JP5058510B2 - 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5058510B2 JP5058510B2 JP2006125426A JP2006125426A JP5058510B2 JP 5058510 B2 JP5058510 B2 JP 5058510B2 JP 2006125426 A JP2006125426 A JP 2006125426A JP 2006125426 A JP2006125426 A JP 2006125426A JP 5058510 B2 JP5058510 B2 JP 5058510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited film
- film forming
- cylindrical
- forming apparatus
- partition plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器と、該反応容器の中に複数の円筒状基体を夫々設置する設置部と、該反応容器の側壁を兼ねて該複数の円筒状基体を取り囲むように設けられた放電電極と、を有し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該堆積膜形成装置は、該設置部に設置された円筒状基体の堆積膜が形成される面が互いに直接向き合うことがないように、該設置部に設置される円筒状基体同士の間に設けられ、かつ該放電電極と電気的に接続された仕切板をさらに備え、
該仕切板および該放電電極が、該設置部に設置される円筒状基体の周方向において該円筒状基体との距離が等間隔にならないように配置されている
ことを特徴とする堆積膜形成装置である。
排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器の中に、複数の円筒状基体を設置し、該複数の円筒状基体を取り囲むように放電電極を設け、該放電電極に高周波電力を印加することにより該反応容器の中にグロー放電を発生させて、該反応容器の中に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該複数の円筒状基体同士の間に、該円筒状基体の堆積膜が形成される面が互いに直接向き合うことがないように、該放電電極と電気的に接続された仕切板を設けることで、該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲のアース電位の領域をなくし、かつ、該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲の放電空間を非対称にして成膜を行うことを特徴とする堆積膜形成方法である。
本実施例では、図1に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105(図4の支持体401に相当する)として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを4本用意し、回転軸107に設置した。そして、円筒状基体105を5rpmで回転させながら表1に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を4本形成した。
円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.7
とした。ただし、ここで言う円筒状基体の長さには補助基体106の長さを含んでいない。また、円筒状基体、仕切板および放電電極の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。また、仕切板104の配置は、上蓋102と底板103までの間隔が均等になるように設置した。
実施例1で用いた堆積膜形成装置から仕切板104を取り外し、実施例1と同様の手順で表1の製造条件で電子写真感光体を4本製造した。
図6に示す本発明との比較例の堆積膜形成装置を用意した。図6において、符号601は放電電極、符号604は円筒状の仕切板、符号605は円筒状基体、符号608はガス導入管、符号609は排気配管を示す。この堆積膜形成装置では、図1(b)の横断面構造と比較すると、仕切板の形状が異なっている。つまり、図6のように、仕切板604が円筒状で円筒状基体605と同心円となるように配置されており、円筒状基体605と円筒状の仕切板604の間の距離は円筒状基体の周方向全てにおいて等しくなっている。また、本比較例の仕切板604の長さは実施例1と同様の長さとした。
図5に示す従来の堆積膜形成装置に円筒状基体505として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを1本用意し、設置した。そして、表2の製造条件で電子写真感光体の形成を行った。なお、本比較例の放電電極501の長さは実施例1と同様の長さとした。
実施例1と比較例1〜3で作製したa−Si電子写真感光体について、下記の方法で、堆積速度、帯電能、感度、光メモリー、および画像欠陥の数の評価を行い、これらの結果を表3に示した。
得られた電子写真感光体の総膜厚を測定した。測定は、電子写真感光体の中央部分を渦電流式膜厚計(株式会社フィッシャーインストルメンツ製 FISCHERSCOPE MMS)で測定した。測定は以下の手順で行った。
得られた電子写真感光体を電子写真装置にセットし、主帯電器に一定の電流(本発明では700μA)を流し、現像器位置にセットした表面電位計の電位センサーにより暗部電位を測定した。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好である。本実施例では、電子写真装置として、キヤノン株式会社製複写機GP55(商品名)を実験用に改造したものを用い、表面電位計として、米国のトレック・インコーポレーテッド社製Model344(商品名)を用いた。帯電能測定は感光体の母線方向(感光体となった円筒状基体の軸方向)の中央部で行った。
◎…110%以上
○〜◎…105%以上110%未満
○…95%以上105%未満
△…90%以上95%未満
×…90%未満
(感度)
前述した電子写真装置において、現像器位置での暗部電位が一定値(本発明では450V)となるように主帯電器への電流を調整した後に、原稿として反射濃度0.1以下の所定の白紙を用いて感度を求めた。具体的には、現像器位置での明部電位が所定の値(本発明では50V)となるように像露光(波長655nmの半導体レーザー)を調整した際の像露光量によって感度を評価した。したがって、像露光量が少ないほど感度が良好である。感度測定は感光体の母線方向(感光体となった円筒状基体の軸方向)の中央部で行った。
◎…90%未満
○〜◎…90%以上95%未満
○…95%以上105%未満
△…105%以上110%未満
×…110%以上
(光メモリー)
前述した電子写真装置において、現像器位置における暗部電位が所定の値(本発明では450V)となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値(本発明では50V)となるよう像露光光量を調整した。そして、縦297mm、幅80mmの白紙原稿に、反射濃度1.1、直径5mmの黒丸を貼り付けたゴーストチャートを原稿台の左端に置き、その上にA3サイズの反射濃度0.3の中間調チャートを重ねて置いてコピーを行った。このような原稿をコピーすることで、感光体は、白地に黒丸を貼り付けたゴーストチャートをコピーした1回転後に中間調チャートをコピーすることになる。この場合、光メモリーが全くない感光体では、中間調コピーの濃度は均一になるが、光メモリーを持つ感光体の場合、中間調コピーに薄く黒丸が写ることになる。
◎…90%未満
○〜◎…90%以上95%未満
○…95%以上105%未満
△…105%以上110%未満
×…110%以上
(画像欠陥の数)
前述した電子写真装置において、全面黒チャートを原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像の10cm2の面積内にある直径0.2mm以下の白ポチ(白い点状の画像欠陥)の数によって評価した。したがって、数値が小さいほど画像欠陥は良好である。画像欠陥の測定は、感光体の軸方向の中央部で行った。
◎…80%未満
○〜◎…80%以上95%未満
○…95%以上105%未満
△…105%以上120%未満
×…120%以上
図1に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを4本用意し、回転軸107に設置した。そして、円筒状基体105を5rpmで回転させながら表1に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を4本形成した。
(A)放電電極の長さと同等の長さ
(B)円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.8
(C)円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.5
(D)円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.2
(E)円筒状基体の長さと同等の長さ
の5パターンに変化させて成膜を行った。ただし、ここで言う円筒状基体の長さには補助基体106の長さを含んでいない。また、円筒状基体、仕切板および放電電極の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。また、仕切板104の配置は、上蓋102と底板103までの間隔が均等になるように設置した。
得られた電子写真感光体を電子写真装置にセットし、主帯電器に一定の電流(本発明では700μA)を流し、現像器位置にセットした表面電位計の電位センサーにより暗部電位を測定した。本実施例では、電子写真装置として、キヤノン株式会社製複写機GP55(商品名)を実験用に改造したものを用い、表面電位計として、米国のトレック・インコーポレーテッド社製Model344(商品名)を用いた。このとき、帯電能測定は感光体の母線方向(円筒状基体の軸方向)に2cm刻みで行い、帯電能の最大値と最小値の差を平均値で割ることで軸ムラを算出した。
◎…90%未満
○〜◎…90%以上95%未満
○…95%以上105%未満
△…105%以上110%未満
×…110%以上
(感度の軸ムラ)
前述した電子写真装置において、現像器位置での暗部電位が一定値(本発明では450V)となるように主帯電器への電流を調整した後に、原稿として反射濃度0.1以下の所定の白紙を用いて感度を求めた。具体的には、現像器位置での明部電位が所定の値(本発明では50V)となるように像露光(波長655nmの半導体レーザー)を調整した際の像露光量によって感度を評価した。このとき、感度測定は感光体の母線方向(円筒状基体の軸方向)に2cm刻みで行い、感度の最大値と最小値の差を平均値で割ることで軸ムラを算出した。
◎…90%未満
○〜◎…90%以上95%未満
○…95%以上105%未満
△…105%以上110%未満
×…110%以上
(比較例4)
図1に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを4本用意し、底板103上に設置した。そして、円筒状基体105を5rpmで回転させながら表1に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を4本形成した。
図2(a)に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを2本用意し、回転軸107に設置した。そして、円筒状基体105を5rpmで回転させながら表5に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を2本形成した。
円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.7
とした。ただし、ここで言う円筒状基体の長さには補助基体106の長さを含んでいない。また、円筒状基体、仕切板および放電電極の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。また、仕切板104の配置は、上蓋102と底板103までの間隔が均等になるように設置した。
図2(b)に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを3本用意し、回転軸107に設置した。そして、円筒状基体105を5rpmで回転させながら表6に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を3本形成した。本実施例の堆積膜形成装置では、仕切板の長さは実施例3と同様の長さとした。
図2(c)に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを6本用意し、回転軸107に設置した。そして、円筒状基体105を5rpmで回転させながら表7に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を6本形成した。本実施例の堆積膜形成装置では、仕切板の長さは実施例3と同様の長さとした。
図3に示す堆積膜形成装置に円筒状基体305として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを4本用意し、回転軸307に一列に設置した。そして、円筒状基体305を5rpmで回転させながら表9に示す条件下で、図4(d)に示したような電荷輸送層406、電荷発生層405、および表面層403から成る電子写真感光体を4本形成した。
円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.4
とした。ただし、ここで言う円筒状基体の長さには補助基体306の長さを含んでいない。また、円筒状基体、仕切板および放電電極の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。また、仕切板304の配置は、上蓋302と底板303までの間隔が均等になるように設置した。
実施例6で用いた堆積膜形成装置から仕切板304を取り外し、実施例6と同様の手順で電子写真感光体を4本製造した。
図2(c)に示す堆積膜形成装置に円筒状基体105として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを6本用意し、回転軸107に設置した。そして、円筒状基体105を10rpmで回転させながら表7に示す条件下で、図4(c)に示したような下部阻止層404、光導電層402、および表面層403から成る電子写真感光体を6本形成した。
円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.5
とした。ただし、ここで言う円筒状基体の長さには補助基体106の長さを含んでいない。また、円筒状基体、仕切板および放電電極の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。また、仕切板104の配置は、上蓋102と底板103までの間隔が均等になるように設置した。
図3に示す堆積膜形成装置に円筒状基体305として、直径30mm、長さ358mmの円筒状アルミニウムシリンダーを4本用意し、回転軸307に一列に設置した。そして、円筒状基体305を7rpmで回転させながら表9に示す条件下で、図4(d)に示したような電荷輸送層406、電荷発生層405、および表面層403から成る電子写真感光体を4本形成した。
円筒状基体の長さ+(放電電極の長さ−円筒状基体の長さ)×0.5
とした。ただし、ここで言う円筒状基体の長さには補助基体306の長さを含んでいない。また、円筒状基体、仕切板および放電電極の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。また、仕切板304の配置は、上蓋302と底板303までの間隔が均等になるように設置した。
101、301 放電電極
104、304 仕切板
105、305 円筒状基体
Claims (20)
- 排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器と、該反応容器の中に複数の円筒状基体を夫々設置する設置部と、該反応容器の側壁を兼ねて該複数の円筒状基体を取り囲むように設けられた放電電極と、を有し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該堆積膜形成装置は、該設置部に設置された円筒状基体の堆積膜が形成される面が互いに直接向き合うことがないように、該設置部に設置される円筒状基体同士の間に設けられ、かつ該放電電極と電気的に接続された仕切板をさらに備え、
該仕切板および該放電電極が、該設置部に設置される円筒状基体の周方向において該円筒状基体との距離が等間隔にならないように配置されている
ことを特徴とする堆積膜形成装置。 - 前記仕切板の円筒状基体の軸方向の長さが、前記円筒状基体の軸方向の長さ以上であり、かつ前記放電電極の円筒状基体の軸方向の長さよりも短い請求項1に記載の堆積膜形成装置。
- 前記設置部には前記円筒状基体が端部に補助基体を有して設置され、前記仕切板の円筒状基体の軸方向の長さが、該補助基体を含めた前記円筒状基体の軸方向の長さよりも短い請求項2に記載の堆積膜形成装置。
- 前記仕切板が平面から構成される請求項1〜3の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記仕切板のJIS B0601−1994に準じて測定される算術平均粗さ(Ra)が1μm以上20μm以下の範囲である請求項1〜4の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記仕切板の表面粗さがブラスト加工によって調整されている請求項5に記載の堆積膜形成装置。
- 前記仕切板の表面粗さが溶射加工によって調整されている請求項5に記載の堆積膜形成装置。
- 前記仕切板の溶射加工に用いられる溶射材が、アルミニウム、ニッケル、ステンレス及び二酸化チタンの少なくとも1つ以上の材料である請求項7に記載の堆積膜形成装置。
- 前記放電電極が円筒状である請求項1〜8の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記設置部が前記複数の円筒状基体を同一円周上に設置するよう配置されている請求項9に記載の堆積膜形成装置。
- 前記放電電極が角形である請求項1〜8の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記設置部が前記複数の円筒状基体を一列に配置するよう配置されている請求項11に記載の堆積膜形成装置。
- 堆積膜の形成を行っている間、前記円筒状基体をその中心軸線周りに回転させる手段を有する請求項1〜12の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記堆積膜形成装置は、前記放電電極に高周波電力を印加する手段を更に有し、該高周波電力が1MHz以上20MHz以下のRF帯である請求項1〜13の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記堆積膜が水素原子を構成要素として含むアモルファスシリコンである請求項1〜14の何れかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記堆積膜が電子写真感光体の堆積膜である請求項15に記載の堆積膜形成装置。
- 排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器の中に、複数の円筒状基体を設置し、該複数の円筒状基体を取り囲むように放電電極を設け、該放電電極に高周波電力を印加することにより該反応容器の中にグロー放電を発生させて、該反応容器の中に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該複数の円筒状基体同士の間に、該円筒状基体の堆積膜が形成される面が互いに直接向き合うことがないように、該放電電極と電気的に接続された仕切板を設けることで、該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲のアース電位の領域をなくし、かつ、該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲の放電空間を非対称にして成膜を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。 - 前記円筒状基体をその中心軸線周りに回転させながら前記堆積膜の形成を行う請求項17に記載の堆積膜形成方法。
- 前記堆積膜が水素原子を構成要素として含むアモルファスシリコンである請求項18に記載の堆積膜形成方法。
- 前記堆積膜が電子写真感光体の堆積膜である請求項19に記載の堆積膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006125426A JP5058510B2 (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006125426A JP5058510B2 (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007297660A JP2007297660A (ja) | 2007-11-15 |
JP2007297660A5 JP2007297660A5 (ja) | 2009-06-04 |
JP5058510B2 true JP5058510B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=38767397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006125426A Expired - Fee Related JP5058510B2 (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5058510B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5936481B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成装置及び方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59217614A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン成膜装置 |
JPS61110768A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Sharp Corp | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
JPH05217915A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Fuji Xerox Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JP3495488B2 (ja) * | 1995-01-27 | 2004-02-09 | 株式会社ボッシュオートモーティブシステム | プラズマcvd装置 |
JP2005163165A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Canon Inc | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
-
2006
- 2006-04-28 JP JP2006125426A patent/JP5058510B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007297660A (ja) | 2007-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11193470A (ja) | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JP3745095B2 (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
US6435130B1 (en) | Plasma CVD apparatus and plasma processing method | |
JP2000073173A (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
JP4109861B2 (ja) | 真空処理方法 | |
EP0720205A1 (en) | Deposited film forming apparatus and electrode for use in it | |
JP5058510B2 (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
JP5058511B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
JP3428865B2 (ja) | 堆積膜の形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JP4298401B2 (ja) | 堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法 | |
JPH09263947A (ja) | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JP2007119839A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
JP3289011B2 (ja) | 堆積膜形成装置の洗浄方法 | |
JP2009030088A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
JPH0943884A (ja) | 電子写真感光体の形成方法 | |
JP3412957B2 (ja) | 光受容部材の製造方法 | |
JP2005015877A (ja) | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JP2005068455A (ja) | 堆積膜形成方法及び装置 | |
JP2005163164A (ja) | 堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法 | |
JPH08222519A (ja) | 高周波プラズマcvd法による堆積膜形成方法 | |
JPH0931659A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
JP2005163163A (ja) | 堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法 | |
JPH0967676A (ja) | 高周波プラズマcvd法による堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JP2003041369A (ja) | 真空処理方法および真空処理装置 | |
JP2009024238A (ja) | 堆積膜形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090417 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120801 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5058510 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |