JP2001316829A

JP2001316829A - 真空処理装置および真空処理方法

Info

Publication number: JP2001316829A
Application number: JP2000137277A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Murayama; 仁村山; Daisuke Tazawa; 大介田澤; Kazuyoshi Akiyama; 和敬秋山; Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Takashi Otsuka; 崇志大塚; Kazuto Hosoi; 一人細井; Tatsuyuki Aoike; 達行青池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-05-10
Filing date: 2000-05-10
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】複数箇所に供給された高周波電力を処理容器
内に導入して被処理物を処理する真空処理装置および真
空処理方法において、高周波電源から出力された電力を
均一に、低電力反射率で複数の電力伝送線路に分割可能
とし、低コストで、均一性・安定性の高い真空処理可能
な真空処理装置および真空処理方法を提供する。【解決手段】所定電位に維持された壁面からなる独立
した電力分割用容器１０２内に高周波電力を導入し、電
力分割用容器１０２内の電力分割点１０３で複数の導体
線路１０４により分割し、電力分割用容器１０２外ヘ出
力した後、高周波電極１０６の複数箇所、かつ／または
複数の高周波電極１０６に高周波電力を伝送し、その導
体線路１０４のそれぞれの線路長ｌ（ｍ）は、その高周
波電力の波長をλ（ｍ）に対し、ｌ≧（λ／５０）とな
るように設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス、
電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デ
バイス、光起電力デバイス等における堆積膜形成や、エ
ッチング等に用いられる高周波電力を用いた真空処理装
置と真空処理方法に関する。なお、本発明において真空
処理とは、減圧状態の反応容器内において、被処理対象
物に対し何らかの処理を施すことをいう。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子等の形成に用いられる真空処理方法として、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーテイング法、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、プラズマエッ
チング法等が多数知られており、そのための装置も実用
化されている。

【０００３】例えばプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法
は好適な堆積膜形成手段として実用化されており、例え
ば電子写真用水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ
−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）堆積膜の形成等に利用され、
そのための装置も各種提案されている。

【０００４】このような従来例の堆積膜の形成装置およ
び形成方法について概略を説明する。図１１は第１の従
来例である高周波電力を用いた真空処理装置の模式的構
成図であり、電源としてＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプ
ラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）
による堆積膜形成装置、具体的には電子写真用光受容部
材の形成装置の一例を示す模式的な構成図である。図１
１に示す形成装置の構成は以下の通りである。

【０００５】この装置は大別すると、堆積装置１１０
０、原料ガスの供給装置１１３０、反応容器１１０１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置１１００中の反応容器１１０１内には
真空処理の対象物である円筒状基体１１１２、基体加熱
用ヒーターを内蔵した基体支持体１１１３、原料ガス導
入管１１１４が設置され、さらに高周波マッチングボッ
クス１１１５が反応容器１１０１の一部を構成するカソ
ード電極１１１１に接続されている。カソード電極１１
１１は碍子１１２０によりアース電位と絶縁され、基体
支持体１１１３を通してアース電位に維持されるアノー
ド電極を兼ねた円筒状基体１１１２との間に高周波電圧
が印加可能となっている。

【０００６】原料ガス供給装置１１３０は、ＳｉＨ₄、
ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガ
スのボンベ１１３１〜１１３６と原料ガスボンベバルブ
１１４１〜１１４６、ガス流入バルブ１１５１〜１１５
６、ガス流出バルブ１１６１〜１１６６およびマスフロ
ーコントローラー１１７１〜１１７６とから構成され、
各原料ガスのボンベは補助バルブ１１９１を介して反応
容器１１１１内のガス導入管１１１４に接続されてい
る。

【０００７】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器１１
０１内に円筒状基体１１１２を設置し、不図示の排気装
置（例えば真空ポンプ）により反応容器１１０１内を排
気する。続いて、基体支持体１１１３に内蔵された基体
加熱用ヒーターにより円筒状基体１１１２の温度を２０
０℃乃至３５０℃の所定の温度に加熱制御する。

【０００８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器１１０
１に流入させるには、ガスボンベの原料ガスボンベバル
ブ１１４１〜１１４７、反応容器のリークバルブ１１１
７が閉じられていることを確認し、また、ガス流入バル
ブ１１５１〜１１５６、ガス流出バルブ１１６１〜１１
６６、補助バルブ１１９１が開かれていることを確認し
て、まずメイン排気バルブ１１１８を開いて反応容器１
１０１およびガス配管内１１１６を排気する。

【０００９】次に真空計１１１９の読みが約７×１０^-4
Ｐａになった時点で補助バルブ１１９１、ガス流入バル
ブ１１５１〜１１５６、ガス流出バルブ１１６１〜１１
６６を閉じる。

【００１０】その後、原料ガスボンベバルブ１１４１〜
１１４６を開いてガスボンベ１１３１〜１１３６より各
ガスを導入し、圧力調整器１１８１〜１１８６により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、ガス流入バ
ルブ１１５１〜１１５６を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー１１７１〜１１７６内に導入す
る。

【００１１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。まず、円筒状基体
１１１２が所定の温度になったところでガス流出バルブ
１１６１〜１１６６のうちの必要なものおよび補助バル
ブ１１９１を徐々に開き、ガスボンベ１１３１〜１１３
６から所定のガスを原料ガス導入管１１１４を介して反
応容器１１０１内に導入する。次にマスフローコントロ
ーラー１１７１〜１１７６によって各原料ガスが所定の
流量になるように調整する。その際、反応容器１１０１
内の圧力が所定の値になるように真空計１１１９を見な
がらメイン排気バルブ１１１８の開口を調整する。内圧
が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電
源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチン
グボックス１１１５、カソード電極１１１１を通じて反
応容器１１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基体１１
１２をアノードとして作用させてグロー放電を生起させ
る。この放電エネルギーによって反応容器内に導入され
た原料ガスが分解され、円筒状基体１１１２上にシリコ
ンを主成分とする所定の堆積膜が形成されるところとな
る。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を
止め、ガス流出バルブ１１６１〜１１６６を閉じて反応
容器ヘのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【００１２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【００１３】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外のガス流出バルブはすべて閉じられていることは言
うまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器１１０
１内、ガス流出バルブ１１６１〜１１６６から反応容器
１１０１に至る配管内に残留することを避けるために、
ガス流出バルブ１１６１〜１１６６を閉じ、補助バルブ
１１９１を開き、さらにメイン排気バルブ１１１８を全
開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

【００１４】膜形成の均一化を図るために、層形成を行
なっている間は、円筒状基体１１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。

【００１５】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。

【００１６】このような、上述の従来のＲＦ帯の周波数
を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置お
よび形成方法に加え、さらには近年、ＶＨＦ帯の高周波
電力を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−Ｐ
ＣＶＤ」と略記する）法が注目を浴びており、これを用
いた各種堆積膜形成の開発も積極的に進められている。
これはＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また
高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高
品質化を同時に達成し得るものと期待されるためであ
る。例えば特開平６−２８７７６０号公報にはａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材の形成に用いる装置および方法
が開示されている。また、複数の電子写真用光受容部材
を同時に形成でき、生産性の極めて高い図１２に示すよ
うな堆積膜形成装置の開発も進められている。

【００１７】図１２は第２の従来例の高周波電力を用い
た真空処理装置の模式的断面図であり、（ａ）は側面断
面図、（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面断面
図である。反応容器１２０１の側面には排気管１２１１
が一体的に形成され、排気管１２１１の他端は不図示の
排気装置に接続されている。反応容器１２０１の中心部
を取り囲む円周上に、堆積膜の形成される６本の円筒状
基体１２０５が互いに平行になるように配置されてい
る。各円筒状基体１２０５は回転軸１２０８によって保
持され、発熱体１２０７によって加熱されるようになっ
ている。モータ１２０９を駆動すると、減速ギア１２１
０を介して回転軸１２０８が回転し、円筒状基体１２０
５がその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっ
ている。

【００１８】６本の円筒状基体１２０５により囲まれた
成膜空間１２０６には原料ガスが原料ガス供給手段１２
１２より供給さる。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源１２０３よ
りマッチングボックス１２０４を経てカソード電極１２
０２より成膜空間１２０６に供給される。この際、回転
軸１２０８を通してアース電位に維持された円筒状基体
１２０５がアノード電極として作用する。

【００１９】このような装置を用いた堆積膜形成は概略
以下のような手順により行なうことができる。まず、反
応容器１２０１内に円筒状基体１２０５を設置し、不図
示の排気装置により排気管１２１１を通して反応容器１
２０１内を排気する。続いて、発熱体１２０７により円
筒状基体１２０５を２００℃〜３００℃程度の所定の温
度に加熱制御する。

【００２０】円筒状基体１２０５が所定の温度となった
ところで、原料ガス供給手段１２１２を介して、原料ガ
スを反応容器１２０１内に導入する。原料ガスの流量が
設定流量となり、また、反応容器１２０１内の圧力が安
定したのを確認した後、ＶＨＦ電源１２０３よりマッチ
ングボックス１２０４を介してカソード電極１２０２ヘ
所定のＶＨＦ電力を供給する。これにより、カソード電
極１２０２とアノード電極を兼ねた円筒状基体１２０５
との間にＶＨＦ電力が導入され、円筒状基体１２０５で
囲まれた成膜空間１２０６にグロー放電が生起し、原料
ガスは励起解離されて円筒状基体１２０５上に堆積膜が
形成される。

【００２１】所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＶＨＦ
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
によって、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【００２２】堆積膜形成中、回転軸１２０８を介して円
筒状基体１２０５をモータ１２０９により所定の速度で
回転させることにより、円筒状基体表面全周に渉って堆
積膜が形成される。

【００２３】また、特開平８−２５３８６５号において
は、複数の電極を用いて複数の基体上に同時に堆積膜を
形成する技術が開示されており、生産性の向上、堆積膜
特性の均一性向上の効果を得ることができることが示さ
れている。このような装置形態は、例えば図１３のよう
な装置で実現可能である。

【００２４】図１３は第３の従来例の高周波電力を用い
た真空処理装置の模式的断面図であり、（ａ）は側面断
面図、（ｂ）は平面断面図である。反応容器１３０１の
上面には排気口１３１１が一体的に形成され、排気口１
３１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。反
応容器１３０１中には、堆積膜の形成される複数の円筒
状基体１３０５が互いに平行になるように配置されてい
る。各円筒状基体１３０５は軸１３０８によって保持さ
れ、発熱体１３０７によって加熱されるようになってい
る。必要に応じて、不図示のモータ等の駆動手段によ
り、軸１３０８を介して円筒状基体１３０５を自転させ
るようになっている。

【００２５】ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源１３０３よりマッ
チングボックス１３０４を経てカソード電極１３０２よ
り反応容器１３０１内に供給される。この際、軸１３０
８を通してアース電位に維持された円筒状基体１３０５
がアノード電極として作用する。

【００２６】原料ガスは、反応容器１３０１内に設置さ
れた不図示の原料ガス供給手段により、反応容器１３０
１内に供給される。

【００２７】このような装置を用いた堆積膜の形成は図
１２に示した堆積膜形成装置の場合と同様の手順により
行なうことができる。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の方
法および装置によって、良好な堆積膜形成、即ち真空処
理がなされている。しかしながら、より良好な真空処理
の実現を目指す上では更なる工夫の余地が存在する。

【００２９】その１つとして、真空処理の均一性向上が
挙げられる。これは、生産性向上のためには大面積一括
処理が必要であり、そのためには処理精度向上が要求さ
れるためである。そして、その要求レベルは年々高まる
ため、単に処理条件の適正化で対処していくには限界が
あり、処理装置および処理方法そのものに関する何らか
の根本的対策や改善が強く求められている。

【００３０】このような状況下において、真空処理に用
いられる高周波電力の均一供給に関する対策や改善は極
めて重要な意味を持ち、これまでにもさまざまな検討が
なされてきた。例えば、高周波電極上の複数点ヘ電力供
給する方法や高周波電極を複数化する方法等が挙げられ
る。

【００３１】具体的には、特開平８−３２５７５９号公
報には高周波電極上の複数の電力供給個所ヘ高周波電力
を印加する技術が開示されており、さらにはプラズマ均
一化に適した電極形状についても技術開示がなされてい
る。また、特開平９−３１０１８１号公報には複数の電
極を用いたプラズマ均一化法が示されている。

【００３２】これらの技術により、真空処理に用いるプ
ラズマの均一化、さらには真空処理そのものの均一化は
大きく前進した。しかしながら、このような高周波電極
上の複数点ヘ電力供給する方法、高周波電極を複数化す
る方法においては、複数の各電力供給個所ヘ均等に電力
を供給することが必要となる。この電力の均等供給が達
せられなければ、上記のような複数箇所ヘの電力供給、
電極の複数化等を行っても、その効果を十分に発揮する
ことが困難となってしまう。

【００３３】電力の均等供給を行う最も簡易な手段は、
各電力供給個所ごと、あるいは各高周波電極ごとに、独
立した高周波電源を設置し、各々独立に電力制御するこ
とであるが、この手段においては、１つの真空処理装置
に必要とされる高周波電源の数が複数となり、真空処理
装置のコストが増大してしまう。特に、高精度での均一
化を達成しようと、電力供給個所、高周波電極数を多く
した際には、それと同数の高周波電源を必要とすること
になり、コスト増大はより大きなものとなってしまう。

【００３４】そこで、従来一般的には、１つの高周波電
源から出力された電力を、マッチングボックスを経た
後、複数の電力伝送線路により分割し、複数の電力供給
個所や複数の電極ヘ供給する方法がとられてきた。しか
しながら、この方法においては、電力の均等分割そのも
のの精度に改善の余地が残されているのが現状であり、
場合によっては上述したように、電力の均等分割の精度
が不十分なために、真空処理の均一性も不十分になって
しまうということがあった。

【００３５】また、このような電力分割手段において
は、場合によって、電力分割点での電力反射率が高く、
マッチングボックスと電力分割点の間に高い高周波エネ
ルギーが蓄えられてしまい、比較的大電力を用いる真空
処理装置においては、この高周波エネルギーによる誘電
加熱によりマッチングボックスと電力分割点の間の電力
伝送線路が損傷してしまうこともあった。電力分割点で
の電力反射の問題は、理論上は電力分割前後での伝送線
路インピーダンスを等しくする、あるいは、分割前後で
インピーダンスが異なる場合でもその間のインピーダン
ス変化を徐々に行うといった手段で解決することが可能
である。しかしながら、このような手段においては、電
力分割点およびその前後での伝送線路形状、使用材質等
を極めて正確に設計・製作する必要がある。特に、比較
的大きな電力を用いる真空処理装置においては、そこに
使用可能な材料は制限される場合が多く、正確な製作と
いう点や、材料コスト、製作コスト等に課題が生じる場
合が多かった。

【００３６】このようなことから、処理容器内に高周波
電力を導入して被処理物を処理する真空処理装置および
真空処理方法において、高周波電源から出力された電力
を均一に、かつ低電力反射率で複数の電力伝送線路に分
割する手段を低コストで実現することが強く求められて
いた。

【００３７】本発明は上記課題の解決を目的とするもの
である。即ち、本発明の目的は、複数箇所に供給された
高周波電力を処理容器内に導入して被処理物を処理する
真空処理装置および真空処理方法において、高周波電源
から出力された電力を均一に、低電力反射率で複数の電
力伝送線路に分割可能とし、低コストで、均一性・安定
性の高い真空処理が可能な真空処理装置および真空処理
方法を提供することにある。

【００３８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく鋭意検討を行った結果、電力分割部の構成、
および分割後の電力伝送線路と使用する高周波電力波長
との関係を特定のものとすることにより、電力を均一
に、低電力反射率で複数の電力伝送線路に容易に分割可
能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。

【００３９】本発明の真空処理装置は、高周波電極の複
数箇所および複数の高周波電極の少なくとも何れかに供
給された高周波電力を用いて被処理物を処理する真空処
理装置において、真空処理装置は、独立した電力分割容
器を備え、電力分割容器の壁面は所定の電位に維持さ
れ、電力分割容器内の電力分割点に高周波電源から供給
された高周波電力は、その電力分割点でその電力分割容
器内に設けられた複数の導体線路により分割され、処理
容器内に供給するためにその電力分割用容器外ヘ出力さ
れ、複数の導体線路の各々の線路長がいずれも高周波電
力の波長に対し、その高周波電力を均一に低電力反射率
で分割するための所定の条件で設定されている。

【００４０】複数の導体線路の各々の線路長ｌ（ｍ）が
いずれも、高周波電力の波長λ（ｍ）に対し、ｌ≧（λ
／５０）を満たす条件で設定されることが好ましく、ｌ
≧（λ／３０）を満たす条件で設定されることが更に好
ましい。

【００４１】電力分割用容器内における電力分割点ヘの
高周波電力供給が導体線路によりなされていたり、複数
に分割された導体線路が、いずれも同一の形状で同一の
長さであったり、複数に分割された導体線路は、電力分
割点を通るいずれかの直線を軸として、回転対称に設置
されていることにより、より好適な効果が得られる。

【００４２】さらに、電力分割用容器の内部の体積Ｖ
（ｍ³）が、電力分割用容器内に導入される高周波電力
の出力Ｐ（Ｗ）と、（Ｐ／Ｖ）≦１×１０⁷（Ｗ／
ｍ³）を満たす条件で設定されていたり、電力分割用容
器が処理容器の高周波電極が設置される空間に隣接して
配設されていたり、高周波電力の周波数が５０〜４５０
ＭＨｚであることが好ましい。

【００４３】本発明の真空処理方法は、高周波電極の複
数箇所および複数の高周波電極の少なくとも何れかに供
給された高周波電力を用いて被処理物を処理する真空処
理方法において、高周波電力出力源から出力された高周
波電力を、所定の電位に維持された壁面を有する電力分
割用容器内に導入し、導入された高周波電力を、その電
力分割用容器内の電力分割点で、その電力分割用容器内
に設けられ、各々の線路長がいずれもその高周波電力の
波長に対し、その高周波電力を均一に低電力反射率で分
割するための所定の条件で設定されている複数の導体線
路によって分割し、複数の導体線路によって分割された
高周波電力を、電力分割用容器外ヘ出力して高周波電極
の複数箇所および複数の高周波電極の少なくとも何れか
に供給する。

【００４４】高周波電力の分割が、各々の線路長ｌ
（ｍ）がいずれも、高周波電力の波長λ（ｍ）に対し、
ｌ≧（λ／５０）であることが好ましく、ｌ≧（λ／３
０）を満たす条件で設定されている複数の導体線路によ
って行われることが更に好ましい。

【００４５】このような本発明によれば、複数箇所に供
給された高周波電力を処理容器内に導入して、被処理物
を処理する真空処理方法において、高周波電源から出力
された電力を均一に、低電力反射率で複数の電力伝送線
路に分割可能となり、均一性・安定性の高い真空処理が
低コストで可能となる。

【００４６】

【発明の実施の形態】本発明においては、所定電位に維
持された壁面で構成された電力分割用容器を設け、高周
波電源から出力された高周波電力をこの電力分割用容器
内に供給する。電力分割用容器内において高周波電力
は、任意の電力伝送線路により、電力分割点まで導かれ
る。電力分割点において、電力伝送線路は複数の導体線
路に分割されており、高周波電力は各々の導体線路に分
割されるところとなる。分割された高周波電力は、電力
分割用容器外に出力され、電力伝送線路により、または
直接に高周波電極上の電力供給点に供給される。本発明
において、電力分割点で高周波電力を分割する導体線路
の電力分割用容器内での各々の長さｌ（ｍ）はいずれ
も、高周波電力の波長をλ（ｍ）として、所定の条件で
設定されることが特徴であるが、ｌ≧（λ／５０）とすることが好ましい。このような構成、導体線路長と
することで、高周波電力は均一に、低電力反射率で複数
の電力伝送線路に分割可能となる。

【００４７】なお、本発明において、導体線路とは少な
くともその表面の一部を高周波が伝送可能なものをい
う。即ち、導体が表面の少なくとも一部で高周波伝送方
向に連続的に形成されているものであればよく、従っ
て、全体が導体で形成されていてもよいし、絶縁性材料
表面の一部に導体領域を設けたものでもよい。また、そ
の形状に関しては特に制限はなく、線状、柱状、板状等
いずれの形状でもよい。

【００４８】電力分割用容器内の導体線路長ｌは、導体
領域の最短経路長をさす。この電力分割用容器内の導体
線路長ｌをｌ≧（λ／５０）とすることで、電力が均一に分割され、また、電力反射
率が低く抑えられる理由については、現在のところ明ら
かではないが、推察するに電力分割後の導体線路が電力
分割用容器内でアンテナのごとく作用することに起因し
ているのではないかと考えられる。電力分割後の導体線
路はその少なくとも表面の一部を高周波が伝送するた
め、そこから電力分割用容器内に高周波の放出が生じ、
電力分割用容器内には高周波電力が蓄えられる。また、
逆に、電力分割用容器内に蓄えられた高周波電力は、ア
ンテナとして作用する導体線路に取り込まれるという、
電力の放出・取り込みが電力分割用容器内において並行
して生じているものと考えられる。もし、分割後の電力
にばらつきがあった場合、導体線路からの高周波放出
は、電力の大きい導体線路からは多く、電力の小さい導
体線路からは少なく放出されるため、結果として各導体
線路を伝送される高周波電力は均等化の方向に作用する
ものと考えられる。

【００４９】また、電力反射率の低減に関しても、電力
分割点での反射率が高い場合、電力分割点とそこに電力
を供給する入力側伝送線路に大電力が蓄えられることに
なる。この結果、電力分割点近傍での高周波電界が高ま
り、電力分割用容器内ヘの高周波電力放出量が高まり、
結果として電力反射率が低減の方向に作用しているので
はないかと考えている。

【００５０】本発明においては、電力均等分割、電力反
射率低減の効果が、高周波電力の波長をλ（ｍ）、導体
線路長をｌ（ｍ）として、ｌ≧（λ／５０）の条件下において好適に得られる。さらに、ｌ≧（λ／３０）の条件下において、上記効果がより好適に得られる。こ
れは、上記条件下において、上述した作用が好適に引き
出された結果によるものと考えられる。

【００５１】本発明において、電力分割用容器内で均等
に分割された高周波電力は、高周波電極の複数箇所、か
つ／または複数の高周波電極に供給されることとなる
が、高周波電極上の高周波電力供給点、高周波電極の数
・形状等は、例えば特開平８−３２５７５９号公報や特
開平９−３１０１８１号公報に示されているような、従
来公知の技術を適宜選択すればよい。

【００５２】本発明における電力分割用容器は所定電位
に維持された壁面により構成されるがこの壁面は完全に
面状である必要はなく、電力分割容器内に導入された高
周波電力が実質的に容器外部に漏洩しない構成のもので
あればよく、例えば、導電性のメッシュ等により形成さ
れていてもよい。また、本発明において、電力分割用容
器により形成される電力分割空間と高周波電極が設置さ
れる空間とは別個のものとする。これは、電力分割容器
内に高周波電極を設置した場合、何らかのきっかけ、例
えば真空処理容器中のプラズマのゆらぎ等で高周波電極
上に電界の不均一分布が一時的に生じた際に、その影響
が電力分割に顕著に反映されてしまうことがあるためで
ある。高周波電極上の不均一電界の影響を受けて電力分
割が不均衡になると、これによりさらに高周波電極上の
電界を不均一化し、それが再び、さらに強く電力分割に
影響を及ばすという悪循環に陥る場合がある。このよう
な状況を防止し、安定して均等な電力分割を行うため
に、本発明においては、電力分割用容器により形成され
る電力分割空間と高周波電極が設置される空間は別個の
ものとするものである。電力分割用容器の形状に関して
は特に制限はなく適宜決定すればよい。

【００５３】また、本発明においては、電力分割用容器
内における電力分割点ヘの高周波電力供給が導体線路に
よりなされる構成とすることで、本発明の効果、特に電
力分割点での電力反射率低減効果がより顕著に現れる。
これは、電力分割点近傍からの高周波電力放出量が増大
することによるものと考えられる。

【００５４】本発明においては、電力均等分割の効果を
より顕著に得るために、電力分割後の導体線路をすべて
同一の形状で同一の長さとすることが効果的である。ま
た、導体線路を電力分割点を通るいずれかの直線を軸と
して、回転対称に設置することが効果的である。これら
は、導体線路から電力分割用容器内ヘの高周波電力放出
量の均一化、電力分割用容器内から導体線路ヘの高周波
電力の取り込み量を均一化するという作用によるものと
考えられる。

【００５５】本発明においては、電力分割用容器内に導
入される電力をＰ（Ｗ）、電力分割用容器内の体積をＶ
（ｍ³）として、（Ｐ／Ｖ）≦１×１０⁷ （Ｗ／ｍ³）とすることが、より効果的である。これは、電力密度が
高すぎると、電力分割用容器内壁の表面状態や形状等の
影響により、電力が局所的に集中しやすくなり、電力分
割容器内での電力分布に不均衡が生じるためではないか
と推察している。

【００５６】また、本発明においては、電力分割用容器
は高周波電極が設置される空間に隣接していることが好
ましい。電力分割用容器と高周波電極が設置される空間
とが離れている場合、分割された高周波電力は、その間
の電力伝送線路特性のばらつきにより、高周波電極到達
時点でばらつきを生じてしまう可能性がある。電力分割
用容器と高周波電極が設置される空間が隣接することに
より、電力分割用容器と高周波電極間で生じる可能性の
ある電力ばらつきは最小限に抑えられ、電力分割用容器
内でなされた電力均等分割が高周波電極ヘの電力供給に
顕著に反映される。

【００５７】本発明においては、高周波電極が複数であ
る場合により顕著な効果を得ることができる。均等に分
割された電力が複数の電極を介して、処理容器内ヘ均等
に放出されるためである。

【００５８】さらに本発明は、高周波電力の周波数が５
０〜４５０ＭＨｚの範囲において特に効果的である。こ
れは周波数が５０ＭＨｚ以上の高周波においては、高周
波電極上で、その高周波の波長に応じた電界強度分布が
顕在化してくるためと考えられ、このような周波数帯の
高周波を用いた真空処理装置において、本発明によって
達成される均等に分割された高周波電力を高周波電極上
の複数箇所、かつ／または、複数の電極に供給すること
による電界強度分布均一化の効果が顕著に現れるものと
考えられる。また、周波数が４５０ＭＨｚ以下で本発明
の効果が顕著化する理由については定かではないが、４
５０ＭＨｚよりも高い周波数においては、真空処理が不
均一化する原因として、高周波電力の不均一化のほかに
何らかの作用もまた混在しているためではないかと推察
している。

【００５９】また、本発明は真空処理が電子写真感光体
の形成である場合に、より効果的となる。電子写真感光
体は一般に数十μｍ程度の堆積膜形成を必要とするた
め、真空処理時間が比較的長くなる。このため、電力分
割点での電力反射率が高いと、前述したマッチングボッ
クスと電力分割点の間での高周波エネルギーによる誘電
加熱が長時間に渉ってなされ、マッチングボックスと電
力分割点の間の電力伝送線路に損傷を及ばす可能性が高
まる。従って、このような電子写真感光体の形成に本発
明を用い、電力分割点での電力反射率を低減することは
極めて効果的となる。

【００６０】このような効果が得られる本発明の実施の
形態を以下で図を用いて詳述する。

【００６１】図１は本発明の第１の実施の形態の高周波
電力を用いた真空処理装置の模式的断面図であり（ａ）
は側面断面図、（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う
平面断面図、（ｃ）は（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う平
面断面図である。

【００６２】図１において、１０１は少なくとも一部が
絶縁性部材で形成された処理容器であり、処理容器１０
１内には処理対象である円筒状の基体１１０が設置さ
れ、さらには基体１１０を所望の温度に制御するための
温度制御装置１１１、および処理容器１０１内に真空処
理用ガスを供給するためのガス供給管１１２が設けられ
ている。処理容器１０１の外部には処理容器１０１内に
高周波電力を導人するための高周波電極１０６が設けら
れ、それを囲むように、外部ヘの高周波電力の漏洩を防
止するための高周波シールド容器１０９が設けられてい
る。高周波電極１０６ヘの高周波電力の供給は、高周波
電源１０７より出力された高周波電力をマッチングボッ
クス１０８を介して、電力分割用容器１０２内に導き、
電力分割用容器１０２内で複数に分割した後、高周波電
極１０６ヘ供給することによりなされる。電力分割用容
器１０２内に入力された高周波電力は、まず、電力伝送
線路１０５により電力分割点１０３に供給され、ここで
複数の導体線路１０４により複数に分割された後、電力
分割用容器１０２外ヘ出力される。電力分割点１０３で
複数に分割された導体線路１０４は、いずれもその長さ
ｌ（ｍ）が、高周波電力の波長λ（ｍ）に対して、ｌ≧（λ／５０）となるよう設定されている。

【００６３】基体１１０はモータ１１５により、ギア１
１６、回転軸１１４を介して回転可能となつている。

【００６４】このような真空処理装置を用いた真空処理
方法は、例えば電子写真感光体の形成を行う場合、概略
以下のようにして行うことができる。

【００６５】まず、処理容器１０１内に処理対象となる
円筒状の基体１１０を設置し、不図示の排気装置（例え
ば真空ポンプ）により排気口１１３より処理容器１０１
内を排気する。続いて、温度制御装置１１１により基体
１１０の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制
御する。

【００６６】基体１１０の温度が所定の温度になったと
ころで、ガス供給管１１２を介して、原料ガスを処理容
器１０１内ヘ供給する。原料ガスの流量が設定流量とな
り、また、処理容器１０１内の圧力が安定したのを確認
した後、高周波電源１０７よりマッチングボックス１０
８、電力分割用容器１０２を介して高周波電極１０６ヘ
所定の高周波電力を供給する。この際、高周波電力は電
力分割用容器１０２内の電力分割点１０３で複数の導体
線路１０４により分割された後、電力分割用容器１０２
外に出力される。

【００６７】高周波電力はカソード電極となる高周波電
極１０６より処理容器１０１内に導入され、回転軸１１
４を通じてアース電位に維持された基体１１０をアノー
ド電極として処理容器１０１内にグロー放電を生じる。
このグロー放電により原料ガス供給管１１２より処理容
器１０１に供給された原料ガスは励起解離し、基体１１
０上に堆積膜が形成される。

【００６８】所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波
電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆
積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合
には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層の
形成工程の間においては、上述したように１つの層の形
成が終了した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガ
ス流量、圧力に設定が変更された後、再度放電を生起し
て次層の形成を行なってもよいし、あるいは、１つの層
の形成終了後一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を
次層の設定値に徐々に変化させることにより連続的に複
数層を形成してもよい。

【００６９】堆積膜形成中、必要に応じて、回転軸１１
４、ギア１１６を介して基体１１０をモータ１１５によ
り所定の速度で回転させてもよい。

【００７０】以上、プラズマＣＶＤ薄膜形成法を用いた
電子写真感光体形成装置および形成方法を例にとって本
発明の実施の形態の説明を行ってきたが、本発明はこれ
に限ったものではなく、例えばエッチング、イオン注入
等の他の真空処理工程、あるいは、スパツタリング法、
熱ＣＶＤ法等の他の真空処理方法にも用いることができ
る。

【００７１】このような本発明を用いることにより、例
えば図２に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材
が形成可能である。

【００７２】図２は、ａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材
の層構成を説明するための模式的構成図である。

【００７３】（ａ）に示す電子写真用感光体２００は、
支持体２０１の上にａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性
を有する光導電層２０２が設けられている。

【００７４】（ｂ）に示す電子写真用感光体２００は、
支持体２０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電
性を有する光導電層２０２と、アモルファスシリコン系
表面層２０３とから構成されている。

【００７５】（ｃ）に示す電子写真用感光体２００は、
支持体２０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電
性を有する光導電層２０２と、アモルフアスシリコン系
表面層２０３と、アモルフアスシリコン系電荷注入阻止
層２０４とから構成されている。

【００７６】（ｄ）に示す電子写真用感光体２００は、
支持体２０１の上に、光導電層２０２が設けられてい
る。その光導電層２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電
荷発生層２０５ならびに電荷輸送層２０６とからなり、
その上にアモルフアスシリコン系表面層２０３が設けら
れている。

【００７７】[実験例]以下、実験例により本発明の内容
および効果をさらに詳しく説明する。

【００７８】（実験例１）図３に示した装置を用いて、
本発明の効果が得られる条件について実験を行った。図
３は本発明の高周波電力を用いた真空処理試験装置の模
式的構成図であり、図中符号３０１は高周波電源、３０
２はマッチングボックス、３０３は電力分割用容器、３
０４は電力分割点、３０５は導体線路、３０６は電力伝
送線路、３０７は人射・反射電力計、３０８は無反射終
端、３０９および３１０は入射・反射電力計である。高
周波電源３０１より出力された高周波電力は、入射・反
射電力計３１０、マッチングボックス３０２、入射・反
射電力計３０９を介して電力分割用容器３０３内に導入
される。電力分割用容器３０３内に導入された高周波電
力は、電力伝送線路３０６により電力分割点３０４に供
給された後、４方向に設置された導体線路３０５により
分割された後、電力分割用容器３０３外ヘ出力される。
電力分割用容器３０３外ヘ出力された高周波電力は人射
・反射電力計３０７を通って無反射終端３０８に到達
し、そこで吸収消費される。

【００７９】このような装置を用いて、高周波電源３０
１より５００Ｗの高周波電力を出力し、電力分割用容器
３０３内の導体線路３０５の長さを変化させて、以下の
測定を行った。まず、マッチングボックス３０２と電力
分割容器３０３の間に設置した入射・反射電力計３０９
を用いて、電力分割用容器３０３での電力反射率を測定
した。同時に、入射・反射電力計３０７により、電力分
割用容器３０３から分割して出力された高周波電力の各
々の値を測定した。

【００８０】高周波電力の周波数は５０ＭＨｚ、１００
ＭＨｚ、２５０ＭＨｚとし、マッチングボツクス３０２
により、マッチングボックス３０２の入力側から電力分
割用容器３０３側を見た反射電力が０Ｗとなるように、
即ち入射・反射電力計３１０の反射電力指示値が０Ｗと
なるように調整した。

【００８１】電力分割用容器３０３は厚さ３ｍｍのアル
ミ製の円筒状容器とし、高さは導体線路３０５の長さに
応じて変化させ、内径は容器内の体積が常に一定になる
よう調整した。電力分割用容器３０３ヘの電力導入部
は、円筒状容器の上部中央に直径１０ｍｍの開口部を設
け、そこに外径９．８ｍｍ、内径２．２ｍｍ、のアルミ
ナ部材を設置、さらにその中央に、外径２ｍｍの銅製の
円柱を設置する構成とした。アルミナ部材は電力分割用
容器３０３の外部に２ｍｍ突出しており、外部に突出し
た部分は、アルミナ部材に密着するように設けられ電力
分割用容器３０３と導通されたアルミ板により覆った。
複数に分割された高周波電力の電力分割用容器３０３か
らの電力出力部は円筒状容器下面に対称に４個所設け
た。電力出力部の具体的構成は電力導入部と同様とし
た。

【００８２】電力分割用容器３０３に導入する高周波電
力は、電力導入部の銅製円柱に供給される。銅製円柱は
電力分割用容器３０３内の電力分割点３０４まで一体的
に形成されている。

【００８３】実験結果を図４、図５に示す。図４は（高
周波電力の波長λ（ｍ）／導体線路長ｌ（ｍ））に対す
る電力分割用容器３０３での電力反射率を示した結果、
図５は（高周波電力の波長λ（ｍ）／導体線路長ｌ
（ｍ））に対する出力電力のばらつきを示した結果であ
る。出力電力のばらつきは、（４個所の出力電力の最大
値−４個所の出力電力の最小値）で評価した。図４よ
り、λ／ｌ≦５０の範囲、即ちｌ≧（λ／５０）の範囲
において、電力分割用容器３０３での電力反射率低減効
果が得られ、特に、λ／ｌ≦３０の範囲、即ちｌ≧（λ
／３０）の範囲において顕著な効果が得られることが確
認された。また、図５より、λ／ｌ≦５０の範囲、即ち
ｌ≧（λ／５０）の範囲において、出力電力のばらつき
が抑制され、高周波電力の均等分割が良好になされるこ
とが確認され、特に、λ／ｌ≦３０の範囲、即ちｌ≧
（λ／３０）の範囲において顕著な効果が得られること
が確認された。

【００８４】（実験例２）図３に示した装置を用い電力
分割用容器３０３内に導人する高周波電力の出力を変化
させて、電力分割用容器３０３での電力反射率、および
電力分割用容器３０３から分割して出力された高周波電
力のばらつきを測定した。この際、電力分割用容器３０
３の高さを３０ｍｍ、８０ｍｍ、１３０ｍｍと変えるこ
とで、電力分割用容器３０３内の体積を変化させ、各々
の条件毎に測定を行った。電力分割用容器３０３の内径
は６０ｍｍ、導体線路３０５の長さはそれぞれ３０ｍ
ｍ、高周波電力の周波数は４００ＭＨｚとした。（高周
波電力の波長λ（ｍ）／導体線路長ｌ（ｍ））は２５で
ある。

【００８５】実験結果を図６、図７に示す。図６は電力
分割用容器３０３内に導入される電力をＰ（Ｗ）、電力
分割用容器３０３内の体積をＶ（ｍ³）として、（Ｐ
（Ｗ）／Ｖ（ｍ³））に対する電力分割用容器３０３で
の電力反射率を示した結果、図７は（Ｐ（Ｗ）／Ｖ（ｍ
³））に対する出力電力のばらつきを示した結果であ
る。出力電力のばらつきは、（４個所の出力電力の最大
値−４個所の出力電力の最小値）で評価した。図６よ
り、（Ｐ／Ｖ）≦１×１０⁷（Ｗ／ｍ³）の範囲におい
て、特に良好な電力反射率低減効果が得られ、また、図
７より出力電力ばらつき抑制効果も高いことが確認され
た。

【００８６】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるもので
はない。

【００８７】（実施例１）図８に示す堆積膜形成装置を
用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニ
ウムシリンダー上に、表１に示す条件でａ−Ｓｉ堆積膜
を形成した。図８は本発明の実施例１の真空処理装置で
ある堆積膜形成装置の模式的断面図であり、（ａ）は側
面断面図、（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面
断面図、（ｃ）は（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う平面断
面図である。

【００８８】図８において、符号８０１は減圧可能な処
理容器であり、処理容器８０１内には、円筒状アルミニ
ウムシリンダーである基体８１０が設置され、さらには
円筒状アルミニウムシリンダーである基体８１０を所望
の温度に制御するための温度制御装置８１１、および処
理容器８０１内に真空処理用ガスを供給するためのガス
供給管８１２、高周波電極８０６が設けられている。高
周波電極８０６ヘの高周波電力の供給は、高周波電源８
０７より出力された高周波電力がマッチングボックス８
０８を介して、電力分割用容器８０２内に導かれ、電力
分割用容器８０２内で複数に分割された後、高周波電極
８０６ヘ供給される。電力分割用容器８０２内に入力さ
れた高周波電力は、まず、電力伝送線路８０５により電
力分割点８０３に供給され、ここで４本の導体線路８０
４により４分割された後、電力分割用容器８０２外ヘ出
力される。電力分割用容器８０２は、厚さ３ｍｍのアル
ミ製の円筒状容器とし、内径は３００ｍｍ、高さは１５
０ｍｍとした。電力分割用容器８０２ヘの電力導入部
は、円筒状容器の上部中央に直径２０ｍｍの開口部を設
け、そこに外径１９．８ｍｍ、内径５．２ｍｍ、のアル
ミナ部材を設置、さらにその中央に、外径５ｍｍの銅製
の円柱を設置する構成とした。アルミナ部材は電力分割
用容器８０２の外部に２ｍｍ突出しており、外部に突出
した部分は、アルミナ部材に密着するように設けられ電
力分割用容器８０２と導通されたアルミ板により覆っ
た。複数に分割された高周波電力の電力分割用容器８０
２からの電力出力部は円筒状容器下面に対称に４個所設
けた。電力出力部の具体的構成は電力導入部と同様とし
た。

【００８９】電力伝送線路８０５、導体線路８０４は共
に外径５ｍｍの銅製円柱からなり、電力伝送線路８０５
の長さは９０ｍｍ、導体線路８０４の長さは各々１４０
ｍｍとした。また、高周波電源８０７の発振周波数は５
５ＭＨｚとした。導体線路８０４の長さｌ（０．１４
ｍ）は高周波電力の波長λ（５．５ｍ）に対して、ｌ≧
（λ／５０）の条件を満たしている。

【００９０】なお、堆積膜の膜厚分布、および堆積膜の
膜質評価用として、円筒状アルミニウムシリンダーの基
体８１０上には、コーニング＃７０５９ガラス基板を円
筒の軸方向中央位置の表面上に周方向に８個所設置し
た。

【００９１】このような装置を用い、以下の具体的手段
により、堆積膜形成を行った。まず、処理容器８０１内
に、表面にガラス基板が配された基体８１０を設置し、
不図示の排気装置により排気口８１３より処理容器８０
１内を排気した。続いて、温度制御装置８１１により基
体８１０上のガラス基板の温度が表１に示した温度とな
るよう制御した。

【００９２】ガラス基板の温度が所定の温度になったと
ころで、ガス供給管８１２を介して、表１に示す原料ガ
スを処理容器８０１内ヘ供給する。原料ガスの流量が表
１に示した条件となり、また、処理容器８０１内の圧力
が表１に示した条件で安定したのを確認した後、高周波
電源８０７よりマッチングボックス８０８、電力分割用
容器８０２を介して高周波電極８０６ヘ表１に示した所
定の高周波電力を供給し、グロー放電により原料ガスを
励起解離し、ガラス基板上に堆積膜を形成した。堆積膜
形成中、基体８１０は回転させなかった。

【００９３】また、マッチングボックス８０８と電力分
割用容器８０２間の電力伝送線路８０５（ＡＮＤＲＥＷ
ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製：ＨＪ５−５０）の表面温度
を表面温度計（横河電機製：モデル２４５５）により測
定した。まず、堆積膜形成開始前の表面温度（初期温
度）を測定した後、堆積膜形成を開始し、表面温度が一
定値で安定したところの温度を飽和温度とした。（（飽
和温度）−（初期温度））の値を昇温値とした。

【００９４】

【表１】

【００９５】（実施例２）実施例１で用いた装置を改造
し、電力伝送線路８０５の長さを２０ｍｍ、導体線路８
０４の長さを各々２１０ｍｍとする以外は実施例１と同
様にして、コーニング＃７０５９ガラス基板上に表１に
示す条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。また、実施例１
と同様にして、マッチングボックス８０８と電力分割用
容器８０２間の電力伝送線路の昇温値を測定した。

【００９６】導体線路８０４の長さｌ（０．２１ｍ）は
高周波電力の波長λ（５．５ｍ）に対して、ｌ≧（λ／
３０）の条件を満たしている。

【００９７】（比較例１）実施例１で用いた装置を改造
し、電力伝送線路８０５の長さを１３０ｍｍ、導体線路
８０４の長さを各々１００ｍｍとする以外は実施例１と
同様にして、コーニング＃７０５９ガラス基板上に表１
に示す条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。また、実施例
１と同様にして、マッチングボックス８０８と電力分割
用容器８０２間の電力伝送線路の昇温値を測定した。導
体線路８０４の長さｌ（０．１０ｍ）は高周波電力の波
長λ（５．５ｍ）に対して、ｌ≧（λ／５０）の条件を
満たしていない。

【００９８】実施例１、実施例２、比較例１で作製した
堆積膜を、以下の具体的評価法により、膜厚ばらつき、
電気特性ばらつきを評価した。（膜厚ばらつき）：得られた堆積膜の膜厚を測定し、そ
のうちで最大のものをｄｍａｘ、最小のものをｄｍｉｎ
として、（（ｄｍａｘ−ｄｍｉｎ）／ｄｍｉｎ）の値を
膜厚ばらつきとした。したがつて、この値が小さい方が
膜厚均一性が高いことを示す。（電気特性ばらつき）：まず、得られた堆積膜表面にＣ
ｒ製の２５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着し、堆積膜
の（（光導電率σｐ）／（暗導電率σｄ））を測定し
た。光導電率σｐは、１ｍＷ／ｃｍ²の強度のＨｅ−Ｎ
ｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）を照射したときの導
電率とした。得られた（（光導電率σｐ）／（暗導電率
σｄ））のうち最大のものをＳＮｍａｘ、最小のものを
ＳＮｍｉｎとして、（ｌｏｇ（ＳＮｍａｘ／ＳＮｍｉ
ｎ））の値を電気特性ばらつきとした。したがって、こ
の値が小さい方が堆積膜の電気特性に関して均一性が高
いことを示す。

【００９９】評価結果を表２に示す。表２においては、
比較例１の結果を基準として、４０％以上の良化を◎、
３０％以上４０％未満の良化を◎〜○、２０％以上３０
％未満の良化を○、１０％以上２０％未満の良化を○〜
△、１０％未満の良化を△、悪化を×で示した。

【０１００】また、マッチングボックス８０８と電力分
割用容器８０２間の電力伝送線路の昇温値についても、
比較例１の結果を基準として、４０％以上の低下を◎、
３０％以上４０％未満の低下を◎〜○、２０％以上３０
％未満の低下を○、１０％以上２０％未満の低下を○〜
△、１０％未満の低下を△、上昇を×として表２中に示
した。

【０１０１】この結果より、導体線路８０４の長さをｌ
（ｍ）、高周波電力の波長をλ（ｍ）として、ｌ≧（λ
／５０）とすることで、堆積膜の膜厚均一性、電気特性
均一性向上の効果が得られることが確認された。特に、
ｌ≧（λ／３０）の条件下においては、より顕著な効果
が得られることが確認された。

【０１０２】また、マッチングボックス８０８と電力分
割用容器８０２間の電力伝送線路の昇温についても、ｌ
≧（λ／５０）とすることで昇温が抑制され、ｌ≧（λ
／３０）の条件下において特にその効果が顕著であるこ
とが確認された。

【０１０３】

【表２】

【０１０４】（実施例３）図１に示した真空処理装置で
ある堆積膜形成装置を図９に示すように改造し、実施例
１と同様にして、コーニング＃７０５９ガラス基板上に
表３に示す条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。また、実
施例１と同様にして、マッチングボックス９０８と電力
分割用容器９０２間の電力伝送線路の昇温値を測定し
た。

【０１０５】図９は本発明の実施例３の真空処理装置で
ある堆積膜形成装置の模式的断面図であり、（ａ）は側
面断面図、（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面
断面図、（ｃ）は（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う平面断
面図である。図９において、電力分割用容器９０２から
出力された高周波電力は、電力伝送線路９１７により高
周波電極９０６に供給される。電力分割用容器９０２は
高さ３０ｍｍであり、内径は５０ｍｍ、８０ｍｍ、１１
０ｍｍ、１４０ｍｍの４種類とした。電力分割用容器９
０２内の体積は各々５．９×１０^-5ｍ³、１．５×１０
^-4ｍ³、２．９×１０^-4ｍ³、４．６×１０^-4ｍ³であ
り、電力分割用容器９０２内の体積をＶ（ｍ³）、電力
分割用容器９０２内に導入される高周波電力１０００Ｗ
をＰ（Ｗ）として、Ｐ／Ｖ（Ｗ／ｍ³）は、各々、１．
７×１０⁷（Ｗ／ｍ³）、６．７×１０⁶（Ｗ／
ｍ³）、３．４×１０⁶（Ｗ／ｍ³）、２．２×１０⁶
（Ｗ／ｍ ³）である。

【０１０６】電力分割用容器９０２内の導体線路９０４
の長さは各々３５ｍｍとした。高周波電力の周波数は３
００ＭＨｚ（波長１ｍ）であり、ｌ≧（λ／３０）の条
件を満たしている。

【０１０７】

【表３】

【０１０８】このようにして作製した堆積膜を、実施例
１と同様の具体的評価法により、膜厚ばらつき、電気特
性ばらつきを評価した。評価結果を表４に示す。表４に
おいては、電力分割用容器９０２の内径５０ｍｍ（Ｖ＝
５．９×１０^-5ｍ³、Ｐ／Ｖ＝１．７×１０⁷（Ｗ／ｍ
³）時の結果を基準として、４０％以上の良化を◎、３
０％以上４０％未満の良化を◎〜○、２０％以上３０％
未満の良化を○、１０％以上２０％未満の良化を○〜
△、１０％未満の良化を△、悪化を×で示した。

【０１０９】また、マッチングボックス９０８と電力分
割用容器９０２間の電力伝送線路の昇温値についても、
電力分割用容器９０２の内径５０ｍｍ時の結果を基準と
して、４０％以上の低下を◎、３０％以上４０％未満の
低下を◎〜○、２０％以上３０％未満の低下を○、１０
％以上２０％未満の低下を○〜△、１０％未満の低下を
△、上昇を×として表４中に示した。

【０１１０】この結果より、電力分割用容器９０２内の
体積をＶ（ｍ³）、電力分割用容器９０２内に導入され
る高周波電力をＰ（Ｗ）として、Ｐ／Ｖ≦１×１０
⁷（Ｗ／ｍ³）とすることで、堆積膜の膜厚均一性、電
気特性均一性向上の効果がより顕著に得られることが確
認された。

【０１１１】また、マッチングボックス９０８と電力分
割用容器９０２間の電力伝送線路の昇温についても、Ｐ
／Ｖ≦１×１０⁷（Ｗ／ｍ³）とすることで更なる昇温
抑制効果が得られることが確認された。

【０１１２】

【表４】

【０１１３】（実施例４）図９に示した堆積膜形成装置
を用い、実施例３と同様にしてコーニング＃７０５９ガ
ラス基板上に表５に示す条件で、高周波電力の周波数を
４０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ、２００ＭＨ
ｚ、４５０ＭＨｚ、５５０ＭＨｚとしてａ−Ｓｉ堆積膜
を形成した。電力分割用容器９０２は厚さ２ｍｍ、高さ
８０ｍｍ、内径９００ｍｍのアルミ製円柱とした。電力
分割用容器９０２内の体積は５．１×１０^-2ｍ³であ
り、電力分割用容器９０２内の体積をＶ（ｍ³）、電力
分割用容器９０２内に導入される高周波電力をＰ（Ｗ）
として、Ｐ／Ｖ（Ｗ／ｍ³）は３．９×１０³（Ｗ／ｍ
³）である。

【０１１４】電力分割用容器９０２内の導体線路９０４
の長さｌは、ｌ＝（λ／２０）、ｌ＝（λ／６０）の２
条件とした。

【０１１５】このようにして作製した堆積膜を、実施例
１と同様の具体的評価法により、膜厚ばらつき、電気特
性ばらつきを評価した。評価結果を表６に示す。表６に
おいては、各周波数ごとにｌ＝（λ／６０）の条件時の
結果を基準として、ｌ＝（λ／２０）の条件時の結果を
示しており、４０％以上の良化を◎、３０％以上４０％
未満の良化を◎〜○、２０％以上３０％未満の良化を
○、１０％以上２０％未満の良化を○〜△、１０％未満
の良化を△、悪化を×で示した。

【０１１６】この結果より、高周波電力の周波数を５０
ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下とすることで、堆積膜の
膜厚均一性、電気特性均一性向上の効果が特に顕著に得
られることが確認された。

【０１１７】

【表５】

【０１１８】

【表６】

【０１１９】（実施例５）図９に示した堆積膜形成装置
を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミ
ニウムシリンダーである基体９１０上に、高周波電源１
０７の発振周波数を１００ＭＨｚとして表７に示す条件
で電荷注人阻止層、光導電層、表面層からなる感光体
（図２（ｃ））を作製した。

【０１２０】電力分割用容器９０２は高さ８０ｍｍ、内
径３８０ｍｍとした。電力分割用容器９０２内の体積Ｖ
は９．１×１０^-3ｍ³であり、電力分割用容器９０２内
の体積をＶ（ｍ³）、電力分割用容器９０２内に導入さ
れる高周波電力をＰ（Ｗ）として、Ｐ／Ｖ（Ｗ／ｍ³）
は電荷注入阻止層で９．９×１０⁴（Ｗ／ｍ³）、光導
電層で２．２×１０⁵（Ｗ／ｍ³）、表面層で８．３×
１０⁴（Ｗ／ｍ³）である。電力分割用容器９０２内の
各導体線路９０４の長さｌは、ｌ＝２００ｍｍ（０．２
ｍ）とし、ｌ≧（λ／３０）の条件を満たしている。

【０１２１】感光体作製手順は概略以下の通りとした。
まず、円筒状アルミニウムシリンダーである基体９１０
を反応容器９０１内に設置した。その後、不図示の排気
装置により排気口９１３を通して反応容器９０１内を排
気した。続いて、回転軸９１４を介して円筒状の基体９
１０をモータ９１５により１０ｒｐｍの速度で回転さ
せ、さらにガス供給管９１２より反応容器９０１中に５
００ｓｃｃｍのＡｒを供給しながら温度制御装置９１１
により円筒状基体９１０を２５０℃に加熱・制御し、そ
の状態を２時間維持した。

【０１２２】次いで、モータ９１５の回転を停止した
後、Ａｒの供給を停止し、反応容器９０１を不図示の排
気装置により排気口９１３を通して排気した後、ガス供
給管９１２を介して、表７に示した電荷注入阻止層形成
に用いる原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器９０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源９０７の出力値を表７に示し
た電力に設定し、マッチングボックス９０８、電力分割
用容器９０２を介して高周波電極９０６ヘ高周波電力を
供給した。高周波電極９０６より反応容器９０１内に放
射された高周波電力によって、原料ガスを励起解離する
ことにより、円筒状基体９１０上に電荷注入阻止層を形
成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力
の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷注
入阻止層の形成を終えた。同様の操作を複数回繰り返す
ことによって、光導電層、表面層を順次形成し、感光体
を作製した。

【０１２３】また、同様の手順により、モータ９１５の
回転を堆積膜形成中も１０ｒｐｍの速度で回転させなが
ら、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる感光体
を作製した。

【０１２４】（実施例６）図１に示した構成の堆積膜形
成装置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状
アルミニウムシリンダー９０５上に、高周波電源９０７
の発振周波数を１００ＭＨｚとして表７に示す条件で電
荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を作製
した。

【０１２５】電力分割用容器１０２は高周波電極が設置
される高周波シールド容器１０９に隣接しており、その
形状は実施例５と同様に高さ８０ｍｍ、内径３８０ｍｍ
とした。電力分割用容器１０２内の体積をＶ（ｍ³）、
電力分割用容器１０２内に導入される高周波電力をＰ
（Ｗ）として、Ｐ／Ｖ（Ｗ／ｍ³）は実施例５と同じで
電荷注入阻止層で９．９×１０⁴（Ｗ／ｍ³）、光導電
層で２．２×１０⁵（Ｗ／ｍ³）、表面層で８．３×１
０⁴（Ｗ／ｍ³）である。電力分割用容器１０２内の各
導体線路１０４の長さｌも実施例５と同様に、ｌ＝２０
０ｍｍ（０．２ｍ）とし、ｌ≧（λ／３０）の条件を満
たしている。

【０１２６】感光体作製手順は実施例５と同様とした。
感光体は、堆積膜形成中にモータ１１５の回転を停止し
たもの、堆積膜形成中もモータ１１５を１０ｒｐｍの速
度で回転させたものの２種類を作製した。

【０１２７】（比較例２）実施例５で用いた堆積膜形成
装置において、電力分割用容器９０２内の各導体線路９
０４の長さｌを、ｌ＝４０ｍｍ（０．０４ｍ）とする以
外は実施例５と同様にして、直径８０ｍｍ、長さ３５８
ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー９０５上に、高周
波電源９０７の発振周波数を１００ＭＨｚとして表７に
示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる
感光体を作製した。λ／ｌは７５となっており、ｌ≧
（λ／５０）の条件を満たしていない。

【０１２８】感光体は、堆積膜形成中にモータ９１５の
回転を停止したもの、堆積膜形成中もモータ９１５を１
０ｒｐｍの速度で回転させたものの２種類を作製した。

【０１２９】なお、感光体作製中は電力伝送線路９１７
（ＡＮＤＲＥＷＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製：ＨＪ５−５
０）の昇温が大きかったため、電力伝送線路９１７に冷
却用パイプを巻き、そこに冷却水を流すことで、電力伝
送線路９１７を冷却しながら感光体を作製した。

【０１３０】このように実施例５、実施例６、比較例２
で作製されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造された
キヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の
特性評価を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、
「帯電能」、「光メモリー」の３項目とし、以下の具体
的評価法により各項目の評価を行なった。（画像濃度むら）：まず、現像器位置での暗部電位が一
定値となるよう主帯電器電流値を調整した後、原稿に反
射濃度０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器位置で
の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整し
た。次いでキャノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ
９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得ら
れたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値と最
低値の差により評価した。従って、数値が小さいほど良
好である。（帯電能）：複写機の主帯電器に一定の電流を流したと
きの現像器位置での暗部電位を測定する。したがって、
暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。
帯電能測定は感光体周方向に等間隔で８点行ない、その
中の最低暗部電位により評価した。従って、数値が大き
いほど良好である。（光メモリー）：現像器位置における暗部電位が所定の
値となるよう、主帯電器の電流値を調整した後、所定の
白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像
露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴーストテ
ストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃
度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台
に置き、その上にキヤノン製中間調チャートを重ねてお
いた際のコピー画像において、中間調コピー上に認めら
れるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と
中間調部分の反射濃度との差を測定することにより行っ
た。光メモリー測定は感光体周方向に等間隔で８点行
い、その中の最大反射濃度差により評価した。従って、
数値が小さいほど良好である。

【０１３１】評価結果を表８に示す。表８において、評
価結果は、堆積膜形成中に基体の回転あり、なしの各々
の場合ごとに、比較例２の結果を基準とし、４０％以上
の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を◎〜〇、２
０％以上３０％未満の良化を○、１０％以上２０％未満
の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪化を×で示
した。

【０１３２】実施例５において、「画像濃度むら」、
「帯電能」、「光メモリー」のいずれの項目においても
比較例２との間に差が認められ、本発明の効果が確認さ
れた。また、これら３項目いずれにおいても、堆積膜形
成中に基体の回転を行わなかった場合、より大きな差が
認められることが確認され、特に「画像濃度むら」にお
いて顕著な差が認められた。

【０１３３】また、実施例６においては、「画像濃度む
ら」が実施例５よりもさらに良好な結果が得られ、電力
分割容器を高周波電極が設置される空間に隣接して設け
ることで、本発明の効果がより顕著に得られることが明
らかとなった。

【０１３４】

【表７】

【０１３５】

【表８】

【０１３６】（実施例７）図１０に示した堆積膜形成装
置を用い、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アル
ミニウムシリンダー上に、表９に示す条件で高周波電力
の周波数を７０ＭＨｚとして、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層からなる感光体を作製した。

【０１３７】図１０は本発明の実施例７の真空処理装置
である堆積膜形成装置の模式的断面図であり、（ａ）は
側面断面図、（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平
面断面図である。

【０１３８】符号１００１は少なくとも一部が絶縁性部
材で形成された処理容器であり処理容器１００１内に
は、６本の基体１０１０が設置され、さらには基体１０
１０を所望の温度に制御するための温度制御装置１０１
１、および処理容器１００１内に真空処理用ガスを供給
するためのガス供給管１０１２が設けられている。処理
容器１００１の外部には処理容器１００１内に高周波電
力を導入するための高周波電極１００６が設けられ、そ
れを囲むように、外部ヘの高周波電力の漏洩を防止する
ための高周波シールド容器１００９が設けられている。
高周波電源１００７より出力された高周波電力はマッチ
ングボックス１００８を介して、電力分割用容器１００
２内に導かれ、電力分割用容器１００２内で６分割され
た後、電力伝送線路１０１７により等間隔で６本設置さ
れた高周波電極１００６ヘ供給される。

【０１３９】電力分割用容器１００２内では、まず、電
力伝送線路１００５により高周波電力は電力分割点１０
０３に供給され、ここで６本の導体線路１００４により
６分割された後、電力分割用容器１００２外ヘ出力され
る。６本の導体線路１００４は電力伝送線路１００５を
軸として対称に配置されている。導体線路１００４は直
径５ｍｍの銅製円柱により形成し、その長さｌ（ｍ）は
１５０ｍｍとした。高周波電力の波長λ（ｍ）４．３ｍ
に対して、ｌ≧（λ／３０）の条件を満たしている。

【０１４０】また、電力分割用容器１００２は高さ１２
０ｍｍ、内径４００ｍｍとした。電力分割用容器１００
２内の体積Ｖは１．５×１０^-2ｍ³であり、電力分割用
容器１００２内の体積をＶ（ｍ³）、電力分割用容器１
００２内に導入される高周波電力をＰ（Ｗ）として、Ｐ
／Ｖ（Ｗ／ｍ³）は電荷注入阻止層で１．０×１０
⁵（Ｗ／ｍ³）、光導電層で２．０×１０⁵（Ｗ／
ｍ³）、表面層で６．７×１０ ⁴（Ｗ／ｍ³）である。

【０１４１】感光体作製手順は実施例５と同様とし、モ
ータ１０１５により堆積膜形成中は基体１０１０を１０
ｒｐｍの速度で回転させながら感光体作製を行った。

【０１４２】（比較例３）実施例７で用いた堆積膜形成
装置において、電力分割用容器１００２内の各導体線路
１００４の長さｌを、ｌ＝６０ｍｍ（０．０６ｍ）とす
る以外は実施例６と同様にして、直径３０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１００５上
に、高周波電源１００７の発振周波数を実施例７と同じ
７０ＭＨｚとして表９に示す条件で電荷注入阻止層、光
導電層、表面層からなる感光体を作製した。高周波電力
の波長λ（ｍ）は４．３ｍなのでλ／ｌは７１．７とな
っており、ｌ≧（λ／５０）の条件を満たしていない。

【０１４３】感光体は堆積膜形成中もモータ１０１５を
１０ｒｐｍの速度で回転させて作製した。

【０１４４】なお、感光体作製中は電力伝送線路１０１
７（ＡＮＤＲＥＷＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製：ＨＪ５−
５０）の昇温が大きかったため、電力伝送線路１０１７
に冷却用パイプを巻き、そこに冷却水を流すことで、電
力伝送線路１０１７を冷却しながら感光体を作製した。

【０１４５】このように実施例７、比較例３で作製され
たａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製
の複写機ＮＰ−６０３０に設置し、感光体の特性評価を
行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「帯電
能」、「光メモリー」の３項目とし、実施例５と同様の
具体的評価法により各項目の評価を行なった。

【０１４６】評価結果を表１０に示す。表１０におい
て、評価結果は比較例３の結果を基準とし、４０％以上
の良化を◎、３０％以上４０％未満の良化を◎〜○、２
０％以上３０％末満の良化を○、１０％以上２０％未満
の良化を○〜△、１０％未満の良化を△、悪化を×で示
した。

【０１４７】「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモ
リー」のいずれの項日においても実施例７と比較例３の
間に差が認められ、特に「画像濃度むら」においてより
顕著な差が認められ、本発明の効果が確認された。

【０１４８】

【表９】

【０１４９】

【表１０】

【０１５０】

【発明の効果】以上説明したように、複数箇所に供給さ
れた高周波電力を処理容器内に導入して被処理物を処理
する真空処理装置および真空処理方法において、本発明
によれば、高周波電源から出力された電力を均一に、低
電力反射率で、複数の電力伝送線路に分割可能となり、
その結果、低コストで、均一性・安定性が高く、高品質
な真空処理が可能となるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の高周波電力を用い
た真空処理装置の模式的断面図である。（ａ）は側面断
面図である。（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平
面断面図である。（ｃ）は（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿
う平面断面図である。

【図２】ａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材の層構成を説
明するための模式的構成図である。（ａ）は支持体の上
に光導電層が設けられている電子写真用感光体である。
（ｂ）は支持体の上に光導電層と表面層とが設けられて
いる電子写真用感光体である。（ｃ）は支持体の上に光
導電層と表面層と電荷注入阻止層とが設けられている電
子写真用感光体である。（ｄ）は支持体の上に電荷発生
層ならびに電荷輸送層とからなる光導電層と表面層とが
設けられている電子写真用感光体である。

【図３】本発明の高周波電力を用いた真空処理試験装置
の模式的構成図である。

【図４】（高周波電力の波長λ（ｍ）／導体線路長ｌ
（ｍ））に対する電力分割用容器での電力反射率を示す
グラフである。

【図５】（高周波電力の波長λ（ｍ）／導体線路長ｌ
（ｍ））に対する出力電力のばらつきを示すグラフであ
る。

【図６】（電力Ｐ（Ｗ）／電力分割用容器内の体積Ｖ
（ｍ³））に対する電力分割用容器３０３での電力反射
率を示すグラフである。

【図７】（電力Ｐ（Ｗ）／電力分割用容器内の体積Ｖ
（ｍ³））に対する出力電力のばらつきを示すグラフで
ある。

【図８】本発明の実施例１の真空処理装置である堆積膜
形成装置の模式的断面図である。（ａ）は側面断面図で
ある。（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面断面
図である。（ｃ）は（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う平面
断面図である。

【図９】本発明の実施例３の真空処理装置である堆積膜
形成装置の模式的断面図である。（ａ）は側面断面図で
ある。（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面断面
図である。（ｃ）は（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う平面
断面図である。

【図１０】本発明の実施例７の真空処理装置である堆積
膜形成装置の模式的断面図である。（ａ）は側面断面図
である。（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面断
面図である。

【図１１】第１の従来例である高周波電力を用いた真空
処理装置の模式的構成図である。

【図１２】第２の従来例である高周波電力を用いた真空
処理装置の模式的断面図である。（ａ）は側面断面図で
ある。（ｂ）は（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う平面断面
図である。

【図１３】第３の従来例である高周波電力を用いた真空
処理装置の模式的断面図である。（ａ）は側面断面図で
ある。（ｂ）は平面断面図である。

【符号の説明】

１０１、８０１、９０１、１００１処理容器１０２、８０２、９０２、１００２電力分割用容器１０３、８０３、９０３、１００３電力分割点１０４、８０４、９０４、１００４導体線路１０５、８０５、９０５、１００５電力伝送線路１０６、８０６、９０６、１００６高周波電極１０７、８０７、９０７、１００７高周波電源１０８、８０８、９０８、１００８、１２０４、１３０
４マッチングボックス１０９、９０９、１００９高周波シールド容器１１０、８１０、９１０、１０１０基体１１１、８１１、９１１、１０１１温度制御装置１１２、８１２、９１２、１０１２ガス供給管１１３、８１２、９１２、１０１２、１３１１排気
口１１４、８１４、９１４、１０１４、１２０８回転
軸１１５、８１５、９１５、１０１５、１２０９モー
タ１１６、８１６、９１６、１０１６ギア９１７、１０１７電力伝送線路１１００堆積装置１１０１、１２０１、１３０１反応容器１１１２、１２０５、１３０５円筒状基体１１１３基体支持体１１１４原料ガス導入管１１１５高周波マッチングボックス１１１６原料ガス配管１１１７リークバルブ１１１８メイン排気バルブ１１１９真空計１１３０原料ガス供給装置１１３１〜１１３６原料ガスボンベ１１４１〜１１４６原料ガスボンベバルブ１１５１〜１１５６ガス流入バルブ１１６１〜１１６６ガス流出バルブ１１７１〜１１７６マスフローコントローラー１１８１〜１１８６圧力調整器１２０３、１３０３ＶＨＦ電源１２０６成膜空間１２０７、１３０７発熱体１２１０減速ギヤ１２１１排気管１２１２原料ガス供給手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者秋山和敬東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者白砂寿康東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者大塚崇志東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者細井一人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者青池達行東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 EA24 4K030 AA06 BA30 FA03 HA13 JA10 JA16 JA18 JA19 KA14 LA17 5F045 AB04 AB05 AC01 AC19 AD06 AE15 AF07 AF10 CA13 CA16 DP25 EH12 EK07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高周波電極の複数箇所および複数の高周
波電極の少なくとも何れかに供給された高周波電力を用
いて被処理物を処理する真空処理装置において、前記真空処理装置は、独立した電力分割容器を備え、前記電力分割容器の壁面は所定の電位に維持され、前記電力分割容器内の電力分割点に高周波電源から供給
された高周波電力は、該電力分割点で該電力分割容器内
に設けられた複数の導体線路により分割されて該電力分
割用容器外ヘ出力され、複数の前記導体線路の各々の線路長がいずれも前記高周
波電力の波長に対し、該高周波電力を均一に低電力反射
率で分割するための所定の条件で設定されていることを
特徴とする真空処理装置。
【請求項２】複数の前記導体線路の各々の線路長ｌ
（ｍ）がいずれも、前記高周波電力の波長λ（ｍ）に対
し、ｌ≧（λ／５０）を満たす条件で設定されている請求項１に記載の真空処
理装置。
【請求項３】複数の前記導体線路の各々の線路長ｌ
（ｍ）がいずれも、前記高周波電力の波長λ（ｍ）に対
し、ｌ≧（λ／３０）を満たす条件で設定されている請求項１に記載の真空処
理装置。
【請求項４】前記電力分割用容器内における前記電力
分割点ヘの高周波電力供給が導体線路によりなされてい
る請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の真空処
理装置。
【請求項５】複数に分割された前記導体線路が、いず
れも同一の形状で同一の長さである請求項１から請求項
４のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項６】複数に分割された前記導体線路は、前記
電力分割点を通るいずれかの直線を軸として、回転対象
に設置されている請求項１から請求項５のいずれか１項
に記載の真空処理装置。
【請求項７】前記電力分割用容器の内部の体積Ｖ（ｍ
³）が、前記電力分割用容器内に導入される高周波電力
の出力Ｐ（Ｗ）と、（Ｐ／Ｖ）≦１×１０⁷ （Ｗ／ｍ³）を満たす条件で設定されている請求項１から請求項６の
いずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項８】前記電力分割用容器は、前記高周波電極
が設置される空間に隣接して配設されている請求項１か
ら請求項７のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項９】前記高周波電極が複数である請求項１か
ら請求項８のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項１０】前記高周波電力の周波数が５０〜４５
０ＭＨｚである請求項１から請求項９のいずれか１項に
記載の真空処理装置。
【請求項１１】被処理物の処理が電子写真感光体の形
成である請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載
の真空処理装置。
【請求項１２】高周波電極の複数箇所および複数の高
周波電極の少なくとも何れかに供給された高周波電力を
処理容器内に供給し被処理物を処理する真空処理方法に
おいて、高周波電力出力源から出力された高周波電力を、所定の
電位に維持された壁面を有する電力分割用容器内に導入
し、導入された高周波電力を、該電力分割用容器内の電力分
割点で、該電力分割用容器内に設けられ、各々の線路長
がいずれも該高周波電力の波長に対し、該高周波電力を
均一に低電力反射率で分割するための所定の条件で設定
されている複数の導体線路によって分割し、複数の前記導体線路によって分割された高周波電力を、
前記電力分割用容器外ヘ出力して前記高周波電極の複数
箇所および複数の高周波電極の少なくとも何れかに供給
することを特徴とする真空処理方法。
【請求項１３】前記高周波電力の分割が、各々の線路
長ｌ（ｍ）がいずれも、前記高周波電力の波長λ（ｍ）
に対し、ｌ≧（λ／５０）を満たす条件で設定されている複数の前記導体線路によ
って行われる請求項１２に記載の真空処理方法。
【請求項１４】前記高周波電力の分割が、各々の線路
長ｌ（ｍ）がいずれも、前記高周波電力の波長λ（ｍ）
に対し、ｌ≧（λ／３０）を満たす条件で設定されている複数の前記導体線路によ
って行われる請求項１２に記載の真空処理方法。
【請求項１５】前記電力分割用容器内における前記電
力分割点ヘの高周波電力供給が、導体線路を介して行わ
れる請求項１２から請求項１４のいずれか１項に記載の
真空処理方法。
【請求項１６】前記電力分割点から前記電力分割容器
外への高周波電力の供給がいずれも同一の形状で同一の
長さである複数の前記導体線路を介して行われる請求項
１２から請求項１５のいずれか１項に記載の真空処理方
法。
【請求項１７】前記電力分割点から前記電力分割容器
外への電力の供給が、前記電力分割点を通るいずれかの
直線を軸として、回転対象に設置されている複数の前記
導体線路を介して行われる請求項１２から請求項１６の
いずれか１項に記載の真空処理方法。
【請求項１８】前記高周波電力の分割が、容器内の体
積Ｖ（ｍ³）が、該高周波電力の出力Ｐ（Ｗ）と、（Ｐ／Ｖ）≦１×１０⁷ （Ｗ／ｍ³）を満たす条件で設定されている前記電力分割用容器内で
行われる請求項１２から請求項１７のいずれか１項に記
載の真空処理方法。
【請求項１９】前記高周波電力の分割が、前記高周波
電極が設置される空間に隣接して配設されている前記電
力分割用容器内で行われる請求項１２から請求項１８の
いずれか１項に記載の真空処理方法。
【請求項２０】分割された前記高周波電力が複数の前
記高周波電極のそれぞれに供給される請求項１２から請
求項１９のいずれか１項に記載の真空処理方法。
【請求項２１】前記真空処理が周波数が５０〜４５０
ＭＨｚである前記高周波電力によって行われる請求項１
２から請求項２０のいずれか１項に記載の真空処理方
法。
【請求項２２】前記真空処理が電子写真感光体の形成
である請求項１２から請求項２１のいずれか１項に記載
の真空処理方法。