JP2002080971A - 真空処理装置、真空処理方法及び基体ホルダー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】真空処理特性の均一性および製品品質を向上さ
せることができ、良品率の向上によって生産コストの低
下を図ることが可能な真空処理装置、真空処理方法及び
基体ホルダーを提供する。 【解決手段】高周波電力によって生起されたプラズマを
用いて基体上に真空処理装置、真空処理方法及び基体ホ
ルダーにおいて、ホルダー上、または該ホルダー及び該
ホルダーに載置された基体上に生じる高周波電界定在波
の定在波比を小さくするための定在波抑制手段を構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置、真空
処理方法及び基体ホルダーに関し、例えば、高周波電力
によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成、エッ
チング等、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入
力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス
等の形成に用いる真空処理装置、真空処理方法及び基体
ホルダーに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子等の形成に用いる真空処理方法として、プラズマＣＶ
Ｄ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法
等、高周波電力によって生起されたプラズマを用いた方
法が多数知られており、そのための装置も実用に付され
ている。例えばプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を高周波グロー放電により分解し、基板上に薄膜状の堆
積膜を形成する方法は好適な堆積膜形成手段として実用
化されており、例えば電子写真用水素化アモルファスシ
リコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）堆積膜の
形成等に利用され、そのための装置も各種提案されてい
る。

【０００３】このような堆積膜の形成装置及び形成方法
は、概略以下のようなものである。図２は電源としてＲ
Ｆ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法（以後「Ｒ
Ｆ−ＰＣＶＤ」と略記する）による堆積膜形成装置、具
体的には電子写真用光受容部材の形成装置の一例を示す
模式的な構成図である。図２に示す形成装置の構成は以
下の通りである。この装置は大別すると、堆積装置２１
００、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１０１
内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成さ
れている。堆積装置２１００中の反応容器２１０１内に
は円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーターを内蔵した
基体支持体２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置さ
れ、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器
２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続
されている。カソード電極２１１１は碍子２１２０によ
りアース電位と絶縁され、基体支持体２１１３を通して
アース電位に維持されアノード電極を兼ねた円筒状基体
２１１２との間に高周波電圧が印加可能となっている。
原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄、ＧｅＨ₄、
Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガスのボンベ２２
２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６，２２４１
〜２２４６，２２５１〜２２５６およびマスフローコン
トローラー２２１１〜２２１６から構成され、各原料ガ
スのボンベはバルブ２２６０介して反応容器２１０１内
のガス導入管２１１４に接続されている。

【０００４】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器２１
０１内に円筒状基体２１１２を設置し、不図示の排気装
置（例えば真空ポンプ）により反応容器２１０１内を排
気する。続いて、基体支持体２１１３に内蔵された基体
加熱用ヒーターにより円筒状基体２１１２の温度を２０
０℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。堆積膜形成
用の原料ガスを反応容器２１０１に流入させるには、ガ
スボンベのバルブ２２３１〜２２３７、反応容器のリー
クバルブ２１１７が閉じられていることを確認し、叉、
流入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜
２２５６、補助バルブ２２６０が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ２１１８を開いて反応容器２
１０１およびガス配管内２１１６を排気する。

【０００５】次に、真空計２１１９の読みが約１×１０
^-3Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。その後、ガスボンベ２２
２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３６
を開いて導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により
各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ ²に調整する。次に、流入バル
ブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフ
ローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。

【０００６】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状基体２１１
２が所定の温度になったところで流出バルブ２２５１〜
２２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ２２６０
を徐々に開き、ガスボンベ２２２１〜２２２６から所定
のガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１０１
内に導入する。次にマスフローコントローラー２２１１
〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、反応容器２１０１内の圧力が所定
の値になるように真空計２１１９を見ながらメインバル
ブ２１１８の開口を調整する。内圧が安定したところ
で、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所
望の電力に設定して、高周波マッチングボックス２１１
５、カソード２１１１を通じて反応容器２１０１内にＲ
Ｆ電力を導入し、円筒状基体２１１２をアノードとして
作用させてグロー放電を生起させる。この放電エネルギ
ーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解さ
れ、円筒状基体２１１２上に所定のシリコンを主成分と
する堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形
成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを
閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を
終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所
望の多層構造の光受容層が形成される。

【０００７】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１０１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。膜形成
の均一化を図るために、層形成を行なっている間は、円
筒状基体２１１２を駆動装置（不図示）によって所定の
速度で回転させることも有効である。さらに、上述のガ
ス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがっ
て変更が加えられることは言うまでもない。

【０００８】このような、上記従来のＲＦ帯の周波数を
用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置、形
成方法に加え、更には近年、ＶＨＦ帯の高周波電力を用
いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」
と略記する）法が注目を浴びており、これを用いた各種
堆積膜形成の開発も積極的に進められている。これはＶ
ＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な
堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を
同時に達成し得るものと期待されるためである。例え
ば、特開平６−２８７７６０号公報には、ａ−Ｓｉ系電
子写真用光受容部材形成に用いうる装置及び方法が開示
されている。また、複数の電子写真用光受容部材を同時
に形成でき、生産性の極めて高い図３に示すような堆積
膜形成装置の開発も進められている。

【０００９】図３（ａ）は、上記ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置の概略断面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。反応
容器３０１の側面には排気管３１１が一体的に形成さ
れ、排気管３１１の他端は不図示の排気装置に接続され
ている。反応容器３０１の中心部を取り囲むように、堆
積膜の形成される６本の円筒状基体３０５が互いに平行
になるように配置されている。各円筒状基体３０５は回
転軸３０８によって保持され、発熱体３０７によって加
熱されるようになっている。モータ３０９を駆動する
と、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転し、円
筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを自転す
るようになっている。反応容器３０１内には原料ガスが
原料ガス供給手段３１２より供給される。ＶＨＦ電力は
ＶＨＦ電源３０３よりマッチングボックス３０４を経て
カソード電極３０２より反応容器３０１内に供給され
る。この際、回転軸３０８を通してアース電位に維持さ
れた円筒状基体３０５がアノード電極として作用する。

【００１０】このような装置を用いた堆積膜形成は概略
以下のような手順により行なうことができる。まず、反
応容器３０１内に円筒状基体３０５を設置し、不図示の
排気装置により排気管３１１を通して反応容器３０１内
を排気する。続いて、発熱体３０７により円筒状基体３
０５を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制
御する。円筒状基体３０５が所定の温度となったところ
で、原料ガス供給手段３１２を介して、原料ガスを反応
容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量と
なり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したのを確
認した後、高周波電源３０３よりマッチングボックス３
０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電力を
供給する。これにより、反応容器３０１内にＶＨＦ電力
が導入され、反応容器３０１内にグロー放電が生起し、
原料ガスは励起解離して円筒状基体３０５上に堆積膜が
形成される。所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＶＨＦ
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。堆
積膜形成中、回転軸３０８を介して円筒状基体３０５を
モータ３０９により所定の速度で回転させることによ
り、円筒状基体表面全周に渡って均一な堆積膜が形成さ
れる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法及び装
置により、良好な堆積膜形成、即ち真空処理がなされ
る。しかしながら、このような真空処理方法、真空処理
装置を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高ま
っており、この要求に応えるべく、より高品質の製品が
低コストで生産可能な真空処理方法、真空処理装置が求
められるようになっている。例えば、プラズマＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ装置を用いた電子写真用感光体形成
の場合、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置
やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみなら
ず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁になされる
ため、コピー画像の濃度むら低減に対する要求レベルは
非常に高まっており、これに対応可能な電子写真装置の
提供が急務となっている。

【００１２】このようなコピー画像の濃度むら低減へ向
けての技術的検討は、さまざまな面からなされている
が、その中でも電子写真用感光体特性の均一性向上は不
可避の課題であり、その課題解決のため、真空処理特性
の均一性向上が実現可能な電子写真用感光体形成装置、
電子写真用感光体形成方法の実現が強く求められてい
る。また、このような真空処理特性の均一性向上に対す
る要求は、上述した電子写真用感光体のように、製品個
々が大面積である場合に限ったものではなく、製品個々
の面積が比較的小さい場合においても、例えば生産コス
トの低減といった観点からも強く求められている。これ
は、生産性向上のため複数の被処理物を同時に真空処理
する場合、真空処理特性の不均一性によって、同一ロッ
ト内でも被処理物ごとに処理特性が異なってしまい、要
求レベルの処理特性が得られない被処理物が生じてしま
う結果、生産時の良品率を低下させてしまうためであ
る。以上のように、真空処理特性の均一性向上が可能な
真空処理装置、真空処理方法は、製品の特性向上のみな
らず、生産コストの低減といった観点からも強く求めら
れている。

【００１３】そこで、本発明は、上記課題を解決し、真
空処理特性の均一性および製品品質を向上させることが
でき、良品率の向上によって生産コストの低下を図るこ
とが可能な真空処理装置、真空処理方法及び基体ホルダ
ーを提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、つぎの（１）〜（４７）のように構成し
た真空処理装置、真空処理方法及び基体ホルダーを提供
するものである。 （１）減圧可能な反応容器と、該反応容器中に基体を載
置するための少なくとも一部が導電性材料で構成された
ホルダーを備え、高周波電力によって生起されたプラズ
マによって、該ホルダーに載置された基体上に真空処理
を施す真空処理装置において、前記ホルダー上、または
該ホルダー及び該ホルダーに載置された基体上に生じる
高周波電界定在波の定在波比を小さくするための定在波
抑制手段を有することを特徴とする真空処理装置。 （２）前記定在波抑制手段が、前記ホルダー上を伝播す
る高周波電界に対して実質的に反射部として作用する部
位を、前記ホルダーに少なくとも１つ設けて構成されて
いることを特徴とする上記（１）に記載の真空処理装
置。 （３）前記反射部として作用する部位が、前記ホルダー
の基体非設置部に設けられていることを特徴とする上記
（２）に記載の真空処理装置。 （４）前記反射部として作用する部位は、インピーダン
スが前記ホルダーの他の領域と異なるようにした構造を
有していることを特徴とする上記（２）（３）に記載の
真空処理装置。 （５）前記反射部として作用する部位の構造が、コンデ
ンサ構造であることを特徴とする上記（４）に記載の真
空処理装置。 （６）前記コンデンサ構造の反射部において、該反射部
を構成する材料が絶縁性材料であることを特徴とする上
記（５）に記載の真空処理装置。 （７）前記絶縁性材料が、アルミナ、窒化アルミナ、窒
化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、炭化ホウ素より選ばれ
る材料のうちの１つ、または２つ以上の材料で構成され
ていることを特徴とする上記（６）に記載の真空処理装
置。 （８）前記反射部として作用する部位の構造が、コイル
構造であることを特徴とする上記（４）に記載の真空処
理装置。 （９）前記コイル構造の反射部において、該反射部を構
成する材料が導電性材料、または他のホルダー領域と透
磁率が異なる磁性材料であることを特徴とする上記
（８）に記載の真空処理装置。 （１０）前記反射部として作用する部位の最表面材料が
前記ホルダーの他領域の最表面材料と異なる材料によっ
て構成されていることを特徴とする上記（４）に記載の
真空処理装置。 （１１）前記反射部として作用する部位の最表面材料が
絶縁性材料であることを特徴とする上記（１０）に記載
の真空処理装置。 （１２）前記反射部として作用する部位の最表面材料が
アルミナ、窒化アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化
珪素、炭化ホウ素より選ばれる材料のうちの１つ、また
は２つ以上の材料で構成されていることを特徴とする上
記（１１）に記載の真空処理装置。 （１３）前記反射部として作用する部位のうち、前記ホ
ルダーの端部から最も遠い部位と前記ホルダーの端部と
の最短距離をＲ（ｍ）とするとき、該最短距離Ｒ（ｍ）
が前記プラズマを生起させるための高周波電力の周波数
ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（２）〜（１２）のいずれかに記載の真空処理装
置。 （１４）前記定在波抑制手段が、前記ホルダーに前記高
周波電力とは異なる第２の周波数の高周波電力を供給す
る手段によって構成されていることを特徴とする上記
（１）に記載の真空処理装置。 （１５）前記第２の高周波電力の周波数をｆ２（Ｈｚ）
とするとき、該ｆ２（Ｈｚ）が前記プラズマを生起させ
るための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 ０．１≦｜ｆ−ｆ２｜／ｆ＜０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（１４）に記載の真空処理装置。 （１６）前記プラズマを生起させるための高周波電力と
前記第２の高周波電力とにおいて、これらの電力比率に
関して前記プラズマを生起させるための高周波電力の電
力をＰ、前記第２の高周波電力の電力をＰ２とすると
き、 ０．０１≦（Ｐ２／Ｐ）≦０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（１４）に記載の真空処理装置。 （１７）前記高周波電力は、周波数が５０ＭＨｚ以上、
４５０ＭＨｚ以下とされていることを特徴とする上記
（１）〜（１６）のいずれかに記載の真空処理装置。 （１８）前記基体は、筒状または柱状であることを特徴
とする上記（１）〜（１７）のいずれかに記載の真空処
理装置。 （１９）前記ホルダーにおいて、該ホルダーの端部間を
結ぶ線路のうち最も長いものの長さをＬ（ｍ）とすると
き、該ホルダーの長さＬ（ｍ）が前記プラズマを生起さ
せるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｌ＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（１）〜（１８）のいずれかに記載の真空処理装
置。 （２０）前記基体において、該基体の最長部の長さをｌ
（ｍ）とするとき、該基体の長さｌ（ｍ）が前記プラズ
マを生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に
対して、 ｌ＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（１）〜（１９）のいずれかに記載の真空処理装
置。 （２１）前記真空処理装置が、電子写真用感光体形成装
置であることを特徴とする上記（１）〜（２０）のいず
れかに記載の真空処理装置。 （２２）減圧可能な反応容器中に、少なくとも一部が導
電性材料で構成されたホルダー上に載置された基体を設
置し、高周波電力によって生起されたプラズマを用いて
該基体上に真空処理を施す真空処理方法において、前記
ホルダー上、または該ホルダー及び該基体上に生じる高
周波電界の定在波を抑制して、前記真空処理を施すこと
を特徴とする真空処理方法。 （２３）前記定在波を抑制するに際して、該ホルダー
に、ホルダー上を伝播する高周波電界に対して実質的に
反射部として作用する部位を少なくとも１つ設けた構成
のホルダーを用い、前記高周波電界定在波における定在
波比を小さくして、前記真空処理を施すことを特徴とす
る上記（２２）に記載の真空処理方法。 （２４）前記反射部として作用する部位が、前記ホルダ
ーの基体非設置部に設けられていることを特徴とする上
記（２３）に記載の真空処理方法。 （２５）前記反射部として作用する部位を、インピーダ
ンスが前記ホルダーの他の領域と異なるようにした構造
として、前記真空処理を施すことを特徴とする上記（２
３）または上記（２４）に記載の真空処理方法。 （２６）前記反射部として作用する部位の構造が、コン
デンサ構造であることを特徴とする上記（２５）に記載
の真空処理方法。 （２７）前記コンデンサ構造の反射部において、該反射
部を構成する材料が絶縁性材料であることを特徴とする
上記（２６）に記載の真空処理方法。 （２８）前記絶縁性材料が、アルミナ、窒化アルミナ、
窒化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、炭化ホウ素より選ば
れる材料のうちの１つ、または２つ以上の材料で構成さ
れていることを特徴とする上記（２７）に記載の真空処
理方法。 （２９）前記反射部として作用する部位の構造が、コイ
ル構造であることを特徴とする上記（２５）に記載の真
空処理方法。 （３０）前記コイル構造の反射部において、該反射部を
構成する材料が導電性材料、または他のホルダー領域と
透磁率が異なる磁性材料であることを特徴とする上記
（２９）に記載の真空処理方法。 （３１）前記反射部として作用する部位の最表面材料が
前記ホルダーの他領域の最表面材料と異なる材料によっ
て構成されていることを特徴とする上記（２５）に記載
の真空処理方法。 （３２）前記反射部として作用する部位の最表面材料が
絶縁性材料であることを特徴とする上記（３１）に記載
の真空処理方法。 （３３）前記反射部として作用する部位の最表面材料が
アルミナ、窒化アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化
珪素、炭化ホウ素より選ばれる材料のうちの１つ、また
は２つ以上の材料で構成されていることを特徴とする上
記（３２）に記載の真空処理方法。 （３４）前記反射部として作用する部位のうち、前記ホ
ルダーから最も遠い部位と前記ホルダーの端部との最短
距離をＲ（ｍ）とするとき、該最短距離Ｒ（ｍ）が前記
プラズマを生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈ
ｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（２３）〜（３３）のいずれかに記載の真空処理方
法。 （３５）前記定在波抑制手段が、前記ホルダーに前記高
周波電力とは異なる第２の周波数の高周波電力を供給す
る手段によって構成されていることを特徴とする上記
（２２）に記載の真空処理方法。 （３６）前記第２の高周波電力の周波数をｆ２（Ｈｚ）
とするとき、該ｆ２（Ｈｚ）が前記プラズマを生起させ
るための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 ０．１≦｜ｆ−ｆ２｜／ｆ＜０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（３５）に記載の真空処理方法。 （３７）前記プラズマを生起させるための高周波電力と
前記第２の高周波電力とにおいて、これらの電力比率に
関して前記プラズマを生起させるための高周波電力の電
力をＰ、前記第２の高周波電力の電力をＰ２とすると
き、 ０．０１≦（Ｐ２／Ｐ）≦０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（３５）に記載の真空処理方法。 （３８）前記高周波電力として、周波数が５０ＭＨｚ以
上、４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を用いることを特徴
とする上記（２２）〜（３７）のいずれかに記載の真空
処理方法。 （３９）前記基体は、筒状または柱状の基体を用いるこ
とを特徴とする上記（２２）〜（３８）のいずれかに記
載の真空処理方法。 （４０）前記ホルダーにおいて、該ホルダーの端部間を
結ぶ線路のうち最も長いものの長さをＬ（ｍ）とすると
き、該ホルダーの長さＬ（ｍ）が前記プラズマを生起さ
せるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｌ＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（２２）〜（３９）のいずれかに記載の真空処理方
法。 （４１）前記基体において、該基体の最長部の長さをｌ
（ｍ）とするとき、該基体の長さｌ（ｍ）が前記プラズ
マを生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に
対して、 ｌ＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（２２）〜（４０）のいずれかに記載の真空処理方
法。 （４２）前記真空処理装置が、電子写真用感光体形成装
置であることを特徴とする上記（２２）〜（４１）のい
ずれかに記載の真空処理方法。 （４３）減圧可能な反応容器中において高周波電力が供
給されプラズマ処理される基体に接して設けられる少な
くとも一部が導電性材料で構成されたホルダーにおい
て、該ホルダーは該基体上に生じる高周波電界の定在波
を抑制するための高周波反射部を有することを特徴とす
る基体ホルダー。 （４４）前記反射部として作用する部位の材料が前記ホ
ルダーの他領域の材料と異なる材料によって構成されて
いることを特徴とする上記（４４）に記載の基体ホルダ
ー。 （４５）前記反射部として作用する部位の表面材料が絶
縁性材料であることを特徴とする上記（４４）に記載の
基体ホルダー。 （４６）前記反射部として作用する部位の材料がアルミ
ナ、窒化アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、
炭化ホウ素より選ばれる材料のうちの１つ、または２つ
以上の材料で構成されていることを特徴とする上記（４
４）または上記（４５）のいずれかに記載の基体ホルダ
ー。 （４７）前記反射部として作用する部位のうち、前記ホ
ルダーの端部から最も遠い部位と前記ホルダーの端部と
の最短距離をＲ（ｍ）とするとき、該最短距離Ｒ（ｍ）
が前記プラズマを生起させるための高周波電力の周波数
ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
上記（４３）〜（４６）のいずれかに記載の基体ホルダ
ー。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明者らは上記課題を達成すべ
く鋭意検討を行った結果、基体を載置するホルダー上、
またはホルダー及び基体上に生じる高周波電界の定在波
が、処理特性の不均一性を生じる原因となっていること
を見出した。そしてその解決手段として、ホルダー上、
またはホルダー及び基体上に生じる高周波電界定在波の
定在波比を小さくするための手段を構成することによっ
て、ホルダー上、またはホルダー及び基体上の高周波電
界定在波を抑制することが、真空処理特性の均一性向上
を実現する上で極めて効果的であるとの知見を得、本発
明を完成させるに至った。

【００１６】すなわち、このような高周波電界の定在波
に起因する真空処理特性の不均一性については、従来高
周波電極上についてのみ検討され、その対策が種々提案
されてきた。例えば、特開平１０−１６８５７５号公報
には、高周波電極両端の静電容量を調節することで、高
周波電極上の高周波電界定在波を緩和し、堆積膜特性の
均一性向上が可能であることが開示されている。このよ
うな高周波電極上の高周波電界定在波を緩和する手段、
方法により、真空処理特性の均一性向上は達せられてき
たが、更なる均一性を求める場合、このような手段のみ
では限界があることを本発明者らは見出したものであ
る。

【００１７】そして、その原因がホルダー上、またはホ
ルダー及び基体上に生じる高周波電界定在波にあること
を見出し、この定在波を抑制することで真空処理特性の
更なる均一性向上が達成可能であることを見出したもの
である。ホルダーは一般的には直流的に定電位、一般的
には多くの場合アース電位に維持されるように、真空容
器等の定電位部に導通状態とされている。このため、ホ
ルダー上には直流的な電界は生じない。しかしながら、
高周波的にはその導通部分やホルダーそのもののインピ
ーダンスが存在するため、ホルダー上には高周波電界が
生じうる状態となっている。そして、このインピーダン
スのうちのインダクタンス成分は高周波周波数に比例す
るため、周波数が高くなるほどホルダー上に高周波電界
が生じ易い状況となる。基体が導電性の場合、基体に関
してもホルダーと同様に、直流的な電界は生じないもの
の、高周波電界が生じうる状態となっている。

【００１８】このような状況下において、反応容器中に
導入された高周波電力は、反応容器中空間を伝播してホ
ルダー上、またはホルダー及び基体上に伝送され、ホル
ダー上、またはホルダー及び基体上に高周波電界を生じ
るところとなる。ホルダー上、またはホルダー及び基体
上に生じた高周波電界はホルダー上、またはホルダー及
び基体上を伝播して行き、ホルダー端部において反射し
反射波を生じる。この反射波とホルダー端部到達前の高
周波電界（入射波）との合成により、ホルダー上、また
はホルダー及び基体上には高周波電界の定在波を生じ
る。

【００１９】ホルダー上、またはホルダー及び基体上に
高周波電界の定在波が生じると、定在波の節部分では電
界が弱まり、腹部分では電界が強まる。この電界の強弱
によって、ホルダー、基体近傍のプラズマ特性は影響を
受け、その結果、真空処理特性に不均一性が生じてしま
う。本発明者らの検討によれば、その影響は、ホルダー
もしくはその上に載置された基体上に入射するイオンエ
ネルギーに、特に顕著に現れる。即ち、ホルダー上、ま
たはホルダー及び基体上の定在波の節部分では入射イオ
ンエネルギーは低く、腹部分では入射イオンエネルギー
が高い。このため、真空処理特性が入射イオンエネルギ
ーに対して大きな依存性を持つ場合、特にその不均一性
は顕著となってしまう。

【００２０】従って、このような真空処理特性の不均一
性を改善する上で、ホルダー上、またはホルダー及び基
体上に生じる高周波電界定在波の定在波比を小さくする
ことは極めて有効である。この定在波比を小さくするた
めの具体的手段については特に制限はないが、ホルダー
に、ホルダー上を伝播する高周波電界に対して実質的に
反射部として作用する部位を少なくとも１つ設ける構成
とすることが効果的である。このような構成とすること
で、ホルダー上、またはホルダー及び基体上の高周波電
界は、この反射部として作用する部位とホルダー端部の
少なくとも２個所で反射を生じるため、反射波として位
相の異なる２つの波が生じ、入射波との合成によって生
じる定在波の定在波比を小さくすることができる。ホル
ダー上の反射部として作用する部位の数に関しては、そ
の数が多いほど反射波の数が増え、定在波比をより小さ
くすることが可能となるが、その数が増えるに従ってホ
ルダーの構成が複雑となる場合があるので、必要とする
効果レベル、装置構成の複雑化を考慮して適宜決定すれ
ばよい。そして、このような反射部として作用する部位
はホルダーの基体非設置部に設けることが本発明の効果
をより顕著に得る上で効果的である。このような構成に
することによって、反射部として作用する部位での高周
波電界の反射率は基体の影響、具体的には基体の導電
率、透磁率、誘電率の影響を受けることがなくなり、制
御性、再現性が高まる。

【００２１】また、ホルダー上の反射部として作用する
部位での電界反射率に関しては、各反射部ごとに反射波
強度が異なっていても本発明の効果を得ることができる
が、特定の反射部での反射波強度が極端に大きいと、そ
の反射波がホルダー上に生じるメインの反射高周波電界
となってしまうため、効果は小さくなってしまう。ホル
ダー上の反射部として作用する部位の設置位置に関して
は、実際に真空処理特性の均一性を確認しながら適宜決
定すればよいが、高周波電界に対して反射部として作用
する部位のうち、ホルダー端部から最も遠い部位とホル
ダー端部との最短距離Ｒ（ｍ）が、高周波電力の周波数
ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ となるように設定することが好ましい。Ｒが上記条件よ
りも小さいと、複数の反射部で高周波電界を反射するも
のの、反射波の位相の差が小さく、顕著な効果が得にく
い。したがって、上記条件を満たすＲの範囲において、
真空処理特性の均一性を確認しながら反射部の設置位置
を決定することが好ましい。なお、ここで「ホルダー端
部から最も遠い部位」とは、最近接ホルダー端部との距
離が最も長い部位、を意味するものとする。

【００２２】このような反射部の具体的構成については
特に制限はなく、ホルダー上を伝播する高周波電界に対
して実質的に反射部として作用する構成、即ち、ホルダ
ー上でインピーダンスが不連続となるような構成であれ
ばよい。例えば、電子写真用感光体形成装置の場合、図
１に示すような構成のホルダーを用いることができる。
図１において、図１（ａ）は基体載置前のホルダーの概
略図、図１（ｂ）は基体載置時のホルダーの概略図、図
１（ｃ）は反射部近傍の断面図である。

【００２３】図１（ａ）に示したように、ホルダー１０
０は円筒状のホルダー母体１０１、円筒状のホルダーキ
ャップ１０２よりなる。ホルダー母体１０１の下部、ホ
ルダーキャップ１０２には反射部１０３が設けられてい
る。ホルダー母体１０１は反射部１０３を除いてアルミ
ニウム製であり、アルミナ製の反射部１０３をアルミニ
ウムにより挟み込むことによって反射部１０３がコンデ
ンサとして作用するように構成されている。ホルダーキ
ャップ１０２も同様に、反射部１０３を除いてアルミニ
ウム製であり、アルミナ製の反射部１０３をアルミニウ
ムにより挟み込むことによって反射部１０３がコンデン
サとして作用するように構成されている。

【００２４】このようなホルダー１００への基体の載置
は、ホルダー母体１０１に、まず、基体１０４を、次い
でホルダーキャップ１０２をはめ込むことにより、図１
（ｂ）に示したようにしてなされる。この際、基体１０
４はホルダー母体１０１、及びホルダーキャップ１０２
との接触によりこれらと導通状態にある。なお、反射部
１０３は、真空処理中に反射部１０３の表面に導電性膜
が堆積し、反射部１０３を挟み込むアルミニウム部分同
士が導通しないように、図１（ｃ）に示したような凹部
が設けられている。このようなホルダー１００を用いる
ことで、ホルダー１００、基体１０４上の高周波電界は
ホルダー１００上部、下部において、反射部１０３、及
びホルダー１００端部の２個所で反射波を生じ、定在波
比を小さくするよう作用する。また、本発明においては
図９に示すような構成のホルダーを用いてもよい。図９
において、図９（ａ）は基体載置前のホルダーの概略
図、図９（ｂ）は基体載置時のホルダーの概略図、図９
（ｃ）は反射部近傍の断面図である。

【００２５】図９（ａ）に示したように、ホルダー１０
０は円筒状のホルダー母体１０１、円筒状のホルダーキ
ャップ１０２よりなる。ホルダー母体１０１の下部、ホ
ルダーキャップ１０２には反射部９０３が設けられてい
る。ホルダー母体１０１は反射部９０３を除いてアルミ
ニウム製であり、アルミナ製の反射部９０３をホルダー
母体１０１のアルミニウム部の外周にはめ込むことによ
ってインピーダンスの不連続個所を形成している。ホル
ダーキャップ１０２も同様に、反射部１０３を除いてア
ルミニウム製であり、アルミナ製の反射部１０３をホル
ダーキャップ１０２のアルミニウム部の外周にはめ込む
ことによってインピーダンスの不連続個所を形成してい
る。図９に示したホルダー構成においては、ホルダー母
体１０１、ホルダーキャップ１０２のアルミニウム部は
反射部１０３によって分離されておらず、従って完全な
コンデンサ構造とはなっていない。

【００２６】このようなホルダー１００への基体の載置
は、ホルダー母体１０１に、まず、基体１０４を、次い
でホルダーキャップ１０２をはめ込むことにより、図９
（ｂ）に示したようにしてなされる。この際、基体１０
４はホルダー母体１０１、及びホルダーキャップ１０２
との接触によりこれらと導通状態にある。このようなホ
ルダー１００を用いることで、ホルダー１００、基体１
０４上の高周波電界はホルダー１００上部、下部におい
て、反射部１０３、及びホルダー１００端部の２個所で
反射波を生じ、定在波比を小さくするよう作用する。な
お、図９においてはアルミナ製の反射部９０３はホルダ
ー母体１０１、ホルダーキャップ１０２のアルミニウム
部に対して突出した構成となっているが、必ずしもこの
ようにする必要はなく、アルミニウム部と同一面となる
ようにしても良いし、逆に反射部９０３部分が凹形状と
なるように構成しても良い。

【００２７】また、ホルダー上、またはホルダー及び基
体上に生じる高周波電界定在波の定在波比を小さくする
手段として、プラズマを生起するための高周波電力とは
異なる第２の周波数の高周波電力をホルダーに供給する
ことも効果的である。このような手段により、ホルダー
上、またはホルダー及び基体上には異なる周波数の高周
波電界が生じ、これらが合成された結果、高周波電界定
在波比が小さくなる。プラズマを生起するための高周波
電力と第２の高周波電力の関係、即ち、周波数の差、電
力の比率等は実際に真空処理特性の均一性を確認しなが
ら決定すればよいが、周波数の差に関しては、その差が
あまりにも小さいと実質的に同一周波数の高周波電力を
印加した場合と同等となってしまい好ましくない。ま
た、その差があまりにも大きいと、周波数が小さい方の
高周波電力の高周波電界定在波の波長が、周波数が大き
い方の高周波電力の高周波電界定在波の波長に対してあ
まりにも大きく、十分な効果が得られず好ましくない。

【００２８】このようなことから、本発明においては、
プラズマを生起するための高周波電力の周波数をｆ（Ｈ
ｚ）、第２の高周波電力の周波数をｆ２（Ｈｚ）とし
て、 ０．１≦｜ｆ−ｆ２｜／ｆ＜０．５ となるよう設定する。また、プラズマを生起するための
高周波電力と第２の高周波電力の電力比率に関しては、
プラズマを生起するための高周波電力をＰ、第２の高周
波電力の電力をＰ２として、 ０．０１≦（Ｐ２／Ｐ）≦０．５ の範囲とすることが、本発明の効果を顕著に得る上で好
ましい。

【００２９】第２の高周波電力がプラズマを生起するた
めの高周波電力に対してこの範囲よりも小さいと、ホル
ダー上、またはホルダー及び基体上の高周波電界はプラ
ズマを生起するための高周波電力に起因する成分が支配
的となってしまい効果が小さい。一方、第２の高周波電
力を大きくするに従って、第２の高周波電力が反応容器
中での原料ガス分解に及ぼす影響が高まるため、上述し
た範囲よりも第２の高周波電力が大きくなると真空処理
特性そのものに影響が生じる場合がある。このため、プ
ラズマを生起するための高周波電力と第２の高周波電力
の電力比率の決定に際しては、上記範囲内において、真
空処理特性の均一性、及び特性レベルそのものをも確認
しながら適宜決定することが好ましい。

【００３０】このような本発明は、プラズマを生起する
ための高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上、４５０Ｍ
Ｈｚ以下の場合に、特に顕著な効果を得ることができ
る。これは、５０ＭＨｚ以下では高周波電力の波長が長
いため、ホルダー上、またはホルダー及び基体上に明確
な高周波電界定在波の節、腹位置が生じず、ホルダー
上、またはホルダー及び基体上の高周波電界定在波が真
空処理特性の均一性に及ぼす影響が小さいためではない
かと推察される。また、４５０ＭＨｚ以上では原料ガス
分解効率が高く、反応容器中における電力吸収率が大き
いため、ホルダー上、またはホルダー及び基体上に生じ
た高周波電界はホルダー端部に到達してそこで反射波を
生じる前にその多くが減衰してしまい、ホルダー上、ま
たはホルダー及び基体上に顕著な高周波電界定在波が生
じないためではないかと推察される。

【００３１】また、本発明はホルダー上に載置される基
体が導電性である場合に、より顕著な効果を得ることが
できる。基体が導電性の場合、高周波電界は基体表面を
伝播するため、高周波電界定在波は基体表面に生じる。
一方、基体が非導電性の場合、高周波電界は基体裏のホ
ルダー上を伝播し、高周波電界定在波は基体裏のホルダ
ー上に生じる。このような関係から、基体が導電性であ
る場合、高周波電界定在波はプラズマに接した部分に生
じるためプラズマヘの影響が顕著となり、基体が非導電
性の場合と比べ、真空処理特性の不均一性がより顕著と
なる。このような状況下において本発明を用いた際に
は、その効果はより顕著なものとなる。

【００３２】更に、本発明は基体が筒状、あるいは柱状
の場合に、より効果的に実現可能である。その理由につ
いては以下のように考えることができる。基体が筒状、
あるいは柱状の場合、基体の周方向には強い高周波電界
反射端は生じず、高周波電界の反射は主に基体の軸方向
で生じる。このため、高周波電界定在波に対する対処は
基体軸方向一次元に関してなされればよく、より効果的
に対処可能となる。

【００３３】また、本発明は電子写真感光体形成装置、
電子写真感光体形成方法において、特に効果的である。
本発明者らの検討によれば、これまで述べてきたような
ホルダー上、またはホルダー及び基体上の高周波電界定
在波は、単に作製された感光体の電気的、光学的特性に
不均一性をもたらすのみならず、その節部分では膜中に
多数の構造欠陥を生じる。この構造欠陥は反応容器中の
ダスト、例えば容器壁からの膜剥れによって生じた膜破
片が核となって生じるものである。このような構造欠陥
が高周波定在波の節部分で多発する原因については定か
ではないが、節部分では、近接するプラズマのフローテ
ィング電位が他の領域と異なり、その結果、節部分では
ダストの電位、あるいはチャージアップ量が基体上に吸
着しやすい状況になるものと推察される。電子写真用感
光体上に形成されたこのような構造欠陥は、電子写真画
像上において白点、あるいは黒点となって現れ、画像品
質を著しく低下させる。その原因となるホルダー上の高
周波定在波を抑制し、構造欠陥を低減可能な本発明は、
電子写真感光体形成装置、電子写真感光体形成方法にお
いて特に効果的となる。また、このような本発明は、ホ
ルダーの最長部が比較的長い場合、特に顕著な効果を得
ることができる。ホルダーが短い場合には、ホルダー
上、またはホルダー及び基体上の高周波電界はホルダー
端部での反射を多数回繰り返し、その結果、さまざまな
位相の入射波、反射波が生じるため、強い定在波が立ち
にくいためではないかと推察される。本発明は、具体的
には、ホルダーの端部間を結ぶ線路のうち最も長いもの
の長さをＬ（ｍ）、高周波電力の周波数をｆ（Ｈｚ）と
して、 Ｌ＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ の場合に特に顕著な効果を現す。

【００３４】また、本発明は基体の最長部が比較的長い
場合、特に顕著な効果を得ることができる。基体が長い
場合には、高周波電界定在波の影響で、同一基体上で最
も高周波電界の弱い部分と、最も高周波電界の強い部分
との差が顕著となってしまうためである。本発明は、具
体的には、基体の最長部の長さｌ（ｍ）が高周波電力の
周波数をｆ（Ｈｚ）に対して、 ｌ＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の場合に特に顕著な効果を現す。

【００３５】以下に、本発明の実施の形態について、図
面を用いて更に詳しく説明する。図４は本実施の形態に
おける電子写真用感光体形成装置の一例を示す模式的な
構成図である。図４（ａ）は概略断面図、図４（ｂ）は
図４（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
図４において、４０１は減圧可能な反応容器であり反応
容器４０１内には、ホルダー４０５上に載置された基体
４０４が回転軸４１０に支持されて設置され、発熱体４
１３によって加熱可能となっている。反応容器４０１内
には更に、原料ガスを供給するためのガス供給管４０
６、高周波電極４０３が設けられている。高周波電極４
０３への高周波電力の供給は、高周波電源４０７より出
力された高周波電力が、マッチングボックス４０８を介
して電力分割部４０２中で４分割された後、高周波電極
４０３へと導かれる。高周波電極４０３の先端には高周
波電極４０３上の高周波電界定在波比低減のためのコン
デンサ（不図示）が設けられている。

【００３６】ホルダー４０５、基体４０４はモータ４１
１により、回転軸４１０、ギア４１２を介して回転可能
となっている。また、ガス供給管４０６より反応容器中
４０１中に導入されたガスは反応容器４０１の下部に設
けられた排気口４０９より不図示の排気装置により排気
される。ホルダー４０５として、例えば図１に示したも
のと同様の構成のものを用いることで本発明の効果を得
ることができる。なお、図１中において反射部１０３は
ホルダー母体１０１上の基体非設置部、ホルダーキャッ
プ１０２上に各々１個ずつ設置されており、合計２個存
在する構成となっている。反射部１０３の数は図１に示
した上下各１個の構成に限定されるものではなく、上下
各２個以上、あるいは上部のみ２個以上、または下部の
み２個以上設ける構成としてもよい。また、ホルダー１
００の片側、即ち上部のみ、あるいは下部のみに反射部
１０３を設置する構成としても本発明の効果は得られ
る。しかしながら、この場合、反射部１０３を設置して
いない方のホルダー端部での高周波電界の反射に起因す
る高周波電界定在波は緩和されないため、ホルダー上部
及び下部に反射部１０３を設置した場合と比べて本発明
の効果が小さくなるので、可能な限りホルダー上部及び
下部に反射部１０３を設置することが好ましい。

【００３７】図１において、反射部１０３はホルダー母
材により挟み込まれ、コンデンサ構造となっており、こ
こでホルダーのインピーダンスが変化することで反射部
として作用する。このように、反射部１０３をコンデン
サ構造で形成する場合、反射部１０３を構成する材料と
しては絶縁性材料を用いる。絶縁性材料としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロー
スアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂、アルミナ、窒化ア
ルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、炭化ホウ
素、ジルコン、コージェライト、ジルコンコージェライ
ト、酸化珪素、酸化ベリリウム、マイカ系セラミック
ス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス等を
用いることができる。これらのうち、アルミナ、窒化ア
ルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、炭化ホウ素
が真空処理中の不純物放出が少ない点や、基体を昇温す
る際の耐熱性等の点から好ましい。

【００３８】また、反射部１０３はインピーダンスがホ
ルダーの他領域と異なるように構成されておればよく、
したがって、コンデンサ構造に限らずコイル構造により
形成してもよい。この場合、反射部１０３は導電性材料
をコイル状にすることで形成してもよいし、あるいは、
他のホルダー領域と透磁率が異なる磁性材料を反射部１
０３領域に挟み込んで形成してもよい。この場合、磁性
材料としては、鉄、けい素鋼、方向性けい素鋼、Ａｌｐ
ｅｒｍ、Ｓｅｎｄｕｓｔ、７８Ｐｅｒｍａｌｌｏｙ、Ｓ
ｕｐｅｒｍａｌｌｏｙ、Ｍｕｍｅｔａｌ、Ｐｅｒｍｅｎ
ｄｕｒ、４５−２５Ｐｅｒｍｉｎｖｅｒ、Ｆｅｒｒｘｃ
ｕｂｅ２、Ｆｅｒｒｘｃｕｂｅ３、Ｆｅｒｒｘｃｕｂｅ
４等を用いることができる。このような反射部１０３は
ホルダー１００の端部から最も遠い反射部（図１におい
ては反射部１０３）とホルダー端部との最短距離Ｒ
（ｍ）が、高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ となるように設定することが本発明の効果を顕著に得る
上で好ましい。

【００３９】このような電子写真用感光体形成装置を用
いた電子写真感光体形成は、概略以下のようにして行う
ことができる。まず、反応容器４０１内に、図１に示し
た構成のホルダー４０５上に載置された円筒状基体４０
４を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に
より排気口４０９より反応容器４０１内を排気する。続
いて、発熱体４１３により円筒状基体４０４を２００℃
〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。

【００４０】円筒状基体４０４が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段４０６を介して、原料ガスを
反応容器４０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器４０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源４０７よりマッチングボック
ス４０８を介して高周波電極４０３へ所定の高周波電力
を供給する。これにより、反応容器４０１内に高周波電
力が導入され、反応容器４０１内にグロー放電が生起
し、原料ガスは励起解離して円筒状基体４０４上に堆積
膜が形成される。この際、高周波電極４０３より反応容
器４０１内に放射された高周波電力の一部はホルダー４
０５に伝播し、ホルダー４０５上に高周波電界を生じ
る。ホルダー４０５上の高周波電界はホルダー４０５
上、及び円筒状基体４０４上を伝播する。そして、ホル
ダー上部、及び下部において、ホルダー上に設置された
反射部１０３、及びホルダー端部の少なくとも２個所で
高周波電界は反射し、位相の異なる複数の反射波を生じ
る結果、ホルダー４０５上の高周波電界定在波の定在波
比は緩和される。

【００４１】このようにして所望の膜厚の形成が行なわ
れた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供
給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数
回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が
形成される。堆積膜形成中、回転軸４１０を介して円筒
状基体４０４をモータ４１１により所定の速度で回転さ
せることにより、円筒状基体表面全周に渡って均一な堆
積膜が形成される。

【００４２】図５は、本発明の実施の形態における電子
写真用感光体形成装置の他の一例を示す模式的な構成図
である。図５（ａ）はその概略断面図、図５（ｂ）は図
５（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。図
５において、５０１は減圧可能な反応容器であり反応容
器５０１内には、ホルダー５０５上に載置された基体５
０４が回転軸５１０に支持されて設置され、発熱体５１
３によって加熱可能となっている。反応容器５０１内に
は更に、原料ガスを供給するためのガス供給管５０６、
高周波電極５０３が設けられている。高周波電極５０３
への高周波電力の供給は、高周波電源５０７より出力さ
れた高周波電力が、マッチングボックス５０８を介して
電力分割部５０２中で４分割された後、高周波電極５０
３へと導かれる。高周波電極５０３の先端には高周波電
極５０３上の高周波電界定在波比低減のためのコンデン
サ（不図示）が設けられている。

【００４３】ホルダー５０５、基体５０４はモータ５１
１により、回転軸５１０、ギア５１２を介して回転可能
となっている。また、ガス供給管５０６より反応容器５
０１中に導入されたガスは反応容器５０１の下部に設け
られた排気口５０９より不図示の排気装置により排気さ
れる。図５においては、更に、ホルダー５０５に高周波
電力が供給可能な構成となっている。第２の高周波電源
５１５より供給された高周波電力は、ホルダー５０５に
電気的に接続された高周波電力端子５１４よりホルダー
５０５に伝送される。高周波電力端子５１４はホルダー
５０５に直接接触していてもよいし、あるいは、ホルダ
ー５０５との問に適当な隙間を設けることによりコンデ
ンサ構造とし、そのコンデンサを介してホルダー５０５
へ高周波電力を伝送する構成とすることも可能である。
これらのうち、反応容器５０１内でのダスト低減という
観点からは、ホルダー５０５に対して非接触で電力伝送
可能なコンデンサ構造を用いた構成の方が好ましい。こ
の場合、高周波電力端子５１４とホルダー５０５の間で
のプラズマ生成による高周波電力の損失が生じないよう
に、高周波電力端子５１４とホルダー５０５の間の間隔
を設定することが好ましい。

【００４４】第２の高周波電源５１５より供給される高
周波電力の周波数は、高周波電極５０３より反応容器５
０１中に供給される高周波電力の周波数と異なるように
設定する。その具体的数値に関しては、装置構成、ある
いは電子写真感光体形成処方によって適正値が異なるた
め、形成される電子写真用感光体特性の均一性を確認し
ながら適宜決定すればよいが、高周波電極５０３より反
応容器５０１中に供給される高周波電力の周波数をｆ
（Ｈｚ）、第２の高周波電源５１５より供給される高周
波電力の周波数をｆ２（Ｈｚ）として、０．１≦｜ｆ−
ｆ２｜／ｆ＜０．５の範囲において設定する。

【００４５】また、高周波電極５０３より反応容器５０
１中に供給される高周波電力とホルダー５０５に供給さ
れる第２の高周波電力の電力比率に関しても、形成され
る電子写真用感光体の特性の均一性及び特性レベルその
ものを確認しながら適宜決定する。このような電子写真
用感光体形成装置を用いた電子写真感光体形成は、概略
以下のようにして行うことができる。まず、反応容器５
０１内に、ホルダー５０５上に載置された円筒状基体５
０４を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）
により排気口５０９より反応容器５０１内を排気する。
続いて、発熱体５１３により円筒状基体５０４を２００
℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。

【００４６】円筒状基体５０４が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段５０６を介して、原料ガスを
反応容器５０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器５０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源５０７よりマッチングボック
ス５０８を介して高周波電極５０３へ所定の高周波電力
を供給する。同時並行的に、第２の高周波電源５１５よ
り所定の高周波電力を出力し、高周波電力端子５１４を
介してホルダー５０５に第２の高周波電力を供給する。
このようにして、反応容器５０１内にグロー放電を生起
し、原料ガスを励起解離して円筒状基体５０４上に堆積
膜を形成する。

【００４７】このようにして所望の膜厚の形成が行なわ
れた後、高周波電源５０７、及び第２の高周波電源５１
５からの高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供
給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数
回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が
形成される。堆積膜形成中、回転軸５１０を介して円筒
状基体５０４をモータ５１１により所定の速度で回転さ
せることにより、円筒状基体表面全周に渡って均一な堆
積膜が形成される。

【００４８】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する
が、本発明はこれらにより何ら制限されるものではな
い。 ［実施例１］実施例１においては、図４に示す構成の装
置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アル
ミニウムシリンダー４０４上に、高周波電源４０７の発
振周波数を１００ＭＨｚ、１５０ＭＨｚ、２００ＭＨｚ
の３通りとして、表１に示す条件で電子写真用感光体を
作製した。ホルダー４０５は図１に示す構成のものと
し、反射部１０３を除いた部分はアルミニウム製とし
た。また、反射部１０３はアルミナで形成し、ホルダー
母材のアルミニウムによって挟まれた部分の厚さは１ｍ
ｍとした。反射部１０３と反射端として作用するホルダ
ー４０５端部との距離Ｒはホルダー上部、下部共に１ｃ
ｍ、１．５ｃｍ、２ｃｍ、３ｃｍ、４ｃｍ、５ｃｍ、６
ｃｍの７通りとした。また、ホルダー１００の長さＬは
０．５５ｍであり、全ての周波数に対して、 Ｌ（ｍ）＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ（Ｈｚ） の範囲となっている。更に、円筒状アルミニウムシリン
ダー４０４の長さｌは全ての周波数に対して、 ｌ（ｍ）＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ（Ｈｚ） の範囲となっている。

【００４９】高周波電極４０３は直径２０ｍｍのＳＵＳ
製円柱であり、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍ
のアルミナ製パイプにより覆う構造とした。アルミナ製
パイプはブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを
基準長とするＲｚで２０μｍとした。このような高周波
電極４０３は、円筒状基体４０４を取り囲むように同一
円周上に等間隔で４本配置した。高周波電極４０３の先
端には高周波電極４０３上の高周波電界定在波比低減の
ための３０ｐＦのコンデンサ（不図示）が設けられてい
る。ガス供給管４０６は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍ
のアルミナ製パイプで、端部が封止された構造とし、パ
イプ上に設けられた直径１．２ｍｍのガス噴出口より原
料ガス供給可能な構造のものを用いた。ガス供給管４０
６は円筒状基体４０４を取り囲むように同一円周上に等
間隔で４本配置し、高周波電極４０３に対して周方向に
４５度ずらした位置とした。ガス供給管４０６の表面
は、ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準
長とするＲｚで２０μｍとした。

【００５０】感光体作製手順は概略以下の通りとした。
まず、ホルダー４０５に固定された円筒状基体４０４を
反応容器４０１内の回転軸４１０上に設置した。その
後、不図示の排気装置により排気口４０９を通して反応
容器４０１内を排気した。続いて、回転軸４１０を介し
て円筒状基体４０４をモータ４１１により１０ｒｐｍの
速度で回転させ、更にガス供給管４０６より反応容器４
０１中に５００ｓｃｃｍのＡｒを供給した後、不図示の
圧力調整バルブにより反応容器４０１内の圧力を７０Ｐ
ａに維持しながら発熱体４１３により円筒状基体４０４
を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持し
た。

【００５１】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器４
０１を不図示の排気装置により排気口４０９を通して排
気した後、ガス供給管４０６を介して、表１に示した電
荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原料ガ
スの流量が設定流量となり、また、反応容器４０１内の
圧力が安定したのを確認した後、高周波電源４０７の出
力値を表１に示した電力に設定し、マッチングボックス
４０８を介して高周波電極４０３へ高周波電力を供給し
た。高周波電極４０３より反応容器４０１内に放射され
た高周波電力によって、原料ガスを励起解離することに
より、円筒状基体４０４上に電荷注入阻止層を形成し
た。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供
給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷注入阻
止層の形成を終えた。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、光導電層、表面層を順次形成した。

【００５２】（比較例１）比較例１においては、ホルダ
ー４０５に反射部１０３を設けない以外は実施例１と同
様にして、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電
層、表面層からなる感光体を作製した。このようにして
実施例１、比較例１で作製されたａ−Ｓｉ感光体を本テ
スト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０
に設置し、感光体の特性評価を行なった。評価項目は、
「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「白ぽち」、
「画像濃度むら」の５項目とし、以下の具体的評価法に
より各項目の評価を行なった。

【００５３】帯電能…複写機の主帯電器に一定の電流を
流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。した
がって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であること
を示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域に渡って行
ない、その中の最低暗部電位により評価した。従って、
数値が大きいほど良好である。感度…現像器位置での暗
部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、
原稿に反射濃度０.１以下の所定の白紙を用い、現像器
位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調
整した際の像露光光量により評価する。したがって、像
露光光量が少ないほど感度が良好であることを示す。感
度測定は感光体母線方向全領域に渡って行ない、その中
の最大像露光光量により評価した。従って、数値が小さ
いほど良好である。光メモリー…現像器位置における暗
部電位が所定の値となるよう、主帯電器の電流値を調整
した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の
値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノ
ン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０
４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付け
たものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャ
ートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コ
ピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒
丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定する
ことにより行った。光メモリー測定は感光体母線方向全
領域にわたって行い、その中の最大反射濃度差により評
価した。従って、数値が小さいほど良好である。白ぽち
…キャノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０
４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピ
ー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を
数え、その数により評価した。従って、数値が小さいほ
ど良好である。画像濃度むら…まず、現像器位置での暗
部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、
原稿に反射濃度０.１以下の所定の白紙を用い、現像器
位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調
整した。次いでキヤノン製中間調チャート（部品番号：
ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに
得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値
と最低値の差により評価した。従って、数値が小さいほ
ど良好である。

【００５４】評価結果を表２に示す。表２において、評
価結果は、比較例１の結果を基準とし、「帯電能」、
「感度］に関しては、基準に対して１５％以上の良化を
◎、６％以上１０％未満の良化を◎〜○、２％以上６％
未満の良化を○、２％未満の良化を△、悪化を×で示し
た。また、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像濃度む
ら」に関しては、基準に対して５０％以上の良化を◎、
２５％以上５０％未満の良化を◎〜○、１０％以上２５
％未満の良化を〇、１０％未満の良化を△、悪化を×で
示した。「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「白
ぽち」、「画像濃度むら」いずれの項目においても実施
例１と比較例１の間に明確な差が認められ、特に反射部
１０３とホルダー端との距離Ｒ（ｍ）が、高周波電極４
０３より反応容器４０１中に供給される高周波電力の周
波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の範囲において特に顕著な差が認められた。

【００５５】このことから、本発明による「帯電能」、
「感度」、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像濃度む
ら」に対する効果が確認され、特に基体に最も近い反射
部（図１における反射部１０３）と基体から最も遠い反
射部（図１においてはホルダー端）との最短距離Ｒ
（ｍ）が、高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ とすることで、より顕著な効果が得られることが確認さ
れた。また、実施例１で作製された電子写真感光体を用
いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もない極め
て良好なものであった。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【表２】 ［実施例２］実施例２においては、実施例１と同様にし
て、図４に示す構成の装置を用い、直径３０ｍｍ、長さ
３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー４０４上
に、高周波電源４０７の発振周波数を１０５ＭＨｚとし
て、表３に示す条件で電子写真用感光体を作製した。但
し、ホルダー４０５は図６に示す構成とした。図６にお
いて、ホルダー６００は円筒状のホルダー母体６０１、
円筒状のホルダーキャップ６０２よりなる。ホルダー母
体６０１の下部、ホルダーキャップ６０２には第１の反
射部６０３、第２の反射部６０４、第３の反射部６０５
が設けられている。反射部６０３、６０４、６０５の構
成は図９（C）に示した構成となっている。即ち、ホル
ダー母体６０１は反射部６０３、６０４、６０５を除い
てアルミニウム製であり、アルミナ製の反射部６０３、
６０４、６０５がアルミニウム部の外周に設置された構
成となっている。ホルダーキャップ６０２も同様に、反
射部６０３、６０４、６０５を除いてアルミニウム製で
あり、アルミナ製の反射部６０３、６０４、６０５がア
ルミニウム部の外周に設置された構成となっている。反
射部６０３、６０４、６０５の厚さはいずれも５ｍｍと
した。

【００５８】ホルダー１００の長さＬは０.５０８ｍで
あり、高周波電源４０７の発振周波数（１０５ＭＨｚ）
に対して、 Ｌ（ｍ）＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ（Ｈｚ） の範囲となっている。更に、円筒状アルミニウムシリン
ダー４０４の長さｌも高周波電源４０７の発振周波数
（１０５ＭＨｚ）に対して、 ｌ（ｍ）＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ（Ｈｚ） の範囲となっている。このようなホルダー６００への基
体の載置は、ホルダー母体６０１に、まず、基体４０４
を、次いでホルダーキャップ６０２をはめ込むことによ
りなされる。この際、基体４０４はホルダー母体６０
１、及びホルダーキャップ６０２との接触によりこれら
と導通状態にある。

【００５９】基体４０４端部と第１の反射部６０３の間
の距離、第１の反射部６０３と第２の反射部６０４の間
の距離、第２の反射部６０４と第３の反射部６０５の間
の距離、第３の反射部６０５とホルダー母体６０１端部
またはホルダーキャップ６０２端部との距離は、いずれ
も１.５ｃｍとした。ホルダー端部から最も遠い反射部
である第１の反射部６０３とホルダー母体６０１端部ま
たはホルダーキャップ６０２端部との距離Ｒは６ｃｍで
ある。このようなホルダー６００を用いて、実施例１と
同様の手順で感光体形成を行った。

【００６０】（比較例２）比較例２においては、ホルダ
ー６００には第１の反射部６０３、第２の反射部６０
４、第３の反射部６０５を設けない以外は実施例２と同
様にして、表３に示す条件で電荷注入阻止層、光導電
層、表面層からなる感光体を作製した。このようにして
実施例２、比較例２で作製されたａ−Ｓｉ感光体を本テ
スト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６０３０
により、実施例１と同様の具体的評価法により、「帯電
能」、「感度」、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像
濃度むら」の５項目について評価を行なった。

【００６１】評価結果を表４に示す。表４において、評
価結果は、比較例２の結果を基準とし、「帯電能」、
「感度」に関しては、基準に対して１５％以上の良化を
◎、６％以上１０％未満の良化を◎〜○、２％以上６％
未満の良化を○、２％未満の良化を△、悪化を×で示し
た。また、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像濃度む
ら」に関しては、基準に対して５０％以上の良化を◎、
２５％以上５０％未満の良化を◎〜〇、１０％以上２５
％未満の良化を〇、１０％末満の良化を△、悪化を×で
示した。「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「白
ぽち」、「画像濃度むら」いずれの項目においても実施
例２と比較例２の間に明確な差が認められ、本発明の効
果が確認された。また、実施例２で作製された電子写真
感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等
もない極めて良好なものであった。

【００６２】

【表３】

【００６３】

【表４】 ［実施例３］実施例３においては、図７に示す構成の装
置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アル
ミニウムシリンダー７０４上に表５に示す条件で電荷輸
送層、電荷発生層、表面層からなる電子写真用感光体を
作製した。図７において、図７（ａ）は概略断面図、図
７（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面
図である。反応容器７０１内には、アルミナで形成さ
れ、真空封止可能な円筒状壁面７０２が設けられてい
る。原料ガスが分解される成膜空間は、円筒状壁面７０
２により、円筒状基体７０４を内包する円柱状領域に制
限されている。円筒状壁面７０２の内面は、ブラスト加
工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで
２０μｍとした。

【００６４】円筒状壁面７０２内には、６本の基体７０
４が設置され、更には基体７０４を所望の温度に制御す
るための温度制御装置７１３、及び円筒状壁面７０２内
に原料ガスを供給するためのガス供給管７０６が設けら
れている。ガス供給管７０６は、内径１０ｍｍ、外径１
３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止された構造と
し、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍのガス噴出口
より原料ガス供給可能な構造のものを用いた。ガス供給
管７０６の設置位置は円筒状基体配置円内とし、円筒状
基体７０４の配置円と中心を同じくする同一円周上に等
間隔で３本配置した。ガス供給管７０６の表面は、ブラ
スト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを基準長とする
Ｒｚで２０μｍとした。

【００６５】円筒状壁面７０２の外部には円筒状壁面７
０２内に高周波電力を導入するための高周波電極７０３
が等間隔で６本設けらている。高周波電極７０３は、直
径２０ｍｍのＳＵＳ製円柱とした。高周波電源７０７よ
り出力された高周波電力はマッチングボックス７０８を
介して高周波電極７０３へ供給される。高周波電極７０
３の先端には高周波電極７０３上の高周波電界定在波比
低減のために３０ｐＦのコンデンサ（不図示）が設けら
れている。反応容器７０１はアルミニウム製円筒状容器
であり、高周波電極７０３から放出される高周波電力の
シールド手段を兼ねている。

【００６６】ホルダー７０５、基体７０４はモータ７１
１により、回転軸７１０、ギア７１２を介して回転可能
となっている。また、ガス供給管７０６より円筒状壁面
７０２内に導入されたガスは反応容器７０１の下部に設
けられた排気口７０９より不図示の排気装置により排気
される。ホルダー７０５は図１に示す構成のものとし、
反射部１０３を除いた部分はアルミニウム製とした。ま
た、反射部１０３はアルミナで形成し、ホルダー母材の
アルミニウムによって挟まれた部分の厚さは１ｍｍとし
た。

【００６７】このような装置を用い、高周波電源７０７
の発振周波数を３０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１００ＭＨ
ｚ、２００ＭＨｚ、４５０ＭＨｚ、６００ＭＨｚとし
て、実施例１と同様の手順により電子写真用感光体を作
製した。なお、ホルダー７０５上の反射部１０３の設置
位置は、反射部１０３と反射端として作用するホルダー
７０５端部の長さＲ（ｍ）が、高周波電力の周波数ｆ
（Ｈｚ）に対して、 Ｒ＝０．０１２×（３×１０⁸）／ｆ となる位置とした。また、ホルダー１００の長さＬは
０．６５８ｍであり、高周波電源７０７の発振周波数に
対して、 Ｌ（ｍ）＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ（Ｈｚ） の範囲となっている。更に、円筒状アルミニウムシリン
ダー７０４の長さｌも高周波電源４０７の発振周波数
（１０５ＭＨｚ）に対して、 ｌ（ｍ）＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ（Ｈｚ） の範囲となっている。

【００６８】（比較例３）比較例３においては、ホルダ
ー７０５に反射部１０３を設けない以外は実施例３と同
様にして、表５に示す条件で電荷輸送層、電荷発生層、
表面層からなる感光体を作製した。このようにして作製
されたａ−Ｓｉ系感光体を本テスト用に改造されたキヤ
ノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性
評価を行なった。評価項目は、「帯電能」、「感度」、
「光メモリー」、「白ぽち」、「画像濃度むら」の５項
目とし、実施例１と同様の具体的評価法により各項目の
評価を行なった。

【００６９】評価結果を表６に示す。表６において、評
価結果は同時に形成される６本の感光体の平均値によ
り、比較例３の結果を基準とし、「帯電能」、「感度」
に関しては、基準に対して１５％以上の良化を◎、６％
以上１０％未満の良化を◎〜〇、２％以上６％未満の良
化を○、２％未満の良化を△、悪化を×で示した。ま
た、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像濃度むら」に
関しては、基準に対して５０％以上の良化を◎、２５％
以上５０％未満の良化を◎〜○、１０％以上２５％未満
の良化を○、１０％未満の良化を△、悪化を×で示し
た。

【００７０】「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、
「白ぽち」、「画像濃度むら」いずれの項目においても
実施例３と比較例３の間に明確な差が認められ、特に高
周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下
において特に顕著な差が認められた。このことから、本
発明による「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、
「白ぽち」、「画像濃度むら」に対する効果が確認さ
れ、特に高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上、４５０
ＭＨｚ以下において、より顕著な効果が得られることが
確認された。また、実施例３で作製された電子写真感光
体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もな
い極めて良好なものであった。

【００７１】

【表５】

【００７２】

【表６】 ［実施例４］実施例４においては、図５に示す構成の装
置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アル
ミニウムシリンダー５０４上に、高周波電源５０７の発
振周波数を８０ＭＨｚとして、表７に示す条件で電子写
真用感光体を作製した。図５において、第２の高周波電
源５１５より出力される高周波電力の周波数は５０ＭＨ
ｚとした。また、高周波電力端子５１４はホルダー５０
５と１ｍｍの間隔を有して設置され、ホルダー５０５と
非接触で高周波電力を伝送する構成とした。なお、ホル
ダー５０５は図１において反射部１０３を除去した構成
のものを用いた。

【００７３】高周波電極５０３は直径２０ｍｍのＳＵＳ
製円柱であり、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍ
のアルミナ製パイプにより覆う構造とした。アルミナ製
パイプはブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍを
基準長とするＲｚで２０μｍとした。このような高周波
電極５０３は、円筒状基体５０４を取り囲むように同一
円周上に等間隔で４本配置した。高周波電極５０３の先
端には高周波電極５０３上の高周波電界定在波比低減の
ための３０ｐＦのコンデンサ（不図示）が設けられてい
る。

【００７４】ガス供給管５０６は、内径１０ｍｍ、外径
１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止された構造
とし、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍのガス噴出
口より原料ガス供給可能な構造のものを用いた。ガス供
給管５０６は円筒状基体５０４を取り囲むように同一円
周上に等間隔で４本配置し、高周波電極５０３に対して
周方向に４５度ずらした位置とした。ガス供給管５０６
の表面は、ブラスト加工により、表面粗さを２．５ｍｍ
を基準長とするＲｚで２０μｍとした。

【００７５】このような図５に示した装置を用い、概略
以下のようにして電子写真用感光体を形成した。まず、
ホルダー５０５に固定された円筒状基体５０４を反応容
器５０１内の回転軸５１０上に設置した。その後、不図
示の排気装置により排気口５０９を通して反応容器５０
１内を排気した。続いて、回転軸５１０を介して円筒状
基体５０４をモータ５１１により１０ｒｐｍの速度で回
転させ、更にガス供給管５０６より反応容器５０１中に
５００ｓｃｃｍのＡｒを供給した後、不図示の圧力調整
バルブにより反応容器５０１内の圧力を７０Ｐａに維持
しながら発熱体５１３により円筒状基体５０４を２５０
℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。

【００７６】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器５
０１を不図示の排気装置により排気口５０９を通して排
気した後、ガス供給管５０６を介して、表７に示した電
荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原料ガ
スの流量が設定流量となり、また、反応容器５０１内の
圧力が安定したのを確認した後、高周波電源５０７の出
力値を表７に示した電力に設定し、マッチングボックス
５０８を介して高周波電極５０３へ高周波電力を供給し
た。同時並行的に、第２の高周波電源５１５の出力値を
表７に示した電力に設定し、高周波電力端子５１４を介
してホルダー５０５に第２の高周波電力を供給した。

【００７７】高周波電極５０３より反応容器５０１内に
放射された高周波電力によって、原料ガスを励起解離す
ることにより、円筒状基体５０４上に電荷注入阻止層を
形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電
力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷
注入阻止層の形成を終えた。同様の操作を複数回繰り返
すことによって、光導電層、表面層を順次形成した。

【００７８】（比較例４）比較例４においては、第２の
高周波電源５１５からの高周波電力の出力を行わない以
外は実施例４と同様にして、表７に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。
このようにして作製されたａ−Ｓｉ系感光体を本テスト
用に改造されたキヤノン製の複写機ＧＰ６０５に設置
し、感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「帯電
能」、「感度」、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像
濃度むら」の５項目とし、実施例１と同様の具体的評価
法により各項目の評価を行なった。

【００７９】評価結果を表６に示す。表６において、評
価結果は比較例４の結果を基準とし、「帯電能」、「感
度」に関しては、基準に対して１５％以上の良化を◎、
６％以上１０％未満の良化を◎〜○、２％以上６％未満
の良化を○、２％未満の良化を△、悪化を×で示した。
また、「光メモリー」、「白ぽち」、「画像濃度むら」
に関しては、基準に対して５０％以上の良化を◎、２５
％以上５０％未満の良化を◎〜○、１０％以上２５％未
満の良化を○、１０％未満の良化を△、悪化を×で示し
た。「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「白ぽ
ち」、「画像濃度むら」いずれの項目においても実施例
４と比較例４の間に差が認められ、本発明の効果が確認
された。また、実施例４で作製された電子写真感光体を
用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等もない極
めて良好なものであった。

【００８０】

【表７】

【００８１】

【表８】 ［実施例５］実施例５においては、図８に示す構成の平
行平板型の堆積膜形成装置を用い、高周波電源８０７の
出力周波数を３００ＭＨｚとして、１インチ×２．５イ
ンチのコーニング＃７０５９ガラス基板上に表９に示す
条件でａ−Ｓｉ膜を形成した。図８において、図８
（ａ）は堆積膜形成装置の概略図、図８（ｂ）は図８
（ａ）中のホルダー８０５の概略図である。図８におい
て、８０１は減圧可能な反応容器であり反応容器８０１
内には、ホルダー８０５上に載置された基板８０４が図
８（ｂ）のように９枚設置され、ホルダー８０５中に設
けられた不図示の発熱体によって加熱可能となってい
る。ホルダー８０５はその母体は直径３０ｃｍのＳＵＳ
製円板とし、ＳＵＳ製のホルダー支柱８１２により反応
容器８０１と導通されている。図８（ｂ）に示したよう
に、ホルダー８０５の基板載置領域外周には幅２ｍｍの
アルミナ製の反射部８１０、８１１が設けられており、
その内部のＳＵＳ製部と、外部のＳＵＳ製部を絶縁する
構成とした。反射部８１０と反射部８１１との距離Ｒ
１、反射部８１１と反射端として作用するホルダー８０
５端部との距離Ｒ２は共に２ｃｍとした。

【００８２】また、反応容器８０１内には更に、原料ガ
スを供給するための複数のガス供給孔が表面にシャワー
状に設けられた直径３０ｃｍのＳＵＳ製円板状の高周波
電極８０３が設置されている。高周波電極８０３の表面
より反応容器８０１内に供給されたガスは排気口８０９
より、不図示の排気装置によって反応容器８０１外へ排
出される。高周波電極８０３ヘの高周波電力の供給は、
高周波電源８０７より出力された高周波電力が、マッチ
ングボックス８０８を介して電力分割部８０２中で８分
割された後、高周波電極８０３へと導かれる。高周波電
極８０３への高周波電力供給点は、同一円周上等間隔の
８点に行う構成とした。

【００８３】このような装置を用い、ａ−Ｓｉ膜堆積は
概略以下のようにして行った。まず、ホルダー８０５上
に固定された９枚の基板８０４を反応容器８０１内に設
置した。その後、不図示の排気装置により排気口８０９
を通して反応容器８０１内を排気した。続いて、高周波
電極８０３表面にシャワー状に設けられた直径１ｍｍの
複数のガス供給孔より、反応容器８０１中に５００ｓｃ
ｃｍのＡｒを供給した後、不図示の圧力調整バルブによ
り反応容器８０１内の圧力を７０Ｐａに維持しながらホ
ルダー８０５中に設けられた不図示の発熱体により基板
８０４を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維
持した。

【００８４】次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器８
０１を不図示の排気装置により排気口８０９を通して排
気した後、高周波電極８０３表面にシャワー状に設けら
れた直径１ｍｍの複数のガス供給孔より、表９に示した
条件の原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量
となり、また、反応容器８０１内の圧力が安定したのを
確認した後、高周波電源８０７の出力値を表９に示した
電力に設定し、マッチングボックス８０８を介して高周
波電極８０３へ高周波電力を供給した。所定の膜厚の形
成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原
料ガスの供給を停止して堆積膜形成を終えた。

【００８５】（比較例５）比較例５においては、ホルダ
ー８０５に反射部８１０、８１１を設けない以外は実施
例５と同様にして、表９に示す条件でａ−Ｓｉ膜形成を
行った。実施例５及び比較例５において形成されたａ−
Ｓｉ膜を以下のように比較・評価した。まず、コーニン
グ＃７０５９ガラス基板上に形成された堆積膜上に、Ｃ
ｒ製の２５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着した。この
櫛形電極は、１インチ×２．５インチ基板１枚につき６
組形成した。このように電極が形成された堆積膜を、以
下の具体的評価法により評価した。光感度…基板上に得
られた堆積膜の（（光導電率σｐ）／（暗導電率σ
ｄ））を測定することにより評価した。光導電率σｐ
は、１ｍＷ／ｃｍ²の強度のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長
６３２．８ｎｍ）を照射したときの導電率とした。した
がって、光感度の値が大きいほど堆積膜特性が良好であ
ることを示す。本評価においては、この光感度評価は全
ての基板上の全ての電極について行い、その中の最低値
を評価結果とした。評価結果は、比較例５の結果を基準
とし、比較例５の結果に対して１０倍以上を◎、６倍以
上１０倍未満を◎〜〇、２倍以上６倍未満を○、１倍以
上２倍未満を△、１倍未満を×で示した。

【００８６】欠陥密度…ＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｐ
ｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ）法により、価
電子帯端から価電子帯端上（伝導帯側）０．８ｅＶまで
の、欠陥密度を測定した。したがって、欠陥密度の値が
小さいほど堆積膜特性が良好であることを示す。本評価
においては、この欠陥密度評価は全ての基板上の全ての
電極について行い、その中の最高値を評価結果とした。
評価結果は、比較例５の結果を基準とし、比較例５の結
果に対して１／１０倍未満を◎、１／１０倍以上１／６
倍未満を◎〜○、１／６倍以上１／２倍未満を○、１／
２倍以上１倍未満を△、１倍以上を×で示した。

【００８７】むら…光感度評価により得られた、（（光
導電率σｐ）／（暗導電率σｄ））の最大値をＳＮｍａ
ｘ、最小値をＳＮｍｉｎとして、ＳＮｍａｘ／ＳＮｍｉ
ｎを求めた。従って、この値が小さい方がむらが小さい
ことを示す。評価結果は、比較例５の結果を基準とし、
比較例５の結果に対して１／１０倍未満を◎、１／１０
倍以上１／６倍未満を◎〜〇、１／６倍以上１／２倍未
満を〇、１／２倍以上１倍未満を△、１倍以上を×で示
した。評価結果を表１０に示す。「光感度」、「欠陥密
度」、「むら」いずれの項目においても実施例５と比較
例５の間に明確な差が認められ、本発明の効果が確認さ
れた。

【００８８】

【表９】

【００８９】

【表１０】

【００９０】

【発明の効果】以上に、説明したように、本発明によれ
ば、高周波電力によって生起されたプラズマを用いて基
体上に真空処理を施す真空処理装置、真空処理方法及び
基体ホルダーにおいて、真空処理特性の均一性の向上が
可能となり、また、製品品質の向上、良品率向上による
生産コストの低下を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における真空処理装置に用
いるホルダーの一例を示した模式的な構成図である。

【図２】ＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法
による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を示した
模式的な構成図である。

【図３】ＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶ
Ｄ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を示
した模式的な構成図である。

【図４】本発明の実施の形態及び実施例１及び実施例２
に用いる電子写真用感光体形成装置の一例を示した模式
的な構成図である。

【図５】本発明の実施の形態及び実施例４に用いる電子
写真用感光体形成装置の他の一例を示した模式的な構成
図である。

【図６】本発明の実施例２における電子写真用感光体形
成装置に用いるホルダーの一例を示した模式的な構成図
である。

【図７】本発明の実施例３に用いる電子写真用感光体形
成装置の一例を示した模式的な構成図である。

【図８】本発明の実施例５に用いる真空処理装置の一例
を示した模式的な構成図である。

【図９】本発明の実施の形態における真空処理装置に用
いるホルダーの一例を示した模式的な構成図である。

【符号の説明】

１００：ホルダー １０１：ホルダー母体 １０２：ホルダーキャップ １０３：反射部 １０４：基体 ２１００：堆積装置 ２１０１：反応容器 ２１１１：カソード電極 ２１１２：円筒状基体 ２１１３：基体支持体 ２１１４：原料ガス導入管 ２１１５：マッチングボックス ２１１６：原料ガス配管 ２１１７：反応容器リークバルブ ２１１８：メイン排気バルブ ２１１９：真空計 ２２００：原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６：マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６：原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６：原料ガスボンベバルブ ２２４１〜２２４６：ガス流入バルブ ２２５１〜２２５６：ガス流出バルブ ２２６１〜２２６６：圧力調整器 ３０１：反応容器 ３０２：カソード電極 ３０３：高周波電源 ３０４：マッチングボックス ３０５：円筒状基体 ３０７：発熱体 ３０８：回転軸 ３０９：モータ ３１０：減速ギア ３１１：排気管 ３１２：原料ガス供給手段 ４０１、５０１：反応容器 ４０２、５０２：電力分割部 ４０３、５０３：高周波電極 ４０４、５０４：基体 ４０５、５０５：ホルダー ４０６、５０６：ガス供給管 ４０７、５０７：高周波電源 ４０８、５０８：マッチングボックス ４０９、５０９：排気口 ４１０、５１０：回転軸 ４１１、５１１：モータ ４１２、５１２：ギア ４１３、５１３：発熱体 ５１４：高周波電力端子 ５１５：第２の高周波電源 ６００：ホルダー ６０１：ホルダー母体 ６０２：ホルダーキャップ ６０３：第１の反射部 ６０４：第２の反射部 ６０５：第３の反射部 ７０１：反応容器 ７０２：円筒状壁面 ７０３：高周波電極 ７０４：基体 ７０５：ホルダー ７０６：ガス供給管 ７０７：高周波電源 ７０８：マッチングボックス ７０９：排気口 ７１０：回転軸 ７１１：モータ ７１２：ギア ７１３：発熱体 ８０１：反応容器 ８０２：電力分割部 ８０３：高周波電極 ８０４：基体 ８０５：ホルダー ８０６：ガス供給配管 ８０７：高周波電源 ８０８：マッチングボックス ８０９：排気口 ８１０、８１１：反射部 ９０３：反射部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田澤 大介 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 細井 一人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 秋山 和敬 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大塚 崇志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA00 EA24 EA30 EA36 4K030 AA06 BA30 CA02 CA06 FA03 KA05 LA17 5F045 AB04 AC01 AC08 AC16 AC19 AD06 AE15 AE17 AE19 AF10 BB02 CA16 DA52 DP15 DP27 DQ05 EF05 EH05 EH14 EH15 EH19 EM09

Claims (47)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】減圧可能な反応容器と、該反応容器中に基
   体を載置するための少なくとも一部が導電性材料で構成
   されたホルダーを備え、高周波電力によって生起された
   プラズマによって、該ホルダーに載置された基体上に真
   空処理を施す真空処理装置において、 前記ホルダー上、または該ホルダー及び該ホルダーに載
   置された基体上に生じる高周波電界定在波の定在波比を
   小さくするための定在波抑制手段を有することを特徴と
   する真空処理装置。
2. 【請求項２】前記定在波抑制手段が、前記ホルダー上を
   伝播する高周波電界に対して実質的に反射部として作用
   する部位を、前記ホルダーに少なくとも1つ設けて構成
   されていることを特徴とする請求項１に記載の真空処理
   装置。
3. 【請求項３】前記反射部として作用する部位が、前記ホ
   ルダーの基体非設置部に設けられていることを特徴とす
   る請求項２に記載の真空処理装置。
4. 【請求項４】前記反射部として作用する部位は、インピ
   ーダンスが前記ホルダーの他の領域と異なるようにした
   構造を有していることを特徴とする請求項２〜３に記載
   の真空処理装置。
5. 【請求項５】前記反射部として作用する部位の構造が、
   コンデンサ構造であることを特徴とする請求項４に記載
   の真空処理装置。
6. 【請求項６】前記コンデンサ構造の反射部において、該
   反射部を構成する材料が絶縁性材料であることを特徴と
   する請求項５に記載の真空処理装置。
7. 【請求項７】前記絶縁性材料が、アルミナ、窒化アルミ
   ナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、炭化ホウ素より
   選ばれる材料のうちの１つ、または２つ以上の材料で構
   成されていることを特徴とする請求項６に記載の真空処
   理装置。
8. 【請求項８】前記反射部として作用する部位の構造が、
   コイル構造であることを特徴とする請求項４に記載の真
   空処理装置。
9. 【請求項９】前記コイル構造の反射部において、該反射
   部を構成する材料が導電性材料、または他のホルダー領
   域と透磁率が異なる磁性材料であることを特徴とする請
   求項８に記載の真空処理装置。
10. 【請求項１０】前記反射部として作用する部位の最表面
    材料が前記ホルダーの他領域の最表面材料と異なる材料
    によって構成されていることを特徴とする請求項４に記
    載の真空処理装置。
11. 【請求項１１】前記反射部として作用する部位の最表面
    材料が絶縁性材料であることを特徴とする請求項１０に
    記載の真空処理装置。
12. 【請求項１２】前記反射部として作用する部位の最表面
    材料がアルミナ、窒化アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ
    素、炭化珪素、炭化ホウ素より選ばれる材料のうちの１
    つ、または２つ以上の材料で構成されていることを特徴
    とする請求項１１に記載の真空処理装置。
13. 【請求項１３】前記反射部として作用する部位のうち、
    前記ホルダーの端部から最も遠い部位と前記ホルダーの
    端部との最短距離をＲ（ｍ）とするとき、該最短距離Ｒ
    （ｍ）が前記プラズマを生起させるための高周波電力の
    周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項２〜１２のいずれか１項に記載の真空処理装置。
14. 【請求項１４】前記定在波抑制手段が、前記ホルダーに
    前記高周波電力とは異なる第２の周波数の高周波電力を
    供給する手段によって構成されていることを特徴とする
    請求項１に記載の真空処理装置。
15. 【請求項１５】前記第２の高周波電力の周波数をｆ２
    （Ｈｚ）とするとき、該ｆ２（Ｈｚ）が前記プラズマを
    生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対し
    て、 ０．１≦｜ｆ−ｆ２｜／ｆ＜０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項１４に記載の真空処理装置。
16. 【請求項１６】前記プラズマを生起させるための高周波
    電力と前記第２の高周波電力とにおいて、これらの電力
    比率に関して前記プラズマを生起させるための高周波電
    力の電力をＰ、前記第２の高周波電力の電力をＰ２とす
    るとき、 ０．０１≦（Ｐ２／Ｐ）≦０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項１４に記載の真空処理装置。
17. 【請求項１７】前記高周波電力は、周波数が５０ＭＨｚ
    以上、４５０ＭＨｚ以下とされていることを特徴とする
    請求項１〜１６のいずれか１項に記載の真空処理装置。
18. 【請求項１８】前記基体は、筒状または柱状であること
    を特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の真
    空処理装置。
19. 【請求項１９】前記ホルダーにおいて、該ホルダーの端
    部間を結ぶ線路のうち最も長いものの長さをＬ（ｍ）と
    するとき、該ホルダーの長さＬ（ｍ）が前記プラズマを
    生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対し
    て、 Ｌ＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項１〜１８のいずれか１項に記載の真空処理装置。
20. 【請求項２０】前記基体において、該基体の最長部の長
    さをｌ（ｍ）とするとき、該基体の長さｌ（ｍ）が前記
    プラズマを生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈ
    ｚ）に対して、 ｌ＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項１〜１９のいずれか１項に記載の真空処理装置。
21. 【請求項２１】前記真空処理装置が、電子写真用感光体
    形成装置であることを特徴とする請求項１〜２０のいず
    れか１項に記載の真空処理装置。
22. 【請求項２２】減圧可能な反応容器中に、少なくとも一
    部が導電性材料で構成されたホルダー上に載置された基
    体を設置し、高周波電力によって生起されたプラズマを
    用いて該基体上に真空処理を施す真空処理方法におい
    て、 前記ホルダー上、または該ホルダー及び該基体上に生じ
    る高周波電界の定在波を抑制して、前記真空処理を施す
    ことを特徴とする真空処理方法。
23. 【請求項２３】前記定在波を抑制するに際して、該ホル
    ダーに、ホルダー上を伝播する高周波電界に対して実質
    的に反射部として作用する部位を少なくとも１つ設けた
    構成のホルダーを用い、前記高周波電界定在波における
    定在波比を小さくして、前記真空処理を施すことを特徴
    とする請求項２２に記載の真空処理方法。
24. 【請求項２４】前記反射部として作用する部位が、前記
    ホルダーの基体非設置部に設けられていることを特徴と
    する請求項２３に記載の真空処理方法。
25. 【請求項２５】前記反射部として作用する部位を、イン
    ピーダンスが前記ホルダーの他の領域と異なるようにし
    た構造として、前記真空処理を施すことを特徴とする請
    求項２３または請求項２４に記載の真空処理方法。
26. 【請求項２６】前記反射部として作用する部位の構造
    が、コンデンサ構造であることを特徴とする請求項２５
    に記載の真空処理方法。
27. 【請求項２７】前記コンデンサ構造の反射部において、
    該反射部を構成する材料が絶縁性材料であることを特徴
    とする請求項２６に記載の真空処理方法。
28. 【請求項２８】前記絶縁性材料が、アルミナ、窒化アル
    ミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化珪素、炭化ホウ素よ
    り選ばれる材料のうちの１つ、または２つ以上の材料で
    構成されていることを特徴とする請求項２７に記載の真
    空処理方法。
29. 【請求項２９】前記反射部として作用する部位の構造
    が、コイル構造であることを特徴とする請求項２５に記
    載の真空処理方法。
30. 【請求項３０】前記コイル構造の反射部において、該反
    射部を構成する材料が導電性材料、または他のホルダー
    領域と透磁率が異なる磁性材料であることを特徴とする
    請求項２９に記載の真空処理方法。
31. 【請求項３１】前記反射部として作用する部位の最表面
    材料が前記ホルダーの他領域の最表面材料と異なる材料
    によって構成されていることを特徴とする請求項２５に
    記載の真空処理方法。
32. 【請求項３２】前記反射部として作用する部位の最表面
    材料が絶縁性材料であることを特徴とする請求項３１に
    記載の真空処理方法。
33. 【請求項３３】前記反射部として作用する部位の最表面
    材料がアルミナ、窒化アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ
    素、炭化珪素、炭化ホウ素より選ばれる材料のうちの１
    つ、または２つ以上の材料で構成されていることを特徴
    とする請求項３２に記載の真空処理方法。
34. 【請求項３４】前記反射部として作用する部位のうち、
    前記ホルダーの端部から最も遠い部位と前記ホルダーの
    端部との最短距離をＲ（ｍ）とするとき、該最短距離Ｒ
    （ｍ）が前記プラズマを生起させるための高周波電力の
    周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項２３〜３３のいずれか１項に記載の真空処理方
    法。
35. 【請求項３５】前記定在波抑制手段が、前記ホルダーに
    前記高周波電力とは異なる第２の周波数の高周波電力を
    供給する手段によって構成されていることを特徴とする
    請求項２２に記載の真空処理方法。
36. 【請求項３６】前記第２の高周波電力の周波数をｆ２
    （Ｈｚ）とするとき、該ｆ２（Ｈｚ）が前記プラズマを
    生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対し
    て、 ０．１≦｜ｆ−ｆ２｜／ｆ＜０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項３５に記載の真空処理方法。
37. 【請求項３７】前記プラズマを生起させるための高周波
    電力と前記第２の高周波電力とにおいて、これらの電力
    比率に関して前記プラズマを生起させるための高周波電
    力の電力をＰ、前記第２の高周波電力の電力をＰ２とす
    るとき、 ０．０１≦（Ｐ２／Ｐ）≦０．５ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項３５に記載の真空処理方法。
38. 【請求項３８】前記高周波電力として、周波数が５０Ｍ
    Ｈｚ以上、４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を用いること
    を特徴とする請求項２２〜３７のいずれか１項に記載の
    真空処理方法。
39. 【請求項３９】前記基体は、筒状または柱状の基体を用
    いることを特徴とする請求項２２〜３８のいずれか１項
    に記載の真空処理方法。
40. 【請求項４０】前記ホルダーにおいて、該ホルダーの端
    部間を結ぶ線路のうち最も長いものの長さをＬ（ｍ）と
    するとき、該ホルダーの長さＬ（ｍ）が前記プラズマを
    生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈｚ）に対し
    て、 Ｌ＞０．０５×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項２２〜３９のいずれか１項に記載の真空処理方
    法。
41. 【請求項４１】前記基体において、該基体の最長部の長
    さをｌ（ｍ）とするとき、該基体の長さｌ（ｍ）が前記
    プラズマを生起させるための高周波電力の周波数ｆ（Ｈ
    ｚ）に対して、 ｌ＞０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項２２〜４０のいずれか１項に記載の真空処理方
    法。
42. 【請求項４２】前記真空処理装置が、電子写真用感光体
    形成装置であることを特徴とする請求項２２〜４１のい
    ずれか１項に記載の真空処理方法。
43. 【請求項４３】減圧可能な反応容器中において高周波電
    力が供給されプラズマ処理される基体に接して設けられ
    る少なくとも一部が導電性材料で構成されたホルダーに
    おいて、該ホルダーは該基体上に生じる高周波電界の定
    在波を抑制するための高周波反射部を有することを特徴
    とする基体ホルダー。
44. 【請求項４４】前記反射部として作用する部位の材料が
    前記ホルダーの他領域の材料と異なる材料によって構成
    されていることを特徴とする請求項４４に記載の基体ホ
    ルダー。
45. 【請求項４５】前記反射部として作用する部位の表面材
    料が絶縁性材料であることを特徴とする請求項４４に記
    載の基体ホルダー。
46. 【請求項４６】前記反射部として作用する部位の材料が
    アルミナ、窒化アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素、炭化
    珪素、炭化ホウ素より選ばれる材料のうちの１つ、また
    は２つ以上の材料で構成されていることを特徴とする請
    求項４４または請求項４５のいずれか１項に記載の基体
    ホルダー。
47. 【請求項４７】前記反射部として作用する部位のうち、
    前記ホルダーの端部から最も遠い部位と前記ホルダーの
    端部との最短距離をＲ（ｍ）とするとき、該最短距離Ｒ
    （ｍ）が前記プラズマを生起させるための高周波電力の
    周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、 Ｒ≧０．０１×（３×１０⁸）／ｆ の関係を満たすように構成されていることを特徴とする
    請求項４３〜４６のいずれか１項に記載の基体ホルダ
    ー。