JP2555062B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2555062B2 JP2555062B2 JP62086862A JP8686287A JP2555062B2 JP 2555062 B2 JP2555062 B2 JP 2555062B2 JP 62086862 A JP62086862 A JP 62086862A JP 8686287 A JP8686287 A JP 8686287A JP 2555062 B2 JP2555062 B2 JP 2555062B2
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- Japan
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- reaction chamber
- plasma processing
- quartz glass
- side wall
- counter electrodes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマ処理装置の係り、特にプラズマ処理
時に生じる反応生成物の反応室内壁への付着を低減する
のに好適なプラズマ処理装置に関するものである。
時に生じる反応生成物の反応室内壁への付着を低減する
のに好適なプラズマ処理装置に関するものである。
従来の装置は、特公昭60−56431号に記載のように、
チャンバーの壁自体の内部に加熱機構を配設するように
なっていた。
チャンバーの壁自体の内部に加熱機構を配設するように
なっていた。
上記従来技術は、チャンバーの壁自体の内部に加熱機
構を設けることに対する製作上の難しさの点について配
慮がされておらず、製作が複雑になるという問題があっ
た。
構を設けることに対する製作上の難しさの点について配
慮がされておらず、製作が複雑になるという問題があっ
た。
本発明の目的は、簡単な構成で反応室内壁を加熱でき
る構造とし、プラズマ処理時に生じる反応生成物の付着
を低減するとともにプラズマ洗浄の洗浄時間を短縮する
ことのできるプラズマ処理装置を提供することにある。
る構造とし、プラズマ処理時に生じる反応生成物の付着
を低減するとともにプラズマ洗浄の洗浄時間を短縮する
ことのできるプラズマ処理装置を提供することにある。
上記目的は、対向電極の対向部の外周側壁を石英ガラ
スで形成して上下チャンバー部材と共に反応室を構成
し、石英ガラスの反反応室側の石英ガラスまわりに温度
制御可能な加熱手段を設け、石英ガラスの外周を導電材
料から成る包囲壁と上下チャンバー部材とで取り囲んで
空間部を構成し、空間部に冷却用ガスを供給するガス供
給手段を設けたことにより、達成される。
スで形成して上下チャンバー部材と共に反応室を構成
し、石英ガラスの反反応室側の石英ガラスまわりに温度
制御可能な加熱手段を設け、石英ガラスの外周を導電材
料から成る包囲壁と上下チャンバー部材とで取り囲んで
空間部を構成し、空間部に冷却用ガスを供給するガス供
給手段を設けたことにより、達成される。
石英ガラスの反反応室側の石英ガラスまわりに設置さ
れた温度制御可能な加熱手段により、石英ガラスを加熱
することによって、プラズマ処理時に反応室の側壁内面
に付着する反応生成物の堆積量が低減され、更にプラズ
マ洗浄時に石英製側壁を通して堆積物が加熱され、また
石英製側壁を透過した透過光により電極等も加熱できる
ため洗浄速度が増加することによって、洗浄時間が短縮
される。
れた温度制御可能な加熱手段により、石英ガラスを加熱
することによって、プラズマ処理時に反応室の側壁内面
に付着する反応生成物の堆積量が低減され、更にプラズ
マ洗浄時に石英製側壁を通して堆積物が加熱され、また
石英製側壁を透過した透過光により電極等も加熱できる
ため洗浄速度が増加することによって、洗浄時間が短縮
される。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
第1図は、この場合、平行平板型電極を有したエッチ
ング装置を示す。反応室を構成するチャンバー1内に絶
縁体2を介して電極3および4を設置する。電極3は接
地し、もう一方の電極4には高周波電源5を接続して、
図示しないガス供給装置によって反応性ガスを反応室内
に導入した後、プラズマを発生させエッチングを行う。
ング装置を示す。反応室を構成するチャンバー1内に絶
縁体2を介して電極3および4を設置する。電極3は接
地し、もう一方の電極4には高周波電源5を接続して、
図示しないガス供給装置によって反応性ガスを反応室内
に導入した後、プラズマを発生させエッチングを行う。
電極3,4の対向部の外周付近の反応室は石英ガラスを
用いた石英製側壁6とし、そのまわりに温度制御可能な
加熱手段であるシースヒータ7を設け、石英製側壁6を
加熱可能にしている。これにより、エッチング時に生成
される反応生成物の石英製側壁6に堆積する量が低減
し、またプラズマ洗浄時においても石英製側壁6を通し
て堆積物が加熱されるため洗浄速度が増加する。
用いた石英製側壁6とし、そのまわりに温度制御可能な
加熱手段であるシースヒータ7を設け、石英製側壁6を
加熱可能にしている。これにより、エッチング時に生成
される反応生成物の石英製側壁6に堆積する量が低減
し、またプラズマ洗浄時においても石英製側壁6を通し
て堆積物が加熱されるため洗浄速度が増加する。
なお、反応室はチャンバー1とチャンバー1にOリン
グを介して取り付けた石英製側壁6とで構成される。ま
た、石英製側壁6とシースヒータ7の外周に導電材料か
らなる包囲壁9を設け、反応室内から石英製側壁6を通
り外部へ電磁波がもれるのを防止している。
グを介して取り付けた石英製側壁6とで構成される。ま
た、石英製側壁6とシースヒータ7の外周に導電材料か
らなる包囲壁9を設け、反応室内から石英製側壁6を通
り外部へ電磁波がもれるのを防止している。
また、エッチング時とプラズマ洗浄時において、石英
製側壁6を加熱する設定温度が異なる場合があるため、
ガス導入口10とガス排出口11を包囲壁9に設け、石英製
側壁6と包囲壁9との間の空間に図示しないガス供給手
段により冷却用ガスを流し、加熱された石英製側壁6を
冷却できるようにしている。
製側壁6を加熱する設定温度が異なる場合があるため、
ガス導入口10とガス排出口11を包囲壁9に設け、石英製
側壁6と包囲壁9との間の空間に図示しないガス供給手
段により冷却用ガスを流し、加熱された石英製側壁6を
冷却できるようにしている。
本実施例によれば、石英製側壁6を容易に加熱でき、
エッチング時に生成される反応生成物の石英製側壁6に
堆積する量が低減し、また、プラズマ洗浄においても洗
浄速度を増加させることができるという効果がある。
エッチング時に生成される反応生成物の石英製側壁6に
堆積する量が低減し、また、プラズマ洗浄においても洗
浄速度を増加させることができるという効果がある。
次に、第2の実施例を第2図により説明する。
第1図の実施例においては、石英製側壁6をシースヒ
ータ7により加熱したが、第2図の実施例においては、
石英製側壁6と包囲壁9との間の空間に赤外ランプ12及
び冷却可能な反射板13を設け、これにより石英製側壁6
の加熱を行う。本第2の実施例によれば、先の実施例の
効果に加えて、石英製側壁6を透過した透過光により電
極3,4等も加熱できるので、さらにプラズマ洗浄時の洗
浄速度が増加するという効果がある。
ータ7により加熱したが、第2図の実施例においては、
石英製側壁6と包囲壁9との間の空間に赤外ランプ12及
び冷却可能な反射板13を設け、これにより石英製側壁6
の加熱を行う。本第2の実施例によれば、先の実施例の
効果に加えて、石英製側壁6を透過した透過光により電
極3,4等も加熱できるので、さらにプラズマ洗浄時の洗
浄速度が増加するという効果がある。
なお、本実施例はエッチング装置について述べたがプ
ラズマを利用したCVD装置等にも適用可能である。
ラズマを利用したCVD装置等にも適用可能である。
本発明によれば、簡単な構成で反応室内壁を加熱でき
るので、エッチング時に生じる反応生成物の堆積量を低
減できるとともに、プラズマ洗浄時の洗浄時間を短縮す
ることができるという効果がある。
るので、エッチング時に生じる反応生成物の堆積量を低
減できるとともに、プラズマ洗浄時の洗浄時間を短縮す
ることができるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す縦断面図、第2図は本発明の第2の実施例であるプラ
ズマ処理装置を示す縦断面図である。 1……チャンバー、3,4……電極、 5……高周波電源、6……石英製側壁、 7……シースヒータ、9……包囲壁、 10……ガス導入口、11……ガス排出口、 12……赤外ランプ、13……反射板
す縦断面図、第2図は本発明の第2の実施例であるプラ
ズマ処理装置を示す縦断面図である。 1……チャンバー、3,4……電極、 5……高周波電源、6……石英製側壁、 7……シースヒータ、9……包囲壁、 10……ガス導入口、11……ガス排出口、 12……赤外ランプ、13……反射板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲里 則男 土浦市神立町502番地 株式会社日立製 作所機械研究所内 (72)発明者 中田 博之 高崎市西横手町111番地 株式会社日立 製作所高崎工場内 (56)参考文献 特開 昭57−67173(JP,A) 特開 昭57−53939(JP,A) 特開 昭61−232613(JP,A) 特開 昭62−12129(JP,A) 実開 昭62−245626(JP,U)
Claims (2)
- 【請求項1】反応室と、 該反応室内に設置された一対の対向電極と、 前記反応室に連結された真空排気装置と、 前記反応室内に処理ガスを供給するガス供給装置とから
成り、 前記対向電極の一方に載置された試料を、前記対向電極
間で発生するプラズマを利用して処理するプラズマ処理
装置において、 前記対向電極の対向部の外周側壁を石英ガラスで形成し
て上下チャンバー部材と共に前記反応室を構成し、 前記石英ガラスの反反応室側の石英ガラスまわりに温度
制御可能な加熱手段を設け、 前記石英ガラスの外周を導電材料から成る包囲壁と前記
上下チャンバー部材とで取り囲んで空間部を構成し、 前記空間部に冷却用ガスを供給するガス供給手段を設け
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項において、前記加熱
手段は、シースヒータ等の抵抗加熱手段または、前記空
間部に赤外ランプを設けたことを特徴とするプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62086862A JP2555062B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62086862A JP2555062B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63253629A JPS63253629A (ja) | 1988-10-20 |
JP2555062B2 true JP2555062B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=13898624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62086862A Expired - Lifetime JP2555062B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2555062B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101420126B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2014-07-16 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 성막 장치 및 성막 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2644309B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1997-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
JPH02304920A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
US6362110B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-03-26 | Lam Research Corporation | Enhanced resist strip in a dielectric etcher using downstream plasma |
US7959984B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system |
CN106711006B (zh) * | 2015-11-13 | 2019-07-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 上电极组件及半导体加工设备 |
CN108517512A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-09-11 | 昆山国显光电有限公司 | 一种化学气相沉积设备及其反应腔室 |
KR102654170B1 (ko) * | 2021-02-17 | 2024-04-04 | 대전대학교 산학협력단 | 액상 전구체를 이용한 원자층 식각 방법 |
KR102489934B1 (ko) * | 2021-02-17 | 2023-01-18 | 대전대학교 산학협력단 | 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5753939A (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hakumakunodoraietsuchinguhoho |
JPS6056431B2 (ja) * | 1980-10-09 | 1985-12-10 | 三菱電機株式会社 | プラズマエツチング装置 |
JP2616760B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1997-06-04 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応装置 |
JPS6212129A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS62245626A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Furendo Tec Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62086862A patent/JP2555062B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101420126B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2014-07-16 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 성막 장치 및 성막 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63253629A (ja) | 1988-10-20 |
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