JP2000073173A

JP2000073173A - 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置

Info

Publication number: JP2000073173A
Application number: JP11166600A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Seki; 好雄瀬木; Hiroyuki Katagiri; 宏之片桐; Hideaki Matsuoka; 秀彰松岡; Yasuyoshi Takai; 康好高井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-06-18
Filing date: 1999-06-14
Publication date: 2000-03-07
Anticipated expiration: 2019-06-14
Also published as: JP4095205B2; US6335281B1

Abstract

(57)【要約】【課題】基体以外に付着した膜等の生成物が基体へ飛散
することを防止して、膜厚および膜質が均一な堆積膜を
定常的に形成し、画像欠陥を激減しうること、また、膜
の諸物性、堆積膜形成速度、再現性及び膜の生産性を向
上させ、歩留まりを飛躍的に向上させることが可能な堆
積膜形成方法及び装置を提供すること。【解決手段】補助基体に装着した基体の上部に補助基体
キャップを設け、減圧気相成長法により、該基体の表面
に堆積膜を形成するに際して、該基体の上端部における
温度と、該基体の上部に設けられている該補助基体キャ
ップの下端部における温度との最大温度差が、所定以下
となるようにして該補助基体キャップに堆積する堆積膜
の密着性を向上させ、堆積膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜形成方法及
び装置に関し、特に、光（ここでは広義の光で、紫外
線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す。）の様な
電磁波に感受性のある光受容部材を安定に形成するのに
適した堆積膜形成方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置、あるいは像形成分野にお
ける電子写真用光受容部材や原稿読みとり装置における
光導電層を形成する材料として、高感度でＳＮ比［光電
流（Ｉｐ）／（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に無公害であること、さらには
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができる等の特性が要求される。特に事務機
としてオフィスで使用される電子写真用光受容部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な点であ
る。この様な観点に立脚して注目されている材料に、水
素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンド
が修飾されたアモルファスシリコン（以後、「ａ−Ｓ
ｉ」と表記する）があり、例えば特開昭５４−８６３４
１号公報には電子写真用光受容部材への応用が記載され
ている。

【０００３】電子写真用光受容部材としては種々の形態
が知られているが、所謂ドラム状の形態とするものが一
般的である。この場合、円筒状の基体の表面に光導電層
などの所望とする層、即ち光受容層、を形成して光受容
部材を形成する。円筒状基体上にａ−Ｓｉからなる光受
容層を形成する場合には、スパッタリング法、熱により
原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料
ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原
料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）等、多数知
られている。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原
料ガスを直流または高周波、マイクロ波グロー放電等に
よって分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する方法は
電子写真用光受容部材の形成方法等、現在実用化が非常
に進んでいる。

【０００４】図１は、プラズマＣＶＤ装置の一例を示す
断面略図である。図中、６１００は真空反応容器全体を
示し、６１１１は真空反応容器の側壁を兼ねたカソード
電極であり、６１２３は真空反応容器の上壁となるゲー
ト、６１２１は真空反応容器の底壁である。前記カソー
ド電極６１１１と、上壁６１２３及び底壁６１２１と
は、夫々、碍子６１２２で絶縁されている。６１１２は
アルミニウム等の金属製の補助基体６１１３−ａに装着
され、真空反応容器内に設置された基体であり、該基体
６１１２上端には補助基体キャップ６１１３−ｂが装着
されている。該基体６１１２は接地されてアノード電極
となるものである。補助基体６１１３−ａの中には、基
体加熱用ヒーター６１１４が設置されており、成膜前に
基体を所定の温度に加熱したり、成膜中に基体を所定の
温度に維持したり、あるいは成膜後基体をアニール処理
したりするのに用いる。

【０００５】６１１５は堆積膜形成用原料ガス導入管で
あって、真空反応空間内に該原料ガスを放出するための
ガス放出孔（図示せず）が多数設けられており、該原料
ガス導入管６１１５の他端は、ガス供給管６１１７、バ
ルブ６２６０を介して堆積膜形成用原料ガス供給系６２
００に連通している。６１２４は、真空反応容器内を真
空排気するための排気管であり、排気バルブ６１１９を
介して真空排気装置（図示せず）に連通している。排気
管６１２４には真空計６１２０が接続され、また、真空
反応容器内を大気に解放する時などに利用される反応容
器リークバルブ６１１８がまた排気管６１２４に接続さ
れている。６１１６は、カソード電極６１１１への電力
印加手段である。堆積膜形成用原料ガス供給系６２００
は所望の原料ガスを貯留する原料ガスボンベ６２２１〜
６２２６を有する。各原料ガスボンベ６２２１〜６２２
６はバルブ６２３１〜６２３６を介して配管に接続され
流入バルブ６２４１〜６２４６を通じてマスフローコン
トローラー６２１１〜６２１６に原料ガスを流入可能と
されている。マスフローコントローラー６２１１〜６２
１６からは流出バルブ６２５１〜６２５６を介してバル
ブ６２６０に各配管が集約されるように結合される。配
管の原料ガスボンベ６２２１〜６２２６と流入バルブ６
２４１〜６２４６の間には夫々圧力調整器６２６１〜６
２６６が接続されている。こうしたプラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置の操作方法は次のようにして行なわ
れる。即ち、真空反応容器内のガスを、排気管６１２４
を介して真空排気すると共に、加熱用ヒーター６１１４
により基体６１１２を所定温度に加熱、保持する。次に
原料ガス導入管６１１５を介して、例えばａ−ＳｉＨ堆
積膜を形成する場合であれば、シラン等の原料ガスを真
空反応容器内に導入し、該原料ガスは、ガス導入管の原
料ガス放出孔（図示せず）から真空反応容器内に放出さ
れる。これと同時併行的に、電力印加手段６１１６か
ら、例えば高周波をカソード電極６１１１と基体（アノ
ード電極）６１１２間に印加しプラズマ放電を発生せし
める。かくして、真空反応容器内の原料ガスは励起され
励起種化し、Ｓｉ＊、ＳｉＨ＊等（＊は励起状態を表わ
す。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子等が生成さ
れ、これらの粒子間または、これらの粒子と基体表面と
の化学的相互作用により、基体表面上に堆積膜を形成す
る。

【０００６】このような、例えばａ−Ｓｉからなる電子
写真用光受容部材を形成する場合、円筒状基体を真空反
応容器内に運搬ならびに保持する必要があることから、
円筒状基体内部に補助基体を挿入することが行われる。
また例えば特開昭６０−８６２７６号公報などに開示さ
れているように、その特性を均一なものにする目的で、
基体上下に補助基体を設ける必要があること等の理由か
らも円筒状基体内部に補助基体を挿入することが、一般
に行われている。更に、例えば、特開平７−１８１７０
０号公報によれば、画像欠陥を防ぎ、且つ電子写真特性
の向上を図り、更に均一な高品位の画像を得る目的で、
補助基体の母材は、基体に相対する部分は熱伝導度の大
きな材料を用い、補助基体上部又は／及び下部は熱膨張
係数及び熱伝導度の小さい材料で構成する技術が開示さ
れている。また、例えば、特開平７−２３０１７８号公
報によれば、画像欠陥を防ぎ、且つ電子写真特性の向上
を図り、更に均一な高品位の画像を得る目的で、補助基
体の内側の表面をセラミックスで形成する技術が開示さ
れている。これらの技術により電子写真用感光体の膜厚
や膜質の均一性が向上し、それに伴って歩留も向上して
きた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような装置で作成
された光受容部材は、膜厚、膜質が均一化され歩留の面
で改善されてきたが、総合的な特性向上を図る上でさら
に改良される余地が存在するのが実情である。特に、電
子写真装置の高画質、高速化、高耐久化は急速に進んで
おり、電子写真用感光体として用いる場合においては電
気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、帯電能、
感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能を延ばす
ことが求められている。そして、電子写真装置の画像特
性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装
置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真用感光
体においても従来以上の画像特性の向上が求められるよ
うになった。このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の膜厚、膜質の均
一化が可能になってはきたが、更なる画像品質の向上に
関しては未だ改善の余地がある。特にアモルファスシリ
コン系感光体（光受容部材）の更なる高画質化への課題
として、更に、均一な膜を得るとともに、微小な画像欠
陥の発生を抑制することが挙げられる。微小な画像欠陥
は、成膜中に基体以外、即ち反応空間内や、補助基体外
面に付着した膜等が基体上に飛散し、堆積膜が異常成長
し、画像上で微小な画像欠陥の発生するところとなる。
そのため、基体以外に付着した膜等の生成物が基体へと
飛散することを防止しなければならない。

【０００８】そこで、本発明は、上記した従来技術にお
ける諸課題を解決し、基体以外に付着した膜等の生成物
が基体へ飛散することを防止して、膜厚および膜質が均
一な堆積膜を定常的に形成し、かつ、画像欠陥を激減し
うる堆積膜形成方法及び装置を提供することを目的とし
ている。また、本発明は、形成される膜の諸物性、堆積
膜形成速度、再現性及び膜の生産性を向上させ、量産化
を行う場合その歩留まりを飛躍的に向上させることが可
能な堆積膜形成方法及び装置を提供することを目的とし
ている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、堆積膜形成方法及び装置をつぎのように
構成したことを特徴とするものである。すなわち、本発
明の堆積膜形成方法は、補助基体に装着した基体の上部
に補助基体キャップを設け、減圧気相成長法により、該
基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法におい
て、該基体の上端部における温度と、該基体の上部に設
けられている該補助基体キャップの下端部における温度
との最大温度差が、所定以下となるようにして該補助基
体キャップに堆積する堆積膜の密着性を向上させ、堆積
膜を形成することを特徴としている。また、本発明の堆
積膜形成装置は、補助基体に装着した基体の上部に補助
基体キャップを設け、減圧気相成長法により、該基体の
表面に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、基体
加熱手段からの輻射熱による該補助基体キャップの表面
温度が低下することを抑制し、該基体の上端部における
温度と、該補助基体キャップの下端部における温度との
最大温度差が、小さくなるように構成したことを特徴と
している。また、本発明のこれらの堆積膜形成方法及び
装置は、前記堆積膜が、シリコン原子を母材とする非晶
質材料からなる光受容部材を形成する堆積膜であること
を特徴としている。また、本発明のこれらの堆積膜形成
方法及び装置は、前記最大温度差が、１５％以下、また
は１０％以下であることを特徴としている。また、本発
明のこれらの堆積膜形成方法及び装置は、前記最大温度
差が、前記基体上端から２０ｍｍ以内における該基体の
上端部における温度と、前記補助基体キャップ下端から
２０ｍｍ以内における該補助基体キャップの下端部にお
ける温度との最大温度差であることを特徴としている。
また、本発明のこれらの堆積膜形成方法及び装置は、外
面の表面粗さがＲｚで、４０μｍ以下、または３０μｍ
以下であることを特徴としている。また、本発明のこれ
らの堆積膜形成方法及び装置は、前記補助基体及び補助
基体キャップの母体となる金属が、前記基体と同種類の
金属を含むことを特徴としている。また、本発明のこれ
らの堆積膜形成方法及び装置は、前記補助基体及び補助
基体キャップの母体となる金属が、Ａｌであることを特
徴としている。また、本発明のこれらの堆積膜形成方法
及び装置は、前記補助基体内側の表面が、セラミックで
構成されていることを特徴としている。また、本発明の
これらの堆積膜形成方法及び装置は、前記補助基体内側
の表面のセラミックは、耐酸性に優れた材料、または熱
輻射を受け易い材料のうちの、少なくともいずれか一つ
から構成されていることを特徴としている。また、本発
明のこれらの堆積膜形成方法及び装置は、前記補助基体
内側の表面のセラミックが、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在
系であることを特徴としている。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明者らは、堆積膜形成方法及
び装置における前述の本発明の目的を達成すべく鋭意研
究を重ねたところ、基体の上端部における温度に対し
て、該基体の上部に設けられている該補助基体キャップ
の下端部における温度の最大温度差を、所定以下となる
ように温度制御して堆積膜を形成することが、画像欠陥
の解消に大きく影響するという知見を得た。すなわち、
この最大温度差は、基体温度の好ましくは１５％以下、
より好ましくは１０％以下にすることにより、また、該
基体上端から２０ｍｍ以内の温度に対する該補助基体キ
ャップ下端から２０ｍｍ以内での温度の最大温度差が１
５％以下、好ましくは１０％以下にすることにより、該
補助基体キャップに堆積した堆積膜の密着性が向上し、
堆積膜形成中の該補助基体キャップから基体への膜片等
の飛散が解消され、それらを核として堆積膜が異常成長
して起る画像欠陥を抑制して、画像欠陥を解消すること
ができるという知見を得た。本発明は、これらの知見に
基づいて完成に至ったものである。

【００１１】以下に、これの点について、更に詳しく説
明する。本発明においては、基体上端から２０ｍｍ以内
の最大温度に対して、該基体上部に設けられている補助
基体キャップ下端から２０ｍｍ以内の温度差の最大を１
５％以下、好ましくは１０％以下にすることにより、補
助基体キャップに堆積した堆積膜の密着性が向上された
ことで、堆積膜形成中の補助基体キャップから基体への
膜片等の飛散が解消され、それらを核として堆積膜が異
常成長して起る画像欠陥、いわゆる画像上での黒ぽちが
改善された。これらの理由については、以下のように考
えられる。プラズマＣＶＤ法により例えばアモルファス
シリコン堆積膜を基体上に形成する場合、反応は、気相
に於ける原料ガスの分解過程、放電空間から基体表面ま
での活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程の３
つに分けて考えることができる。中でも、表面反応過程
は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割を果
たしている。そして、これらの表面反応は、基体表面の
温度、材質、形状、吸着物質などに大きな影響を受ける
のである。この基体上での成長過程を水素を含むアモル
ファスシリコンを例にしてもう少し詳細に説明すると以
下のようになる。プラズマ中で分解して輸送されてきた
分解種は基体上に付着してアモルファスシリコン膜のネ
ットワークを形成するが、まだ３次元的にネットワーク
が完成されていないアモルファスシリコンの成長面では
水素原子の脱離、ダングリングボンドヘの水素原子や珪
素原子の結合、エネルギー的に高い結合を持つ原子の再
配置などにより、構造欠陥の少なく、エネルギー的に安
定な方向への化学的反応（緩和過程）が起こる。これら
の結果、堆積膜としてはダングリングボンドの減少、ギ
ャップ準位密度の低下、Ｓｉ−Ｈ₂結合が減少してＳｉ
−Ｈ結合が主となる等の減少が観察される。これらの反
応は基体の熱エネルギーにより制御されるため、堆積膜
形成中の基体温度が非常に重要となる。また、基体上端
に装着された補助基体キャップは、堆積膜形成中に分解
された化学種の基体裏側へのまわり込みを防止する目的
で装着されているが、基体上端に装着されているという
点で、密着性の面では、補助基体キャップに堆積される
堆積膜としては、基体に堆積される堆積膜とほぼ同等の
膜特性が要求される事から、堆積膜形成中の補助基体キ
ャップの温度も非常に重要となる。

【００１２】該基体の加熱方法は、赤外線などを用いて
気相成長面を直接加熱することも可能であるが、気相成
長側に加熱手段を設けることは工業的にみて実際的でな
いため、通常は、補助基体の内側に加熱手段が設けられ
る。従って基体及び補助基体キャップを所定の温度に加
熱するためには、補助基体の内面で受けた熱を間接的に
基体及び補助基体キャップに伝達するようにする。ま
た、基体と補助基体及び補助基体キャップからなる基体
部材は、特性の均一化を図るために該基体部材を回転さ
せる等の理由から、基体部材と加熱手段は非接触状態に
することが望ましい。その場合、熱の伝達は主として加
熱手段から補助基体への熱輻射により行われ、その後補
助基体から基体、補助基体キャップヘの熱輻射及び、ま
たは、熱伝導で行われる。この際、基体及び補助基体キ
ャップの表面温度は、加熱手段の用いるヒーターの形状
や、反応炉の構成により、大きく影響される事がある。
更には、加熱された基体及び補助基体を運搬工程を経て
反応炉へ移送する際、補助基体の上部のチャッキング部
を、搬送手段である搬送機のチャッキング部とをドッキ
ングさせ補助基体を移送させるため、搬送機のチャッキ
ング部は通常金属製で常温状態であることから、補助基
体上部及び補助基体キャップは接触の際に生じる放熱作
用により基体に対して温度が下がり温度差が生じてしま
う。このため、補助基体キャップに堆積する堆積膜の、
堆積膜形成時の温度が低がために基体に堆積される堆積
膜とは異なり、非常に剥がれ易い膜となり、その結果、
堆積膜形成中に膜剥がれをおこし基体表面に飛散する事
で、その付着した部分が核となり、堆積膜が異常成長し
て起る画像欠陥、いわゆる画像上での黒ぽちが生じてし
まうことがある。更に、補助基体及び補助基体キャップ
は、連続生産でのコスト面から、堆積膜形成後真空反応
容器から取り出された後、毎回、ガラスビーズを用いた
液体ホーニングによりブラスト処理され付着している膜
等を取りのぞき再使用されている。この際、補助基体及
び補助基体キャップ表面は、ブラスト処理にて粗されて
しまう。そのため、補助基体については、表面はある程
度粗面化されていても基体及び補助基体キャップに熱を
伝導させるための熱輻射の点からは問題はないが、補助
基体キャップは、基体表面と比較すると、補助基体キャ
ップ表面は粗される事により表面積が大きくなり、その
結果基体と同等に加熱されても、表面積の違いによる表
面側からの放熱量が異なる事から補助基体キャップの温
度が低くなってしまう。特に補助基体キャップは基体上
端に装着されているという点から、特にその傾向が高く
なる。

【００１３】本発明は、この温度差について鋭意研究を
行ったもので、基体上端部の温度に対して該基体上部に
設けられている該補助基体キャップ下端部の温度の最大
温度差が１５％以下、好ましくは１０％以下にする事
で、補助基体キャップからの堆積膜形成中に膜剥がれを
おこし基体表面に飛散し、その付着した部分が核とな
り、堆積膜が異常成長して起る画像欠陥、いわゆる画像
上での黒ぽちが生じてしまうという事を抑制する。特
に、基体と補助基体キャップ近傍での温度差が急激にあ
る場合は、堆積される膜の応力差等により、より顕著に
起こる事から、その温度差については、諸々の条件を考
慮する必要はあるが、一般的には該基体上端から２０ｍ
ｍ以内と該補助基体キャップ下端から２０ｍｍ以内での
最大温度差が重要である。この近傍での温度差について
は、本発明より、基体と補助基体キャップとの表面粗さ
の違いによる表面積差で起こっていることから、その温
度差を抑える目的で表面粗さに注目することは好まし
い。前記補助基体キャップの外面の表面粗さをＲｚで、
４０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下にする事で、補
助基体キャップの表面温度の低下が緩和され、基体の表
面温度に近い状態で堆積膜が形成される。これによって
基体及び補助基体キャップ表面に堆積される膜はほぼ同
等となり、補助基体キャップからの堆積膜形成中に膜剥
がれをおこし基体表面に飛散し、その付着した部分が核
となり、堆積膜が異常成長して起る画像欠陥、いわゆる
画像上での黒ぽちが生じてしまうという事が抑制される
ものである。また、補助基体キャップの表面組さは、粗
すぎると温度低下になるばかりでなく、ダストの付着を
招くため、前記の粗さとするのが望ましい。

【００１４】また、前記補助基体及び補助基体キャップ
の母体となる金属が、前記基体と同種類の金属を含むこ
とが好ましい。一般に、光受容部材の基体としてはＡｌ
又はＡｌ合金が好んで用いられるので、前記補助基体及
び補助基体キャップの母体となる金属が、Ａｌである事
は望ましい。更に、加熱手段からの熱を効率的に得るた
めに、前記補助基体内側の表面が、セラミックで構成さ
れていることは好ましい。前記補助基体内側の表面のセ
ラミックは、耐酸性に優れた材料、熱輻射を受け易い材
料のうちの、少なくともいずれか一つから構成されるの
が望ましい。前記補助基体内側の表面のセラミックの具
体的な一例としてはＡｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系を挙げ
ることができる。本発明は運搬工程を要する、例えば図
２に示すような、各処理毎に専用の真空容器を備えた光
受容部材の形成装置においても効果的である。

【００１５】図２の装置について説明する。図２は堆積
膜形成装置全体の概略配置図であり、５１０は清浄な雰
囲気で基体を金属を母体とした補助基体に装着し、真空
にするための真空投入容器である。５１１は基体を所定
の温度に加熱、保持するための真空加熱容器、５１２は
堆積膜を形成するための真空反応容器、５１３は堆積膜
形成後の基体等を冷却し、取り出すための真空冷却容器
である。５３４は補助基体又は補助基体と基体を各処理
容器である真空投入容器５１０、真空加熱容器５１１、
真空反応容器５１２、真空冷却容器５１３の各位置に移
動するための真空搬送容器である。５１４、５１５、５
１６、５１７は各処理容器を真空にするための排気装
置、５１８、５１９、５２０、５２１は真空搬送容器５
３４が各真空処理容器である真空投入容器５１０、真空
加熱容器５１１、真空反応容器５１２、真空冷却容器５
１３に接続されたときゲートバルブ５３５とゲートバル
ブ５２２、５２３、５２４、５２５の空間を真空にする
ための排気装置である。例えば真空反応容器５１２への
基体をセットした補助基体の出し入れは、次のようにし
て行われる。真空搬送容器５３４のゲートバルブ５３５
を真空加熱容器５１１のゲートバルブ５２３上に密着さ
せ、ゲートバルブ５３５とゲートバルブ５２３との間の
空間を排気装置５１９により真空にする。次いでゲート
バルブ５２３、５３５を開き、真空搬送容器５３４内に
設けられた上下移動機構（図示せず）により真空加熱容
器５１１内より加熱された基体を補助基体とともに真空
搬送容器５３４内に搬出する。その後ゲートバルブ５２
３、５２４を閉じ真空搬送器５３４を真空反応容器５１
２に対向する位置に移動する。次いで、同様の操作で次
に真空反応容器５１２内に基体をセットした補助基体を
搬入する。移送時間は、通常３〜１０分程である。

【００１６】その後は、前述のように真空反応容器５１
２内で、基体上に堆積膜を形成する。そして最後に真空
冷却容器５１３へ基体をセットした補助基体を搬入し、
真空冷却容器５１３内で基体は冷却された後、真空冷却
容器５１３内を大気圧にし、基体を取り出す。このよう
な各処理毎に専用の真空容器を備えた光受容部材の形成
装置においても効果的である理由は以下のとおりであ
る。真空加熱容器５１１で加熱された補助基体は、補助
基体の上部のチャッキング部を、真空搬送容器５３４内
にある搬送機のチャッキング部とをドッキングさせ移送
される。搬送機のチャッキング部は金属製であり、且つ
常温状態であることから、補助基体上部及び補助基体キ
ャップは搬送機のチャッキング部との接触の際に生じる
放熱作用により部分的に温度が下がってしまう。このよ
うに堆積膜形成前に加熱された補助基体の移動は、移送
時間中に補助基体キャップの温度を基体よりも低下させ
てしまう。このような温度差に対しても補助基体キャッ
プの表面粗さをＲｚで、４０μｍ以下、好ましくは３０
μｍ以下にする事で、加熱及び移送段階での、補助基体
キャップからの放熱が軽減されることで、温度低下を抑
制する事がでる。つまり、基体と補助基体キャップとの
温度差が比較的無い状態でこれらが真空反応容器５１２
に投入され、堆積膜が形成されることになる。

【００１７】以下、図面にしたがって本発明により光受
容部材を形成する方法について、具体例を挙げて、更に
詳細に説明する。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は夫々、本
発明により光受容部材を形成する方法を説明するための
基体支持部の一例を一部を断面図として模式的に示した
構成図である。１０１は補助基体であり、１０３は補助
基体キャップ、１０２は基体を示している。補助基体１
０１は、加熱手段１０５からの輻射熱を直接受ける。熱
は補助基体１０１内部を熱伝導で伝わり、さらには、補
助基体１０１の外面に伝わり、最終的に装着された基体
１０２及び補助基体キャップ１０３の表面に伝えられ
る。この熱伝導、輻射熱に対して基体１０２及び補助基
体キヤップ１０３の表面側では、放熱が起こる。基体１
０２と補助基体キャップ１０３でそれらの表面粗さの違
いにより放熱量が異なるため、表面粗さの粗い補助基体
キャップ１０３では基体１０２よりその表面温度が低下
してしまう。これによって基体１０２と補助基体キャッ
プ１０３の基体１０２の近傍で温度差が生じてしまう。
このような点を考慮して、前述したように補助基体キャ
ップ１０３の表面粗さは、Ｒｚで４０μｍ以下、好まし
くは３０μｍ以下にし、補助基体キャップ１０３の表面
温度低下を抑制し、基体１０２との温度差を小さくして
いる。また置き台部分１０６については、これに換えて
ヒーター１０５の支柱と兼用させるようにして用いるこ
とも出来る。また、基体１０２と補助基体１０１は、熱
伝導を良くするために接触させるのが望ましいが、許容
し得る程度の間隙（空間）があってもよい。また、図３
（Ｂ）に示す様に、補助基体１０１の内面１０７の表面
をセラミックで構成してもよい。

【００１８】補助基体１０１及び補助基体キャップ１０
３は、基体と同種類の材料を含有したほうが、熱膨張に
よる体積変化が等しくなり、基体との密着性あるいは基
体と間隔が安定して保たれるため、均一性の面から好ま
しい。補助基体１０１及び補助基体キャップ１０３の母
体となる金属の材質としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス
等が好適に使用できるものとして挙げられるが、基体が
Ａｌ又はＡｌ合金であることを考慮すると、Ａｌ又はＡ
ｌ合金が適している。補助基体１０１の外面の表面粗さ
に関しては、表面積を増し輻射熱を効率的に得るため
は、表面は粗い方がよい。一方であまり表面性を粗くし
表面積を増加させると、ダストが増加し、また発塵しや
すくなることがある。よって、表面性は十点平均粗さ
（Ｒｚ）で、５〜２００μｍが好ましく、１０〜９０μ
ｍがより好ましい。また、表面性は、内面全面において
均一であることが好ましいが、面内における最大値と最
小値の差が１００μｍ以内であれば実用上問題ない。補
助基体１０１及び、補助基体キャップ１０３の厚さ（肉
厚）は基体を保持している間に変形することがなければ
特に制限はない。しかし、現実的な、コスト、取り扱い
性、強度、加熱時間、加熱温度などを考慮すると好まし
くは、０．５〜３０ｍｍ、より好ましくは１〜２０ｍｍ
とするのが望ましい。補助基体１０１は、少なくとも基
体１０２よりも長く形成されている方が形成される膜の
均一性や取り扱いの面から好ましい。補助基体１０１の
長さは取りつける装置によるもので一概には言えるもの
ではないが、コスト等を鑑みると一つの基体ホルダーに
一つの基体を配置する場合には、基体の長さを１００と
すると好ましくは１００〜２００、より好ましくは１１
０〜１７０とするのが望ましい。一つの基体ホルダーに
複数の基体を配する場合には、複数の基体の堆積膜形成
面の長さの合計が上述した関係とされればよい。

【００１９】補助基体１０１には、補助基体の運搬や基
体の搬送のために図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されて
いるような運搬用チャッキング部１０４を形成すること
が望ましい。尚、運搬のためのチャッキングが正確で確
実に行われるのであれば、凸形状、凹形状等の様々な形
状とすることが可能である。本発明において、補助基体
１０１の内面１０７を、セラミックで構成することによ
り、さらに、温度を効率的に伝達する事が出来、特性の
均一性の向上および、画像欠陥の低減に効果的である。
補助基体１０１の内面１０７を構成するセラミック材料
としては、特に制限はなく、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂
Ｏ₃、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂等が挙げられるが、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂等の耐酸性の優れた材料が、
ａ−Ｓｉからなる光受容部材の製造工程において使用す
る例えばハロゲン原子を含む化合物ガス（Ｆ ₂、Ｃｌ
Ｆ₃、ＳｉＦ₄ ｅｔｃ）等に対する耐食性の面から好ま
しい。また、ＷＣ、ＴａＮ、Ｃｒ₂Ｏ₃等の輻射熱を受け
易い材料も、多少表面の変質が生じても、その影響をほ
とんど受けないため好ましい。さらに、耐酸性の優れた
材料と幅射熱を受け易い材料の混在材料がより好まし
い。混合材料を用いる場合その混合比は、両者の機能を
得るために、耐酸性の優れた材料をａ（ｇ）、輻射熱を
受け易い材料をｂ（ｇ）として、ａ：ｂが１：９９〜９
９：１が好ましく、１０：９０〜９０：１０がより好ま
しい。

【００２０】補助基体１０１の内面１０７を構成するセ
ラミック材料の気孔率は耐熱性の向上や、水分等の吸着
防止のために１〜２０％が好ましく、１〜１５％がより
好ましい。補助基体１０１の内面１０７を構成するセラ
ミックの表面性に関しては、表面積を増し輻射熱を効率
的に得るためは、表面は粗い方がよい。一方であまり表
面性を粗くし表面積を増加させると、ダストが増加し、
また発塵しやすくなることがある。よって、表面性は十
点平均粗さ（Ｒｚ）で、５〜２００μｍが好ましく、１
０〜９０μｍがより好ましい。また、表面性は、内面全
面において均一であることが好ましいが、面内における
最大値と最小値の差が１００μｍ以内であれば実用上問
題ない。補助基体１０１の内面１０７をセラミック材料
で形成する手段としては特に制限はないが、ＣＶＤ法、
メッキあるいは溶射手段等の表面コーテイング法が挙げ
られる。なかでも溶射手段がコスト面からあるいはコー
ティング対象物の大きさ形状の制限を受けにくいためよ
り好ましく、特にプラズマ溶射法は、気孔率が低く密着
性も良好なためより好ましい。また例えばセラミック材
料からなる円筒を、金属製の基体ホルダーの内面に密着
するように装着してもよい。補助基体１０１の内面１０
７をセラミック材料で形成する際には、内面を清浄に処
理した後セラミックを上記手段により金属表面に形成す
るが、密着性を増すために、セラミックと金属表面の間
に例えばＡｌとＴｉの混合材等の下引き層を設ける方が
好ましい。セラミック材料は補助基体１０１の内面の全
面を覆うことが好ましいが、基体ホルダーの接地等のた
めに覆われない部分が一部存在してもよい。補助基体１
０１の内面１０７を構成するセラミック材料の厚さは特
に制限はないが、耐久性及び均一性を増すために、また
伝熱性及び製造コストの面から１０〜１００００μｍが
好ましく、２０〜５０００μｍがより好ましい。

【００２１】本発明において使用される基体１０２とし
ては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，
Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこ
れらの合金、例えばステンレス等が挙げられ、特にＡｌ
又はＡｌ合金は本発明には適している。また、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した基体も
用いることができる。さらに、光導電層を形成する側と
は反対側の表面も導電処理することがより好ましい。基
体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面であることがで
き、その厚さは、所望通りの光受容部材を形成し得るよ
うに適宜決定するが、光受容部材としての可撓性が要求
される場合には、基体としての機能が充分発揮できる範
囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしなが
ら、基体に製造上および取り扱い上、機械的強度等の点
から通常は１００μｍ以上とされる。特にレーザー光な
どの可干渉性光を用いて像記録を行う場合には、可視画
像において現われる、いわゆる干渉縞模様による画像不
良を解消するために、基体表面に凹凸を設けてもよい。
基体表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５
６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２
５８５４号公報等に記載された公知の方法により作製す
ることができる。又、レーザー光などの可干渉光を用い
た場合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法
として、基体表面に複数の球状痕跡窪み（たとえばディ
ンプル）による凹凸形状を設けてもよい。即ち、基体の
表面が光受容部材に要求される解像力よりも微少な凹凸
を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるも
のである。基体表面に設けられる複数の球場痕跡窪みに
よる凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載さ
れた公知の方法により作製される。

【００２２】本発明の光受容部材のａ−Ｓｉからなる光
受容部層はシリコン原子と、水素原子又はハロゲン原子
以外に、フェルミ準位や禁止帯幅等を調整する成分とし
てホウ素、ガリウム等のIII族原子、窒素、リン、ヒ素
等のＶ族原子、酸素原子、炭素原子、ゲルマニウム原子
等を単独もしくは適宜組み合わせて含有させてもよい。
また、光受容部層として、基体との密着性の向上あるい
は電荷受容能の調整等の目的で電荷注入阻止層や、表面
の保護あるいは表面からの電荷の注入の防止等の目的で
表面層を設けるなどの多層構成としてもよい。本発明に
おいて、光受容部層を形成するには、スパッタリング
法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、真
空堆積法が適用される。

【００２３】以下、高周波プラズマＣＶＤ法、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法およびＶＨＦプラズマＣＶＤ法によ
って堆積膜を形成するための装置及び形成方法の一例に
ついて詳述する。図１は高周波プラズマＣＶＤ（以下
「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光
受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図であ
る。図１に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜の製造装
置の構成は前述した通りである。この装置は大別する
と、堆積装置６１００、原料ガスの供給装置６２００、
反応容器６１１１内を減圧にするための排気装置（図示
せず）から構成されている。堆積装置６１００中の反応
容器６１１１内には、金属を母体とした補助基体６１１
３−ａに装着された導電性円筒状基体６１１２があり、
該円筒状基体上には補助基体キャップ６１１３−ｂが装
着されている。基体加熱用ヒーター６１１４、原料ガス
導入管６１１５が設置され、更に高周波マッチングボッ
クス６１１６が接続されている。原料ガス供給装置６２
００は、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＧｅＨ₄
等の原料ガスのボンベ６２２１〜６２２６とバルブ６２
３１〜６２３６、６２４１〜６２４６、６２５１〜６２
５６およびマスフローコントローラー６２１１〜６２１
６から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ６２６０
を介して反応容器６１１１内のガス導入管６１１５に接
続されている。

【００２４】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器６１
１１内に金属を母体とし、ある特定の部分の外面が黒化
処理された基体ホルダー６１１３に装着された円筒状基
体６１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポ
ンプ）により反応容器６１１１内を排気する。続いて、
基体加熱用ヒーター６１１４をＯＮする。すると、基体
ホルダー６１１３の内面が基体加熱用ヒーター６１１４
からの輻射熱を直接受ける。内面で受けられた熱は補助
基体６１１３−ａの母体の金属内部を熱伝導で伝わり、
更に補助基体６１１３−ａの表面に伝わり、最終的に装
着された円筒状基体６１１２及び補助基体キャップ６１
１３−ｂの表面に伝えられる。この際に起こる熱伝導、
輻射熱を、円筒状基体６１１２の表面温度に対して、補
助基体キャップ６１１３−ｂの表面温度の最大温度差が
１５％以下、好ましくは１０％以下の所定の温度以下と
なるようにし、円筒状基体６１１２表面温度を５０℃〜
５００℃の所定の温度に制御する。堆積膜形成用の原料
ガスを反応容器６１１１に流入させるには、ガスボンベ
のバルブ６２３１〜６２３６、反応容器のリークバルブ
６１１８が閉じられていることを確認し、また、流入バ
ルブ６２４１〜６２４６、流出バルブ６２５１〜６２５
６、補助バルブ６２６０が開かれていることを確認し
て、まずメインバルブ６１１９を開いて反応容器６１１
１およびガス配管内６１１７を排気する。次に真空計６
１２０の読みが約６．７×１０^-4Ｐａになった時点で補
助バルブ６２６０、流出バルブ６２５１〜６２５６を閉
じる。その後、ガスボンベ６２２１〜６２２６より各ガ
スをバルブ６２３１〜６２３６を開いて導入し、圧力調
整器６２６１〜６２６６により各ガス圧を（例えば２Ｋ
ｇ／ｃｍ²）調整する。次に、流入バルブ６２４１〜６
２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロー
ラー６２１１〜６２１６内に導入する。

【００２５】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体６１１２上に例えば電荷注入阻止層、感
光層、表面層等の各層の形成を行う。円筒状基体６１１
２が所定の温度になったところで流出バルブ６２５１〜
６２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ６２６０
を徐々に開き、ガスボンベ６２２１〜６２２６から所定
のガスをガス導入管６１１５を介して反応容器６１１１
内に導入する。次にマスフローコントローラー６２１１
〜６２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、反応容器６１１１内の圧力が１３
３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計６１２０を
見ながらメインバルブ６１１９の開口を調整する。内圧
が安定したところで、電力印加手段６１１６のＲＦ電源
（図示せず）を所望の電力に設定して、高周波マッチン
グボックス（図示せず）を通じて反応容器６１１１内に
ＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この
放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガ
スが分解され、円筒状基体６１１２上に所定のシリコン
を主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望
の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流
出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積
膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことに
よって、所望の多層構造の光受容層が形成される。それ
ぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブ
はすべて閉じられていることは言うまでもなく、また、
それぞれのガスが反応容器６１１１内、流出バルブ６２
５１〜６２５６から反応容器６１１１に至る配管内に残
留することを避けるために、流出バルブ６２５１〜６２
５６を閉じ、補助バルブ６２６０を開き、さらにメイン
バルブ６１１９を全開にして系内を一旦高真空に排気す
る操作を必要に応じて行う。また、膜形成の均一化を図
る場合は、膜形成を行なっている間は、円筒状基体６１
１２を駆動装置（図示せず）によって所定の速度で回転
させる。上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作
成条件にしたがって変更が加えられることは言うまでも
ない。

【００２６】円筒状基体６１１２の加熱方法は、真空仕
様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状
ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミッ
クヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外
線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒
とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段
の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、
銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使
用することができる。また、それ以外にも、例えば図２
に示す装置構成のように、反応容器６１１１以外に加熱
専用の容器を設け、円筒状基体６１１２を加熱した後、
反応容器６１１１内に真空中で円筒状基体６１１２を搬
送する等の方法が用いられる。ＲＦ−ＣＶＤ法において
は、反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適
宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０^-2〜１
３３０Ｐａ、好ましくは６．７×１０^-2〜６７０Ｐａ、
最適には１×１０^-1〜１３３Ｐａとするのが好ましい。
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲
が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電
電力を、通常の場合０．１〜７倍、好ましくは０．５〜
６倍、最適には０．７〜５倍の範囲に設定することが望
ましい。さらに、支持体の温度は、層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合２００〜３５
０℃とするのが望ましい。

【００２７】次に、マイクロ波プラズマＣＶＤ（以下
「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法によって形成される
電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。図
１に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆
積装置６１００を、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す堆積装置
３１００に交換して原料ガス供給装置６２００と接続す
ることにより、μＷ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受
容部材製造装置を得ることができる。この装置は、真空
気密化構造を成した減圧にし得る反応容器３１１１、原
料ガスの供給装置、および反応容器内を減圧にするため
の排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器
３１１１内にはマイクロ波電力を反応容器内に効率よく
透過し、かつ、真空気密を保持し得るような材料（例え
ば石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成された
マイクロ波導入窓３１１２、スタブチューナー（図示せ
ず）およびアイソレーター（図示せず）を介してマイク
ロ波電源（図示せず）に接続されているマイクロ波の導
波管３１１３を通してマイクロ波電力が導入可能とされ
ている。金属を母体とした補助基体３１１４−ａに装着
された堆積膜を形成すべき円筒状基体３１１５、該円筒
状基体３１１５上には補助基体キャップ３１１４−ｂが
装着され、、基体加熱用ヒーター３１１６、原料ガス導
入と、プラズマ電位を制御するための外部電気バイアス
を与えるための電極を兼ねた原料ガス導入管３１１７が
設置されている。反応容器３１１１内は排気管３１２１
を通じて不図示の例えば拡散ポンプに接続されている。
原料ガス供給装置は、図１の原料ガス供給装置６２００
を適用することができる。従って、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ
₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＳｉＦ₄等の原料ガスのボンベ６２２
１〜６２２６とバルブ６２３１〜６２３６、６２４１〜
６２４６、６２５１〜６２５６およびマスフローコント
ローラー６２１１〜６２１６から構成することができ、
各原料ガスのボンベはバルブ６２６０を介して反応容器
内のガス導入管３１１７に接続される。また、円筒状基
体３１１５によって取り囲まれた空間３１３０が放電空
間を形成している。

【００２８】μＷ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積
膜の形成は、以下のように行なうことができる。まず、
反応容器３１１１内に金属を母体とした補助基体３１１
４−ａに装着された円筒状基体３１１５を設置し該円筒
状基体３１１５上には補助基体キャップ３１１４−ｂが
装着されている。駆動装置３１２０によって基体３１１
５を回転し、不図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）に
より反応容器内３１１１を排気管３１２１を介して排気
し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以
下に調整する。続いて、基体加熱用ヒーター３１１６を
ＯＮする。すると、補助基体３１１４−ａの内面が基体
加熱用ヒーター３１１６からの輻射熱を直接受ける。内
面で受けられた熱は補助基体３１１４−ａの母体の金属
内部を熱伝導で伝わり、更に補助基体３１１４−ａの表
面に伝わり、最終的に装着された円筒状基体３１１５及
び補助基体キャップ３１１４−ｂの表面に伝えられる。
この際に起こる熱伝導、輻射熱を、円筒状基体３１１５
の表面温度に対して、補助基体キャップ３１１４−ｂの
表面温度の最大温度差が１５％以下、好ましくは１０％
以下の所定の温度以下となるようにし、円筒状基体３１
１５表面温度を５０℃〜５００℃の所定の温度に制御す
る。堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１１に流入
させるには、ガスボンベのバルブ６２３１〜６２３６、
反応容器のリークバルブ（図示せず）が閉じられている
ことを確認し、また、流入バルブ６２４１〜６２４６、
流出バルブ６２５１〜６２５６、補助バルブ６２６０が
開かれていることを確認して、まずメインバルブ（図示
せず）を開いて反応容器３１１１およびガス配管（図示
せず）内を排気する。次に真空計（図示せず）の読みが
約６．７×１０^-4Ｐａになった時点で補助バルブ６２６
０、流出バルブ６２５１〜６２５６を閉じる。その後、
ガスボンベ６２２１〜６２２６より各ガスをバルブ６２
３１〜６２３６を開いて導入し、圧力調整器６２６１〜
６２６６により各ガス圧を（例えば２Ｋｇ／ｃｍ²）調
整する。次に、流入バルブ６２４１〜６２４６を徐々に
開けて、各ガスをマスフローコントローラー６２１１〜
６２１６内に導入する。

【００２９】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体３１１５上に電荷注入阻止層、感光層、
表面層の各層の形成を行う。円筒状基体３１１５が所定
の温度になったところで流出バルブ６２５１〜６２５６
のうちの必要なものおよび補助バルブ６２６０を徐々に
開き、ガスボンベ６２２１〜６２２６から所定のガスを
ガス導入管３１１７を介して反応容器３１１１内の放電
空間３１３０に導入する。次にマスフローコントローラ
ー６２１１〜６２１６によって各原料ガスが所定の流量
になるように調整する。その際、放電空間３１３０内の
圧力が１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計
（図示せず）を見ながらメインバルブ（図示せず）の開
口を調整する。圧力が安定した後、マイクロ波電源（図
示せず）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電
源（図示せず）を所望の電力に設定し、導波管３１１
３、マイクロ波導入窓３１１２を介して放電空間３１３
０にμＷエネルギーを導入して、μＷグロー放電を生起
させる。それと同時併行的に、電源３１１８から電極兼
ガス導入管３１１７に例えば直流等の電気バイアスを印
加する。かくして基体３１１５により取り囲まれた放電
空間３１３０において、導入された原料ガスは、マイク
ロ波のエネルギーにより励起されて解離し、円筒状基体
３１１５上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形
成の均一化を図るため基体回転用モーター３１２０によ
って、所望の回転速度で回転させる。所望の膜厚の形成
が行われた後、μＷ電力の供給を止め、流出バルブを閉
じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終
える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望
の多層構造の光受容層が形成される。

【００３０】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１
内、流出バルブ６２５１〜６２５６から反応容器３１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ６２５１〜６２５６を閉じ、補助バルブ６２６０を
開き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上
述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にし
たがって変更が加えられることは言うまでもない。円筒
状基体３１１５の加熱方法は、真空仕様である発熱体で
あればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付
けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電
気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放
射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段に
よる発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ス
テンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セ
ラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。また、それ以外にも、反応容器３１１１以外に加熱
専用の容器を設け、円筒状基体３１１５を加熱した後、
反応容器３１１１内に真空中で円筒状基体３１１５を搬
送する等の方法が用いられる。

【００３１】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１×１０^-1Ｐａ以上１３．
３Ｐａ以下、より好ましくは４×１０^-1Ｐａ以上６．７
Ｐａ以下、最も好ましくは６．７×１０^-1Ｐａ以上４Ｐ
ａ以下に設定することが望ましい。放電空間外の圧力
は、放電空間内の圧力よりも低ければよいが、放電空間
内の圧力が１３．３Ｐａ以下では、又、特に顕著には
６．７Ｐａ以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の
圧力の３倍以上の時、特に堆積膜特性向上の効果が大き
い。マイクロ波の反応炉までの導入方法としては導波管
による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、１つまた
は複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられる。この
時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質としてはアルミ
ナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ボ
ロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウム（Ｂｅ
Ｏ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の損失の少
ない材料が通常使用される。電極兼ガス導入管３１１７
と円筒状基体３１１５間に発生させる電界は直流電界が
好ましく、又、電界の向きは電極兼ガス導入管３１１７
から円筒状基体３１１５に向けるのがより好ましい。電
界を発生させるために電極兼ガス導入管３１１７に印加
する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００Ｖ以
下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。直流
電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形のもの
が本発明では有効である。つまり、時間によって電圧の
向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例えば、
時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろん、パ
ルス状の電圧、及び整流機により整流された時間によっ
て大きさが変化する脈動電圧でも有効である。

【００３２】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。但し、この時電圧はい
ずれの場合も実効値を言う。電極兼ガス導入管３１１７
の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいずれのも
のでも良いが、実用上は直径０．１ｃｍ以上５ｃｍ以下
の円筒状の形状が好ましい。この時、電極兼ガス導入管
３１１７の長さも、基体に電界が均一にかかる長さであ
れば任意に設定できる。電極兼ガス導入管３１１７の材
質としては、表面が導電性となるものならばいずれのも
のでも良く、例えば、ステンレス，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ
等の金属、これらの合金または表面を導電処理したガラ
ス、セラミック、プラスチック等が通常使用される。

【００３３】次に、ＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プ
ラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）
法によって形成される電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する。図１に示した製造装置におけるＲＦ
−ＰＣＶＤ法による堆積装置６１００を、図５に示す堆
積装置４１００に交換して原料ガス供給装置６２００と
接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写
真用光受容部材製造装置を得ることができる。この装置
は大別すると、真空気密化構造を成した減圧にし得る反
応容器４１１１、原料ガスの供給装置６２００、および
反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。反応容器４１１１内には金属を母体
とする補助基体４１１３−ａに装着された堆積膜を形成
すべき円筒状基体４１１２、該円筒状基体４１１２の上
には補助基体キャップ４１１３−ｂが装着され、支持体
加熱用ヒーター４１１４、原料ガス導入管（図示せ
ず）、電極４１１５が設置され、電極には更に高周波マ
ッチングボックス４１１６が接続されている。また、反
応容器４１１１内は排気管４１２１を通じて不図示の拡
散ポンプに接続されている。原料ガス供給装置６２００
は、ＳｉＨ₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等
の原料ガスのボンベ６２２１〜６２２６とバルブ６２３
１〜６２３６、６２４１〜６２４６、６２５１〜６２５
６およびマスフローコントローラー６２１１〜６２１６
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ６２６０を
介して反応容器４１１１内のガス導入管（図示せず）に
接続されている。また、円筒状支持体４１１２によって
取り囲まれた空間４１３０が放電空間を形成している。

【００３４】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行なうことができる。ま
ず、反応容器４１１１内に円筒状基体４１１２を設置
し、駆動装置４１２０によって円筒状基体４１１２を回
転し、不図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反
応容器４１１１内を排気管４１２１を介して排気し、反
応容器４１１１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調
整する。続いて、支持体加熱用ヒーター４１１４により
円筒状基体４１１２の温度を２００℃乃至３５０℃の所
定の温度に加熱保持する。堆積膜形成用の原料ガスを反
応容器４１１１に流入させるには、ガスボンベのバルブ
６２３１〜６２３６、反応容器のリークバルブ（不図
示）が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ
６２４１〜６２４６、流出バルブ６２５１〜６２５６、
補助バルブ６２６０が開かれていることを確認して、ま
ずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容器４１１１
およびガス配管内を排気する。次に真空計（図示せず）
の読みが約６．７×１０^-4Ｐａになった時点で補助バル
ブ６２６０、流出バルブ６２５１〜６２５６を閉じる。
その後、ガスボンベ６２２１〜６２２６より各ガスをバ
ルブ６２３１〜６２３６を開いて導入し、圧力調整器６
２６１〜６２６６により各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ ² に調
整する。次に、流入バルブ６２４１〜６２４６を徐々に
開けて、各ガスをマスフローコントローラー６２１１〜
６２１６内に導入する。

【００３５】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体４１１２上に各層の
形成を行う。円筒状支持体４１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ６２５１〜６２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ６２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ６２２１〜６２２６から所定のガスをガス導入管
（図示せず）を介して反応容器４１１１内の放電空間４
１３０に導入する。次にマスフローコントローラー６２
１１〜６２１６によって各原料ガスが所定の流量になる
ように調整する。その際、放電空間４１３０内の圧力が
１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計（図示
せず）を見ながらメインバルブ（図示せず）の開口を調
整する。圧力が安定したところで、例えば周波数１０５
ＭＨｚのＶＨＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定し
て、マッチングボックス４１１６を通じて放電空間４１
３０にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。
かくして支持体４１１２により取り囲まれた放電空間４
１３０において、導入された原料ガスは、放電エネルギ
ーにより励起されて解離し、支持体４１１２上に所定の
堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図るた
め支持体回転用モーター４１２０によって、所望の回転
速度で回転させる。

【００３６】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器ヘのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複
数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層
が形成される。それぞれの層を形成する際には必要なガ
ス以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言う
までもなく、また、それぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ６２５１〜６２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ６２５１〜６２５６を閉じ、補助バルブ６２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述
のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にした
がって変更が加えられることは言うまでもない。いずれ
の方法においても、堆積膜形成時の支持体温度は、特に
２００℃以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３
３０℃以下、より好ましくは２５０℃以上３００℃以下
が好ましい。

【００３７】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容
器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を
搬送する等の方法が用いられる。また、特にＶＨＦ−Ｐ
ＣＶＤ法における放電空間の圧力として、好ましくは１
×１０^-1Ｐａ以上６７Ｐａ以下、より好ましくは４×１
０^-1 Ｐａ以上４０Ｐａ以下、最も好ましくは６．７×
１０^-1Ｐａ以上１３．３Ｐａ以下に設定することが望ま
しい。ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設けられ
る電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいず
れのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１０ｃｍ
以下の円筒状が好ましい。この時、電極の長さも、支持
体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設定でき
る。電極の材質としては、表面が導電性となるものなら
ばいずれのものでも良く、例えば、ステンレス，Ａｌ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導
電処理したガラス、セラミック等が通常使用される。本
発明においては、堆積膜を形成するための支持体温度、
ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められ
るものではなく、所望の特性を有する電子写真用感光体
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。

【００３８】

【実験例、実施例】以下、本発明の実験例、実施例につ
いて説明するが、本発明はこれらによって何ら限定され
るものではない。

【００３９】［実験例１］図１に示す電子写真用光受容
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０
ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、表
１に示す作製条件で加熱した。この時、補助基体及び補
助基体キャップは、表２の条件のものを使用し、基体及
び補助基体キャップ表面温度測定のため、熱電対を長手
方向に取り付け、表面温度測定を行った。その結果を図
６に示す。図６において、温度むらを、基体設定温度を
１００とした時の相対値で示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】図６の結果より、基体上端部２０ｍｍ以内の温度に対し
て、補助基体キャップ下端部２０ｍｍ以内の温度は低
く、その最大温度差は１８％であった。

【００４２】［実施例１］実施例１においては、図１に
示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニ
ウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍ
ｍの円筒状基体を、表１に示す作製条件で加熱した。こ
の時、補助基体及び補助基体キャップは表３の条件のも
のを使用し、表４に示すような温度差をつけるため、加
熱用のヒーターを改造して行った。熱電対は基体上端部
２０ｍｍ位置と補助基体キャップ下端部２０ｍｍ位置に
取り付け、表面温度測定を行った。表４において、基体
上端部２０ｍｍ位置の温度に対する補助基体キャップの
温度の最大温度差を、基体上端部２０ｍｍ位置の温度を
１００とした時の相対値で示す。

【００４３】

【表３】

【００４４】

【表４】また、上記の条件で加熱された円筒状基体上に、図１に
示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、さきに詳
述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法により表５
に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。作
成した電子写真用光受容部材について、比較例１を用い
て下記の評価を行なった。その結果を表６に示す。『欠陥』光学顕微鏡を用いて５０倍の倍率で９ｃｍ²の
範囲で電子写真用感光体の表面を観察し、２０ミクロン
以上の欠陥が１０個未満のものを◎、２０ミクロン以上
の欠陥が２０個未満のものを○、２０ミクロン以上の欠
陥が３０個未満のものを△、２０ミクロン以上の欠陥が
３０個を超えるのものを×とした４段階評価を行った。『黒ぽち』作成した電子写真用光受容部材をキヤノン製
複写機ＮＰ−９３３０を高速対応に改造した電子写真装
置にセットし、キヤノン製中間調チャート（ＦＹ９−９
０４２）を原稿台に置きコピーした時に得られた画像の
同一画像内にある直径０．２ｍｍ以下の黒ぽちについて
評価した。 ◎は、「特に良好」即ち、黒ぽちが殆どない事を確認し
た。 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題有り」

【００４５】

【表５】

【００４６】

【表６】表６の結果より、基体上端部２０ｍｍ以内の温度に対し
て、補助基体キャップ下端部２０ｍｍ以内の温度の最大
温度差が、１５％以下、好ましくは１０％以下にする事
で、欠陥の少ない良好な画像を得る事が出来た。

【００４７】［実施例２］実施例２においては、図１に
示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニ
ウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍ
ｍの円筒状基体を、表１に示す作製条件で加熱した。こ
の時、補助基体及び補助基体キャップは表７の条件のも
のを使用し、表８に示すように補助基体キャップ外面の
粗さを変化させた時の基体及び補助基体キャップの表面
温度を測定した。熱電対は基体上端部２０ｍｍ位置と補
助基体キャップ下端部２０ｍｍ位置に取り付け、表面温
度測定を行った。その結果を図７に示す。図７におい
て、基体上端部２０ｍｍ位置の温度に対する補助基体キ
ャップの温度の最大温度差を、基体上端部２０ｍｍ位置
の温度を１００とした時の相対値で示す。

【００４８】

【表７】

【００４９】

【表８】図７の結果より、補助基体キャップの表面粗さが粗くな
るにつれて、基体上端部２０ｍｍ以内の温度に対して、
補助基体下端部２０ｍｍ以内の温度の最大温度差が大き
くなる。また、上記の条件で加熱された円筒状基体上
に、図１に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用
い、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電
法により表５に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。作成した電子写真用光受容部材について、比
較例２を用いて実施例１と同様の評価を行った。その結
果を表９に示す。

【００５０】

【表９】表９の結果より、補助基体キャップ表面粗さがＲｚで、
４０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下にする事で基体
上端部２０ｍｍ以内の温度に対して、補助基体キャップ
下端部２０ｍｍ以内の温度の温度差を抑制することがで
き、その結果欠陥の少ない良好な画像を得る事が出来
た。

【００５１】［実施例３］実施例３においては、図１に
示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミニ
ウムよりなる直径８０ｍｍ，長さ３５８ｍｍ，肉厚３ｍ
ｍの円筒状導電性基体上に、さきに詳述した手順にした
がって、ＲＦグロー放電法により表１０に示す作製条件
で電子写真用光受容部材を作製した。この時、補助基体
及び補助基体キャップは表１１の寸法形状のものを用い
て行い、実施例１と同様、欠陥、黒ぽちについて評価し
た。その結果を表１２に示す。表１２の結果より、基体
ホルダー内面をセラミックで構成した場合においても、
同様に良好な結果が得られた。

【００５２】

【表１０】

【００５３】

【表１１】

【００５４】

【表１２】［実施例４］実施例４においては、図４に示す電子写真
用光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる
直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状
導電性基体上に、さきに詳述した手順にしたがって、マ
イクロ波グロー放電法により表１３に示す作製条件で電
子写真用光受容部材を作製した。この時、補助基体及び
補助基体キャップは実施例３と同様のものとした。作製
した電子写真用感光体を、実施例１と同様、温度特性、
光メモリーについて評価したところ、実施例３と同様非
常に良好な結果であった。

【００５５】

【表１３】［実施例５］実施例５においては、図５に示す電子写真
用光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる
直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導
電性基体上に、さきに詳述した手順にしたがって、ＶＨ
Ｆ−ＰＣＶＤ法により表１４に示す作製条件で電子写真
用光受容部材を作製した。この時、補助基体及び補助基
体キャップは実施例４と同様のものとした。作製した電
子写真用感光体を、実施例１と同様、欠陥、黒ぽちにつ
いて評価したところ、実施例４と同様非常に良好な結果
であった。

【００５６】

【表１４】

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基体の上端部における温度と、該基体の上部に設けられ
ている補助基体キャップの下端部における温度との最大
温度差が、所定以下となるように構成することによっ
て、該補助基体キャップに堆積する堆積膜の密着性を向
上させ、基体以外に付着した膜等の生成物が基体へ飛散
することを防止することが可能となり、膜厚および膜質
が均一な堆積膜を定常的に形成することができ、また、
画像欠陥を激減しうる堆積膜形成方法及び装置を実現す
ることができる。その結果、特に、ａ−Ｓｉで構成され
た従来の光受容部材における諸問題を解決することがで
き、極めて優れた電気的特性、光学的特性、光導電特
性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示す光受容
部材を形成することができる。また、本発明によると、
形成される膜の諸物性、堆積膜形成速度、再現性及び膜
の生産性を向上させ、量産化を行う場合その歩留まりを
飛躍的に向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】高周波プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受
容部材の製造装置の一例を示す模式的構成図である。

【図２】電子写真用光受容部材を形成するための装置の
一例を示すものである。

【図３】本発明による光受容部材の形成方法の好適な実
施態様例の構成を説明するための模式的構成図である。

【図４】本発明における電子写真用光受容部材を形成す
るための装置の一例を示すものであり、μＷグロー放電
法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明
図である。（Ａ）は、装置の側断面図であり、（Ｂ）
は、Ｘ−Ｘ’における横断面図である。

【図５】本発明における電子写真用光受容部材を形成す
るための装置の一例を示すものであり、ＶＨＦグロー放
電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説
明図である。

【図６】本発明の実験例１における温度むらを、基体設
定温度を１００とした時の相対値を示すものである。

【図７】本発明の実施例２における基体上端部２０ｍｍ
位置の温度に対する補助基体キャップの温度の最大温度
差を、基体上端部２０ｍｍ位置の温度を１００とした時
の相対値を示すものである。

【符号の説明】

１０１：補助基体１０２：基体１０３：補助基体キャップ１０４：運搬用取っ手１０５：加熱手段１０６：置き台１０７：補助基体内面３１００：μＷグロー放電法による堆積膜形成装置３１１１：反応容器３１１２：マイクロ波導入窓３１１３：導波管３１１４−ａ：補助基体３１１４−ｂ：補助基体キャップ３１１５：円筒状基体３１１６：基体加熱用ヒーター３１１７：原料ガス導入管兼バイアス電極３１１８：バイアス電源３１２０：基体回転用モーター３１２１：排気管３１３０：放電空間４１００：ＶＨＦグロー放電法による堆積膜形成装置４１１１：反応容器４１１２：円筒状基体４１１３−ａ：補助基体４１１３−ｂ：補助基体キャップ４１１４：基体加熱用ヒーター４１１５：電極４１１６：マッチングボックス４１２１：排気管４１３０：放電空間５１０：真空投入容器５１１：真空加熱容器５１２：真空反応容器５１３：真空冷却容器５１４〜５１７：排気装置５１８〜５２１：真空排気装置５２２〜５２５：ゲート５２６〜５２９：真空バルブ５３０〜５３３：排気バルブ５３４：真空搬送容器５３５：ゲート６１００：ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置６１１１：反応容器６１１２：円筒状基体６１１３−ａ：補助基体６１１３−ｂ：補助基体キャップ６１１４：基体加熱用ヒーター６１１５：原料ガス導入管６１１６：マッチングボックス６１１７：原料ガス配管６１１８：反応容器リークバルブ６１１９：メイン排気バルブ６１２０：真空計６１２１：底壁６１２２：碍子６１２３：ゲート６１２４：排気管６２００：原料ガス供給装置６２１１〜６２１６：マスフローコントローラー６２２１〜６２２６：原料ガスボンベ６２４１〜６２４６：ガス流入バルブ６２５１〜６２５６：ガス流出バルブ６２６１〜６２６６：圧力調整器

フロントページの続き (72)発明者松岡秀彰東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者高井康好東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】補助基体に装着した基体の上部に補助基体
キャップを設け、減圧気相成長法により、該基体の表面
に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、該基体の
上端部における温度と、該基体の上部に設けられている
該補助基体キャップの下端部における温度との最大温度
差が、所定以下となるようにして該補助基体キャップに
堆積する堆積膜の密着性を向上させ、堆積膜を形成する
ことを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】前記堆積膜が、シリコン原子を母材とする
非晶質材料からなる光受容部材を形成する堆積膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】前記最大温度差が、１５％以下、または１
０％以下であることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】前記最大温度差は、前記基体上端から２０
ｍｍ以内における該基体の上端部における温度と、前記
補助基体キャップ下端から２０ｍｍ以内における該補助
基体キャップの下端部における温度との最大温度差であ
ることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１
項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】前記補助基体キャップは、外面の表面粗さ
がＲｚで、４０μｍ以下、または３０μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に
記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】前記補助基体及び補助基体キャップの母体
となる金属が、前記基体と同種類の金属を含むことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の
堆積膜形成方法。
【請求項７】前記補助基体及び補助基体キャップの母体
となる金属が、Ａｌであることを特徴とする請求項６項
に記載の堆積膜形成方法。
【請求項８】前記補助基体内側の表面が、セラミックで
構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５
のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項９】前記補助基体内側の表面のセラミックは、
耐酸性に優れた材料、または熱輻射を受け易い材料のう
ちの、少なくともいずれか一つから構成されていること
を特徴とする請求項８に記載の堆積膜形成方法。
【請求項１０】前記補助基体内側の表面のセラミック
が、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系であることを特徴とす
る請求項８または請求項９のいずれか１項に記載の堆積
膜形成方法。
【請求項１１】補助基体に装着した基体の上部に補助基
体キャップを設け、減圧気相成長法により、該基体の表
面に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、基体加
熱手段からの輻射熱による該補助基体キャップの表面温
度が低下することを抑制し、該基体の上端部における温
度と、該補助基体キャップの下端部における温度との最
大温度差が、小さくなるように構成したことを特徴とす
る堆積膜形成装置。
【請求項１２】前記堆積膜が、シリコン原子を母材とす
る非晶質材料からなる光受容部材を形成する堆積膜であ
ることを特徴とする請求項１１に記載の堆積膜形成装
置。
【請求項１３】前記最大温度差が、１５％以下、または
１０％以下であることを特徴とする請求項１１または請
求項１２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１４】前記最大温度差は、前記基体上端から２
０ｍｍ以内における該基体の上端部における温度と、前
記補助基体キャップ下端から２０ｍｍ以内における該補
助基体キャップの下端部における温度との最大温度差で
あることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいず
れか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１５】前記補助基体キャップは、外面の表面粗
さがＲｚで、４０μｍ以下、または３０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１１から請求項１４のいずれか
１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１６】前記補助基体及び補助基体キャップの母
体となる金属が、前記基体と同種類の金属を含むことを
特徴とする請求項１１から請求項１５のいずれか１項に
記載の堆積膜形成装置。
【請求項１７】前記補助基体及び補助基体キャップの母
体となる金属が、Ａｌであることを特徴とする請求項１
６項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１８】前記補助基体内側の表面が、セラミック
で構成されていることを特徴とする請求項１１から請求
項１７のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１９】前記補助基体内側の表面のセラミック
は、耐酸性に優れた材料、または熱輻射を受け易い材料
のうちの、少なくともいずれか一つから構成されている
ことを特徴とする請求項１８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項２０】前記補助基体内側の表面のセラミック
が、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系であることを特徴とす
る請求項１８または請求項１９のいずれか１項に記載の
堆積膜形成装置。