JPS6013075A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6013075A JPS6013075A JP58121760A JP12176083A JPS6013075A JP S6013075 A JPS6013075 A JP S6013075A JP 58121760 A JP58121760 A JP 58121760A JP 12176083 A JP12176083 A JP 12176083A JP S6013075 A JPS6013075 A JP S6013075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reaction chamber
- plasma cvd
- film
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ装置に関するもので、特に、複
写機等の円筒状感光体を高品質に安定して製造するのに
好適なプラズマＣＶＤ装置に関するものである。薄膜の
製造方法の１つとして近年脚光を浴びているものにプラ
ズマＣＶＤ法がある。この方法は反応室を減圧し、原料
ガスを供給した後、直流又は高周波によるグロー放電で
原料ガスを分解し反応室内に配置された被成膜基体上に
薄膜を形成する方法で、例えば非晶質硅素膜の生成に応
用されている。この方法で例えばシランガス（ＳｉＨ４
）を原料ガスとして作製した非晶デｆ硅素膜は、非晶質
硅素の禁止帯中に存在する局在準位が比較的少なく、高
抵抗でかつ光導電性が大きい為、電子写真用感光体とし
て有効である。しかしこのプラズマＣＶＤ法によって非
晶質硅素を作製する場合に、膜の電気的及び光学的特性
が膜形成時の基体の温度に強く依存するため、膜形成時
の基体の温度の均一性が重要な間腕となる。またプラズ
マの状態も反応室内の温度に依存し、反応室内に被成膜
基体よシも温度が高い部分が存在する場合には基体温度
が同じでも前述のよシ温度の高い部分によってプラズマ
状態が変化し、結果として膜の特性も変化する。電子写
真用感光体の様な円筒状基体に成膜するプラズマＣＶＤ
装置として例えば第１図の様なプラズマＣＶＤ装置が知
られている。図中、１は反応室を構成する真空槽、２は
その排気口、３は該真空槽内に配置された中空二重壁構
造の円筒形電極、４は該電極と同心に配置され対向電極
を構成している被成膜基体、５は該基体を支持する軸、
６は上記の電極および基体を取囲むシールド円筒、７お
よび８は上下のシールド蓋を示す。
写機等の円筒状感光体を高品質に安定して製造するのに
好適なプラズマＣＶＤ装置に関するものである。薄膜の
製造方法の１つとして近年脚光を浴びているものにプラ
ズマＣＶＤ法がある。この方法は反応室を減圧し、原料
ガスを供給した後、直流又は高周波によるグロー放電で
原料ガスを分解し反応室内に配置された被成膜基体上に
薄膜を形成する方法で、例えば非晶質硅素膜の生成に応
用されている。この方法で例えばシランガス（ＳｉＨ４
）を原料ガスとして作製した非晶デｆ硅素膜は、非晶質
硅素の禁止帯中に存在する局在準位が比較的少なく、高
抵抗でかつ光導電性が大きい為、電子写真用感光体とし
て有効である。しかしこのプラズマＣＶＤ法によって非
晶質硅素を作製する場合に、膜の電気的及び光学的特性
が膜形成時の基体の温度に強く依存するため、膜形成時
の基体の温度の均一性が重要な間腕となる。またプラズ
マの状態も反応室内の温度に依存し、反応室内に被成膜
基体よシも温度が高い部分が存在する場合には基体温度
が同じでも前述のよシ温度の高い部分によってプラズマ
状態が変化し、結果として膜の特性も変化する。電子写
真用感光体の様な円筒状基体に成膜するプラズマＣＶＤ
装置として例えば第１図の様なプラズマＣＶＤ装置が知
られている。図中、１は反応室を構成する真空槽、２は
その排気口、３は該真空槽内に配置された中空二重壁構
造の円筒形電極、４は該電極と同心に配置され対向電極
を構成している被成膜基体、５は該基体を支持する軸、
６は上記の電極および基体を取囲むシールド円筒、７お
よび８は上下のシールド蓋を示す。
円筒状基体４の内部には加熱ヒーター９があシ、基体を
内部よシ加熱する。基体の取り付けられている軸５は回
転し、膜の均一化が計られている。
内部よシ加熱する。基体の取り付けられている軸５は回
転し、膜の均一化が計られている。
電極及び基体は、外側で、円筒６及び上下の蓋７及び８
によシミ気的にシールドして、反応プラズマをとじ込め
ている。これら全体の系は、真空槽１によシ俊われてお
シ真空ポンプによシ排気口２から排気される。プラズマ
分解される原料ガスは電極３の中空部に外部よシ供給さ
れ電極の内側に明けられた孔を通し、プラズマ中に放出
され、分解されて、基体４の表面に堆積して、該基体４
０表面上に成膜する。
によシミ気的にシールドして、反応プラズマをとじ込め
ている。これら全体の系は、真空槽１によシ俊われてお
シ真空ポンプによシ排気口２から排気される。プラズマ
分解される原料ガスは電極３の中空部に外部よシ供給さ
れ電極の内側に明けられた孔を通し、プラズマ中に放出
され、分解されて、基体４の表面に堆積して、該基体４
０表面上に成膜する。
上記のような従来のプラズマＣＶＤ装置においては、被
成膜基体が加熱ヒーター９からの輻射熱によって加熱さ
れているために基体中に温度分布が生じやすぐ、さらに
基体の温度よシもヒータ一部の温度の方がはるかに高い
ためプラズマの不均一も起こシやすい。従ってその結果
、基体上に堆積した膜の電気的及び光学的特性にも不均
一が生じやすくなる。
成膜基体が加熱ヒーター９からの輻射熱によって加熱さ
れているために基体中に温度分布が生じやすぐ、さらに
基体の温度よシもヒータ一部の温度の方がはるかに高い
ためプラズマの不均一も起こシやすい。従ってその結果
、基体上に堆積した膜の電気的及び光学的特性にも不均
一が生じやすくなる。
本発明の目的は前述のプラズマＣＶＤ装置の欠点を克服
することで、すなわち基体を均一に加熱しかつプラズマ
ＣＶＤ反応室内において基体よシも温度の高い部分を作
らないようにしたプラズマＣＶＤ装置を提供することで
あシ、その要旨とするところは、筒形の被成膜基体とそ
れを取シ囲む真空槽で真空を保ち、その間に挾まれぢ空
間のみ減圧に保たれる反応室として、詩形の被成膜基体
内に高温の気体又は液体を流すか、又は基体内に基体内
の気体または液体を加熱する加熱ヒーターを配すること
によって基体を加熱することを特徴としたプラズマＣＶ
Ｄ装置である。
することで、すなわち基体を均一に加熱しかつプラズマ
ＣＶＤ反応室内において基体よシも温度の高い部分を作
らないようにしたプラズマＣＶＤ装置を提供することで
あシ、その要旨とするところは、筒形の被成膜基体とそ
れを取シ囲む真空槽で真空を保ち、その間に挾まれぢ空
間のみ減圧に保たれる反応室として、詩形の被成膜基体
内に高温の気体又は液体を流すか、又は基体内に基体内
の気体または液体を加熱する加熱ヒーターを配すること
によって基体を加熱することを特徴としたプラズマＣＶ
Ｄ装置である。
以下、図示の実施例について、本発明の構成および作用
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
第２図および第３図は、それぞれ、本発明の実施例を示
すもので、第１図に示すものと対応する部分は同一の符
号によって指示して、その詳細な説明は省略する。
すもので、第１図に示すものと対応する部分は同一の符
号によって指示して、その詳細な説明は省略する。
第１図に示した従来の装置と本発明装置との基本的な違
いは前者が加熱ヒーターを反応室内に配置し且つこの輻
射熱によって被成膜基体を加熱しているのに対し、後者
は減圧に保たれるプラズマＣＶＤ反応室を、筒形の被成
膜基体とそれを取シ囲む真空槽の間に限定し、筒形の被
成膜基体の加熱源を反応室の外に設けた点にある。然し
て、本発明装置では筒形の被成膜基体の加熱を筒形の基
体内部に高温の気体又は液体を流すか又は基体内部を空
気又は窒素、Ａｒ等の不活性ガスで満たし、その中に加
熱ヒーターを配することによって行ない、熱伝導によっ
て筒形の基体を均一に加熱する。
いは前者が加熱ヒーターを反応室内に配置し且つこの輻
射熱によって被成膜基体を加熱しているのに対し、後者
は減圧に保たれるプラズマＣＶＤ反応室を、筒形の被成
膜基体とそれを取シ囲む真空槽の間に限定し、筒形の被
成膜基体の加熱源を反応室の外に設けた点にある。然し
て、本発明装置では筒形の被成膜基体の加熱を筒形の基
体内部に高温の気体又は液体を流すか又は基体内部を空
気又は窒素、Ａｒ等の不活性ガスで満たし、その中に加
熱ヒーターを配することによって行ない、熱伝導によっ
て筒形の基体を均一に加熱する。
第２図は円筒形の基体内部に高温の気体又は液体を流す
ことによシ基体を加熱するようにした実施例、第３図は
円筒形の基体内部にヒーターを配することによって基体
を加熱するようにした実施例を示す。いずれの装置にお
いても回転軸５及び円筒状基体４と真空槽１の間に挾ま
れた部分のみが真空に保たれるプラズマＣＶＤの反応室
となっておシ、円筒状基体内部はこの反応室とは独立し
ている。
ことによシ基体を加熱するようにした実施例、第３図は
円筒形の基体内部にヒーターを配することによって基体
を加熱するようにした実施例を示す。いずれの装置にお
いても回転軸５及び円筒状基体４と真空槽１の間に挾ま
れた部分のみが真空に保たれるプラズマＣＶＤの反応室
となっておシ、円筒状基体内部はこの反応室とは独立し
ている。
第２図の装置では中空の回転軸の方から窒素、Ａｒ等の
高温の気体、又はシリコンオイル、塩化トリフルオルビ
ニル重合体、ケイ酸エステル等の高温の液体を熱媒体と
して導入し他方の回転軸から排出することによシ円筒状
基体を加熱する。
高温の気体、又はシリコンオイル、塩化トリフルオルビ
ニル重合体、ケイ酸エステル等の高温の液体を熱媒体と
して導入し他方の回転軸から排出することによシ円筒状
基体を加熱する。
第３の装置では円筒状基体内部に配した加熱ヒーター１
０によって円筒状基体を加熱する。第２図、第３図の装
置共に他の部分の装置構成は第１図の従来の装置と同様
であシ、円筒状基体４が回転軸５にささえられ、回転軸
５が回転することによって膜の均一化が計られている。
０によって円筒状基体を加熱する。第２図、第３図の装
置共に他の部分の装置構成は第１図の従来の装置と同様
であシ、円筒状基体４が回転軸５にささえられ、回転軸
５が回転することによって膜の均一化が計られている。
円筒状基体４の周りは、中空二重構造となった円筒電極
３によって囲まれておシ、更に外側で７一ルド円筒６及
び上下の蓋７及び８によシミ気的にシールドして反応プ
ラズマをとじ込めている。これらの糸は真空ポンプによ
シ排気口２から排気される。
３によって囲まれておシ、更に外側で７一ルド円筒６及
び上下の蓋７及び８によシミ気的にシールドして反応プ
ラズマをとじ込めている。これらの糸は真空ポンプによ
シ排気口２から排気される。
以上説明したように本発明のプラズマＣＶＤ装置はプラ
ズマ反応室を筒状基体と真空槽とに囲まれた部分に限定
し、筒状基体の加熱源又は加熱媒体を反応室外に配置す
ることによシ、プラズマ反応室内に基体よりも温度の高
い部分を作らず、効率よく均一に円筒状基体を加熱する
ことが可能となシ、これによって筒状基体全面に電気的
、光学的に均一な薄膜を形成することが可能となる。
ズマ反応室を筒状基体と真空槽とに囲まれた部分に限定
し、筒状基体の加熱源又は加熱媒体を反応室外に配置す
ることによシ、プラズマ反応室内に基体よりも温度の高
い部分を作らず、効率よく均一に円筒状基体を加熱する
ことが可能となシ、これによって筒状基体全面に電気的
、光学的に均一な薄膜を形成することが可能となる。
第１図は従来の円筒状の被成膜基体用のプラズマＣＶＤ
装置の説明図、第２図および第３図は、それぞれ本発明
の実施例を示す図で、第２図は熱媒体導入によって筒状
基体を加熱する方式の尚状基体用のプラズマＣＶＤ装置
の説明図、第３図は筒状基体内部にヒーターを設置する
方式の筒状基体用プラズマＣＶＤ装置の説明図である。 １・・・真空槽 ２・・・排気口 ３・・・円筒形電極 ４・・・骨成膜基体５・・・回転
軸 ６・・・シールド ７．８・・甲シールド監 ９・・・ヒーター１０・・・
ヒーター （≦ 代理人 谷 山 輝 雄
装置の説明図、第２図および第３図は、それぞれ本発明
の実施例を示す図で、第２図は熱媒体導入によって筒状
基体を加熱する方式の尚状基体用のプラズマＣＶＤ装置
の説明図、第３図は筒状基体内部にヒーターを設置する
方式の筒状基体用プラズマＣＶＤ装置の説明図である。 １・・・真空槽 ２・・・排気口 ３・・・円筒形電極 ４・・・骨成膜基体５・・・回転
軸 ６・・・シールド ７．８・・甲シールド監 ９・・・ヒーター１０・・・
ヒーター （≦ 代理人 谷 山 輝 雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 筒形の被成膜基体とそれを取囲む真空槽の間に挾
まれた空間によって減圧可能な反応室を形成し、筒形の
被成膜基体内部は前記反応室から独立したものとし該被
成膜基体内部に該基体全体を均一に加熱する加熱手段を
配置したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 （２）筒形の被成膜基体内部に高温の気体又は液体を流
すことによシ基体加熱を行なうことを可能にした特許請
求の範囲第（１）項記載のプラズマＣＶＤ装置。 （３）筒形の被成膜基体内に、基体内部の気体または液
体を加熱する加熱ヒーターを配し、これによって基体を
加熱することを可能にした特許請求の範囲第（１）項記
載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121760A JPS6013075A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121760A JPS6013075A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013075A true JPS6013075A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14819202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121760A Pending JPS6013075A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108712A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-05-13 | アドバンテージ・プロダクション・テクノロジー・コーポレーション | 半導体基板加熱方法及び装置 |
| JPS648274A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kyocera Corp | Glow discharge decomposition device |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP58121760A patent/JPS6013075A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108712A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-05-13 | アドバンテージ・プロダクション・テクノロジー・コーポレーション | 半導体基板加熱方法及び装置 |
| JPS648274A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kyocera Corp | Glow discharge decomposition device |
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