JPH1192932A - 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成装置および堆積膜形成方法Info
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- JPH1192932A JPH1192932A JP9258684A JP25868497A JPH1192932A JP H1192932 A JPH1192932 A JP H1192932A JP 9258684 A JP9258684 A JP 9258684A JP 25868497 A JP25868497 A JP 25868497A JP H1192932 A JPH1192932 A JP H1192932A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 183
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 50
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 50
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 13
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 130
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 38
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 27
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 22
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 5
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 4
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
- C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な膜特性を維持しながら、生産性の向
上、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が可能な堆積膜
形成装置および堆積膜形成方法を提供する。 【解決手段】 減圧可能な反応容器中に複数の円筒状基
体が設置され、該反応容器中に供給した原料ガスを高周
波電力導入手段から導入された高周波電力により分解
し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置
において、該円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置さ
れ、該高周波電力導入手段が該円筒状基体の配置円外に
設置された構成とする。
上、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が可能な堆積膜
形成装置および堆積膜形成方法を提供する。 【解決手段】 減圧可能な反応容器中に複数の円筒状基
体が設置され、該反応容器中に供給した原料ガスを高周
波電力導入手段から導入された高周波電力により分解
し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置
において、該円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置さ
れ、該高周波電力導入手段が該円筒状基体の配置円外に
設置された構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上に堆積膜を
形成する装置および方法に関する。とりわけ機能性膜、
特に半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラ
インセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用
いる堆積膜の形成装置および形成方法に関する。
形成する装置および方法に関する。とりわけ機能性膜、
特に半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラ
インセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用
いる堆積膜の形成装置および形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子に用いる堆積膜の形成方法として、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、
そのための装置も実用に付されている。
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子に用いる堆積膜の形成方法として、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、
そのための装置も実用に付されている。
【０００３】中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法
は好適なものとして、電子写真用水素化アモルファスシ
リコン（以下「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する。）堆積膜の
形成など、現在実用化が非常に進んでおり、そのための
装置も各種提案されている。
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法
は好適なものとして、電子写真用水素化アモルファスシ
リコン（以下「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する。）堆積膜の
形成など、現在実用化が非常に進んでおり、そのための
装置も各種提案されている。
【０００４】このような堆積膜の形成装置および形成方
法は概略以下のようなものである。
法は概略以下のようなものである。
【０００５】図２は、電源としてＲＦ帯の周波数を用い
たＲＦプラズマＣＶＤ法（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略
記する。）による堆積膜形成装置、具体的には電子写真
用光受容部材の形成装置の一例を示す模式的な構成図で
ある。図２に示す形成装置の構成は以下の通りである。
たＲＦプラズマＣＶＤ法（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略
記する。）による堆積膜形成装置、具体的には電子写真
用光受容部材の形成装置の一例を示す模式的な構成図で
ある。図２に示す形成装置の構成は以下の通りである。
【０００６】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１０１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１０１内には
円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーターを内蔵した基
体支持体２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置さ
れ、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器
２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続
されている。カソード電極２１１１は、碍子２１２０に
よりアース電位と絶縁され、基体支持体２１１３を通し
てアース電位に維持されアノード電極を兼ねた円筒状基
体２１１２との間に高周波電圧が印加可能となってい
る。
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１０１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１０１内には
円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーターを内蔵した基
体支持体２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置さ
れ、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器
２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続
されている。カソード電極２１１１は、碍子２１２０に
よりアース電位と絶縁され、基体支持体２１１３を通し
てアース電位に維持されアノード電極を兼ねた円筒状基
体２１１２との間に高周波電圧が印加可能となってい
る。
【０００７】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4、
ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ 3等の原料ガスのボ
ンベ２２２１〜２２２６、バルブ２２３１〜２２３６、
２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６、及びマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６から構成され、
各原料ガスのボンベはバルブ２２６０介して反応容器２
１０１内のガス導入管２１１４に接続されている。
ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ 3等の原料ガスのボ
ンベ２２２１〜２２２６、バルブ２２３１〜２２３６、
２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６、及びマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６から構成され、
各原料ガスのボンベはバルブ２２６０介して反応容器２
１０１内のガス導入管２１１４に接続されている。
【０００８】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。
以下のように行なうことができる。
【０００９】まず、反応容器２１０１内に円筒状基体２
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１０１内を排気する。続いて、基
体支持体２１１３に内蔵された基体加熱用ヒーターによ
り円筒状基体２１１２の温度を２００〜３５０℃の所定
の温度に制御する。
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１０１内を排気する。続いて、基
体支持体２１１３に内蔵された基体加熱用ヒーターによ
り円筒状基体２１１２の温度を２００〜３５０℃の所定
の温度に制御する。
【００１０】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１０
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１お及びガス配管２１１
６内を排気する。
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１お及びガス配管２１１
６内を排気する。
【００１１】次に、真空計２１１９の読みが約７×１０
-4Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。
-4Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。
【００１２】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６か
ら各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。
ら各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。
【００１３】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。
後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００１４】円筒状基体２１１２が所定の温度になった
ところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要な
もの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ
２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１１
４を介して反応容器２１０１内に導入する。次にマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原料
ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応
容器２１０１内の圧力が所定の値になるように真空計２
１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整す
る。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚ
のＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波
マッチングボックス２１１５、カソード２１１１を通じ
て反応容器２１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基体
２１１２をアノードとして作用させてグロー放電を生起
させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入
された原料ガスが分解され、円筒状基体２１１２上に所
定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成される。所望
の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流
出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積
膜の形成を終える。
ところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要な
もの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ
２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１１
４を介して反応容器２１０１内に導入する。次にマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原料
ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応
容器２１０１内の圧力が所定の値になるように真空計２
１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整す
る。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚ
のＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波
マッチングボックス２１１５、カソード２１１１を通じ
て反応容器２１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基体
２１１２をアノードとして作用させてグロー放電を生起
させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入
された原料ガスが分解され、円筒状基体２１１２上に所
定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成される。所望
の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流
出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積
膜の形成を終える。
【００１５】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００１６】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１０１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１０１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【００１７】膜形成の均一化を図るために、層形成を行
なっている間は、円筒状基体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。
なっている間は、円筒状基体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。
【００１８】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられる。
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられる。
【００１９】このような、上記従来のＲＦ帯の周波数を
用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置およ
び形成方法に加え、更には近年、ＶＨＦ帯の高周波電力
を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶ
Ｄ」と略記する。）法が注目を浴びており、これを用い
た各種堆積膜形成の開発も積極的に進められている。こ
れは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また
高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高
品質化を同時に達成し得るものと期待されるためであ
る。例えば特開平６−２８７７６０号公報にはａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材形成に用いうる装置および方法
が開示されている。また、複数の電子写真用光受容部材
を同時に形成でき、生産性の極めて高い図３に示すよう
な堆積膜形成装置の開発も進められている。
用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置およ
び形成方法に加え、更には近年、ＶＨＦ帯の高周波電力
を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶ
Ｄ」と略記する。）法が注目を浴びており、これを用い
た各種堆積膜形成の開発も積極的に進められている。こ
れは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また
高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高
品質化を同時に達成し得るものと期待されるためであ
る。例えば特開平６−２８７７６０号公報にはａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材形成に用いうる装置および方法
が開示されている。また、複数の電子写真用光受容部材
を同時に形成でき、生産性の極めて高い図３に示すよう
な堆積膜形成装置の開発も進められている。
【００２０】図３（ａ）は、概略縦断面図、図３（ｂ）
は図３（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図であ
る。反応容器３０１の側面には排気管３１１が一体的に
形成され、排気管３１１の他端は不図示の排気装置に接
続されている。反応容器３０１の中心部を取り囲むよう
に、堆積膜の形成される６本の円筒状基体３０５が互い
に平行になるように配置されている。各円筒状基体３０
５は回転軸３０８によって保持され、発熱体３０７によ
って加熱されるようになっている。モータ３０９を駆動
すると、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転
し、円筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを
自転するようになっている。
は図３（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図であ
る。反応容器３０１の側面には排気管３１１が一体的に
形成され、排気管３１１の他端は不図示の排気装置に接
続されている。反応容器３０１の中心部を取り囲むよう
に、堆積膜の形成される６本の円筒状基体３０５が互い
に平行になるように配置されている。各円筒状基体３０
５は回転軸３０８によって保持され、発熱体３０７によ
って加熱されるようになっている。モータ３０９を駆動
すると、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転
し、円筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを
自転するようになっている。
【００２１】６本の円筒状基体３０５により囲まれた成
膜空間３０６には原料ガスが原料ガス供給手段３１２か
ら供給さる。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源３０３からマッチ
ングボックス３０４を経てカソード電極３０２から成膜
空間３０６に供給される。この際、回転軸３０８を通し
てアース電位に維持された円筒状基体３０５がアノード
電極として作用する。
膜空間３０６には原料ガスが原料ガス供給手段３１２か
ら供給さる。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源３０３からマッチ
ングボックス３０４を経てカソード電極３０２から成膜
空間３０６に供給される。この際、回転軸３０８を通し
てアース電位に維持された円筒状基体３０５がアノード
電極として作用する。
【００２２】このような装置を用いた堆積膜の形成は概
略以下のような手順により行なうことができる。
略以下のような手順により行なうことができる。
【００２３】まず、反応容器３０１内に円筒状基体３０
５を設置し、不図示の排気装置により排気管３１１を通
して反応容器３０１内を排気する。続いて、発熱体３０
７により円筒状基体３０５を２００〜３００℃程度の所
定の温度に加熱・制御する。
５を設置し、不図示の排気装置により排気管３１１を通
して反応容器３０１内を排気する。続いて、発熱体３０
７により円筒状基体３０５を２００〜３００℃程度の所
定の温度に加熱・制御する。
【００２４】円筒状基体３０５が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段３１２を介して、原料ガスを
反応容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源３０３からマッチングボック
ス３０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電
力を供給する。これにより、カソード電極３０２とアノ
ード電極を兼ねた円筒状基体３０５の間にＶＨＦ電力が
導入され、円筒状基体３０５で囲まれた成膜空間３０６
にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒
状基体３０５上に堆積膜が形成される。
ころで、原料ガス供給手段３１２を介して、原料ガスを
反応容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源３０３からマッチングボック
ス３０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電
力を供給する。これにより、カソード電極３０２とアノ
ード電極を兼ねた円筒状基体３０５の間にＶＨＦ電力が
導入され、円筒状基体３０５で囲まれた成膜空間３０６
にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒
状基体３０５上に堆積膜が形成される。
【００２５】所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＶＨＦ
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００２６】堆積膜形成中、回転軸３０８を介して円筒
状基体３０５をモータ３０９により所定の速度で回転さ
せることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が
形成される。
状基体３０５をモータ３０９により所定の速度で回転さ
せることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が
形成される。
【００２７】また、特開平８−２５３８６５号公報にお
いては、複数の電極を用いて複数の基体上に同時に堆積
膜形成する技術に関して開示されており、生産性の向
上、堆積膜特性の均一性向上の効果を得ることができる
ことが示されている。このような装置形態は、例えば図
５のような装置で実現可能である。
いては、複数の電極を用いて複数の基体上に同時に堆積
膜形成する技術に関して開示されており、生産性の向
上、堆積膜特性の均一性向上の効果を得ることができる
ことが示されている。このような装置形態は、例えば図
５のような装置で実現可能である。
【００２８】図５（ａ）は概略縦断面図、図５（ｂ）は
概略横断面図である。反応容器５００の上面には排気口
５０５が一体的に形成され、排気管の他端は不図示の排
気装置に接続されている。反応容器５００中には、堆積
膜の形成される複数の円筒状基体５０１が互いに平行に
なるように配置されている。各円筒状基体５０１は回転
軸５０６によって保持され、発熱体５０７によって加熱
されるようになっている。必要に応じて、不図示のモー
タ等の駆動手段により、回転軸軸５０６を介して円筒状
基体５０１を自転させるようになっている。
概略横断面図である。反応容器５００の上面には排気口
５０５が一体的に形成され、排気管の他端は不図示の排
気装置に接続されている。反応容器５００中には、堆積
膜の形成される複数の円筒状基体５０１が互いに平行に
なるように配置されている。各円筒状基体５０１は回転
軸５０６によって保持され、発熱体５０７によって加熱
されるようになっている。必要に応じて、不図示のモー
タ等の駆動手段により、回転軸軸５０６を介して円筒状
基体５０１を自転させるようになっている。
【００２９】ＶＨＦ電力は高周波電源５０３からマッチ
ングボックス５０４を経てカソード電極５０２より反応
容器５００内に供給される。この際、回転軸軸５０６を
通してアース電位に維持された円筒状基体５０１がアノ
ード電極として作用する。
ングボックス５０４を経てカソード電極５０２より反応
容器５００内に供給される。この際、回転軸軸５０６を
通してアース電位に維持された円筒状基体５０１がアノ
ード電極として作用する。
【００３０】原料ガスは、反応容器５００内に設置され
た不図示の原料ガス供給手段により、反応容器５００内
に供給される。
た不図示の原料ガス供給手段により、反応容器５００内
に供給される。
【００３１】このような装置を用いた堆積膜の形成は図
３に示した堆積膜形成装置の場合と同様の手順により行
なうことができる。
３に示した堆積膜形成装置の場合と同様の手順により行
なうことができる。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法及び装
置により、比較的良好な堆積膜が形成される。しかしな
がら、これら堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レ
ベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より
高品質の堆積膜が求められるようになっている。
置により、比較的良好な堆積膜が形成される。しかしな
がら、これら堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レ
ベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より
高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【００３３】例えば、電子写真装置の場合、コピースピ
ードの向上、電子写真装置の小型化、低価格化の要求は
非常に強く、これらを実現するためには感光体特性、具
体的には帯電能、感度等の向上および感光体生産コスト
の低下が不可欠となっている。また、近年その普及が目
覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置にお
いては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等
のコピーも頻繁に為されるため、画像濃度むらの低減、
光メモリーの低減等の感光体特性の向上も従来以上に強
く求められるようになっている。このような感光体特性
の向上、感光体生産コストの低下を目指し、堆積膜形成
条件、堆積膜積層構成の最適化も為されているが、同時
に、堆積膜形成装置、堆積膜形成方法の面での改善も強
く望まれている。
ードの向上、電子写真装置の小型化、低価格化の要求は
非常に強く、これらを実現するためには感光体特性、具
体的には帯電能、感度等の向上および感光体生産コスト
の低下が不可欠となっている。また、近年その普及が目
覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置にお
いては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等
のコピーも頻繁に為されるため、画像濃度むらの低減、
光メモリーの低減等の感光体特性の向上も従来以上に強
く求められるようになっている。このような感光体特性
の向上、感光体生産コストの低下を目指し、堆積膜形成
条件、堆積膜積層構成の最適化も為されているが、同時
に、堆積膜形成装置、堆積膜形成方法の面での改善も強
く望まれている。
【００３４】このような状況下において、前述従来の堆
積膜形成装置、堆積膜形成方法においても、堆積膜特性
の向上、堆積膜形成コストの低下に関して、まだ改善の
余地が残されているのが現状である。
積膜形成装置、堆積膜形成方法においても、堆積膜特性
の向上、堆積膜形成コストの低下に関して、まだ改善の
余地が残されているのが現状である。
【００３５】具体的には、例えば、膜堆積速度の向上に
よる基体処理時間の短縮、同時処理可能基体数の増加等
が挙げられる。これらは特に、電子写真感光体を形成す
る際のように、形成する堆積膜の膜厚が厚い場合、生産
性の向上、生産コストの低下に大きく貢献する。
よる基体処理時間の短縮、同時処理可能基体数の増加等
が挙げられる。これらは特に、電子写真感光体を形成す
る際のように、形成する堆積膜の膜厚が厚い場合、生産
性の向上、生産コストの低下に大きく貢献する。
【００３６】また、形成される堆積膜特性の均一性・再
現性という点においても改善の余地が残されている。堆
積膜特性の均一性・再現性が不十分であると、堆積膜特
性はばらつき、製品品質の低下、良品率の低下につなが
ってしまう。特に、複数の堆積膜の積層構成よりなる部
材形成の場合、この特性のばらつきにより、ある層の膜
特性が低下すると、他の層とのマッチングも悪化するた
め部材全体として大きく影響を受けることとなってしま
う。また、電子写真感光体のように大面積の部材におい
ては、局所的な膜質低下であっても、その部分のみを除
去することができないため、その影響は大きい。このよ
うに、堆積膜特性の均一性・再現性を向上し、堆積膜特
性のばらつきを抑制することは、堆積膜全体としての特
性向上、堆積膜形成コストの低下に大きく貢献するもの
である。
現性という点においても改善の余地が残されている。堆
積膜特性の均一性・再現性が不十分であると、堆積膜特
性はばらつき、製品品質の低下、良品率の低下につなが
ってしまう。特に、複数の堆積膜の積層構成よりなる部
材形成の場合、この特性のばらつきにより、ある層の膜
特性が低下すると、他の層とのマッチングも悪化するた
め部材全体として大きく影響を受けることとなってしま
う。また、電子写真感光体のように大面積の部材におい
ては、局所的な膜質低下であっても、その部分のみを除
去することができないため、その影響は大きい。このよ
うに、堆積膜特性の均一性・再現性を向上し、堆積膜特
性のばらつきを抑制することは、堆積膜全体としての特
性向上、堆積膜形成コストの低下に大きく貢献するもの
である。
【００３７】このように、膜堆積速度の向上、同時処理
可能基体数の増加、堆積膜特性の均一性・再現性向上が
可能な堆積膜形成装置、堆積膜形成方法を実現すること
は、製品品質の向上、生産コストの低下を達成可能とす
るものであり、現在の市場での要求に応えていく上で必
要不可欠のものとなっている。
可能基体数の増加、堆積膜特性の均一性・再現性向上が
可能な堆積膜形成装置、堆積膜形成方法を実現すること
は、製品品質の向上、生産コストの低下を達成可能とす
るものであり、現在の市場での要求に応えていく上で必
要不可欠のものとなっている。
【００３８】そこで本発明は上記課題の解決を目的とす
るものである。即ち、本発明の目的は、減圧可能な反応
容器中に複数の円筒状基体を設置し、該反応容器中に供
給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高
周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成
する堆積膜の形成において、良好な膜特性を維持しなが
ら、生産性の向上、堆積膜特性の均一性・再現性の向上
が可能な堆積膜形成装置、堆積膜形成方法を提供するこ
とにある。
るものである。即ち、本発明の目的は、減圧可能な反応
容器中に複数の円筒状基体を設置し、該反応容器中に供
給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高
周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成
する堆積膜の形成において、良好な膜特性を維持しなが
ら、生産性の向上、堆積膜特性の均一性・再現性の向上
が可能な堆積膜形成装置、堆積膜形成方法を提供するこ
とにある。
【００３９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく鋭意検討を行った結果、まず、堆積膜形成装
置・堆積膜形成方法において、基体の配置方法および高
周波電力導入方法が堆積膜特性、堆積膜特性の均一性・
再現性、堆積膜の生産性に大きな影響を及ぼすことを見
い出した。さらに、円筒状基体を同一円周上に等間隔で
配置し、高周波電力を該円筒状基体の配置円外から導入
することで、複数の基体上に、良好な特性を有する堆積
膜を均一に、再現性良く、高い膜堆積速度で形成可能で
あることを見い出し、本発明を完成させるに至った。
達成すべく鋭意検討を行った結果、まず、堆積膜形成装
置・堆積膜形成方法において、基体の配置方法および高
周波電力導入方法が堆積膜特性、堆積膜特性の均一性・
再現性、堆積膜の生産性に大きな影響を及ぼすことを見
い出した。さらに、円筒状基体を同一円周上に等間隔で
配置し、高周波電力を該円筒状基体の配置円外から導入
することで、複数の基体上に、良好な特性を有する堆積
膜を均一に、再現性良く、高い膜堆積速度で形成可能で
あることを見い出し、本発明を完成させるに至った。
【００４０】即ち、本発明は、減圧可能な反応容器中に
複数の円筒状基体が設置され、該反応容器中に供給した
原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電
力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆
積膜形成装置において、該円筒状基体は同一円周上に等
間隔で配置され、該高周波電力導入手段が少なくとも該
円筒状基体の配置円外に設置されたことを特徴とする堆
積膜形成装置に関する。
複数の円筒状基体が設置され、該反応容器中に供給した
原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電
力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆
積膜形成装置において、該円筒状基体は同一円周上に等
間隔で配置され、該高周波電力導入手段が少なくとも該
円筒状基体の配置円外に設置されたことを特徴とする堆
積膜形成装置に関する。
【００４１】また、本発明は、減圧可能な反応容器中に
複数の円筒状基体を設置し、該反応容器中に供給した原
料ガスを高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆
積膜を形成する堆積膜形成方法において、該円筒状基体
を同一円周上に等間隔で配置し、該高周波電力を該円筒
状基体の少なくとも配置円外から導入して堆積膜の形成
を行うことを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
複数の円筒状基体を設置し、該反応容器中に供給した原
料ガスを高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆
積膜を形成する堆積膜形成方法において、該円筒状基体
を同一円周上に等間隔で配置し、該高周波電力を該円筒
状基体の少なくとも配置円外から導入して堆積膜の形成
を行うことを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００４２】このような本発明によれば、複数の基体上
に、良好な特性を有する堆積膜を均一に、再現性良く、
高い膜堆積速度で形成可能である。
に、良好な特性を有する堆積膜を均一に、再現性良く、
高い膜堆積速度で形成可能である。
【００４３】
【発明の実施の形態】このような効果が得られる本発明
について、以下、詳述する。
について、以下、詳述する。
【００４４】本発明においては、円筒状基体を同一円周
上に等間隔で配置し、高周波電力を該円筒状基体の配置
円外から導入する構成としたことで、配置円外のみなら
ず配置円内にも十分な密度をもったプラズマが生成可能
となる。
上に等間隔で配置し、高周波電力を該円筒状基体の配置
円外から導入する構成としたことで、配置円外のみなら
ず配置円内にも十分な密度をもったプラズマが生成可能
となる。
【００４５】これは以下のような理由によるものであ
る。同一円周上に配置された円筒状基体の配置円外から
高周波電力を導入した場合、高周波電力は配置円外に生
起したプラズマに電力を供給すると同時に、配置円内方
向に減衰しながら伝播する。一方、単位径方向長さ当た
りの放電空間体積は配置円内方向に向かって減少するた
め、電力の減衰は放電空間体積の減少により相殺され、
配置円内においても十分な密度をもったプラズマが維持
可能となる。
る。同一円周上に配置された円筒状基体の配置円外から
高周波電力を導入した場合、高周波電力は配置円外に生
起したプラズマに電力を供給すると同時に、配置円内方
向に減衰しながら伝播する。一方、単位径方向長さ当た
りの放電空間体積は配置円内方向に向かって減少するた
め、電力の減衰は放電空間体積の減少により相殺され、
配置円内においても十分な密度をもったプラズマが維持
可能となる。
【００４６】これに対して、例えば図３に示したような
円筒状基体の配置円内のみに高周波電力導入手段（カソ
ード電極３０２）を設置した場合、高周波電力は配置円
内に生起したプラズマに電力を供給すると同時に、配置
円外方向に減衰しながら伝播する。一方、単位径方向長
さ当たりの放電空間体積は配置円外方向に向かって増加
するため、電力の減衰と放電空間体積の増大の相乗効果
により円筒状基体配置円外の電力密度は配置円内の電力
密度と比べ大幅に小さく、十分な密度をもったプラズマ
を生成・維持することが困難となる。
円筒状基体の配置円内のみに高周波電力導入手段（カソ
ード電極３０２）を設置した場合、高周波電力は配置円
内に生起したプラズマに電力を供給すると同時に、配置
円外方向に減衰しながら伝播する。一方、単位径方向長
さ当たりの放電空間体積は配置円外方向に向かって増加
するため、電力の減衰と放電空間体積の増大の相乗効果
により円筒状基体配置円外の電力密度は配置円内の電力
密度と比べ大幅に小さく、十分な密度をもったプラズマ
を生成・維持することが困難となる。
【００４７】本発明においては、このように配置円外の
みならず配置円内にも十分な密度をもったプラズマが生
成可能であるため、円筒状基体全周にわたって同時に膜
形成を行うことができる。このため、図３に示したよう
な、円筒状基体の一部のみに膜形成を行い、円筒状基体
を回転させることで基体全周に膜形成を行う従来の装置
に比べ、基体全周での平均の膜堆積速度は大幅に向上
し、堆積膜形成時間の大幅な短縮が達成される。
みならず配置円内にも十分な密度をもったプラズマが生
成可能であるため、円筒状基体全周にわたって同時に膜
形成を行うことができる。このため、図３に示したよう
な、円筒状基体の一部のみに膜形成を行い、円筒状基体
を回転させることで基体全周に膜形成を行う従来の装置
に比べ、基体全周での平均の膜堆積速度は大幅に向上
し、堆積膜形成時間の大幅な短縮が達成される。
【００４８】また、本発明においては、上述したような
膜堆積速度の向上を実現した上で、膜特性を高いレベル
に維持しながら、基体間での膜特性のばらつきを十分に
抑制することが可能となる。膜特性ばらつきが抑制され
るメカニズムに関しては現在のところ完全には解明され
ていないものの、概略以下のようなものによるのではな
いかと推察している。
膜堆積速度の向上を実現した上で、膜特性を高いレベル
に維持しながら、基体間での膜特性のばらつきを十分に
抑制することが可能となる。膜特性ばらつきが抑制され
るメカニズムに関しては現在のところ完全には解明され
ていないものの、概略以下のようなものによるのではな
いかと推察している。
【００４９】プラズマは、それが接する壁面近傍におい
てその特性、具体的には特に電子のエネルギー分布が他
の領域と比べ異なる。これは、プラズマが接する壁面か
らの高エネルギー電子の放出によるものである。即ち、
プラズマはそれが接する壁面に対して正の電位を維持
し、プラズマと壁面の境界領域（所謂「シース領域」）
において、この電位差に応じた電界が生じる。このた
め、プラズマから壁面に入射するプラスイオンはこのシ
ース領域において加速され、高エネルギー状態で壁面に
衝突する。この際、壁面から電子が放出され、この電子
はシース領域において加速され、高エネルギー状態とな
ってプラズマ中に入射する。この結果、壁面近傍では高
エネルギー電子の比率が他の領域に比べ高まり、そこで
生成される活性種の種類あるいは比率が異なることとな
る。
てその特性、具体的には特に電子のエネルギー分布が他
の領域と比べ異なる。これは、プラズマが接する壁面か
らの高エネルギー電子の放出によるものである。即ち、
プラズマはそれが接する壁面に対して正の電位を維持
し、プラズマと壁面の境界領域（所謂「シース領域」）
において、この電位差に応じた電界が生じる。このた
め、プラズマから壁面に入射するプラスイオンはこのシ
ース領域において加速され、高エネルギー状態で壁面に
衝突する。この際、壁面から電子が放出され、この電子
はシース領域において加速され、高エネルギー状態とな
ってプラズマ中に入射する。この結果、壁面近傍では高
エネルギー電子の比率が他の領域に比べ高まり、そこで
生成される活性種の種類あるいは比率が異なることとな
る。
【００５０】基体上に堆積膜の形成を行う場合、この基
体表面そのものが上述した壁面に相当することとなる。
したがって、複数の円筒状基体を配置した場合、その配
置の仕方によって高エネルギー電子比率の高いプラズマ
領域の分布が異なることとなる。円筒状基体に対するこ
の分布形状が、各円筒状基体毎に異なってしまうと、上
述したように、円筒状基体上に到達する活性種の種類、
比率が各々異なってしまい、それら活性種によって形成
される堆積膜の特性も基体間でばらつきを生じ易い。
体表面そのものが上述した壁面に相当することとなる。
したがって、複数の円筒状基体を配置した場合、その配
置の仕方によって高エネルギー電子比率の高いプラズマ
領域の分布が異なることとなる。円筒状基体に対するこ
の分布形状が、各円筒状基体毎に異なってしまうと、上
述したように、円筒状基体上に到達する活性種の種類、
比率が各々異なってしまい、それら活性種によって形成
される堆積膜の特性も基体間でばらつきを生じ易い。
【００５１】本発明においては、円筒状基体を同一円周
上に等間隔で配置するため、各円筒状基体に対する高エ
ネルギー電子比率の高いプラズマ領域の分布形状は全て
同一となり、基体上に到達する活性種の種類、比率も全
ての基体上において同一となる。この結果、円筒状基体
上に形成される堆積膜の特性も、基体間での特性ばらつ
きの少ない良好なものとなる。
上に等間隔で配置するため、各円筒状基体に対する高エ
ネルギー電子比率の高いプラズマ領域の分布形状は全て
同一となり、基体上に到達する活性種の種類、比率も全
ての基体上において同一となる。この結果、円筒状基体
上に形成される堆積膜の特性も、基体間での特性ばらつ
きの少ない良好なものとなる。
【００５２】以上説明したように本発明によれば、複数
の円筒状基体上に同時に堆積膜を形成するに際して、堆
積膜形成時間の短縮と円筒状基体間の特性ばらつき抑制
が同時に達成可能となる。
の円筒状基体上に同時に堆積膜を形成するに際して、堆
積膜形成時間の短縮と円筒状基体間の特性ばらつき抑制
が同時に達成可能となる。
【００５３】また、本発明においては、さらに以下のよ
うな構成・方法により、さらに顕著な効果を得ることが
できる。各々について詳述する。
うな構成・方法により、さらに顕著な効果を得ることが
できる。各々について詳述する。
【００５４】まず第１に、本発明において、高周波電力
を複数の高周波電力導入手段から導入する場合、高周波
電力導入手段を円筒状基体配置円と中心を同じくする同
心円上に等間隔で設置することによって、さらに円筒状
基体間の特性ばらつき抑制効果が高まる。
を複数の高周波電力導入手段から導入する場合、高周波
電力導入手段を円筒状基体配置円と中心を同じくする同
心円上に等間隔で設置することによって、さらに円筒状
基体間の特性ばらつき抑制効果が高まる。
【００５５】これはプラズマ中において高周波電力導入
手段表面もまた壁面としてはたらき、前述した理由によ
り、形成される堆積膜特性に影響を及ぼすためである。
したがって、高周波電力導入手段を円筒状基体配置円と
中心を同じくする同心円上に等間隔で配置することによ
り、各基体に及ぼす影響は均一化され、基体間での堆積
膜の特性差が抑制される。
手段表面もまた壁面としてはたらき、前述した理由によ
り、形成される堆積膜特性に影響を及ぼすためである。
したがって、高周波電力導入手段を円筒状基体配置円と
中心を同じくする同心円上に等間隔で配置することによ
り、各基体に及ぼす影響は均一化され、基体間での堆積
膜の特性差が抑制される。
【００５６】各基体に対する高周波電力導入手段の影響
を均一化するという点から、高周波電力導入手段の数と
しては、円筒状基体と同数もしくは円筒状基体の１／２
とすることが更に好ましい。円筒状基体の１／２とする
場合には、近接する２つの円筒状基体との距離が等しく
なるよう配置することが最適である。
を均一化するという点から、高周波電力導入手段の数と
しては、円筒状基体と同数もしくは円筒状基体の１／２
とすることが更に好ましい。円筒状基体の１／２とする
場合には、近接する２つの円筒状基体との距離が等しく
なるよう配置することが最適である。
【００５７】第２に、本発明においては、円筒状基体の
配置円内に第２の高周波電力導入手段を設置することに
より、さらなる効果を得ることができる。第２の高周波
電力導入手段により円筒状基体配置円内におけるプラズ
マの制御性が高まり、円筒状基体周方向全周にわたっ
て、より均一で良好な堆積膜が形成可能となる。円筒状
基体を回転させる場合においても、常に極めて良好な堆
積膜が形成され続けるため堆積膜の特性は向上し、ま
た、ロット間・基体間での特性ばらつきが抑制される。
配置円内に第２の高周波電力導入手段を設置することに
より、さらなる効果を得ることができる。第２の高周波
電力導入手段により円筒状基体配置円内におけるプラズ
マの制御性が高まり、円筒状基体周方向全周にわたっ
て、より均一で良好な堆積膜が形成可能となる。円筒状
基体を回転させる場合においても、常に極めて良好な堆
積膜が形成され続けるため堆積膜の特性は向上し、ま
た、ロット間・基体間での特性ばらつきが抑制される。
【００５８】第２の高周波電力導入手段もまた、各円筒
状基体への影響を平均化するという点から、円筒状基体
配置円中心に設置するか、もしくは円筒状基体配置円と
中心を同じくする同心円上に等間隔で複数配置すること
が好ましい。このような配置とすることで、基体間での
堆積膜特性のばらつきが更に抑制される。
状基体への影響を平均化するという点から、円筒状基体
配置円中心に設置するか、もしくは円筒状基体配置円と
中心を同じくする同心円上に等間隔で複数配置すること
が好ましい。このような配置とすることで、基体間での
堆積膜特性のばらつきが更に抑制される。
【００５９】また、円筒状基体の配置円外に設置された
第１の高周波電力導入手段から導入される高周波電力と
第２の高周波電力導入手段から導入される高周波電力を
独立に制御可能とすることで、円筒状基体周方向の膜特
性は極めて厳密に制御可能となり、膜特性の向上、膜特
性ばらつきの更なる抑制が可能となる。
第１の高周波電力導入手段から導入される高周波電力と
第２の高周波電力導入手段から導入される高周波電力を
独立に制御可能とすることで、円筒状基体周方向の膜特
性は極めて厳密に制御可能となり、膜特性の向上、膜特
性ばらつきの更なる抑制が可能となる。
【００６０】さらに、第１の高周波電力導入手段から導
入される高周波電力の発振源と第２の高周波電力導入手
段から導入される高周波電力の発振源を同一とすること
により、形成される堆積膜特性のロット間でのばらつき
が効果的に抑制される。
入される高周波電力の発振源と第２の高周波電力導入手
段から導入される高周波電力の発振源を同一とすること
により、形成される堆積膜特性のロット間でのばらつき
が効果的に抑制される。
【００６１】この原因については、発振源が異なる場
合、２つの電源において発振周波数を完全に一致させる
ことが困難であり、この発振周波数のずれによって、堆
積膜形成中、あるいは堆積膜形成ロット毎に位相差が変
化してしまうことに起因すると考えられる。この位相差
によって、プラズマ中で生成される活性種の種類・比率
が変化してしまい、また、場合によってはプラズマが不
安定となってしまう。
合、２つの電源において発振周波数を完全に一致させる
ことが困難であり、この発振周波数のずれによって、堆
積膜形成中、あるいは堆積膜形成ロット毎に位相差が変
化してしまうことに起因すると考えられる。この位相差
によって、プラズマ中で生成される活性種の種類・比率
が変化してしまい、また、場合によってはプラズマが不
安定となってしまう。
【００６２】本発明においては、第１の高周波電力導入
手段から導入される高周波電力の発振源と第２の高周波
電力導入手段から導入される高周波電力の発振源を同一
とすることにより、位相差を常に一定に維持可能となる
ため、良好な堆積膜を更に安定して、再現性良く形成す
ることが可能となる。
手段から導入される高周波電力の発振源と第２の高周波
電力導入手段から導入される高周波電力の発振源を同一
とすることにより、位相差を常に一定に維持可能となる
ため、良好な堆積膜を更に安定して、再現性良く形成す
ることが可能となる。
【００６３】第３に、本発明においては、さらに、複数
の円筒状基体を取り囲み、かつ中心軸が円筒状基体配置
円の中心を通るように設置された円筒状壁の内部におい
て、原料ガスを分解して堆積膜形成を行う構成とするこ
とにより、さらに顕著な効果を得ることができる。すな
わち、このような構成とすることにより、形成される堆
積膜は高い膜特性レベルを維持しながら、基体間での特
性のばらつきが、高いレベルで抑制可能となる。このよ
うな効果は、概略以下の２つの作用に基づくものと推察
している。
の円筒状基体を取り囲み、かつ中心軸が円筒状基体配置
円の中心を通るように設置された円筒状壁の内部におい
て、原料ガスを分解して堆積膜形成を行う構成とするこ
とにより、さらに顕著な効果を得ることができる。すな
わち、このような構成とすることにより、形成される堆
積膜は高い膜特性レベルを維持しながら、基体間での特
性のばらつきが、高いレベルで抑制可能となる。このよ
うな効果は、概略以下の２つの作用に基づくものと推察
している。
【００６４】第１の作用は、各円筒状基体と成膜空間壁
面の距離が等しく、したがって、各円筒状基体上での膜
堆積に寄与する成膜空間体積が等しくなることに起因す
るものである。例えば図４のような構成の場合では、円
筒状基体Ａ４０１上のＰ点と円筒状基体Ｂ４０２上のＱ
点を比べると、Ｐ点に活性種を供給する成膜空間Ｘは、
Ｑ点に活性種を供給する成膜空間Ｙに比べて大きく、こ
の結果Ｐ点とＱ点で基体上に到達する活性種量が異な
り、膜堆積速度に差が生じる。膜特性は膜堆積速度に依
存性を持つため、この膜堆積速度の差が円筒状基体Ａに
形成される膜特性と円筒状基体Ｂ上に形成される膜特性
に差を生じさせてしまう。これに対して本発明の前記構
成においては、成膜空間Ｘと成膜空間Ｙの体積が等しい
ため、常に全ての基体に対して同量の活性種が到達する
こととなり、このような特性差を生じない。
面の距離が等しく、したがって、各円筒状基体上での膜
堆積に寄与する成膜空間体積が等しくなることに起因す
るものである。例えば図４のような構成の場合では、円
筒状基体Ａ４０１上のＰ点と円筒状基体Ｂ４０２上のＱ
点を比べると、Ｐ点に活性種を供給する成膜空間Ｘは、
Ｑ点に活性種を供給する成膜空間Ｙに比べて大きく、こ
の結果Ｐ点とＱ点で基体上に到達する活性種量が異な
り、膜堆積速度に差が生じる。膜特性は膜堆積速度に依
存性を持つため、この膜堆積速度の差が円筒状基体Ａに
形成される膜特性と円筒状基体Ｂ上に形成される膜特性
に差を生じさせてしまう。これに対して本発明の前記構
成においては、成膜空間Ｘと成膜空間Ｙの体積が等しい
ため、常に全ての基体に対して同量の活性種が到達する
こととなり、このような特性差を生じない。
【００６５】第２の作用は、各円筒状基体と成膜空間壁
面の距離が等しいこと、そのものに起因するものであ
る。前述したように、プラズマはそれが接する壁面近傍
においてその特性が他の領域と比べて異なり、そこで生
成される活性種の種類・比率もまた他の領域と比べ異な
ることとなる。各円筒状基体と成膜空間壁面の距離が異
なると、この壁面近傍で生成された活性種の基体表面へ
の到達比率が各基体毎に異なってしまい、基体間での特
性ばらつきの一因となってしまう。これに対し、前記構
成においては、各円筒状基体と成膜空間壁面の距離が等
しく、壁面近傍で生成された活性種の基体表面への到達
比率が全ての基体に対して等しいため、形成される堆積
膜特性のばらつきは高いレベルで抑制可能となる。
面の距離が等しいこと、そのものに起因するものであ
る。前述したように、プラズマはそれが接する壁面近傍
においてその特性が他の領域と比べて異なり、そこで生
成される活性種の種類・比率もまた他の領域と比べ異な
ることとなる。各円筒状基体と成膜空間壁面の距離が異
なると、この壁面近傍で生成された活性種の基体表面へ
の到達比率が各基体毎に異なってしまい、基体間での特
性ばらつきの一因となってしまう。これに対し、前記構
成においては、各円筒状基体と成膜空間壁面の距離が等
しく、壁面近傍で生成された活性種の基体表面への到達
比率が全ての基体に対して等しいため、形成される堆積
膜特性のばらつきは高いレベルで抑制可能となる。
【００６６】また、本発明においては、このように円筒
状壁の内部において原料ガスを分解して堆積膜形成を行
うに際して、円筒状壁面の少なくとも一部を非導電性材
料で構成し、該円筒状壁面の外部から高周波電力を導入
することで更なる効果を得ることができる。すなわち、
このような構成とすることで、高周波電力導入手段への
膜付着による原料ガスのロスがなくなり、原料ガス利用
効率が向上する。この結果、生産コストの低下が可能と
なる。さらに、堆積膜形成中に高周波電力導入手段表面
からの膜はがれが生じないため、成膜空間中のダストが
減少し、堆積膜中の欠陥の抑制が可能となる。
状壁の内部において原料ガスを分解して堆積膜形成を行
うに際して、円筒状壁面の少なくとも一部を非導電性材
料で構成し、該円筒状壁面の外部から高周波電力を導入
することで更なる効果を得ることができる。すなわち、
このような構成とすることで、高周波電力導入手段への
膜付着による原料ガスのロスがなくなり、原料ガス利用
効率が向上する。この結果、生産コストの低下が可能と
なる。さらに、堆積膜形成中に高周波電力導入手段表面
からの膜はがれが生じないため、成膜空間中のダストが
減少し、堆積膜中の欠陥の抑制が可能となる。
【００６７】第４に、本発明においては、原料ガスを供
給するための原料ガス供給手段を円筒状基体の配置円内
および配置円外に設置することが堆積膜特性を更に向上
させる上で効果的である。これは、原料ガス供給位置が
堆積膜特性に大きく影響を及ぼす場合があるとの本発明
者らの検討結果に基づくものである。原料ガスは原料ガ
ス供給手段から成膜空間内に供給されると、速やかに成
膜空間全体に広がる。しかしながら、この過程において
も、原料ガスは高周波電力により分解されるため、原料
ガス供給手段からの距離に応じてガス組成が異なってし
まう。例えば、原料ガスがＳｉＨ4の場合、原料ガス供
給手段から遠ざかるにつれてＳｉＨ4の分解は進み、Ｓ
ｉＨ4は減少する。逆に、ＳｉＨ4の分解によって生じた
Ｈ2は原料ガス供給手段から遠ざかるにつれて増加する
ため、原料ガス供給手段から離れた位置においては、あ
たかもＨ2希釈したＳｉＨ4を原料ガスとして用いたかの
ような堆積膜特性となってしまう。このような現象は、
高周波電力が大きい場合、あるいは原料ガス分解効率の
高い周波数帯の高周波電力を用いた場合に特に顕著とな
る。本発明においては、原料ガスを供給するための原料
ガス供給手段を円筒状基体の配置円内および配置円外に
設置することにより、実質的に上述したような問題点が
回避され、全ての円筒状基体の全ての領域において目的
とする特性を有した堆積膜形成が可能となる。
給するための原料ガス供給手段を円筒状基体の配置円内
および配置円外に設置することが堆積膜特性を更に向上
させる上で効果的である。これは、原料ガス供給位置が
堆積膜特性に大きく影響を及ぼす場合があるとの本発明
者らの検討結果に基づくものである。原料ガスは原料ガ
ス供給手段から成膜空間内に供給されると、速やかに成
膜空間全体に広がる。しかしながら、この過程において
も、原料ガスは高周波電力により分解されるため、原料
ガス供給手段からの距離に応じてガス組成が異なってし
まう。例えば、原料ガスがＳｉＨ4の場合、原料ガス供
給手段から遠ざかるにつれてＳｉＨ4の分解は進み、Ｓ
ｉＨ4は減少する。逆に、ＳｉＨ4の分解によって生じた
Ｈ2は原料ガス供給手段から遠ざかるにつれて増加する
ため、原料ガス供給手段から離れた位置においては、あ
たかもＨ2希釈したＳｉＨ4を原料ガスとして用いたかの
ような堆積膜特性となってしまう。このような現象は、
高周波電力が大きい場合、あるいは原料ガス分解効率の
高い周波数帯の高周波電力を用いた場合に特に顕著とな
る。本発明においては、原料ガスを供給するための原料
ガス供給手段を円筒状基体の配置円内および配置円外に
設置することにより、実質的に上述したような問題点が
回避され、全ての円筒状基体の全ての領域において目的
とする特性を有した堆積膜形成が可能となる。
【００６８】第５に、本発明においては高周波電力の周
波数が５０〜４５０ＭＨｚの範囲において、円筒状基体
周方向での膜特性の均一性が特に高くなる。
波数が５０〜４５０ＭＨｚの範囲において、円筒状基体
周方向での膜特性の均一性が特に高くなる。
【００６９】これは、５０ＭＨｚよりも低い周波数領域
においては、プラズマが安定して生成可能な圧力が急激
に高まることに起因していると思われる。本発明者らの
検討によれば、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの場合
には、プラズマが安定して生成可能な圧力は、周波数が
５０ＭＨｚ以上の場合と比べ約１桁から半桁高いことが
確認されている。このような高い圧力においては、成膜
空間中においてポリシラン等のパーティクルが生じ易
く、このパーティクルが堆積膜中に取り込まれると膜質
の低下を引き起こしてしまう。このパーティクルは特に
シース近傍で発生しやすく、本発明においては隣接する
シリンダー間でこの膜中への取り込みが生じてしまう虞
があると思われる。本発明において、高周波電力の周波
数を５０ＭＨｚ以上とすることにより、このような膜中
へのパーティクルの取り込みが生じず、円筒状基体全周
にわたって良好な堆積膜が形成されるものと考えられ
る。
においては、プラズマが安定して生成可能な圧力が急激
に高まることに起因していると思われる。本発明者らの
検討によれば、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの場合
には、プラズマが安定して生成可能な圧力は、周波数が
５０ＭＨｚ以上の場合と比べ約１桁から半桁高いことが
確認されている。このような高い圧力においては、成膜
空間中においてポリシラン等のパーティクルが生じ易
く、このパーティクルが堆積膜中に取り込まれると膜質
の低下を引き起こしてしまう。このパーティクルは特に
シース近傍で発生しやすく、本発明においては隣接する
シリンダー間でこの膜中への取り込みが生じてしまう虞
があると思われる。本発明において、高周波電力の周波
数を５０ＭＨｚ以上とすることにより、このような膜中
へのパーティクルの取り込みが生じず、円筒状基体全周
にわたって良好な堆積膜が形成されるものと考えられ
る。
【００７０】また、４５０ＭＨｚよりも高い周波数領域
においては、プラズマの均一性の差により４５０ＭＨｚ
以下の場合と比べて膜特性の均一性に差が生じてしまう
ものと思われる。周波数が４５０ＭＨｚよりも高い周波
数領域においては、電力導入手段近傍での電力の吸収が
大きく、ここで電子の生成が最も頻繁に為されるため、
プラズマ不均一を生じ易く、堆積膜の特性むらにつなが
りやすい。４５０ＭＨｚ以下の周波数においては、電力
導入手段近傍での極端な電力吸収が生じにくいため、プ
ラズマ均一性、さらには膜特性の均一性が高くなる。
においては、プラズマの均一性の差により４５０ＭＨｚ
以下の場合と比べて膜特性の均一性に差が生じてしまう
ものと思われる。周波数が４５０ＭＨｚよりも高い周波
数領域においては、電力導入手段近傍での電力の吸収が
大きく、ここで電子の生成が最も頻繁に為されるため、
プラズマ不均一を生じ易く、堆積膜の特性むらにつなが
りやすい。４５０ＭＨｚ以下の周波数においては、電力
導入手段近傍での極端な電力吸収が生じにくいため、プ
ラズマ均一性、さらには膜特性の均一性が高くなる。
【００７１】このような効果が得られる本発明を以下に
図を用いて詳述する。図７は本発明のａ−Ｓｉ系感光体
堆積膜製造装置の一例を示した模式的構成図である。図
７（ａ）は概略縦断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の切
断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図である。
図を用いて詳述する。図７は本発明のａ−Ｓｉ系感光体
堆積膜製造装置の一例を示した模式的構成図である。図
７（ａ）は概略縦断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の切
断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図である。
【００７２】反応容器１０１の底面には排気口１１１が
形成され、排気管の他端は不図示の排気装置に接続され
ている。堆積膜の形成される円筒状基体１０５は、同一
円周上に等間隔で互いに平行に配置されている。基体１
０５は回転軸１０８によって保持され、モータ１０９を
駆動すると、減速ギア１１０を介して回転軸１０８が回
転し、円筒状基体１０５はその母線方向中心軸のまわり
を自転するようになっている。また、円筒状基体１０５
は発熱体１０７によって加熱可能となっている。
形成され、排気管の他端は不図示の排気装置に接続され
ている。堆積膜の形成される円筒状基体１０５は、同一
円周上に等間隔で互いに平行に配置されている。基体１
０５は回転軸１０８によって保持され、モータ１０９を
駆動すると、減速ギア１１０を介して回転軸１０８が回
転し、円筒状基体１０５はその母線方向中心軸のまわり
を自転するようになっている。また、円筒状基体１０５
は発熱体１０７によって加熱可能となっている。
【００７３】同一円周上に配置された円筒状基体１０５
の配置円外には、高周波電力導入手段１０２が設置さ
れ、高周波電源１０３から出力された高周波電力は、マ
ッチングボックス１０４を経て、高周波電力導入手段１
０２から成膜空間となる反応容器１０１内に供給され
る。
の配置円外には、高周波電力導入手段１０２が設置さ
れ、高周波電源１０３から出力された高周波電力は、マ
ッチングボックス１０４を経て、高周波電力導入手段１
０２から成膜空間となる反応容器１０１内に供給され
る。
【００７４】反応容器１０１内には原料ガス供給手段１
１２が設置され、所望の原料ガスを反応容器１０１中に
供給する。
１２が設置され、所望の原料ガスを反応容器１０１中に
供給する。
【００７５】本発明において、同一円周上に配置される
円筒状基体１０５の数には特に制限はないが、一般的
に、円筒状基体１０５の数を多くするに伴って、装置の
大型化および必要とする高周波電源容量の増大をもたら
すため、これらの点を考慮して適宜決定される。
円筒状基体１０５の数には特に制限はないが、一般的
に、円筒状基体１０５の数を多くするに伴って、装置の
大型化および必要とする高周波電源容量の増大をもたら
すため、これらの点を考慮して適宜決定される。
【００７６】また、高周波電力導入手段１０２の形状と
しては特に制限はないが、高周波電力導入手段１０２か
らの膜はがれ防止の観点から、可能な限り曲面により構
成されていることが好ましく、特に円筒状が好ましい。
高周波電力導入手段１０２への高周波電力供給は、高周
波電力導入手段１０２の１点に行ってもよいし、また、
複数の点に行ってもよい。
しては特に制限はないが、高周波電力導入手段１０２か
らの膜はがれ防止の観点から、可能な限り曲面により構
成されていることが好ましく、特に円筒状が好ましい。
高周波電力導入手段１０２への高周波電力供給は、高周
波電力導入手段１０２の１点に行ってもよいし、また、
複数の点に行ってもよい。
【００７７】高周波電力導入手段１０２の表面は、膜の
密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑
制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗
面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする
１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５〜２００μｍの範囲が好ま
しい。
密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑
制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗
面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする
１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５〜２００μｍの範囲が好ま
しい。
【００７８】さらに、膜の密着性向上の観点から、高周
波電力導入手段１０２の表面はセラミックス材で被覆さ
れていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に
制限はないが、例えばＣＶＤ法、溶射等の奏面コーティ
ング法により、高周波電力導入手段１０２の表面をコー
ティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、
コスト面から、あるいはコーティング対象物の大きさ・
形状の制限を受けにくいため好ましい。具体的なセラミ
ックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化ア
ルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、
ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウム
マイカ系セラミックス等が挙げられる。高周波電力導入
手段１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特
に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、ま
た、高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１
０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
波電力導入手段１０２の表面はセラミックス材で被覆さ
れていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に
制限はないが、例えばＣＶＤ法、溶射等の奏面コーティ
ング法により、高周波電力導入手段１０２の表面をコー
ティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、
コスト面から、あるいはコーティング対象物の大きさ・
形状の制限を受けにくいため好ましい。具体的なセラミ
ックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化ア
ルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、
ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウム
マイカ系セラミックス等が挙げられる。高周波電力導入
手段１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特
に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、ま
た、高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１
０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００７９】また、高周波電力導入手段１０２に加熱ま
たは冷却手段を設けることにより、高周波電力導入手段
１０２表面における膜の密着性を更に高め、より効果的
に膜剥れの防止を達成できる。この場合、高周波電力導
入手段１０２を加熱するか、冷却するかは、堆積する膜
材料、堆積条件に応じて適宜決定する。具体的な加熱手
段としては、発熱体であれば特に制限はない。具体的に
はシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、
セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体
等を媒体とした熱交換手段による発熱体等が挙げられ
る。具体的な冷却手段としては、吸熱体であれば特に制
限はない。例えば、液体・気体等を冷却媒体として流す
ことができる冷却コイル、冷却板、冷却筒等が挙げられ
る。
たは冷却手段を設けることにより、高周波電力導入手段
１０２表面における膜の密着性を更に高め、より効果的
に膜剥れの防止を達成できる。この場合、高周波電力導
入手段１０２を加熱するか、冷却するかは、堆積する膜
材料、堆積条件に応じて適宜決定する。具体的な加熱手
段としては、発熱体であれば特に制限はない。具体的に
はシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、
セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体
等を媒体とした熱交換手段による発熱体等が挙げられ
る。具体的な冷却手段としては、吸熱体であれば特に制
限はない。例えば、液体・気体等を冷却媒体として流す
ことができる冷却コイル、冷却板、冷却筒等が挙げられ
る。
【００８０】反応容器１０１の形状に関しては、どのよ
うな形状のものであっても本発明の効果は得られるが、
前述したように、原料ガスが分解される成膜空間が，円
柱状領域に制限されるように壁面が設けられていること
が好ましい。この場合、必ずしも反応容器１０１そのも
のが円筒状である必要はなく、例えば、角状の反応容器
内に円筒状の成膜空間壁を設けてもよい。成膜空間を円
柱状領域に制限するに際しては、円柱状成膜空間の中心
軸が円筒状基体１０１の配置円の中心を通るようにす
る。このような成膜空間壁の表面は、膜はがれ防止のた
め、高周波電力導入手段１０２の表面と同様に、粗面
化、セラミックスによる被覆、加熱・冷却を行うことが
効果的である。
うな形状のものであっても本発明の効果は得られるが、
前述したように、原料ガスが分解される成膜空間が，円
柱状領域に制限されるように壁面が設けられていること
が好ましい。この場合、必ずしも反応容器１０１そのも
のが円筒状である必要はなく、例えば、角状の反応容器
内に円筒状の成膜空間壁を設けてもよい。成膜空間を円
柱状領域に制限するに際しては、円柱状成膜空間の中心
軸が円筒状基体１０１の配置円の中心を通るようにす
る。このような成膜空間壁の表面は、膜はがれ防止のた
め、高周波電力導入手段１０２の表面と同様に、粗面
化、セラミックスによる被覆、加熱・冷却を行うことが
効果的である。
【００８１】原料ガス供給手段１１２の数、設置位置は
特に制限はないが、前述したように、円筒状基体配置円
内および円筒状基体配置円外の両方に設置することが効
果的である。
特に制限はないが、前述したように、円筒状基体配置円
内および円筒状基体配置円外の両方に設置することが効
果的である。
【００８２】このような装置を用いた堆積膜の形成は、
例えば概略以下のようにして行われる。
例えば概略以下のようにして行われる。
【００８３】まず、基体ホルダー１０６に保持した円筒
状基体１０５を反応容器１０１内に設置し、不図示の排
気装置により排気口１１１を通して反応容器１０１内を
排気する。続いて、発熱体１０７により円筒状基体１０
５を所定の温度に加熱・制御する。
状基体１０５を反応容器１０１内に設置し、不図示の排
気装置により排気口１１１を通して反応容器１０１内を
排気する。続いて、発熱体１０７により円筒状基体１０
５を所定の温度に加熱・制御する。
【００８４】円筒状基体１０５が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを
反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源１０３からマッチングボック
ス１０４を介してカソード電極１０２へ所定の高周波電
力を供給する。供給された高周波電力によって、反応容
器１０１内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解
離して円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
ころで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを
反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源１０３からマッチングボック
ス１０４を介してカソード電極１０２へ所定の高周波電
力を供給する。供給された高周波電力によって、反応容
器１０１内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解
離して円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
【００８５】所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合
には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間
においては、上述したように１つの層の形成が終了した
時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力
に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成
を行なってもよいし、あるいは、１つの層の形成終了後
一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値
に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成し
てもよい。
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合
には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間
においては、上述したように１つの層の形成が終了した
時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力
に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成
を行なってもよいし、あるいは、１つの層の形成終了後
一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値
に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成し
てもよい。
【００８６】堆積膜の形成中、必要に応じて、回転軸１
０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により所
定の速度で回転させてもよい。
０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により所
定の速度で回転させてもよい。
【００８７】本発明においては、基体間での堆積膜特性
差の抑制を目的として、図６に示すように、高周波電力
導入手段１０２を複数とし、これらを円筒状基体１０５
配置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で配置する
ことが好ましい。この場合、高周波電力導入手段の数と
しては、円筒状基体と同数もしくは円筒状基体の１／２
とすることが更に好ましい。円筒状基体の１／２とする
場合には、近接する２つの円筒状基体との距離が等しく
なるよう配置することが最適である。複数の高周波電力
導入手段１０２への電力の供給は、例えば図６に示すよ
うに、１つの高周波電源１０３からマッチングボックス
１０４を介した後、電力供給路を分岐させて行うことが
できる。また例えば、１つの高周波電源１０３から電力
供給路を分岐させた後、複数のマッチングボックスを介
して電力供給を行ってもよく、さらには例えば、個々の
高周波電力導入手段ごとに別個の高周波電源およびマッ
チングボックスを設けてもよいが、全ての高周波電力導
入手段から導入される高周波電力の周波数が完全に一致
するという点、装置コストの点、装置の大きさの点か
ら、１つの高周波電源から全ての高周波電力導入手段に
電力供給されることが好ましい。
差の抑制を目的として、図６に示すように、高周波電力
導入手段１０２を複数とし、これらを円筒状基体１０５
配置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で配置する
ことが好ましい。この場合、高周波電力導入手段の数と
しては、円筒状基体と同数もしくは円筒状基体の１／２
とすることが更に好ましい。円筒状基体の１／２とする
場合には、近接する２つの円筒状基体との距離が等しく
なるよう配置することが最適である。複数の高周波電力
導入手段１０２への電力の供給は、例えば図６に示すよ
うに、１つの高周波電源１０３からマッチングボックス
１０４を介した後、電力供給路を分岐させて行うことが
できる。また例えば、１つの高周波電源１０３から電力
供給路を分岐させた後、複数のマッチングボックスを介
して電力供給を行ってもよく、さらには例えば、個々の
高周波電力導入手段ごとに別個の高周波電源およびマッ
チングボックスを設けてもよいが、全ての高周波電力導
入手段から導入される高周波電力の周波数が完全に一致
するという点、装置コストの点、装置の大きさの点か
ら、１つの高周波電源から全ての高周波電力導入手段に
電力供給されることが好ましい。
【００８８】高周波電力導入手段１０２としては棒状、
筒状、球状、板状等のカソード電極や、同軸構造体の外
部導体に開口部を設けそこから電力供給する手段等が用
いることができる。高周波電力導入手段１０２の表面
は、膜の密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダ
ストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ま
しい。粗面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基
準とする１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５〜２００μｍの範
囲が好ましい。
筒状、球状、板状等のカソード電極や、同軸構造体の外
部導体に開口部を設けそこから電力供給する手段等が用
いることができる。高周波電力導入手段１０２の表面
は、膜の密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダ
ストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ま
しい。粗面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基
準とする１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５〜２００μｍの範
囲が好ましい。
【００８９】さらに、膜の密着性向上の観点から、高周
波電力導入手段１０２の表面はセラミックス材で被覆さ
れていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に
制限はないが、例えば、セラミックス等の筒材により、
高周波電力導入手段１０２を覆うように装着してもよ
い。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二
酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコ
ン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化
珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げら
れる。また、上記材料をＣＶＤ法、溶射等の表面コーテ
ィング法により、高周波電力導入手段１０２の表面をコ
ーティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射
は、コスト面から、あるいはコーティング対象物の大き
さ・形状の制限を受けにくいため好ましい。高周波電力
導入手段１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さ
は特に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、
また高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１
０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
波電力導入手段１０２の表面はセラミックス材で被覆さ
れていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に
制限はないが、例えば、セラミックス等の筒材により、
高周波電力導入手段１０２を覆うように装着してもよ
い。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二
酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコ
ン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化
珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げら
れる。また、上記材料をＣＶＤ法、溶射等の表面コーテ
ィング法により、高周波電力導入手段１０２の表面をコ
ーティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射
は、コスト面から、あるいはコーティング対象物の大き
さ・形状の制限を受けにくいため好ましい。高周波電力
導入手段１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さ
は特に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、
また高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１
０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００９０】図６において、反応容器１０１内には複数
の円筒状基体１０５を取り囲み、かつ、中心軸が円筒状
基体配置円の中心を通るように円筒状壁６０１が設置さ
れている。
の円筒状基体１０５を取り囲み、かつ、中心軸が円筒状
基体配置円の中心を通るように円筒状壁６０１が設置さ
れている。
【００９１】このような装置を用いた堆積膜の形成も、
図７に示した装置と同様の手順により行うことができ
る。
図７に示した装置と同様の手順により行うことができ
る。
【００９２】また、本発明において、図１に示すよう
に、円筒状基体の配置円内に第２の高周波電力導入手段
を設置することにより、円筒状基体周方向全周にわたっ
て、より均一で良好な堆積膜形成が形成可能となる。図
１において、７０１は第２の高周波電力導入手段、７０
２は第２の高周波電源、７０３は第２のマッチングボッ
クスである。
に、円筒状基体の配置円内に第２の高周波電力導入手段
を設置することにより、円筒状基体周方向全周にわたっ
て、より均一で良好な堆積膜形成が形成可能となる。図
１において、７０１は第２の高周波電力導入手段、７０
２は第２の高周波電源、７０３は第２のマッチングボッ
クスである。
【００９３】第２の高周波電力導入手段７０１の形状、
大きさ、表面性、電力供給方法等は高周波電力導入手段
１０２と同様でよい。形状、大きさ、表面性、電力供給
方法等は、第２の高周波電力導入手段７０１と高周波電
力導入手段１０２が全く同じであってもよいし、異なっ
ていてもよい。
大きさ、表面性、電力供給方法等は高周波電力導入手段
１０２と同様でよい。形状、大きさ、表面性、電力供給
方法等は、第２の高周波電力導入手段７０１と高周波電
力導入手段１０２が全く同じであってもよいし、異なっ
ていてもよい。
【００９４】第２の高周波電力導入手段７０１の設置位
置としては、第２の高周波電力導入手段７０１を１本と
する場合は、円筒状基体配置円中心に設置することが好
ましい。また、第２の高周波電力導入手段７０１を複数
とする場合は、円筒状基体配置円と中心を同じくする同
心円上に等間隔で配置することが好ましい。
置としては、第２の高周波電力導入手段７０１を１本と
する場合は、円筒状基体配置円中心に設置することが好
ましい。また、第２の高周波電力導入手段７０１を複数
とする場合は、円筒状基体配置円と中心を同じくする同
心円上に等間隔で配置することが好ましい。
【００９５】高周波電力導入手段１０２及び第２の高周
波電力導入手段７０１への高周波電力の供給は、高周波
電源１０３からマッチングボックス１０４を介した後、
電力供給路を分岐して高周波電力導入手段１０２及び第
２の高周波電力導入手段７０１へ電力供給することも可
能である。しかしながら、制御性の点から、図１中に示
したように独立した２つの電源およびマッチングボック
スを用いる等の手段により、各々独立に電力制御可能で
あることが好ましい。また、この場合、前述したよう
に、円筒状基体の配置円外に設置された高周波電力導入
手段から導入される高周波電力の発振源と第２の高周波
電力導入手段から導入される高周波電力の発振源を同一
とすることが更に好ましい。
波電力導入手段７０１への高周波電力の供給は、高周波
電源１０３からマッチングボックス１０４を介した後、
電力供給路を分岐して高周波電力導入手段１０２及び第
２の高周波電力導入手段７０１へ電力供給することも可
能である。しかしながら、制御性の点から、図１中に示
したように独立した２つの電源およびマッチングボック
スを用いる等の手段により、各々独立に電力制御可能で
あることが好ましい。また、この場合、前述したよう
に、円筒状基体の配置円外に設置された高周波電力導入
手段から導入される高周波電力の発振源と第２の高周波
電力導入手段から導入される高周波電力の発振源を同一
とすることが更に好ましい。
【００９６】このような、図１に示したような装置にお
いて、堆積膜を形成する具体的手順は、図７に示した装
置を用いた場合と概略同様にして行うことができる。図
１に示した装置においては、２つの独立した高周波電力
制御が必要となるが、この高周波電力導入の手順は、高
周波電力導入手段１０２からの導入電力を所定の値に設
定した後、第２の高周波電力導入手段７０１からの導入
電力を所定の値に設定してもよいし、この逆の手順によ
り行ってもよい。また、高周波電力導入手段１０２から
の導入電力と第２の高周波電力導入手段７０１からの導
入電力を同時並行的に所定の値に設定してもよい。
いて、堆積膜を形成する具体的手順は、図７に示した装
置を用いた場合と概略同様にして行うことができる。図
１に示した装置においては、２つの独立した高周波電力
制御が必要となるが、この高周波電力導入の手順は、高
周波電力導入手段１０２からの導入電力を所定の値に設
定した後、第２の高周波電力導入手段７０１からの導入
電力を所定の値に設定してもよいし、この逆の手順によ
り行ってもよい。また、高周波電力導入手段１０２から
の導入電力と第２の高周波電力導入手段７０１からの導
入電力を同時並行的に所定の値に設定してもよい。
【００９７】さらに本発明においては、図８に示すよう
に、原料ガスが分解される成膜空間を、少なくとも一部
が非導電性材料で構成された円筒状壁８０１により円柱
状領域に制限し、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体
１０５配置円の中心を通る構成とし、さらに、円筒状基
体１０５の配置円外に設置された高周波電力導入手段１
０２を円柱状壁８０１外部に位置させることにより、原
料ガスの利用効率が向上し、同時に、形成される堆積膜
中の欠陥が抑制可能となる。図８において、８０１は円
筒状壁であり、少なくとも一部が非導電性材料で構成さ
れている。具体的な非導電性材料としては、アルミナ、
二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコ
ン、コージェライト、ジルコン−コージェライド酸化珪
素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられ
る。これらのうち、高周波電力の吸収が少ないという点
から、特にアルミナが好適である。
に、原料ガスが分解される成膜空間を、少なくとも一部
が非導電性材料で構成された円筒状壁８０１により円柱
状領域に制限し、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体
１０５配置円の中心を通る構成とし、さらに、円筒状基
体１０５の配置円外に設置された高周波電力導入手段１
０２を円柱状壁８０１外部に位置させることにより、原
料ガスの利用効率が向上し、同時に、形成される堆積膜
中の欠陥が抑制可能となる。図８において、８０１は円
筒状壁であり、少なくとも一部が非導電性材料で構成さ
れている。具体的な非導電性材料としては、アルミナ、
二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコ
ン、コージェライト、ジルコン−コージェライド酸化珪
素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられ
る。これらのうち、高周波電力の吸収が少ないという点
から、特にアルミナが好適である。
【００９８】また、中心軸が円筒状基体１０５配置円の
中心を通り、一定電位に維持された円筒状導電性シール
ドを、円筒状壁面８０１外に設置された高周波電力導入
手段１０２を取り囲むように設けるのが、放出される高
周波電力の均一性を向上する上で好適である。この円筒
状導電性シールドは反応容器１０１が兼ねる構成として
もよい。
中心を通り、一定電位に維持された円筒状導電性シール
ドを、円筒状壁面８０１外に設置された高周波電力導入
手段１０２を取り囲むように設けるのが、放出される高
周波電力の均一性を向上する上で好適である。この円筒
状導電性シールドは反応容器１０１が兼ねる構成として
もよい。
【００９９】このような図８に示したような装置におい
ても、堆積膜を形成する具体的手順は、図７に示した装
置を用いた場合と概略同様にして行うことができる。
ても、堆積膜を形成する具体的手順は、図７に示した装
置を用いた場合と概略同様にして行うことができる。
【０１００】このような本発明を用いることにより、例
えば図１２に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部
材が形成可能である。
えば図１２に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部
材が形成可能である。
【０１０１】図１２（ａ）に示す電子写真用感光体１２
００は、支持体１２０１の上に、水素原子またはハロゲ
ン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（以
下「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）を有する光導電
性を有する光導電層１２０２が設けられている。
００は、支持体１２０１の上に、水素原子またはハロゲ
ン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（以
下「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）を有する光導電
性を有する光導電層１２０２が設けられている。
【０１０２】図１２（ｂ）に示す電子写真用感光体１２
００は、支持体１２０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なり光導電性を有する光導電層１２０２と、アモルファ
スシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層１２０
３が設けられて構成されている。
００は、支持体１２０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なり光導電性を有する光導電層１２０２と、アモルファ
スシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層１２０
３が設けられて構成されている。
【０１０３】図１２（ｃ）に示す電子写真用感光体１２
００は、支持体１２０１の上に、アモルファスシリコン
系電荷注入阻止層１２０４と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからな
り光導電性を有する光導電層１２０２と、アモルファス
シリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層１２０３
が設けられて構成されている。
００は、支持体１２０１の上に、アモルファスシリコン
系電荷注入阻止層１２０４と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからな
り光導電性を有する光導電層１２０２と、アモルファス
シリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層１２０３
が設けられて構成されている。
【０１０４】図１２（ｄ）に示す電子写真用感光体１２
００は、支持体１２０１の上に、光導電層１２０２が設
けられている。この光導電層１２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，
Ｘからなる電荷発生層１２０５及び電荷輸送層１２０６
とからなり、その上にアモルファスシリコン系（又はア
モルファス炭素系）表面層１２０３が設けられている。
００は、支持体１２０１の上に、光導電層１２０２が設
けられている。この光導電層１２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，
Ｘからなる電荷発生層１２０５及び電荷輸送層１２０６
とからなり、その上にアモルファスシリコン系（又はア
モルファス炭素系）表面層１２０３が設けられている。
【０１０５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらによりなんら制限されるもので
はない。
するが、本発明はこれらによりなんら制限されるもので
はない。
【０１０６】（実施例１）図７に示す堆積膜形成装置を
用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニ
ウムシリンダー１０５上に、高周波電源１０３の発振周
波数を５０ＭＨｚとして表１に示す条件で膜厚１μｍの
ａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニ
ウムシリンダー１０５上に、高周波電源１０３の発振周
波数を５０ＭＨｚとして表１に示す条件で膜厚１μｍの
ａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【０１０７】高周波電力導入手段１０２は、直径５００
ｍｍ、高さ４７０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円筒状ＡＬ製部材
をカソード電極として用いた。高周波電力導入手段１０
２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍ
ｍを基準長とするＲｚで５０μｍとした。また、高周波
電力導入手段１０２への高周波電力供給は以下のように
した。高周波電源１０３から出力された高周波電力は、
マッチングボックス１０４を経た後、同軸状電送路に電
送されようにした。その後、高周波電力は、同軸構造を
維持したまま２系統に分割された電送路を経て、円筒状
の高周波電力導入手段１０２の２個所に供給されるよう
にした。高周波電力導入手段１０２上の電力供給個所
は、高さ方向の中央（即ち、円筒端部から２３５ｍｍの
位置）で、周方向に１８０度ずらした２点とした。
ｍｍ、高さ４７０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円筒状ＡＬ製部材
をカソード電極として用いた。高周波電力導入手段１０
２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍ
ｍを基準長とするＲｚで５０μｍとした。また、高周波
電力導入手段１０２への高周波電力供給は以下のように
した。高周波電源１０３から出力された高周波電力は、
マッチングボックス１０４を経た後、同軸状電送路に電
送されようにした。その後、高周波電力は、同軸構造を
維持したまま２系統に分割された電送路を経て、円筒状
の高周波電力導入手段１０２の２個所に供給されるよう
にした。高周波電力導入手段１０２上の電力供給個所
は、高さ方向の中央（即ち、円筒端部から２３５ｍｍの
位置）で、周方向に１８０度ずらした２点とした。
【０１０８】原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍ
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍ
のガス噴出口から原料ガス供給可能な構造のものを用い
た。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体配
置円内とし、同心円上に３本配置した。原料ガス供給手
段１１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを
２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍ
のガス噴出口から原料ガス供給可能な構造のものを用い
た。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体配
置円内とし、同心円上に３本配置した。原料ガス供給手
段１１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを
２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１０９】また、堆積膜の膜質評価用として、Ｃｒ製
の２５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着したコーニング
＃７０５９ガラス基板を電気特性評価基板として６本の
うちの１本の円筒状基体表面上の軸方向中央位置に設置
した。
の２５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着したコーニング
＃７０５９ガラス基板を電気特性評価基板として６本の
うちの１本の円筒状基体表面上の軸方向中央位置に設置
した。
【０１１０】このような装置を用いた堆積膜の形成は概
略以下の通りとした。
略以下の通りとした。
【０１１１】まず、基体ホルダー１０６に保持された円
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気口１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、さらに原料ガス供給手
段１１２から反応容器１０１中に５００ｓｃｃｍのＡｒ
を供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を
２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気口１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、さらに原料ガス供給手
段１１２から反応容器１０１中に５００ｓｃｃｍのＡｒ
を供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を
２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【０１１２】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１及び成膜空間内を不図示の排気装置により排気口１
１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介
して表１に示す原料ガスを導入した。原料ガスの流量が
設定流量となり、また、成膜空間１１４内の圧力が安定
したのを確認した後、高周波電源１０３の出力値を表１
に示す電力に設定し、マッチングボックス１０４を介し
てカソード電極１０２へ高周波電力を供給した。カソー
ド電極１０２から成膜空間に放射された高周波電力によ
って、原料ガスを励起・解離することにより、円筒状基
体１０５上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。その後、１μ
ｍの厚さの堆積膜が得られたところで高周波電力の供給
を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成
を終えた。
０１及び成膜空間内を不図示の排気装置により排気口１
１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介
して表１に示す原料ガスを導入した。原料ガスの流量が
設定流量となり、また、成膜空間１１４内の圧力が安定
したのを確認した後、高周波電源１０３の出力値を表１
に示す電力に設定し、マッチングボックス１０４を介し
てカソード電極１０２へ高周波電力を供給した。カソー
ド電極１０２から成膜空間に放射された高周波電力によ
って、原料ガスを励起・解離することにより、円筒状基
体１０５上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。その後、１μ
ｍの厚さの堆積膜が得られたところで高周波電力の供給
を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成
を終えた。
【０１１３】
【表１】
【０１１４】（比較例１）図３に示す堆積膜形成装置を
用い、実施例１と同様にして表１の条件でａ−Ｓｉ堆積
膜の形成を行った。高周波電力導入手段３０２は、直径
２０ｍｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱状部材をカソ
ード電極として用いた。高周波電力導入手段３０２の表
面は、ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基
準長とするＲｚで５０μｍとした。また、原料ガス供給
手段３１２は実施例１と同じものを用い、設置位置も実
施例１と同じとした。
用い、実施例１と同様にして表１の条件でａ−Ｓｉ堆積
膜の形成を行った。高周波電力導入手段３０２は、直径
２０ｍｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱状部材をカソ
ード電極として用いた。高周波電力導入手段３０２の表
面は、ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基
準長とするＲｚで５０μｍとした。また、原料ガス供給
手段３１２は実施例１と同じものを用い、設置位置も実
施例１と同じとした。
【０１１５】（評価１）実施例１及び比較例１におい
て、このようにしてａ−Ｓｉ堆積膜を３０回形成し、以
下のように比較・評価した。
て、このようにしてａ−Ｓｉ堆積膜を３０回形成し、以
下のように比較・評価した。
【０１１６】堆積膜形成時間：厚さ１μｍの堆積膜を得
るのに必要な時間を各々実測した。 堆積膜特性：以下の２項目により特性評価を行った。
るのに必要な時間を各々実測した。 堆積膜特性：以下の２項目により特性評価を行った。
【０１１７】光感度：電気特性評価基板上に得られた堆
積膜の（（光導電率σｐ）／（暗導電率σｄ））を測定
することにより評価した。光導電率σｐは、強度１ｍＷ
／ｃｍ2のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）
を照射したときの導電率とした。したがって、光感度の
値が大きいほど堆積膜特性が良好であることを示す。
積膜の（（光導電率σｐ）／（暗導電率σｄ））を測定
することにより評価した。光導電率σｐは、強度１ｍＷ
／ｃｍ2のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）
を照射したときの導電率とした。したがって、光感度の
値が大きいほど堆積膜特性が良好であることを示す。
【０１１８】欠陥密度：ＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｐ
ｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ）法により、価
電子帯端から価電子帯端上（伝導帯側）０．８ｅＶまで
の欠陥密度を測定した。したがって、欠陥密度の値が小
さいほど堆積膜特性が良好であることを示す。
ｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ）法により、価
電子帯端から価電子帯端上（伝導帯側）０．８ｅＶまで
の欠陥密度を測定した。したがって、欠陥密度の値が小
さいほど堆積膜特性が良好であることを示す。
【０１１９】以上の比較・評価の結果、堆積膜形成時間
は比較例１においては実施例１の１．８倍必要であっ
た。また、堆積膜特性に関しての評価結果を図９に示
す。なお図９中においては、光感度および欠陥密度とも
に、実施例１、比較例１を通じての最小値を１として、
それに対する相対値で示されている。
は比較例１においては実施例１の１．８倍必要であっ
た。また、堆積膜特性に関しての評価結果を図９に示
す。なお図９中においては、光感度および欠陥密度とも
に、実施例１、比較例１を通じての最小値を１として、
それに対する相対値で示されている。
【０１２０】光感度に関して、実施例１の平均値は比較
例１の平均値の２．０倍であり、本発明を用いることに
より光感度の良好な堆積膜が形成されることが確認され
た。また、欠陥密度に関しては、実施例１の平均値は比
較例１の平均値の０．３１倍であり、本発明を用いるこ
とにより欠陥密度の抑制された良好な堆積膜が形成され
ることが確認された。さらに、光感度および欠陥密度の
それぞれに関してそのロット間でのばらつきは、図９に
示すように比較例１と比べて実施例１は小さく、本発明
によりロット間での堆積膜特性のばらつきが小さい堆積
膜形成が可能であることが確認された。
例１の平均値の２．０倍であり、本発明を用いることに
より光感度の良好な堆積膜が形成されることが確認され
た。また、欠陥密度に関しては、実施例１の平均値は比
較例１の平均値の０．３１倍であり、本発明を用いるこ
とにより欠陥密度の抑制された良好な堆積膜が形成され
ることが確認された。さらに、光感度および欠陥密度の
それぞれに関してそのロット間でのばらつきは、図９に
示すように比較例１と比べて実施例１は小さく、本発明
によりロット間での堆積膜特性のばらつきが小さい堆積
膜形成が可能であることが確認された。
【０１２１】以上のように、本発明によれば、短い堆積
膜形成時間で、特性の良好な堆積膜が再現性良く形成可
能なことが確認された。
膜形成時間で、特性の良好な堆積膜が再現性良く形成可
能なことが確認された。
【０１２２】（実施例２）図６に示す堆積膜形成装置を
用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニ
ウムシリンダー１０５上に、高周波電源１０３の発振周
波数を１００ＭＨｚとして表２に示す条件で電荷注入阻
止層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロット、
合計６０本作製した。
用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニ
ウムシリンダー１０５上に、高周波電源１０３の発振周
波数を１００ＭＨｚとして表２に示す条件で電荷注入阻
止層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロット、
合計６０本作製した。
【０１２３】原料ガスが分解される成膜空間は円筒状壁
面６０１により直径４００ｍｍ、高さ５００ｍｍの円柱
状領域に制限されている。
面６０１により直径４００ｍｍ、高さ５００ｍｍの円柱
状領域に制限されている。
【０１２４】高周波電力導入手段１０２は直径２０ｍｍ
のＳＵＳ製円柱であり、その外部を内径２１ｍｍ、外径
２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造とした。ア
ルミナ製パイプは、ブラスト加工により表面粗さを２．
５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。このよう
な高周波電力導入手段１０２は、円筒状基体配置円外に
設置し、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする
同一円周上に等間隔で６本配置した。
のＳＵＳ製円柱であり、その外部を内径２１ｍｍ、外径
２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造とした。ア
ルミナ製パイプは、ブラスト加工により表面粗さを２．
５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。このよう
な高周波電力導入手段１０２は、円筒状基体配置円外に
設置し、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする
同一円周上に等間隔で６本配置した。
【０１２５】原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍ
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍ
のガス噴出口から原料ガスが供給可能な構造のものを用
いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体
配置円外とし、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じ
くする同一円周上に等間隔で６本配置した。原料ガス供
給手段１１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さ
を２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍ
のガス噴出口から原料ガスが供給可能な構造のものを用
いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体
配置円外とし、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じ
くする同一円周上に等間隔で６本配置した。原料ガス供
給手段１１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さ
を２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１２６】感光体作製手順は概略以下の通りとした。
【０１２７】まず、基体ホルダー１０６に保持された円
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気口１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、さらに原料ガス供給手
段１１２から反応容器１０１中に５００ｓｃｃｍのＡｒ
を供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を
２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気口１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、さらに原料ガス供給手
段１１２から反応容器１０１中に５００ｓｃｃｍのＡｒ
を供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を
２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【０１２８】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１を不図示の排気装置により排気口１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表２に示
す電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原
料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１
内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３
の出力値を表２に示す電力に設定し、マッチングボック
ス１０４を介して高周波電力導入手段１０２へ高周波電
力を供給した。高周波電力導入手段１０２から反応容器
１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを
励起・解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷
注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた
後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を
停止して電荷注入阻止層の形成を終えた。同様の操作を
複数回繰り返すことによって、光導電層、表面層を順次
形成した。
０１を不図示の排気装置により排気口１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表２に示
す電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原
料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１
内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３
の出力値を表２に示す電力に設定し、マッチングボック
ス１０４を介して高周波電力導入手段１０２へ高周波電
力を供給した。高周波電力導入手段１０２から反応容器
１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを
励起・解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷
注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた
後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を
停止して電荷注入阻止層の形成を終えた。同様の操作を
複数回繰り返すことによって、光導電層、表面層を順次
形成した。
【０１２９】
【表２】
【０１３０】（比較例２）図５に示す堆積膜形成装置を
用いて、実施例２と同様にして、表２に示す条件で電荷
注入阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロ
ット、合計６０本作製した。
用いて、実施例２と同様にして、表２に示す条件で電荷
注入阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロ
ット、合計６０本作製した。
【０１３１】図５において高周波電力導入手段５０２
は、実施例２と同様に、直径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱で
あり、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミ
ナ製パイプにより覆う構造とした。アルミナ製パイプ
は、ブラスト加工により表面粗さを２．５ｍｍを基準長
とするＲｚで２０μｍとした。このような高周波電力導
入手段５０２は、図５に示すように１２本を反応容器５
００内に配置した。各高周波電力導入手段５０２と近接
円筒状基体との距離は全て等しくなるようにした。
は、実施例２と同様に、直径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱で
あり、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミ
ナ製パイプにより覆う構造とした。アルミナ製パイプ
は、ブラスト加工により表面粗さを２．５ｍｍを基準長
とするＲｚで２０μｍとした。このような高周波電力導
入手段５０２は、図５に示すように１２本を反応容器５
００内に配置した。各高周波電力導入手段５０２と近接
円筒状基体との距離は全て等しくなるようにした。
【０１３２】原料ガス供給手段（不図示）は、実施例２
と同様に、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パ
イプで、端部が封止された構造であり、パイプ上に設け
られた直径１．２ｍｍのガス噴出口より原料ガス供給可
能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段の設置位置
は電極間中央位置とした。原料ガス供給手段の表面は、
ブラスト加工により表面粗さを２．５ｍｍを基準長とす
るＲｚで２０μｍとした。
と同様に、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パ
イプで、端部が封止された構造であり、パイプ上に設け
られた直径１．２ｍｍのガス噴出口より原料ガス供給可
能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段の設置位置
は電極間中央位置とした。原料ガス供給手段の表面は、
ブラスト加工により表面粗さを２．５ｍｍを基準長とす
るＲｚで２０μｍとした。
【０１３３】（評価２）このように実施例２及び比較例
２で作製されたａ−Ｓｉ感光体をそれぞれ本テスト用に
改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置
し、感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「画像
濃度むら」及び「特性ばらつき」の２項目とし、以下の
具体的評価法により各項目の評価を行なった。
２で作製されたａ−Ｓｉ感光体をそれぞれ本テスト用に
改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置
し、感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「画像
濃度むら」及び「特性ばらつき」の２項目とし、以下の
具体的評価法により各項目の評価を行なった。
【０１３４】画像濃度むら：まず、現像器位置での暗部
電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、原
稿に反射濃度０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器
位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調
整した。次いで、キャノン製中間調チャート（部品号：
ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに
得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値
と最低値の差により評価した。評価結果は全感光体の平
均値とした。したがって、数値が小さいほど良好であ
る。
電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、原
稿に反射濃度０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器
位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調
整した。次いで、キャノン製中間調チャート（部品号：
ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに
得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値
と最低値の差により評価した。評価結果は全感光体の平
均値とした。したがって、数値が小さいほど良好であ
る。
【０１３５】特性ばらつき：上記「画像濃度むら」及び
下記３項目の合計４項目において、各々の評価における
全感光体の評価結果の最大値と最小値を求め、次いで
（最大値）／（最小値）の値を求めた。４項目のうち、
この値が最大のものを特性ばらつきの値とした。したが
って、数値が小さいほど良好である。
下記３項目の合計４項目において、各々の評価における
全感光体の評価結果の最大値と最小値を求め、次いで
（最大値）／（最小値）の値を求めた。４項目のうち、
この値が最大のものを特性ばらつきの値とした。したが
って、数値が小さいほど良好である。
【０１３６】帯電能：複写機の主帯電器に一定の電流を
流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。した
がって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であること
を示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域に渡って行
ない、その中の最低暗部電位により評価した。評価結果
は全感光体の平均値とした。したがって、数値が大きい
ほど良好である。
流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。した
がって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であること
を示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域に渡って行
ない、その中の最低暗部電位により評価した。評価結果
は全感光体の平均値とした。したがって、数値が大きい
ほど良好である。
【０１３７】感度：現像器位置での暗部電位が一定値と
なるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度
０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部
電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した際の像
露光光量により評価する。したがって、像露光光量が少
ないほど感度が良好であることを示す。感度測定は感光
体母線方向全領域に渡って行ない、その中の最大像露光
光量により評価した。評価結果は全感光体の平均値とし
た。したがって、数値が小さいほど良好である。
なるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度
０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部
電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した際の像
露光光量により評価する。したがって、像露光光量が少
ないほど感度が良好であることを示す。感度測定は感光
体母線方向全領域に渡って行ない、その中の最大像露光
光量により評価した。評価結果は全感光体の平均値とし
た。したがって、数値が小さいほど良好である。
【０１３８】光メモリー：現像器位置における暗部電位
が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した
後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値と
なるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製
ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４
０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けた
ものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャー
トを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コピ
ー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸
の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定するこ
とにより行った。光メモリーの測定は、感光体母線方向
全領域にわたって行い、その中の最大反射濃度差により
評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。したが
って、数値が小さいほど良好である。
が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した
後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値と
なるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製
ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４
０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けた
ものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャー
トを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コピ
ー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸
の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定するこ
とにより行った。光メモリーの測定は、感光体母線方向
全領域にわたって行い、その中の最大反射濃度差により
評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。したが
って、数値が小さいほど良好である。
【０１３９】評価結果は、比較例２の結果を基準とし、
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
【０１４０】評価結果は、「画像濃度むら」が○〜△、
「特性ばらつき」が○であった。「画像濃度むら」及び
「特性ばらつき」の両項目とも実施例２と比較例２の間
に明らかに差が認められ、特に「特性ばらつき」におい
て明確な差が認められた。このことから、本発明による
「画像濃度むら」及び「特性ばらつき」の改善効果が確
認され、特に特性ばらつきに対する効果が顕著であるこ
とが確認された。
「特性ばらつき」が○であった。「画像濃度むら」及び
「特性ばらつき」の両項目とも実施例２と比較例２の間
に明らかに差が認められ、特に「特性ばらつき」におい
て明確な差が認められた。このことから、本発明による
「画像濃度むら」及び「特性ばらつき」の改善効果が確
認され、特に特性ばらつきに対する効果が顕著であるこ
とが確認された。
【０１４１】また、実施例２で作製された電子写真感光
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであった。
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであった。
【０１４２】（実施例３）図１に示す堆積膜形成装置を
用い、表３に示す条件で、高周波電源の発振周波数を１
００ＭＨｚとして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円
筒状アルミニウムシリンダー１０５上に電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロット、合
計６０本作製した。
用い、表３に示す条件で、高周波電源の発振周波数を１
００ＭＨｚとして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円
筒状アルミニウムシリンダー１０５上に電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロット、合
計６０本作製した。
【０１４３】原料ガスが分解される成膜空間は、反応容
器１０１の内面により直径４００ｍｍ、高さ５００ｍｍ
の円柱状領域に制限されている。
器１０１の内面により直径４００ｍｍ、高さ５００ｍｍ
の円柱状領域に制限されている。
【０１４４】高周波電力導入手段１０２及び第２の高周
波電力導入手段７０１の構造は実施例２の高周波電力導
入手段と同一とした。また、これらの設置位置は、高周
波電力導入手段１０２は実施例２と同一、第２の高周波
電力導入手段７０１は円筒状基体１０５の配置円の中心
とした。原料ガス供給手段１１２は構造および設置位置
とも実施例２と同一とした。
波電力導入手段７０１の構造は実施例２の高周波電力導
入手段と同一とした。また、これらの設置位置は、高周
波電力導入手段１０２は実施例２と同一、第２の高周波
電力導入手段７０１は円筒状基体１０５の配置円の中心
とした。原料ガス供給手段１１２は構造および設置位置
とも実施例２と同一とした。
【０１４５】感光体作製手順は概略実施例２と同様にし
た。高周波電力の導入は、高周波電力導入手段１０２及
び第２の高周波電力導入手段７０１に同時並行的に行っ
た。
た。高周波電力の導入は、高周波電力導入手段１０２及
び第２の高周波電力導入手段７０１に同時並行的に行っ
た。
【０１４６】
【表３】
【０１４７】（評価３）このようにして作製されたａ−
Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写
機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性評価を行なっ
た。評価項目は「画像濃度むら」および「特性ばらつ
き」の２項目とし、実施例２と同様の具体的評価法によ
り各項目の評価を行なった。
Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写
機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性評価を行なっ
た。評価項目は「画像濃度むら」および「特性ばらつ
き」の２項目とし、実施例２と同様の具体的評価法によ
り各項目の評価を行なった。
【０１４８】評価結果は、実施例２の結果を基準とし、
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を〇、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を〇、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
【０１４９】評価結果は、「画像濃度むら」が○〜△、
「特性ばらつき」が○〜△であった。「画像濃度むら」
及び「特性ばらつき」の両項目ともに、実施例２以上に
良好な結果が得られ、顕著な効果が認められた。このこ
とから、円筒状基体配置円内に第２の高周波電力導入手
段を設置した図１の構成とすることで、本発明の効果が
より顕著に得られることが確認された。また、実施例３
で作製された電子写真感光体を用いて形成された電子与
真画像は、画像流れ等もない極めて良好なものであっ
た。
「特性ばらつき」が○〜△であった。「画像濃度むら」
及び「特性ばらつき」の両項目ともに、実施例２以上に
良好な結果が得られ、顕著な効果が認められた。このこ
とから、円筒状基体配置円内に第２の高周波電力導入手
段を設置した図１の構成とすることで、本発明の効果が
より顕著に得られることが確認された。また、実施例３
で作製された電子写真感光体を用いて形成された電子与
真画像は、画像流れ等もない極めて良好なものであっ
た。
【０１５０】（実施例４）図８に示す堆積膜形成装置を
用い、表３に示す条件で、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロッ
ト、合計６０本作製した。高周波電力の周波数は１００
ＭＨｚとした。
用い、表３に示す条件で、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を１０ロッ
ト、合計６０本作製した。高周波電力の周波数は１００
ＭＨｚとした。
【０１５１】図８において、原料ガスが分解される成膜
空間は、円筒状壁８０１により、円筒状基体１０５を内
包する円柱状領域に制限されている。その円柱状領域
は、中心軸が円筒状基体配置円の中心を通っている。円
筒状壁８０１は内径４００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、高さ５
００ｍｍのアルミナ製円筒によりなっている。円筒状壁
８０１の内面は、ブラスト加工により表面粗さを２．５
ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
空間は、円筒状壁８０１により、円筒状基体１０５を内
包する円柱状領域に制限されている。その円柱状領域
は、中心軸が円筒状基体配置円の中心を通っている。円
筒状壁８０１は内径４００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、高さ５
００ｍｍのアルミナ製円筒によりなっている。円筒状壁
８０１の内面は、ブラスト加工により表面粗さを２．５
ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１５２】高周波電力導入手段１０２は、直径２０ｍ
ｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、円筒状壁８
０１の外部に設置され、同心円上に等間隔で６本、円筒
状壁８０１の外面から３０ｍｍの間隔を隔てて設置され
ている。また、第２の高周波電力導入手段７０１は、直
径２０ｍｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱の外部を内
径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆
う構造とし、円筒状基体１０５の配置円内の同一円の中
心に設置した。アルミナ製パイプは、ブラスト加工によ
り表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍ
とした。
ｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、円筒状壁８
０１の外部に設置され、同心円上に等間隔で６本、円筒
状壁８０１の外面から３０ｍｍの間隔を隔てて設置され
ている。また、第２の高周波電力導入手段７０１は、直
径２０ｍｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱の外部を内
径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆
う構造とし、円筒状基体１０５の配置円内の同一円の中
心に設置した。アルミナ製パイプは、ブラスト加工によ
り表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍ
とした。
【０１５３】反応容器１０１はアルミ製円筒状容器であ
り、円筒状壁８０１の外部に設置された高周波電力導入
手段１０２のシールド手段を兼ねている。
り、円筒状壁８０１の外部に設置された高周波電力導入
手段１０２のシールド手段を兼ねている。
【０１５４】原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍ
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍ
のガス噴出口から原料ガスが供給可能な構造のものを用
いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体
配置円内とし、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じ
くする同一円周上に等間隔で３本配置した。原料ガス供
給手段１１２の表面は、ブラスト加工により表面粗さを
２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍ
のガス噴出口から原料ガスが供給可能な構造のものを用
いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体
配置円内とし、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じ
くする同一円周上に等間隔で３本配置した。原料ガス供
給手段１１２の表面は、ブラスト加工により表面粗さを
２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１５５】感光体の作製手順は概略実施例３と同様に
した。
した。
【０１５６】（評価４）このようにして作製されたａ−
Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写
機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性評価を行なっ
た。評価項目は「画像欠陥」、「画像濃度むら」、「特
性ばらつき」の３項目とし、実施例２と同様の具体的評
価法により各項目の評価を行なった。
Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写
機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性評価を行なっ
た。評価項目は「画像欠陥」、「画像濃度むら」、「特
性ばらつき」の３項目とし、実施例２と同様の具体的評
価法により各項目の評価を行なった。
【０１５７】評価結果は、実施例３の結果を基準とし、
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
【０１５８】評価結果は、「画像欠陥」が○、「画像濃
度むら」が△、「特性ばらつき」が△であった。「画像
欠陥」においては、実施例３に比べ良好な結果が得ら
れ、また「画像濃度むら」及び「特性ばらつき」におい
ても実施例３と同等の良好な結果が得られた。このこと
から、成膜空間壁により成膜空間を円柱状領域に制限
し、高周波動導入手段を成膜空間壁の外部に設置する構
成とすることで、画像欠陥抑制に顕著な効果が得られる
ことが確認された。さらに、感光体１本あたり必要とす
る原料ガス量を実施例３と比較したところ、実施例４に
おいては実施例３より約１０％少なく、成膜空間壁によ
り成膜空間を円柱状領域に制限し、高周波電力導入手段
を成膜空間壁の外部に設置する構成とすることで、原料
ガス利用効率が向上することが確認された。
度むら」が△、「特性ばらつき」が△であった。「画像
欠陥」においては、実施例３に比べ良好な結果が得ら
れ、また「画像濃度むら」及び「特性ばらつき」におい
ても実施例３と同等の良好な結果が得られた。このこと
から、成膜空間壁により成膜空間を円柱状領域に制限
し、高周波動導入手段を成膜空間壁の外部に設置する構
成とすることで、画像欠陥抑制に顕著な効果が得られる
ことが確認された。さらに、感光体１本あたり必要とす
る原料ガス量を実施例３と比較したところ、実施例４に
おいては実施例３より約１０％少なく、成膜空間壁によ
り成膜空間を円柱状領域に制限し、高周波電力導入手段
を成膜空間壁の外部に設置する構成とすることで、原料
ガス利用効率が向上することが確認された。
【０１５９】また、実施例４で作製された電子写真感光
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであった。
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであった。
【０１６０】（実施例５）図１に示した堆積膜形成装置
において、直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムシリンダー１０５を同一円周上に６本設置可
能な構成とし、表４に示す条件で円筒状アルミニウムシ
リンダー１０５上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層
からなる感光体を１０ロット、合計６０本作製した。
において、直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状ア
ルミニウムシリンダー１０５を同一円周上に６本設置可
能な構成とし、表４に示す条件で円筒状アルミニウムシ
リンダー１０５上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層
からなる感光体を１０ロット、合計６０本作製した。
【０１６１】原料ガスが分解される成膜空間は、反応容
器１０１の内面により直径５００ｍｍ、高さ５００ｍｍ
の円柱状領域に制限されている。
器１０１の内面により直径５００ｍｍ、高さ５００ｍｍ
の円柱状領域に制限されている。
【０１６２】高周波電力導入手段１０２及び第２の高周
波電力導入手段７０１の構造は実施例２の高周波電力導
入手段と同一とした。また、これらの設置位置は、高周
波電力導入手段１０２は円筒状基体配置円外とし、円筒
状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に
等間隔で６本配置した。第２の高周波電力導入手段７０
１は円筒状基体１０５の配置円の中心とした。
波電力導入手段７０１の構造は実施例２の高周波電力導
入手段と同一とした。また、これらの設置位置は、高周
波電力導入手段１０２は円筒状基体配置円外とし、円筒
状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に
等間隔で６本配置した。第２の高周波電力導入手段７０
１は円筒状基体１０５の配置円の中心とした。
【０１６３】原料ガス供給手段１１２は実施例２と同一
の構造とした。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円
筒状基体配置円外とし、円筒状基体１０５の配置円と中
心を同じくする同一円周上に等間隔で６本配置した。
の構造とした。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円
筒状基体配置円外とし、円筒状基体１０５の配置円と中
心を同じくする同一円周上に等間隔で６本配置した。
【０１６４】高周波電源の発振周波数は１３．５６、３
０、５０、１００、３００、４５０、６００ＭＨｚの７
条件とした。但し、１３．５６ＭＨｚ及び３０ＭＨｚに
おいては、表４中に示した圧力での放電維持が不能であ
ったため、各々、表４中の圧力の２０倍及び５倍とし
た。
０、５０、１００、３００、４５０、６００ＭＨｚの７
条件とした。但し、１３．５６ＭＨｚ及び３０ＭＨｚに
おいては、表４中に示した圧力での放電維持が不能であ
ったため、各々、表４中の圧力の２０倍及び５倍とし
た。
【０１６５】感光体の作製手順は概略実施例２と同様に
した。高周波電力の導入は、高周波電力導入手段１０２
及び第２の高周波電力導入手段７０１に同時並行的に行
った。また、各層間は放電を切らず、原料ガス流量、高
周波電力を１２０秒間で次層条件に変化させ、連続的に
堆積膜の形成を行った。
した。高周波電力の導入は、高周波電力導入手段１０２
及び第２の高周波電力導入手段７０１に同時並行的に行
った。また、各層間は放電を切らず、原料ガス流量、高
周波電力を１２０秒間で次層条件に変化させ、連続的に
堆積膜の形成を行った。
【０１６６】
【表４】
【０１６７】（評価５）このようにして作製されたａ−
Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写
機ＮＰ−６０６２に設置し、感光体の特性評価を行なっ
た。評価項目は「帯電能」、「感度」、「光メモリ
ー」、「特性ばらつき」の４項目とし、実施例２と同様
の具体的評価法により各項目の評価を行なった。
Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写
機ＮＰ−６０６２に設置し、感光体の特性評価を行なっ
た。評価項目は「帯電能」、「感度」、「光メモリ
ー」、「特性ばらつき」の４項目とし、実施例２と同様
の具体的評価法により各項目の評価を行なった。
【０１６８】評価結果を表５に示す。表５において、評
価結果は、１３．５６ＭＨｚの結果を基準とし、４０％
以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を◎〜
○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上２０
％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪化を
×で示した。
価結果は、１３．５６ＭＨｚの結果を基準とし、４０％
以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を◎〜
○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上２０
％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪化を
×で示した。
【０１６９】５０〜４５０ＭＨｚの範囲において、「帯
電能」、「感度」、「光メモリー」、「特性ばらつき」
のいずれの項目においても、特に良好な結果が得られる
ことが確認された。
電能」、「感度」、「光メモリー」、「特性ばらつき」
のいずれの項目においても、特に良好な結果が得られる
ことが確認された。
【０１７０】また、実施例３で作製された電子写真感光
体を用いて形成された電子写真画像は、いずれも画像流
れ等もない良好なものであったが、特に５０〜４５０Ｍ
Ｈｚの範囲において形成された電子写真感光体を用いて
形成された電子写真画像は極めて良好のものであった。
体を用いて形成された電子写真画像は、いずれも画像流
れ等もない良好なものであったが、特に５０〜４５０Ｍ
Ｈｚの範囲において形成された電子写真感光体を用いて
形成された電子写真画像は極めて良好のものであった。
【０１７１】
【表５】
【０１７２】（実施例６）実施例３で用いた堆積膜形成
装置（図１）を改造し、円筒状基体１０５、高周波電力
導入手段１０２、第２の高周波電力導入手段７０１、原
料ガス供給手段１１２、排気口１１１を図１０に示す配
置とし、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミ
ニウムシリンダー（円筒状基体）上に表６に示す条件
で、電荷輸送層、電荷発生層、表面層からなる感光体を
１０ロット、合計１２０本作製した。
装置（図１）を改造し、円筒状基体１０５、高周波電力
導入手段１０２、第２の高周波電力導入手段７０１、原
料ガス供給手段１１２、排気口１１１を図１０に示す配
置とし、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミ
ニウムシリンダー（円筒状基体）上に表６に示す条件
で、電荷輸送層、電荷発生層、表面層からなる感光体を
１０ロット、合計１２０本作製した。
【０１７３】図１０において、原料ガス供給手段１１２
は、円筒状基体配置円の内部および外部に設置されてい
る。高周波電力導入手段１０２、第２の高周波電力導入
手段７０１、原料ガス供給手段１１２の各々の具体的構
成は実施例３と同様とした。また、感光体の作製手順に
ついても実施例３と同様にした。
は、円筒状基体配置円の内部および外部に設置されてい
る。高周波電力導入手段１０２、第２の高周波電力導入
手段７０１、原料ガス供給手段１１２の各々の具体的構
成は実施例３と同様とした。また、感光体の作製手順に
ついても実施例３と同様にした。
【０１７４】また、高周波電力は高周波発振機１００１
から出力された信号を２系統に分割し、各々アンプ１０
０２、１００３で増幅された後、マッチングボックス１
０４、７０２にそれぞれ供給される構成となっている。
高周波発振機１００１の周波数は１００ＭＨｚとした。
から出力された信号を２系統に分割し、各々アンプ１０
０２、１００３で増幅された後、マッチングボックス１
０４、７０２にそれぞれ供給される構成となっている。
高周波発振機１００１の周波数は１００ＭＨｚとした。
【０１７５】
【表６】
【０１７６】（比較例３）比較例２で用いた堆積膜形成
装置（図５）を改造し、円筒状基体５０１、高周波電力
導入手段５０２を図１１に示す配置とし、直径３０ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー
（円筒状基体）上に電荷輸送層、電荷発生層、表面層か
らなる感光体を高周波電源５０３の周波数を１００ＭＨ
ｚとして、表６に示す条件で１０ロット、合計１２０本
作製した。但し、高周波電力に関しては、すべての電極
から供給される総電力が実施例６と同じになるようにし
た。
装置（図５）を改造し、円筒状基体５０１、高周波電力
導入手段５０２を図１１に示す配置とし、直径３０ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー
（円筒状基体）上に電荷輸送層、電荷発生層、表面層か
らなる感光体を高周波電源５０３の周波数を１００ＭＨ
ｚとして、表６に示す条件で１０ロット、合計１２０本
作製した。但し、高周波電力に関しては、すべての電極
から供給される総電力が実施例６と同じになるようにし
た。
【０１７７】図１１において、原料ガス供給手段（不図
示）は電極間中央位置に設置した。
示）は電極間中央位置に設置した。
【０１７８】（評価６）このようにして作製されたａ−
Ｓｉ系感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複
写機ＮＰ−６０３０に設置し、感光体の特性評価を行な
った。評価項目は「画像濃度むら」及び「特性ばらつ
き」の２項目とし、実施例２と同様の具体的評価法によ
り各項目の評価を行なった。
Ｓｉ系感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複
写機ＮＰ−６０３０に設置し、感光体の特性評価を行な
った。評価項目は「画像濃度むら」及び「特性ばらつ
き」の２項目とし、実施例２と同様の具体的評価法によ
り各項目の評価を行なった。
【０１７９】評価結果は、比較例３の結果を基準とし、
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を
◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上
２０％未満の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪
化を×で示した。
【０１８０】評価結果は、「画像濃度むら」が◎〜○、
「特性ばらつき」が◎であり、「画像濃度むら」及び
「特性ばらつき」の両項目とも、非常に良好な結果が得
られ、特に「特性ばらつき」においては極めて顕著な効
果が認められた。
「特性ばらつき」が◎であり、「画像濃度むら」及び
「特性ばらつき」の両項目とも、非常に良好な結果が得
られ、特に「特性ばらつき」においては極めて顕著な効
果が認められた。
【０１８１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波−ＰＣＶＤ法による堆積膜形成において、堆積膜の
特性が向上し、基体間・ロット間での特性ばらつきが抑
制され、均一性・再現性が高く、安定した堆積膜の形成
が可能となる。さらに、堆積膜形成時間の短縮、原料ガ
ス利用効率の向上が達成され、生産コストの低下が実現
可能となる。
周波−ＰＣＶＤ法による堆積膜形成において、堆積膜の
特性が向上し、基体間・ロット間での特性ばらつきが抑
制され、均一性・再現性が高く、安定した堆積膜の形成
が可能となる。さらに、堆積膜形成時間の短縮、原料ガ
ス利用効率の向上が達成され、生産コストの低下が実現
可能となる。
【０１８２】この結果、特性の優れた半導体デバイス、
電子写真用光受容部材等を低コストで安定して生産する
ことが可能となる。
電子写真用光受容部材等を低コストで安定して生産する
ことが可能となる。
【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的
な構成図である。
な構成図である。
【図２】従来のＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣ
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を
示した模式的な構成図である。
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を
示した模式的な構成図である。
【図３】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズ
マＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示した模式的な構成図である。
マＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示した模式的な構成図である。
【図４】本発明の作用の１つを説明するための模式図で
ある。
ある。
【図５】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズ
マＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示した模式的な構成図である。
マＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示した模式的な構成図である。
【図６】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的
な構成図である。
な構成図である。
【図７】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的
な構成図である。
な構成図である。
【図８】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的
な構成図である。
な構成図である。
【図９】実施例１及び比較例１で形成した堆積膜の特性
評価結果を示した図である。
評価結果を示した図である。
【図１０】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式
的な構成図である。
的な構成図である。
【図１１】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラ
ズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の
一例を示した模式的な構成図である。
ズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の
一例を示した模式的な構成図である。
【図１２】本発明により形成可能な電子写真用光受容部
材の層構成の一例を示した図である。
材の層構成の一例を示した図である。
１０１ 反応容器 １０２ 高周波電力導入手段 １０３ 高周波電源 １０４ マッチングボックス １０５ 円筒状基体 １０６ 基体ホルダー １０７ 発熱体 １０８ 回転軸 １０９ モータ １１０ 減速ギア １１１ 排気口 １１２ 原料ガス供給手段 ２１００ 堆積装置 ２１０１ 反応容器 ２１１１ カソード電極 ２１１２ 円筒状基体 ２１１３ 支持体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５ マッチングボックス ２１１６ 原料ガス配管 ２１１７ 反応容器リークバルブ ２１１８ メイン排気バルブ ２１１９ 真空計 ２１２０ 碍子 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ ２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ ２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３０１ 反応容器 ３０２ カソード電極 ３０３ 高周波電源 ３０４ マッチングボックス ３０５ 円筒状基体 ３０６ 成膜空間 ３０７ 発熱体 ３０８ 回転軸 ３０９ モータ ３１０ 減速ギア ３１１ 排気管 ３１２ 原料ガス供給手段 ４０１ 円筒状基体Ａ ４０２ 円筒状基体Ｂ ４０３ 成膜空間壁 ５００ 反応容器 ５０１ 円筒状基体 ５０２ カソード電極 ５０３ 高周波電源 ５０４ マッチングボックス ５０５ 排気口 ５０６ 回転軸 ５０７ 発熱体 ６０１ 円筒状壁 ７０１ 第２の高周波電力導入手段 ７０２ 第２の高周波電源 ７０３ 第２のマッチングボックス ８０１ 円筒状壁 １００１ 高周波発振器 １００２ アンプ １００３ アンプ １２００ 電子写真用感光体 １２０１ 支持体 １２０２ 光導電層 １２０３ 表面層 １２０４ 電荷注入阻止層 １２０５ 電荷発生層 １２０６ 電荷輸送層
フロントページの続き (72)発明者 大塚 崇志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 細井 一人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (25)
- 【請求項１】 減圧可能な反応容器中に複数の円筒状基
体が設置され、該反応容器中に供給した原料ガスを高周
波電力導入手段から導入された高周波電力により分解
し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置
において、該円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置さ
れ、該高周波電力導入手段が少なくとも該円筒状基体の
配置円外に設置されたことを特徴とする堆積膜形成装
置。 - 【請求項２】 高周波電力導入手段が、円筒状基体の配
置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で複数設置さ
れている請求項１記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項３】 円筒状基体の配置円内に第２の高周波電
力導入手段が設置された請求項１又は２記載の堆積膜形
成装置。 - 【請求項４】 第２の高周波電力導入手段が円筒状基体
の配置円の中心に設置されている請求項３記載の堆積膜
形成装置。 - 【請求項５】 第２の高周波電力導入手段が、円筒状基
体の配置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で複数
設置されている請求項３記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項６】 円筒状基体の配置円外に設置された第１
の高周波電力導入手段から導入される高周波電力と第２
の高周波電力導入手段から導入される高周波電力が独立
に制御可能である請求項３、４又は５記載の堆積膜形成
装置。 - 【請求項７】 第１の高周波電力導入手段から導入され
る高周波電力の発振源と第２の高周波電力導入手段から
導入される高周波電力の発振源が同一である請求項６記
載の堆積膜形成装置。 - 【請求項８】 複数の円筒状基体を取り囲むように円筒
状壁を設置し、該円筒状壁の中心軸が円筒状基体配置円
の中心を通る請求項１〜７のいずれか１項に記載の堆積
膜形成装置。 - 【請求項９】 円筒状壁の少なくとも一部が非導電性材
料で構成され、円筒状基体の配置円外に設置された高周
波電力導入手段が該円筒状壁外に設置されている請求項
８記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項１０】 円筒状壁外に設置された高周波電力導
入手段を取り囲むように、一定電位に維持された導電性
シールドが設けられており、該導電性シールドはその中
心軸が円筒状基体配置円の中心を通る円筒状である請求
項９記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項１１】 円筒状基体の配置円外に設置された高
周波電力導入手段が該円筒状壁内に設置されている請求
項８記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項１２】 原料ガスを供給するための原料ガス供
給手段が円筒状基体の配置円内及び配置円外に設置され
ている請求項１〜１１のいずれか１項に記載の堆積膜形
成装置。 - 【請求項１３】 高周波電力の周波数が５０〜４５０Ｍ
Ｈｚの範囲に制御可能である請求項１〜１２のいずれか
１項に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項１４】 減圧可能な反応容器中に複数の円筒状
基体を設置し、該反応容器中に供給した原料ガスを高周
波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成す
る堆積膜形成方法において、該円筒状基体を同一円周上
に等間隔で配置し、該高周波電力を該円筒状基体の少な
くとも配置円外から導入して堆積膜の形成を行うことを
特徴とする堆積膜形成方法。 - 【請求項１５】 高周波電力を、円筒状基体の配置円と
中心を同じくする同心円上に等間隔で設置された複数の
高周波電力導入手段から導入して堆積膜の形成を行う請
求項１４記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項１６】 高周波電力を、さらに円筒状基体の配
置円内からも導入して堆積膜の形成を行う請求項１４又
は１５記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項１７】 円筒状基体の配置円内からの高周波電
力の導入を、円筒状基体の配置円の中心からの導入によ
り行って堆積膜の形成を行う請求項１６記載の堆積膜形
成方法。 - 【請求項１８】 円筒状基体の配置円内からの高周波電
力の導入を、円筒状基体の配置円と中心を同じくする同
心円上の複数の個所からの導入により行って堆積膜の形
成を行う請求項１６記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項１９】 円筒状基体の配置円外から導入する高
周波電力と配置円内から導入する高周波電力を独立に制
御して堆積膜の形成を行う請求項１６、１７又は１８記
載の堆積膜形成方法。 - 【請求項２０】 円筒状基体の配置円外から導入する高
周波電力と配置円内から導入する高周波電力が同一の発
振源から出力された高周波電力である請求項１９記載の
堆積膜形成方法。 - 【請求項２１】 複数の円筒状基体を取り囲み、かつ、
中心軸が円筒状基体の配置円の中心を通るように設置さ
れた円筒状壁の内部において原料ガスを分解して堆積膜
の形成を行う請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の
堆積膜形成方法。 - 【請求項２２】 高周波電力を円筒状壁の外部から導入
して堆積膜の形成を行う請求項２１記載の堆積膜形成方
法。 - 【請求項２３】 高周波電力を円筒状壁の内部から導入
して堆積膜の形成を行う請求項２１記載の堆積膜形成方
法。 - 【請求項２４】 原料ガスを円筒状基体の配置円内及び
配置円外から供給しながら堆積膜の形成を行う請求項１
４〜２３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項２５】 周波数が５０〜４５０ＭＨｚの高周波
電力を用いて堆積膜の形成を行う請求項１４〜２４のい
ずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25868497A JP3745095B2 (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
| US09/157,933 US6155201A (en) | 1997-09-24 | 1998-09-22 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US09/616,989 US6350497B1 (en) | 1997-09-24 | 2000-07-14 | Plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25868497A JP3745095B2 (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192932A true JPH1192932A (ja) | 1999-04-06 |
| JP3745095B2 JP3745095B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=17323672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25868497A Expired - Fee Related JP3745095B2 (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6155201A (ja) |
| JP (1) | JP3745095B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3428865B2 (ja) * | 1997-07-09 | 2003-07-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜の形成装置及び堆積膜形成方法 |
| US7210160B2 (en) * | 1999-05-28 | 2007-04-24 | Immersion Entertainment, L.L.C. | Audio/video programming and charging system and method |
| KR100320198B1 (ko) * | 1999-08-21 | 2002-03-13 | 구자홍 | 메쉬 형태의 전극이 설치된 플라즈마중합처리장치 |
| JP2001323379A (ja) | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Canon Inc | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
| JP4109861B2 (ja) | 2000-12-12 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 真空処理方法 |
| JP3897582B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2007-03-28 | キヤノン株式会社 | 真空処理方法、真空処理装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| WO2002070759A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-12 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method and apparatus for the production of titanium |
| US6537928B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-03-25 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming low dielectric constant film |
| EP1321963B1 (en) * | 2001-12-20 | 2007-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| KR100455430B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법 |
| JP4306218B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2009-07-29 | 株式会社Ｉｈｉ | 薄膜形成システム |
| JP4298401B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-07-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法 |
| US9029737B2 (en) * | 2013-01-04 | 2015-05-12 | Tsmc Solar Ltd. | Method and system for forming absorber layer on metal coated glass for photovoltaic devices |
| WO2016008687A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Biotronik Ag | A method and a device forcoating a base body |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| JPS59193265A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-11-01 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS624872A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 成膜装置 |
| JPS62133074A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体製造装置 |
| JPS63262472A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 膜形成方法 |
| JP2787148B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
| JP3236111B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2001-12-10 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| JPH08253865A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-10-01 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP25868497A patent/JP3745095B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-22 US US09/157,933 patent/US6155201A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-14 US US09/616,989 patent/US6350497B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3745095B2 (ja) | 2006-02-15 |
| US6155201A (en) | 2000-12-05 |
| US6350497B1 (en) | 2002-02-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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|
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131202 Year of fee payment: 8 |
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