DE60128460T2 - Verfahren zur veraschung eines photolackes mit einem mikrowellen-plasma in einem ätzkamer für dielektrische schichten und plasma-machine dafür - Google Patents

Verfahren zur veraschung eines photolackes mit einem mikrowellen-plasma in einem ätzkamer für dielektrische schichten und plasma-machine dafür Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung von Halbleitervorrichtungen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung verbesserte Techniken zum dielektrischen Ätzen und zur Fotolackablösung.
  • Bei der Herstellung bestimmter Arten von Halbleitervorrichtungen können dielektrische Schichten unter Verwendung eines Plasma-Ätzsystems geätzt werden. Solche Plasma-Ätzsysteme können hochdichte Plasmasysteme wie zum Beispiel induktive oder ECR- (electron cyclotron resonance) Systeme oder mitteldichte Plasmasysteme wie zum Beispiel ein kapazitives System sein. Die hochdichten Plasmaätzer dissoziieren Gase so gut, dass durch die Versorgung mit Sauerstoff in der Kammer die Kammerwände gereinigt werden. Dieses Reinigen kann durch die durch das Plasma erzeugte Hitze, die durch das Plasma erzeugte UV-Strahlung und eine große Menge der durch das Plasma verursachten Dissoziation ausgelöst werden.
  • Mitteldichte Plasma-Ätzsysteme wie beispielsweise kapazitive Plasmasysteme können für das Oxidätzen verwendet werden. In derartigen mitteldichten Plasma-Ätzsystemen wird typischerweise eine Polymer-formende Chemie angewendet. Derartige mitteldichte Plasma-Ätzsysteme bewirken, dass sich Polymerablagerungen auf der Kammerwand bilden. Solche Systeme ermöglichen üblicherweise, dass sich die Polymerablagerungen auf den Kammerwänden aufbauen, und werden anschließend nass gereinigt, um die Polymerablagerungen zu entfernen. Das Nassreinigen ist typischer Weise bei mitteldichten Plasmasystemen erforderlich, da derartige Systeme in typischer Weise keine ausreichende Dissoziation und ausreichende Plasmaenergie aufweisen, die die Wände kontaktiert, um eine zufrieden stellende Polymerreinigung durchzuführen. Wenn die Kammerwände nur teilweise gereinigt werden und das Polymer nicht in zufriedenstellender Weise entfernt wird, heftet manchmal neues Polymer nicht ausreichend an der Kammerwand an, was möglicherweise Partikel erzeugt, die eine zusätzliche Verunreinigungsquelle darstellen könnten.
  • Plasma-Ätzsysteme, die eine Plasmabegrenzung verwenden, wie zum Beispiel die in dem US-Patent mit der Nummer 5,534,751 von Lenz et al., mit dem Titel "Plasma Etching Apparatus Utilizing Plasma Confinement", erteilt am 09. Juli 1996, offenbarte Vorrichtungen begrenzen im Allgemeinen ein Plasma innerhalb eines Begrenzungsrings, der das Plasma in einem Begrenzungsbereich weg von der Kammerwand hält. Das Halten des Plasmas in einem begrenzten Bereich sorgt im Allgemeinen für ein ausreichend dichtes und ausreichend heißes Plasma, angrenzend an den Begrenzungsring, um den Begrenzungsring zu Reinigen.
  • Es ist bekannt, chemische Gasphasenabscheidungseinrichtungen (chemical vapor deposition, CVD) mit entfernten Plasmaquellen bereitzustellen, die typischerweise verwendet werden, um die CVD-Kammer zu reinigen. Typischerweise verwenden derartige Plasmavorrichtungen eine Fluor-Chemie. Derartige CVD-Vorrichtungen werden für die Aufdampfung verwendet.
  • Es ist bekannt, eine entfernte Plasmaquelle in einer Ablösekammer zu verwenden, die typischerweise das entfernte erzeugte Plasma verwendet, um eine Ätzmaske abzulösen, zum Beispiel in dem US-Patent mit der Nummer 4,836,905 .
  • In Anbetracht des Voranstehenden wäre es wünschenswert, bei mitteldichten Plasmasystemen, wo ein Plasma einer Dichte durch die mitteldichten Plasmasysteme erzeugt wird, die nicht ausreichend ist, um in genügender Weise die Kammerwand zu reinigen, Mittel zur Bildung eines Plasmas zur Verfügung zu stellen, um die Kammerwände in ausreichender Weise zu reinigen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Gemäß eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung zum Ätzen einer dielektrischen Schicht, die auf einem Substrat angeordnet ist, bereitgestellt, die aufweist:
    eine Kammer zum Ätzen eines dielektrischen Materials, wobei die Kammer aufweist:
    eine Kammerwand;
    eine Mehrzahl von Begrenzungsringen innerhalb der Kammerwand, die einen Plasmabereich umgeben;
    eine Ätzgasquelle, um ein Ätzgas innerhalb der Kammerwand bereitzustellen;
    eine In-Situ-Plasmavorrichtung zum Erregen des Ätzgases in ein In-Situ-Plasma; und
    eine entfernte Plasmaquelle, die mit der Kammer verbunden ist, um den Innenraum der Kammer eine Reaktantart zuzuführen,
    wobei die Begrenzungsringe voneinander beabstandet sind und die Begrenzungsringe den Plasmabereich weg von der Kammerwand begrenzen.
  • Gemäß eines zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Ätzen mindestens teilweise durch eine dielektrische Schicht, die auf einem Substrat angeordnet ist, wobei ein Teil der dielektrischen Schicht unterhalb einer Ätzmaske angeordnet ist; und wobei ein Teil der dielektrischen Schicht nicht unterhalb der Ätzmaske angeordnet ist, die folgenden Schritte auf:
    Anordnen des Substrats in der Kammer einer Vorrichtung nach Anspruch 1; und
    Einströmen eines Ätzgases in die Ätzkammer;
    Erzeugen eines In-Situ-Plasmas aus dem Ätzgas in der Ätzkammer;
    Wegätzen von Teilen der dielektrischen Schicht, die nicht unterhalb der Ätzmaske angeordnet sind;
    Erzeugen eines entfernten Plasmas in der entfernten Plasmaquelle;
    Einströmen des entfernten Plasmas in die Kammer;
    Ablösen der Ätzmaske, während das Substrat sich in der Kammer befindet;
    Entfernen des Substrats aus der Ätzkammer; und
    Säubern der Ätzkammer, nachdem das Substrat aus der Ätzkammer entfernt wurde, wobei das Säubern aufweist:
    Erzeugen eines In-Situ-Plasmas aus einem Ätzmittel, das durch die Begrenzungsringe auf einen Plasmabereich eingegrenzt ist;
    Verwenden des In-Situ-Plasmas, um den Rückstand von den Begrenzungsringen zu entfernen.
  • Diese und andere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden ausführlicher in der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung und in Verbindung mit den nachfolgenden Figuren erläutert.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Die vorliegende Erfindung wird beispielhaft und nicht einschränkend in den Figuren der beigefügten Zeichnungen veranschaulicht, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche Element bezeichnen und in denen:
  • 1 eine schematische Ansicht einer Ätzkammer des Standes der Technik ist.
  • 2 ein Flussdiagramm des Verfahrens zur Verwendung der in 1 dargestellten Ätzkammer ist.
  • 3 eine schematische Ansicht einer erfindungsgemäßen Ätzkammer ist.
  • 4 ein Flussdiagramm des Verfahrens zur Verwendung der in 3 dargestellten Ätzkammer ist.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend ausführlich unter Bezugnahme auf wenige bevorzugte Ausführungsformen davon beschrieben. In der nachfolgenden Beschreibung werden zahlreiche spezifische Details erläutert, um ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Es ist jedoch für den Fachmann ersichtlich, dass die vorliegende Erfindung ohne einige oder sämtliche dieser spezifischen Details in der Praxis ausgeführt werden kann. In anderen Umständen wurden wohlbekannte Prozessschritte und/oder -strukturen nicht im Detail beschrieben, um die vorliegende Erfindung nicht in unnötiger Weise zu verdecken.
  • Um die Erläuterung zu vereinfachen zeigt 1 eine schematische Ansicht einer Ätzkammer 10 einer Ausführungsform, die in dieser Erfindung nicht beansprucht wird. Die Ätzkammer 10 weist eine Kammerwand 12, die geerdet ist, eine elektrostatische Klammervorrichtung bzw. Chuck 14, der mit einer Hochfrequenz-Energiequelle 16 verbunden ist, ein Ätzgasverteilungssystem 18 oben an der Ätzkammer 10, da das mit einer Ätzgasquelle 20 verbunden ist, Heizvorrichtungen 22, die an die Kammerwand 12 angrenzen und sie umgeben, und eine entfernte Plasmaquelle 24 auf, die mit einer Ablösegasquelle 25 verbunden ist. Die Kammerwand 12 kann aus anodisiertem Aluminium oder aus leitender Keramik sein.
  • 2 ist ein Flussdiagramm des Betriebs der Ätzkammer. Ein Wafer 26 wird auf den elektrostatischen Chuck 14 innerhalb und in der Nähe des Bodens der Ätzkammer 10 befestigt (Schritt 201). Der Wafer 26 weist eine dielektrische Schicht 28, wie beispielsweise eine Oxidschicht aus Siliziumoxid oder eine Nitritschicht auf, wobei ein Teil der dielektrischen Schicht 28 von einer Fotolackmaske 30 und ein Teil der dielektrischen Schicht 28 nicht von der Fotolackmaske 30 bedeckt ist.
  • Als nächstes ätzt die Ätzkammer 10 den Teil der dielektrischen Schicht 28 weg, der nicht durch die Fotolackmaske 30 bedeckt ist (Schritt 202). Dies wird durch das Einströmen eines Ätzgases in die Ätzkammer 10 erreicht, so dass der Druck in der Ätzkammer zwischen 2,6 und 26,7 Pa (20 und 200 milliTorr) liegt. Das Ätzgas weist ein Fluorkohlenstoffgas mit einer generischen molekularen Formel aus. Die Menge des verwendeten Ätzgases ist im Stand der Technik bekannt. Das Ätzgas wird durch die Ätzgasquelle 20 über das Ätzgasverteilungssystem 18 oben auf der Ätzkammer 10 bereitgestellt. Die Hochfrequenz-Energiequelle 16 liefert an den elektrostatischen Chuck 14 ein Hochfrequenzsignal, das Hochfrequenzwellen zwischen dem elektrostatischen Chuck 14 und der geerdeten Kammerwand erzeugt, die das Ätzgas erregen, wobei der elektrostatische Chuck, als eine Kathode und die Kammerwand 12 als eine Anode wirken. Das erregte Ätzgas dissoziiert zu Ionen, die durch die Hochfrequenzwellen erregt werden, wobei sie ein Plasma innerhalb der Kammer und um den Wafer 26 herum erzeugen. Da der Wafer sich innerhalb des Plasmas befindet, werden die Teile der dielektrischen Schicht 28, die nicht durch die Fotolackmaske 30 bedeckt sind, weggeätzt. Da die Kammerwand 12, der elektrostatische Chuck 14, die Energiequelle 16, das Ätzgasverteilungssystem 18 und die Ätzgasquelle 20 das Plasma um den Wafer herum bilden und aufrechterhalten, stellen diese Komponenten ein In-Situ-Plasma bereit. Als ein Ergebnis des Ätzprozesses bildet sich ein Polymerrückstand 32, gebildet aus der Fotolackmaske 30 und dem Fluorkohlenstoff-Ätzgas, auf der Kammerwand 12. Wenn die dielektrische Schicht 28 in ausreichendem Maß geätzt ist, wird der Ätzschritt (Schritt 202) durch Anhalten der Erzeugung des In-Situ-Plasmas gestoppt.
  • Die entfernte Plasmaquelle 24 ist als mit der Kammerwand 12 verbunden dargestellt. Die entfernte Plasmaquelle 24 kann an einem anderen Ort um die Ätzkammer 10 herum angeordnet sein. Der Eingang zwischen der entfernten Plasmaquelle 24 und dem Inneren der Kammer 10 muss groß genug sein, so dass eine ausreichende Anzahl von Wasserstoffradikalen, die in der entfernten Plasmaquelle 24 erzeugt wurden, von der entfernten Plasmaquelle 24 in das Innere der Kammer 10 fließen kann, ohne verloren zu gehen. Die entfernte Plasmaquelle 24 kann entweder eine Mikrowellen- oder eine induktive Endladung oder eine andere hochdichte dissoziierte entfernte Quelle verwenden. Ein Beispiel einer solchen entfernten Quelle ist eine ASTRON von ASTeX aus Woburn, Massachusetts. Sauerstoff wird an die entfernte Plasmaquelle 24 von der Ablösegasquelle 25 geliefert. Die entfernte Plasmaquelle 24 dissoziiert den Sauerstoff, indem sie Sauerstoffradikale erzeugt, die in die Ätzkammer 10 geströmt werden, so dass der Druck in der Kammer zwischen 13 und 133 Pa (100 und 1.000 milliTorr) liegt. Die Sauerstoffradikale reagieren mit der Fotolackmaske 30, um die Fotolackmaske 30 abzulösen (Schritt 204). In dieser Ausführungsform wird der Fluss des Ätzgases von der Ätzgasquelle 20 und der Energie von der Hochfrequenz-Energiequelle 16 angehalten, so dass das Ablösen der Fotolackmaske 30 nur durch die Sauerstoffradikale erreicht wird. In einer anderen Ausführungsform kann das In-Situ-Plasma in Kombination mit dem entfernten Plasma verwendet werden, um für die Ablösung zu sorgen. In einer weiteren Ausführungsform kann als Abscheidegas eine Wasserstoff- und Stickstoffmischung getrennt oder in Kombination mit Sauerstoff verwendet werden.
  • Um den Ablösungsschritt anzuhalten, wird der Fluss des Reaktants von der entfernten Plasmaquelle 24 gestoppt. Der Wafer 26 wird aus der Ätzkammer 10 entfernt (Schritt 206). Um den Polymerrückstand 32 von der Kammerwand 12 zu reinigen, heizt die Kammerwandheizeinrichtung 22 die Kammerwand 12 auf. In einer Ausführungsform wird die Kammerwand auf eine Temperatur von 80°C bis 300°C aufgeheizt. In einer bevorzugteren Ausführungsform wird die Kammerwand auf eine Temperatur von 120°C bis 200°C aufgeheizt. In einer bevorzugtesten Ausführungsform wird die Kammerwand auf eine Temperatur von 150°C aufgeheizt. Der Sauerstoff wird der entfernten Plasmaquelle 24 von der Ablösegasquelle 25 bereitgestellt. Die entfernte Plasmaquelle 24 dissoziiert den Sauerstoff, indem sie Sauerstoffradikale erzeugt, die in die Ätzkammer 10 geströmt werden, so dass der Druck in der Kammer zwischen 13 und 133 Pa (100 und 1.000 milliTorr) beträgt. Die Sauerstoffradikale reagieren mit der aufgeheizten Kammerwand 12, um den Polymerrückstand 32 von der Kammerwand 12 zu reinigen (Schritt 208). In einer weiteren Ausführungsform kann eine Wasserstoff- und Stickstoffmischung getrennt oder in Kombination mit Sauerstoff als eine Plasmaquelle von der entfernten Plasmaquelle verwendet werden. Wenn die Kammerwand 12 in ausreichender Weise gereinigt ist, wird das Plasma aus der entfernten Plasmaquelle 24 angehalten und die Ätzkammer 10 ist bereit für den nächsten Wafer.
  • 3 ist eine schematische Ansicht einer Ätzkammer 40 einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die ein begrenztes Plasma verwendet. Die Ätzkammer 40 weist eine Kammerwand 42, einen elektrostatischen Chuck 40, der mit einer Hochfrequenz (HF) Energiequelle 46 verbunden ist, eine Anode 48, die geerdet ist, eine Ätzgasquelle 50, Begrenzungsringe 52 und eine entfernte Plasmaquelle 54 auf, die mit einer Ablösegasquelle 55 verbunden ist. Der elektrostatische Chuck 44, der als eine Kathode auf dem Boden der Ätzkammer 40 agiert und die Anode 48 am oberen Ende der Ätzkammer 40 werden nahe beieinander angeordnet, um den Plasmabereich auf eine kleine Fläche einzugrenzen. Die Begrenzungsringe 52 umgeben die Seiten des Plasmabereichs, um den Plasmabereich weiter einzugrenzen, wodurch das Plasma in der Nähe in der Mitte der Ätzkammer 40 und weg von der Kammerwand 42 gehalten wird. Die Begrenzungsringe 52 können aus Quarz ausgebildet sein und sind als ringförmige Platten ausgebildet, die mit engen Zwischenräumen zwischen den Begrenzungsringen 52 voneinander beabstandet sind. In diesem Beispiel sind drei Begrenzungsring 52 dargestellt, es können jedoch einer oder mehrere Begrenzungsringe in anderen Ausführungsformen verwendet werden. Die engen Zwischenräume zwischen den Begrenzungsringen 52 halten das Plasma davon ab, die Kammerwand 42 zu erreichen, da die Zwischenräume so klein sind, dass das meiste Plasma, das innerhalb des Zwischenraums gelangt, durch eine Kollision mit einem Begrenzungsring 52 ausgelöscht wird, bevor das Plasma die Kammerwand 42 erreicht.
  • 4 ist ein Flussdiagramm des Betriebs der in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung verwendeten Ätzkammer. Ein Wafer 56 wird auf dem elektrostatischen Chuck 44 innerhalb und in der Nähe des Bodens der Ätzkammer 40 montiert. (Schritt 401). Der Wafer 56 weist eine dielektrische Schicht 58 wie zum Beispiel eine Oxidschicht aus Siliziumoxid oder eine Nitritschicht auf, wobei ein Teil der die elektrische Schicht 58 von einer Fotolackmaske 60 und ein Teil der dielektrischen Schicht nicht von der Fotolackmaske 60 bedeckt ist.
  • Als nächstes ätzt die Ätzkammer 40 den Teil der dielektrischen Schicht 58 weg, der nicht von der Fotolackmaske 60 bedeckt ist (Schritt 402). Dies wird durch Beströmen eines Ätzgases in die Ätzkammer 40 erreicht, so dass der Druck in der Ätzkammer zwischen 20 und 200 milliTorr beträgt. In der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Ätzgas ein Fluorkohlenstoffgas mit einer generischen molekularen Formel aus CYFX und Sauerstoff auf. Die Menge des verwendeten Ätzgases ist im Stand der Technik bekannt. Das Ätzgas wird durch die Ätzgasquelle 50 bereitgestellt, die mit der Ätzkammer 40 verbunden ist. Die Hochfrequenz-Energiequelle 46 stellt ein Hochfrequenzsignal für den elektrostatischen Chuck 44 bereit, der die Hochfrequenzwellen zwischen dem elektrostatischen Chuck 44 und der geerdeten Anode 48 erzeugt, die das Ätzgas erregen. Das erregte Ätzgas dissoziiert zu Ionen, die durch die Hochfrequenzwellen erregt werden, wodurch ein Plasma innerhalb der Kammer erzeugt wird und den Wafer 56 umgibt. Da der Wafer sich innerhalb des Plasmas befindet, werden die Teile der dielektrischen Schicht, die nicht durch die Fotolackmaske 60 bedeckt sind, weggeätzt. Da der elektrostatische Chuck 44 die Energiequelle 46, die Anode 48 und die Ätzgasquelle 50 das Plasma um den Wafer herum bilden und aufrechterhalten, stellen diese Komponenten ein In-Situ-Plasma bereit. Als ein Ergebnis des Ätzprozesses bildet sich ein Polymerrückstand 62, gebildet aus der Fotolackmaske 60 und dem Fluorkohlenstoff-Ätzgas, auf den Begrenzungsringen 52. Wenn die dielektrische Schicht 58 in ausreichendem Maße geätzt ist, wird der Ätzschritt (Schritt 402) durch Anhalten des Erzeugens des In-Situ-Plasmas gestoppt.
  • Die entfernte Plasmaquelle 54 ist als mit der Ätzkammerwand 40 über die Anode 48 verbunden dargestellt. Der Eingang zwischen der entfernten Plasmaquelle 54 und dem Inneren der Kammer 40 muss ausreichend groß sein, so dass eine ausreichende Anzahl von Sauerstoffradikalen, die in der entfernten Plasmaquelle 54 erzeugt wurden, von der entfernten Plasmaquelle 54 in das Innere der Kammer 44 gelangen kann, ohne verloren zu gehen. Die entfernte Plasmaquelle 54 kann entweder eine Mikrowellen- oder eine induktive Endladung oder eine andere hochdichte dissoziative entfernte Quelle verwenden. Ein Beispiel einer derartigen entfernten Quelle ist eine ASTRON von ASTeX aus Woburn, Massachusetts. Der Sauerstoff wird an die entfernte Plasmaquelle 54 von der Ablösegasquelle 55 geliefert. Die entfernte Plasmaquelle 54 dissoziiert Sauerstoff, indem sie Sauerstoffradikale erzeugt, die in die Ätzkammer 40 geströmt werden, so dass der Druck in der Kammer zwischen 13 und 133 Pa (100 und 1.000 milliTorr) beträgt. Die Sauerstoffradikale reagieren mit der Fotolackmaske 60 um die Fotolackmaske 60 abzulösen (Schritt 404). In der bevorzugten Ausführungsform wird der Zustrom des Ätzgases von der Ätzgasquelle 50 und von Energie von der Hochfrequenz-Energiequelle 46 weitergeführt, so dass das Ablösen der Fotolackmaske 60 durch die Sauerstoffradikale von der entfernten Plasmaquelle 54 und dem In-Situ-Plasma erreicht wird. In einer weiteren Ausführungsform kann eine Wasserstoff- und Stickstoffmischung getrennt oder in Kombination mit Sauerstoff als eine Plasmaquelle von der entfernten Plasmaquelle verwendet werden. Um den Ablöseschritt anzuhalten, werden der Zustrom der Reaktante von der entfernten Plasmaquelle 54 und die das In-Situ-Plasma gestoppt.
  • Der Wafer 56 wird aus der Ätzkammer 40 entfernt (Schritt 406). Um den Polymerrückstand 62 von den Begrenzungsringen 52 zu reinigen, wird ein Sauerstoff- oder Stickstoff-/Wasserstoff-Ätzgas in die Ätzkammer 40 geströmt, so dass der Druck in der Kammer zwischen 13 und 133 Pa (100 und 1.000 milliTorr) beträgt. Die Menge des verwendeten Ätzgases ist im Stand der Technik bekannt. Die Hochfrequenz-Energiequelle 46 liefert ein Hochfrequenzsignal an den elektrostatischen Chuck 44, das Hochfrequenzwellen zwischen dem elektrostatischen Chuck 44 und der geerdeten Anode 48 erzeugt, die das Ätzgas erregen. Das erregte Ätzgas dissoziiert zu Ionen, die durch die Hochfrequenzwelle erregt werden, indem sie ein Plasma innerhalb der Kammer erzeugen und das den Wafer 56 umgibt. Da das In-Situ-Plasma auf einen kleinen Bereich durch den elektrostatischen Chuck 44, die Anode 48 und die Begrenzungsring 52 eingegrenzt ist, ist das In-Situ-Plasma dicht und energetisch genug, um den Polymerrückstand 62 von den Begrenzungsringen 52 zu entfernen. Wenn die Begrenzungsringe 52 in ausreichendem Maße gereinigt sind, wird das In-Situ-Plasma gestoppt und die Ätzkammer 40 ist bereit für den nächsten Wafer.

Claims (7)

  1. Vorrichtung zum Ätzen einer dielektrischen Schicht, die auf einem Substrat angeordnet ist, mit: einer Kammer (40) zum Ätzen eines dielektrischen Materials, wobei die Kammer aufweist: eine Kammerwand (42); eine Mehrzahl von Begrenzungsringen (52) innerhalb der Kammerwand, die einen Plasmabereich umgeben; eine Ätzgasquelle (50), um ein Ätzgas innerhalb der Kammerwand bereitzustellen; eine In-Situ-Plasmavorrichtung (46) zum Erregen des Ätzgases in ein In-Situ-Plasma; und eine entfernte Plasmaquelle, die mit der Kammer verbunden ist, um dem Innenraum der Kammer eine Reaktantart zuzuführen, wobei die Begrenzungsringe voneinander beabstandet sind und die Begrenzungsringe den Plasmabereich weg von der Kammerwand begrenzen.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Begrenzungsringe von der Kammerwand beabstandet sind.
  3. Verfahren zum Ätzen mindestens teilweise durch eine dielektrische Schicht, die auf einem Substrat angeordnet ist, wobei ein Teil der dielektrischen Schicht unterhalb einer Ätzmaske angeordnet ist; und wobei ein Teil der dielektrischen Schicht nicht unterhalb der Ätzmaske angeordnet ist, das die folgenden Schritte aufweist: Anordnen des Substrats in der Kammer einer Vorrichtung nach Anspruch 1; und Einströmen eines Ätzgases in die Ätzkammer; Erzeugen eines In-Situ-Plasmas aus dem Ätzgas in der Ätzkammer; Wegätzen von Teilen der dielektrischen Schicht, die nicht unterhalb der Ätzmaske angeordnet sind; Erzeugen eines entfernten Plasmas in der entfernten Plasmaquelle; Einströmen des entfernten Plasmas in die Kammer; Ablösen der Ätzmaske, während das Substrat sich in der Kammer befindet; Entfernen des Substrats aus der Ätzkammer; und Säubern der Ätzkammer, nachdem das Substrat aus der Ätzkammer entfernt wurde, wobei das Säubern aufweist: Erzeugen eines In-Situ-Plasmas aus einem Ätzmittel, das durch die Begrenzungsringe auf einen Plasmabereich eingegrenzt ist; Verwenden des In-Situ-Plasmas, um den Rückstand von den Begrenzungsringen zu entfernen.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Ätzgas zum Ätzen des Dielektrikums Sauerstoff und ein Fluorkohlenwasserstoff ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, das des Weiteren den Schritt des Anhaltens des Flusses von Ätzgas in die Kammer vor dem Schritt des Einströmens des entfernten Plasmas in die Kammer umfasst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 5, wobei das entfernte Plasma, das in der entfernten Plasmaquelle erzeugt wird, aus einem Gas ist, das entweder Sauerstoff, Stickstoff oder Wasserstoff ist.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 6, wobei das entfernte Plasma zum Ablösen aus Sauerstoff und/oder einer Mischung aus Wasserstoff und Stickstoff erzeugt wird.
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