DE2754396C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmmusters auf einem Substrat mittels Plasmaätzens der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Art. Ein solches Verfahren ist aus der US-PS 39 86 912 bekannt.

Derzeit wird in der Halbleiterindustrie die Herstellung von Mustern in Dünnfilmen auf Halbleitersubstraten hauptsächlich durch Ätzen in der Gegenwart von ätzbeständigen Photolackschichten erreicht. Zu dem Verfahren gehört das traditionelle photolithographische Naßätzen sowohl des Dünnfilms als auch der Photolackschichten.

Diese relativ alten und wohlbekannten Techniken sind überaus erfolgreich gewesen. Mit der fortschreitenden Miniaturisierung der integrierten Schaltkreise in Halbleitern, welche vorgenommen wird, um eine größere Dichte der Bauteile und kleinere Einheiten der Großintegrationsschaltungen zu erreichen, nähert sich jedoch die Technik schnell einem Punkt, wo entweder das optische Prozessieren oder das Naßätzen oder auch beide Techniken unzweckmäßig werden, um die sehr genaue Auflösung zu erreichen, welche notwendig ist, um die feinen Metallisierungslinien mit der notwendigen Genauigkeit herzustellen.

Das Naßätzen von Dünnfilmen kann sowohl nach der Bestrahlung mit einer Elektronenstrahlvorrichtung als auch nach der Bestrahlung mit einem lichtoptischen System angewandt werden. Häufig ist jedoch die Folge eine Verunreinigung des Metalls, welche in erster Linie auf Teilchen, welche sich in der Ätzlösung selbst befinden, zurückzuführen ist. Es muß aber nicht nur die Reinheit und die Zusammensetzung des Ätzmittels sondern auch die Dauer des Ätzens sehr genau kontrolliert werden, um ein Über- oder Unterätzen des Dünnfilms zu verhindern. Das Plasma- bzw. reaktive Ionenätzen hat in neuerer Zeit als praktische Alternative zum Naßätzen Anerkennung gefunden. Dabei dürfte die Verunreinigung ein geringeres Problem sein und die Ätzvorrichtung stellt eine adäquate Prozeßkontrolle für die genauesten Muster in Dünnfilmen sicher.

Eines der Probleme jedoch, welches im Zusammenhang mit dem Plasmaätzen von Dünnfilmen auftritt, besteht darin, daß die meisten der wohlbekannten und im allgmeinen benutzten licht- und elektronenstrahlempfindlichen Lackmaterialien das Plasmaätzen nicht unversehrt überstehen können. Die Lacke tendieren dazu, während des Ätzprozesses zu fließen, und zwar offenbar deshalb, weil sie mit den gasförmigen Ionen reagieren und weil die Temperatur des Halbleitersubstrats dabei typischerweise um 200°C oder höher liegt. Wünschenswert wäre es, in der Lage zu sein, ein einziges strahlungsempfindliches Lackmaterial - im folgenden einfach Photolackmaterial genannt -, wie z. B. Polymethylmethacrylat (PMMA), direkt über einem metallischen Dünnfilm plasmazuätzen, um das gewünschte Leiterzugmuster zu definieren. Die verbliebene Lackschicht würde dann als Maske beim Ätzen des freiliegenden Metalls typischerweise mittels eines anderen Gases, welches das Metall, aber nicht den Photolack angreift, benutzt werden. Der verbliebene Photolack würde dann in der üblichen Art und Weise entfernt werden, damit das gewünschte Muster im Dünnfilm übrigbleibt.

Nach unserer Kenntnis ist kein praktischer Weg bekanntgeworden, um ein solches Plasmaätzen von Dünnfilmen unter Anwendung einer einzigen maskierenden Photolackschicht zu ermöglichen. Eine Anzahl von unterschiedlichen Lackmaterialien und reaktiven Gasen ist versuchsweise angewandt worden. Die Erfolge sind sehr gering gewesen.

Das genannte Problem existiert bei Materialien, welche sowohl licht- als auch elektronenstrahlempfindlich sind, wie z. B. dem AZ-1350J, einem von der Shipley Corporation in den Handel gebrachten positiven Lack. Dasselbe gilt für Negativlackmaterialien, welche sowohl licht- als auch elektronenstrahl empfindlich sind, wie z. B. die von der Eastman Kodak Corporation unter den Handelsnamen KTFR und KMER in den Handel gebrachten Lacke. Das Problem ist besonders gravierend bei hochempfindlichen Lackmaterialien, wie z. B. bei dem PMMA, welches ein ausgezeichnetes elektronenstrahlempfindliches Material ist. Es ist seit vielen Jahren anerkannt, daß Elektronenstrahlsysteme für die Bestrahlung von Photolackschichten günstiger als optische Systeme sind. Elektronenstrahlsysteme bieten eine größere Auflösung und eine größere Leistungsdichte als die optischen Systeme. Außerdem können Elektronenstrahlen elektrisch abgelenkt werden. Bis vor kurzem wurde der Einsatz von Elektronenstrahlsystemen durch den Mangel von Lackmaterialien hoher Qualität und durch die Entwicklungs- und apparativen Kosten von brauchbaren Elektronenstrahlsystemen behindert worden. Es scheint jedoch, daß die Elektronenstrahltechniken im Begriff sind, die optischen Systeme im wesentlichen zu ersetzen. Es ist deshalb sehr wünschenswert, ein elektronenstrahlempfindliches Lacksystem zu entwickeln, welches mit dem Plasmaätzen kompatibel ist.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein einer industriellen Fertigung anwendbares Verfahren zum Herstellen von Dünnfilmmustern hoher Auflösung mittels Plasmaätzens anzugeben, bei dem die Ätzmaske nicht so stark angegriffen wird, daß die Mustertreue des herzustellenden Musters dadurch beeinträchtigt wird.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs 1 gelöst.

Der Ausdruck "Polyimid" schließt auch Polyamid-Imid-Verbindungen ein. Es ist zwar bekannt (siehe z. B. den Artikel "Applications of Polyimide Materials in Electronic Circuitry" von J. R. Cannizzaro veröffentlicht in Solid State Technology, November 1969, Seite 31 ff. und die DE-AS 17 64 977), daß Polyimid - jedenfalls im ausgehärteten Zustand - gegenüber einem naßchemischen Angriff - außer gegenüber starken Säuren und Basen - resistent, gegenüber dem physikalischen Angriff von Argonionen bei der Kathodenzerstäubung (siehe DE-OS 25 47 792), gegenüber Ozon (siehe DE-AS 22 27 344) und gegenüber dem Angriff von in einem Plasma angeregten Sauerstoffmolekülen (siehe US-PS 3 985 597) aber nicht resistent ist. Es war deshalb überraschend, daß eine Polyimidmaske den Bedingungen des Plasmaätzens unter Verwendung eines reaktiven Gases, welches aus einem Fluor, Chlor oder Brom enthaltenen Gas oder Gasgemisch besteht, widerstehen kann, während z. B. alle andern, üblicherweise benutzten Lackmaskenmaterialien, wie z. B. Polymethylmethacrylat, KTFR, KMER und nicht-vernetztes AZ-1350, nicht nur durch angeregte Sauerstoffmoleküle, sondern auch unter den genannten Plasmaätzbedingungen abgebaut werden. Die Polyimidmaske bleibt beim Plasmaätzen des Dünnfilms vollständig erhalten und stellt dadurch sicher, daß nur festgelegte Bereiche des Dünnfilms weggeätzt werden. Deshalb hat das erzeugte Dünnfilmmuster die bei der Herstellung hochintegrierter und dichtgepackter integrierter Schaltungen notwendige Mustertreue.

In vorteilhafter Weise werden als Lackmaterialien licht- bzw. strahlungsempfindliche Lackmaterialien benutzt. In der Gegenwart dieser Lackmaterialien kann das Polyimid mittels Plasmaätzens abgetragen werden, ohne daß diese Materialien in einer ins Gewicht fallenden Weise geätzt werden. Durch die Kombination der strahlungsempfindlichen Materialien und des Polyimids ist es möglich, Dünnfilmmuster mit derjenigen hohen Auflösung und Genauigkeit herzustellen, welche die Photo- und insbesondere die Elektronenstrahllithographie zu erzeugen erlaubt. Man kann dabei nämlich nicht nur den Vorteil der hohen Auflösung, welcher in der Anwendung von Elektronenstrahlen liegt, sondern auch die große Strahlungsempfindlickeit, wie sie gerade elektronenstrahlempfindlichen Lacken, wie z. B. dem PMMA, eigen ist, ausnutzen.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispielen beschrieben. Es zeigt

Fig. 1A bis 1G in graphischer Darstellung Querschnitte durch eine Struktur in verschiedenen Stadien der Herstellung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und außerdem ein Flußdiagramm, welches jeden der Verfahrensschritte beschreibt.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 1A bis 1G wird nun die bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens mit den beanspruchten Merkmalen beschrieben.

Die Struktur in diesen Fig. zeigt einen Teil eines Chips mit integrierten Schaltkreisen, welcher mit irgendwelchen der bekannten Herstellungsverfahren für integrierte Schaltkreise erzeugt werden kann. In der bevorzugten Ausführungsform ist das Substrat 2 typischerweise ein Isolator, welcher beispielsweise aus Siliciumdioxid, oder Siliciumnitrid besteht oder aus Siliciumdioxid und Siliciumnitrid zusammengesetzt ist. Bei den üblichen Verfahren ist das Substrat auf einem (nicht gezeigten) Halbleiterkörper aufgebracht. Nicht gezeigte Öffnungen sind vorhanden, um Bereiche in der untenliegenden Halbleiterschicht mit dem auf der Oberfläche des Substrats 2 erzeugten Leitermuster zu kontaktieren. Der Klarheit und der Kürze wegen ist in den Fig. 1A bis 1G, welche die bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens illustrieren, die Darstellung des Siliciumhalbleiterkörpers und der Kontaktöffnungen in der Isolierschicht 2 weggelassen.

Obwohl die bevorzugte Ausführungsform die Bildung eines Dünnfilmmusters, welches mit Bereichen innerhalb eines Halbleiterkörpers verbunden ist, beschreibt, ist der Prozeß auch anwendbar, wenn mehrere Metallisierungsebenen vorhanden sind. Beispielsweise kann das Verfahren dazu benutzt werden, die zweite und die dritte Lage der Metallisierung auf einem Halbleiter zu erzeugen. Auf dem Substrat 2 ist ein Dünnfilm 4, aus welchem das Muster erzeugt werden soll, aufgebracht. In der bevorzugten Ausführungsform kann der Dünnfilm 4 aus irgendeinem Metall, welches üblicherweise bei der Metallisierung von integrierten Schaltkreisen benutzt wird, beispielsweise aus Aluminium, Aluminium-Kupfer-Silicium-Legierungen, Platin, Palladium, Chrom oder Molybdän bestehen. Zusätzlich sind Tantal oder Legierungen von Titan und Wolfram geeignet. Alternativ kann der Dünnfilm 4 aus einem dielektrischen Material, wie z. B. Siliciumnitrid oder Siliciumdioxid bestehen. Darüberhinaus kann der Dünnfilm 4 aus einer aus einem dielektrischen Material und einem Metall zusammengesetzten Schicht bestehen. Der Dünnfilm wird nach bekannten Methoden aufgebracht und hat typischerweise eine Dicke in der Größenordnung von 1 µm.

Wie die Fig. 1B zeigt, wird eine Polyimidschicht 6, welche bevorzugt eine Dicke zwischen 1,2 und 2,5 µm hat, auf den Dünnfilm 4 aufgebracht. Geeignete Polyimide können aus einer Reihe von kommerziell erhältlichen Polyamidocarbonsäureverbindungen hergestellt werden. Die bevorzugte Verbindung ist eine Polyamidocarbonsäure, welche von der Amoco Corporation unter dem Handelsnamen AI 10 vertrieben wird. Diese Polyamidocarbonsäure hat die Strukturformel:

Nach dem Aufbringen auf dem Film 4 wird die Säure bei 110 bis 160°C 5 bis 15 Minuten lang erhitzt, wobei sie sich in das teilweise ausgehärtete Polyamidoimid mit der Strukturformel:

umwandelt.

Zusätzlich zu der obenerwähnten Verbindung werden in dem neuen Prozeß erfolgreich Polyamidocarbonsäuren verwendet, welche von der Monsato Corporation unter dem Handelsnamen Skybond 707, von der DuPont Corporation unter dem Handelsnamen Pyre-M.L., von der Ciba-Geigy Corporation unter dem Handelsnamen P 13-N, von der Rhodia Corporation unter dem Handelsnamen Nolimid 605 und Kerimid 601 und von der Upjohn Corporation unter der Nummer 2820 vertrieben werden.

Es ist nicht notwendig für die Durchführung des Verfahrens, daß das Polyimid vollständig ausgehärtet ist. Teilweise ausgehärtete Polyimide ergeben ausgezeichnete Ergebnisse und sind auch leichter mittels eines nassen Ätzmittels, wenn dessen Anwendung gewünscht wird, entfernbar. Jedoch ist auch voll ausgehärtetes Polyimid anwendbar.

Als nächstes wird eine Photolackschicht 7 auf der Polyimidschicht 6 aufgebracht. Dabei kann es sich um irgendeinen konventionellen licht- oder elektronenstrahlempfindlichen Lack handeln, bevorzugt wird jedoch ein Lack, welcher mittels eines Elektronenstrahls bestrahlt werden kann, wie z. B. der von der Firma Shipley unter dem Handelsnamen AZ-135OJ, der von der Firma Kodak unter dem Handelsnamen KTFR oder ein aus Polymethylmethacrylat (PMMA) bestehender Lack. Dieser Lack wird in einer Dicke im Bereich zwischen etwa 0,5 und etwa 1,5 µm aufgebracht und in bekannter Weise erhitzt. Im Fall von PMMA wird bei 160°C 30 Minuten lang erhitzt, umd die Haftung zu verbessern. Das PMMA wird dann selektiv in einem Elektronenstrahlsystem bestrahlt, um das gewünschte positive Muster zu erzeugen.

Zusätzlich zu PMMA, bei welchem es sich um einen elektronenstrahlempfindlichen Positivlack handelt, kann das neue Verfahren mit allen elektronenstrahl- oder lichtempfindlichen Lacken, welche unter den Bedingungen des Plasmaätzens entweder zerfallen oder stark abgebaut werden, durchgeführt werden. Beispielsweise können die Positivlacke, welche von der Shipley Company unter den Handelsnamen AZ 1350H, AZ 1350J und AZ 111 und die Negativlacke, welche von der Hunt Chemical Company unter dem Handelsnamen Waycoat IC und von der Eastman Kodak Company unter den Handelsnamen KTFR, KMER, KPR-2 und KPR-3 vertrieben werden, benutzt werden. Die Verfahren zum Aufbringen, Bestrahlen (entweder mit Elektronenstrahl oder mit UV-Licht) und Entwickeln dieser Lacke, sind wohlbekannt.

Nach dem die Bestrahlung abgeschlossen ist, wird der PMMA-Lack 7 mit einer verdünnten organischen oder anorganischen basischen Lösung entwickelt. Bei diesem Verfahrensschritt werden die Bereiche des PMMA, welche dem Elektronenstrahl ausgesetzt waren, entfernt. Dies ist in der Fig. 1D gezeigt.

Dabei werden Bereiche der Polyimidschicht 6 im Fenster 8 der Schicht 7 freigelegt. Die Schicht 6 wird dann typischerweise entweder mit Äthylendiamin oder den von der Firma Shipley Corporation vertriebenen AZ-Entwicklern oder einer NaOH- oder einer KOH-Lösung geätzt. Es kann vorteilhafter sein, die Polyimidschicht in einer Kathodenzerstäubungskammer in einer sauerstoffenthaltenden Atmosphäre plasmazuätzen. Es wurde gefunden, daß trockenes Plasmaätzen ausgehärtete Polyimide leichter entfernt als die erwähnten nassen Ätzmittel. Jedoch für teilweise ausgehärtete Polyimide sind trockene und nasse Ätzverfahren gleichwertig.

Wenn dieser Verfahrensschritt abgeschlossen ist, sind die Fenster 9 bis hinunter zu dem Dünnfilm 4 geöffnet. Dies ist in der Fig. 1E gezeigt.

Die Struktur wird dann einem trockenen Plasmaätzverfahren unterworfen, wobei ein reaktives Gas verwendet wird, welches die freiliegenden Bereiche des Metalls 4 ätzt und auch die Reste der Photolackschicht 7 entfernt. Das reaktive Gas besteht bevorzugt aus CCl₄, welches konventionelle metallische Filme, wie z. B. aus den oben aufgezählten Metallen, angreift, welches aber Polyimide wesentlich weniger angreift. Zu den anderen Gasen, welche auch verwendet werden können, gehören HCl, Cl₂, HBr, Br₂ und Trichloräthylen. Verbindungen vom Freontyp, wie z. B. FCCl₃, F₂CCl₂ und auch Verbindungen wie z. B. FCl, FOCl usw. sind auch wirkungsvoll. Dank dem Plasmaätzschnitt werden in der Dünnfilmschicht 4 dem gewünschten Muster entsprechende Öffnungen 10 erzeugt. Dies ist in der Fig. 1F gezeigt. Ein Teil der Polyimidschicht 6 wird auch entfernt, aber die Menge reicht nicht aus, um die Maskeneigenschaften der Polyimidschicht zu beeinträchtigen.

Der Rest der Polyimidschicht 6 wird dann entfernt, was typischerweise in derselben Ätzapparatur gemacht wird, wobei als reaktives Gas Sauerstoff oder DS-300, eine kommerziell erhältliche Gasmischung, verwendet wird. Übrig bleibt dabei nur das gewünschte Dünnfilmmuster auf dem Substrat 2. Dies ist in der Fig. 10 gezeigt. Alternativ kann das Polyimid durch Eintauchen in ein Lösungsmittel, wie z. B. Äthylendiamin, oder in eine andere basische Lösung, wie z. B. eine NaOH- oder KOH-Lösung, entfernt werden.

Obwohl bisher das Ätzen von metallischen Dünnfilmen diskutiert wurde, ist das neuartige Verfahren auch wirkungsvoll, um dieelektrische Schichten oder solche Schichten die aus Metallen und dieelektrischen Materialien bestehen, zu ätzen. Würde beispielsweise der Dünnfilm 4 statt aus einem Metall aus Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid bestehen, könnte eine Gasmischung aus CF₄ und O₂ dazu benutzt werden, um diese Materialien unter Verwendung des Polyimids als Maske zu ätzen. Auch geeignet ist die kommerziell erhältliche und von der L. F. E. Corporation unter dem Handelsnamen DE 100 vertriebene Gasmischung.

Auf ähnliche Art und Weise können aus dielektrischen Materialien und Metallen zusammengesetzte Filme zur Herstellung eines gewünschten Musters geätzt werden.

Alternativverfahren

Während der Bestrahlung von PMMA mit einem Elektronenstrahl kann sich ein Rückstand oder eine Ablagerung in den Öffnungen 8 auf der Schicht 6 (s. Fig. 1D) bilden. Diese Ablagerung kann durch Veraschen (durch Plasmaätzen) der entwickelten Lackschicht 7 in Sauerstoff entfernt werden. Dabei wird auch das freiliegende Polyimid angegriffen. Um dies zu verhindern, ist es vorteilhaft, eine Lackglasbedeckung auf die Polyimidschicht 6 vor dem Aufbringen des Lacks 7 aufzubringen. Eine 150 bis 200 nm dicke Beschichtung von Polydimethylsiloxan- Harz, in dem die Si-O-Bindungen gegenüber den Si-CH₃-Bindungen in der Überzahl sind, ist dafür geeignet.

Bei diesem Alternativverfahren wird der Photolack 7 wie üblich bestrahlt und entwickelt und irgendwelche Ablagerungen werden durch Veraschen in Sauerstoff entfernt. Das Lackglas wird dabei relativ wenig angegriffen und dient dazu, das darunterliegende Polyimid zu schützen. Nach dem Veraschungsschritt wird das Harzglas mittels Plasmaätzens entweder in Fluorgas oder DE 100 entfernt. Das letztere ist eine Fluor enthaltende Gasmischung.

Die Bereiche der Polyimidschicht 6, von denen dies erwünscht ist, werden dabei freigelegt, wie es die Fig. 1D zeigt. Die restlichen Verfahrensschritte sind dieselben, wie diejenigen, welche bei der bevorzugten Ausführungsform des neuen Verfahrens weiter oben beschrieben sind. Dabei wird das Harzglas abgebaut, wenn die Dünnfilmschicht 4 plasmageätzt wird (s. Fig. 1F).

Claims (10)

1. Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmmusters auf einem Substrat, wobei auf dem Substrat ein Dünnfilm aus einem Metall oder einem dielektrischen Material und eine Photolackschicht aufgebracht wird, auf photolithographischem Weg das gewünschte Muster in der Photolackschicht erzeugt und mittels Plasmaätzens in einem reaktiven Gas das gewünschte Muster in den Dünnfilm übertragen wird, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Photolackschicht (7) auf dem Dünnfilm (4) eine Polyimidschicht (6) erzeugt wird, daß unter Verwendung des Musters in der Photolackschicht (7) als Ätzmaske das gewünschte Muster in die Polyimidschicht (6) geätzt wird, und daß beim Ätzen des Dünnfilms (4) die geätzte Polyimidschicht (6) als Ätzmaske dient, wobei als reaktives Gas ein Fluor, Chlor oder Brom enthaltendes Gas oder Gasgemisch verwendet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß, sofern der Dünnfilm aus einem Metall, welches üblicherweise bei der Metallisierung von integrierten Schaltkreisen benutzt wird, als reaktives Gas beim Plasmaätzen ein reaktives Gas aus der Gruppe CCl₄, HCl, Cl₂, HBr, Br₂, Trichloräthylen, Verbindungen vom Freontyp, FCl und FOCl verwendet wird, und, sofern der Dünnfilm aus Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid besteht, als reaktives Gas eine Mischung aus CF₄ und O₂ eingesetzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für den Dünnfilm ein Metall aus der Gruppe Aluminium, Aluminium- Kupfer-Silicium-Legierungen, Platin, Palladium, Chrom, Molybdän, Tantal sowie Legierungen von Titan und Wolfram verwendet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbindungen vom Freontyp FCCl₃ und F₂CCl₂ vorgesehen sind.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der Polyimidschicht (6) eine Schicht aus einer Polyamidocarbonsäure aufgebracht wird und daß diese Schicht zur Erzeugung von mindestens teilweise ausgehärtetem Polyimid erhitzt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen in der Polyimidschicht (6) mittels Plasmaätzens erzeugt werden.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die nach dem Ätzen des Dünnfilms verbleibenden Bereiche der Polyimidschicht (6) mittels Plasmaätzens in einer Gasatmosphäre, welche das Dünnfilmmaterial nicht angreift, entfernt werden.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Lackschicht (7) auf der Polyimidschicht (6) eine Schicht aus Polydimethylsiloxan-Harz- Material gebildet wird, in welchem die Zahl der Si-O-Bindungen diejenige der Si-CH₃-Bindungen überwiegt, und daß nach dem Erzeugen des Musters in der Lackschicht (7) mit dem Muster übereinstimmende Öffnungen in der Harzschicht mittels Plasmaätzens erzeugt werden.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß Rückstände in den Öffnungen (8) der Lackschicht (7) vor dem Plasmaätzen der Harzschicht verascht werden, wobei die Harzschicht das darunterliegende Polyimid schützt.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat (2) ein mit einer dielektrischen Schicht bedecktes Halbleitersubstrat verwendet wird.