JPS63262472A - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
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- JPS63262472A JPS63262472A JP62096464A JP9646487A JPS63262472A JP S63262472 A JPS63262472 A JP S63262472A JP 62096464 A JP62096464 A JP 62096464A JP 9646487 A JP9646487 A JP 9646487A JP S63262472 A JPS63262472 A JP S63262472A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
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- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１） Ｒ東上の利用分野
不発Ｅ！Ａ／ｆｉアモルファスシリコン等のアモルファ
ス半導体ａｔ形属するに好適な膜形成方法に関する。
ス半導体ａｔ形属するに好適な膜形成方法に関する。
初従来の技術
一般に、グロー放電を用いて原料ガスを分解し、基板上
に所望のアモルファス半尋体農を形成する技術は、太陽
電池や亀子′Ｊｔ、Ｊｊｃ感光体用のアモルファスシリ
コン属の形成に用いらｎている。
に所望のアモルファス半尋体農を形成する技術は、太陽
電池や亀子′Ｊｔ、Ｊｊｃ感光体用のアモルファスシリ
コン属の形成に用いらｎている。
太陽ｔａｔ−製造するに際しては、平行平板電極の一万
に高周波電力倉付与し、接地されている他方の平行平板
４極との間にグミー放１１！ｔ−生起することにＬ−）
て、他方の平行平板電極上に配置された基板表面にアモ
ルファスシリコンＪｇ！［ｔ−形成する。
に高周波電力倉付与し、接地されている他方の平行平板
４極との間にグミー放１１！ｔ−生起することにＬ−）
て、他方の平行平板電極上に配置された基板表面にアモ
ルファスシリコンＪｇ！［ｔ−形成する。
’ｔｙ’ｔ、電子写真感光体の製造方法は、米国特許第
４，５０１，７６６号に開示されているＬうに、複数の
電１の夫々に単一の電源から分岐して高Ｆｊ４ａ１力ｔ
−借給している。
４，５０１，７６６号に開示されているＬうに、複数の
電１の夫々に単一の電源から分岐して高Ｆｊ４ａ１力ｔ
−借給している。
虻慢 発明が解決し１うとする問題点
こうした構成にるりては、複数の電極からの１ｌｉｉＩ
Ｉ周ｄどうしに干渉が生じてグロー放心が不均一となｐ
％家比、各ｔｔｔｉに印加される高１４仮電力を１別に
１１制御することができず、各ｔｍの面積が異なると、
１１１Ｃ極の電力′ｌ！！度が不均一となる。従って、
形成さｎる換の時性が劣悪化する。
Ｉ周ｄどうしに干渉が生じてグロー放心が不均一となｐ
％家比、各ｔｔｔｉに印加される高１４仮電力を１別に
１１制御することができず、各ｔｍの面積が異なると、
１１１Ｃ極の電力′ｌ！！度が不均一となる。従って、
形成さｎる換の時性が劣悪化する。
に）問題点を解決する几めの手段
本発明は、反応嵐円に妃さルた複数の放（電ｉに、夫々
異なる周波数のイカ倉供給し、グａ −放電を発生させ
て膜形成用原料ガスを分解し、上ｍ１反応屋内の支持体
面に膜を形成することｔ−特徴とする。
異なる周波数のイカ倉供給し、グａ −放電を発生させ
て膜形成用原料ガスを分解し、上ｍ１反応屋内の支持体
面に膜を形成することｔ−特徴とする。
（ホ）作 用
本発明にＬｎば、グロー放イの不拘−化金仰制し、各電
極への４開成電力を閏別に制御できる。
極への４開成電力を閏別に制御できる。
（へ） 実 施 例
第１図及び第２図は本発明膜形成方法を用いた電子写真
感光体形成用プラズマＣＶＤ装置の縦断面図及び横断面
図でＴｏ−）て、（１）は減圧ｔ８Ｔｉに笛閉された縦
断面がＵ字状で＠断面が＃ｒＪ環状の反応箆、（２１（
２ｂ）は該反応室の円環状部分を区−する外旬壁Ｃ１＆
）或いは円周壁（ｌｂ）に宿ってよ紀円４状部分？ｔ＃
４てて同心的に対向配置され次第１−第２の円筒体数シ
亀−でるる。な３、外局壁ＣＩＡ）及び円Ｊｉｉ（ｌｂ
）を夫々天井壁（ｌｊ）及び底壁（ｌｄ）から電気的に
絶縁することにより、外Ｍｌ壁（ｌａ）及びＰ３周！（
ｌｂ）ｔｊ＠１−第１Ｄ放？［蒐１ｊｉｉＣ２＆）Ｃ２
ｂ） としてモヨイ。（３ａ３〜（３ｈ）は放ａｒｔ極
（２＆）（２ｂ）にｓ ｚ ｎ７′２．ｗ域、即ち円環
状部分に植立配−された８木の円筒状支持体、（４）は
円筒状支持体（３ａ〕〜（３ｈ）を上記円環状部分に６
１′５て回転せしめるターンテーブル、（５Ｊは上記タ
ーンテーブル（４）の回転軸（６）にベル？（７１’を
介して駆動力を付与するモータ、（８Ｊは回転軸（６Ｊ
周りに回転、ｊｌｌＪち公転する上記円筒状支持体（３
ａ）〜（３ｈ）ｋ支持体（３１） 〜（３ｈ）自身Ｏ中
心局クニ１！！１転、ｆｆ１Ｊち自転セしめる自転４構
で、自転機構（８Ｊは、各円筒状支持体（３ａ）〜（３
ｈ）ｔ−その中心軸方向に保持する保［Ｓ材（９〕のタ
ーンテーブル（４）茫回転町叱に貫通した貫通端に設１
ｆｂｆＬ次小径の平歯車ａｌと、この平歯車Ｑ（Ｉと鱒
合する上記ターンテーブル（４］の外径より僅かに径の
小さい内径の固だ内歯車α１と、からなり、ターンテー
ブル（４］が一転すると円筒状支持体（３ａ）〜（３ｈ
］はターンテーブル（４）の回転軸（６）ｌ＃りに公転
すると共に、小径の平歯車ＱＱと大径の固定内歯車σＤ
の歯合にエフ支持体（３凰）〜（３ｈ〕自身の中心周り
に自転することとなる。
感光体形成用プラズマＣＶＤ装置の縦断面図及び横断面
図でＴｏ−）て、（１）は減圧ｔ８Ｔｉに笛閉された縦
断面がＵ字状で＠断面が＃ｒＪ環状の反応箆、（２１（
２ｂ）は該反応室の円環状部分を区−する外旬壁Ｃ１＆
）或いは円周壁（ｌｂ）に宿ってよ紀円４状部分？ｔ＃
４てて同心的に対向配置され次第１−第２の円筒体数シ
亀−でるる。な３、外局壁ＣＩＡ）及び円Ｊｉｉ（ｌｂ
）を夫々天井壁（ｌｊ）及び底壁（ｌｄ）から電気的に
絶縁することにより、外Ｍｌ壁（ｌａ）及びＰ３周！（
ｌｂ）ｔｊ＠１−第１Ｄ放？［蒐１ｊｉｉＣ２＆）Ｃ２
ｂ） としてモヨイ。（３ａ３〜（３ｈ）は放ａｒｔ極
（２＆）（２ｂ）にｓ ｚ ｎ７′２．ｗ域、即ち円環
状部分に植立配−された８木の円筒状支持体、（４）は
円筒状支持体（３ａ〕〜（３ｈ）を上記円環状部分に６
１′５て回転せしめるターンテーブル、（５Ｊは上記タ
ーンテーブル（４）の回転軸（６）にベル？（７１’を
介して駆動力を付与するモータ、（８Ｊは回転軸（６Ｊ
周りに回転、ｊｌｌＪち公転する上記円筒状支持体（３
ａ）〜（３ｈ）ｋ支持体（３１） 〜（３ｈ）自身Ｏ中
心局クニ１！！１転、ｆｆ１Ｊち自転セしめる自転４構
で、自転機構（８Ｊは、各円筒状支持体（３ａ）〜（３
ｈ）ｔ−その中心軸方向に保持する保［Ｓ材（９〕のタ
ーンテーブル（４）茫回転町叱に貫通した貫通端に設１
ｆｂｆＬ次小径の平歯車ａｌと、この平歯車Ｑ（Ｉと鱒
合する上記ターンテーブル（４］の外径より僅かに径の
小さい内径の固だ内歯車α１と、からなり、ターンテー
ブル（４］が一転すると円筒状支持体（３ａ）〜（３ｈ
］はターンテーブル（４）の回転軸（６）ｌ＃りに公転
すると共に、小径の平歯車ＱＱと大径の固定内歯車σＤ
の歯合にエフ支持体（３凰）〜（３ｈ〕自身の中心周り
に自転することとなる。
（１２ＡＪ 〜（１２ｈ）は反応！（ＩＪＫ シ？ ン
（８１Ｈａ）、ジ゛シラン（８１２ＨＩ６）％四７ツ化
シリコン（８１Ｆ４）、ジＭ’）７（８２Ｈり、ｙ；ｊ
スｙイン（ＰＨ５）、ａｘ（０２ン、窒素（Ｎ２］、ア
ンモニア（ＮＨｘ）、メタン（ＣＨ，４）、グルｖン（
ＧｅＨ４）４構反応ガスヲ周囲力島ら導入子べく外鳩偉
（１ａ）或いは円ｗ４壁（ｌｂ）の外側に交互に配管さ
ｎ次反応ガス導入管、Ｕ机Ｊ・・・は外局！！ＩＣ１＆
）或いは円周壁（１ｂＪに穿たれ反応ガス４人管（１２
８） 〜（１２ｈ）と反応ｍ（１）トを４通し反応ガス
の導入τ可ｄ巨ならしめる導入孔、（１４８３（１４ｂ
）は４人孔ＣＬ３（１３１・、ｎ−ら導入された反応ガ
スを一旦トラップするトラップ室で、反応ガスはトラッ
プ３１（１４ｍ）（４４ｂ）から第１・第２放、４Ｅ＊
極（２１）（２ｂ）に多数重７ｔｎ＊放出孔（１５１（
ｉｓ・・・ＩＪ１退して反応室ｔｌ））’３に均一に供
給される。
（８１Ｈａ）、ジ゛シラン（８１２ＨＩ６）％四７ツ化
シリコン（８１Ｆ４）、ジＭ’）７（８２Ｈり、ｙ；ｊ
スｙイン（ＰＨ５）、ａｘ（０２ン、窒素（Ｎ２］、ア
ンモニア（ＮＨｘ）、メタン（ＣＨ，４）、グルｖン（
ＧｅＨ４）４構反応ガスヲ周囲力島ら導入子べく外鳩偉
（１ａ）或いは円ｗ４壁（ｌｂ）の外側に交互に配管さ
ｎ次反応ガス導入管、Ｕ机Ｊ・・・は外局！！ＩＣ１＆
）或いは円周壁（１ｂＪに穿たれ反応ガス４人管（１２
８） 〜（１２ｈ）と反応ｍ（１）トを４通し反応ガス
の導入τ可ｄ巨ならしめる導入孔、（１４８３（１４ｂ
）は４人孔ＣＬ３（１３１・、ｎ−ら導入された反応ガ
スを一旦トラップするトラップ室で、反応ガスはトラッ
プ３１（１４ｍ）（４４ｂ）から第１・第２放、４Ｅ＊
極（２１）（２ｂ）に多数重７ｔｎ＊放出孔（１５１（
ｉｓ・・・ＩＪ１退して反応室ｔｌ））’３に均一に供
給される。
ｔｔｅは反応室（１７円ｔ １０−’Ｔｏｒｒ程履以下
４Ｃ排ｆｉｔ。
４Ｃ排ｆｉｔ。
減圧する排気系で、該排気系は、メインパルプｒ１η、
圧力調整パルプ−及びロータリボング、拡散ポンプ、モ
リキエラポンプ等の真空ポンプαｌとから蓉成石れ、上
述の如く反応ｊ！（ｌＪＰ３’！に高真窒に一旦排気後
反応ガスの圧力ｔｏ、５〜２．ＯＴＯｒｒｍ度に保Ｒす
る。
圧力調整パルプ−及びロータリボング、拡散ポンプ、モ
リキエラポンプ等の真空ポンプαｌとから蓉成石れ、上
述の如く反応ｊ！（ｌＪＰ３’！に高真窒に一旦排気後
反応ガスの圧力ｔｏ、５〜２．ＯＴＯｒｒｍ度に保Ｒす
る。
Ｃ２０＆）は第１放電電極（２ａ〕に第１周敗数の高肉
ａ’を力を付与する第ｌ高＃ａ［源、（２０ｂ）は第２
放ｒｆｔｉ（２ｂ）によＧｄ第第１敦敦叔異なる！ＩＫ
２４波数の高鳩阪１力を付与する東、２ａ周波゛成源で
るる。そして、減圧状態下に於いて高ＩＱ波電力が付与
されると第１・第２放電電極（２ａバ２ｂ）と谷間筒状
支持体（３１］〜（３ｈ］との間にグミー放１ｔが発圧
しプラズマが励起される。ＱＤは円筒状支持体Ｃ３＆）
〜（３ｈ）ｔその内部力６１００〜３００℃ａ度に加
熱するヒータ（図示セず］に通電子べくターンテーブル
（４）の回転軸（６）と１！気的に接糸するスリップｔ
！Ｍである。
ａ’を力を付与する第ｌ高＃ａ［源、（２０ｂ）は第２
放ｒｆｔｉ（２ｂ）によＧｄ第第１敦敦叔異なる！ＩＫ
２４波数の高鳩阪１力を付与する東、２ａ周波゛成源で
るる。そして、減圧状態下に於いて高ＩＱ波電力が付与
されると第１・第２放電電極（２ａバ２ｂ）と谷間筒状
支持体（３１］〜（３ｈ］との間にグミー放１ｔが発圧
しプラズマが励起される。ＱＤは円筒状支持体Ｃ３＆）
〜（３ｈ）ｔその内部力６１００〜３００℃ａ度に加
熱するヒータ（図示セず］に通電子べくターンテーブル
（４）の回転軸（６）と１！気的に接糸するスリップｔ
！Ｍである。
而して、上述のプラズマＣＶ Ｄ−Ａ＠ｆ用イテ膜とし
て電子写真複写Ｈ１ＬＥＤプリンタ、レーザプリンタ等
の感光体の光４１１１１−として用いられるアモルファ
スシリコン系半導体膜の腹逍方法についてａ明を加える
。
て電子写真複写Ｈ１ＬＥＤプリンタ、レーザプリンタ等
の感光体の光４１１１１−として用いられるアモルファ
スシリコン系半導体膜の腹逍方法についてａ明を加える
。
先ず、アルミニワム製の外周表面が超仕上げされ１８本
の円筒状支持体（３ａ］〜（３ｈ）ｔ、ターンテーブル
（４）上に角度４５°づつ隔てて値ヱし次保持部材（９
７に袈麿する。！ｉ４着後、反応脆（０円を気密に閉塞
し、反応！［ＩＪＰ３ｔ−Ｘ窒ボングα３の稼動にエフ
Ｉ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ程贋まで減圧排気する。そし
１、叉Ｎ体（１）円にＰ３蔵さＡｆｃヒータにＬり該支
持体（１）に１００〜３００℃の所定温就、狗えは１５
０〜２００ｃ４！４度の範囲まで昇温加燕する。
の円筒状支持体（３ａ］〜（３ｈ）ｔ、ターンテーブル
（４）上に角度４５°づつ隔てて値ヱし次保持部材（９
７に袈麿する。！ｉ４着後、反応脆（０円を気密に閉塞
し、反応！［ＩＪＰ３ｔ−Ｘ窒ボングα３の稼動にエフ
Ｉ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ程贋まで減圧排気する。そし
１、叉Ｎ体（１）円にＰ３蔵さＡｆｃヒータにＬり該支
持体（１）に１００〜３００℃の所定温就、狗えは１５
０〜２００ｃ４！４度の範囲まで昇温加燕する。
然る仮、トラップ嵐（１４１（１４ｂ）にガス供給′ｆ
（Ｌ！ａ） 〜（１２ｈ））−らＳｉＨ４ガスｔ２００
ＣＣ／分、水素（Ｈ２）ガスｋｌＯｃｃ／分、ＢｚＨ６
ガスを５００ＸｌＯ−６ＣＣ７分、０２ガスｋｌｌｃ／
分に流量１ｆｆｌＪ御した反シガスｔ−尋人して、圧力
ｔ−０，５〜２Ｔｏｒｒに保持する。
（Ｌ！ａ） 〜（１２ｈ））−らＳｉＨ４ガスｔ２００
ＣＣ／分、水素（Ｈ２）ガスｋｌＯｃｃ／分、ＢｚＨ６
ガスを５００ＸｌＯ−６ＣＣ７分、０２ガスｋｌｌｃ／
分に流量１ｆｆｌＪ御した反シガスｔ−尋人して、圧力
ｔ−０，５〜２Ｔｏｒｒに保持する。
このように８１ ）１４ガスを生体とする反応ガスを一
旦トラップ室（１４１ＬＪ（１４ｂンにトラップ後、第
１・迅２ｂｘ框電極（２１バ２ｂ）に多数穿たれ几放出
孔＋１５１１１５Ｉ−・・から反応室（ｌＪ円に均一に
供給しつつ、１３．５６ＭＨｚの第１Ｊ周談或源（２ｏ
ａ）にＬり第１故ｔｃｌ：＊ Ｃ２１ト円ｍｇｚ持体（
：ｌｌ 〜（３ｈＪとＯｊ［Ｋ、ｔ、ｅ、４００Ｋ）Ｉ
ｚＯＪ２＾周ａｔ源（２０ｂ］に１９第２放、ｔｙ極（
２ｂ）と円筒状支持体（３＆）〜（３ｈ）との間に、夫
々２１〜ｚＫＮ程匿の高肉阪１に力を付与し、プラズマ
を励起することに工って上記反応ガスの分解を行なう。
旦トラップ室（１４１ＬＪ（１４ｂンにトラップ後、第
１・迅２ｂｘ框電極（２１バ２ｂ）に多数穿たれ几放出
孔＋１５１１１５Ｉ−・・から反応室（ｌＪ円に均一に
供給しつつ、１３．５６ＭＨｚの第１Ｊ周談或源（２ｏ
ａ）にＬり第１故ｔｃｌ：＊ Ｃ２１ト円ｍｇｚ持体（
：ｌｌ 〜（３ｈＪとＯｊ［Ｋ、ｔ、ｅ、４００Ｋ）Ｉ
ｚＯＪ２＾周ａｔ源（２０ｂ］に１９第２放、ｔｙ極（
２ｂ）と円筒状支持体（３＆）〜（３ｈ）との間に、夫
々２１〜ｚＫＮ程匿の高肉阪１に力を付与し、プラズマ
を励起することに工って上記反応ガスの分解を行なう。
この時円筒状支持体（３１〕〜（３ｈ）はモータ（５）
の稼動によりターンテーブル（４）と共にその回転軸（
６７喝りに例えば０．１〜１０ｒｐｍ程藏の速成で公転
しているのみならず、自転ｃａ４１８７の作用にＬって
各支持体（３ａ）〜（３ｈ）目前の中心Ｆ！４りにも自
転している。
の稼動によりターンテーブル（４）と共にその回転軸（
６７喝りに例えば０．１〜１０ｒｐｍ程藏の速成で公転
しているのみならず、自転ｃａ４１８７の作用にＬって
各支持体（３ａ）〜（３ｈ）目前の中心Ｆ！４りにも自
転している。
このように円面支持体（３ａ）〜Ｃ３ｈ）を公転及び目
輯させつつ各支持体（３ａ〕〜（３ｈ］ と第１゜第２
放４４ＷｉＣＺ＆）Ｃ２ｂ）との間に励起されｔプラズ
マによる反応ガスの分解？１〜８時間程度継続すると、
谷支持体（３１ン〜（３ｈ）の外周面に厚さｌｐｍ〜ｓ
ｏｐｍｓＲ，の水素化もしくはフッ素化７モル７７スシ
リコンＩＪ１１が形成ざｎる。
輯させつつ各支持体（３ａ〕〜（３ｈ］ と第１゜第２
放４４ＷｉＣＺ＆）Ｃ２ｂ）との間に励起されｔプラズ
マによる反応ガスの分解？１〜８時間程度継続すると、
谷支持体（３１ン〜（３ｈ）の外周面に厚さｌｐｍ〜ｓ
ｏｐｍｓＲ，の水素化もしくはフッ素化７モル７７スシ
リコンＩＪ１１が形成ざｎる。
以上のように、谷＆４電極＜２＆）Ｃ２ｂ）に電力を供
給する第１及びガ２扁１４１波域源＜２０＆バ２０ｂ）
の喝匝数ｔ−Ａならしめたので、高周波の干渉によるう
なり、ゆらぎ等忙仰見、グロー放ｔｔ−安定状態に保つ
ことかでさる。また、面積のＨ２２：る第１−第２放峨
電ｆｊｉｉｃＺ＆）Ｃ２ｂ）への高周波電力の供給ｔａ
文してＩ１１制御することができ、これら（価Ｃ２＆）
Ｃ２ｂ）を同じ状態に保つことができる。
給する第１及びガ２扁１４１波域源＜２０＆バ２０ｂ）
の喝匝数ｔ−Ａならしめたので、高周波の干渉によるう
なり、ゆらぎ等忙仰見、グロー放ｔｔ−安定状態に保つ
ことかでさる。また、面積のＨ２２：る第１−第２放峨
電ｆｊｉｉｃＺ＆）Ｃ２ｂ）への高周波電力の供給ｔａ
文してＩ１１制御することができ、これら（価Ｃ２＆）
Ｃ２ｂ）を同じ状態に保つことができる。
なり、烏ｗ４反の悶阪叙の臣Ｈ１−Ｈｚ〜１００Ｇｉ（
ｚ が好マシく、更Ｋ Ｉ ＫＨｚ −Ｉ ＭＨｚ −
６ｓ破逼でるる、衷た、ＩＨｚ〜１ＫＨｚでも可能であ
る。
ｚ が好マシく、更Ｋ Ｉ ＫＨｚ −Ｉ ＭＨｚ −
６ｓ破逼でるる、衷た、ＩＨｚ〜１ＫＨｚでも可能であ
る。
Ｈ３崗は本発明層形成方法を用い几太陽電亀もしくは光
センサ形成用プラズマＣＶＤ装置の縦断内因でるる。
センサ形成用プラズマＣＶＤ装置の縦断内因でるる。
関は基板Ｉ３υＣ４１ｌ・・・倉上下面に保持して移動
するトレイＵ々を減圧状態下で待機さセる待礪室、關は
咳待ａ１嵐η為らシャッタ（至）を経て移動されてくる
トレイ−を収納する顕圧可餌な反応量、１３ｂｌは該反
応層からシャッタ３７）ｋ経て＃劾さｎ工くるトレイに
）を減圧状廊下で受取る受＠Ｘ富、（３８８）（３８ｂ
）は対同配置で反Ｉ４Ｓ室８３１Ｆ３の上下部に配畜れ
た第１及びＮｌＩ２平板を極、關は反応量Ｑ円に反応ガ
スを導入する反応ガス尋人管、１４ＵｕｌＪ・・・は待
砿呈関、反応呈關及び受取呈１３６１ｔｌＯ−’“Ｉ’
ｏｒｒ程度以下の高真望に排気する排気系で、該排気系
は、パルプｌ及び真空ボン１４２１から成り、戊応憲關
円にるりては、一旦高真空にｉ気後反応ガス導入管端か
ら尋人さｎる反応ガスの圧力をＩ Ｔｏｒｒ程度に保持
する。
するトレイＵ々を減圧状態下で待機さセる待礪室、關は
咳待ａ１嵐η為らシャッタ（至）を経て移動されてくる
トレイ−を収納する顕圧可餌な反応量、１３ｂｌは該反
応層からシャッタ３７）ｋ経て＃劾さｎ工くるトレイに
）を減圧状廊下で受取る受＠Ｘ富、（３８８）（３８ｂ
）は対同配置で反Ｉ４Ｓ室８３１Ｆ３の上下部に配畜れ
た第１及びＮｌＩ２平板を極、關は反応量Ｑ円に反応ガ
スを導入する反応ガス尋人管、１４ＵｕｌＪ・・・は待
砿呈関、反応呈關及び受取呈１３６１ｔｌＯ−’“Ｉ’
ｏｒｒ程度以下の高真望に排気する排気系で、該排気系
は、パルプｌ及び真空ボン１４２１から成り、戊応憲關
円にるりては、一旦高真空にｉ気後反応ガス導入管端か
ら尋人さｎる反応ガスの圧力をＩ Ｔｏｒｒ程度に保持
する。
（４３＆）は□４１十仮電極（３８Ｊｌ）に第１鳩鼓数
（２００ＫＨｚ ） の高／４．２ｉＥｔ力τ付４Ｔ
るｄｉ、４周肢電諏、（４３ｔ）Ｊｔｉ１２平板電価（
３８ｂ）に第２閾奴１ｔｃ１３．５６ＭＨｚ）の高肉衣
屯力を付与する第２高問？Ｍ電源でるる。
（２００ＫＨｚ ） の高／４．２ｉＥｔ力τ付４Ｔ
るｄｉ、４周肢電諏、（４３ｔ）Ｊｔｉ１２平板電価（
３８ｂ）に第２閾奴１ｔｃ１３．５６ＭＨｚ）の高肉衣
屯力を付与する第２高問？Ｍ電源でるる。
直して、反応呈關円にトレイ口を収納し、反応呈關円の
反応ガスの圧力を所廻圧力に保持した状連で、Ｊ１ｆｉ
ｊＡｔ４１ｆｆｌ電（ＩＡ （４３ａ ） ｇｈら２０
０ＫＨｚ ｔｙ）高周波電力ｔ、また第２高周匝シ源（
４３ｂ）から１３．５５ Ｍ）ｉｚ Ｏ高周波電力ｔ、
夫々供給することにＬりて、トレイＱに保持され７？、
基板６υ８υ・・・の表面にアモルファス半導体が形成
さｎる。
反応ガスの圧力を所廻圧力に保持した状連で、Ｊ１ｆｉ
ｊＡｔ４１ｆｆｌ電（ＩＡ （４３ａ ） ｇｈら２０
０ＫＨｚ ｔｙ）高周波電力ｔ、また第２高周匝シ源（
４３ｂ）から１３．５５ Ｍ）ｉｚ Ｏ高周波電力ｔ、
夫々供給することにＬりて、トレイＱに保持され７？、
基板６υ８υ・・・の表面にアモルファス半導体が形成
さｎる。
（トＪ発明の効果
、以上の如く本発明にＬれば、反応室内に妃さｒｔ次複
数の放（電極に、夫々異なる周数数の篭カｔ−供給する
Ｌうにし九ので、ゆらぎのない安定した状ｊｌｌＡのグ
ａ、Ｂ電を得ることかでさる。更に、６放ｓ［電極への
４周彼゛α力を個別に任意に制御することができる。
数の放（電極に、夫々異なる周数数の篭カｔ−供給する
Ｌうにし九ので、ゆらぎのない安定した状ｊｌｌＡのグ
ａ、Ｂ電を得ることかでさる。更に、６放ｓ［電極への
４周彼゛α力を個別に任意に制御することができる。
第１図乃至第３図は本発明方法を用いたプラズマＣｖＤ
鋏−を示し、第１図及び第２図は第１の装置の縦断ｆｆ
１ｌ−及び横Ｗ丁面凶、第３図は第２の装置の藏緬向幽
でめる。 （ｌＪ關・・・反応呈、（２ａ）（２１））−，４１，
第２放電ｍ極％ （３ｓａＪ（３ｓｂ）−・・第１虐第
２平板電極、Ｃ２０＆）＜４３＆）−４４１高鳩匝電源
、 （２０ｋｌ）（４３０）・・・Ｍ２Ａ周款１源。 出砿人三洋１ＪＬｅａ株式会社
鋏−を示し、第１図及び第２図は第１の装置の縦断ｆｆ
１ｌ−及び横Ｗ丁面凶、第３図は第２の装置の藏緬向幽
でめる。 （ｌＪ關・・・反応呈、（２ａ）（２１））−，４１，
第２放電ｍ極％ （３ｓａＪ（３ｓｂ）−・・第１虐第
２平板電極、Ｃ２０＆）＜４３＆）−４４１高鳩匝電源
、 （２０ｋｌ）（４３０）・・・Ｍ２Ａ周款１源。 出砿人三洋１ＪＬｅａ株式会社
Claims (1)
- （１）反応室内に配された複数の放電電極に、夫々異な
る周波数の電力を供給し、グロー放電を発生させて膜形
成用原料ガスを分解し、上記反応室内の支持体面に膜を
形成することを特徴とする膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096464A JPS63262472A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 膜形成方法 |
| US07/358,561 US4937095A (en) | 1987-04-20 | 1989-05-30 | Method for forming a film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096464A JPS63262472A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262472A true JPS63262472A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14165751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096464A Pending JPS63262472A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4937095A (ja) |
| JP (1) | JPS63262472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013005435A1 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空成膜装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283087A (en) * | 1988-02-05 | 1994-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| US5618580A (en) * | 1992-12-28 | 1997-04-08 | Kao Corporation | Method for producing ceramic fine particles and apparatus used therefor |
| US5405645A (en) * | 1993-07-28 | 1995-04-11 | Applied Science And Technology Inc. | High growth rate plasma diamond deposition process and method of controlling same |
| JP3745095B2 (ja) * | 1997-09-24 | 2006-02-15 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
| JP3818561B2 (ja) | 1998-10-29 | 2006-09-06 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | シリコン酸化膜の成膜方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100631972B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 화학기상증착 공정을 이용한 초격자 반도체 구조를 제조하는 방법 |
| JP2011514441A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-05-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 表面波開始プラズマ放電源の予備イオン化のためのシステム及び方法 |
| CN105063550B (zh) * | 2015-08-20 | 2017-11-28 | 包头天和磁材技术有限责任公司 | 渗透装置及方法 |
| CN112921306B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-04-11 | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 | 一种气相沉积镀膜系统 |
| CN112899660B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-07-28 | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 | 一种旋转电极镀膜系统 |
| CN112899661B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-04-07 | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 | 一种镀膜电极系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592132B2 (ja) * | 1979-07-04 | 1984-01-17 | 株式会社東芝 | 真空開閉器の操作装置 |
| JPS6350877B2 (ja) * | 1983-08-30 | 1988-10-12 | Rohm Kk |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4438723A (en) * | 1981-09-28 | 1984-03-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multiple chamber deposition and isolation system and method |
| US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62096464A patent/JPS63262472A/ja active Pending
-
1989
- 1989-05-30 US US07/358,561 patent/US4937095A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592132B2 (ja) * | 1979-07-04 | 1984-01-17 | 株式会社東芝 | 真空開閉器の操作装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013005435A1 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4937095A (en) | 1990-06-26 |
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