DE3112196A1 - "photosensitive zusammensetzung zur trockenentwicklung" - Google Patents

"photosensitive zusammensetzung zur trockenentwicklung"

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DE3112196A1
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Description

TOKIO OHKA KOGYO CO., LTD
Kawasaki-sM /Japan
PHOTOSENSITIVE ZUSAMMENSETZUNG.ZUR TROCKENENTWICKLUNG
Die Erfindung "betrifft eine neue photosensitive Zusammensetzung zur Trockenentwicklung bei' der Ultrafein - Muster bildung in der Halbleiterindustrie."Tm einzelnen betrifft die Erfindung eine neue photosensitive Zusammensetzung, die hergestellt wird durch Zugabe einer Bisazidverbindung zu einem Polymeren zur Verleihung der. photosensitiven Eigenschaften, wobei die photosensitive Zusammensetzung zur Plasmaentwicklung geeignet ist.
Ein Verfahren zur Herstellung νόϊϊ Halbleiterelementen schließt die Photolithographie ein, umfassend:
(a) das Auftragen eines PhotowiderStandes als einen dünnen Film mit einer Dicke von etwa 1 Mikron (was
. ... · einen.-JFiIm mit Widerstand während des Ätzens darstellt) auf eine Siliciumscheibe, -die eine Siliciumoxid-, Siliciumnitrit- oder Polysilicium- bzw. PoIysillconschicht mit einer Dicke von Tausenden von Angström aufweist,
(b) das Bestrahlen dieseö Films mit Ultraviolettlicht, durch eine vorbestimmte Photomaske,
(c) das Entwickeln,
(d) dan Spülen,
(e) da« wirksame Ätzen der Siliciumoxidschicht oder dergleichen,
(f) das Entfernen des PhotowiderStandes,
(g) das gute Spülen der Scheibe, und
(h) Ermö'glichung der Diffundierung einer Verunreinigung durch die exponierte Siliciumzone 'zur Implantierung darin. Die Halbleiterelemente werden hergestellt durch mehrmalige Wiederholung der vorausgehenden Photolithographie, gefolgt von einer Herstellung von Elektroden und Verdrahtungen.
Beispiele von Photowiderständen, die häufig bei der Ultrafein-Musterbildung der Halbleiterindustrie verwendet werden, schließen ein negative Photowiderstände vom zyklisierten Kautschuktyp wie OMR von Tokyo Ohka Kogyo Co., KMR von Eastman Kodak Co., und Waycoat von Hunt Chemical Corp.; Positive Photowiderstände vom Novolak-Typ von Tokyo Ohka Kogyo Co., AZ von Shipley Co., KMPR,von Eastman Kodak Co. und HPR von Chemical Corp.
Bei dem Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen werden die im Stand der Technik bekannten Pfyotowiderstände alle einer feuchten Entwicklung und einer Spülbearbeitung unterworfen um als Maske zum Ätzen der Siliciumoxidschicht oder dergleichen mit Flourwasserstoffsäure-Ätzlösung verwendet zu werden, und sie werden abgestreift unter Verwendung eines Abstreifers oder mit einem Sauerstoffplasma in einem speziellen Pail. Jedoch wurde das selektive Abstreifen des PhotowiderStandes an exponierten oder nichtexponierten Zonen unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas in dem Fall , wo der Photowiderstand dem Licht durch eine Photomaske ausgesetzt wird (d.h. eine trockene Entwicklung) niemals vor der vorliegenden Erfindung möglich gemacht.
Bei der üblichen Plasmaarbeitsweise wird Sauerstoffgas in einen evakuierten Rezipienten bei einem Druck von 10 bis 0,1 Torr eingeführt. Darauf folgt die Anwendung einer
hohen Radiofrequenz (RI1) und einer hohen Yoltspannung zur Ausbildung eines Plasmas wie eines Ions, Atoms oder Radikals des eingeführten Sauerstoffgases. Das als Photowiderstand verwendete Polymere wird zersetzt, wenn es dem entstehenden Plasma ausgesetzt wird.
Die Verwendung eines organischen !Lösungsmittels bei der üblichen Naßentwicklung und der Spülarbeitsweise verursacht Probleme wie eine gefährliche Arbeitsatmosphäre und eine lange Arbeitsdauer. Photowiderstände, speziell die negativen Photowiderstände, quellen so wesentlich in der Entwicklungslösung, daß die Wiederauflösung behindert wird.
Ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung Erfindung besteht darin, eine neue photosensitive Zusammensetzung zur Trockenentwicklung vorzusehen, die für die Plasmaentwicklung bei der ultrafeinen Musterbildung der Halbleiterindustrie geeignet ist. . .
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung besteht darin, eine neue photosensitive Zusammensetzung zur Trockenentwicklung vorzusehen, die zur Automation und Trockenbehandlung bei allen Stufen verwendbar ist, und zwar von der Entwicklungsbehandlung bis zur Abstreifbehandlung, ohne daß kostspielige Behandlungsreagentien und organische-Lösungsmittel verwendet werden müßten und wobei.eine Verunreinigung von außen, die durch die Verwendung der Behandlungsmittel und organischen Lösungsmittel verursacht würde, eliminiert wird.
Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung liegt darin, eine neue photosensitive Zusammensetzung zur Trockenentwicklung vorzusehen, die es möglich macht, leicht die unexponierten Zonen bei der Plajsmabehandlung zu entfernen.
Die vorausgehenden Gegenstände nach der vorliegenden Erfindung werden durch die Verwendung der folgenden photosensitiven Zusammensetzung zur Trockenbehandlung erreicht: Eine photosensitive Zusammensetzung zur Trockenbehandlung, wobei diese mindestens ein Acrylpolymeres oder Venylketonpolymeres (im folgenden einfach als Polymer bezeichnet) und eine sublimierende Bisazidverbindung als photohärtendes Mittel umfaßt, das durch die allgemeine Formel
gekennzeichnet ist, worin R ein Wasser— oder Halogenatom ist und X ein Sauerstoffatom* eine Carbonylgruppe, Methylengruppe, Schwefelatom, Disulfidgruppe oder Sulfongruppe ist.
In Übereinstimmung mit der photosensitiven Zusammensetzung nach der vorliegenden Erfindung macht, nachdem der Photowiderstand dem Licht durch eine Photomaske ausgesetzt ist, die Entfernung des photohärtenden Mittels aus den unexponierten Zonen in geeigneter Weise, wie durch Herstellung eines Vakuums, Erhitzen oder eine Kombination davon, die leichte Zersetzung der unexponierten Zonen durch Verwendung eines Plasmas und in der Folge ein trockenes Arbeiten vergleichbar der üblichen fleuchtentwicklung und Spülbehandlung möglich. So kann das unreagierte photohärtende Mittel aus dem Photowiderstand, der selektiv dem L\cht ausgesetzt wurde, entfernt werden, um eine Plasmaentwickling zu bewirken, indem man Gebrauch macht von dem Unterschied in den physikalischen Eigenschaften infolge des Unterschieds im Grad der Vernetzung zwischen den exponierten und unexponierten Zonen.
Die Bisazidverbindungen, gemäß der vorausgehenden allgemeinen !formel, .werden vorzugsweise als das sublimierende (oder sublimierbare) photohärtende· Mittel in der vorliegenden Erfindung verwendet. Beispiele der Bisazidverbindung schließen ein 4,4'-Diazidodiphenylather, 4,4'-Diazidodipheny!methan, 4,4'-Diazidodiphenylsulfid, 4, 4·! -Diazidodipheny ldisulf id, 4,4' -Diazidodipheny lsulf on, 3,3 '-Diazidodipheny lsulf on, 3,3 !-Dichloro-4,4'-d:iäzidodipheny!methan und dergleichen.
Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete Polymere sollte so ausgewählt werden, daß eine hohe Wiederauflösxmg durch eine Kombination mit dem photohärtenden Mittel erzielt werden kann, und daß das Polymere durch Veraschen unter einer Plasmaatmosphäre zersetzt werden kann. Das geeignete Polymere ist vorzugsweise ein Acrylpolymeres und/ oder ein Yinylketonpolymeres, das nicht viskos ist und leicht zu behandeln ist und eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber der Plasmaätzung besitzt, wenn es als ein trockener dünner Film Vorliegt'. Polymere, die bei der vorliegenden Erfindung geeignet sind, schließen ein Homopolymere wie Polyisopropenylketon, Polymethylmethacrylat, Polyisopropylvinylketon, Poly-n-butylacrylat, Polyphenylvinylketon und Polyglycidylmethacrylat und Copolymere, wie ein Copolymeres von Isopropylviny!keton und Methylvinylketon, und ein Copolymeres von n-Butylmethacrylat und Me thy I-acrylat.
Das Molekulargewicht des vorerwähnten Polymeren liegt vorzugsweise im Bereich von Zehntausenden bis zu zwei Millionen, insbesondere Hunderttausenden bis zu einer Million.
Wenn das Molekulargewicht des Polymeren größer als zwei Millionen ist ergibt sich eine ungleichmäßige Beschichtung,
wenn eine Lösung von Polymeren und photohärtendem Mittel in einem Lösungsmittel auf eine Oberfläche (z.B. eine Siliciumseheibe) über eine Spinndüse angewandt wird. Andererseits ist, wenn das Molekulargewicht des Polymeren geringer als Zehntausend ist, die Widerstandsfähigkeit gegenüber dem Plasma schlecht.
Das vorerwähnte Polymere und die Bisazidverbindung werden in einem Lösungsmittel wie Cyclohexan, Äthylcellusolve— acetat, Xylol und Toluol oder einer Mischung davon zur Auftragung auf eine .Siliciumseheibe gelöst. Die mit der photosensitiven Lösung überzogene· Scheibe wird dann getrocknet und einer geeigneten Bestrahlung wie Ultraviolettbestrahlung durch eine vorbestimmte Photomaske ausgesetzt und in einem im Handel erhältlichen Plasmagenerator angebracht wo sie (die bestrahlte überzogene Scheibe) einer Entwicklungsbehandlung unter einer Sauerstoffplasmaatmosphäre innerhalb 5 Minuten unterworfen wird, was weniger Zeit bedeutet, als sie nach der üblichen Ifaßentwicklung und Spülbehandlungsweise erforderlich ist.
Der Anteil an der Bisazidverbindung ,die als photohärtendes Mittel in.der photosensitiven Zusammensetzung nach der vorlegenden Erfindung verwendet wird liegt vorzugsweise im Bereich von 5 bis 30 Gew./$ bezogen'auf den Anteil an Polymeren, insbesondere 15 bis 25 Gew./$. Wenn der vorerwähnte Anteil geringer als 5- Gew./^ ist, wird eine prozentuale Retention der Widerstandsdicke nach der Entwicklung bezüglich der anfänglichen Widerstandsdicke in ungünstiger Weise herabgesetzt. Wenn der vorerwähnte Anteil größer als 30 Gew.Ho ist, fallen Kristalle der zugegebenen Bisazidverbindung in der photosensitiven Lösung aus oder schlagen sich auf der Oberfläche des Films nieder, der auf die Scheibe aufgebracht wird.
Die Trockenentwicklungsbedingungen, gemäß der vorliegenden Erfindung hängen stark von den Spezifizierungen des zu verwendenden Plasmaapparates ab , insbesondere von der KP-Stärke, der Temperatur der tafelförmigen Scheibe, dem Gasdruck, der Art des Gases und der Flußgeschwindigkeit des Gases. Wenn,.zum Beispiel Sauerstoffgas verwendet wird, sind die vorzugsweisen Bedingungen solche,-'.daß die RF-Stärke zwischen 50 bis 250 W liegt, die Temperatur der tafelförmigen Scheibe zwischen 80 bis 1500C liegt und der Gasdruck bei 0,1 bis 10 Torr, vorzugsweise 0.5 bis 2 Torr liegt. Die Flußgeschwindigkeit des Gases wird vorzugsweise in Abhängigkeit von der Abzugskapasität der Vakuumpumpe, die in dem Plasmaapparat angebracht ist, und von der Kapazität der Plasmareaktionskammer bestimmt.
Die Verwendung der photosensitiven Zusammensetzung, die das vorerwähnte Polymere und die Bisazidverbindung als photosensitives Mittel gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt, macht es möglich, selektiv die nichtexponierten Zonen bei der Verwendung eines" Plasmas zu entfernen, wo Sauerstoff als ein Plasmagas verwendet wird und in der P.olge eine trockene Entwicklung zu bewirken. Dies ergibt ein sehr wirksames Bildungsverfahren für das Ultrafein-Muster zur Verwendung in der Halbleiterindustrie, wobei:
(a) eine hohe Auflösung leicht erhalten werden kann,
(b) eine Automation der Plasmaentwicklungsbehandlung ermöglicht wird, so daß teuere Behandlungsmittel nicht benötigt werden, und
(c) eine Verschmutzung von außen eliminiert wird.
Nach der .Trockenentwicklung k.ann ein; Substrat der Plasmaätzung unterworfen werden durch Ersetzen des Säuerst of fplasmagases durch ein zweites Plasmagas oder Dampf, wie CT,, C^Tq, C]?,C1, CP2Cl2* CCl, oder dergleichen , gefolgt von der Plasmaveraschung zur Entfernung des
des Photowiderstandes durch Ersetzen des zweiten Plasmagases oder Dampfes durch Sauerstoffgas.
So wird dann mit der Zusammensetzung nach der vorliegenden Erfindung ein Automatisieren und eine trockene Verfahrensweise für alle Stufen, angefangen von der Entwicklungsbehandlungsstufe bis zur Abstreifstufe, ermöglicht.
Die vorliegende Erfindung soll nun anhand der folgenden Beispiele näher erläutert werden.
Beispiel 1
5 g Polymethylisopropenylketon mit einem Molekulargewicht von 180.000 und · 1 Gramm 4,4I-Diazidodiphenyläther werden in 50 g Cyclohaxanon zum Erhalt einer photosensitiven Lösung gelöst. Die photosensitive Lösung wird auf eine Siliciumscheibe bei einer Rotation von 3000 upm innerhalb 30 Sekunden durch eine Spinndüse aufgebracht und die überzogene Scheibe wird in einen Ofen bei einer Temperatur von 60 bis 700C innerhalb^20 Minuten eingebracht, um das restliche organische Lösungsmittel zu entfernen ( d.h. um den Überzug auf der Scheibe zu trocknen). Danach werden 20 Einheiten (Nummern, counts) eines Lichts mit einer Wellenlänge von 250 bis 300 nm auf die entstehende überzogene und getrocknete Scheibe durch -eine Maske aufgestrahlt (eine tiefe UY Mask Aligner PLA-52Oit versehen mit CM-250 kaltem Spiegel, vertrieben von Canon Inc.) Die so erhaltene Scheibe (die bestrahlte Scheibe) wird einer Nachhitzebehandlung (post baking) in einem Ofen bei einer Temperatur von 140 bis 1600C innerhalb 20 Minuten unterworfen. Die unreagierte Diazidverbindung sublimiert vollkommen von dem Photowiderstandsfilm während der Nachhitzehärtung.
Danach wird die entstehende nachhitzebehandelte Scheibe in einen Plasmaverfahrenapparat eingebracht (vertrieben
von Tokyo Ohka Kogyo Co., Produkt mit dem Namen 0APM-301B) und einer Plasmaentwicklung in einer Atmosphäre von Säuerstoffplasma innerhalb 2 Minuten unter den Bedingungen von einer RE-Stärke von 8OW, einer Radiofrequenz von 13*56 MHz, einem Druck von 1,0 Torr, einer Säuerstofflußgeschwindigkeit von etwa 100 ml/min, und einer Temperatur der tafelförmigen Scheibe von 10O0C unterworfen.
So besitzt der überzogene Photowiderstandsfilm anfänglich eine Dicke von 1,0 Mikron und der verbleibende Film nach Entwicklung besitzt eine Dicke von 0,6 Mikron was eine Widerauflösung von 0,5 Mikron ergibt. Dieses Resultat zeigt, daß der Photowiderstand nach der vorliegenden Erfindung vollständig vergleichbar zu demjenigen ist, der. bei dem am meisten verbesserten feuchten Verfahren gegenwärtig in der HalbleiterIndustrie erhältlich ist. Danach wird das Plasmagas (Sauerstoff) durch CP.Gas zum Ätzen des Substrats ersetzt und das Ci1-Gas wird durch Sauerstoffgas einmal mehr"mit'einer Plußgeschwindigkeit von e^wa 250 ml/min, ersetzt, so daß der Phbtowiderstand in 3 Minuten entfernt werden kann.
BEISPIEL 2
5 g Polymethylmethycrylat mit einem Molgewicht von 600.000 und ein Gramm 4j4f-Diazidodiphenylmethan werden in 50g A'thylcellosolveacetat zum Erhalt einer photosensitiven Lösung gelöst. Die photosensitive Lösung wird in Form eines Films aufgebracht, dem Licht ausgesetzt und einer Nachhitzebehandlung innerhalb 20 Minuten in einem Ofen bei einer Temperatur von .140 bis 1600C in gleicher Weise wie in Beispiel 1 unterworfen. Danach wird die Temperatur der tafelförmigen Scheibe auf 1200C eingestellt und die Scheibe dann in den Plasmaverfahrensapparat, wie in
Beispiel 1, eingebracht, um der Entwicklungsbehandlung innerhalb 4 Minuten unter den Bedingungen einer RF-Stärke von 150 W, einer Radiofrequenz von»13,56 MHz und eines Säuerstoffdrucks von 1,5 Torr unterworfen zu werden. Die Dicke des aufgebrachten Films wird von 1 Mikron auf 0,5 Mikron herabgesetzt, was eine Wiederauflösung von 0,5 Mikron ergibt.
BEISPIEL 5
5 g Polyisopropylvinylketon mit einem Molgewicht von 80.000 und ein Gramm 4,4'-Diazidodiphenylsulfid werden in 50 g Cyclohexanon gelöst·, um eine photosensitive Lösung zu erhalten. Die photosensitive Lösung wird in Form eines Films aufgebracht, dem Licht ausgesetzt und der Nachhitzebehandlung in gleicher Weise wie Beispiel 1 unterworfen. Danach wird' die !Temperatur der Tafelscheibe auf 1000C eingestellt und die Scheibe wird in den Plasmaverfahrensapparat wie in Beispiel 1 eingebracht, um einer Entwicklungsbehandlung.innerhalb 5 Minuten unter den Bedingungen einer RF-Stärke von 100 W, einer Radiofrequenz von 13,56 MHz und eines Säuerstoffdrucks von 1,2 (Dorr mit dem Resultat unterworfen zu werden, daß die prozentuale Retention der Widerstandsdicke nach der Entwicklung zu der anfänglichen Widerstandsdicke 60$ beträgt, was eine Auflösung von 0,5 Mikron ergibt.
BEISPIEL 4
5 g Poly-n-butylacrylat mit einem Molekulargewicht von 230.000 und ein Gramm von 4,4'-Diazidodiphenylsulfon werden in 50 g Cyclohexanon gelöst, um eine photosensitive Lösung zu erhalten. Die photosensitive Lösung wird in Form eines Films aufgebracht, dem Licht ausgesetzt und einer Nachhitzebehandlung in gleicher Weise wie in Beispiel 1 unterworfen. Danach wird die lempe --
ratur der Tafelseheibe auf 800C gebracht und die Scheibe wird in den Plasmabehandlungsapparat wie.in Beispiel 1 eingebracht, um einer Entwick.lungsbehandlung innerhalb 5 Minuten unter den Bedingungen einer RF-Stärke von 10OW, einer Radiofrequenz von 13,56 MHz und eines Säuerstoffdrucks von 1,2 Torr unterworfen zu werden, wobei die Auflösung 0,5 Mikron beträgt.
BEISPIEL g
5 g eines Copolymeren von Isopropylvinylketon und Methylvinylketon mit einem Molekulargewicht von 330.000 und ein Gramm 3>3'-Diazidodiphenylsulfon werden in 50 g Cyclohexanon gelöst, um eine photosensitive Lösung zu erhalten. Die photosensitive Lösung wird auf eine SiIiciumscheibe aufgebracht, um einer thermischen Oxidationsbehandlung unterworfen zu werden und sie wird dann getrocknet. Danach werden 25 Einheiten des Lichts auf die entstehende überzogene Scheibe durch ein Testmuster unter Verwendung der Mask Aligner wie in Beispiel 1 aufgestrahlt. Die entstehende Scheibe wird 20 Minuten in einem Ofen bei 1500C hitzebehandelt und dann in den Plasmabehandlungsapparat wie in Beispiel 1 eingebracht, um dem Säuerstoffplasma, erzeugt unter den Bedingungen einer RP-Stärke von 200 W, einer Radiofrequenz von 13,56 MHz, einer Tafelscheibentemperatur von 10O0C und eines Sauerstoffsdrucks von 0,8 Torr zur Entwicklung unterworfen zu werden.
Der aufgebrachte' PiIm mit einer anfänglichen Dicke von ein Mikron wird auf 0,5 Mikron reduziert, was eine Auflösung von 0,5 Mikron bedeutet.
BEISPIEL· β
5 g eines Copolymeren von n-Butylmethacrylat und Methylacrylat mit einem Molekulargewicht von 4-50.000 und ein Gramm 4»4'-Diazidodiphenyldisulfid werden in 50 g Ätbylcellosolveacetat gelöst, um eine photosensitive Lösung zu erhalten. Die' photοsensitive lösung wird auf eine Siliciumscheibe aufgebracht, die einer thermischen Oxidationsbehandlung zur Ausbildung eines Films mit einer Dicke von ein Mikron unterworfen wird. Die entstehende Scheibe wird dem Licht durch ein Quart ztestmuster zur 30-minütigen Härtung bei 1500C unterworfen. Die so erhaltene Scheibe wird in den Plasmabehandlungsapparat wie in Beispiel 1 eingebracht,'um der Entwicklungsbehandlung innerhalb 4 Minuten unter den Bedingungen einer RF-Stärke von 100 ¥ , einer Radiofrequenz von 13,56 MHz, einer Tafelscheibentemperatur von 1000C und eines Sauerstoffdrucks von 1,0 Torr ausgesetzt zu werden. Es ergibt sich eine Auflösung von o,5 Mikron und der entstehende..Film besitzt eine Dicke von 0,4 Mikron.
BEISPIEL 7
5 g Polyphsnylvinylketon und ein Gramm 3,3'-Dichlor-4,4'-<liazidodiphenylmethan werden in-50 g Cyclohexanon gelöst, um eine photosensitive Lösung zu erhalten. Die photosensitive Lösung wird auf eine Siliciumscheibe zur Ausbildung eines Films in gleicher Weise wie in Beispiel 1 aufgebracht. Danach werden 25 Einheiten eines Lichts auf den überzogenen Film durch eine Maske für ein Testmuster unter Verwendung der Mask Aligner wie in Beispiel 1 bei einer Härtung bei 14O0C innerhalb 30 Minuten aufgestrahlt, so daß die Bisazidverbindung zu ihrer Entfernung sublimieren kann. Die
entstehende Scheibe wird der Plasmaentwicklung innerhalb 5 Minuten unter den Bedingungen einer Tafelscheibentemperatur von 1200C, einer EP-Stärke von 150 W , einer Radiofrequenz Ton 13,56 MHz und eines Sauerstoffdrucks von 1,0 Torr unter Erhalt einer Auflösung von 0,5 Mikron unterworfen.
BEISPIEL 8
Zu einer lösung, hergestellt durch Auflösen von 5g PoIymethylisopropenylketon mit einem Molekulargewicht von 330.000 in 50g Cyclohexanon, werden 1,5g bzw. 0,5g von 4,4'-Diazidodiphenylsulfid zum Erhalt von photosensitiven lösungen (A) bzw. (B) zugegeben. Die photosensitiven Lösungen (A) und (B) werden auf eine Siliciumscheibe zur Ausbildung eines Films wie in Beispiel 1 aufgebracht. Danach werden 20 und 30 Einheiten Licht unter Verwendung der Mask Aligner wie in Beispiel 1 auf die aus den photosensitiven Lösungen (A) bzw. (B) gebildeten Filme aufgestrahlt. Danach werden die entsprechenden Scheiben in einem Ofen bei 1400C innerhalb 30 Minuten hitzegehärtet und einer Plasmaentwicklung innerhalb 2 Minuten unter den Bedingungen einer RF-Stärke von 100W, einer Radiofrequenz von 13,56 MHz, einer Tafelscheibentemperatur von 1000C und eines Sauerstoff drucks von 1,0 Torr unterworfen.
Die aus den photosensitiven Lösungen (a) und (B) entstehenden Filme besitzen anfänglich eine Dicke von jeweils 1,0 Mikron. Fach der Entwicklungsbehandlung besitzt der aus der photosensitiven Lösung (A) gebildete Film eine Dicke von 0,6 Mikron, während der aus der photosensitiven Lösung (B) gebildete Film eine Dicke von 0,3 bis 0,4 Mikron besitzt. Eine Auflösung von in etwa 0,5 Mikron wird erhalten.
Die vorausgehenden Resultate zeigen, daß die prozentuale Retention ($>) der Widerstandsdicke nach Entwicklung ;jo nach
der Menge der Bisazidverbindung schwankt, deren Zugabe innerhalb des Bereichs von 5 bis-30 Gew./^, bezogen auf den Anteil des Polymeren, variiert.
YERGIEICHSBEISPIEI 1 . - · .
Die Verfahrensweisen von Beispiel 1. werden wiederholt mit der Ausnahme, daß 2g von 4,4'-Diazidodiphenyläther verwendet wird mit dem Resultat, daß Kristalle von 4,4'-Diazidodiphenyläther sich auf der Oberfläche des überzogenen Films niederschlagen, was sich als unvorteilhaft für die Herstellung eines Ultrafeinmusters erweist.
Andererseits findet in dem Pail, wo O,4g von 4,4!-Diazidodiphenylather verwendet werden keine Ausfällung davon statt; aber die prozentuale Retention der Widerstandsdicke nach Entwicklung gegenüber der anfänglichen Widerstandsdicke beträgt 10$ j was unfähig zum Widerstehen der nachfolgenden A'tzbehandlung macht.
• " ;^ 11 ·■ ·»
VERGIEIOHSBEISPIEl· 2
Die Verfahrensweisen von Beispiel 1 werden wiederholt mit der Ausnahme, daß keine Posthitzehärtungsbehandlung (post baking processing) durchgeführt wird mit dem Resultat, daß keine Selektivität gegenüber dem Plasma zwischen den exponierten Zonen und den nichtexponierten Zonen gefunden wird und kein Muster erhalten werden kann.

Claims (7)

  1. Patentanspruch
    !./Photosensitive Zusammensetzung zur Trockenentwicklung,
    mindestens ein Glied, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus; (a) einem Acrylpolymeren und (b) einem Vinylketonpolymeren und eine sublimierenden Bisazidverbindung als photohärtendes Mittel, dargestellt durch die allgemeine Formel - · .^ ,,■·«··.. ··
    worin R ein Wasserstoff- oder Halogenatom und X ein Sauerstoffatom, eine Carbonylgruppe, eine Methylengruppe, ein Schwefelatom, eine Disulfidgruppe oder eine SuIfongruppG ist, umfaßt.
  2. 2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere ein Homopolymeres, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Polyisopropenylketon, Polymethylmethacrylat, Polyisopropylvinylketon, Poly-n-butylacrylat,
    Polyphenylvinylketon und Polyglycidylmethacrylat, ein Copolymeres, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Copolymeren von Isoprpopylvinylketon und Methylvinylketon und einem Copolymeren von n-Butylmethacrylat und Methylacrylat ist.
  3. 3. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere'-ein Molekulargewicht von Zehntausenden "bis zu zwei Millionen besitzt.
  4. 4. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymere ein Molekulargewicht von Hunderttausenden bis zu einer Million besitzt.
  5. 5. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bisazidverbindung ein Glied, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus 4,4'-Diazidodiphenylather, 4,4'-Diazidodiphenylmethan, 4,4'-Diazidodiphenylsulfid, 4,4'-Diazidodiphenyldisulfid, 4,4'-Diazidodiphenylsulfon, 3,3'-Diazidodiphenylsulfon1und"3,3'-Dichloro-4,4'-diazidodiphenylmethan ist.
  6. 6. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bisazidverbindung in einem Anteil von 5 bis 30 Gew./^ bezogen auf den Anteil des Polymeren, eingesetzt wird.
  7. 7. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bisazidverbindung in einem Anteil von 15 bis 25 G-ew./°/o bezogen auf den Anteil des Polymeren , eingesetzt wird.
DE3112196A 1980-03-29 1981-03-27 Lichtempfindliches Gemisch zur Trockenentwicklung und dessen Verwendung Expired DE3112196C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

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JP3967380A JPS56137347A (en) 1980-03-29 1980-03-29 Photosensitive composition for dry development

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3112196A1 true DE3112196A1 (de) 1982-03-11
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