JP2002220670A

JP2002220670A - 真空処理方法

Info

Publication number: JP2002220670A
Application number: JP2001017010A
Authority: JP
Inventors: Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Hitoshi Murayama; 仁村山; Makoto Aoki; 誠青木; Hiroaki Niino; 博明新納
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-01-25
Filing date: 2001-01-25
Publication date: 2002-08-09

Abstract

(57)【要約】【課題】真空処理速度を向上させ、真空処理特性を再
現性良く安定して達成可能とし、真空処理コストの低減
が可能な真空処理方法を提供する。【解決手段】反応容器１４０内に円筒状基体（不図
示）を設置し、反応容器１４０内に導入した原料ガス
を、周波数が互いに異なる複数の高周波電力をカソード
電極（不図示）を介して反応容器１４０内に供給するこ
とによって分解してプラズマを生成し、円筒状基体を処
理する。このとき、複数の高周波電力のうちの少なくと
も１つの高周波電力の入射電力に対する反射電力の比率
を所定の範囲内に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理方法に関
し、特に半導体デバイスとしての電子写真感光体、画像
入力用ラインセンサー、撮像素子、光起力素子等に有用
な結晶質または非単結晶質の機能性堆積膜を好適に形成
し得るプラズマＣＶＤ法による半導体装置の製造方法に
適用される真空処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子等の形成に用いる真空処理方法として、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ
エッチング法等が多数知られており、そのための装置も
実用に付されている。例えばプラズマＣＶＤ法、すなわ
ち、原料ガスを直流または高周波グロー放電により分解
し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は好適な堆
積膜形成手段として実用化されており、例えば水素化ア
モルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記す
る。）堆積膜の形成等に利用され、そのための装置も各
種提案されている。

【０００３】このような堆積膜の形成装置及び形成方法
は概略以下のようなものである。

【０００４】図３は、ＲＦ帯の高周波電力を用いたプラ
ズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置、具体的には電子写
真感光体の形成装置の一例を示す模式的な構成図であ
る。図３に示す形成装置の構成は以下の通りである。

【０００５】この装置は大別すると、堆積装置３０１、
原料ガス供給装置３０２、反応容器３４０内を減圧する
ための排気装置３３０から構成されている。反応容器３
４０はＡｌ製のカソード電極３０４、碍子３０５、蓋３
０６から成り、高周波シールド３０７で全体が囲われて
いる。堆積装置３０１中の反応容器３４０内には円筒状
基体３１０、基体加熱用ヒーター３１６、原料ガス導入
管３１５が設置され、更に高周波マッチングボックス３
５１が反応容器３４０の一部を構成するカソード電極３
０４に接続されている。カソード電極３０４は碍子３０
５によりアース電位と絶縁され、アース電位に維持され
アノード電極を兼ねた円筒状基体３１０との間に高周波
電圧が印加可能となっている。

【０００６】原料ガス供給装置３０２は、ＳｉＨ₄、
Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガスのボンベ（不
図示）とバルブ（不図示）およびマスフローコントロー
ラー（不図示）から構成され、各原料ガスのボンベは補
助バルブ３２６を介して反応容器３０４内のガス導入管
３１５に接続されている。

【０００７】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０００８】まず、反応容器３４０内に円筒状基体３１
０を基体ホルダー３１２に装着した状態で設置し、排気
装置３３０（例えば真空ポンプ）により反応容器３４０
内を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター３１６によ
り円筒状基体３１０の温度を２００℃乃至３５０℃の所
定の温度に制御する。

【０００９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３４０
に流入させるには、ガスボンベのバルブが閉じられてい
ることを確認し、また、補助バルブ３２６が開かれてい
ることを確認して、まずメインバルブ３３１を開いて反
応容器３４０およびガス配管内３２７を排気する。

【００１０】次に真空計３４２の読みが約０．１Ｐａに
なった時点で補助バルブ３２６を閉じる。

【００１１】その後、ガスボンベ（不図示）より各ガス
を導入し、各ガスをマスフローコントローラー(不図示)
に導入する。

【００１２】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【００１３】円筒状基体３１０が所定の温度になったと
ころで補助バルブ３２６を徐々に開き、ガスボンベ（不
図示）からガス導入管３１５を介して所定のガスを反応
容器３４０内に導入する。次にマスフローコントローラ
ー(不図示)によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、反応容器３４０内の圧力が所定の
値になるように、真空計３４２を見ながらメインバルブ
３３１の開口量を調整する。内圧が安定したところで、
周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源３５０を所望の電力
に設定して、高周波マッチングボックス３５１、カソー
ド電極３０４を通じて反応容器３４０内にＲＦ電力を導
入し、円筒状基体３１０をアノードとして作用させてグ
ロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反
応容器３４０内に導入された原料ガスが分解され、円筒
状基体３１０上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜
が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われ
た後、ＲＦ電力の供給を止め、また反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【００１４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【００１５】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、円筒状基体３１０を駆動装置３
２８によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。

【００１６】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。

【００１７】このようなＲＦプラズマＣＶＤ法に加え、
ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ（以後
「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する。）法が注目を浴びて
おり、これを用いた各種堆積膜の開発も積極的に進めら
れている。

【００１８】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速
く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コス
ト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるた
めである。

【００１９】例えば、特開平６−２８７７６０号公報に
は、アモルファスシリコン系電子写真用感光体の形成に
用いられる装置および方法が開示されている。また、図
４に示すような堆積膜形成装置の開発も進められてい
る。

【００２０】図４は他の堆積膜形成装置を示す図であ
り、同図(Ａ)は該装置の概略断面図、同図(Ｂ)は同図
（Ａ）のＸ−Ｘ線における概略横断面図である。

【００２１】この装置は大別すると、堆積装置４０１、
原料ガス供給装置４０２、反応容器４４０内を減圧する
ための排気装置４３０から構成されている。反応容器４
４０は例えばアルミナセラミックスからなる誘電体の反
応壁４０４、下部プレート４０５、上蓋４０６から成
り、高周波シールド４０７で全体が囲われている。反応
壁４０４と高周波シールド４０７との間には棒状のカソ
ード電極４１１が複数設置されている。堆積装置４０１
中の反応容器４４０内には円筒状基体４１０、基体加熱
用ヒーター４１６、原料ガス導入管４１５が設置されて
いる。また、複数のカソード電極４１１は反応容器４４
０の上部空間で集結し、マッチングボックス４５１、高
周波電源４５０に接続されている。各カソード電極４１
１は碍子４０８によりアース電位と絶縁されている。

【００２２】このような装置を用いた堆積膜形成は、概
略以下のような手順により行なうことができる。

【００２３】まず、反応容器４４０内に円筒状基体４１
０を設置し、排気装置４３０により排気管を通して反応
容器４４０内を排気する。続いて、基体加熱ヒーター４
１６により円筒状基体４１０を１５０℃〜３００℃程度
の所定の温度に加熱・制御する。

【００２４】円筒状基体４１０が所定の温度となったと
ころで、原料ガス導入管４１５を介して、原料ガスを反
応容器４４０内に導入する。原料ガスの流量が設定流量
となり、また、反応容器４４０内の圧力が安定したのを
確認した後、高周波電源４５０よりマッチングボックス
４５１を介してカソード電極４１１へ所定のＶＨＦ電力
を供給する。これにより、反応容器４４０内に誘電体か
らなる反応壁４０４を透過したＶＨＦ電力が導入され、
反応容器４４０内にグロー放電が生起し、原料ガスが励
起解離して円筒状基体４１０上に堆積膜が形成される。

【００２５】堆積膜を所望の膜厚に形成した後、ＶＨＦ
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【００２６】堆積膜の形成中、円筒状基体４１０をモー
タ４２８により所定の速度で回転させることにより、円
筒状基体４１０の表面全周にわたって均一な堆積膜が形
成される。

【００２７】また、複数の電子写真用光受容部材を同時
に形成でき、生産性の極めて高い、図５に示すような堆
積膜形成装置の開発も進められている。

【００２８】図５はさらに他の堆積膜形成装置を示す図
であり、同図(Ａ)は該装置の概略断面図、同図(Ｂ)は同
図（Ａ）のＸ−Ｘ線における概略横断面図である。

【００２９】この装置は大別すると、堆積装置５０１、
原料ガス供給装置５０２、反応容器５４０内を減圧する
ための排気装置５３０から構成されている。反応容器５
４０は例えばアルミナセラミックスからなる誘電体の反
応壁５０４、下部プレート５０５、上蓋５０６から成
り、高周波シールド５０７で全体が囲われている。反応
壁５０４と高周波シールド５０７との間には棒状のカソ
ード電極５１１が複数設置されている。堆積装置５０１
中の反応容器５４０内には円筒状基体５１０、基体加熱
用ヒーター５１６、原料ガス導入管５１５が設置されて
いる。また、複数のカソード電極５１１は反応容器４４
０の上部空間で集結し、マッチングボックス５５１、高
周波電源５５０に接続されている。各カソード電極５１
１は碍子５０８によりアース電位と絶縁されている。

【００３０】図５に示す装置では、原料ガス導入管５１
５が反応容器５４０の中心に配置され、８本の円筒状基
体５１０が原料ガス導入管５１５を中心とする円上に等
間隔に配置され、８本のカソード電極５１１が、８本の
円筒状基体５１０が成す円よりも大きな、原料ガス導入
管５１５を中心とする同心円上の、隣り合う円筒状基体
５１０の間の領域に等間隔に配置されている。

【００３１】このような装置を用いた堆積膜形成は概略
以下のような手順により行なうことができる。

【００３２】まず、反応容器５４０内に８本の円筒状基
体５１０を設置し、排気装置５３０により排気管を通し
て反応容器５４０内を排気する。続いて、基体加熱ヒー
ター５１６により円筒状基体５１０を１５０℃〜３００
℃程度の所定の温度に加熱・制御する。

【００３３】円筒状基体５１０が所定の温度となったと
ころで、原料ガス導入管５１５を介して、原料ガスを反
応容器５４０内に導入する。原料ガスの流量が設定流量
となり、また、反応容器５４０内の圧力が安定したのを
確認した後、高周波電源５５０よりマッチングボックス
５５１を介してカソード電極５１１へ所定のＶＨＦ電力
を供給する。これにより、反応容器５４０内に誘電体か
らなる反応壁５０４を透過したＶＨＦ電力が導入され、
反応容器５４０内にグロー放電が生起し、原料ガスが励
起解離して、８本の各円筒状基体５１０上に堆積膜が形
成される。

【００３４】堆積膜を所望の膜厚に形成した後、ＶＨＦ
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【００３５】堆積膜の形成中、各円筒状基体５１０を駆
動装置５２０により所定の速度で回転させることによ
り、各円筒状基体５１０の表面全周にわたって均一な堆
積膜が形成される。

【００３６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法および
装置により、良好な真空処理がなされる。しかしなが
ら、このような真空処理を用いた製品に対する市場の要
求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、
より高品質化、低コスト化が実現可能な真空処理方法が
求められるようになっている。

【００３７】例えば、電子写真装置の場合、コピースピ
ードの向上、高画質化、低価格化の要求は非常に強く、
これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電
能、感度等の向上、画像上に白点あるいは黒点で現れる
感光体中の構造欠陥に起因する画像欠陥の抑制、及び感
光体生産コストの低下が不可欠となっている。また、近
年その普及が目覚ましいデジタル電子写真装置、カラー
電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、
絵、デザイン画等のコピーも頻繁に為されるため、画像
濃度むらの低減が従来以上に強く求められるようになっ
ている。

【００３８】このような感光体特性の向上、感光体生産
コストの低下を目指し、堆積膜積層構成の最適化等も為
されているが、同時に、真空処理方法の面での改善も強
く望まれている。

【００３９】このような状況下において、前述の従来の
真空処理方法においても、真空処理特性の向上、真空処
理コストの低下に関して、まだ改善の余地が残されてい
るのが現状である。

【００４０】このような問題を解決するための手段とし
て、例えば、特開平７−７４１５９号公報には、比較的
周波数が高い高周波電力（周波数６０ＭＨｚ）と比較的
周波数が低い高周波電力（周波数４００ｋＨｚ）とを重
ね合わせて基板側の電極に供給し、比較的周波数が低い
方の高周波電力の電力値を変化させることによりセルフ
バイアス電圧を制御して、エッチングレートを上げかつ
パーティクル発生を低減した真空処理方法・装置が開示
されている。

【００４１】また、特開昭６２−１８８７８３号公報に
は、比較的周波数が低い交流電力（２０Ｈｚ〜１ＭＨ
ｚ）と比較的周波数が高い交流電力（１ＭＨｚ〜１００
ＧＨｚ）とを重畳させた変調周波電力を電極に供給する
ことにより、ヒーターが不要であって成膜速度を速く
し、基体上にアモルファス半導体層を積層形成する静電
潜像担持体の製造方法が開示されている。

【００４２】しかしながら、本発明者らは、上記の開示
された技術を用いて真空処理に関する実験を行った結
果、確かに真空処理特性は向上できるものの、真空処理
の再現性、安定性に改良の余地があることが明らかとな
った。

【００４３】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、真空処理速度を向上させ、真空処
理特性を再現性良く安定して達成可能とし、真空処理コ
ストの低減が可能な真空処理方法を提供することにあ
る。

【００４４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の真空処理方法は、反応容器中に被処理物を
設置し、互いに異なる周波数を有する複数の高周波電力
を同一の高周波電極に同時に供給することにより、該高
周波電極から前記反応容器内に導入された高周波電力に
よって前記反応容器内にプラズマを生起させて前記被処
理物を処理する真空処理方法において、前記複数の高周
波電力のうちの少なくとも１つの高周波電力の入射電力
に対する反射電力の比率を所定の範囲内に設定すること
を特徴とする。

【００４５】上記本発明のように構成された真空処理方
法によれば、高い真空処理速度を維持しながら、真空処
理特性を向上させ、真空処理特性を再現性良く安定して
達成し、真空処理コストの低減化を実現することが可能
である。

【００４６】また、前記少なくとも１つの高周波電力の
入射電力に対する反射電力の比率を５〜３０％の範囲内
に設定する構成としてもよい。この比率を５〜３０％の
範囲とすることにより、反応容器のインピーダンスの僅
かな変化に対し、伝送経路、更に反応容器を含めた系が
鈍感となり、その結果、真空処理の安定性、再現性が向
上する。

【００４７】さらに、前記複数の高周波電力は周波数が
１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なく
とも２つ含み、該周波数範囲内にある高周波電力が有す
る電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を
有する高周波電力について、そのうち周波数の高い方の
高周波電力の周波数と電力値をそれぞれｆ１，Ｐ１と
し、周波数の低い方の高周波電力の周波数と電力値をそ
れぞれｆ２，Ｐ２としたとき、前記周波数ｆ１，ｆ２お
よび前記電力値Ｐ１，Ｐ２が、（ａ）ｆ２＜ｆ１（ｂ）０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９の２つの条件（ａ）および（ｂ）を満たす構成としても
よい。

【００４８】さらには、前記複数の高周波電力を、１つ
のシールドボックス内に各々の前記高周波電力用の整合
回路が設けられた高周波整合器を介して前記反応容器内
に導入する構成としてもよい。これにより、整合回路か
ら負荷としての反応容器までの距離を短くでき、伝送系
の電力ロスを低減できるので、伝送経路内の電力ロスに
よる真空処理の不安定性が大幅に改善される。

【００４９】

【発明の実施の形態】本発明者らは、上記の本発明の目
的を達成すべく鋭意検討を行った結果、反応容器中に被
処理物を設置し、互いに異なる周波数を有する複数の高
周波電力を同一の高周波電極に同時に供給することによ
り、高周波電極から反応容器内に導入された高周波電力
によって反応容器内にプラズマを生起させて被処理物を
処理する真空処理方法において、複数の高周波電力のう
ちの少なくとも１つの高周波電力の入射電力に対する反
射電力の比率を所定の範囲内に設定して被処理物を処理
することで、再現性が良く、安定して真空処理を実施す
ることが可能であることを見出した。

【００５０】実際に真空処理を実施する場合の、高周波
電源および高周波整合器の一構成例を図１に示す。

【００５１】図１に示す構成には、周波数ｆ１用の高周
波電源１５０ａと、周波数ｆ２用の高周波電源１５０ｂ
とが備えられている。高周波電源１５０ａにはフィルタ
ー１５３ａを介して高周波マッチングボックス１５１ａ
が接続され、高周波電源１５０ｂにはフィルター１５３
ｂを介して高周波マッチングボックス１５１ｂが接続さ
れており、両高周波マッチングボックス１５１ａ，１５
１ｂは共に反応容器１４０内のカソード電極（不図示）
に接続されている。

【００５２】各高周波電源１５０ａ，１５０ｂからは、
入射電力、反射電力の値がわかるように方向性結合器か
ら電力モニターに信号が出され、モニターの表示を見る
ことで、入射電力および反射電力の値が判り、その差
（入射電力−反射電力）から高周波電力の値が判るよう
になっている。高周波電力は、電源の出力部に接続され
た５０Ωの特性インピーダンスの同軸ケーブルを通り、
フィルター１５３ａ，１５３ｂ、高周波マッチングボッ
クス１５１ａ，１５１ｂを介して反応容器１４０に達す
る。

【００５３】フィルター１５３ａは、高周波ｆ１用の電
源１５０ａ側に高周波ｆ２が達するのを防ぐ機能を有し
ている。同様にフィルター１５３ｂは、高周波ｆ２用の
電源１５０ｂ側に高周波ｆ１が達するのを防ぐ機能を有
している。

【００５４】マッチングボックス１５１ａ，１５１ｂ
は、図１のように例えばＴ型の回路構成からなり、パラ
レルおよびシリーズに可変コンデンサーが挿入されてい
る。可変コンデンサーはモーターにより容量が可変とな
っており、モーターは外部の制御回路により制御され
る。また、制御回路に前述の入射電力、反射電力の信号
を取り込むことで、オートマッチングを実施することが
可能となる。

【００５５】真空処理の制御方法として周波数ｆ１の高
周波電力および周波数ｆ２の高周波電力の反射電力が最
小となるように、各マッチングボックス１５１ａ，１５
１ｂ内の可変コンデンサーを調整している。これによ
り、周波数ｆ１および周波数ｆ２の高周波電力の大部分
が反応容器内１４０に供給される。

【００５６】本発明者らは、２つの高周波電力を各々入
射電力（Ｐｆ１，Ｐｆ２）で供給し、それぞれの反射電
力（Ｐｒ１，Ｐｒ２）がモニターにおいて最小になるよ
うにマッチングボックス１５１ａ，１５１ｂ内の可変コ
ンデンサーを調整したところ、次のような現象が発生す
ることが判った。例えば、高周波電力（周波数ｆ１）の
反射電力Ｐｒ１を入射電力Ｐｆ１に対して略０％になる
ように高周波マッチングボックス１５１ａ内の可変コン
デンサーを調整し、次に高周波電力（周波数ｆ２）の反
射電力Ｐｒ２が小さくなるように高周波マッチングボッ
クス１５１ｂ内の可変コンデンサーを調整していたとこ
ろ、高周波電力ｆ２の反射電力Ｐｒ２が入射電力Ｐｆ２
の５％以上では、高周波電力（ｆ２）の反射電力Ｐｒ２
は、高周波電力（ｆ２）用の高周波マッチングボックス
１５１ｂの可変コンデンサーの容量の変化に応じて緩や
かに変化しており、また高周波電力（ｆ１）の反射電力
Ｐｒ１も緩やかに変化していた。しかし、高周波電力
（ｆ２）の反射電力Ｐｒ２が入射電力Ｐｆ２の略０％以
上５％未満の範囲においては、高周波電力（ｆ２）用の
高周波マッチングボックス１５１ｂの可変コンデンサー
を僅かに変化させただけで高周波電力（ｆ２）の反射電
力Ｐｒ２が急激に変化し、さらに高周波電力（ｆ１）の
反射電力Ｐｒ１も敏感に変化することがわかった。

【００５７】そこで、本発明者らは、各々の高周波電力
の入射電力に対する反射電力の比率を５％以上の領域と
し、その範囲で検討を行ったところ、高周波電力（ｆ
２）の反射電力Ｐｒ２は、高周波電力（ｆ２）用の高周
波マッチングボックス１５１ｂの可変コンデンサーの容
量の変化に応じて緩やかに変化していた。一方、高周波
電力（ｆ１）の反射電力Ｐｒ１は僅かに変化しているだ
けで非常に安定していた。

【００５８】このことから、本発明者らは、各々の高周
波電力の入射電力に対する反射電力の比率を５％以上に
なるよう制御して真空処理を行うことにより、再現性が
向上し、さらに真空処理特性も向上することが判った。

【００５９】このメカニズムに関しては定かではない
が、本発明者らは以下のように考える。

【００６０】２つの異なる周波数ｆ１，ｆ２の高周波電
力を１つの電極に導入する場合、まず高周波ｆ１の電源
１５０ａから見て負荷となるのは、真空処理を行う反応
容器１４０はもちろんであるが、さらに周波数ｆ２用の
マッチングボックス１５１ｂも負荷とみなされる。同様
のことが高周波ｆ２の電源１５０ｂにも言える。図１に
示す構成では、このように各々の電源１５０ａ，１５０
ｂから見て負荷が並列につながっており、かつその負荷
のうちの１つが共有するような複雑な伝送系になってい
る。このような系において、各々の高周波電力の入射電
力に対する反射電力の比率を０％近傍に調整でき且つ反
応容器１４０側に各々の高周波電力（ｆ１，ｆ２）の大
部分を供給できる整合条件は、単独の周波数で真空処理
を行う場合に比べ、例えば反応容器１４０のインピーダ
ンスの変化に対して極めて敏感と考えられる。

【００６１】そのため、例えば負荷側に僅かな変動が発
生した場合、そのインピーダンスの変化により、上記の
ような整合条件が容易に崩れてしまうと考えられる。こ
の場合、負荷の変動の原因としては、１つは反応容器１
４０のインピーダンスの変化が挙げられる。反応容器１
４０のインピーダンスの変化は、反応容器１４０を構成
する部材の温度が真空処理により変化して、それ自身の
形状が変化すること、または他の部材との相対的な位置
関係が変化することにより起こってしまう。さらに、真
空処理として堆積膜の形成を行った場合には、さらに部
材表面に堆積する堆積膜により部材の表面抵抗や容量等
が変化し、よりインピーダンスの変化が大きくなると考
えられる。

【００６２】このように、２つの異なる周波数の電力を
同一の電極に供給して真空処理を行う場合、反射電力を
入射電力に対して０％近傍に維持したまま真空処理を安
定して行うことは、生産性等の観点からやや難がある。
例えばオートマッチィング機構により反射電力を０％近
傍に維持したまま真空処理を維持することは可能となる
が、現状では、反射電力の変化をある程度検知して初め
てオートマッチィング回路が作動し、反射電力を０％近
傍に調整するため、安定して上記の整合条件を維持して
いるとは言い難い。

【００６３】よって、本発明のように入射電力に対して
反射電力を５％以上にすることで、反応容器のインピー
ダンスの僅かな変化に対し、伝送経路、更に反応容器を
含めた系が鈍感となり、その結果、真空処理の安定性、
再現性が向上するものと考えられる。

【００６４】以上のような現象は、供給する２つの入射
電力を変化させたり、真空処理の条件や、真空処理容器
に形状を変化させて負荷側のインピーダンスを変化させ
ても、同様に発生した。

【００６５】一方、入射電力に対する反射電力の比率を
３０％より大きくした場合、逆に真空処理の再現性、安
定性が充分に達成できない場合があることが判った。こ
れは、反射電力が大きいために伝送経路上で消費される
電力が大きくなり、反応容器１４０で実質的に消費され
る電力が正確に制御でき難くなるためと考えられる。

【００６６】本発明において、反応容器１４０の真空処
理空間内への高周波電力の供給は、同一電極から行う必
要がある。各々異なった周波数の高周波電力を各々別の
電極から供給した場合、電極上では電極ごとに供給高周
波電力の周波数に依存した波長の定在波が生じてしま
う。この結果、電極近傍のプラズマ特性は、この定在波
に応じた分布形状をもってしまい、生成活性種の種類・
比率や、電極に入射するイオンのエネルギーが位置によ
って異なってしまうため、電極近傍上に付着する膜の構
造が位置に依存して異なってしまう。このため、膜構造
そのもの、あるいは、近傍膜との内部応力の違いに起因
して、電極近傍上では付着膜が剥れやすい部分が生じて
しまい、剥れた膜が被処理物上に付着して欠陥を生じや
すくなってしまう。

【００６７】本発明では、このような問題を回避するた
めに、周波数の異なる複数の高周波電力を同一電極に供
給する。このようにすることにより、電極近傍上におい
ても定在波は抑制され、上述したような問題が効果的に
抑制される。

【００６８】本発明において、カソード電極には周波数
の異なる複数の高周波電力を供給することが必要である
が、カソード電極に供給する高周波電力は２つであれば
充分に効果が得られる。異なる周波数の複数の高周波電
力を供給することにより、単独の周波数の高周波電力で
真空処理を行う場合に発生する、定在波による電力の強
弱が原因と考えられる真空処理の不均一性が抑制され
る。

【００６９】本発明において、複数の高周波電力の関
係、即ち、周波数ならびに電力比率は実際に真空処理特
性の均一性を確認しながら決定すればよいが、それぞれ
の高周波電力の周波数の差があまりにも小さいと実質的
に同一周波数の高周波電力を印加した場合と同等となっ
てしまい定在波の抑制効果が得られなくなってしまう。
また、その差が大きすぎると、周波数が小さい方の高周
波電力の高周波電界定在波の波長が、周波数が大きい方
の高周波電力の高周波電界定在波の波長に対してあまり
にも大きすぎて、これもまた十分な定在波抑制効果が得
られない。

【００７０】本発明においては、カソード電極に供給す
る複数の高周波波電力は、周波数が１０ＭＨｚ以上２５
０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２つ含むことが
本発明の効果を得る上で好ましい。

【００７１】上記周波数が１０ＭＨｚより低くなると、
高速な処理速度を得ることが困難になる。より好ましく
は３０ＭＨｚ以上とすることが堆積速度の点で好まし
い。

【００７２】一方、周波数が２５０ＭＨｚよりも高くな
ると、高周波電力の進行方向への減衰が顕著となって、
周波数の異なる高周波電力との減衰率のずれが顕著とな
ってしまい、十分な均一化効果が得られなくなってしま
う。よって２５０ＭＨｚ以下にすることで重畳効果が有
効に得られるため、好ましい。

【００７３】また、カソード電極に供給する高周波電力
の電力比率に関しては、上記周波数の２つの高周波電力
を供給する場合、高周波電力が有する電力値の中で最も
大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力に
ついて、そのうち周波数の高い方の高周波電力の周波数
と電力値をそれぞれｆ１，Ｐ１とし、周波数の低い方の
高周波電力の周波数と電力値をそれぞれｆ２、Ｐ２とし
たとき、前記周波数ｆ１，ｆ２および前記電力値Ｐ１，
Ｐ２が、（ａ）ｆ２＜ｆ１（ｂ）０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９の２つの条件（ａ）および（ｂ）を満たすことが、本発
明の効果を得る上で好ましい。

【００７４】Ｐ２が電力の総和に対してこの範囲よりも
小さいと、高周波電界はＰ１に起因する成分が支配的と
なってしまい定在波抑制効果がみられない。一方、Ｐ２
を大きくするに従って、Ｐ２が反応容器１４０中での原
料ガス分解に及ぼす影響が高まり、Ｐ２を単独で用いた
場合に近くなり、定在波抑制効果が小さくなる。したが
って、少なくとも一方の高周波電力の値を、２つの合計
電力に対して１０％以上にすることが定在波抑制効果を
確実に得る上で必要である。

【００７５】以上のように２つの高周波電力を組み合わ
せた場合に本発明の効果は十分に得られるが、さらに第
３の高周波電力を組み合わせることも可能である。第３
の高周波電力の範囲としては、第１、第２の高周波電力
が適切な範囲に設定されている限りにおいては特に制限
はないが、以下のようにすることができる。

【００７６】第３の高周波電力（電力値Ｐ３，周波数ｆ
３）が、１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲にある
場合には、第１の高周波電力（電力値Ｐ１，周波数ｆ
１）、第２の高周波電力（電力値Ｐ２，周波数ｆ２）を
組合わせた場合と同様のメカニズムが期待できる。この
とき、電力値Ｐ１〜Ｐ３の中で、電力値が最も大きいも
のをＰ１、その次に大きいものをＰ２と再定義すれば、
第３の高周波電力の電力値Ｐ３は電力値が最も低いもの
になる。この場合には、第３の高周波電力によるマッチ
ング不整合が起こりにくく、かつ第３の高周波電力によ
る定在波抑制効果が加わるため、第１および第２の高周
波電力を組合わせた場合よりもさらに「むら」が抑制さ
れる場合があり、好ましい。

【００７７】一方、例えば真空処理中のバイアス効果を
高めるために、本発明の範囲外、例えば数十ｋＨｚ〜数
百ｋＨｚ程度の周波数の高周波電力を同時に供給しても
よい。このように更なる電力を供給する場合には、その
電力を加えることで真空処理特性の均一性が損なわれな
い程度の電力とする必要がある。

【００７８】本発明は、前述したアモルファスシリコン
やアモルファスシリコンカーバイド以外の薄膜の作成
や、ポリシリコン等のエッチング、表面酸化又は表面窒
化等の表面改質等にも使用することが可能である。例え
ば、本発明の方法をエッチングに適用した場合、均一な
プラズマによって均一なエッチング処理が進行するの
で、下地材料を削ったり被エッチング材が残ってしまう
ことのない良質なエッチングが再現性良く可能となる。

【００７９】さらに、本発明の構成は、電子写真感光体
ならびにその製造の場合により効果的である。電子写真
感光体は、比較的厚膜のため、長時間堆積膜形成を行う
必要があり、かつ大面積の基体への堆積膜形成が必要で
ある。そして、その全領域にわたって構造欠陥が存在し
ない必要ある。そのため本発明によれば、基体上に膜
厚、膜質共に均一で良好な特性の体積膜を安定して得る
ことができるためデバイス特性の向上ならびに生産性の
向上にともなうコスト低減の上できわめて効果的であ
る。

【００８０】また、本発明の構成は、電子写真感光体の
みならず光起電力素子用のような大型の基体に対して大
きな効果を発揮するが、基体が大きくなくても、カソー
ド電極の大きさに対して相対的に短い波長の高周波を使
用する場合には大きな効果を発揮する。

【００８１】また、本発明の構成において、少なくも２
つの異なる周波数の高周波は、１つのシールドボックス
内に各々の整合回路が設けられた高周波整合器を介して
反応容器に供給されることが好ましい。これは、整合回
路を図１の様に各周波数電源１５０ａ，１５０ｂに対し
て各々個別に設ける構成とするよりも、図２に示すよう
に１つのシールドボックス２５２内に設ける構成とした
方が、整合回路から負荷までの距離を短くでき、伝送系
の電力ロスを低減できるためである。複数の周波数の高
周波電力を用い、これらを１つの電源に供給する場合、
前述のように、１つの電源から見た場合に反応容器とも
う一方の電源の整合回路とが負荷となるため、図２に示
す構成とすることにより、反応容器までの伝送経路を短
くできる効果と、さらにもう一方の電源の整合回路まで
の伝送経路を短くできる効果とが得られ、これらの相乗
効果により、伝送経路内の電力ロスによる真空処理の不
安定性が大幅に改善できるためと考えられる。この効果
は特に、真空処理に使用する電源の周波数が比較的高周
波の場合に、より顕著となる。

【００８２】

【実施例】以下、本発明の真空処理方法について実施例
により更に詳細に説明する。ただし、本発明の範囲は、
これらの実施例により何ら限定されるものではない。

【００８３】まず、本発明により得られる効果を検証す
るために行った、実験例１および実験例２について説明
する。

【００８４】＜実験例１＞本実験例では、図４に示した
構成の電子写真用光受容部材形成装置に図１に示した構
成の高周波電源および高周波整合器を適用させ、長さ３
５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施した基体と
してのＡｌ製シリンダーを反応容器内に配置し、以下の
手順で実験を行った。

【００８５】反応容器内に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ
（ｎｏｒｍａｌ）のＳｉＨ₄を供給し、反応容器内の圧
力を１．１Ｐａとした。また、高周波電源から、発振周
波数が１００ＭＨｚ（ｆ１）で電力が１０００Ｗ（Ｐ
１）の高周波電力と、発振周波数が５０ＭＨｚ（ｆ２）
で電力が１０００Ｗ（Ｐ２）の高周波電力との２種類の
高周波電力をカソード電極に供給し、反応容器内にプラ
ズマを生起させた。そして、それぞれの反射電力を変化
させて、各条件で３時間連続放電させた。各々の条件下
で反射電力が１０Ｗ変化した場合に高周波整合器を調整
して反射電力を所定の値に戻し、３時間連続放電させ
た。そして、連続放電終了後に上記の高周波整合器の調
整回数を比較した。なお、各条件で実験を行うにあた
り、反応容器内に堆積している堆積膜はクリーニング手
段により除去した。

【００８６】以上のような実験を各条件ごとに５回行
い、５回の高周波整合回路の調整回数の平均値、５回の
高周波整合回路の調整回数のばらつき（最大調整回数と
最小調整回数との差）を算出した。

【００８７】これにより得られた結果を表１に示す。な
お、表１においては、入射電力に対する反射電力の比率
がｆ１，ｆ２共に略０％で得られた結果を基準とした相
対評価で示している。

【００８８】表１から明らかなように、本発明のように
入射電力に対する反射電力の比率を５％〜３０％の範囲
に設定することで、真空処理中の反射電力の変動を抑制
可能であることが判る。また、変動の再現性も向上する
ことが判る。

【００８９】

【表１】＜実験例２＞本実験例では、高周波電力の発振周波数
（ｆ１，ｆ２）を変化させ、それぞれの発振周波数条件
で入射電力に対する反射電力の比率を略０％と９％とし
た以外は、実験例１と同様に実験およびその評価を行っ
た。

【００９０】入射電力に対する反射電力の比率を９％と
したときに得られた結果を、表２に示す。なお、表２に
おいては、各周波数条件下で入射電力に対する反射電力
の比率がｆ１，ｆ２共に略０％で得られた結果を基準と
した相対評価で示している。

【００９１】表２から明らかなように、本発明のように
入射電力に対する反射電力の比率を５％〜３０％の範囲
に設定することで、高周波電力の発振周波数を変化させ
ても真空処理中の反射電力の変動を抑制可能であること
が判る。また、変動の再現性も向上することが判る。

【００９２】

【表２】次に、本発明の実施例について説明する。

【００９３】（実施例１）本実施例では、図４に示した
構成の電子写真用光受容部材形成装置に図１に示した構
成の高周波電源および高周波整合器を適用させ、長さ３
５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状
基体としてのＡｌ製シリンダー上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を
主とする電子写真用光受容部材を作製した。電子写真用
光受容部材の形成条件としては、以下の表３に示す条件
を用いた。

【００９４】

【表３】本実施例においては、発振周波数が１００ＭＨｚ（ｆ
１）の高周波電力と、発振周波数が５０ＭＨｚ（ｆ２）
の高周波電力との２種類の高周波電力をカソード電極に
供給した。また、周波数ｆ１の高周波電力の入射電力を
Ｐｆ１、反射電力をＰｒ１、電力をＰ１（Ｐｆ１−Ｐｒ
１）とし、周波数ｆ２の高周波電力の入射電力をＰｆ
２、反射電力をＰｒ２、電力をＰ２（Ｐｆ２−Ｐｒ２）
としたとき、光導電層では２つの高周波電力の総和（Ｐ
１＋Ｐ２）および２つの高周波電力の電力比率（Ｐ２／
（Ｐ１＋Ｐ２））を一定とし、各高周波電力の入射電力
に対する反射電力の比率を５〜４０％まで変化させて、
電子写真用光受容部材を作成した。

【００９５】これに対し、比較例１として、各周波数の
高周波電力の入射電力に対する反射電力の比率を略０％
とした以外は実施例１と同様に電子写真用光受容部材を
作成した。

【００９６】また、比較例２として、周波数ｆ１の高周
波電力の入射電力に対する反射電力の比率を略０％、周
波数ｆ２の高周波電力の入射電力に対する反射電力の比
率を１０％とした以外は実施例１と同様に電子写真用光
受容部材を作成した。

【００９７】なお、電子写真用光受容部材は、実施例
１、比較例１、比較例２ともに、それぞれ連続して１ロ
ット分の１０個を作成した。

【００９８】作製した電子写真用光受容部材を本テスト
用に改造したキヤノン製複写機ＧＰ−６０５に設置し
て、「感度」および「感度のロット再現性」に関して以
下の方法で評価した。

【００９９】「感度」プロセススピード３００ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長６８０ｎｍのＬＥＤ）、光量４ｌｘ
・ｓ、像露光（波長６６０ｎｍのレーザー）をＯＦＦに
した条件で、電子写真装置の帯電器位置にセットした表
面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサ
ーにより電子写真用光受容部材の表面電位が４００Ｖに
なるように帯電器の電流を調整する。その後、像露光を
照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が５０
Ｖとなるようにし、そのときの露光量を測定する。測定
は、電子写真用光受容部材の軸方向に２０ｍｍ間隔で行
い、各点での平均を算出したものを感度とした。

【０１００】「感度のロット再現性」上述の感度に関
し、１ロット分の１０個の光受容部材についてそれぞれ
測定し、その最大値と最小値との差をもって、感度のロ
ット再現性とした。

【０１０１】得られた結果を表４に示す。なお、表４に
おいては、比較例１で得られた結果を基準とした相対評
価で示している。

【０１０２】

【表４】（実施例２）表４から明らかなように、本発明のように
各高周波電力の入射電力に対する反射電力の比率を５％
以上の範囲に設定して真空処理を行うことで真空処理の
再現性が向上し、入射電力に対する反射電力の比率を５
％〜３０％の範囲に設定することで安定性がより向上
し、さらに真空処理特性も向上することが判った。これ
は、真空処理が安定したことにより、真空処理特性が向
上したものと考えられる。

【０１０３】（実施例２）本実施例では、図４に示した
構成の電子写真用光受容部材形成装置に図２に示した構
成の高周波電源および高周波整合器を適用させ、各高周
波電力の入射電力に対する反射電力の比率を９％とした
以外は実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作製し
た。本実施例において、電子写真用光受容部材を連続し
て１０個作成した。

【０１０４】作製した電子写真用光受容部材を本テスト
用に改造したキヤノン製複写機ＧＰ−６０５に設置し
て、「感度」および「感度のロット再現性」に関して上
記と同じ方法で評価した。

【０１０５】得られた結果を表４に示す。なお、表４に
おいては、比較例１で得られた結果を基準とした相対評
価で示している。

【０１０６】表４から、本実施例によれば、実施例１に
ついて説明したように真空処理特性が向上することに加
えて、異なる周波数の高周波電力を、１つのシールドボ
ックス内に各々の高周波電力用の整合回路が設けられた
高周波整合器を介して反応容器内に供給することが、感
度のロット再現性の点でより好ましいことが判った。

【０１０７】（実施例３）本実験例では、図５に示した
構成の電子写真用光受容部材形成装置に図２に示した構
成の高周波電源および高周波整合器を適用させ、長さ３
５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施した基体と
してのＡｌ製シリンダー上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を主とす
る電子写真用光受容部材を作製した。電子写真用光受容
部材の形成方法は、前述の図４に示した装置を用いた場
合と同様である。電子写真用光受容部材の形成条件とし
ては、表５に示す条件を用いた。

【０１０８】

【表５】本実施例においては、発振周波数が１００ＭＨｚ（ｆ
１）の高周波電力と、発振周波数が６０ＭＨｚ（ｆ２）
の高周波電力との２種類の高周波電力をカソード電極に
供給した。また、周波数ｆ１の高周波電力の入射電力を
Ｐｆ１、反射電力をＰｒ１、電力をＰ１（Ｐｆ１−Ｐｒ
１）とし、周波数ｆ２の高周波電力の入射電力をＰｆ
２、反射電力をＰｒ２、電力をＰ２（Ｐｆ２−Ｐｒ２）
としたとき、光導電層では２つの高周波電力の総和（Ｐ
１＋Ｐ２）および２つの高周波電力の電力比率（Ｐ２／
（Ｐ１＋Ｐ２））を一定とし、各高周波電力の入射電力
に対する反射電力の比率を各々１０％として電子写真用
光受容部材を作成した。

【０１０９】これに対し、比較例３として、各高周波電
力の入射電力に対する反射電力の比率を略０％とした以
外は実施例３と同様に電子写真用光受容部材を作成し
た。

【０１１０】このようにして作製した感光体を、本テス
ト用に改造したキヤノン製複写機ＧP−２１５に設置し
て、以下の方法で「感度」および「８本むら」について
の特性評価を行なった。

【０１１１】「感度」および「８本むら」プロセススピード２００ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６
８０ｎｍのＬＥＤ）光量４ｌｘ・ｓ、像露光（波長６６
０ｎｍのレーザー）をＯＦＦにした条件で、電子写真装
置の帯電器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍ
ｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより電子写真用光受
容部材の表面電位が４００Ｖになるように帯電器の電流
を調整する。その後、像露光を照射し、像露光光源の光
量を調整して、表面電位が５０Ｖとなるようにし、その
ときの露光量を測定する。測定は電子写真用光受容部材
の軸方向に２０ｍｍ間隔で行い、各点での平均を算出し
た。これを１ロット分の８本の光受容部材の全てについ
て行い、その平均をもって「感度」とした。また、８本
の光受容部材の感度の最大値と最小値との差を持って
「８本むら」とした。

【０１１２】得られた結果を表６に示す。なお、表６に
おいては、比較例３で得られた結果を基準とした相対評
価で示した。

【０１１３】表６から明らかなように、本発明のように
各高周波電力の入射電力に対する反射電力の比率を５〜
３０％の範囲に設定して真空処理を行うことで、真空処
理の安定性が向上し、さらに真空処理特性も向上するこ
とが判った。

【０１１４】

【表６】（実施例４）本実施例では、図４に示した構成の電子写
真用光受容部材形成装置に図１に示した構成の高周波電
源および高周波整合器を適用させ、長さ３５８ｍｍ、外
径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状基体としての
Ａｌ製シリンダー上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を主とする電子
写真用光受容部材を作製した。

【０１１５】本実施例においては、互いに異なる周波数
（ｆ１，ｆ２）の高周波電力の発振周波数として、周波
数ｆ１は１０５ＭＨｚに固定し、周波数ｆ２を３０ＭＨ
ｚ、、４０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、７０ＭＨ
ｚと変化させて、電子写真用光受容部材をそれぞれ作製
した。また、各高周波電力の入射電力に対する反射電力
の比率は共に９％に固定した。それ以外は実施例１と同
様の条件で電子写真用光受容部材を作製し、実施例１と
同様の評価を行った。その結果、各条件とも実施例１と
同様に良好な真空処理特性が得られ、かつ良好な真空処
理の再現性が得られた。

【０１１６】（実施例５）本実施例では、図４に示した
構成の電子写真用光受容部材形成装置に図１に示した構
成の高周波電源および高周波整合器を適用させ、長さ３
５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状
基体としてのＡｌ製シリンダー上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を
主とする電子写真用光受容部材を作製した。

【０１１７】本実施例においては、周波数ｆ１の高周波
電力の電力値Ｐ１と周波数ｆ２の高周波電力の電力値Ｐ
２との電力総和（Ｐ１＋Ｐ２）に対する電力値Ｐ２の電
力比率（Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２））を、０．１，０．３，
０．５，０．７，０．９と変化させて電子写真用光受容
部材をそれぞれ作製した。周波数ｆ１は１０５ＭＨｚと
し、周波数ｆ２は６０ＭＨｚとした。また、各高周波電
力の入射電力に対する反射電力の比率は共に９％とし
た。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真用光受
容部材を作製し、実施例１と同様の評価を行った。その
結果、各条件とも実施例１と同様に良好な真空処理特性
が得られ、かつ良好な真空処理の再現性が得られた。

【０１１８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空処理
方法は、高周波電極から反応容器内に導入する各高周波
電力の入射電力に対する反射電力の比率を所定の範囲内
に設定するので、高い真空処理速度を維持しながら、真
空処理特性を向上させ、真空処理特性を再現性良く安定
して達成し、真空処理コストの低減化を実現することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に適用される高周波電源および高周波整
合器の一構成例を示す図である。

【図２】本発明に適用される高周波電源および高周波整
合器の他の構成例を示す図である。

【図３】電子写真感光体の形成装置の一例を示す模式的
な構成図である。

【図４】電子写真感光体の形成装置の他の例を示す模式
的な構成図である。

【図５】電子写真感光体の形成装置のさらに他の例を示
す模式的な構成図である。

【符号の説明】

１４０，２４０反応容器１５０ａ，１５０ｂ，２５０ａ，２５０ｂ高周波電
源１５１ａ，１５１ｂ，２５２整合器１５３ａ，１５３ｂ，２５３ａ，２５３ｂフィルタ
ー３０１，４０１，５０１堆積装置３０２，４０２，５０２原料ガス供給装置３０５，４０８，５０８碍子３０６蓋３０７，４０７，５０７高周波シールド３１０，４１０，５１０円筒状基体３１２，４１２，５１２基体ホルダー３１５，４１５，５１５原料ガス導入管３１６，４１６，５１６基体加熱用ヒーター３２６補助バルブ３２７ガス配管３２８，５２０駆動装置３３０，４３０，５３０排気装置３３１メインバルブ３４０，４４０，５４０反応容器３４２真空計３５０ＲＦ電源３５１高周波マッチングボックス４０４，５０４反応壁４０５，５０５下部プレート４０６上蓋４１１，５１１カソード電極４５０，５５０高周波電源４５１，５５１マッチングボックス４２８モータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青木誠東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者新納博明東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 DA00 EA24 EA36 4K030 AA06 AA10 AA17 AA24 BA30 BA31 CA02 CA16 FA03 JA16 JA18 KA30 LA17 5F045 AA08 AB04 AB06 AC01 AD06 AE15 AF10 BB08 CA13 CA16 DP25 EH19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器中に被処理物を設置し、互いに
異なる周波数を有する複数の高周波電力を同一の高周波
電極に同時に供給することにより、該高周波電極から前
記反応容器内に導入された高周波電力によって前記反応
容器内にプラズマを生起させて前記被処理物を処理する
真空処理方法において、前記複数の高周波電力のうちの少なくとも１つの高周波
電力の入射電力に対する反射電力の比率を所定の範囲内
に設定することを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】前記少なくとも１つの高周波電力の入射
電力に対する反射電力の比率を５〜３０％の範囲内に設
定する、請求項１に記載の真空処理方法。
【請求項３】前記複数の高周波電力は周波数が１０Ｍ
Ｈｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２
つ含み、該周波数範囲内にある高周波電力が有する電力
値の中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する
高周波電力について、そのうち周波数の高い方の高周波
電力の周波数と電力値をそれぞれｆ１，Ｐ１とし、周波
数の低い方の高周波電力の周波数と電力値をそれぞれｆ
２，Ｐ２としたとき、前記周波数ｆ１，ｆ２および前記
電力値Ｐ１，Ｐ２が、（ａ）ｆ２＜ｆ１（ｂ）０．１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０．９の２つの条件（ａ）および（ｂ）を満たす、請求項１ま
たは２に記載の真空処理方法。
【請求項４】前記複数の高周波電力を、１つのシール
ドボックス内に各々の前記高周波電力用の整合回路が設
けられた高周波整合器を介して前記反応容器内に導入す
る、請求項１から３のいずれか１項に記載の真空処理方
法。