gold und Silicium; sie sind in den angegebenen Lösungsmitteln sehr gut löslich und besitzen in jeder Beziehung ausgezeichnete Eigenschaften für einen Elektronen-Ätzlack.
Obwohl vorstehend als Energiequelle ein Elektronenstrahl angegeben wurde, kann zur Auslösung der Vernetzung und/oder des Molekülabbaus jede energiereiche Strahlung, z. B. Röntgenstrahlung und Alpha-Strahlung, angewendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung, bei dem
(a) auf einem Träger ein dünner Film aus einem sirahlungsempfindlichen Polymer gebildet wird,
(b) dieser dünne Film mit einem energiereichen Strahl in einem vorbestimmten Muster so abgetastet wird, daß nur ein Teil des Polymers so weit vernetzt, daß es in bestimmten Lösungsmitteln unlöslich wird, und
(c) der nicht bestrahlte Teil des Polymers mittels eines Lösungsmittels gelöst und entfernt wird, wobei der bestrahlte Teil mit einem gewünschten Öffnungsmuster auf dem Träger zurückbleibt,
dadurch^ekennzeichnet, daß
— zur Bildung des dünnen Films ein auf unterschiedliche Energiezufuhr ansprechendes, aus der aus Poly-a-chloracrylsäure-methylester und Vinylchlorid- Vinylacetat-Copolymeren bestehenden Gruppe ausgewähltes Polymer verwendet wird und
— der dünne Polymerfilm mit einer Geschwindigkeit abgetastet wird, die nur zur Vernetzung des direkt bestrahlten Anteils des Polymers ausreicht, se daß dieser Anteil in den Lösungsmitteln unlöslich wird, und
— der anüere, nicht direkt bestrahlte Anteil zusammen mit dem nich· bes<-ahlten Teil des Polymers in dem Lösungsmittel gelöst und ent-
DE2452326A 1973-11-05 1974-11-05 Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung Expired DE2452326C2 (de)

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