KR100787019B1 - 하향 플라즈마를 이용한 유전체 에칭의 향상된 레지스트스트립 - Google Patents
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Abstract
유전체 에칭, 에칭 마스크 스트리핑, 그리고 에칭 챔버 클리닝을 실행하기 위한 방법 및 장치가 공개된다. 에칭 챔버 내에 웨이퍼가 놓인다. 에칭 챔버 내 인 시츄 플라즈마 장치에 의해 발생되는 인 시츄 플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 유전체 에칭이 실행된다. 에칭 챔버에 연결된 원격 플라즈마 장치에서 발생된 원격 플라즈마를 이용하여 에칭 마스크가 박리된다. 에칭 챔버로부터 웨이퍼가 제거되고, 에칭 챔버 클리닝을 위해 인 시츄 플라즈마가 사용될 수도 있고 원격 플라즈마가 사용될 수도 있다. 제한 링을 이용하지 않는 에칭 챔버에서, 개선된 클리닝을 제공하기 위해 에칭 챔버 벽을 가열하는 데 히터가 사용될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 디바이스의 제작에 관한 것으로서, 특히, 유전체 에칭과 레지스트 스트리핑을 위한 개선된 기술에 관한 것이다.
어떤 타입의 반도체 디바이스의 제작시, 플라즈마 에칭 시스템을 이용하여 유전체층이 에칭될 수도 있다. 이러한 플라즈마 에칭 시스템은 유도식/ECR 시스템같은 고밀도 플라즈마 시스템일 수도 있고, 축전식 시스템같은 중밀도 플라즈마 시스템일 수도 있다. 고밀도 플라즈마 에처(etchers)는 기체를 잘 해리시켜서, 챔버에 산소를 제공함으로써 챔버 벽을 청결하게 한다. 이 클리닝 과정은 플라즈마에 의해 발생되는 열, 플라즈마에 의해 발생되는 자외선 방사, 그리고 플라즈마에 의해 생기는 다량의 해리에 의한 것이다.
축전식 플라즈마 시스템같은 중밀도 플라즈마 에칭 시스템은 산화물 에칭에 사용될 수 있다. 이러한 중밀도 플라즈마 에칭 시스템에서, 화학물질을 형성하는 폴리머가 통상적으로 사용된다. 이러한 중밀도 플라즈마 에칭 시스템은 통상적으로 폴리머 증착물을 챔버 벽에 형성시킨다. 이러한 시스템은 폴리머 증착물을 챔버 벽에 형성시킨 다음, 폴리머 증착물 제거를 위해 습식 클리닝된다. 습식 클리닝은 중밀도 플라즈마 시스템에서 이루어지는 것이 통상적이다. 왜냐하면, 이러한 시스템은 충분한 해리를 가지지 않으며, 만족스런 폴리머 클리닝 실행을 위해 벽과 접촉하는 충분한 플라즈마 에너지를 제공하지 않는다. 챔버 벽이 부분적으로만 클리닝되고 폴리머가 만족스럽게 제거되지 않을 경우, 새 폴리머가 챔버 벽에 충분히 달라붙지 못하여 입자를 형성할 수도 있고, 이는 오염의 추가적 원인이 될 수 있다.
렌쯔(Lenz) 외 다수 명의의 1996년 7월 9일 자 미국특허 제 5,534,751 호("Plasma Etching Apparatus Utilizing Plasma Confinement")에 공개되는 디바이스들처럼 플라즈마 제한을 이용하는 플라즈마 에칭 시스템은 일반적으로 플라즈마를, 제한 영역 내의 플라즈마를 챔버 벽으로부터 떨어지게 유지하는 제한 링(confinement ring) 내로 제한한다. 플라즈마를 제한영역 내에 유지하는 것은 제한 링을 클리닝하기 위해 제한 링에 인접한 충분한 온도와 밀도의 플라즈마를 제공한다.
CVD 챔버를 클리닝하는 데 통상적으로 사용되는, 원격 플라즈마 소스 (remote plasma source)가 CVD 장치에 제공되는 것이 공지되어 있다. 통상적으로 이러한 플라즈마 장치는 플루오르 화학물질을 이용한다. 이러한 CVD 장치는 증기 증착에 사용된다.
원격 플라즈마 소스를 스트립 챔버에서 사용하는 것이 공지되어 있고, 이는 에칭 마스크를 박리시키기 위해 원격으로 발생된 플라즈마를 이용한다.
앞서로부터, 챔버 벽을 만족스럽게 클리닝하기엔 불충분한 밀도의 플라즈마가 중밀도 플라즈마 시스템에 의해 발생되는 중밀도 플라즈마 시스템에서, 챔버 벽의 충분한 클리닝을 위한 플라즈마 제공 수단을 제공하는 것이 바람직하다.
발명은 한 실시예에서, 플라즈마 시스템의 클리닝을 제공하면서 에칭 시스템 내에서 스트리핑을 할 수 있도록 추가적 원격 플라즈마 소스를 갖춘 중밀도 유전체 플라즈마 에칭 시스템에 관한 것이다.
발명은 두번째 실시예에서, 챔버 벽을 클리닝할 수 있도록 챔버 벽을 가열하기 위한 히터와, 추가적인 원격 플라즈마 소스를 갖춘 중밀도 플라즈마 시스템에 관한 것이다.
발명은 세 번째 실시예에서, 인 시츄(in situ) 스트리핑의 속도를 증가시키기 위해 추가적 원격 플라즈마 소스를 갖춘 제한된 중밀도 플라즈마 시스템에 관련된다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들은 다음의 도면과 함께 발명의 상세한 설명에서 하기 더욱 자세히 설명될 것이다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들은 다음의 도면과 함께 발명의 상세한 설명에서 하기 더욱 자세히 설명될 것이다.
도 1은 에칭 챔버의 도식적 도면.
도 2는 도 1에 도시되는 에칭 챔버를 이용한 공정의 순서도.
도 3은 또다른 에칭 챔버의 도식적 도면.
도 4는 도 3에 도시되는 에칭 챔버를 이용한 공정의 순서도.
본 발명은 동종의 참조 부호는 유사한 요소를 인용하는 참조 도면과 함께, 한정적 목적으로서가 아니고 예시적인 목적으로서 설명될 것이다.
이제 본 발명은 참조 도면에 예시된 몇몇 선호되는 실시형태를 참조하여 상세히 설명될 것이다. 하기 설명에서, 많은 구체적인 상세는 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 이들 구체적인 상세의 일부나 전부가 없이도 본 발명이 실행될 수도 있다는 것은 당업자에게 자명할 것이다. 다른 면에서는, 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 하기 위해 공지의 공정 단계 및/또는 구조는 자세히 설명하지 않았다.
설명을 돕기 위해, 도 1은 발명의 선호되는 실시예에 따른 에칭 챔버(10)의 도식적 도면이다. 에칭 챔버(10)는 접지된 챔버 벽(12), 고주파 에너지 소스(16)에 연결된 정전 척(electrostatic chuck ; 14), 에천트 가스 소스(20)에 연결된 에칭 챔버(10) 꼭대기의 에천트 가스 분산 시스템(18), 챔버벽(12)을 둘러싸고 이에 인접한 히터(22), 그리고 스트리핑 가스 소스(25)에 연결된 원격 플라즈마 소스(24)를 포함한다. 챔버 벽(12)은 산화 알루미늄이나 전도성 세라믹일 수 있다.
이제 본 발명은 참조 도면에 예시된 몇몇 선호되는 실시형태를 참조하여 상세히 설명될 것이다. 하기 설명에서, 많은 구체적인 상세는 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 이들 구체적인 상세의 일부나 전부가 없이도 본 발명이 실행될 수도 있다는 것은 당업자에게 자명할 것이다. 다른 면에서는, 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 하기 위해 공지의 공정 단계 및/또는 구조는 자세히 설명하지 않았다.
설명을 돕기 위해, 도 1은 발명의 선호되는 실시예에 따른 에칭 챔버(10)의 도식적 도면이다. 에칭 챔버(10)는 접지된 챔버 벽(12), 고주파 에너지 소스(16)에 연결된 정전 척(electrostatic chuck ; 14), 에천트 가스 소스(20)에 연결된 에칭 챔버(10) 꼭대기의 에천트 가스 분산 시스템(18), 챔버벽(12)을 둘러싸고 이에 인접한 히터(22), 그리고 스트리핑 가스 소스(25)에 연결된 원격 플라즈마 소스(24)를 포함한다. 챔버 벽(12)은 산화 알루미늄이나 전도성 세라믹일 수 있다.
도 2는 발명의 선호되는 실시예에 사용되는 에칭 챔버의 동작에 대한 순서도이다. 에칭 챔버(10)의 내부와 하부근처 정전 척(14) 위에 웨이퍼(26)가 장착된다(단계 201). 웨이퍼(26)는 질화물층이나 산화규소의 산화물층같은 유전체층(28)을 가지며, 유전체층(28)이 일부는 레지스터 마스크(30)로 덮히고 유전체층(28) 일부는 레지스트 마스크(30)로 덮히지 않는다.
그후 에칭 챔버(10)는 레지스트 마스크(30)로 덮히지 않은 유전체층(28) 부분을 에칭하여 제거한다(단계 202). 이는 에칭 챔버(10)에 에천트 가스를 유입시킴으로써 이루어지며, 이때 에칭 챔버 내의 압력은 20~200 밀리토르 사이이다. 발명의 선호되는 실시예에서, 에천트 가스는 CyFx의 분자식을 가진 플루오르화탄소 기체와 산소를 포함한다. 사용되는 에천트 가스의 양은 당 분야에 공지되어 있다. 에천트 가스는 에칭 챔버(10) 꼭대기의 에천트 가스 분산 시스템(18)을 통해 에천트 가스 소스(20)에 의해 제공된다. 고주파 에너지 소스(16)는 정전 척(14)에 고주파 신호를 제공하고, 이는 정전 척(14)과 접지된 챔버벽(12) 간에 고주파를 발생시켜서, 챔버벽(12)을 양극으로, 정전 척(14)을 음극으로 하여 에천트 가스를 여기시킨다. 여기된 에천트 가스는 고주파에 의해 여기되는 이온으로 해리되고, 웨이퍼(26) 주변과 챔버 내에 플라즈마를 생성한다. 웨이퍼가 플라즈마 내에 있기 때문에, 레지스터 마스크(30)로 덮히지 않은 유전체층(28) 부분은 에칭되어 없어진다. 챔버 벽(12), 정전척(14), 에너지 소스(16), 에천트 가스 분산 시스템(18), 그리고 에천트 가스 소스(20)가 웨이퍼 주변에 플라즈마를 형성하고 이를 지속시키기 때문에, 이 성분들은 인 시츄 플라즈마(in situ plasma)를 제공한다. 에칭 공정의 결과, 플루오르화탄소 에천트 가스와 레지스트 마스크(30)로부터 형성되는 폴리머 잔류물(32)이 챔버벽(12)에 형성된다. 유전체층(28)이 충분히 에칭되었을 때, 인 시츄 플라즈마의 발생을 중단시킴으로서 에칭 단계(단계 202)가 정지된다.
챔버벽(12)에 연결된 원격 플라즈마 소스(24)가 도시된다. 원격 플라즈마 소스(24)는 에칭 챔버(10) 주변의 또다른 위치에 놓일 수 있다. 원격 플라즈마 소스(24)와 챔버(10) 내부간 통로는 충분히 커서, 원격 플라즈마 소스(24)에 생성된 충분한 수의 산소 라디칼이 손실없이 원격 플라즈마 소스(24)로부터 챔버(10) 내부로 전달될 수 있어야 한다. 원격 플라즈마 소스(24)는 마이크로파나 유도식 방전, 또는 그 외 다른 고밀도 해리 원격 소스를 이용할 수도 있다. 이러한 원격 소스의 예로는 미국 매사츄세츠, 우번(Woburn) 소재 아스텍스(ASTeX)사의 애스트론(ASTRON)을 들 수 있다. 스트리핑 가스 소스(25)로부터 원격 플라즈마 소스(24)에 산소가 제공된다. 원격 플라즈마 소스(24)는 산소를 해리시켜 산소 라디칼을 생성하고, 해리된 산소 라디칼이 에칭 챔버(10) 내로 흘러들어와, 챔버 내의 압력이 100~1000 밀리토르 사이가 된다. 산소 라디칼은 레지스트 마스크(30)와 반응하여 레지스트 마스크(30)를 박리시킨다(단계 204). 선호되는 실시예에서, 에칭 가스 소스(20)로부터 에칭 가스의 흐름과 고주파 에너지 소스(16)로부터의 전력이 중단되어서, 레지스트 마스크(30)를 박리시키는 것이 산소 라디칼에 의해서만 이루어진다. 또다른 실시예에서, 스트리핑을 제공하기 위해 인 시츄 플라즈마가 원격 플라즈마와 조합되어 사용될 수 있다. 또다른 실시예에서, 스트리핑 가스를 위해, 수소 및 질소 혼합물이 별도로 사용될 수도 있고, 산소와 조합하여 사용될 수도 있다.
스트리핑 단계를 중단시키기 위해, 원격 플라즈마 소스(24)로부터 반응물질의 흐름이 정지된다. 에칭 챔버(10)로부터 웨이퍼(26)가 제거된다(단계 206). 챔버 벽(12)으로부터 폴리머 잔류물(32)을 클리닝하기 위해, 챔버벽 히터(22)가 챔버벽(12)을 가열한다. 선호되는 실시예에서, 챔버벽은 섭씨 80~300도로 가열된다. 보다 선호되는 실시예에서, 챔버벽은 섭씨 120~200도로 가열된다. 가장 선호되는 실시예에서, 챔버벽은 섭씨 150도로 가열된다. 스트리핑 가스 소스(25)로부터 원격 플라즈마 소스(24)에 산소가 제공된다. 원격 플라즈마 소스(24)는 산소를 해리시켜 산소 라디칼을 생성시키고, 이 산소 라디칼이 에칭 챔버(10) 내로 흘러들어가, 챔버 내 압력이 100~1000 밀리토르가 된다. 산소 라디칼은 가열된 챔버벽(12)과 반응하여, 챔버벽(12)으로부터 폴리머 잔류물(32)을 클리닝해낸다(단계 208). 또다른 실시예에서, 원격 플라즈마 소스로부터의 플라즈마 소스로 수소 및 질소 혼합물이 별도로 사용될 수도 있고, 산소와 조합하여 사용될 수도 있다. 챔버벽(12)이 충분히 깨끗해지면, 원격 플라즈마 소스(24)로부터의 플라즈마가 중단되고, 에칭 챔버(10)는 다음 웨이퍼를 받아들이게 된다.
도 3은 제한된 플라즈마를 이용하는 발명의 또다른 선호되는 실시예의 에칭 챔버(40) 도면이다. 에칭 챔버(40)는 챔버벽(42), 고주파 에너지 소스(46)에 연결되는 정전척(44), 접지된 양극(48), 에천트 가스 소스(50), 제한 링(52), 그리고 스트리핑 가스 소스(55)에 연결된 원격 플라즈마 소스(54)를 포함한다. 에칭 챔버(40) 하부에서 음극으로 작용하는 정전척(44)과, 에칭 챔버(40) 상부의 양극(48)은 플라즈마 영역을 작은 구역으로 한정하기 위해 서로 가깝게 놓인다. 제한 링(52)은 플라즈마 영역의 변들을 둘러싸서 플라즈마 영역을 추가적으로 한정하고, 에칭 챔버(40)의 중심 근처로 플라즈마를 유지하고 챔버 벽(42) 으로부터 떨어지게 유지한다. 제한 링(52)은 쿼츠(quartz) 재질로서, 제한 링(52)간 좁은 간격으로 이격된 링형태의 판들로 형성된다. 본 예에서는 세 개의 제한 링(52)이 도시되지만, 한개 이상의 제한 링들이 타실시예에서 사용될 수 있다. 제한 링(52)간 좁은 간격은 챔버벽(42)에 플라즈마가 닿는 것을 방지한다. 왜냐하면, 그 간격이 매우 작아서, 간격 내를 통과하는 대부분의 플라즈마가 챔버벽(42)에 닿기 전에 제한 링(52)과의 충돌에 의해 소멸되기 때문이다.
도 4는 선호되는 실시예에 사용되는 에칭 챔버 동작의 순서도이다. 에칭 챔버(40)의 내부와 하부 근처 정전 척(44)에 웨이퍼(56)가 장착된다(단계 401). 웨이퍼(56)는 질화물층이나 산화규소의 산화물층같은 유전체층(58)을 가지며, 유전체층(58) 일부는 레지스트 마스크(60)로 덮히고 일부는 레지스트 마스크(60)로 덮히지 않는다.
그후 에칭 챔버(40)는 레지스터 마스크(60)로 덮히지 않는 유전체층(58) 부분을 에칭하여 제거한다(단계 402). 이는 에천트 가스를 에칭 챔버(40) 내로 흐르게함으로서 달성되며, 그래서 에칭 챔버 내 압력이 20~200 밀리토르가 된다. 선호되는 실시예에서, 에천트 가스는 CyFx의 분자식을 가진 플루오르화탄소 기체와 산소를 포함한다. 사용되는 에천트 가스의 양은 당 분야에 공지되어 있다. 에천트 가스는 에칭 챔버(40)에 연결된 에천트 가스 소스(50)에 의해 제공된다. 고주파 에너지 소스(46)는 정전 척(44)에 고주파 신호를 제공하고, 이는 정전 척(44)과 접지된 양극(48)간에 고주파를 발생시켜서, 에천트 가스를 여기시킨다. 여기된 에천트 가스는 이온으로 해리되고, 웨이퍼(56) 주변과 챔버 내에 플라즈마를 생성한다. 웨이퍼가 플라즈마 내에 있기 때문에, 레지스터 마스크(60)로 덮히지 않은 유전체층(58) 부분은 에칭되어 없어진다. 정전척(44), 에너지 소스(46), 양극(48), 그리고 에천트 가스 소스(50)가 웨이퍼 주변에 플라즈마를 형성하고 이를 지속시키기 때문에, 이 성분들은 인 시츄 플라즈마를 제공한다. 에칭 공정의 결과, 플루오르화탄소 에천트 가스와 레지스트 마스크(60)로부터 형성되는 폴리머 잔류물(62)이 제한 링(52)에 형성된다. 유전체층(58)이 충분히 에칭되었을 때, 인 시츄 플라즈마의 발생을 중단시킴으로서 에칭 단계(단계 402)가 정지된다.
양극(48)을 통해 에칭 챔버 벽(42)에 연결된 원격 플라즈마 소스(54)가 도시된다. 원격 플라즈마 소스(54)에 생성된 충분한 수의 산소 라디칼이 손실 없이 원격 플라즈마 소스(54)로부터 챔버(40) 내부로 전달될 수 있도록 원격 플라즈마 소스(54)와 챔버(40) 내부간 통로는 충분히 커야 한다. 원격 플라즈마 소스(54)는 마이크로파나 유도식 방전, 또는 그 외 다른 고밀도 해리 원격 소스를 이용할 수도 있다. 이러한 원격 소스의 예로는 미국 매사츄세츠, 우번(Woburn) 소재 아스텍스(ASTeX)사의 애스트론(ASTRON)을 들 수 있다. 스트리핑 가스 소스(55)로부터 원격 플라즈마 소스(54)에 산소가 제공된다. 원격 플라즈마 소스(54)는 산소를 해리시켜 산소 라디칼을 생성하고, 해리된 산소 라디칼이 에칭 챔버(40) 내로 유입되어, 챔버 내의 압력이 100~1000 밀리토르 사이가 된다. 산소 라디칼은 레지스트 마스크(60)와 반응하여 레지스트 마스크(60)를 박리시킨다(단계 404). 선호되는 실시예에서, 에칭 가스 소스(50)로부터 에칭 가스의 흐름과 고주파 에너지 소스(46)로부터의 전력이 계속되어서, 레지스트 마스크(60)를 스트리핑시키는 것이 원격 플라즈마 소스(54)와 인 시츄 플라즈마로부터의 산소 라디칼에 의해 이루어진다. 또다른 실시형태에서, 원격 플라즈마 소스로부터의 플라즈마 소스로 수소 및 질소 혼합물이 별도로 사용될 수도 있고, 산소와 조합하여 사용될 수도 있다. 스트리핑 과정을 중단시키기 위해, 원격 플라즈마 소스(54)와 인 시츄 플라즈마로부터 반응물질의 흐름이 정지된다.
에칭 챔버(40)로부터 웨이퍼(56)가 제거된다(단계 406). 제한 링(52)으로부터 폴리머 잔류물(62)을 클리닝하기 위해, 산소나 질소/수소 에천트 가스가 에칭 챔버(40) 내로 흘러들어와 챔버 내 압력이 100~1000 밀리토르 사이가 된다. 사용되는 에천트 가스의 양은 당 분야에 공지되어 있다. 고주파 에너지 소스(46)는 정전 척(44)에 고주파 신호를 제공하고, 이는 정전 척(44)과 접지된 양극(48)간에 고주파 파동을 생성하여서 에천트 가스를 여기시킨다. 여기된 에천트 가스는 이온으로 해리되고 고주파 파동에 의해 여기되어, 챔버 내부와 웨이퍼(56) 주변에 플라즈마를 생성한다. 정전척(44), 양극(48), 그리고 제한 링(52)에 의한 작은 영역으로 인 시츄 플라즈마가 제한되기 때문에, 제한 링(52)으로부터 폴리머 잔류물(62)을 클리닝해내기 충분할 정도로 인 시츄 플라즈마의 밀도가 높고 플라즈마의 에너지가 크다. 제한 링(52)이 충분히 깨끗해지면, 인 시츄 플라즈마가 정지되고 에칭 챔버(40)는 다음 웨이퍼를 받아들이게 된다.
또다른 실시예에서, 제한된 플라즈마 없이 에칭 챔버 내에서 클리닝하거나, 제한된 플라즈마로 에칭 챔버 내를 클리닝하기 위해, 인 시츄 플라즈마와 원격 플라즈마가 모두 이용된다.
본 발명은 몇몇 선호되는 실시형태의 용어로 설명되었지만, 변형물, 치환물, 및 균등물이 있고, 이는 본 발명의 범위 내이다. 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 다른 방식이 존재한다. 따라서, 하기 청구항은 그러한 모든 변형물, 치환물, 및 균등물이 본 발명의 정신과 범위 내이도록 해석되어져야 할 것이다.
본 발명은 몇몇 선호되는 실시형태의 용어로 설명되었지만, 변형물, 치환물, 및 균등물이 있고, 이는 본 발명의 범위 내이다. 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 다른 방식이 존재한다. 따라서, 하기 청구항은 그러한 모든 변형물, 치환물, 및 균등물이 본 발명의 정신과 범위 내이도록 해석되어져야 할 것이다.
Claims (17)
- 기판 상에 배치되는 유전체층을 에칭하기 위한 장치로서,챔버 벽; 상기 챔버 벽을 80도 이상의 온도로 가열하기 위한 히터; 상기 챔버 벽 내부에 에천트 가스를 제공하기 위한 에천트 가스 소스; 플라즈마 영역을 둘러싸는, 상기 챔버 벽 내부의 복수의 제한 링으로서, 서로 이격되어 있고, 상기 챔버 벽으로부터 떨어져 상기 플라즈마 영역을 제한하는, 상기 복수의 제한 링; 및 상기 에천트 가스를 인 시츄 (in situ) 플라즈마로 여기시키기 위한 인 시츄 플라즈마 장치를 포함하는 유전체 에칭 챔버; 및상기 유전체 에칭 챔버 내부에 반응물질을 제공하기 위해 상기 유전체 챔버에 연결되는 원격 플라즈마 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 에천트 가스는 플루오르화탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 에천트 가스는 산소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 원격 플라즈마 소스는,원격 플라즈마 가스 소스; 및상기 가스를 상기 원격 플라즈마 가스 소스로부터 플로즈마로 여기시키는 원격 플라즈마 활성화 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 원격 플라즈마 가스 소스로부터의 가스는 산소, 질소, 및 수소로 구성되는 그룹으로부터인 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 히터는 상기 챔버 벽을 80도-300도의 온도로 가열하기 위한 히터인 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 히터는 상기 챔버 벽을 120도-200도의 온도로 가열하기 위한 히터인 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 히터는 상기 챔버 벽을 150도의 온도로 가열하기 위한 히터인 것을 특징으로 하는 유전체층 에칭 장치.
- 유전체층의 일부가 에칭 마스크 아래 배치되고 상기 유전체층의 일부가 에칭 마스크 아래 배치되지 않은, 기판 상에 배치된 상기 유전체층을 통해 적어도 부분적으로 에칭하기 위한 방법으로서,상기 기판을 에칭 챔버 내에 위치시키는 단계;상기 에칭 챔버 내로 에천트 가스를 유입하는 단계;상기 에칭 챔버에서 상기 에천트 가스로부터 인 시츄 플라즈마를 생성하는 단계;상기 에칭 마스크 아래 배치되지 않는 상기 유전체층의 일부를 에칭하여 제거하는 단계;원격 플라즈마 소스에서 원격 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 원격 플라즈마를 상기 에칭 챔버에 유입하는 단계;상기 기판이 상기 에칭 챔버에 있을 때 상기 에칭 마스크를 박리시키기 위해 상기 원격 플라즈마를 사용하는 단계; 및상기 에칭 챔버로부터 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 에칭 챔버로부터 상기 기판을 제거하는 단계 이후에 상기 에칭 챔버를 클리닝하기 위해 플라즈마를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 에천트 가스는 산소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 원격 플라즈마를 상기 에칭 챔버 내로 유입하는 단계 이전에 상기 에칭 챔버로의 에천트 가스의 흐름을 중단시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 원격 플라즈마 소스에서 발생된 상기 원격 플라즈마는 산소, 질소, 및 수소로 구성되는 그룹의 가스로부터인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 에칭 챔버에 플라즈마 클리닝을 제공하는 단계는 에칭 챔버 벽을 80도 이상으로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 에칭 챔버에 플라즈마 클리닝을 제공하는 단계는,상기 원격 플라즈마 소스에서 원격 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 원격 플라즈마를 상기 에칭 챔버 내로 유입하는 단계; 및상기 가열된 챔버 벽으로부터 잔류물을 제거하기 위해 상기 원격 플라즈마를 사용하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 12 항에 있어서,제한 링 내에 상기 플라즈마를 제한시키는 단계를 추가로 포함하고,상기 에칭 챔버에 플라즈마 클리닝을 제공하는 단계는,상기 에천트 가스를 상기 에칭 챔버 내로 유입하는 단계;상기 에칭 챔버에서 상기 에천트 가스로부터 인 시츄 플라즈마를 생성하는 단계; 및상기 제한 링으로부터 잔류물을 제거하기 위해 상기 에천트 가스로부터의 상기 인 시츄 플라즈마를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 에칭 챔버에 플라즈마 클리닝을 제공하는 단계는,에칭 챔버 벽을 80도 이상의 온도로 가열하는 단계;상기 원격 플라즈마 소스에서 원격 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 원격 플라즈마를 상기 에칭 챔버 내로 유입하는 단계; 및상기 가열된 챔버 벽으로부터 잔류물을 제거하기 위해 상기 원격 플라즈마를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
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