DE2640511B2 - Verfahren und Vorrichtung zum selektiven Ätzen einer Aluminiumschicht - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum selektiven Ätzen einer Aluminiumschicht

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Description

55
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum selektiven Ätzen einer Aluminiumhicht auf einem Festkörpersubstrat als Träger mit Hilfe einer Glimmentladung in einer ein reaktionsfähiges Gas enthaltenden Atmosphäre, «>
Manche Halbleiterbearbeitungsprozesse enthalten das Aufbringen einer Metallschicht, insbesondere aus Aluminium, auf einer Halbleiteroberfläche, wonach sich ein Ätzprozeß mit einer selektiven Entfernung des Metalls anschließt, um eine Elektrode oder ein Leitermuster herzustellen. Dieser Ätzprozeß wird normalerweise durch Maskierung der Metallschicht mit einem Photolack und anschließendes Eintauchen des maskierten Werkstücks in ein Russiges Ätzmittel durchgeführt Obwohl breit angewendet, leiden derartige Ätzprozesse unter dem NachteiL daß sich während des Ätzprozesses Gasblasen auf der Metalloberfläche bilden, was eine örtliche Henmnmg der Ätzung zur Folge hat. Flüssige Ätzmittel neigen, zur Unterätzung der Metallschicht, wodurch der Querschnitt der Leitbahn vermindert wird.
Aus der DE-OS 15 42 589 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Entfernung von Verunreinigungen, insbesondere von Oxidbelägen, von der Oberfläche eines Schichtträgers mit Hilfe eines einer Glimmentladung ausgesetzten reaktionsfähigen Gases bekannt. Dieses Gas kann unter anderem ein fluorierter oder chlorierter Kohlenwasserstoff, z.B. Trichloräthylen, sein.
Femer geht aus »SCP and Solid State Technology«, Dezember 1967, Sehen 33 bis 38, die Möglichkeit hervor. Aluminium mit Hilfe der Ionenätztechnik abzutragen. Die dabei erzielten Ätzraten sind verhältnismäßiggering.
Die Aufgabe der Erfindung besteht somit darin, die oben genannten Nachteile sowie deren Auswirkung auf ein Mindestmaß zu bringen oder zu überwinden.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Glimmentladung in einer Atmosphäre durchgeführt wird, in der neben Tetrachlorkohlenstoff noch bis zu 15 Vol.% Ammoniak enthalten ist.
Gemäß einer Weiterbildung des Verfahrens zum selektiven Ätzen siner Aluminiumschicht auf einem Festkörpersubstrat als Träger nach der Erfindung ist vorgesehen, eine Aluminiumschicht auf einem Halbleitersubstrat mit einer Photolackmaskierung selektiv zu maskieren und die Maskierung nach dem Ätzvorgang abzuziehen, so daß ein fertiges Halbleitersubstrat als Träger eines Aluminium-Leitbahnenmusters erhalten wird.
Zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung ist zur Halterung eines mit Aluminium beschichteten Halbleitersubstrats während der Plasmaätzung des Aluminiums eine Auflage vorgesehen, welche eine horizontal angeordnete elektrisch leitende Grundplatte aufweist, die mit Masse verbunden werden kann, ferner Mittel zur Kühlung der Grundplatte auf Umgebungstemperatur, eine auf der genannten Grundplatte befestigte dielektrische Platte und eine zweite auf der dielektrischen Platte montierte Grundplatte, so daß diese mit der dielektrischen Platte und der Grundplatte eine Kondensatorkombination bildet
Eine Ausführungsform der Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, deren F i g. 1 schematich einen Teil einer Glimmentladung- oder Plasma-Ätzvorrichtung bedeutet und deren F i g. 2 eine Teilquerschnittsansicht der in der Vorrichtung der F i g. 1 verwendeten Auflage zeigt.
Die Plasmaätzvorrichtung enthält nach der Zeichnung eine auf einer geerdeten elektrisch leitenden Platte 12 über einen Dichtring 13 aus Gummi oder Kunststoff befestigte Glocke 11. Die Glocke 11 wird über das Auslaßrohr 14 evakuiert und über den Einlaß IS mit Tetrachlorkohlenstoffdampf beschickt. Über die Ringelektrode 17, welche um die Abrundung der Glocke 11 gelegt ist, wird Hochfrequenzleistung des Generators 16 angelegt, der bei einer Nennfrequenz von 1 MHz betrieben wird.
Auf die Auflage 19, welche auf einem elektrisch leitenden und geerdeten Ständer 20 montiert ist, werden zu ätzende mit Aluminium beschichtete Halbleiterplat-
ten 18, beispielsweise aus Silicium angeordnet Die Auflage 19 wird aus einer elektrisch leitenden Grundplatte 21 gefertigt, auf der eine Borsilikatglasplatte 22, vorzugsweise mit einer Dicke von 6 mm, und eine zweite elektrisch leitende Platte 23 montiert sind, so daß eine Kondensatorenanordnung gebildet wird. Die elektrisch leitenden Platten 21 und 23 können vorteilhafterweise aus rostfreiem Stahl hergestellt werden. Auch Lann von Vorteil sein, ein EinlaBrohr 26 für Tetrachlorkohlenstoffdampf vorzusehen, so daß der durch die elektrisch leitende Platte 12 geführte Einlaß 15 fortgelassen werden kann. Diese Auflagenkonstruktion verhindert die Bildung von polymeren Fasern auf den Werkstücken während des Ätzprozesses.
Die mit Aluminium beschichteten Halbleiterplatten 18 werden zum Ätzen durch örtliches Maskieren mittels eine Photolacks vorbereitet und auf der oberen zweiten Platte 23 der Auflage 19 angeordnet Die Glocke wird evakuiert und wieder mit Tetrachlorkohlenstoffdampf mit einem Druck zwischen 4 und 40 Pa gefüllt. Dann wird der Hochfrequenzgenerator eingeschaltet, um die Glimmentladung um die Auflage anzufachen und aufrechtzuerhalten. Die freiliegenden Teile des Aluminiums werden vom Plasma im wesentlichen ohne Unterätzung mit einer Geschwindigkeit von 2—3 · KPnm/min geätzt
Nach Beendigung der Ätzung wird der Generator ausgeschaltet, die Glocke 11 evakuiert und wieder mit trockener Luft oder Stickstoff gefüllt. Die Halbleiterplatten 18 werden entfernt und sind nach Abstreifen des Maskierungsmaterials aus Photolack zur weiteren Bearbeitung, beispielsweise zur Verkapselung oder zur Befestigung von einzelnen Elementen, bereit
Bei Verwendung von reinem Tetrachlorkohlenstoff zeigen die bearbeiteten Werkstücke manchmal Oberflächenbeschädigungen, sobald sie der Luft ausgesetzt werden. Es wird angenommen, daß während des Ätzprozesses auf der Photolackoberfläche Chlorverbindungen entstehen, die in Berührung mit feuchter Luft Chlorwasserstoff freisetzen, der dann die durch das Ätzen freigelegten Flächen angreift Diese Reaktion wird durch die Anwesenheit von Ammoniak verhindert
Der ÄtiprozeB kann auch zur örtlichen Entfernung von Aluminiumschichten von and-,- >;n Materialien als Silicium verwendet werden. Das Alumirium kann daher beispielsweise auf mit Quarz oder Siliciumnitrid beschichtetem Silicium oder auf Lithiumniobat auf Quarz abgeschieden werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

  1. Patentansprüche:
    L Verfahren zum selektiven Atzen einer Aluminiumschicht auf einem Festkörpersubstrat als Träger, mit Hilfe einer Glimmentladung in einer ein s reaktionsfähiges Gas enthaltenden Atmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung in einer Atmosphäre durchgeführt wird, in der neben Tetrachlorkohlenstoff noch bis zu 15 VoL% Ammoniak enthalten ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumschicht auf einem Halbleitersubstrat mit einer Photolackmaskierung selektiv maskiert wird, die nach der Ätzung abgezogen wird, so daß ein fertiges Halbleitersubstrat als Träger eines Aluminium-Leitbahnenmusters erhalten wird
  3. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Tetrachlorkohlenstoffatmospääre bei einem Druck zwischen 4 und 40 Pa gehalten wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaätzprozeß bei einem maskierten Substrat durchgeführt wird, das auf einer gleichstrommäßig isolierten Platte aus elektrisch leitendem Material innerhalb ,des Plasmas angeordnet wird, und daß die Platte kapazitiv mit Masse gekoppelt wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Halb-Ieitersubstrau. aus Silicium.
  6. 6. Verfahren nach einem d-r Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminium mit einerGeschwindigkeitvon2 · IC* bis 3 · K^nm/min geätzt wird.
  7. 7. Auflage für ein mit Aluminium beschichtetes Halbleitersubstrat während der Plasmaätzung bei einem Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine horizontal angeordnete, elektrisch leitende Grundplatte (21), welche mit Masse verbunden werden kann, eine auf der Grundplatte (21) befestigte Platt?. (22) aus Isoliermaterial und eine auf dieser Platte angebrachte zweite elektrisch leitende Platte (23), wobei die drei Platten eine Kondensatorenanordnung bilden.
  8. 8. Auflage nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (22) aus Borsilikatglas besteht.
  9. 9. Auflage nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitenden Platten so (21,23) aus rostfreiem Stahl bestehen.
DE2640511A 1975-09-18 1976-09-09 Verfahren und Vorrichtung zum selektiven Ätzen einer Aluminiumschicht Expired DE2640511C3 (de)

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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5096420U (de) * 1973-12-28 1975-08-12
JPS541245A (en) * 1977-06-06 1979-01-08 Hitachi Ltd Method of etching a1 and a1-based alloy
US4183781A (en) * 1978-09-25 1980-01-15 International Business Machines Corporation Stabilization process for aluminum microcircuits which have been reactive-ion etched
US4253907A (en) * 1979-03-28 1981-03-03 Western Electric Company, Inc. Anisotropic plasma etching
US4267012A (en) * 1979-04-30 1981-05-12 Fairchild Camera & Instrument Corp. Process for patterning metal connections on a semiconductor structure by using a tungsten-titanium etch resistant layer
JPS55158275A (en) * 1979-05-28 1980-12-09 Hitachi Ltd Corrosion preventing method for al and al alloy
JPS5623752A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Matsushita Electronics Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5638474A (en) * 1979-09-03 1981-04-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Etching method of aluminum or aluminum-base alloy film
JPS56105483A (en) * 1980-01-25 1981-08-21 Mitsubishi Electric Corp Dry etching device
US4344996A (en) * 1980-12-19 1982-08-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Surface texturing of fluoropolymers
US4373990A (en) * 1981-01-08 1983-02-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Dry etching aluminum
JPS57170534A (en) * 1981-04-15 1982-10-20 Hitachi Ltd Dry etching method for aluminum and aluminum alloy
US4353777A (en) * 1981-04-20 1982-10-12 Lfe Corporation Selective plasma polysilicon etching
US4351696A (en) * 1981-10-28 1982-09-28 Fairchild Camera & Instrument Corp. Corrosion inhibition of aluminum or aluminum alloy film utilizing bromine-containing plasma
US4375385A (en) * 1982-03-25 1983-03-01 Rca Corporation Plasma etching of aluminum
US4556471A (en) * 1983-10-14 1985-12-03 Multi-Arc Vacuum Systems Inc. Physical vapor deposition apparatus
GB2148769A (en) * 1983-10-22 1985-06-05 Standard Telephones Cables Ltd Topographic feature formation by ion beam milling of a substrate
US5087418A (en) * 1987-02-25 1992-02-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4818488A (en) * 1987-02-25 1989-04-04 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4801427A (en) * 1987-02-25 1989-01-31 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4917586A (en) * 1987-02-25 1990-04-17 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US5171525A (en) * 1987-02-25 1992-12-15 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4976920A (en) * 1987-07-14 1990-12-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4943417A (en) * 1987-02-25 1990-07-24 Adir Jacob Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5200158A (en) * 1987-02-25 1993-04-06 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4931261A (en) * 1987-02-25 1990-06-05 Adir Jacob Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
EP0416646B1 (de) * 1989-09-08 2000-02-09 Tokyo Electron Limited Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
KR100268640B1 (ko) * 1996-01-22 2000-10-16 모리시타 요이찌 알루미늄합금막의 드라이에칭방법과,그 방법에 사용하는 에칭용 가스
US5985375A (en) * 1998-09-03 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method for pulsed-plasma enhanced vapor deposition
AU2001273537A1 (en) * 2000-07-20 2002-02-05 Tokyo Electron Limited Improved electrode for plasma processing system
US6753498B2 (en) 2000-07-20 2004-06-22 Tokyo Electron Limited Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system
US20030106644A1 (en) * 2001-07-19 2003-06-12 Sirkis Murray D. Electrode apparatus and method for plasma processing

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1272580A (en) * 1968-06-12 1972-05-03 Edwards High Vacuum Int Ltd Targets for radio frequency sputtering apparatus
US3816198A (en) * 1969-09-22 1974-06-11 G Babcock Selective plasma etching of organic materials employing photolithographic techniques
US3860507A (en) * 1972-11-29 1975-01-14 Rca Corp Rf sputtering apparatus and method
GB1417085A (en) * 1973-05-17 1975-12-10 Standard Telephones Cables Ltd Plasma etching
JPS5537855B2 (de) * 1973-09-29 1980-09-30
US3975252A (en) * 1975-03-14 1976-08-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High-resolution sputter etching

Also Published As

Publication number Publication date
GB1499857A (en) 1978-02-01
DE2640511C3 (de) 1979-10-25
JPS5731655B2 (de) 1982-07-06
US4073669A (en) 1978-02-14
JPS5236979A (en) 1977-03-22
DE2640511A1 (de) 1977-03-31

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