JP2003027245A - 真空処理方法及び真空処理装置 - Google Patents
真空処理方法及び真空処理装置Info
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- JP2003027245A JP2003027245A JP2001215387A JP2001215387A JP2003027245A JP 2003027245 A JP2003027245 A JP 2003027245A JP 2001215387 A JP2001215387 A JP 2001215387A JP 2001215387 A JP2001215387 A JP 2001215387A JP 2003027245 A JP2003027245 A JP 2003027245A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空処理速度や、真空処理特性や、真空処理
特性の再現性の向上、更には真空処理特性の均一性を極
めて高いレベルとし、真空処理コストの低減を図る。 【解決手段】 異なる周波数の高周波電力を同一の高周
波電極上の同一の供給点に同時供給して形成されたプラ
ズマにより被処理物を処理する方法で、少なくとも１つ
の高周波電極上を伝送される高周波電力の主なる伝送方
向が他の高周波電極上を伝送される高周波電力の主なる
伝送方向と異なり、複数の高周波電力が周波数が１０Ｍ
Ｈｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を２つ以上含
み、該周波数範囲内にある高周波電力の中で最大の電力
値と次に大きい電力値を有する高周波電力について、周
波数の高い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ１、Ｐ
１、周波数の低い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ
２、Ｐ２としたとき、電力値Ｐ１、Ｐ２が、０．１≦Ｐ
２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９の条件を満たす。
特性の再現性の向上、更には真空処理特性の均一性を極
めて高いレベルとし、真空処理コストの低減を図る。 【解決手段】 異なる周波数の高周波電力を同一の高周
波電極上の同一の供給点に同時供給して形成されたプラ
ズマにより被処理物を処理する方法で、少なくとも１つ
の高周波電極上を伝送される高周波電力の主なる伝送方
向が他の高周波電極上を伝送される高周波電力の主なる
伝送方向と異なり、複数の高周波電力が周波数が１０Ｍ
Ｈｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を２つ以上含
み、該周波数範囲内にある高周波電力の中で最大の電力
値と次に大きい電力値を有する高周波電力について、周
波数の高い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ１、Ｐ
１、周波数の低い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ
２、Ｐ２としたとき、電力値Ｐ１、Ｐ２が、０．１≦Ｐ
２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９の条件を満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス、電
子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバ
イス、光起電力デバイス等における堆積膜形成やエッチ
ング等に用いられる高周波電力を用いた真空処理方法、
及び真空処理装置に関する、
子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバ
イス、光起電力デバイス等における堆積膜形成やエッチ
ング等に用いられる高周波電力を用いた真空処理方法、
及び真空処理装置に関する、
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子に用いる堆積膜形成方法として、真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、そ
のための装置も実用に付されている。
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子に用いる堆積膜形成方法として、真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、そ
のための装置も実用に付されている。
【０００３】中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法
は好適なものとして、電子写真用水素化アモルファスシ
リコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）堆積膜の
形成等、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装
置も各種提案されている。
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法
は好適なものとして、電子写真用水素化アモルファスシ
リコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）堆積膜の
形成等、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装
置も各種提案されている。
【０００４】このような堆積膜の形成装置及び形成方法
は概略以下のようなものである。
は概略以下のようなものである。
【０００５】図６は電源としてＲＦ帯の周波数を用いた
ＲＦプラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による堆積膜形成装置、具体的には電子写真用光
受容部材の形成装置の一例を 示す模式的な構成図であ
る。図６に示す形成装置の構成は以下の通りである。
ＲＦプラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による堆積膜形成装置、具体的には電子写真用光
受容部材の形成装置の一例を 示す模式的な構成図であ
る。図６に示す形成装置の構成は以下の通りである。
【０００６】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１０１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１０１内には
円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーターを内蔵した基
体支持体２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置さ
れ、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器
２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続
されている。カソード電極２１１１は碍子２１２０によ
りアース電位と絶縁され、基体支持体２１１３を通して
アース電位に維持されアノード電極を兼ねた円筒状基体
２１１２との間に高周波電圧が印加可能となっている。
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１０１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１０１内には
円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーターを内蔵した基
体支持体２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置さ
れ、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器
２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続
されている。カソード電極２１１１は碍子２１２０によ
りアース電位と絶縁され、基体支持体２１１３を通して
アース電位に維持されアノード電極を兼ねた円筒状基体
２１１２との間に高周波電圧が印加可能となっている。
【０００７】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4、
ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ 3等の原料ガスのボ
ンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６，
２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６およびマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６から構成され、
各原料ガスのボンベはバルブ２２６０介して反応容器２
１１１内のガス導入管２１１４に接続されている。
ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ 3等の原料ガスのボ
ンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６，
２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６およびマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６から構成され、
各原料ガスのボンベはバルブ２２６０介して反応容器２
１１１内のガス導入管２１１４に接続されている。
【０００８】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。
以下のように行なうことができる。
【０００９】まず、反応容器２１０１内に円筒状基体２
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１０１内を排気する。続いて、基
体支持体２１１３に内蔵された基体加熱用ヒーターによ
り円筒状基体２１１２の温度を２００℃乃至３５０℃の
所定の温度に制御する。
１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１０１内を排気する。続いて、基
体支持体２１１３に内蔵された基体加熱用ヒーターによ
り円筒状基体２１１２の温度を２００℃乃至３５０℃の
所定の温度に制御する。
【００１０】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１０
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３７、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管内２１
１６を排気する。
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３７、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管内２１
１６を排気する。
【００１１】次に真空計２１１９の読みが約７×１０-1
Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ２
２５１〜２２５６を閉じる。
Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ２
２５１〜２２５６を閉じる。
【００１２】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を０．２
ＭＰａに調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー
２２１１〜２２１６内に導入する。
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を０．２
ＭＰａに調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー
２２１１〜２２１６内に導入する。
【００１３】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。
後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００１４】円筒状基体２１１２が所定の温度になった
ところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要な
ものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１
１４を介して反応容器２１０１内に導入する。次にマス
フローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１０１内の圧力が所定の値になるように真空計
２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整
する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨ
ｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周
波マッチングボックス２１１５、カソード２１１１を通
じて反応容器２１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基
体２１１２をアノードとして作用させてグロー放電を生
起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導
入された原料ガスが分解され、円筒状基体２１１２上に
所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるとこ
ろとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の
供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流
入を止め、堆積膜の形成を終える。
ところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要な
ものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１
１４を介して反応容器２１０１内に導入する。次にマス
フローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１０１内の圧力が所定の値になるように真空計
２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整
する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨ
ｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周
波マッチングボックス２１１５、カソード２１１１を通
じて反応容器２１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基
体２１１２をアノードとして作用させてグロー放電を生
起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導
入された原料ガスが分解され、円筒状基体２１１２上に
所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるとこ
ろとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の
供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流
入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００１５】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００１６】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１０１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１０１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【００１７】膜形成の均一化を図るために、層形成を行
なっている間は、円筒状基体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。
なっている間は、円筒状基体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。
【００１８】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。
【００１９】このような、上記従来のＲＦ帯の周波数を
用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置、形
成方法に加え、更には近年、ＶＨＦ帯の高周波電力を用
いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」
と略記する）法が注目を浴びており、これを用いた各種
堆積膜形成の開発も積極的に進められている。これはＶ
ＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な
堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を
同時に達成し得るものと期待されるためである。例えば
特開平６−２８７７６０号公報にはａ−Ｓｉ系電子写真
用光受容部材形成に用いうる装置及び方法が開示されて
いる。また、複数の電子写真用光受容部材を同時に形成
でき、生産性の極めて高い図７に示すような堆積膜形成
装置の開発も進められている。
用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置、形
成方法に加え、更には近年、ＶＨＦ帯の高周波電力を用
いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」
と略記する）法が注目を浴びており、これを用いた各種
堆積膜形成の開発も積極的に進められている。これはＶ
ＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な
堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を
同時に達成し得るものと期待されるためである。例えば
特開平６−２８７７６０号公報にはａ−Ｓｉ系電子写真
用光受容部材形成に用いうる装置及び方法が開示されて
いる。また、複数の電子写真用光受容部材を同時に形成
でき、生産性の極めて高い図７に示すような堆積膜形成
装置の開発も進められている。
【００２０】図７（ａ）は従来の堆積膜形成装置の概略
断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿
う概略断面図である。反応容器３０１の側面には排気管
３１１が一体的に形成され、排気管３１１の他端は不図
示の排気装置に接続されている。反応容器３０１の中心
部を取り囲むように、堆積膜の形成される６本の円筒状
基体３０５が互いに平行になるように配置されている。
各円筒状基体３０５は回転軸３０８によって保持され、
発熱体３０７によって加熱されるようになっている。モ
ータ３０９を駆動すると、減速ギア３１０を介して回転
軸３０８が回転し、円筒状基体３０５がその母線方向中
心軸（その基体長さ方向に沿った筒中心軸）のまわりを
自転するようになっている。
断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿
う概略断面図である。反応容器３０１の側面には排気管
３１１が一体的に形成され、排気管３１１の他端は不図
示の排気装置に接続されている。反応容器３０１の中心
部を取り囲むように、堆積膜の形成される６本の円筒状
基体３０５が互いに平行になるように配置されている。
各円筒状基体３０５は回転軸３０８によって保持され、
発熱体３０７によって加熱されるようになっている。モ
ータ３０９を駆動すると、減速ギア３１０を介して回転
軸３０８が回転し、円筒状基体３０５がその母線方向中
心軸（その基体長さ方向に沿った筒中心軸）のまわりを
自転するようになっている。
【００２１】６本の円筒状基体３０５により囲まれた成
膜空間３０６には原料ガスが原料ガス供給手段３１２よ
り供給される。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源３０３よりマッ
チングボックス３０４を経てカソード電極３０２より成
膜空間３０６に供給される。この際、回転軸３０８を通
してアース電位に維持された円筒状基体３０５がアノー
ド電極として作用する。
膜空間３０６には原料ガスが原料ガス供給手段３１２よ
り供給される。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源３０３よりマッ
チングボックス３０４を経てカソード電極３０２より成
膜空間３０６に供給される。この際、回転軸３０８を通
してアース電位に維持された円筒状基体３０５がアノー
ド電極として作用する。
【００２２】このような装置を用いた堆積膜形成は概略
以下のような手順により行なうことができる。
以下のような手順により行なうことができる。
【００２３】まず、反応容器３０１内に円筒状基体３０
５を設置し、不図示の排気装置により排気管３１１を通
して反応容器３０１内を排気する。続いて、発熱体３０
７により円筒状基体３０５を２００℃〜３００℃程度の
所定の温度に加熱、制御する。
５を設置し、不図示の排気装置により排気管３１１を通
して反応容器３０１内を排気する。続いて、発熱体３０
７により円筒状基体３０５を２００℃〜３００℃程度の
所定の温度に加熱、制御する。
【００２４】円筒状基体３０５が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段３１３を介して、原料ガスを
反応容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源３０３よりマッチングボック
ス３０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電
力を供給する。これにより、カソード電極３０２とアノ
ード電極を兼ねた円筒状基体３０５の間にＶＨＦ電力が
導入され、円筒状基体３０５で囲まれた成膜空間３０６
にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して円筒状
基体３０５上に堆積膜が形成される。
ころで、原料ガス供給手段３１３を介して、原料ガスを
反応容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源３０３よりマッチングボック
ス３０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電
力を供給する。これにより、カソード電極３０２とアノ
ード電極を兼ねた円筒状基体３０５の間にＶＨＦ電力が
導入され、円筒状基体３０５で囲まれた成膜空間３０６
にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して円筒状
基体３０５上に堆積膜が形成される。
【００２５】所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＶＨＦ
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００２６】堆積膜形成中、回転軸３０８を介して円筒
状基体３０５をモータ３０９により所定の速度で回転さ
せることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が
形成される。
状基体３０５をモータ３０９により所定の速度で回転さ
せることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が
形成される。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法及び装
置により、良好な堆積膜形成、即ち真空処理がなされ
る。しかしながら、このような真空処理を用いた製品に
対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求
に応えるべく、より高品質化、低コスト化が実現可能な
真空処理方法が求められるようになっている。
置により、良好な堆積膜形成、即ち真空処理がなされ
る。しかしながら、このような真空処理を用いた製品に
対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求
に応えるべく、より高品質化、低コスト化が実現可能な
真空処理方法が求められるようになっている。
【００２８】例えば、電子写真装置の場合、コピースピ
ードの向上、高画質化、低価格化の要求は非常に強く、
これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電
能、感度等の向上、画像上に白点あるいは黒点で現れる
感光体中構造欠陥に起因する画像欠陥の抑制、及び感光
体生産コストの低下が不可欠となっている。また、近年
その普及が目覚しいデジタル電子写真装置、カラー電子
写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、
デザイン画等のコピーも頻繁に為されるため、画像濃度
むらの低減が従来以上に強く求められるようになってい
る。
ードの向上、高画質化、低価格化の要求は非常に強く、
これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電
能、感度等の向上、画像上に白点あるいは黒点で現れる
感光体中構造欠陥に起因する画像欠陥の抑制、及び感光
体生産コストの低下が不可欠となっている。また、近年
その普及が目覚しいデジタル電子写真装置、カラー電子
写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、
デザイン画等のコピーも頻繁に為されるため、画像濃度
むらの低減が従来以上に強く求められるようになってい
る。
【００２９】このような感光体特性の向上、感光体生産
コストの低下を目指し、堆積膜積層構成の最適化等も為
されているが、同時に、真空処理方法の面での改善も強
く望まれている。
コストの低下を目指し、堆積膜積層構成の最適化等も為
されているが、同時に、真空処理方法の面での改善も強
く望まれている。
【００３０】このような状況下において、前述した従来
の真空処理方法においても、真空処理特性の向上、真空
処理コストの低下に関して、まだ改善の余地が残されて
いるのが現状である。
の真空処理方法においても、真空処理特性の向上、真空
処理コストの低下に関して、まだ改善の余地が残されて
いるのが現状である。
【００３１】すでに述べたように、ＶＨＦ帯、あるいは
その近傍の周波数の高周波電力を用いてプラズマを生成
し真空処理を施すことにより、真空処理速度の向上、真
空処理特性の向上が達成可能であり、鋭意研究がなされ
ている。しかしながら、このような周波数帯の高周波電
力を用いた場合、真空処理容器中での高周波電力の波長
が真空処理容器、高周波電極、基板、あるいは基板ホル
ダー等と同程度の長さとなり、真空処理容器中で高周波
電力が定在波を形成しやすくなり、この定在波によって
真空処理容器中では場所ごとに電力の強弱が生じ、プラ
ズマ特性が異なってしまう。この結果、真空処理特性の
均一性を広い範囲でより一層得ることは難しかった。
その近傍の周波数の高周波電力を用いてプラズマを生成
し真空処理を施すことにより、真空処理速度の向上、真
空処理特性の向上が達成可能であり、鋭意研究がなされ
ている。しかしながら、このような周波数帯の高周波電
力を用いた場合、真空処理容器中での高周波電力の波長
が真空処理容器、高周波電極、基板、あるいは基板ホル
ダー等と同程度の長さとなり、真空処理容器中で高周波
電力が定在波を形成しやすくなり、この定在波によって
真空処理容器中では場所ごとに電力の強弱が生じ、プラ
ズマ特性が異なってしまう。この結果、真空処理特性の
均一性を広い範囲でより一層得ることは難しかった。
【００３２】このような問題を解決するための手段とし
て、複数の異なる周波数の高周波電力を反応容器中に同
時に供給することが考えられる。これによって、反応容
器中には各々の周波数に応じた、異なる波長の定在波が
複数形成されることとなるが、これらは同時に供給され
ているので、これら複数の定在波が合成され、結果とし
て明確な定在波が形成されなくなる。このような考えに
基づけば、異なる複数の高周波電力の周波数はどのよう
な値であっても定在波抑制効果は得られる。たとえば、
特開昭60-160620号公報においては、10MHz以上の高周波
電力と1MHz以下の高周波電力を同一電極に供給する構成
が開示されており、また、特開平09-321031号公報にお
いては、ＵＨＦ帯（３００ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下）の
第１の高周波電力とそれと２倍以上異なる周波数の高周
波電力を同時に印加する構成が開示されている。これら
の技術を用いることによって、反応容器中の高周波電力
の定在波は抑制され、真空処理の均一性が向上するもの
と考えられる。
て、複数の異なる周波数の高周波電力を反応容器中に同
時に供給することが考えられる。これによって、反応容
器中には各々の周波数に応じた、異なる波長の定在波が
複数形成されることとなるが、これらは同時に供給され
ているので、これら複数の定在波が合成され、結果とし
て明確な定在波が形成されなくなる。このような考えに
基づけば、異なる複数の高周波電力の周波数はどのよう
な値であっても定在波抑制効果は得られる。たとえば、
特開昭60-160620号公報においては、10MHz以上の高周波
電力と1MHz以下の高周波電力を同一電極に供給する構成
が開示されており、また、特開平09-321031号公報にお
いては、ＵＨＦ帯（３００ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下）の
第１の高周波電力とそれと２倍以上異なる周波数の高周
波電力を同時に印加する構成が開示されている。これら
の技術を用いることによって、反応容器中の高周波電力
の定在波は抑制され、真空処理の均一性が向上するもの
と考えられる。
【００３３】しかしながら、本発明者らは、たとえば特
開昭60-160620号公報で開示された技術を用いて均一性
に関する実験を行った結果、確かにあるレベルまでは真
空処理特性の均一性は向上できるものの、近年要求され
ている均一性レベルを得るには至らなかった。また、特
開平09-321031号公報で開示された技術を用いて実験を
行った結果も同様に、近年要求されている均一性レベル
を得るには至らなかった。即ち、電界強度的には均一化
されているはずの電力供給方法をもってしても、実際の
真空処理においては、ある程度の不均一性が残ってしま
うことが明らかとなった。
開昭60-160620号公報で開示された技術を用いて均一性
に関する実験を行った結果、確かにあるレベルまでは真
空処理特性の均一性は向上できるものの、近年要求され
ている均一性レベルを得るには至らなかった。また、特
開平09-321031号公報で開示された技術を用いて実験を
行った結果も同様に、近年要求されている均一性レベル
を得るには至らなかった。即ち、電界強度的には均一化
されているはずの電力供給方法をもってしても、実際の
真空処理においては、ある程度の不均一性が残ってしま
うことが明らかとなった。
【００３４】本発明は上記課題の解決を目的とするもの
である。即ち、反応容器中に被処理物を設置し、該反応
容器中に供給した原料ガスを高周波電力により分解し、
該被処理物に処理を施す真空処理方法において、真空処
理速度の向上、真空処理特性の向上、真空処理特性の再
現性向上を達成し、更には真空処理特性の均一性を極め
て高いレベルとし、また、真空処理コストの低減が可能
な真空処理方法を提供することにある。
である。即ち、反応容器中に被処理物を設置し、該反応
容器中に供給した原料ガスを高周波電力により分解し、
該被処理物に処理を施す真空処理方法において、真空処
理速度の向上、真空処理特性の向上、真空処理特性の再
現性向上を達成し、更には真空処理特性の均一性を極め
て高いレベルとし、また、真空処理コストの低減が可能
な真空処理方法を提供することにある。
【００３５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく鋭意検討を行った結果、まず、同一電極に複
数の高周波電力を供給し、それらの周波数の関係、及び
電力の関係を変化させた際、特定の周波数の関係、特定
の電力の関係において均一化効果が顕著に得られること
を見い出した。そして、それらの周波数、及び電力を所
定の関係とすることで、真空処理速度の向上、真空処理
特性の向上、真空処理特性の均一性向上、真空処理コス
トの低減が同時に実現可能であることを見い出した。更
には、高周波電極を複数とし、少なくとも１つの高周波
電極上を伝送される高周波電力の主なる伝送方向と他の
高周波電極上を伝送される高周波電力の主なる伝送方向
とが異なるようにすることで、真空処理特性の均一性を
極めて高いレベルとすることが可能であることを見い出
し、本発明を完成させるに至った。
達成すべく鋭意検討を行った結果、まず、同一電極に複
数の高周波電力を供給し、それらの周波数の関係、及び
電力の関係を変化させた際、特定の周波数の関係、特定
の電力の関係において均一化効果が顕著に得られること
を見い出した。そして、それらの周波数、及び電力を所
定の関係とすることで、真空処理速度の向上、真空処理
特性の向上、真空処理特性の均一性向上、真空処理コス
トの低減が同時に実現可能であることを見い出した。更
には、高周波電極を複数とし、少なくとも１つの高周波
電極上を伝送される高周波電力の主なる伝送方向と他の
高周波電極上を伝送される高周波電力の主なる伝送方向
とが異なるようにすることで、真空処理特性の均一性を
極めて高いレベルとすることが可能であることを見い出
し、本発明を完成させるに至った。
【００３６】即ち、本発明は、反応容器中に被処理物を
設置し、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を
同一の高周波電極上に同時に供給し、該高周波電極より
前記反応容器内に導入された高周波電力によってプラズ
マを形成して被処理物を処理する真空処理方法におい
て、前記異なる周波数の高周波電力が同時供給される高
周波電極が複数であり、該複数の高周波電極のうちの少
なくとも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の
主なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波
電力の主なる伝送方向と異なり、更に、各高周波電極に
供給する前記複数の高周波電力は周波数が１０ＭＨｚ以
上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２つ含
み、該周波数範囲内にある高周波電力が有する電力値の
中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周
波電力について、そのうち周波数の高い方の高周波電力
の周波数、電力値をｆ１、Ｐ１、周波数の低い方の高周
波電力の周波数、電力値をｆ２、Ｐ２としたとき、前記
電力値Ｐ１、Ｐ２が、 ０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９ を満たすことを特徴とする。
設置し、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を
同一の高周波電極上に同時に供給し、該高周波電極より
前記反応容器内に導入された高周波電力によってプラズ
マを形成して被処理物を処理する真空処理方法におい
て、前記異なる周波数の高周波電力が同時供給される高
周波電極が複数であり、該複数の高周波電極のうちの少
なくとも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の
主なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波
電力の主なる伝送方向と異なり、更に、各高周波電極に
供給する前記複数の高周波電力は周波数が１０ＭＨｚ以
上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２つ含
み、該周波数範囲内にある高周波電力が有する電力値の
中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周
波電力について、そのうち周波数の高い方の高周波電力
の周波数、電力値をｆ１、Ｐ１、周波数の低い方の高周
波電力の周波数、電力値をｆ２、Ｐ２としたとき、前記
電力値Ｐ１、Ｐ２が、 ０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９ を満たすことを特徴とする。
【００３７】また、本発明は、反応容器中に被処理物を
設置し、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を
同一の高周波電極上に同時に供給し、該高周波電極より
前記反応容器内に導入された高周波電力によってプラズ
マを形成して被処理物を処理する真空処理装置におい
て、前記異なる周波数の高周波電力が同時供給される高
周波電極が複数であり、該複数の高周波電極のうちの少
なくとも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の
主なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波
電力の主なる伝送方向と異なるよう構成されており、更
に、各高周波電極に供給する前記複数の高周波電力は周
波数が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を
少なくとも２つ含み、該周波数範囲内にある高周波電力
が有する電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電
力値を有する高周波電力について、そのうち周波数の高
い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ１、Ｐ１、周波
数の低い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ２、Ｐ２
としたとき、前記電力値Ｐ１、Ｐ２が、 ０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９ を満たすことを特徴とする。
設置し、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を
同一の高周波電極上に同時に供給し、該高周波電極より
前記反応容器内に導入された高周波電力によってプラズ
マを形成して被処理物を処理する真空処理装置におい
て、前記異なる周波数の高周波電力が同時供給される高
周波電極が複数であり、該複数の高周波電極のうちの少
なくとも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の
主なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波
電力の主なる伝送方向と異なるよう構成されており、更
に、各高周波電極に供給する前記複数の高周波電力は周
波数が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を
少なくとも２つ含み、該周波数範囲内にある高周波電力
が有する電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電
力値を有する高周波電力について、そのうち周波数の高
い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ１、Ｐ１、周波
数の低い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ２、Ｐ２
としたとき、前記電力値Ｐ１、Ｐ２が、 ０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９ を満たすことを特徴とする。
【００３８】このような本発明によれば、高い真空処理
速度を維持しながら、真空処理特性の向上、真空処理コ
ストの低減を実現し、同時に真空処理特性の均一性を著
しく向上させることが可能である。
速度を維持しながら、真空処理特性の向上、真空処理コ
ストの低減を実現し、同時に真空処理特性の均一性を著
しく向上させることが可能である。
【００３９】このような本発明によって、真空処理特性
の顕著な均一化効果が得られるメカニズムについては、
現段階ではまだ明らかにはなっていないものの、おおよ
そ以下のような作用によるものと考えている。
の顕著な均一化効果が得られるメカニズムについては、
現段階ではまだ明らかにはなっていないものの、おおよ
そ以下のような作用によるものと考えている。
【００４０】たとえば、特開昭60-160620号公報に具体
的に示されている周波数関係の場合、即ち、10MHz以上
の高周波電力（以下“高周波数電力”と称す）と1MHz以
下の高周波電力（以下“低周波数電力”と称す）を同時
に処理容器中に供給した場合、高周波数電力による電界
定在波と低周波数電力による電界定在波が合成され、高
周波電界的には処理容器中での電界定在波を抑制するこ
とは可能である。しかしながら、10MHz以上の高周波電
力（高周波数電力）と1MHz以下の高周波電力（低周波数
電力）では生成されるプラズマ特性が大きく異なり、そ
の結果、高周波数電力による原料ガスの分解の仕方と低
周波数電力による原料ガスの分解の仕方が異なってしま
い、生成される活性種の種類、比率が異なってしまう。
このため、電界強度的には均一化がなされていても、高
周波数電力定在波の腹部分では高周波数電力の周波数に
応じた種類、比率の活性種が多く生成され、低周波数電
力定在波の腹部分では低周波数電力の周波数に応じた種
類、比率の活性種が多く生成されてしまう。その結果、
活性種の種類、比率に空間的な分布が生じてしまい、真
空処理特性に不均一化をもたらしてしまうものと考えら
れる。ｆ1とｆ2を共に所定の範囲内、即ち１０ＭＨｚ以
上、２５０ＭＨｚ以下とすることで、プラズマ特性の顕
著な差が生じにくく、その結果、上述したような活性種
の種類、比率の空間的な分布が生じにくくなり、真空処
理特性の均一化が達成可能になるものと考えられる。
的に示されている周波数関係の場合、即ち、10MHz以上
の高周波電力（以下“高周波数電力”と称す）と1MHz以
下の高周波電力（以下“低周波数電力”と称す）を同時
に処理容器中に供給した場合、高周波数電力による電界
定在波と低周波数電力による電界定在波が合成され、高
周波電界的には処理容器中での電界定在波を抑制するこ
とは可能である。しかしながら、10MHz以上の高周波電
力（高周波数電力）と1MHz以下の高周波電力（低周波数
電力）では生成されるプラズマ特性が大きく異なり、そ
の結果、高周波数電力による原料ガスの分解の仕方と低
周波数電力による原料ガスの分解の仕方が異なってしま
い、生成される活性種の種類、比率が異なってしまう。
このため、電界強度的には均一化がなされていても、高
周波数電力定在波の腹部分では高周波数電力の周波数に
応じた種類、比率の活性種が多く生成され、低周波数電
力定在波の腹部分では低周波数電力の周波数に応じた種
類、比率の活性種が多く生成されてしまう。その結果、
活性種の種類、比率に空間的な分布が生じてしまい、真
空処理特性に不均一化をもたらしてしまうものと考えら
れる。ｆ1とｆ2を共に所定の範囲内、即ち１０ＭＨｚ以
上、２５０ＭＨｚ以下とすることで、プラズマ特性の顕
著な差が生じにくく、その結果、上述したような活性種
の種類、比率の空間的な分布が生じにくくなり、真空処
理特性の均一化が達成可能になるものと考えられる。
【００４１】このように、電界定在波の抑制、及び、活
性種の種類、比率の空間的分布の均一化を同時に達成し
ようとした場合、高周波数電力の電力値と低周波数電力
の電力値の関係もまた重要となる。これら2つの高周波
電力は、高周波電界の弱い部分をお互いに補うことによ
って電界の均一化を達成するものである。このため、こ
れら２つの電力値の比率は、互いの高周波電界の弱い部
分を補いうる範囲に設定することが十分な効果を得る上
で必要となる。高周波数電力の電力値をＰ１、低周波数
電力の電力値をＰ２として、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ の範囲とすることで、このような電界の弱い部分の補完
作用が顕著に現れ始め、その結果、膜特性の均一化効果
が顕著に得られるようになるものと考えられる。
性種の種類、比率の空間的分布の均一化を同時に達成し
ようとした場合、高周波数電力の電力値と低周波数電力
の電力値の関係もまた重要となる。これら2つの高周波
電力は、高周波電界の弱い部分をお互いに補うことによ
って電界の均一化を達成するものである。このため、こ
れら２つの電力値の比率は、互いの高周波電界の弱い部
分を補いうる範囲に設定することが十分な効果を得る上
で必要となる。高周波数電力の電力値をＰ１、低周波数
電力の電力値をＰ２として、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ の範囲とすることで、このような電界の弱い部分の補完
作用が顕著に現れ始め、その結果、膜特性の均一化効果
が顕著に得られるようになるものと考えられる。
【００４２】本発明において、このような真空処理容器
中への高周波電力の供給は、複数の周波数の高周波電力
を同一電極に同時に供給する必要がある。各々異なった
周波数の高周波電力を各々別の電極から供給した場合、
電極上では電極ごとに供給高周波電力の周波数に依存し
た波長の定在波が生じてしまう。この結果、電極近傍の
プラズマ特性は、この定在波に応じた分布形状をもって
しまう。また、生成活性種の種類・比率や、電極に入射
するイオンのエネルギーが位置によって異なってしまう
ため、堆積膜形成時には電極上に付着する膜の構造が電
極上の位置に依存して異なってしまう。このため、膜構
造そのもの、あるいは、近傍膜との内部応力の違いに起
因して、電極上では付着膜が剥れやすい部分が生じてし
まい、剥れた膜が被処理物上に付着して欠陥を生じやす
くなってしまう。このようなことは、例えば反応容器の
少なくとも一部を誘電体材料で構成し、反応容器外に設
置された高周波電極から誘電体部材を通して反応容器内
に高周波電力を導入する構成とした場合にも同様に生じ
ることである。このような場合、高周波電極上に生じた
定在波の影響によって、誘電体部材近傍のプラズマ特性
が、この定在波に応じた分布形状をもってしまう。ま
た、生成活性種の種類・比率や、絶縁性材料部に入射す
るイオンのエネルギーが位置によって異なってしまうた
め、堆積膜形成時には誘電体部材上に付着する膜の構造
が誘電体部材上の位置に依存して異なってしまう。この
ため、膜構造そのもの、あるいは、近傍膜との内部応力
の違いに起因して、誘電体部材上では付着膜が剥れやす
い部分が生じてしまい、剥れた膜が被処理物上に付着し
て欠陥を生じやすくなってしまう。
中への高周波電力の供給は、複数の周波数の高周波電力
を同一電極に同時に供給する必要がある。各々異なった
周波数の高周波電力を各々別の電極から供給した場合、
電極上では電極ごとに供給高周波電力の周波数に依存し
た波長の定在波が生じてしまう。この結果、電極近傍の
プラズマ特性は、この定在波に応じた分布形状をもって
しまう。また、生成活性種の種類・比率や、電極に入射
するイオンのエネルギーが位置によって異なってしまう
ため、堆積膜形成時には電極上に付着する膜の構造が電
極上の位置に依存して異なってしまう。このため、膜構
造そのもの、あるいは、近傍膜との内部応力の違いに起
因して、電極上では付着膜が剥れやすい部分が生じてし
まい、剥れた膜が被処理物上に付着して欠陥を生じやす
くなってしまう。このようなことは、例えば反応容器の
少なくとも一部を誘電体材料で構成し、反応容器外に設
置された高周波電極から誘電体部材を通して反応容器内
に高周波電力を導入する構成とした場合にも同様に生じ
ることである。このような場合、高周波電極上に生じた
定在波の影響によって、誘電体部材近傍のプラズマ特性
が、この定在波に応じた分布形状をもってしまう。ま
た、生成活性種の種類・比率や、絶縁性材料部に入射す
るイオンのエネルギーが位置によって異なってしまうた
め、堆積膜形成時には誘電体部材上に付着する膜の構造
が誘電体部材上の位置に依存して異なってしまう。この
ため、膜構造そのもの、あるいは、近傍膜との内部応力
の違いに起因して、誘電体部材上では付着膜が剥れやす
い部分が生じてしまい、剥れた膜が被処理物上に付着し
て欠陥を生じやすくなってしまう。
【００４３】本発明では、このような問題を回避するた
めに、周波数の異なる複数の高周波電力を同一電極に同
時に供給する必要がある。このようにすることにより、
電極上においても定在波は抑制され、上述したような問
題が効果的に抑制される。
めに、周波数の異なる複数の高周波電力を同一電極に同
時に供給する必要がある。このようにすることにより、
電極上においても定在波は抑制され、上述したような問
題が効果的に抑制される。
【００４４】そして更に、高周波電極を複数とし、少な
くとも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の主
なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波電
力の主なる伝送方向と異なるよう構成することにより、
高周波電力の伝送中の減衰に起因して生じる電力むらが
解消可能となり、真空処理特性の均一性を極めて高いレ
ベルに維持可能となる。より詳しく説明すると、上述し
たような周波数範囲、電力比率の複数の高周波電力を同
一の高周波電極に同時に供給することで、定在波に起因
する特性むらの抑制は可能となり、膜特性の均一化効果
が顕著に得られる。しかしながら、高周波電力を放電空
間へ１方向からのみ供給した場合には、高周波電力が高
周波電極上を伝播していくにしたがって、高周波電力は
徐々に減衰し、放電空間中において高周波電力を導入し
た側とそうでない側とで放電空間中での高周波電力密度
が異なってしまう。この結果、高周波電力を導入した側
とそうでない側とで膜特性に差が生じてしまう場合があ
る。このような現象は、放電空間の大きさのみに依存す
るのではなく、生成したプラズマの高周波電力吸収率に
よっても影響を受ける。即ち、生成したプラズマが導入
した高周波電力を吸収しやすい場合、このような現象が
生じやすくなる。また、本発明においては複数の周波数
の異なる高周波電力を同一高周波電極に同時に供給する
ため、各周波数ごとにプラズマの高周波電力吸収率が異
なり、高周波電力を放電空間へ１方向からのみ供給した
場合には、各周波数ごとの電力密度の比率が高周波電力
を導入した側とそうでない側とで異なってしまう場合が
ある。この結果、条件によっては、高周波電力を導入し
た側とそうでない側とで膜特性の均一化効果のレベルが
異なってしまう場合がある。
くとも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の主
なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波電
力の主なる伝送方向と異なるよう構成することにより、
高周波電力の伝送中の減衰に起因して生じる電力むらが
解消可能となり、真空処理特性の均一性を極めて高いレ
ベルに維持可能となる。より詳しく説明すると、上述し
たような周波数範囲、電力比率の複数の高周波電力を同
一の高周波電極に同時に供給することで、定在波に起因
する特性むらの抑制は可能となり、膜特性の均一化効果
が顕著に得られる。しかしながら、高周波電力を放電空
間へ１方向からのみ供給した場合には、高周波電力が高
周波電極上を伝播していくにしたがって、高周波電力は
徐々に減衰し、放電空間中において高周波電力を導入し
た側とそうでない側とで放電空間中での高周波電力密度
が異なってしまう。この結果、高周波電力を導入した側
とそうでない側とで膜特性に差が生じてしまう場合があ
る。このような現象は、放電空間の大きさのみに依存す
るのではなく、生成したプラズマの高周波電力吸収率に
よっても影響を受ける。即ち、生成したプラズマが導入
した高周波電力を吸収しやすい場合、このような現象が
生じやすくなる。また、本発明においては複数の周波数
の異なる高周波電力を同一高周波電極に同時に供給する
ため、各周波数ごとにプラズマの高周波電力吸収率が異
なり、高周波電力を放電空間へ１方向からのみ供給した
場合には、各周波数ごとの電力密度の比率が高周波電力
を導入した側とそうでない側とで異なってしまう場合が
ある。この結果、条件によっては、高周波電力を導入し
た側とそうでない側とで膜特性の均一化効果のレベルが
異なってしまう場合がある。
【００４５】本発明においては、高周波電極を複数と
し、少なくとも１つの高周波電極上を伝送される高周波
電力の主なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される
高周波電力の主なる伝送方向と異なるよう構成されてい
るので、このような高周波電力の伝送方向での減衰に起
因して生じる膜特性差、均一化効果のレベルの差が効果
的に抑制可能となる。
し、少なくとも１つの高周波電極上を伝送される高周波
電力の主なる伝送方向が他の高周波電極上を伝送される
高周波電力の主なる伝送方向と異なるよう構成されてい
るので、このような高周波電力の伝送方向での減衰に起
因して生じる膜特性差、均一化効果のレベルの差が効果
的に抑制可能となる。
【００４６】本発明においては、特に、
３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
とすることで、より顕著な効果を得ることができる。こ
の範囲においては、前述したような2つの高周波電力の
周波数の違いに起因する生成活性種の種類・比率の違い
が特に生じにくくなり、その結果が膜特性の均一化に対
してより顕著に反映されるためと考えられる。
の範囲においては、前述したような2つの高周波電力の
周波数の違いに起因する生成活性種の種類・比率の違い
が特に生じにくくなり、その結果が膜特性の均一化に対
してより顕著に反映されるためと考えられる。
【００４７】また、本発明においては、２つの高周波電
力の電力値のバランスに関しても、高周波数電力の電力
値をＰ１、低周波数電力の電力値をＰ２として、 ０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７ とすることで、本発明の効果をより顕著に得ることが可
能となる。これは、前述した、電界の弱い部分の補完作
用が更に顕著に得られ、同時に、プラズマ起因の実効電
力のふらつきの影響を受けにくくなり、常時安定した特
性均一効果が得られるためではないかと推察される。電
力比率Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）が小さい場合、Ｐ２はＰ１の
電界の弱い部分をかろうじて補完する状態であり、その
電力値の若干のずれが電界均一化効果を大きく左右す
る。このような状況において、プラズマ生起中に何らか
の理由でＰ２にロスが生じ、実質的に真空処理空間中に
導入される電力がふらついた場合、安定した電界均一化
効果が得られなくなり、十分な膜質均一化効果が得られ
なくなる。このようなＰ２のロスの原因としては、プラ
ズマ生成空間におけるスパークや一時的な局所放電等が
考えられる。０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）の範囲はこの
ようなプラズマ起因でのＰ２のロスが生じても、Ｐ１の
電界の弱い部分を補完可能な範囲であるものと推察され
る。
力の電力値のバランスに関しても、高周波数電力の電力
値をＰ１、低周波数電力の電力値をＰ２として、 ０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７ とすることで、本発明の効果をより顕著に得ることが可
能となる。これは、前述した、電界の弱い部分の補完作
用が更に顕著に得られ、同時に、プラズマ起因の実効電
力のふらつきの影響を受けにくくなり、常時安定した特
性均一効果が得られるためではないかと推察される。電
力比率Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）が小さい場合、Ｐ２はＰ１の
電界の弱い部分をかろうじて補完する状態であり、その
電力値の若干のずれが電界均一化効果を大きく左右す
る。このような状況において、プラズマ生起中に何らか
の理由でＰ２にロスが生じ、実質的に真空処理空間中に
導入される電力がふらついた場合、安定した電界均一化
効果が得られなくなり、十分な膜質均一化効果が得られ
なくなる。このようなＰ２のロスの原因としては、プラ
ズマ生成空間におけるスパークや一時的な局所放電等が
考えられる。０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）の範囲はこの
ようなプラズマ起因でのＰ２のロスが生じても、Ｐ１の
電界の弱い部分を補完可能な範囲であるものと推察され
る。
【００４８】一方、Ｐ１に関しても同様に、その電力比
率Ｐ１/（Ｐ１+Ｐ２）が小さい場合、電力値の若干のず
れが電界均一化効果を大きく左右する。そして、プラズ
マ起因の実効電力のふらつきの影響が特性均一化効果に
現れやすくなるものと考えられる。０．３≦Ｐ１/（Ｐ
１+Ｐ２）の範囲、即ち、Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７
の範囲においては、このようなプラズマ起因でのＰ１の
ロスが生じても、Ｐ２の電界の弱い部分を補完可能な範
囲であるものと推察される。そして、Ｐ１、Ｐ２各々の
全体に対する適正比率範囲が異なるのは、高周波電力の
周波数が高い方がスパークや局所放電が生じた際に、そ
こに電力が集中しやすく、そこでのロス分が大きくなる
ためではないかと考えられる。
率Ｐ１/（Ｐ１+Ｐ２）が小さい場合、電力値の若干のず
れが電界均一化効果を大きく左右する。そして、プラズ
マ起因の実効電力のふらつきの影響が特性均一化効果に
現れやすくなるものと考えられる。０．３≦Ｐ１/（Ｐ
１+Ｐ２）の範囲、即ち、Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７
の範囲においては、このようなプラズマ起因でのＰ１の
ロスが生じても、Ｐ２の電界の弱い部分を補完可能な範
囲であるものと推察される。そして、Ｐ１、Ｐ２各々の
全体に対する適正比率範囲が異なるのは、高周波電力の
周波数が高い方がスパークや局所放電が生じた際に、そ
こに電力が集中しやすく、そこでのロス分が大きくなる
ためではないかと考えられる。
【００４９】更に本発明においては、Ｐ１、Ｐ２、ｆ
１、ｆ２を Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦ｆ２/ｆ１ の関係とすることで、均一な放電を極めて安定的に得る
ことが可能となり、真空処理の安定性、再現性が高ま
る。この理由としては、およそ次のように考えている。
１、ｆ２を Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦ｆ２/ｆ１ の関係とすることで、均一な放電を極めて安定的に得る
ことが可能となり、真空処理の安定性、再現性が高ま
る。この理由としては、およそ次のように考えている。
【００５０】高周波電力によって生起する放電では、周
波数に応じ、安定的な放電が生成される空間的領域が異
なる場合がある。本発明のように、２つの高周波電力を
用いて定在波を抑制する場合には、周波数が近い方がお
のずと放電全体の分布が似かよるので、広い電力値範囲
で望ましい放電分布を安定的に得ることが可能になると
推測される。よって、２つの高周波電力の電力比、すな
わちＰ２/（Ｐ１+Ｐ２）を、２つの周波数の関係によっ
て決定される範囲（ｆ１/ｆ２）内にすることで、均一
な放電分布が安定的に得られるものと考えられる。
波数に応じ、安定的な放電が生成される空間的領域が異
なる場合がある。本発明のように、２つの高周波電力を
用いて定在波を抑制する場合には、周波数が近い方がお
のずと放電全体の分布が似かよるので、広い電力値範囲
で望ましい放電分布を安定的に得ることが可能になると
推測される。よって、２つの高周波電力の電力比、すな
わちＰ２/（Ｐ１+Ｐ２）を、２つの周波数の関係によっ
て決定される範囲（ｆ１/ｆ２）内にすることで、均一
な放電分布が安定的に得られるものと考えられる。
【００５１】また、本発明においては第１の高周波電力
の周波数ｆ１と第２の高周波電力の周波数ｆ２との比ｆ
２/ｆ１を ０．５＜ｆ２/ｆ１≦０．９ とすることが真空処理特性の均一化効果をより高いレベ
ルで得る上で好ましい。その理由は以下のようなメカニ
ズムに基づくものと推察される。
の周波数ｆ１と第２の高周波電力の周波数ｆ２との比ｆ
２/ｆ１を ０．５＜ｆ２/ｆ１≦０．９ とすることが真空処理特性の均一化効果をより高いレベ
ルで得る上で好ましい。その理由は以下のようなメカニ
ズムに基づくものと推察される。
【００５２】前述したように、ｆ１とｆ２が離れるにし
たがって、周波数ｆ１の高周波電力による原料ガスの分
解の仕方と周波数ｆ２の高周波電力による原料ガスの分
解の仕方が異なる方向となり、生成される活性種の種
類、比率が異なってしまうことがある。このため、電界
強度的には均一化がなされても、第１の高周波電力の定
在波の腹部分ではその周波数に応じた種類、比率の活性
種が生成され、第２の高周波電力の定在波の腹部分では
第２の高周波電力の定在波の腹部分とは異なった種類、
比率の活性種が生成される方向となる。その結果、条件
によっては活性種の種類、比率に空間的な分布が生じて
しまうことがあり、真空処理特性の均一化効果を高いレ
ベルで安定して得ることが難しくなってしまう場合があ
る。ｆ１/ｆ２＞０．５の関係に維持することで、この
ような周波数の違いによる生成活性種の種類、比率の違
いが実使用上無視できるレベルとなり、極めて高いレベ
ルでの真空処理特性均一化効果が得られるものと考えら
れる。一方、ｆ１とｆ２が近すぎると、各々の定在波の
節位置、腹位置が近いため十分な定在波抑制効果が得に
くくなるものと考えられる。このようなことから、０．
５＜ｆ２/ｆ１≦０．９とすることで、極めて高いレベ
ルでの真空処理特性均一化効果を得ることが可能になる
ものと考えられる。
たがって、周波数ｆ１の高周波電力による原料ガスの分
解の仕方と周波数ｆ２の高周波電力による原料ガスの分
解の仕方が異なる方向となり、生成される活性種の種
類、比率が異なってしまうことがある。このため、電界
強度的には均一化がなされても、第１の高周波電力の定
在波の腹部分ではその周波数に応じた種類、比率の活性
種が生成され、第２の高周波電力の定在波の腹部分では
第２の高周波電力の定在波の腹部分とは異なった種類、
比率の活性種が生成される方向となる。その結果、条件
によっては活性種の種類、比率に空間的な分布が生じて
しまうことがあり、真空処理特性の均一化効果を高いレ
ベルで安定して得ることが難しくなってしまう場合があ
る。ｆ１/ｆ２＞０．５の関係に維持することで、この
ような周波数の違いによる生成活性種の種類、比率の違
いが実使用上無視できるレベルとなり、極めて高いレベ
ルでの真空処理特性均一化効果が得られるものと考えら
れる。一方、ｆ１とｆ２が近すぎると、各々の定在波の
節位置、腹位置が近いため十分な定在波抑制効果が得に
くくなるものと考えられる。このようなことから、０．
５＜ｆ２/ｆ１≦０．９とすることで、極めて高いレベ
ルでの真空処理特性均一化効果を得ることが可能になる
ものと考えられる。
【００５３】なお、本発明において、上記関係に設定す
る対象の高周波電力は、真空処理に影響を及ぼすレベル
以上の電力を有したものであって、実質上、真空処理に
影響を及ぼさない低電力の高周波電力、例えば高調波等
は上記関係に制限されるものではない。
る対象の高周波電力は、真空処理に影響を及ぼすレベル
以上の電力を有したものであって、実質上、真空処理に
影響を及ぼさない低電力の高周波電力、例えば高調波等
は上記関係に制限されるものではない。
【００５４】また、必要に応じて、更に他の周波数の電
力を同時に供給しても良い。たとえば、真空処理中のバ
イアス効果を高めるために、本発明の範囲の高周波電力
に加えて、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数の電力
を同時に供給することができる。このように、更なる電
力を供給する場合には、その電力を加えることで真空処
理特性の均一性が損なわれない程度の電力とする必要が
ある。
力を同時に供給しても良い。たとえば、真空処理中のバ
イアス効果を高めるために、本発明の範囲の高周波電力
に加えて、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数の電力
を同時に供給することができる。このように、更なる電
力を供給する場合には、その電力を加えることで真空処
理特性の均一性が損なわれない程度の電力とする必要が
ある。
【００５５】このような本発明においては、棒状の電極
から高周波電力を真空処理容器中に供給することでより
顕著な効果を得ることができる。このような実質的に一
次元として扱うことが可能な電極形状においては、電力
が進行方向に対して横方向に回りこむことが実質的にな
いので、横方向への回りこみによる二次的な定在波が生
じず、顕著な効果が得られるのではないかと推察してい
る。
から高周波電力を真空処理容器中に供給することでより
顕著な効果を得ることができる。このような実質的に一
次元として扱うことが可能な電極形状においては、電力
が進行方向に対して横方向に回りこむことが実質的にな
いので、横方向への回りこみによる二次的な定在波が生
じず、顕著な効果が得られるのではないかと推察してい
る。
【００５６】このように、高周波電極を棒状とする場
合、棒状とする高周波電極の数が多いほど本発明の効果
を顕著に得るうえで好ましく、更には全ての高周波電極
を棒状とすることがより好ましい。そして、複数の高周
波電極を棒状とする場合、それらの高周波電極は互いに
平行に設置されていることが、真空処理特性の均一性、
真空処理の安定性の面から好ましい。棒状の高周波電極
を平行に設置することで、このような効果が得やすい理
由に関しては定かではないが、電極間での高周波電界の
干渉が生じにくくなるためではないかと推測している。
合、棒状とする高周波電極の数が多いほど本発明の効果
を顕著に得るうえで好ましく、更には全ての高周波電極
を棒状とすることがより好ましい。そして、複数の高周
波電極を棒状とする場合、それらの高周波電極は互いに
平行に設置されていることが、真空処理特性の均一性、
真空処理の安定性の面から好ましい。棒状の高周波電極
を平行に設置することで、このような効果が得やすい理
由に関しては定かではないが、電極間での高周波電界の
干渉が生じにくくなるためではないかと推測している。
【００５７】そして、本発明において全ての電極を棒状
とし、互いに平行に設置する場合、第１の方向に高周波
電力を伝送する高周波電極の数と、第２の方向に高周波
電力を伝送する高周波電極の数を同数とすることが、本
発明の効果を得る上で好ましい。このようにすることで
高周波電力の伝送方向での電力減衰の影響が軽減され、
電力減衰に起因して生じる膜特性差、均一化効果のレベ
ルの差が抑制され、本発明の効果が顕著に得ることが可
能となる。
とし、互いに平行に設置する場合、第１の方向に高周波
電力を伝送する高周波電極の数と、第２の方向に高周波
電力を伝送する高周波電極の数を同数とすることが、本
発明の効果を得る上で好ましい。このようにすることで
高周波電力の伝送方向での電力減衰の影響が軽減され、
電力減衰に起因して生じる膜特性差、均一化効果のレベ
ルの差が抑制され、本発明の効果が顕著に得ることが可
能となる。
【００５８】また、本発明においては、被処理物が円筒
状、または円柱状の場合により大きな効果を得ることが
できる。これは、被処理物が円筒状、または円柱状の場
合、被処理物上の高周波電力の反射端は被処理物の両端
に限定されることによるものと推測される。多くの反射
端が存在し、それに応じた多くの定在波が生じる場合に
比べ、定在波の腹位置での電界強度が高く、他の周波数
の電力によって生じる定在波の節位置、即ち電界強度の
低い部分を効果的に補うことが可能となるためと推測さ
れる。
状、または円柱状の場合により大きな効果を得ることが
できる。これは、被処理物が円筒状、または円柱状の場
合、被処理物上の高周波電力の反射端は被処理物の両端
に限定されることによるものと推測される。多くの反射
端が存在し、それに応じた多くの定在波が生じる場合に
比べ、定在波の腹位置での電界強度が高く、他の周波数
の電力によって生じる定在波の節位置、即ち電界強度の
低い部分を効果的に補うことが可能となるためと推測さ
れる。
【００５９】更に、本発明は、真空処理が堆積膜形成で
ある場合に特に顕著な効果を得ることが可能である。本
発明においては、電極上を含め真空処理容器中の全領域
の電界分布を均一化するため、膜付着を生ずる部位全領
域にわたって、局所的な膜構造の変化が効果的に抑制さ
れる。この結果、内部応力の局所的変化に起因する膜剥
れが効果的に抑制され、剥れた膜が被処理物上へ付着す
ることによって生じる被処理物上の欠陥が大幅に低減さ
れる。
ある場合に特に顕著な効果を得ることが可能である。本
発明においては、電極上を含め真空処理容器中の全領域
の電界分布を均一化するため、膜付着を生ずる部位全領
域にわたって、局所的な膜構造の変化が効果的に抑制さ
れる。この結果、内部応力の局所的変化に起因する膜剥
れが効果的に抑制され、剥れた膜が被処理物上へ付着す
ることによって生じる被処理物上の欠陥が大幅に低減さ
れる。
【００６０】このような本発明は特に、真空処理方法が
電子写真感光体形成の場合により効果的である。電子写
真感光体は、大面積の堆積膜形成が必要であり、さらに
その全領域にわたって構造欠陥が存在しない必要があ
る。一方、電子写真感光体形成では一般的に数十μｍも
の厚さの堆積膜形成を行うため、真空処理容器壁面への
膜付着が多く、壁面付着膜の膜剥れを生じやすい。更に
は、構造欠陥が生じた場合、電子写真感光体では他のデ
バイスのように、構造欠陥の存在する部分のみを不良と
して扱い、他の領域は良品として扱うといったことがで
きず、大面積にわたって形成した全堆積膜が不良となっ
てしまう。このため、電子写真感光体形成においては、
構造欠陥が生じた際のコストへの影響は非常に高く、本
発明によって構造欠陥をも効果的に抑制することは生産
コスト低減の上できわめて効果的となる。
電子写真感光体形成の場合により効果的である。電子写
真感光体は、大面積の堆積膜形成が必要であり、さらに
その全領域にわたって構造欠陥が存在しない必要があ
る。一方、電子写真感光体形成では一般的に数十μｍも
の厚さの堆積膜形成を行うため、真空処理容器壁面への
膜付着が多く、壁面付着膜の膜剥れを生じやすい。更に
は、構造欠陥が生じた場合、電子写真感光体では他のデ
バイスのように、構造欠陥の存在する部分のみを不良と
して扱い、他の領域は良品として扱うといったことがで
きず、大面積にわたって形成した全堆積膜が不良となっ
てしまう。このため、電子写真感光体形成においては、
構造欠陥が生じた際のコストへの影響は非常に高く、本
発明によって構造欠陥をも効果的に抑制することは生産
コスト低減の上できわめて効果的となる。
【００６１】このような効果が得られる本発明を以下で
図を用いて詳述する。図１は本発明に用いることができ
るａ−Ｓｉ系感光体製造装置の一例を示した概略図であ
る。図１（ａ）はその装置の概略断面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
反応容器１０１の底部には排気口１１１が形成され、排
気口１１１の他端は不図示の排気装置に接続されてい
る。反応容器１０１の中心部を取り囲むように、堆積膜
の形成される６本の円筒状基体１０５がホルダー１０６
に載置された状態で、互いに平行になるように配置され
ている。各円筒状基体１０５は回転軸１０８によって保
持され、発熱体１０７によって加熱されるようになって
いる。不図示のモータを駆動することで回転軸１０８が
回転し、円筒状基体１０５がその母線方向中心軸（その
基体長さ方向に沿った筒中心軸）のまわりを自転するよ
うになっている。円筒状基体１０５は回転軸１０８を介
して所定の電位、一般的にはアース電位に維持される。
図を用いて詳述する。図１は本発明に用いることができ
るａ−Ｓｉ系感光体製造装置の一例を示した概略図であ
る。図１（ａ）はその装置の概略断面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
反応容器１０１の底部には排気口１１１が形成され、排
気口１１１の他端は不図示の排気装置に接続されてい
る。反応容器１０１の中心部を取り囲むように、堆積膜
の形成される６本の円筒状基体１０５がホルダー１０６
に載置された状態で、互いに平行になるように配置され
ている。各円筒状基体１０５は回転軸１０８によって保
持され、発熱体１０７によって加熱されるようになって
いる。不図示のモータを駆動することで回転軸１０８が
回転し、円筒状基体１０５がその母線方向中心軸（その
基体長さ方向に沿った筒中心軸）のまわりを自転するよ
うになっている。円筒状基体１０５は回転軸１０８を介
して所定の電位、一般的にはアース電位に維持される。
【００６２】反応容器１０１内には原料ガスが原料ガス
供給手段１１２より供給される。また、円筒状基体１０
５の配置円内には内部高周波電極１０２が１本設置さ
れ、２つの高周波電源１０３、１１３より異なる周波数
の高周波電力がマッチングボックス１０４を経て棒状の
内部高周波電極１０２の上端に同時に供給され、供給さ
れた高周波電力は内部高周波電極１０２上を反応容器１
０１の上部から下部へ向かう方向で伝送されながら、同
時に反応容器１０１内に高周波電力を放射する。円筒状
基体１０５の配置円外には棒状の外部高周波電極１１４
が３本設置され、２つの高周波電源１１５、１１７より
異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス１１６
を経て３本の外部高周波電極１１４の下端に同時に供給
され、供給された高周波電力は外部高周波電極１０２上
を反応容器１０１の下部から上部へ向かう方向で伝送さ
れながら、同時に反応容器１０１内に高周波電力を放射
する。
供給手段１１２より供給される。また、円筒状基体１０
５の配置円内には内部高周波電極１０２が１本設置さ
れ、２つの高周波電源１０３、１１３より異なる周波数
の高周波電力がマッチングボックス１０４を経て棒状の
内部高周波電極１０２の上端に同時に供給され、供給さ
れた高周波電力は内部高周波電極１０２上を反応容器１
０１の上部から下部へ向かう方向で伝送されながら、同
時に反応容器１０１内に高周波電力を放射する。円筒状
基体１０５の配置円外には棒状の外部高周波電極１１４
が３本設置され、２つの高周波電源１１５、１１７より
異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス１１６
を経て３本の外部高周波電極１１４の下端に同時に供給
され、供給された高周波電力は外部高周波電極１０２上
を反応容器１０１の下部から上部へ向かう方向で伝送さ
れながら、同時に反応容器１０１内に高周波電力を放射
する。
【００６３】高周波電源１０３、１１３は各々の発振周
波数の関係が、たとえば高周波電源１０３の発振周波数
をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場
合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ より好ましくは、３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨ
ｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１０３から
の高周波電力をＰ１、高周波電源１１３からの高周波電
力をＰ２とした場合、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
波数の関係が、たとえば高周波電源１０３の発振周波数
をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場
合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ より好ましくは、３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨ
ｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１０３から
の高周波電力をＰ１、高周波電源１１３からの高周波電
力をＰ２とした場合、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
【００６４】同様に、高周波電源１１５、１１７は各々
の発振周波数の関係が、たとえば高周波電源１１５の発
振周波数をｆ１’、高周波電源１１７の発振周波数をｆ
２’とした場合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１１５から
の高周波電力をＰ１’、高周波電源１１７からの高周波
電力をＰ２’とした場合、 ０．１≦Ｐ２’/（Ｐ１’+Ｐ２’）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
の発振周波数の関係が、たとえば高周波電源１１５の発
振周波数をｆ１’、高周波電源１１７の発振周波数をｆ
２’とした場合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１１５から
の高周波電力をＰ１’、高周波電源１１７からの高周波
電力をＰ２’とした場合、 ０．１≦Ｐ２’/（Ｐ１’+Ｐ２’）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
【００６５】高周波電源１０３の発振周波数ｆ１と高周
波電源１１５の発振周波数ｆ１’は必ずしも同一の発振
周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波数とす
ることが真空処理特性の均一性向上の上から好ましい。
同様に、高周波電源１１３の発振周波数ｆ２と高周波電
源１１７の発振周波数ｆ２’についても、必ずしも同一
の発振周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波
数とすることが真空処理特性の均一性向上の上から好ま
しい。
波電源１１５の発振周波数ｆ１’は必ずしも同一の発振
周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波数とす
ることが真空処理特性の均一性向上の上から好ましい。
同様に、高周波電源１１３の発振周波数ｆ２と高周波電
源１１７の発振周波数ｆ２’についても、必ずしも同一
の発振周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波
数とすることが真空処理特性の均一性向上の上から好ま
しい。
【００６６】また、図１においては、内部高周波電極１
０２に高周波電力を供給する高周波電源と外部高周波電
極１１４に高周波電力を供給する高周波電源は別個とな
っているが、高周波電源から高周波電極に高周波電力を
伝送する高周波電力伝送経路を途中で分岐することによ
って、同一の高周波電源から出力された高周波電力を内
部高周波電極１０２と外部高周波電極１１４に同時に供
給する構成としても良い。この場合、高周波電力伝送経
路の分岐点はマッチングボックスよりも高周波電源側で
あっても良いし、マッチングボックスよりも高周波電極
側であっても良い。分岐点がマッチングボックスよりも
高周波電源側の場合、分岐された高周波電力伝送経路各
々にマッチングボックスが設置される。一方、分岐点が
マッチングボックスよりも高周波電極側の場合、マッチ
ングボックスは１つでよい。これらのうち、制御性の点
からは、分岐点をマッチングボックスよりも高周波電源
側とし、分岐された高周波電力伝送経路各々にマッチン
グボックスを設置することが好ましい。
０２に高周波電力を供給する高周波電源と外部高周波電
極１１４に高周波電力を供給する高周波電源は別個とな
っているが、高周波電源から高周波電極に高周波電力を
伝送する高周波電力伝送経路を途中で分岐することによ
って、同一の高周波電源から出力された高周波電力を内
部高周波電極１０２と外部高周波電極１１４に同時に供
給する構成としても良い。この場合、高周波電力伝送経
路の分岐点はマッチングボックスよりも高周波電源側で
あっても良いし、マッチングボックスよりも高周波電極
側であっても良い。分岐点がマッチングボックスよりも
高周波電源側の場合、分岐された高周波電力伝送経路各
々にマッチングボックスが設置される。一方、分岐点が
マッチングボックスよりも高周波電極側の場合、マッチ
ングボックスは１つでよい。これらのうち、制御性の点
からは、分岐点をマッチングボックスよりも高周波電源
側とし、分岐された高周波電力伝送経路各々にマッチン
グボックスを設置することが好ましい。
【００６７】なお、図１においては、上記範囲を満たす
２つの異なる周波数の高周波電力を出力可能な２つの電
源を用いているが、本発明においては２つ以上の異なる
周波数の高周波電力が供給可能であればよく、高周波電
源が３つ以上であってもよい。また、あらかじめ複数の
周波数を合成した高周波電力が出力可能な電源を用いた
場合には、電源の数は１つであってもかまわない。いず
れにしても、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電
力を同一電極に供給可能な構成であり、２つの異なる周
波数ｆ１（Ｈｚ）、ｆ２（Ｈｚ）の関係が、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ であり、それ
らの電力の関係が ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な構成とする。
２つの異なる周波数の高周波電力を出力可能な２つの電
源を用いているが、本発明においては２つ以上の異なる
周波数の高周波電力が供給可能であればよく、高周波電
源が３つ以上であってもよい。また、あらかじめ複数の
周波数を合成した高周波電力が出力可能な電源を用いた
場合には、電源の数は１つであってもかまわない。いず
れにしても、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電
力を同一電極に供給可能な構成であり、２つの異なる周
波数ｆ１（Ｈｚ）、ｆ２（Ｈｚ）の関係が、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ であり、それ
らの電力の関係が ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な構成とする。
【００６８】高周波電極１０２、１１４の形状として
は、特に制限はないが、真空処理特性の均一化効果をよ
り顕著に得るためには、図１に示したような棒状、ある
いは線状であることが好ましく、また、膜はがれ防止の
観点から、可能な限り曲面により構成されていることが
好ましく、特に、円柱状、円筒状が好ましい。
は、特に制限はないが、真空処理特性の均一化効果をよ
り顕著に得るためには、図１に示したような棒状、ある
いは線状であることが好ましく、また、膜はがれ防止の
観点から、可能な限り曲面により構成されていることが
好ましく、特に、円柱状、円筒状が好ましい。
【００６９】高周波電極１０２、１１４の表面は、膜の
密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑
制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗
面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする
１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ以上２００μｍ以下の
範囲が好ましい。
密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑
制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗
面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする
１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ以上２００μｍ以下の
範囲が好ましい。
【００７０】更に、膜の密着性向上の観点から、高周波
電極１０２、１１４の表面はセラミックス材で被覆され
ていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に制
限はないが、例えばＣＶＤ法、溶射等の表面コーティン
グ法により、高周波電極１０２、１１４の表面をコーテ
ィングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、コ
スト面から、あるいはコーティング対象物の大きさ・形
状の制限を受けにくいため好ましい。また、高周波電極
１０２、１１４の外部をパイプ形状等のセラミック部材
により覆う構成とすることも効果的である。具体的なセ
ラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒
化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライ
ト、ジルコン-コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリ
ウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。高周波電極
１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特に制
限はないが、耐久性及び均一性を増すため、また、高周
波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１０ｍｍが
好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
電極１０２、１１４の表面はセラミックス材で被覆され
ていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に制
限はないが、例えばＣＶＤ法、溶射等の表面コーティン
グ法により、高周波電極１０２、１１４の表面をコーテ
ィングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、コ
スト面から、あるいはコーティング対象物の大きさ・形
状の制限を受けにくいため好ましい。また、高周波電極
１０２、１１４の外部をパイプ形状等のセラミック部材
により覆う構成とすることも効果的である。具体的なセ
ラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒
化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライ
ト、ジルコン-コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリ
ウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。高周波電極
１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特に制
限はないが、耐久性及び均一性を増すため、また、高周
波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１０ｍｍが
好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００７１】また、高周波電極１０２、１１４に加熱ま
たは冷却手段を設けることにより、高周波電極１０２、
１１４表面における膜の密着性を更に高め、より効果的
に膜剥れの防止を達成できる。この場合、高周波電極１
０２、１１４を加熱するか、冷却するかは、堆積する膜
材料、堆積条件に応じて適宜決定する。具体的な加熱手
段としては、発熱体であれば特に制限はない。具体的に
はシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、
セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体
等を媒体とした熱交換手段による発熱体等が挙げられ
る。具体的な冷却手段としては、吸熱体であれば特に制
限はない。例えば、液体・気体等を冷却媒体として流す
ことができる冷却コイル、冷却板、冷却筒等が挙げられ
る。
たは冷却手段を設けることにより、高周波電極１０２、
１１４表面における膜の密着性を更に高め、より効果的
に膜剥れの防止を達成できる。この場合、高周波電極１
０２、１１４を加熱するか、冷却するかは、堆積する膜
材料、堆積条件に応じて適宜決定する。具体的な加熱手
段としては、発熱体であれば特に制限はない。具体的に
はシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、
セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体
等を媒体とした熱交換手段による発熱体等が挙げられ
る。具体的な冷却手段としては、吸熱体であれば特に制
限はない。例えば、液体・気体等を冷却媒体として流す
ことができる冷却コイル、冷却板、冷却筒等が挙げられ
る。
【００７２】図２は本発明に用いることができるａ−Ｓ
ｉ系感光体製造装置の他の一例を示した概略図である。
図２（ａ）はその装置の概略断面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。反応
容器１０１は円筒状の誘電体壁４０１及び上下の導電性
板状部材よりなっている。反応容器１０１の底部には排
気口１１１が形成され、排気口１１１の他端は不図示の
排気装置に接続されている。反応容器１０１の中心部を
取り囲むように、堆積膜の形成される６本の円筒状基体
１０５がホルダー１０６に載置された状態で、互いに平
行になるように配置されている。各円筒状基体１０５は
回転軸１０８によって保持され、発熱体１０７によって
加熱されるようになっている。不図示のモータを駆動す
ることで回転軸１０８が回転し、円筒状基体１０５がそ
の母線方向中心軸（その基体長さ方向に沿った筒中心
軸）のまわりを自転するようになっている。円筒状基体
１０５は回転軸１０８を介して所定の電位、一般的には
アース電位に維持される。
ｉ系感光体製造装置の他の一例を示した概略図である。
図２（ａ）はその装置の概略断面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。反応
容器１０１は円筒状の誘電体壁４０１及び上下の導電性
板状部材よりなっている。反応容器１０１の底部には排
気口１１１が形成され、排気口１１１の他端は不図示の
排気装置に接続されている。反応容器１０１の中心部を
取り囲むように、堆積膜の形成される６本の円筒状基体
１０５がホルダー１０６に載置された状態で、互いに平
行になるように配置されている。各円筒状基体１０５は
回転軸１０８によって保持され、発熱体１０７によって
加熱されるようになっている。不図示のモータを駆動す
ることで回転軸１０８が回転し、円筒状基体１０５がそ
の母線方向中心軸（その基体長さ方向に沿った筒中心
軸）のまわりを自転するようになっている。円筒状基体
１０５は回転軸１０８を介して所定の電位、一般的には
アース電位に維持される。
【００７３】反応容器１０１内には原料ガスが原料ガス
供給手段１１２より供給される。また、反応容器１０１
の一部を構成する円筒状の誘電体壁４０１の外部には棒
状の高周波電極１１４が互いに平行に６本設置されてお
り、更にその外部には高周波電力シールド４０２が設け
られている。６本の高周波電極１１４のうち、３本には
高周波電力が高周波電極１１４の上端から供給され、残
りの３本には高周波電力が高周波電極１１４の下端より
供給され（以下、図２においては、高周波電力が上端か
ら供給される高周波電極を「高周波電極１１４」、高周
波電力が下端から供給される高周波電極を「高周波電極
１１４’」とする。）、更には、反応容器周方向で高周
波電力供給方向が交互となるよう構成されている。この
ような高周波電極１１４、１１４’への高周波電力の供
給は以下のような構成によりなされる。２つの高周波電
源１０３、１１３より異なる周波数の高周波電力がマッ
チングボックス１０４を経て、上端を高周波電力供給点
とする３本の高周波電極１１４の上端に同時に供給さ
れ、供給された高周波電力は高周波電極１１４上を上部
から下部へ向かう方向で伝送されながら、同時に反応容
器１０１の一部を構成する円筒状の誘電体壁４０１を通
して反応容器１０１内に高周波電力を放射する。また、
２つの高周波電源１１５、１１７より異なる周波数の高
周波電力がマッチングボックス１１６を経て、下端を高
周波電力供給点とする３本の高周波電極１１４’の下端
に同時に供給され、供給された高周波電力は高周波電極
１１４’上を下部から上部へ向かう方向で伝送されなが
ら、同時に反応容器１０１の一部を構成する円筒状の誘
電体壁４０１を通して反応容器１０１内に高周波電力を
放射する。
供給手段１１２より供給される。また、反応容器１０１
の一部を構成する円筒状の誘電体壁４０１の外部には棒
状の高周波電極１１４が互いに平行に６本設置されてお
り、更にその外部には高周波電力シールド４０２が設け
られている。６本の高周波電極１１４のうち、３本には
高周波電力が高周波電極１１４の上端から供給され、残
りの３本には高周波電力が高周波電極１１４の下端より
供給され（以下、図２においては、高周波電力が上端か
ら供給される高周波電極を「高周波電極１１４」、高周
波電力が下端から供給される高周波電極を「高周波電極
１１４’」とする。）、更には、反応容器周方向で高周
波電力供給方向が交互となるよう構成されている。この
ような高周波電極１１４、１１４’への高周波電力の供
給は以下のような構成によりなされる。２つの高周波電
源１０３、１１３より異なる周波数の高周波電力がマッ
チングボックス１０４を経て、上端を高周波電力供給点
とする３本の高周波電極１１４の上端に同時に供給さ
れ、供給された高周波電力は高周波電極１１４上を上部
から下部へ向かう方向で伝送されながら、同時に反応容
器１０１の一部を構成する円筒状の誘電体壁４０１を通
して反応容器１０１内に高周波電力を放射する。また、
２つの高周波電源１１５、１１７より異なる周波数の高
周波電力がマッチングボックス１１６を経て、下端を高
周波電力供給点とする３本の高周波電極１１４’の下端
に同時に供給され、供給された高周波電力は高周波電極
１１４’上を下部から上部へ向かう方向で伝送されなが
ら、同時に反応容器１０１の一部を構成する円筒状の誘
電体壁４０１を通して反応容器１０１内に高周波電力を
放射する。
【００７４】高周波電源１０３、１１３は各々の発振周
波数の関係が、たとえば高周波電源１０３の発振周波数
をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場
合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ より好ましくは、 ３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１０３から
の高周波電力をＰ１、高周波電源１１３からの高周波電
力をＰ２とした場合、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
波数の関係が、たとえば高周波電源１０３の発振周波数
をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場
合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ より好ましくは、 ３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１０３から
の高周波電力をＰ１、高周波電源１１３からの高周波電
力をＰ２とした場合、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
【００７５】同様に、高周波電源１１５、１１７は各々
の発振周波数の関係が、たとえば高周波電源１１５の発
振周波数をｆ１’、高周波電源１１７の発振周波数をｆ
２’とした場合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１１５から
の高周波電力をＰ１’、高周波電源１１７からの高周波
電力をＰ２’とした場合、 ０．１≦Ｐ２’/（Ｐ１’+Ｐ２’）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
の発振周波数の関係が、たとえば高周波電源１１５の発
振周波数をｆ１’、高周波電源１１７の発振周波数をｆ
２’とした場合、 １０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ とすることが可能であり、更に、高周波電源１１５から
の高周波電力をＰ１’、高周波電源１１７からの高周波
電力をＰ２’とした場合、 ０．１≦Ｐ２’/（Ｐ１’+Ｐ２’）≦０．９ とすることが可能な電源を用いる。
【００７６】高周波電源１０３の発振周波数ｆ１と高周
波電源１１５の発振周波数ｆ１’は必ずしも同一の発振
周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波数とす
ることが真空処理特性の均一性向上の上から好ましい。
同様に、高周波電源１１３の発振周波数ｆ２と高周波電
源１１７の発振周波数ｆ２’についても、必ずしも同一
の発振周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波
数とすることが真空処理特性の均一性向上の上から好ま
しい。
波電源１１５の発振周波数ｆ１’は必ずしも同一の発振
周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波数とす
ることが真空処理特性の均一性向上の上から好ましい。
同様に、高周波電源１１３の発振周波数ｆ２と高周波電
源１１７の発振周波数ｆ２’についても、必ずしも同一
の発振周波数とする必要はないが、可能な限り同一周波
数とすることが真空処理特性の均一性向上の上から好ま
しい。
【００７７】なお、図２においては、上端を高周波電力
供給点とする高周波電極１１４に高周波電力を供給する
高周波電源と下端を高周波電力供給点とする高周波電極
１１４’に高周波電力を供給する高周波電源は別個とな
っているが、高周波電源から高周波電極に高周波電力を
伝送する高周波電力伝送経路を途中で分岐することによ
って、同一の高周波電源から出力された高周波電力を全
ての高周波電極１１４、１１４’に供給する構成として
も良い。この場合、高周波電力伝送経路の分岐点はマッ
チングボックスよりも高周波電源側であっても良いし、
マッチングボックスよりも高周波電極側であっても良
い。分岐点がマッチングボックスよりも高周波電源側の
場合、分岐された高周波電力伝送経路各々にマッチング
ボックスが設置される。一方、分岐点がマッチングボッ
クスよりも高周波電極側の場合、マッチングボックスは
１つでよい。これらのうち、制御性の点からは、分岐点
をマッチングボックスよりも高周波電源側とし、分岐さ
れた高周波電力伝送経路各々にマッチングボックスを設
置することが好ましい。
供給点とする高周波電極１１４に高周波電力を供給する
高周波電源と下端を高周波電力供給点とする高周波電極
１１４’に高周波電力を供給する高周波電源は別個とな
っているが、高周波電源から高周波電極に高周波電力を
伝送する高周波電力伝送経路を途中で分岐することによ
って、同一の高周波電源から出力された高周波電力を全
ての高周波電極１１４、１１４’に供給する構成として
も良い。この場合、高周波電力伝送経路の分岐点はマッ
チングボックスよりも高周波電源側であっても良いし、
マッチングボックスよりも高周波電極側であっても良
い。分岐点がマッチングボックスよりも高周波電源側の
場合、分岐された高周波電力伝送経路各々にマッチング
ボックスが設置される。一方、分岐点がマッチングボッ
クスよりも高周波電極側の場合、マッチングボックスは
１つでよい。これらのうち、制御性の点からは、分岐点
をマッチングボックスよりも高周波電源側とし、分岐さ
れた高周波電力伝送経路各々にマッチングボックスを設
置することが好ましい。
【００７８】また、図２においては、上記範囲を満たす
２つの異なる周波数の高周波電力を出力可能な２つの電
源を用いているが、本発明においては２つ以上の異なる
周波数の高周波電力が供給可能であればよく、高周波電
源が３つ以上であってもよい。また、あらかじめ複数の
周波数を合成した高周波電力が出力可能な電源を用いた
場合には、電源の数は１つであってもかまわない。いず
れにしても、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電
力を同一電極に供給可能な構成であり、２つの異なる周
波数ｆ１（Ｈｚ）、ｆ２（Ｈｚ）の関係が、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ であり、それらの電力の関係が ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な構成とする。
２つの異なる周波数の高周波電力を出力可能な２つの電
源を用いているが、本発明においては２つ以上の異なる
周波数の高周波電力が供給可能であればよく、高周波電
源が３つ以上であってもよい。また、あらかじめ複数の
周波数を合成した高周波電力が出力可能な電源を用いた
場合には、電源の数は１つであってもかまわない。いず
れにしても、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電
力を同一電極に供給可能な構成であり、２つの異なる周
波数ｆ１（Ｈｚ）、ｆ２（Ｈｚ）の関係が、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ であり、それらの電力の関係が ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ とすることが可能な構成とする。
【００７９】更に、図２では高周波電極１１４、１１
４’上での高周波電力の伝送方向は、反応容器１０１の
周方向で交互に異なるように構成されているが、必ずし
もこのようにする必要はない。例えば、周方向に３本連
続で上方向から下方向へ高周波電力を伝送し、残りの３
本に対しては下方向から上方向へ高周波電力を伝送する
構成とすることも可能である。しかしながら、本発明の
効果をより顕著に得る上では、図２に示した装置のよう
に高周波電極１１４、１１４’上での高周波電力の伝送
方向は、反応容器１０１の周方向で交互に異なるように
構成することが好ましい。また、図２では上方向から下
方向へ高周波電力を伝送する高周波電極１１４の数と下
方向から上方向へ高周波電力を伝送する高周波電極１１
４の数を同数としているが、必ずしも同数とする必要は
ない。例えば、上方向から下方向へ高周波電力を伝送す
る高周波電極１１４の数を１本とし、下方向から上方向
へ高周波電力を伝送する高周波電極１１４’の数を５本
としても良いし、逆に、上方向から下方向へ高周波電力
を伝送する高周波電極１１４の数を５本とし、下方向か
ら上方向へ高周波電力を伝送する高周波電極１１４’の
数を１本としても良く、また、他の組み合わせであって
も構わない。いずれにしても、少なくとも１つの高周波
電極上を伝送される高周波電力の伝送方向が他の高周波
電極上を伝送される高周波電力の伝送方向と異なってい
れば良いが、本発明の効果をより顕著に得る上では、図
２のように高周波電極上での高周波電力の伝送方向が、
反応容器１０１の周方向で交互に異なるように構成され
ていることが好ましい。高周波電極１１４、１１４’の
形状としては、特に制限はないが、真空処理特性の均一
化効果をより顕著に得るためには、図１に示したような
棒状、あるいは線状であることが好ましい。
４’上での高周波電力の伝送方向は、反応容器１０１の
周方向で交互に異なるように構成されているが、必ずし
もこのようにする必要はない。例えば、周方向に３本連
続で上方向から下方向へ高周波電力を伝送し、残りの３
本に対しては下方向から上方向へ高周波電力を伝送する
構成とすることも可能である。しかしながら、本発明の
効果をより顕著に得る上では、図２に示した装置のよう
に高周波電極１１４、１１４’上での高周波電力の伝送
方向は、反応容器１０１の周方向で交互に異なるように
構成することが好ましい。また、図２では上方向から下
方向へ高周波電力を伝送する高周波電極１１４の数と下
方向から上方向へ高周波電力を伝送する高周波電極１１
４の数を同数としているが、必ずしも同数とする必要は
ない。例えば、上方向から下方向へ高周波電力を伝送す
る高周波電極１１４の数を１本とし、下方向から上方向
へ高周波電力を伝送する高周波電極１１４’の数を５本
としても良いし、逆に、上方向から下方向へ高周波電力
を伝送する高周波電極１１４の数を５本とし、下方向か
ら上方向へ高周波電力を伝送する高周波電極１１４’の
数を１本としても良く、また、他の組み合わせであって
も構わない。いずれにしても、少なくとも１つの高周波
電極上を伝送される高周波電力の伝送方向が他の高周波
電極上を伝送される高周波電力の伝送方向と異なってい
れば良いが、本発明の効果をより顕著に得る上では、図
２のように高周波電極上での高周波電力の伝送方向が、
反応容器１０１の周方向で交互に異なるように構成され
ていることが好ましい。高周波電極１１４、１１４’の
形状としては、特に制限はないが、真空処理特性の均一
化効果をより顕著に得るためには、図１に示したような
棒状、あるいは線状であることが好ましい。
【００８０】また、高周波電極１１４に冷却手段を設け
ることが、高周波電力による発熱の影響を回避する上で
好ましい。
ることが、高周波電力による発熱の影響を回避する上で
好ましい。
【００８１】円筒状の誘電体壁４０１は少なくとも一部
が高周波電力を透過可能な誘電体材料で構成されている
必要がある。誘電体壁４０１に用いる誘電体材料として
は特に制限はないが、例えばアルミナ、二酸化チタン、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェラ
イト、ジルコン-コージェライト、酸化珪素、酸化ベリ
リウムマイカ系セラミックス等のセラミックが挙げられ
るが、これらのうち、アルミナ、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素が高周波電力の損失が少なく、耐熱性が高く、
更に真空保持に適している点から好ましい。なお、誘電
体壁４０１は円筒状以外の他の形状であっても良いが、
各円筒状基体１０５への壁面の影響を均一化するという
点から、各円筒状基体１０５に対して対称な形が好まし
い。そして、プラズマを安定して維持することが容易で
あるという点から、可能な限り曲面によって形成されて
いることが好ましい。
が高周波電力を透過可能な誘電体材料で構成されている
必要がある。誘電体壁４０１に用いる誘電体材料として
は特に制限はないが、例えばアルミナ、二酸化チタン、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェラ
イト、ジルコン-コージェライト、酸化珪素、酸化ベリ
リウムマイカ系セラミックス等のセラミックが挙げられ
るが、これらのうち、アルミナ、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素が高周波電力の損失が少なく、耐熱性が高く、
更に真空保持に適している点から好ましい。なお、誘電
体壁４０１は円筒状以外の他の形状であっても良いが、
各円筒状基体１０５への壁面の影響を均一化するという
点から、各円筒状基体１０５に対して対称な形が好まし
い。そして、プラズマを安定して維持することが容易で
あるという点から、可能な限り曲面によって形成されて
いることが好ましい。
【００８２】図２において、反応容器１０１はこのよう
な誘電体壁４０１と上下の導電性板状部材により構成さ
れているが、必ずしもこのような構成とする必要はな
く、例えば反応容器１０１全てを誘電体材料で構成して
も良い。反応容器１０１としては、真空保持が可能であ
り、その一部から高周波電力を反応容器１０１の内部に
透過可能な構成となっていればよい。
な誘電体壁４０１と上下の導電性板状部材により構成さ
れているが、必ずしもこのような構成とする必要はな
く、例えば反応容器１０１全てを誘電体材料で構成して
も良い。反応容器１０１としては、真空保持が可能であ
り、その一部から高周波電力を反応容器１０１の内部に
透過可能な構成となっていればよい。
【００８３】高周波電力シールド４０２は高周波電力の
外部への漏れを防止可能に構成される。この高周波電力
シールド４０２は、一般的に高周波電力を用いた真空処
理装置で用いられている高周波電力シールドと同様に構
成すればよい。具体的には、アルミニウム、ステンレ
ス、銅、等の導電性面状部材によって反応容器１０１及
び高周波電極１１４を囲う構成としても良いし、同様の
導電性材料を用いたメッシュ状部材によって反応容器１
０１及び高周波電極１１４、１１４’を囲う構成として
も良い。また、同様の導電性材料を用いたパンチングボ
ードによって反応容器１０１及び高周波電極１１４、１
１４’を囲う構成としても良い。そしてその形状に関し
ても特に制限がなく、円筒状、角状等いずれの形状であ
っても良いが、高周波電力シールド４０２内における高
周波電力密度の均一性を確保する上から、各電極に対し
て可能な限り対称な形とすることが好ましい。また、高
周波電力の安定的供給という点から、可能な限り曲面で
構成することが好ましい。そして、反応容器１０１の一
部が導電性材料で構成されている場合には、図２のよう
に、その一部、或いは全部を高周波電力シールドとして
兼用することも可能である。
外部への漏れを防止可能に構成される。この高周波電力
シールド４０２は、一般的に高周波電力を用いた真空処
理装置で用いられている高周波電力シールドと同様に構
成すればよい。具体的には、アルミニウム、ステンレ
ス、銅、等の導電性面状部材によって反応容器１０１及
び高周波電極１１４を囲う構成としても良いし、同様の
導電性材料を用いたメッシュ状部材によって反応容器１
０１及び高周波電極１１４、１１４’を囲う構成として
も良い。また、同様の導電性材料を用いたパンチングボ
ードによって反応容器１０１及び高周波電極１１４、１
１４’を囲う構成としても良い。そしてその形状に関し
ても特に制限がなく、円筒状、角状等いずれの形状であ
っても良いが、高周波電力シールド４０２内における高
周波電力密度の均一性を確保する上から、各電極に対し
て可能な限り対称な形とすることが好ましい。また、高
周波電力の安定的供給という点から、可能な限り曲面で
構成することが好ましい。そして、反応容器１０１の一
部が導電性材料で構成されている場合には、図２のよう
に、その一部、或いは全部を高周波電力シールドとして
兼用することも可能である。
【００８４】このような装置を用いた真空処理は、例え
ば図２の装置を用いて堆積膜形成を行う場合、概略以下
のような手順により行なうことができる。まず、反応容
器１０１内に円筒状基体１０５を設置し、不図示の排気
装置により排気口１１１を通して反応容器１０１内を排
気する。続いて、不図時のモータにより回転軸１０８を
介して円筒状基体１０５を所定の速度で回転させなが
ら、発熱体１０７により円筒状基体１０５を２００℃〜
３００℃程度の所定の温度に加熱、制御する。この際、
原料ガス供給手段１１２よりＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｈ2等の
ガスを反応容器１０１中に所定流量導入し、反応容器１
０１中の圧力を所定圧力に維持しながら円筒状基体１０
５を加熱、制御してもよい。
ば図２の装置を用いて堆積膜形成を行う場合、概略以下
のような手順により行なうことができる。まず、反応容
器１０１内に円筒状基体１０５を設置し、不図示の排気
装置により排気口１１１を通して反応容器１０１内を排
気する。続いて、不図時のモータにより回転軸１０８を
介して円筒状基体１０５を所定の速度で回転させなが
ら、発熱体１０７により円筒状基体１０５を２００℃〜
３００℃程度の所定の温度に加熱、制御する。この際、
原料ガス供給手段１１２よりＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｈ2等の
ガスを反応容器１０１中に所定流量導入し、反応容器１
０１中の圧力を所定圧力に維持しながら円筒状基体１０
５を加熱、制御してもよい。
【００８５】円筒状基体１０５が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを
反応容器１０１内に導入する。円筒状基体１０５の加熱
・制御時にＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｈ2等のガスを用いている
場合には、これに先立って、あるいはこれと並行してこ
れらのガスの導入を停止する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したの
を確認した後、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ の関係を満たす２つの周波数ｆ１、ｆ２の高周波電力を
高周波電源１０３、１１３よりマッチングボックス１０
４を介して上端を高周波電力供給端とする３本の高周波
電極１１４に供給する。
ころで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを
反応容器１０１内に導入する。円筒状基体１０５の加熱
・制御時にＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、Ｈ2等のガスを用いている
場合には、これに先立って、あるいはこれと並行してこ
れらのガスの導入を停止する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したの
を確認した後、 １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ の関係を満たす２つの周波数ｆ１、ｆ２の高周波電力を
高周波電源１０３、１１３よりマッチングボックス１０
４を介して上端を高周波電力供給端とする３本の高周波
電極１１４に供給する。
【００８６】同時に、
１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
の関係を満たす２つの周波数ｆ１’、ｆ２’の高周波電
力を高周波電源１１５、１１７よりマッチングボックス
１１６を介して下端を高周波電力供給端とする３本の高
周波電極１１４’に供給する。これにより、高周波電力
は高周波電極１１４’より誘電体壁４０１を透過して反
応容器１０１中に放射され、反応容器１０１内に異なる
周波数の高周波電力が導入される。そして反応容器１０
１内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して円
筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
力を高周波電源１１５、１１７よりマッチングボックス
１１６を介して下端を高周波電力供給端とする３本の高
周波電極１１４’に供給する。これにより、高周波電力
は高周波電極１１４’より誘電体壁４０１を透過して反
応容器１０１中に放射され、反応容器１０１内に異なる
周波数の高周波電力が導入される。そして反応容器１０
１内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して円
筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
【００８７】所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。こ
の際、各層間では一旦高周波電力の供給を停止し、続い
て原料ガスの供給を停止し、反応容器１０１を十分に排
気した後、次の層の形成を開始しても良いし、高周波電
力、原料ガス流量を次の層の条件に連続的に、かつ/ま
たは、段階的に変化させることによって次の層を形成し
ても良い。
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。こ
の際、各層間では一旦高周波電力の供給を停止し、続い
て原料ガスの供給を停止し、反応容器１０１を十分に排
気した後、次の層の形成を開始しても良いし、高周波電
力、原料ガス流量を次の層の条件に連続的に、かつ/ま
たは、段階的に変化させることによって次の層を形成し
ても良い。
【００８８】
【発明の実施の形態】「実験例」以下、実験例により本
発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらによりな
んら制限されるものではない。
発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらによりな
んら制限されるものではない。
【００８９】（実験例１）図１に示す真空処理装置を用
い、表１に示す条件でa-SiC堆積膜を形成した。円筒状
基体１０５は直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニ
ウムシリンダーであり、その表面には堆積膜特性評価用
として幅１インチ、長さ１.５インチの研磨ガラス(コー
ニング社製、#7059)を円筒状基体１０５の周方向１列に
母線方向（その基体長さ方向）に９枚並べて設置した。
円筒状基体１０５上の研磨ガラス設置個所は円筒状基体
１０５と研磨ガラスが密着するように平面化した。内部
高周波電極１０２、外部高周波電極１１４は直径２０ｍ
ｍのステンレス製金属棒とし、その表面を内径２１ｍ
ｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造と
した。アルミナ製パイプはブラスト加工により、表面粗
さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
円筒状基体１０５は内部高周波電極１０２を中心とする
円周上に等間隔で６本配置した。
い、表１に示す条件でa-SiC堆積膜を形成した。円筒状
基体１０５は直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニ
ウムシリンダーであり、その表面には堆積膜特性評価用
として幅１インチ、長さ１.５インチの研磨ガラス(コー
ニング社製、#7059)を円筒状基体１０５の周方向１列に
母線方向（その基体長さ方向）に９枚並べて設置した。
円筒状基体１０５上の研磨ガラス設置個所は円筒状基体
１０５と研磨ガラスが密着するように平面化した。内部
高周波電極１０２、外部高周波電極１１４は直径２０ｍ
ｍのステンレス製金属棒とし、その表面を内径２１ｍ
ｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造と
した。アルミナ製パイプはブラスト加工により、表面粗
さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
円筒状基体１０５は内部高周波電極１０２を中心とする
円周上に等間隔で６本配置した。
【００９０】高周波電源１０３、１１３から出力された
高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッチング
ボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４
内で各々の電力が合成される。その後、高周波電力は同
軸線路により内部高周波電極１０２の上端に供給され、
内部高周波電極１０２上を反応容器１０１の上方向から
下方向に伝送されながら、同時に反応容器１０１内へ放
射される。
高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッチング
ボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４
内で各々の電力が合成される。その後、高周波電力は同
軸線路により内部高周波電極１０２の上端に供給され、
内部高周波電極１０２上を反応容器１０１の上方向から
下方向に伝送されながら、同時に反応容器１０１内へ放
射される。
【００９１】また、高周波電源１１５、１１７から出力
された高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッ
チングボックス１１６に供給され、マッチングボックス
１１６内で各々の電力が合成される。その後、高周波電
力は３本に分岐された同軸線路により３本の外部高周波
電極１１４の下端に均等に供給され、３本の外部高周波
電極１１４上を反応容器１０１の下方向から上方向に伝
送されながら、同時に反応容器１０１内へ放射される。
された高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッ
チングボックス１１６に供給され、マッチングボックス
１１６内で各々の電力が合成される。その後、高周波電
力は３本に分岐された同軸線路により３本の外部高周波
電極１１４の下端に均等に供給され、３本の外部高周波
電極１１４上を反応容器１０１の下方向から上方向に伝
送されながら、同時に反応容器１０１内へ放射される。
【００９２】なお、マッチングボックス１０４、１１６
内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込
まないようにフィルター回路（不図示）が設けられてい
る。
内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込
まないようにフィルター回路（不図示）が設けられてい
る。
【００９３】原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍ
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造とし、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍの
ガス噴出口より原料ガス供給可能な構造のものを用い
た。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体配
置円内であり、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じ
くする同一円周上に等間隔で３本配置した。原料ガス供
給手段１１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さ
を２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
ｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止さ
れた構造とし、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍの
ガス噴出口より原料ガス供給可能な構造のものを用い
た。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体配
置円内であり、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じ
くする同一円周上に等間隔で３本配置した。原料ガス供
給手段１１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さ
を２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【００９４】高周波電源１０３、１１５より出力される
高周波電力の周波数は５０ＭＨｚとし、高周波電源１１
３、１１７より出力される高周波電力の周波数は３０Ｍ
Ｈｚとした。
高周波電力の周波数は５０ＭＨｚとし、高周波電源１１
３、１１７より出力される高周波電力の周波数は３０Ｍ
Ｈｚとした。
【００９５】このような装置を用いた、堆積膜形成は概
略以下の通りとした。
略以下の通りとした。
【００９６】まず、基体ホルダー１０６に保持され、表
面に堆積膜特性評価用の研磨ガラスが設置された円筒状
基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置
した。その後、不図示の排気装置により排気口１１１を
通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１
０８を介して円筒状基体１０５を不図示のモータにより
１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１
１２より反応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏ
ｒｍａｌ）のＡｒ を供給しながら発熱体１０７により
円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態
を２時間維持した。
面に堆積膜特性評価用の研磨ガラスが設置された円筒状
基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置
した。その後、不図示の排気装置により排気口１１１を
通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１
０８を介して円筒状基体１０５を不図示のモータにより
１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１
１２より反応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏ
ｒｍａｌ）のＡｒ を供給しながら発熱体１０７により
円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態
を２時間維持した。
【００９７】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１に示
した堆積膜形成条件で原料ガスを導入した。原料ガスの
流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力
が安定したのを確認した後、高周波電源１０３、１１
３、１１５、１１７の出力を所定の値に設定し、マッチ
ングボックス１０４、１１６を介して内部高周波電極１
０２、外部高周波電極１１４へ高周波電力を供給した。
内部高周波電極１０２、外部高周波電極１１４より反応
容器１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガ
スを励起解離することにより、円筒状基体１０５上にａ
−ＳｉＣ堆積膜を1μｍ堆積させた。
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１に示
した堆積膜形成条件で原料ガスを導入した。原料ガスの
流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力
が安定したのを確認した後、高周波電源１０３、１１
３、１１５、１１７の出力を所定の値に設定し、マッチ
ングボックス１０４、１１６を介して内部高周波電極１
０２、外部高周波電極１１４へ高周波電力を供給した。
内部高周波電極１０２、外部高周波電極１１４より反応
容器１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガ
スを励起解離することにより、円筒状基体１０５上にａ
−ＳｉＣ堆積膜を1μｍ堆積させた。
【００９８】このような手順により、高周波電源１０
３、１１３より内部高周波電極１０２に供給される総電
力、及び高周波電源１１５、１１７より３本の外部高周
波電極１１４に供給される総電力を表１に示した値と
し、総電力に対する３０ＭＨｚの高周波電力の比率を０
％から１００％の間で変化させて１３通りの電力比で堆
積膜を形成した。
３、１１３より内部高周波電極１０２に供給される総電
力、及び高周波電源１１５、１１７より３本の外部高周
波電極１１４に供給される総電力を表１に示した値と
し、総電力に対する３０ＭＨｚの高周波電力の比率を０
％から１００％の間で変化させて１３通りの電力比で堆
積膜を形成した。
【００９９】堆積膜形成後、反応容器１０１内をＡｒに
てパージした後、Ｎ2ガスでリークして堆積膜が形成さ
れた堆積膜特性評価用の研磨ガラスを取り出した。
てパージした後、Ｎ2ガスでリークして堆積膜が形成さ
れた堆積膜特性評価用の研磨ガラスを取り出した。
【０１００】
【表１】
このようにして形成した堆積膜の光学的エネルギーバン
ドギャップ(Egopt)を評価した。測定には紫外可視分光
光度計(日本分光製、V-570)を用い、Taucプロット(ｈν
と(αｈν)1/2との関係を求め、ｈν軸の切片の値をEgo
ptと定義する)によりEgoptを決定した。
ドギャップ(Egopt)を評価した。測定には紫外可視分光
光度計(日本分光製、V-570)を用い、Taucプロット(ｈν
と(αｈν)1/2との関係を求め、ｈν軸の切片の値をEgo
ptと定義する)によりEgoptを決定した。
【０１０１】この測定をａ−ＳｉＣ膜を堆積した９枚の
基板に対して行うことで、円筒状基体上に形成された堆
積膜の母線方向（その基体長さ方向）の均一性を評価し
た。９枚の基板の測定値のうち、最もEgoptが大きい部
分と小さい部分との差を、Egoptの母線方向ムラ（基体
長さ方向ムラ）として定めた。
基板に対して行うことで、円筒状基体上に形成された堆
積膜の母線方向（その基体長さ方向）の均一性を評価し
た。９枚の基板の測定値のうち、最もEgoptが大きい部
分と小さい部分との差を、Egoptの母線方向ムラ（基体
長さ方向ムラ）として定めた。
【０１０２】評価結果を表２に示す。表２では、総電力
に対する３０ＭＨｚの高周波電力の比率を０％とした場
合を基準とし、悪化を×、同等、または２０％未満の良
化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜〇、４０％
以上６０％未満の良化を〇、６０％以上８０％未満の良
化を〇〜◎、８０％以上の良化を◎で示している。
に対する３０ＭＨｚの高周波電力の比率を０％とした場
合を基準とし、悪化を×、同等、または２０％未満の良
化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜〇、４０％
以上６０％未満の良化を〇、６０％以上８０％未満の良
化を〇〜◎、８０％以上の良化を◎で示している。
【０１０３】表２より、総電力に対する３０ＭＨｚの高
周波電力の比率を０．１以上、０．９以下とすることで
特性均一化効果が明確に現れることが確認された。即
ち、５０ＭＨｚの電力をＰ１、３０ＭＨｚの電力をＰ２
として、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ の範囲において特性均一化効果が明確に現れ、特に、 ０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７ の範囲において特性均一化効果が顕著に現れることが確
認された。
周波電力の比率を０．１以上、０．９以下とすることで
特性均一化効果が明確に現れることが確認された。即
ち、５０ＭＨｚの電力をＰ１、３０ＭＨｚの電力をＰ２
として、 ０．１≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．９ の範囲において特性均一化効果が明確に現れ、特に、 ０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７ の範囲において特性均一化効果が顕著に現れることが確
認された。
【０１０４】
【表２】
（実験例２）実験例１で用いた真空処理装置を用い、表
３に示す条件で実験例１と同様の手順でａ−Ｓｉ堆積膜
を形成した。ただし、高周波電源１０３、１１５より出
力される高周波電力の周波数は２０ＭＨｚ、４０ＭＨ
ｚ、６０ＭＨｚ、８０ＭＨｚ、１５０ＭＨｚ、２００Ｍ
Ｈｚ、２５０ＭＨｚ、３００ＭＨｚの８条件とし、高周
波電源１１３、１１７より出力される高周波電力の周波
数は高周波電源１０３、１１５より出力される高周波電
力の周波数の３／４倍の周波数とした。また高周波電源
１１３より内部高周波電極１０２に供給される電力は、
内部高周波電極１０２に供給される総電力の２０％と
し、高周波電源１１７より外部高周波電極１１４に供給
される電力は、外部高周波電極１１４に供給される総電
力の２０％とした。
３に示す条件で実験例１と同様の手順でａ−Ｓｉ堆積膜
を形成した。ただし、高周波電源１０３、１１５より出
力される高周波電力の周波数は２０ＭＨｚ、４０ＭＨ
ｚ、６０ＭＨｚ、８０ＭＨｚ、１５０ＭＨｚ、２００Ｍ
Ｈｚ、２５０ＭＨｚ、３００ＭＨｚの８条件とし、高周
波電源１１３、１１７より出力される高周波電力の周波
数は高周波電源１０３、１１５より出力される高周波電
力の周波数の３／４倍の周波数とした。また高周波電源
１１３より内部高周波電極１０２に供給される電力は、
内部高周波電極１０２に供給される総電力の２０％と
し、高周波電源１１７より外部高周波電極１１４に供給
される電力は、外部高周波電極１１４に供給される総電
力の２０％とした。
【０１０５】（実験例３）実験例２において、高周波電
源１１３、１１７より出力される高周波電力の周波数を
高周波電源１０３、１１５より出力される高周波電力の
周波数の１／２倍の周波数とする以外は実験例２と同様
にして、表３に示す条件で実験例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ堆積膜を形成した。
源１１３、１１７より出力される高周波電力の周波数を
高周波電源１０３、１１５より出力される高周波電力の
周波数の１／２倍の周波数とする以外は実験例２と同様
にして、表３に示す条件で実験例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ堆積膜を形成した。
【０１０６】（実験例４）実験例２において、高周波電
源１１３、１１７より出力される高周波電力の周波数を
高周波電源１０３、１１５より出力される高周波電力の
周波数の１／４倍の周波数とする以外は実験例２と同様
にして、表３に示す条件で実験例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ堆積膜を形成した。
源１１３、１１７より出力される高周波電力の周波数を
高周波電源１０３、１１５より出力される高周波電力の
周波数の１／４倍の周波数とする以外は実験例２と同様
にして、表３に示す条件で実験例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ堆積膜を形成した。
【０１０７】（比較実験例１）高周波電源１１３、１１
７より高周波電力の供給を行わず、高周波電源１０３、
１１５より各々、内部高周波電極１０２への総電力供
給、外部高周波電極１１４への総電力供給を行う以外は
実験例２と同様にして、表３に示す条件でａ−Ｓｉ膜の
形成を行った。
７より高周波電力の供給を行わず、高周波電源１０３、
１１５より各々、内部高周波電極１０２への総電力供
給、外部高周波電極１１４への総電力供給を行う以外は
実験例２と同様にして、表３に示す条件でａ−Ｓｉ膜の
形成を行った。
【０１０８】実験例２、実験例３、実験例４、比較実験
例１で評価用の研磨ガラス基板上に堆積されたａ−Ｓｉ
膜上にＣｒの櫛形電極を形成し、以下の具体的評価法に
より光感度の評価を行った。
例１で評価用の研磨ガラス基板上に堆積されたａ−Ｓｉ
膜上にＣｒの櫛形電極を形成し、以下の具体的評価法に
より光感度の評価を行った。
【０１０９】ここで光感度とは、明導電率をσp、暗導
電率をσdとして、 光感度＝log(σp/σd) とした。この光感度の値が大きいほど堆積膜特性が良好
であることを示す。なお、明導電率σpは、1mW/cm2の強
度のHe-Neレーザー(波長632.8nm)を照射したときの導電
率、暗導電率σdは光を照射しないときの導電率であ
る。
電率をσdとして、 光感度＝log(σp/σd) とした。この光感度の値が大きいほど堆積膜特性が良好
であることを示す。なお、明導電率σpは、1mW/cm2の強
度のHe-Neレーザー(波長632.8nm)を照射したときの導電
率、暗導電率σdは光を照射しないときの導電率であ
る。
【０１１０】このような測定を各条件ごとに、ａ−Ｓｉ
膜の形成された９枚の基板全てで行い、最も高い光感度
（Ｓ/Ｎmax）と最も低い光感度（Ｓ/Ｎmin）との差（Ｓ
/Ｎmax‐Ｓ/Ｎmin）を光感度の母線方向ムラ（基体長さ
方向ムラ）とした。
膜の形成された９枚の基板全てで行い、最も高い光感度
（Ｓ/Ｎmax）と最も低い光感度（Ｓ/Ｎmin）との差（Ｓ
/Ｎmax‐Ｓ/Ｎmin）を光感度の母線方向ムラ（基体長さ
方向ムラ）とした。
【０１１１】得られた評価結果を表４に示す。表４で
は、高周波電源１０３、１１５の各周波数ごとに、比較
実験例１の評価結果を基準とし、悪化を×、同等、また
は２０％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化
を△〜〇、４０％以上６０％未満の良化を〇、６０％以
上８０％未満の良化を〇〜◎、８０％以上の良化を◎で
示している。表４より、高周波電源１０３、１１５より
供給される高周波電力の周波数が２５０ＭＨｚ以下であ
り、高周波電源１１３、１１７より供給される高周波電
力の周波数が１０ＭＨｚ以上において顕著な特性均一化
効果が得られることが確認された。即ち、高周波電源１
０３、１１５より供給される高周波電力の周波数ｆ１、
高周波電源１１３、１１７より供給される高周波電力の
周波数ｆ２が １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ の関係を満たす場合に顕著な特性均一化効果が得られる
ことが確認され、特に ３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ の関係を満たす場合により顕著な特性均一化効果が得ら
れることが確認された。
は、高周波電源１０３、１１５の各周波数ごとに、比較
実験例１の評価結果を基準とし、悪化を×、同等、また
は２０％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化
を△〜〇、４０％以上６０％未満の良化を〇、６０％以
上８０％未満の良化を〇〜◎、８０％以上の良化を◎で
示している。表４より、高周波電源１０３、１１５より
供給される高周波電力の周波数が２５０ＭＨｚ以下であ
り、高周波電源１１３、１１７より供給される高周波電
力の周波数が１０ＭＨｚ以上において顕著な特性均一化
効果が得られることが確認された。即ち、高周波電源１
０３、１１５より供給される高周波電力の周波数ｆ１、
高周波電源１１３、１１７より供給される高周波電力の
周波数ｆ２が １０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ の関係を満たす場合に顕著な特性均一化効果が得られる
ことが確認され、特に ３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ の関係を満たす場合により顕著な特性均一化効果が得ら
れることが確認された。
【０１１２】
【表３】
【０１１３】
【表４】
「実施例」以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらによりなんら制限されるもので
はない。
するが、本発明はこれらによりなんら制限されるもので
はない。
【０１１４】（実施例１）図１に示す堆積膜形成装置を
用い、高周波電源１０３、１１５の発振周波数を１００
ＭＨｚとし、高周波電源１１３、１１７の発振周波数を
１０ＭＨｚ、３０ＭＨｚ、５４ＭＨｚ、６８ＭＨｚ、９
０ＭＨｚとした各々の条件で直径８０ｍｍ、長さ３５８
ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に表５に
示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる
ａ−Ｓｉ系感光体を５ロット、合計３０本作製した。な
お、高周波電源１０３の出力は内部高周波電極１０２に
供給する全電力の９０％、高周波電源１１３の出力は内
部高周波電極１０２に供給する全電力の１０％とした。
また、高周波電源１１５の出力は外部高周波電極１１４
に供給する全電力の９０％、高周波電源１１７の出力は
外部高周波電極１１４に供給する全電力の１０％とし
た。
用い、高周波電源１０３、１１５の発振周波数を１００
ＭＨｚとし、高周波電源１１３、１１７の発振周波数を
１０ＭＨｚ、３０ＭＨｚ、５４ＭＨｚ、６８ＭＨｚ、９
０ＭＨｚとした各々の条件で直径８０ｍｍ、長さ３５８
ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に表５に
示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる
ａ−Ｓｉ系感光体を５ロット、合計３０本作製した。な
お、高周波電源１０３の出力は内部高周波電極１０２に
供給する全電力の９０％、高周波電源１１３の出力は内
部高周波電極１０２に供給する全電力の１０％とした。
また、高周波電源１１５の出力は外部高周波電極１１４
に供給する全電力の９０％、高周波電源１１７の出力は
外部高周波電極１１４に供給する全電力の１０％とし
た。
【０１１５】内部高周波電極１０２、外部高周波電極１
１４は直径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、その外部を
内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより
覆う構造とした。アルミナ製パイプはブラスト加工によ
り、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μ
ｍとした。円筒状基体１０５は内部高周波電極１０２を
中心とする円周上に等間隔で6本配置した。
１４は直径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、その外部を
内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより
覆う構造とした。アルミナ製パイプはブラスト加工によ
り、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μ
ｍとした。円筒状基体１０５は内部高周波電極１０２を
中心とする円周上に等間隔で6本配置した。
【０１１６】感光体作製手順は概略以下の通りとした。
【０１１７】まず、基体ホルダー１０６に保持された円
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段
１１２より反応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎ
ｏｒｍａｌ）のＡｒ を供給しながら発熱体１０７によ
り円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状
態を２時間維持した。
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段
１１２より反応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎ
ｏｒｍａｌ）のＡｒ を供給しながら発熱体１０７によ
り円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状
態を２時間維持した。
【０１１８】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表５に示
した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。
原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０
１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０
３の出力を内部高周波電極１０２に供給する全電力の９
０％、高周波電源１１３の出力を内部高周波電極１０２
に供給する全電力の１０％とした状態で、全出力を表１
に示した内部高周波電極１０２への供給電力に設定し、
マッチングボックス１０４を介して内部高周波電極１０
２の上端へ高周波電力を供給した。
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表５に示
した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。
原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０
１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０
３の出力を内部高周波電極１０２に供給する全電力の９
０％、高周波電源１１３の出力を内部高周波電極１０２
に供給する全電力の１０％とした状態で、全出力を表１
に示した内部高周波電極１０２への供給電力に設定し、
マッチングボックス１０４を介して内部高周波電極１０
２の上端へ高周波電力を供給した。
【０１１９】同様に、高周波電源１１５の出力を外部高
周波電極１１４に供給する全電力の９０％、高周波電源
１１７の出力を外部高周波電極１１４に供給する全電力
の１０％とした状態で、全出力を表１に示した外部高周
波電極１１４への供給電力に設定し、マッチングボック
ス１１６を介して外部高周波電極１１４の下端へ高周波
電力を供給した。
周波電極１１４に供給する全電力の９０％、高周波電源
１１７の出力を外部高周波電極１１４に供給する全電力
の１０％とした状態で、全出力を表１に示した外部高周
波電極１１４への供給電力に設定し、マッチングボック
ス１１６を介して外部高周波電極１１４の下端へ高周波
電力を供給した。
【０１２０】内部高周波電極１０２、外部高周波電極１
１４より反応容器１０１内に放射された高周波電力によ
って、原料ガスを励起解離することにより、円筒状基体
１０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形
成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原
料ガスの供給を停止して電荷注入阻止層の形成を終え
た。同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電
層、表面層を順次形成した。
１４より反応容器１０１内に放射された高周波電力によ
って、原料ガスを励起解離することにより、円筒状基体
１０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形
成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原
料ガスの供給を停止して電荷注入阻止層の形成を終え
た。同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電
層、表面層を順次形成した。
【０１２１】（比較例１）実施例１において、高周波電
源１１３、１１７の発振周波数を７ＭＨｚとする以外は
実施例１と同様にして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ
の円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に表５に示す
条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなるａ-
Ｓｉ系感光体を５ロット、合計３０本作製した。なお、
高周波電源１０３の出力は内部高周波電極１０２に供給
する全電力の９０％、高周波電源１１３の出力は内部高
周波電極１０２に供給する全電力の１０％とした。ま
た、高周波電源１１５の出力は外部高周波電極１１４に
供給する全電力の９０％、高周波電源１１７の出力は外
部高周波電極１１４に供給する全電力の１０％とした。
源１１３、１１７の発振周波数を７ＭＨｚとする以外は
実施例１と同様にして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ
の円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に表５に示す
条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなるａ-
Ｓｉ系感光体を５ロット、合計３０本作製した。なお、
高周波電源１０３の出力は内部高周波電極１０２に供給
する全電力の９０％、高周波電源１１３の出力は内部高
周波電極１０２に供給する全電力の１０％とした。ま
た、高周波電源１１５の出力は外部高周波電極１１４に
供給する全電力の９０％、高周波電源１１７の出力は外
部高周波電極１１４に供給する全電力の１０％とした。
【０１２２】このようにして実施例１、比較例１で作製
されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノ
ン製の複写機NP−６７５０に設置し、感光体の特性評価
を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「帯電
能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目とし、以
下の具体的評価法により各項目の評価を行なった。
されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノ
ン製の複写機NP−６７５０に設置し、感光体の特性評価
を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「帯電
能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目とし、以
下の具体的評価法により各項目の評価を行なった。
【０１２３】画像濃度むら … まず、 現像器位置で
の暗部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した
後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現
像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量
を調整した。 次いでキャノン製中間調チャート(部品
号:FY9-9042)を原稿台に置き、コピ−したときに得られ
たコピ−画像上全領域における反射濃度の最高値と最低
値の差により評価した。評価結果は全感光体の平均値と
した。従って、数値が小さいほど良好である。
の暗部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した
後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現
像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量
を調整した。 次いでキャノン製中間調チャート(部品
号:FY9-9042)を原稿台に置き、コピ−したときに得られ
たコピ−画像上全領域における反射濃度の最高値と最低
値の差により評価した。評価結果は全感光体の平均値と
した。従って、数値が小さいほど良好である。
【０１２４】帯電能 … 複写機の主帯電器に
一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を測
定する。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良
好であることを示す。帯電能測定は感光体母線方向（感
光体基体長さ方向）全領域に渡って行ない、その中の最
低暗部電位により評価した。評価結果は全感光体の平均
値とした。従って、数値が大きいほど良好である。
一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を測
定する。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良
好であることを示す。帯電能測定は感光体母線方向（感
光体基体長さ方向）全領域に渡って行ない、その中の最
低暗部電位により評価した。評価結果は全感光体の平均
値とした。従って、数値が大きいほど良好である。
【０１２５】光メモリー … 現像器位置における
暗部電位が所定の値となるよう、主帯電器の電流値を調
整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定
の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤ
ノン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９
０４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付
けたものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チ
ャートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調
コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの
黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定す
ることにより行った。光メモリー測定は感光体母線方向
（感光体基体長さ方向）全領域にわたって行い、その中
の最大反射濃度差により評価した。評価結果は全感光体
の平均値とした。従って、数値が小さいほど良好であ
る。
暗部電位が所定の値となるよう、主帯電器の電流値を調
整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定
の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤ
ノン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９
０４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付
けたものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チ
ャートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調
コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの
黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定す
ることにより行った。光メモリー測定は感光体母線方向
（感光体基体長さ方向）全領域にわたって行い、その中
の最大反射濃度差により評価した。評価結果は全感光体
の平均値とした。従って、数値が小さいほど良好であ
る。
【０１２６】画像欠陥 … キャノン製中間調チ
ャート(部品番号:FY9-9042)を原稿台に置き、コピーし
たときに得られたコピ−画像の同一面積内にある直径
０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。
従って、数値が小さいほど良好である。
ャート(部品番号:FY9-9042)を原稿台に置き、コピーし
たときに得られたコピ−画像の同一面積内にある直径
０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。
従って、数値が小さいほど良好である。
【０１２７】また、評価結果を表６に示す。表６におい
て、評価結果は、比較例１の評価結果を基準とし、画像
濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで
良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化した
ものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したもの
を〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等を△、悪化
を×で示した。また、帯電能に関しては、１０％以上の
向上を◎、７.５％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％
未満２.５％以上の向上を〇、２.５％未満の向上を〇〜
△、同等を△、悪化を×で示した。光メモリーに関して
は最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、
１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／
２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上ま
での良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。画像
欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／
４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満ま
で良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良
化したものを〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等
を△、悪化を×で示した。
て、評価結果は、比較例１の評価結果を基準とし、画像
濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで
良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化した
ものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したもの
を〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等を△、悪化
を×で示した。また、帯電能に関しては、１０％以上の
向上を◎、７.５％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％
未満２.５％以上の向上を〇、２.５％未満の向上を〇〜
△、同等を△、悪化を×で示した。光メモリーに関して
は最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、
１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／
２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上ま
での良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。画像
欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／
４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満ま
で良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良
化したものを〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等
を△、悪化を×で示した。
【０１２８】実施例１のいずれの条件においても良好な
結果が得られ、本発明の効果が確認された。特に、低周
波数側の高周波電源１１３、１１７の発振周波数ｆ２
（Ｈｚ）を３０ＭＨｚ以上とした場合により良好な結果
が得られ、更に、高周波数側の高周波電源１０３、１１
５の発振周波数をｆ１（Ｈｚ）として、０．５＜ｆ２／
ｆ１≦０．９の範囲においてより顕著な効果が得られる
ことが確認された。
結果が得られ、本発明の効果が確認された。特に、低周
波数側の高周波電源１１３、１１７の発振周波数ｆ２
（Ｈｚ）を３０ＭＨｚ以上とした場合により良好な結果
が得られ、更に、高周波数側の高周波電源１０３、１１
５の発振周波数をｆ１（Ｈｚ）として、０．５＜ｆ２／
ｆ１≦０．９の範囲においてより顕著な効果が得られる
ことが確認された。
【０１２９】また、実施例１で作製された電子写真感光
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであり、１００万枚の耐久試験の後
も良好な電子写真画像が得られた。
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであり、１００万枚の耐久試験の後
も良好な電子写真画像が得られた。
【０１３０】
【表５】
【０１３１】
【表６】
（実施例２）図３に示す真空処理装置を用い、ａ−Ｓｉ
Ｃ膜の形成、及び形成されたａ−ＳｉＣ膜のエッチング
を行った。図３において、図３（ａ）は本実施例の真空
処理装置を横方向から見た概略断面図、図３（ｂ）は本
実施例の真空処理装置を上方向から見た概略断面図であ
る。反応容器５０１には排気口５１１が形成され、排気
口５１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。
反応容器５０１内には真空処理が施される基板５０９が
基板支持台５１０上に設置され、基板支持台５１０中の
不図示の温度制御機構により基板５０９の温度が制御可
能となっている。そして、基板支持台５１０はアース電
位に維持され、基板５０９は基板支持台５１０を介して
アース電位に維持可能となっている。
Ｃ膜の形成、及び形成されたａ−ＳｉＣ膜のエッチング
を行った。図３において、図３（ａ）は本実施例の真空
処理装置を横方向から見た概略断面図、図３（ｂ）は本
実施例の真空処理装置を上方向から見た概略断面図であ
る。反応容器５０１には排気口５１１が形成され、排気
口５１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。
反応容器５０１内には真空処理が施される基板５０９が
基板支持台５１０上に設置され、基板支持台５１０中の
不図示の温度制御機構により基板５０９の温度が制御可
能となっている。そして、基板支持台５１０はアース電
位に維持され、基板５０９は基板支持台５１０を介して
アース電位に維持可能となっている。
【０１３２】反応容器５０１内には真空処理に用いられ
る原料ガスが原料ガス供給手段５１２より供給される。
原料ガス供給手段５１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍ
ｍのアルミナ製パイプで、端部が封止された構造とし、
パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍのガス噴出口より
原料ガス供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給
手段５１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを
２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
る原料ガスが原料ガス供給手段５１２より供給される。
原料ガス供給手段５１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍ
ｍのアルミナ製パイプで、端部が封止された構造とし、
パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍのガス噴出口より
原料ガス供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給
手段５１２の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを
２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１３３】また、反応容器５０１内には棒状の高周波
電極５０２、と高周波電極５０２’が交互に、互いに並
行に設置されている。高周波電極５０２には高周波電源
５０３、５０４より異なる周波数の高周波電力がマッチ
ングボックス５０５を経て棒状の高周波電極５０２の一
端に供給される。供給された高周波電力は高周波電極５
０２上を高周波電力供給点側から反対側に向かう方向で
伝送されながら、同時に反応容器５０１内に高周波電力
を放射する。一方、高周波電極５０２’には高周波電源
５０６、５０７より異なる周波数の高周波電力がマッチ
ングボックス５０８を経て棒状の高周波電極５０２の一
端に供給される。この際、高周波電力が供給される位置
は高周波電極５０２とは反対側とされている。高周波電
極５０２’に供給された高周波電力は高周波電極５０
２’上を高周波電力供給点側から反対側に向かう方向
で、即ち高周波電極５０２上の高周波電力伝送方向とは
逆方向に伝送されながら、同時に反応容器５０１内に高
周波電力を放射する。高周波電極５０２、５０２’は直
径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、その外部を内径２１
ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造
とした。アルミナ製パイプはブラスト加工により、表面
粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとし
た。また、マッチングボックス５０５、５０８内には、
各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないよ
うにフィルター回路（不図示）が設けられている。
電極５０２、と高周波電極５０２’が交互に、互いに並
行に設置されている。高周波電極５０２には高周波電源
５０３、５０４より異なる周波数の高周波電力がマッチ
ングボックス５０５を経て棒状の高周波電極５０２の一
端に供給される。供給された高周波電力は高周波電極５
０２上を高周波電力供給点側から反対側に向かう方向で
伝送されながら、同時に反応容器５０１内に高周波電力
を放射する。一方、高周波電極５０２’には高周波電源
５０６、５０７より異なる周波数の高周波電力がマッチ
ングボックス５０８を経て棒状の高周波電極５０２の一
端に供給される。この際、高周波電力が供給される位置
は高周波電極５０２とは反対側とされている。高周波電
極５０２’に供給された高周波電力は高周波電極５０
２’上を高周波電力供給点側から反対側に向かう方向
で、即ち高周波電極５０２上の高周波電力伝送方向とは
逆方向に伝送されながら、同時に反応容器５０１内に高
周波電力を放射する。高周波電極５０２、５０２’は直
径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、その外部を内径２１
ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造
とした。アルミナ製パイプはブラスト加工により、表面
粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとし
た。また、マッチングボックス５０５、５０８内には、
各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないよ
うにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１３４】このような真空処理装置により、以下の真
空処理を行った。
空処理を行った。
【０１３５】まず、基板支持台５１０上に縦３０ｃｍ、
横３０ｃｍ、厚さ１ｍｍのアルミニウム基板５０９を設
置した後、反応容器５０１内を不図示の排気装置により
排気口５１１を介して排気した。続いて、原料ガス供給
手段５１２より反応容器５０１中に５００ｍｌ／ｍｉｎ
（ｎｏｒｍａｌ）のＨｅを供給しながら、基板支持台５
１０中の不図示の温度制御機構により基板５０９を２３
０℃に加熱、制御し、その状態を４０分間維持した。
横３０ｃｍ、厚さ１ｍｍのアルミニウム基板５０９を設
置した後、反応容器５０１内を不図示の排気装置により
排気口５１１を介して排気した。続いて、原料ガス供給
手段５１２より反応容器５０１中に５００ｍｌ／ｍｉｎ
（ｎｏｒｍａｌ）のＨｅを供給しながら、基板支持台５
１０中の不図示の温度制御機構により基板５０９を２３
０℃に加熱、制御し、その状態を４０分間維持した。
【０１３６】ついで、Ｈｅの供給を停止し、反応容器５
０１中を不図示の排気装置により排気口５１１を介して
排気した後、原料ガス供給手段より表７に示す条件で原
料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、
また、反応容器５０１内の圧力が安定したのを確認した
後、高周波電源５０３、５０４、５０６、５０７の出力
を所定の値に設定し、マッチングボックス５０５、５０
８を介して高周波電極５０２、５０２’へ高周波電力を
供給した。高周波電極５０２、５０２’より反応容器５
０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励
起解離することにより、基板５０９上にａ−ＳｉＣ堆積
膜を堆積させた。この際、堆積膜厚は基板５０９の中央
で１μｍとなるようにした。
０１中を不図示の排気装置により排気口５１１を介して
排気した後、原料ガス供給手段より表７に示す条件で原
料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、
また、反応容器５０１内の圧力が安定したのを確認した
後、高周波電源５０３、５０４、５０６、５０７の出力
を所定の値に設定し、マッチングボックス５０５、５０
８を介して高周波電極５０２、５０２’へ高周波電力を
供給した。高周波電極５０２、５０２’より反応容器５
０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励
起解離することにより、基板５０９上にａ−ＳｉＣ堆積
膜を堆積させた。この際、堆積膜厚は基板５０９の中央
で１μｍとなるようにした。
【０１３７】堆積膜形成後、反応容器５０１内をＨｅに
てパージし、基板５０９の温度が室温まで低下した後、
原料ガス供給手段より表８に示す条件でエッチング用の
原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量とな
り、また、反応容器５０１内の圧力が安定したのを確認
した後、高周波電源５０３、５０４、５０６、５０７の
出力を所定の値に設定し、マッチングボックス５０５、
５０８を介して高周波電極５０２、５０２’へ高周波電
力を供給した。高周波電極５０２、５０２’より反応容
器５０１内に放射された高周波電力によって、反応容器
５０１内では原料ガスがプラズマ化され、そこで生じた
活性種により基板５０９上のａ−ＳｉＣ膜がエッチング
される。この際、エッチング時間は基板５０９中央での
ａ−ＳｉＣ膜厚が０.７μｍとなるまでの時間とした。
また、エッチング処理中の基板５０９の温度は基板支持
台５１０中の不図示の温度制御機構により３０℃に維持
した。
てパージし、基板５０９の温度が室温まで低下した後、
原料ガス供給手段より表８に示す条件でエッチング用の
原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量とな
り、また、反応容器５０１内の圧力が安定したのを確認
した後、高周波電源５０３、５０４、５０６、５０７の
出力を所定の値に設定し、マッチングボックス５０５、
５０８を介して高周波電極５０２、５０２’へ高周波電
力を供給した。高周波電極５０２、５０２’より反応容
器５０１内に放射された高周波電力によって、反応容器
５０１内では原料ガスがプラズマ化され、そこで生じた
活性種により基板５０９上のａ−ＳｉＣ膜がエッチング
される。この際、エッチング時間は基板５０９中央での
ａ−ＳｉＣ膜厚が０.７μｍとなるまでの時間とした。
また、エッチング処理中の基板５０９の温度は基板支持
台５１０中の不図示の温度制御機構により３０℃に維持
した。
【０１３８】所定のエッチング処理が終了した後、反応
容器５０１内をＨｅにてパージし、次いで、Ｎ2ガスで
リークして堆積膜形成、及びエッチング処理が施された
基板５０９を取り出した。
容器５０１内をＨｅにてパージし、次いで、Ｎ2ガスで
リークして堆積膜形成、及びエッチング処理が施された
基板５０９を取り出した。
【０１３９】このような真空処理を高周波電源５０３、
５０６の発振周波数を１５０ＭＨｚ、高周波電源５０
４、５０７の発振周波数を９０ＭＨｚとし、高周波電極
５０２へ供給される総電力に対する高周波電源５０４か
らの供給電力比率、及び、高周波電極５０２’へ供給さ
れる総電力に対する高周波電源５０７からの供給電力比
率を０．１、０．２、０．４、０．６、０．７、０．９
の６条件で行った。
５０６の発振周波数を１５０ＭＨｚ、高周波電源５０
４、５０７の発振周波数を９０ＭＨｚとし、高周波電極
５０２へ供給される総電力に対する高周波電源５０４か
らの供給電力比率、及び、高周波電極５０２’へ供給さ
れる総電力に対する高周波電源５０７からの供給電力比
率を０．１、０．２、０．４、０．６、０．７、０．９
の６条件で行った。
【０１４０】（比較例２）実施例２において、高周波電
源５０４、５０７の発振周波数を高周波電源５０３、５
０６の発振周波数と同じ１５０ＭＨｚとする以外は実施
例２と同様にして、縦３０ｃｍ、横３０ｃｍ、厚さ１ｍ
ｍのアルミニウム基板５０９上に真空処理を施した。
源５０４、５０７の発振周波数を高周波電源５０３、５
０６の発振周波数と同じ１５０ＭＨｚとする以外は実施
例２と同様にして、縦３０ｃｍ、横３０ｃｍ、厚さ１ｍ
ｍのアルミニウム基板５０９上に真空処理を施した。
【０１４１】このようにして、実施例２、比較例２で真
空処理された真空処理特性の均一性を基板５０９上のａ
−ＳｉＣ膜の膜厚分布を測定することで評価した。具体
的には、基板５０９上のａ−ＳｉＣ膜の膜厚を各基板ご
とに、基板中央位置を基準として縦方向２ｃｍ間隔、横
方向２ｃｍ間隔の合計２２５点の位置で測定し、その最
大値と最小値を求め、（最大値）−（最小値）を膜厚む
らとした。評価結果を表９に示す。表９においては、比
較例２の結果を基準とし、悪化を×、同等、または２０
％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜
〇、４０％以上６０％未満の良化を〇、６０％以上８０
％未満の良化を〇〜◎、８０％以上の良化を◎で示して
いる。
空処理された真空処理特性の均一性を基板５０９上のａ
−ＳｉＣ膜の膜厚分布を測定することで評価した。具体
的には、基板５０９上のａ−ＳｉＣ膜の膜厚を各基板ご
とに、基板中央位置を基準として縦方向２ｃｍ間隔、横
方向２ｃｍ間隔の合計２２５点の位置で測定し、その最
大値と最小値を求め、（最大値）−（最小値）を膜厚む
らとした。評価結果を表９に示す。表９においては、比
較例２の結果を基準とし、悪化を×、同等、または２０
％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜
〇、４０％以上６０％未満の良化を〇、６０％以上８０
％未満の良化を〇〜◎、８０％以上の良化を◎で示して
いる。
【０１４２】実施例２のいずれの条件においても、本発
明による真空処理特性の均一化効果が確認された。特
に、高周波数側の電力をＰ１、低周波数側の電力をＰ２
として、 ０．２≦Ｐ２／（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７ の範囲において、より顕著な本発明の効果が確認され
た。
明による真空処理特性の均一化効果が確認された。特
に、高周波数側の電力をＰ１、低周波数側の電力をＰ２
として、 ０．２≦Ｐ２／（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７ の範囲において、より顕著な本発明の効果が確認され
た。
【０１４３】また、実施例２のいずれの条件においても
真空処理の安定性は高かったが、特に高周波数側の周波
数をｆ１、低周波数側の周波数をｆ２として、 Ｐ２／（Ｐ１+Ｐ２）≦ｆ２／ｆ１ の範囲であるＰ２／（Ｐ１+Ｐ２）＝０．１、０．２、
０．４、０．６の条件においては真空処理の安定性は極
めて高かった。
真空処理の安定性は高かったが、特に高周波数側の周波
数をｆ１、低周波数側の周波数をｆ２として、 Ｐ２／（Ｐ１+Ｐ２）≦ｆ２／ｆ１ の範囲であるＰ２／（Ｐ１+Ｐ２）＝０．１、０．２、
０．４、０．６の条件においては真空処理の安定性は極
めて高かった。
【０１４４】
【表７】
【０１４５】
【表８】
【０１４６】
【表９】
（実施例３）図２に示す堆積膜形成装置を用い、高周波
電源１０３、１１５の発振周波数を２００ＭＨｚとし、
高周波電源１１３、１１７の発振周波数を２０ＭＨｚ、
３０ＭＨｚ、７０ＭＨｚ、１０５ＭＨｚ、１５０ＭＨ
ｚ、１９０ＭＨｚとした各々の条件で直径１０８ｍｍ、
長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０５
上に表１０に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表
面層からなるａ−Ｓｉ系感光体を作製した。なお、高周
波電源１０３、１１３、１１５、１１７の出力はいずれ
も同じ出力値とした。
電源１０３、１１５の発振周波数を２００ＭＨｚとし、
高周波電源１１３、１１７の発振周波数を２０ＭＨｚ、
３０ＭＨｚ、７０ＭＨｚ、１０５ＭＨｚ、１５０ＭＨ
ｚ、１９０ＭＨｚとした各々の条件で直径１０８ｍｍ、
長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０５
上に表１０に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表
面層からなるａ−Ｓｉ系感光体を作製した。なお、高周
波電源１０３、１１３、１１５、１１７の出力はいずれ
も同じ出力値とした。
【０１４７】反応容器１０１の一部を構成する円筒状の
誘電体壁４０１は内径４５０ｍｍ、高さ５００ｍｍ、厚
さ５ｍｍのアルミナ製円筒であり、その内面はブラスト
加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚ
で２０μｍとした。
誘電体壁４０１は内径４５０ｍｍ、高さ５００ｍｍ、厚
さ５ｍｍのアルミナ製円筒であり、その内面はブラスト
加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚ
で２０μｍとした。
【０１４８】誘電体壁４０１の外部に設けられる６本の
高周波電極１１４は直径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱であ
り、これらが互いに並行に設置されており、更にその外
部にはアルミニウム製の高周波電力シールド４０２が設
けられている。円筒状アルミニウムシリンダー１０５、
反応容器１０１の導電性部、高周波電力シールド４０２
はいずれもアース電位に維持した。
高周波電極１１４は直径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱であ
り、これらが互いに並行に設置されており、更にその外
部にはアルミニウム製の高周波電力シールド４０２が設
けられている。円筒状アルミニウムシリンダー１０５、
反応容器１０１の導電性部、高周波電力シールド４０２
はいずれもアース電位に維持した。
【０１４９】６本の高周波電極１１４、１１４’のう
ち、３本には高周波電力が高周波電極１１４の上端から
供給され、残りの３本には高周波電力が高周波電極１１
４’の下端より供給され、更には、反応容器周方向で高
周波電力供給方向が交互となるよう構成されている。
ち、３本には高周波電力が高周波電極１１４の上端から
供給され、残りの３本には高周波電力が高周波電極１１
４’の下端より供給され、更には、反応容器周方向で高
周波電力供給方向が交互となるよう構成されている。
【０１５０】そして、２つの高周波電源１０３、１１３
より異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス１
０４を経て、上端を高周波電力供給点とする３本の高周
波電極１１４の上端に同時に供給され、供給された高周
波電力は高周波電極１１４上を反応容器１０１の上部か
ら下部へ向かう方向で伝送されながら、同時に反応容器
１０１の一部を構成する円筒状の誘電体壁４０１を通し
て反応容器１０１内に高周波電力を放射する。また、２
つの高周波電源１１５、１１７より異なる周波数の高周
波電力がマッチングボックス１１６を経て、下端を高周
波電力供給点とする３本の高周波電極１１４’の下端に
同時に供給され、供給された高周波電力は高周波電極１
１４’上を反応容器１０１の下部から上部へ向かう方向
で伝送されながら、同時に反応容器１０１の一部を構成
する円筒状の誘電体壁４０１を通して反応容器１０１内
に高周波電力を放射する。なお、マッチングボックス１
０４、１１６内には、各々の高周波電力が他方の高周波
電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が
設けられている。
より異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス１
０４を経て、上端を高周波電力供給点とする３本の高周
波電極１１４の上端に同時に供給され、供給された高周
波電力は高周波電極１１４上を反応容器１０１の上部か
ら下部へ向かう方向で伝送されながら、同時に反応容器
１０１の一部を構成する円筒状の誘電体壁４０１を通し
て反応容器１０１内に高周波電力を放射する。また、２
つの高周波電源１１５、１１７より異なる周波数の高周
波電力がマッチングボックス１１６を経て、下端を高周
波電力供給点とする３本の高周波電極１１４’の下端に
同時に供給され、供給された高周波電力は高周波電極１
１４’上を反応容器１０１の下部から上部へ向かう方向
で伝送されながら、同時に反応容器１０１の一部を構成
する円筒状の誘電体壁４０１を通して反応容器１０１内
に高周波電力を放射する。なお、マッチングボックス１
０４、１１６内には、各々の高周波電力が他方の高周波
電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が
設けられている。
【０１５１】感光体作製手順は概略以下の通りとした。
【０１５２】まず、基体ホルダー１０６に保持された円
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段
１１２より反応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎ
ｏｒｍａｌ）のＡｒを供給しながら発熱体１０７により
円筒状基体１０５を２５０℃に加熱、制御し、その状態
を２時間維持した。
筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に
設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１
１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転
軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９によ
り１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段
１１２より反応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎ
ｏｒｍａｌ）のＡｒを供給しながら発熱体１０７により
円筒状基体１０５を２５０℃に加熱、制御し、その状態
を２時間維持した。
【０１５３】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１０に
示した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入し
た。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器
１０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源
１０３、１１３の出力を表１０に示した電力に設定し、
マッチングボックス１０４を介して高周波電極１１４の
上端へ高周波電力を供給した。同様に、高周波電源１１
５、１１７の出力を表１０に示した電力に設定し、マッ
チングボックス１１６を介して高周波電極１１４’の下
端へ高周波電力を供給した。
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１０に
示した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入し
た。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器
１０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源
１０３、１１３の出力を表１０に示した電力に設定し、
マッチングボックス１０４を介して高周波電極１１４の
上端へ高周波電力を供給した。同様に、高周波電源１１
５、１１７の出力を表１０に示した電力に設定し、マッ
チングボックス１１６を介して高周波電極１１４’の下
端へ高周波電力を供給した。
【０１５４】高周波電極１１４、１１４’より反応容器
１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを
励起解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷注
入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた
後、本実施例では放電を止めず、連続的にガス流量、電
力を変化させて、次の層である第一光導電層条件に設定
した。ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は１０
分とした。所定の膜厚の第一光導電層が形成された後、
連続的にガス流量、電力を変化させて、次の層である第
二光導電層条件に設定した。ガス流量、電力を連続的に
変化させる時間は５分とした。所定の膜厚の第二光導電
層が形成された後、連続的にガス流量、電力、圧力を変
化させて、次の層である表面層条件に設定した。ガス流
量、電力、圧力を連続的に変化させる時間は１５分とし
た。
１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを
励起解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷注
入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた
後、本実施例では放電を止めず、連続的にガス流量、電
力を変化させて、次の層である第一光導電層条件に設定
した。ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は１０
分とした。所定の膜厚の第一光導電層が形成された後、
連続的にガス流量、電力を変化させて、次の層である第
二光導電層条件に設定した。ガス流量、電力を連続的に
変化させる時間は５分とした。所定の膜厚の第二光導電
層が形成された後、連続的にガス流量、電力、圧力を変
化させて、次の層である表面層条件に設定した。ガス流
量、電力、圧力を連続的に変化させる時間は１５分とし
た。
【０１５５】（比較例３）実施例３において、高周波電
源１１３、１１７の発振周波数を高周波電源１０３、１
１５の発振周波数と同じ２００ＭＨｚとする以外は実施
例３と同様にして、表１０に示す条件でａ−Ｓｉ系感光
体の形成を行った。
源１１３、１１７の発振周波数を高周波電源１０３、１
１５の発振周波数と同じ２００ＭＨｚとする以外は実施
例３と同様にして、表１０に示す条件でａ−Ｓｉ系感光
体の形成を行った。
【０１５６】このようにして実施例３、比較例３で作製
されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノ
ン製の複写機ＧＰ６０５に設置し、実施例１と同様の具
体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、
「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を
行った。評価結果を表１１に示す。表１１において、評
価結果は、比較例３の評価結果を基準とし、画像濃度む
らに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化し
たものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを
◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、
３／４以上までの良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で
示した。また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を
◎、７．５％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満
２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜
△、同等を△、悪化を×で示した。光メモリーに関して
は最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、
１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／
２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上ま
での良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。画像
欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／
４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満ま
で良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良
化したものを〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等
を△、悪化を×で示した。
されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノ
ン製の複写機ＧＰ６０５に設置し、実施例１と同様の具
体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、
「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を
行った。評価結果を表１１に示す。表１１において、評
価結果は、比較例３の評価結果を基準とし、画像濃度む
らに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化し
たものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを
◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、
３／４以上までの良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で
示した。また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を
◎、７．５％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満
２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜
△、同等を△、悪化を×で示した。光メモリーに関して
は最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、
１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／
２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上ま
での良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。画像
欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／
４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満ま
で良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良
化したものを〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等
を△、悪化を×で示した。
【０１５７】実施例３のいずれの条件においても良好な
結果が得られ、本発明の効果が確認された。特に、低周
波数側の高周波電源１１３、１１７の発振周波数ｆ２
（Ｈｚ）を３０ＭＨｚ以上とした場合により良好な結果
が得られ、更に、高周波数側の高周波電源１０３、１１
５の発振周波数ｆ１（Ｈｚ）として、０．５＜ｆ２／ｆ
１≦０．９の範囲においてより顕著な効果が得られるこ
とが確認された。
結果が得られ、本発明の効果が確認された。特に、低周
波数側の高周波電源１１３、１１７の発振周波数ｆ２
（Ｈｚ）を３０ＭＨｚ以上とした場合により良好な結果
が得られ、更に、高周波数側の高周波電源１０３、１１
５の発振周波数ｆ１（Ｈｚ）として、０．５＜ｆ２／ｆ
１≦０．９の範囲においてより顕著な効果が得られるこ
とが確認された。
【０１５８】また、実施例３で作製された電子写真感光
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであり、１００万枚の耐久試験の後
も良好な電子写真画像が得られた。
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであり、１００万枚の耐久試験の後
も良好な電子写真画像が得られた。
【０１５９】
【表１０】
【０１６０】
【表１１】
(実施例４)図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１２に
示す条件でａ−Ｓｉ系感光体を形成した。
示す条件でａ−Ｓｉ系感光体を形成した。
【０１６１】図４において、図４（ａ）は本実施例の堆
積膜形成装置の概略断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の
切断線Ａ‐Ａ’に沿う概略断面図である。反応容器１０
１の底部には排気口１１１が形成され、排気口１１１の
他端は不図示の排気装置に接続されている。反応容器１
０１の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される直
径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの１２本の円筒状アルミニ
ウムシリンダー１０５がホルダー１０６に載置された状
態で、互いに平行になるように配置されている。各円筒
状アルミニウムシリンダー１０５は回転軸１０８によっ
て保持され、発熱体１０７によって加熱されるようにな
っている。不図示のモータを駆動することで回転軸１０
８が回転し、円筒状アルミニウムシリンダー１０５がそ
の母線方向中心軸（その基体長さ方向に沿った筒中心
軸）のまわりを自転するようになっている。円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５は回転軸１０８を介してアー
ス電位に維持される。
積膜形成装置の概略断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の
切断線Ａ‐Ａ’に沿う概略断面図である。反応容器１０
１の底部には排気口１１１が形成され、排気口１１１の
他端は不図示の排気装置に接続されている。反応容器１
０１の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される直
径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの１２本の円筒状アルミニ
ウムシリンダー１０５がホルダー１０６に載置された状
態で、互いに平行になるように配置されている。各円筒
状アルミニウムシリンダー１０５は回転軸１０８によっ
て保持され、発熱体１０７によって加熱されるようにな
っている。不図示のモータを駆動することで回転軸１０
８が回転し、円筒状アルミニウムシリンダー１０５がそ
の母線方向中心軸（その基体長さ方向に沿った筒中心
軸）のまわりを自転するようになっている。円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５は回転軸１０８を介してアー
ス電位に維持される。
【０１６２】反応容器１０１内には原料ガスが原料ガス
供給手段１１２より供給される。原料ガス供給手段１１
２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプ
で、端部が封止された構造とし、パイプ上に設けられた
直径１．２ｍｍのガス噴出口より原料ガス供給可能な構
造のものを用いた。原料ガス供給手段５１２の表面は、
ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長と
するＲｚで２０μｍとした。
供給手段１１２より供給される。原料ガス供給手段１１
２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプ
で、端部が封止された構造とし、パイプ上に設けられた
直径１．２ｍｍのガス噴出口より原料ガス供給可能な構
造のものを用いた。原料ガス供給手段５１２の表面は、
ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長と
するＲｚで２０μｍとした。
【０１６３】反応容器１０１の中央には内部高周波電極
１０２が設置され、また、反応容器１０１の一部を構成
するアルミナ製の円筒状誘電体壁４０１の外部には棒状
の外部高周波電極１１４が互いに平行に６本設置されて
おり、更にその外部には高周波電力シールド４０２が設
けられている。
１０２が設置され、また、反応容器１０１の一部を構成
するアルミナ製の円筒状誘電体壁４０１の外部には棒状
の外部高周波電極１１４が互いに平行に６本設置されて
おり、更にその外部には高周波電力シールド４０２が設
けられている。
【０１６４】内部高周波電極１０２への電力供給は以下
のような構成によりなされる。２つの高周波電源１０
３、１１３より異なる周波数の高周波電力がマッチング
ボックス１０４を経て内部高周波電極１０２の下端に同
時に供給され、供給された高周波電力は内部高周波電極
１０２上を反応容器１０１の下部から上部へ向かう方向
で伝送されながら、同時に反応容器１０１内に高周波電
力を放射する。一方、外部高周波電極１１４への電力供
給は以下のような構成によりなされる。２つの高周波電
源１１５、１１７より異なる周波数の高周波電力がマッ
チングボックス１１６を経て外部高周波電極１１４の上
端に同時に供給され、供給された高周波電力は外部高周
波電極１１４上を上部から下部へ向かう方向で伝送され
ながら、同時に反応容器１０１の一部を構成する円筒状
誘電体壁４０１を通して反応容器１０１内に高周波電力
を放射する。内部高周波電極１０２は直径２０ｍｍのＳ
ＵＳ製円柱であり、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４
ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造とした。このア
ルミナ製パイプ、及び反応容器１０１の一部を構成する
アルミナ製の円筒状誘電体壁４０１の内面はブラスト加
工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで
２０μｍとした。また、マッチングボックス１０４、１
１６内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流
れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられ
ている。
のような構成によりなされる。２つの高周波電源１０
３、１１３より異なる周波数の高周波電力がマッチング
ボックス１０４を経て内部高周波電極１０２の下端に同
時に供給され、供給された高周波電力は内部高周波電極
１０２上を反応容器１０１の下部から上部へ向かう方向
で伝送されながら、同時に反応容器１０１内に高周波電
力を放射する。一方、外部高周波電極１１４への電力供
給は以下のような構成によりなされる。２つの高周波電
源１１５、１１７より異なる周波数の高周波電力がマッ
チングボックス１１６を経て外部高周波電極１１４の上
端に同時に供給され、供給された高周波電力は外部高周
波電極１１４上を上部から下部へ向かう方向で伝送され
ながら、同時に反応容器１０１の一部を構成する円筒状
誘電体壁４０１を通して反応容器１０１内に高周波電力
を放射する。内部高周波電極１０２は直径２０ｍｍのＳ
ＵＳ製円柱であり、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４
ｍｍのアルミナ製パイプにより覆う構造とした。このア
ルミナ製パイプ、及び反応容器１０１の一部を構成する
アルミナ製の円筒状誘電体壁４０１の内面はブラスト加
工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで
２０μｍとした。また、マッチングボックス１０４、１
１６内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流
れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられ
ている。
【０１６５】本実施例においては、高周波電源１０３、
１１５の発振周波数を６０ＭＨｚ、高周波電源１１３、
１１７の発振周波数を４０ＭＨｚとした。また、高周波
電源１０３の出力は内部高周波電極１０２に供給する全
電力の５０％、高周波電源１１３の出力は内部高周波電
極１０２に供給する全電力の５０％とした。また、高周
波電源１１５の出力は外部高周波電極１１４に供給する
全電力の５０％、高周波電源１１７の出力は外部高周波
電極１１４に供給する全電力の５０％とした。
１１５の発振周波数を６０ＭＨｚ、高周波電源１１３、
１１７の発振周波数を４０ＭＨｚとした。また、高周波
電源１０３の出力は内部高周波電極１０２に供給する全
電力の５０％、高周波電源１１３の出力は内部高周波電
極１０２に供給する全電力の５０％とした。また、高周
波電源１１５の出力は外部高周波電極１１４に供給する
全電力の５０％、高周波電源１１７の出力は外部高周波
電極１１４に供給する全電力の５０％とした。
【０１６６】感光体作製手順は概略以下の通りとした。
【０１６７】まず、基体ホルダー１０６に保持された円
筒状アルミニウムシリンダー１０５を反応容器１０１内
の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装
置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気
した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状アルミニウ
ムシリンダー１０５を不図示のモータにより１０ｒｐｍ
の速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反
応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）
のＡｒ を供給しながら発熱体１０７により円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５を２５０℃に加熱、制御し、
その状態を２時間維持した。
筒状アルミニウムシリンダー１０５を反応容器１０１内
の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装
置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気
した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状アルミニウ
ムシリンダー１０５を不図示のモータにより１０ｒｐｍ
の速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反
応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）
のＡｒ を供給しながら発熱体１０７により円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５を２５０℃に加熱、制御し、
その状態を２時間維持した。
【０１６８】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１２に
示した電荷輸送層形成に用いる原料ガスを導入した。原
料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１
内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３
の出力を内部高周波電極１０２に供給する全電力の５０
％、高周波電源１１３の出力を内部高周波電極１０２に
供給する全電力の５０％とした状態で、高周波電源１０
３、１１３からの全電力を表１２に示した内部高周波電
極１０２への供給電力値に設定し、マッチングボックス
１０４を介して内部高周波電極１０２の下端へ高周波電
力を供給した。同時並行的に、高周波電源１１５の出力
を外部高周波電極１１４に供給する全電力の５０％、高
周波電源１１７の出力を外部高周波電極１１４に供給す
る全電力の５０％とした状態で、高周波電源１１５、１
１７からの全電力を表１２に示した外部高周波電極１１
４への供給電力値に設定し、マッチングボックス１１６
を介して外部高周波電極１１４の上端へ高周波電力を供
給した。
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１２に
示した電荷輸送層形成に用いる原料ガスを導入した。原
料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１
内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３
の出力を内部高周波電極１０２に供給する全電力の５０
％、高周波電源１１３の出力を内部高周波電極１０２に
供給する全電力の５０％とした状態で、高周波電源１０
３、１１３からの全電力を表１２に示した内部高周波電
極１０２への供給電力値に設定し、マッチングボックス
１０４を介して内部高周波電極１０２の下端へ高周波電
力を供給した。同時並行的に、高周波電源１１５の出力
を外部高周波電極１１４に供給する全電力の５０％、高
周波電源１１７の出力を外部高周波電極１１４に供給す
る全電力の５０％とした状態で、高周波電源１１５、１
１７からの全電力を表１２に示した外部高周波電極１１
４への供給電力値に設定し、マッチングボックス１１６
を介して外部高周波電極１１４の上端へ高周波電力を供
給した。
【０１６９】内部高周波電極１０２、外部高周波電極１
１４より反応容器１０１内に放射された高周波電力によ
って、原料ガスを励起解離することにより、円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５上に電荷輸送層を形成した。
所定の膜厚の形成が行なわれた後、放電を止めず、まず
連続的にガス流量を５分間で変化させ、その後電力を５
分間で変化させて、次の層である電荷発生層条件に設定
した。所定の膜厚の電荷発生層が形成された後、連続的
にガス流量、電力、圧力を変化させて、次の層である表
面層条件に設定した。ガス流量、電力、圧力を連続的に
変化させる時間は１５分とした。
１４より反応容器１０１内に放射された高周波電力によ
って、原料ガスを励起解離することにより、円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５上に電荷輸送層を形成した。
所定の膜厚の形成が行なわれた後、放電を止めず、まず
連続的にガス流量を５分間で変化させ、その後電力を５
分間で変化させて、次の層である電荷発生層条件に設定
した。所定の膜厚の電荷発生層が形成された後、連続的
にガス流量、電力、圧力を変化させて、次の層である表
面層条件に設定した。ガス流量、電力、圧力を連続的に
変化させる時間は１５分とした。
【０１７０】（実施例５）実施例４で用いた堆積膜形成
装置を図５に示すように改造し、それ以外は実施例４と
同様にして表１２に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体を形成
した。図５において、内部高周波電極１０２、外部高周
波電極１１４への高周波電力供給は以下のようにしてな
される。
装置を図５に示すように改造し、それ以外は実施例４と
同様にして表１２に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体を形成
した。図５において、内部高周波電極１０２、外部高周
波電極１１４への高周波電力供給は以下のようにしてな
される。
【０１７１】２つの高周波電源１０３、１１３より異な
る周波数の高周波電力がマッチングボックス１０４を経
て内部高周波電極１０２の下端に同時に供給され、供給
された高周波電力は内部高周波電極１０２上を反応容器
１０１の下部から上部へ向かう方向で伝送されながら、
同時に反応容器１０１内に高周波電力を放射する。一
方、外部高周波電極１１４への電力供給は以下のように
なされる。２つの高周波電源１１５、１１７より異なる
周波数の高周波電力がマッチングボックス１１６を経て
３本の外部高周波電極１１４の上端に同時に供給され、
供給された高周波電力は３本の外部高周波電極１１４上
を上部から下部へ向かう方向で伝送されながら、同時に
反応容器１０１の一部を構成する円筒状誘電体壁４０１
を通して反応容器１０１内に高周波電力を放射する。ま
た、残りの３本の外部高周波電極１１４’への高周波電
力供給は、２つの高周波電源７０１、７０２より出力さ
れた異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス７
０３を経て３本の外部高周波電極１１４’の下端に同時
に供給されることによりなされる。供給された高周波電
力は３本の外部高周波電極１１４’上を下部から上部へ
向かう方向で伝送されながら、同時に反応容器１０１の
一部を構成する円筒状誘電体壁４０１を通して反応容器
１０１内に高周波電力を放射する。高周波電源１１５、
１１７より上端に電力供給される外部高周波電極１１４
と高周波電源７０１、７０２より下端に電力供給される
外部高周波電極１１４’とは、反応容器１０１の周方向
で交互に配置した。
る周波数の高周波電力がマッチングボックス１０４を経
て内部高周波電極１０２の下端に同時に供給され、供給
された高周波電力は内部高周波電極１０２上を反応容器
１０１の下部から上部へ向かう方向で伝送されながら、
同時に反応容器１０１内に高周波電力を放射する。一
方、外部高周波電極１１４への電力供給は以下のように
なされる。２つの高周波電源１１５、１１７より異なる
周波数の高周波電力がマッチングボックス１１６を経て
３本の外部高周波電極１１４の上端に同時に供給され、
供給された高周波電力は３本の外部高周波電極１１４上
を上部から下部へ向かう方向で伝送されながら、同時に
反応容器１０１の一部を構成する円筒状誘電体壁４０１
を通して反応容器１０１内に高周波電力を放射する。ま
た、残りの３本の外部高周波電極１１４’への高周波電
力供給は、２つの高周波電源７０１、７０２より出力さ
れた異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス７
０３を経て３本の外部高周波電極１１４’の下端に同時
に供給されることによりなされる。供給された高周波電
力は３本の外部高周波電極１１４’上を下部から上部へ
向かう方向で伝送されながら、同時に反応容器１０１の
一部を構成する円筒状誘電体壁４０１を通して反応容器
１０１内に高周波電力を放射する。高周波電源１１５、
１１７より上端に電力供給される外部高周波電極１１４
と高周波電源７０１、７０２より下端に電力供給される
外部高周波電極１１４’とは、反応容器１０１の周方向
で交互に配置した。
【０１７２】本実施例においては、高周波電源１０３、
１１５、７０１の発振周波数を６０ＭＨｚ、高周波電源
１１３、１１７、７０２の発振周波数を４０ＭＨｚとし
た。また、高周波電源１０３の出力は内部高周波電極１
０２に供給する全電力の５０％、高周波電源１１３の出
力は内部高周波電極１０２に供給する全電力の５０％と
した。また、高周波電源１１５、１１７、７０１、７０
２の各々の出力は外部高周波電極１１４、１１４’に供
給する全電力の２５％とした。
１１５、７０１の発振周波数を６０ＭＨｚ、高周波電源
１１３、１１７、７０２の発振周波数を４０ＭＨｚとし
た。また、高周波電源１０３の出力は内部高周波電極１
０２に供給する全電力の５０％、高周波電源１１３の出
力は内部高周波電極１０２に供給する全電力の５０％と
した。また、高周波電源１１５、１１７、７０１、７０
２の各々の出力は外部高周波電極１１４、１１４’に供
給する全電力の２５％とした。
【０１７３】図５に示した堆積膜形成装置は、図４の堆
積膜形成装置と高周波電力供給方法が上記した点で異な
る以外は同様の構成となっている。
積膜形成装置と高周波電力供給方法が上記した点で異な
る以外は同様の構成となっている。
【０１７４】このような図５に示した堆積膜形成装置を
用いたａ−Ｓｉ系感光体作製手順は概略以下の通りとし
た。
用いたａ−Ｓｉ系感光体作製手順は概略以下の通りとし
た。
【０１７５】まず、基体ホルダー１０６に保持された円
筒状アルミニウムシリンダー１０５を反応容器１０１内
の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装
置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気
した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状アルミニウ
ムシリンダー１０５を不図示のモータにより１０ｒｐｍ
の速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反
応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）
のＡｒ を供給しながら発熱体１０７により円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５を２５０℃に加熱、制御し、
その状態を２時間維持した。
筒状アルミニウムシリンダー１０５を反応容器１０１内
の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装
置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気
した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状アルミニウ
ムシリンダー１０５を不図示のモータにより１０ｒｐｍ
の速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反
応容器１０１中に５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）
のＡｒ を供給しながら発熱体１０７により円筒状アル
ミニウムシリンダー１０５を２５０℃に加熱、制御し、
その状態を２時間維持した。
【０１７６】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１２に
示した電荷輸送層形成に用いる原料ガスを導入した。原
料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１
内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３
の出力を内部高周波電極１０２に供給する全電力の５０
％、高周波電源１１３の出力を内部高周波電極１０２に
供給する全電力の５０％とした状態で、高周波電源１０
３、１１３からの全電力を表１２に示した内部高周波電
極１０２への供給電力値に設定し、マッチングボックス
１０４を介して内部高周波電極１０２の下端へ高周波電
力を供給した。同時並行的に、高周波電源１１５の出力
を外部高周波電極１１４に供給する全電力の２５％、高
周波電源１１７の出力を外部高周波電極１１４に供給す
る全電力の２５％とした状態で、マッチングボックス１
１６を介して３本の外部高周波電極１１４の上端へ高周
波電力を供給し、更に、高周波電源７０１の出力を外部
高周波電極１１４’に供給する全電力の２５％、高周波
電源７０２の出力を外部高周波電極１１４’に供給する
全電力の２５％とした状態で、マッチングボックス７０
３を介して外部高周波電極１１４’の下端へ高周波電力
を供給した。
０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排
気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、表１２に
示した電荷輸送層形成に用いる原料ガスを導入した。原
料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１
内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３
の出力を内部高周波電極１０２に供給する全電力の５０
％、高周波電源１１３の出力を内部高周波電極１０２に
供給する全電力の５０％とした状態で、高周波電源１０
３、１１３からの全電力を表１２に示した内部高周波電
極１０２への供給電力値に設定し、マッチングボックス
１０４を介して内部高周波電極１０２の下端へ高周波電
力を供給した。同時並行的に、高周波電源１１５の出力
を外部高周波電極１１４に供給する全電力の２５％、高
周波電源１１７の出力を外部高周波電極１１４に供給す
る全電力の２５％とした状態で、マッチングボックス１
１６を介して３本の外部高周波電極１１４の上端へ高周
波電力を供給し、更に、高周波電源７０１の出力を外部
高周波電極１１４’に供給する全電力の２５％、高周波
電源７０２の出力を外部高周波電極１１４’に供給する
全電力の２５％とした状態で、マッチングボックス７０
３を介して外部高周波電極１１４’の下端へ高周波電力
を供給した。
【０１７７】内部高周波電極１０２、外部高周波電極１
１４、１１４’より反応容器１０１内に放射された高周
波電力によって、原料ガスを励起解離することにより、
円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に電荷輸送層を
形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、放電を止
めず、まず連続的にガス流量を５分間で変化させ、その
後電力を５分間で変化させて、次の層である電荷発生層
条件に設定した。所定の膜厚の電荷発生層が形成された
後、連続的にガス流量、電力、圧力を変化させて、次の
層である表面層条件に設定した。ガス流量、電力、圧力
を連続的に変化させる時間は１５分とした。
１４、１１４’より反応容器１０１内に放射された高周
波電力によって、原料ガスを励起解離することにより、
円筒状アルミニウムシリンダー１０５上に電荷輸送層を
形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、放電を止
めず、まず連続的にガス流量を５分間で変化させ、その
後電力を５分間で変化させて、次の層である電荷発生層
条件に設定した。所定の膜厚の電荷発生層が形成された
後、連続的にガス流量、電力、圧力を変化させて、次の
層である表面層条件に設定した。ガス流量、電力、圧力
を連続的に変化させる時間は１５分とした。
【０１７８】（比較例４）実施例４において、高周波電
源１１３、１１７の発振周波数を高周波電源１０３、１
１５の発振周波数と同じ６０ＭＨｚとする以外は実施例
４と同様にして、表１２に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体
を形成した。
源１１３、１１７の発振周波数を高周波電源１０３、１
１５の発振周波数と同じ６０ＭＨｚとする以外は実施例
４と同様にして、表１２に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体
を形成した。
【０１７９】このようにして実施例４、実施例５、比較
例４で作製されたａ−Ｓｉ系感光体を正帯電ドラム用に
改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ‐６０３０に設置
し、実施例１と同様の具体的評価手段により、「画像濃
度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」
の４項目に関して評価を行った。評価結果を表１３に示
す。表１３において、評価結果は、比較例４の評価結果
を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差
が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２
未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満
まで良化したものを〇、３／４以上までの良化を〇〜
△、同等を△、悪化を×で示した。また、帯電能に関し
ては、１０％以上の向上を◎、７.５％未満５％以上の
向上を◎〜〇、５％未満２.５％以上の向上を〇、２.５
％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
光メモリーに関しては最大反射濃度差が１／４未満まで
良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化した
ものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したもの
を〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等を△、悪化
を×で示した。画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以
上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／
４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以
上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上までの
良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
例４で作製されたａ−Ｓｉ系感光体を正帯電ドラム用に
改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ‐６０３０に設置
し、実施例１と同様の具体的評価手段により、「画像濃
度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」
の４項目に関して評価を行った。評価結果を表１３に示
す。表１３において、評価結果は、比較例４の評価結果
を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差
が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２
未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満
まで良化したものを〇、３／４以上までの良化を〇〜
△、同等を△、悪化を×で示した。また、帯電能に関し
ては、１０％以上の向上を◎、７.５％未満５％以上の
向上を◎〜〇、５％未満２.５％以上の向上を〇、２.５
％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
光メモリーに関しては最大反射濃度差が１／４未満まで
良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化した
ものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したもの
を〇、３／４以上までの良化を〇〜△、同等を△、悪化
を×で示した。画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以
上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／
４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以
上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上までの
良化を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１８０】実施例４、実施例５のいずれの条件におい
ても良好な結果が得られ、本発明の効果が確認された。
特に、外部高周波電極１１４上を伝送される高周波電力
の伝送方向を反応容器１０１の周方向で交互に変化させ
た実施例５において、本発明の効果がより顕著に得られ
た。
ても良好な結果が得られ、本発明の効果が確認された。
特に、外部高周波電極１１４上を伝送される高周波電力
の伝送方向を反応容器１０１の周方向で交互に変化させ
た実施例５において、本発明の効果がより顕著に得られ
た。
【０１８１】また、実施例４、実施例５で作製された電
子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像
流れ等もない極めて良好なものであり、１００万枚の耐
久試験の後も良好な電子写真画像が得られた。
子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像
流れ等もない極めて良好なものであり、１００万枚の耐
久試験の後も良好な電子写真画像が得られた。
【０１８２】
【表１２】
【０１８３】
【表１３】
【０１８４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
応容器中に被処理物を設置し、該反応容器中に供給した
原料ガスを高周波電力により分解し、該被処理物に処理
を施す真空処理方法において、真空処理速度を高く維持
しながらも、真空処理特性の向上、真空処理特性の再現
性向上を達成し、更には真空処理特性の均一性を極めて
高いレベルとすることが可能となる。また、被処理物表
面への異物の付着を効果的に抑制するため、良品率の向
上が実現可能となり、真空処理コストの低減が可能とな
る。
応容器中に被処理物を設置し、該反応容器中に供給した
原料ガスを高周波電力により分解し、該被処理物に処理
を施す真空処理方法において、真空処理速度を高く維持
しながらも、真空処理特性の向上、真空処理特性の再現
性向上を達成し、更には真空処理特性の均一性を極めて
高いレベルとすることが可能となる。また、被処理物表
面への異物の付着を効果的に抑制するため、良品率の向
上が実現可能となり、真空処理コストの低減が可能とな
る。
【図１】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の
一例を示した模式的な構成図である。
一例を示した模式的な構成図である。
【図２】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の
一例を示した模式的な構成図である。
一例を示した模式的な構成図である。
【図３】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の
一例を示した模式的な構成図である。
一例を示した模式的な構成図である。
【図４】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の
一例を示した模式的な構成図である。
一例を示した模式的な構成図である。
【図５】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の
一例を示した模式的な構成図である。
一例を示した模式的な構成図である。
【図６】従来のＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣ
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を
示した模式的な構成図である。
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を
示した模式的な構成図である。
【図７】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズ
マＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示した模式的な構成図である。
マＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示した模式的な構成図である。
１０１ 反応容器
１０２ 内部高周波電極
１０３ 高周波電源
１０４ マッチングボックス
１０５ 円筒状基体
１０６ 基体ホルダー
１０７ 発熱体
１０８ 回転軸
１１１ 排気口
１１２ 原料ガス供給手段
１１３ 高周波電源
１１４、１１４’ 外部高周波電極
１１５ 高周波電源
１１６ マッチングボックス
１１７ 高周波電源
３０１ 反応容器
３０２ カソード電極
３０３ 高周波電源
３０４ マッチングボックス
３０５ 円筒状基体
３０６ 成膜空間
３０７ 発熱体
３０８ 回転軸
３０９ モータ
３１０ 減速ギア
３１１ 排気管
３１２ 原料ガス供給手段
４０１ 誘電体壁
５０１ 反応容器
５０２ 高周波電極
５０３ 高周波電源
５０４ 高周波電源
５０５ マッチングボックス
５０６ 高周波電源
５０７ 高周波電源
５０８ マッチングボックス
５０９ 基板
５１０ 基板支持台
５１１ 排気口
５１２ 原料ガス供給手段
７０１ 高周波電源
７０２ 高周波電源
７０３ マッチングボックス
２１００ 堆積装置
２１１１ 反応容器
２１１２ 円筒状基体
２１１３ 支持体加熱用ヒーター
２１１４ 原料ガス導入管
２１１５ マッチングボックス
２１１６ 原料ガス配管
２１１７ 反応容器リークバルブ
２１１８ メイン排気バルブ
２１１９ 真空計
２２００ 原料ガス供給装置
２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー
２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ
２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ
２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ
２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ
２２６１〜２２６６ 圧力調整器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 青木 誠
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H068 EA24
4K030 AA06 AA17 BA30 CA02 CA16
FA01 JA16 JA18 KA05 KA30
LA17
5F045 AA08 AB04 AC01 CA16 DA52
DP25 EH15 EH19
Claims (26)
- 【請求項１】 反応容器中に被処理物を設置し、少なく
とも２つの異なる周波数の高周波電力を同一の高周波電
極上に同時に供給し、該高周波電極より前記反応容器内
に導入された高周波電力によってプラズマを形成して被
処理物を処理する真空処理方法において、 前記異なる周波数の高周波電力が同時供給される高周波
電極が複数であり、該複数の高周波電極のうちの少なく
とも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の主な
る伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波電力
の主なる伝送方向と異なり、更に、各高周波電極に供給
する前記複数の高周波電力は周波数が１０ＭＨｚ以上２
５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２つ含み、該
周波数範囲内にある高周波電力が有する電力値の中で最
も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力
について、そのうち周波数の高い方の高周波電力の周波
数、電力値をｆ１、Ｐ１、周波数の低い方の高周波電力
の周波数、電力値をｆ２、Ｐ２としたとき、前記電力値
Ｐ１、Ｐ２が、 ０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９ を満たすことを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項２】 ３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
である請求項１に記載の真空処理方法。 - 【請求項３】 ０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７で
ある請求項１又は請求項２に記載の真空処理方法。 - 【請求項４】 Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦ ｆ２/ｆ１であ
る請求項１から３のいずれかに記載の真空処理方法。 - 【請求項５】 ０．５＜ｆ２／ｆ１≦０．９である請求
項１から４のいずれかに記載の真空処理方法。 - 【請求項６】 高周波電極のうち少なくとも１つが棒状
である請求項１から５のいずれかに記載の真空処理方
法。 - 【請求項７】 高周波電極のうち少なくとも２つ以上が
棒状である請求項６に記載の真空処理方法。 - 【請求項８】 高周波電極が全て棒状である請求項７に
記載の真空処理方法。 - 【請求項９】 棒状の高周波電極が互いに平行である請
求項７又は８に記載の真空処理方法。 - 【請求項１０】 第１の方向に高周波電力を伝送する高
周波電極の数と、第２の方向に高周波電力を伝送する高
周波電極の数が同数である請求項９に記載の真空処理方
法。 - 【請求項１１】 被処理物が円筒状、または円柱状であ
る請求項１から１０のいずれかに記載の真空処理方法。 - 【請求項１２】 真空処理が堆積膜形成である請求項１
から１１のいずれかに記載の真空処理方法。 - 【請求項１３】 真空処理が電子写真用感光体形成であ
る請求項１から１２のいずれかに記載の真空処理方法。 - 【請求項１４】 反応容器中に被処理物を設置し、少な
くとも２つの異なる周波数の高周波電力を同一の高周波
電極上に同時に供給し、該高周波電極より前記反応容器
内に導入された高周波電力によってプラズマを形成して
被処理物を処理する真空処理装置において、 前記異なる周波数の高周波電力が同時供給される高周波
電極が複数であり、該複数の高周波電極のうちの少なく
とも１つの高周波電極上を伝送される高周波電力の主な
る伝送方向が他の高周波電極上を伝送される高周波電力
の主なる伝送方向と異なるよう構成されており、更に、
各高周波電極に供給する前記複数の高周波電力は周波数
が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少な
くとも２つ含み、該周波数範囲内にある高周波電力が有
する電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電力値
を有する高周波電力について、そのうち周波数の高い方
の高周波電力の周波数、電力値をｆ１、Ｐ１、周波数の
低い方の高周波電力の周波数、電力値をｆ２、Ｐ２とし
たとき、前記電力値Ｐ１、Ｐ２が、 ０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９ を満たすことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項１５】 ３０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨ
ｚである請求項１４に記載の真空処理装置。 - 【請求項１６】 ０．２≦Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦０．７
である請求項１４又は１５に記載の真空処理装置。 - 【請求項１７】 Ｐ２/（Ｐ１+Ｐ２）≦ ｆ２/ｆ１で
ある請求項１６に記載の真空処理装置。 - 【請求項１８】 ０．５＜ｆ２／ｆ１≦０．９である請
求項１７に記載の真空処理装置。 - 【請求項１９】 高周波電極のうち少なくとも１つが棒
状である請求項１４から１８のいずれかに記載の真空処
理装置。 - 【請求項２０】 高周波電極のうち少なくとも２つ以上
が棒状である請求項１９に記載の真空処理装置。 - 【請求項２１】 高周波電極が全て棒状である請求項２
０に記載の真空処理装置。 - 【請求項２２】 棒状の高周波電極が互いに平行である
請求項２０又は２１に記載の真空処理装置。 - 【請求項２３】 第１の方向に高周波電力を伝送する高
周波電極の数と、第２の方向に高周波電力を伝送する高
周波電極の数が同数である請求項２２に記載の真空処理
装置。 - 【請求項２４】 被処理物が円筒状、または円柱状であ
る請求項１４から２３のいずれかに記載の真空処理装
置。 - 【請求項２５】 堆積膜形成が可能である請求項１４か
ら２４のいずれかに記載の真空処理装置。 - 【請求項２６】 電子写真用感光体形成が可能である請
求項２５に記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215387A JP2003027245A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 真空処理方法及び真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215387A JP2003027245A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 真空処理方法及び真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003027245A true JP2003027245A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19050034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001215387A Pending JP2003027245A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 真空処理方法及び真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003027245A (ja) |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001215387A patent/JP2003027245A/ja active Pending
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