JP3563789B2 - 電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、アルミニウム基体上に機能性膜を形成した電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具に関し、更に詳しくは、特に珪素元素を含有したアルミニウム基体上にプラズマＣＶＤ法により形成された珪素原子と水素原子を含む非単結晶堆積膜を有する電子写真感光体に好適な電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体の堆積膜を形成するための基体としては、ガラス、耐熱性合成樹脂、ステンレス、アルミニウム等が提案されている。しかし、実用的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった電子写真プロセスに耐え、また画質を落さないために常に電子写真感光体表面の装置本体内における位置精度を高く保つため、金属を使用する場合が多い。中でもアルミニウムは加工性が良好で、コストが低く、重量が軽い点から電子写真感光体の基体として最適な材料の１つである。
【０００３】
電子写真感光体の基体の材質に関する技術が、特開昭５９−１９３４６３号公報、特開昭６０−２６２９３６号公報に記載されている。特開昭５９−１９３４６３号公報には、支持体をＦｅ含有率が２０００ｐｐｍ以下のアルミニウム合金にすることにより、良好な画質のアモルファスシリコン電子写真感光体を得る技術が開示されている。更に、該公報中では円筒状（シリンダー状）基体を旋盤により切削を行い鏡面加工した後、グロー放電によりアモルファスシリコンを形成するまでの手順が開示されている。特開昭６０−２６２９３６号公報には、Ｍｇを３．０〜６．０ｗｔ％を含有し、不純物として、Ｍｎを０．３ｗｔ％以下、Ｃｒを０．０１ｗｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、Ｓｉを０．１２ｗｔ％以下に抑制し、残部Ａｌからなるアモルファスシリコンの蒸着性に優れた押し出しアルミニウム合金が開示されている。しかし、これらの公報には基体の洗浄についての記載はない。
【０００４】
電子写真感光体の基体の加工方法に関する技術が、特開昭６１−１７１７９８号公報に記載されている。該公報には、特定の成分による切削油を使用し、基体を切削することにより良好な品質のアモルファスシリコン等の電子写真感光体を得る技術が開示されている。また該公報中に切削後、基体をトリエタン（トリクロルエタン：Ｃ２ Ｈ３ Ｃｌ３ ）で洗浄することが記載されている。
【０００５】
電子写真感光体の基体の表面処理に関する技術として、特開昭５８−０１４８４１号、特開昭６１−２７３５５１号公報、特開昭６３−２６４７６４号公報、特開平１−１３０１５９号公報が提案されている。
【０００６】
特開昭５８−０１４８４１号公報には、アルミニウム支持体表面の自然酸化物皮膜を除去した後、温度６０℃以上の水中に浸漬し均一な酸化物皮膜を得る技術が開示されている。
【０００７】
特開昭６１−２７３５５１号公報には、Ｓｅ等をアルミニウム基体上に蒸着して電子写真感光体を作る際に、基体の前処理として、アルカリ洗浄、トリクレン洗浄、水銀ランプによる紫外線照射洗浄の技術が挙げられ、また、紫外線照射洗浄の前処理として円筒状アルミニウム基体の表面に付着した油脂除去のため液体脱脂洗浄、蒸気脱脂洗浄及び純水洗浄を行うことが記載されている。
【０００８】
特開昭６３−２６４７６４号公報には、水ジェットにより基体表面を粗面化する技術が開示されている。
【０００９】
特開平１−１３０１５９号公報には、水ジェットにより電子写真感光体支持体を洗浄する技術が開示されている。該公報には感光体の例として、Ｓｅ、有機光導電体及びアモルファス珪素が挙げられている。しかしながら、プラズマＣＶＤ法によって形成される膜と水ジェットによる洗浄との間の問題点については全く触れられていない。
【００１０】
一方、電子写真感光体以外の基体の前処理方法としては、特開昭６０−８７６号公報のようなウェハー面上に静電気による放電破壊が生じないように、超純水に炭酸ガスを吹き込む技術が知られている。しかし、この技術はウェハーのように高抵抗な基体に発生する対策であり、アルミニウムのような導電性の基体に対する思想は見出せない。
【００１１】
ところで電子写真感光体に用いる光導電膜を含む感光体構成材料としてはセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコンなどの無機材料、フタロシアニン等の有機物等各種の材料が提案されている。中でも、アモルファスシリコンに代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積膜、例えばダンブリングボンドの補償のために水素及び（または）ハロゲン（例えば弗素、塩素等）を含有するアモルファスシリコン等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久性、無公害の感光体として提案され、そのいくつかは実用に付されている。たとえば特開昭５４−８６３４１号公報には、光導電層を主としてアモルファスシリコンで形成した電子写真感光体の技術が開示されている。
【００１２】
こうした珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積膜の形成方法として従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られている。
【００１３】
プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流、高周波（ＲＦ波、ＶＨＦ波を含む）またはマイクロ波グロー放電等によって分解し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子写真感光体用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法に最適であり、現在実用化が非常に進んでいる。中でも、近年堆積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を用いたプラズマＣＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣＶＤ法が工業的にも注目されている。
【００１４】
マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法に比べ高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率という利点を有している。こうした利点を生かしたマイクロ波プラズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許４，５０４，５１８号に記載されている。該特許には、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧によりマイクロ波プラズマＣＶＤ法により高速の堆積速度で良質の堆積膜を得るというものである。
【００１５】
更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０−１８６８４９号公報に記載されている。該公報には、概要、マイクロ波エネルギーの導入手段を取り囲むように基体を配置して内部チャンバー（すなわち放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を非常に高めるようにしたものである。
【００１６】
また、特開昭６１−２８３１１６号公報には、半導体部材製造用の改良形マイクロ波技術が開示されている。すなわち、当該公報は、放電空間中にプラズマ電位制御として電極（バイアス電極）を設け、このバイアス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆積膜へのイオン衝撃を制御しながら堆積膜を行うようにして堆積膜の特性を向上させる技術を開示している。
【００１７】
基体としてアルミニウム合金製シンリダーを用いた場合、これらの従来の技術による電子写真感光体製造方法は具体的には以下のように実施される。
【００１８】
精密切削用のエアーダンパー付き旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角をすくい角を得るようにセットする。次にこの旋盤の回転フランジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから白灯油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。
【００１９】
次に、この切削した基体をトリクロルエタンにより洗浄を行い、表面に付着している切削油及び切り粉の洗浄を行う。
【００２０】
次にこれらの鏡面加工し、洗浄した基体上に図１に示すグロー放電分解法による光導電部材の堆積膜形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。
【００２１】
図１は、典型的なプラズマＣＶＤ装置の一例の断面略図である。図中、６０１は反応容器全体を示す、６０２は反応容器の側壁を兼ねたカソード電極であり、６０３は反応容器の上壁となるゲート、６０４は反応容器の底壁である。前記カソード電極６０２と、上壁６０３及び底壁６０４とは、夫々、碍子６０５で絶縁されている。
【００２２】
６０６はアルミニウム等の単一材料からなる金属製の基体ホルダー６０７に装着された反応容器内に設置された基体であり、該基体６０６は接地されてアノード電極となるものである。基体６０６の中には、基体加熱用ヒーター６０８が設置されており、成膜前に基体を所定の温度に加熱したり、成膜中に基体を所定の温度に維持したり、あるいは成膜後基体にアニール処理を施こしたりするのに用いる。６０９は堆積膜形成用原料ガス導入管であって、反応空間内に該原料ガスを放出するためのガス放出孔６１０が多数設けられており、該原料ガス導入管６０９の他端は、バルブ６１１を介して堆積膜成形用原料ガス供給系６１２に連通している。６１３は、反応容器内を排気するための排気管であり、排気バルブ６１４を介して真空ポンプなどの排気装置６１５に連通している。６１６は、カソード電極６０２への電圧印加手段である。
【００２３】
こうしたプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の操作方法は次のようにして行われる。すなわち、反応容器内のガスを、排気管６１３を介して真空排気するとともに、加熱用ヒーター６０８により基体６０６を所定温度に加熱、保持する。次に原料ガス導入管６０９を介して、例えばａ−ＳｉＨ堆積膜を形成する場合であれば、シラン等の原料ガスを反応容器内に導入する。該原料ガスは導入管の原料ガス放出孔６１０から反応容器内に放出される。これと同時併行的に、電圧印加手段６１６から、例えば高周波をカソード電極６０２と基体（アノード電極）６０６間に印加しプラズマ放電を発生せしめる。かくして、真空反応容器内の原料ガスは励起され励起種化し、Ｓｉ＊ ，ＳｉＨ＊ 等（「＊ 」は励起状態を表わす。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子等が生成され、これらの粒子間または、これらの粒子と基体表面との化学的相互作用により、基体表面上に堆積膜を形成する。
【００２４】
このような、例えばａ−Ｓｉからなる電子写真感光体を形成する場合、円筒状基体を真空反応容器内に運搬ならびに保持する必要があることから、円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入することが行われる。また例えば特開昭６０−８６２７６号公報等に開示されているように、その特性を均一なものにする目的で、基体上下に補助基体を設ける必要があること等の理由からも円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入することが、一般に行われている。しかし、これら電子写真感光体製造方法では、より均一な膜質でより高度な光学的及び電気的特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスにより画像形成時により優れた画像品質を得られる堆積膜を定常的に安定して高収率（高歩留まり）で得るためにはまだ解決すべき点を有している。
【００２５】
すなわち、現在電子写真装置は更に一層の高画質、高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写真感光体においては、光学的特性や電気的特性の更なる向上及び均一性の向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあらゆる環境下で耐久性を延ばすことが求められている。特に、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真感光体に対する画像特性はより一層の向上が求められるようになった。
【００２６】
その結果、電子写真感光体の特性の場所的バラツキといった問題点は、今まで要求された程度のスピード及び解像力の複写システムにあっては必ずしも問題ではなく場合によっては無視することもできたが、特にディジタル方式のレーザー等の可干渉光光源を使用する高速の複写システム、ファクシミリシステム、プリンターシステム等の高速連続画像形成システムにおいては、大きな問題となりやすい。特に、近来普及してきたカラー複写機においては、再現色の違いや色ムラなど、より視覚的に明らかなものとなるため、大きな問題となる場合がある。
【００２７】
更に、画像の解像力が向上した結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状または黒点状の画像欠陥の減少、特に従来はあまり問題にされなかった微小な大きさの「ポチ」の減少が求められるようになってきた。特に、「ポチ」に関しては、その原因の殆どが球状突起と呼ばれる膜の異常成長であり、その発生数を減らすことが非常に重要である。
【００２８】
また、従来はコピーの用途としては、活字だけの原稿（いわゆるラインコピー）が中心であったが、近来複写機の画質が上がるにつれて、写真等のハーフトーンを含む原稿がコピーされるようになり、これらポチや特性の場所的バラツキに起因するようなムラの問題点は重大な問題であり、解決の要求されるところのものである。
【００２９】
したがって、電子写真感光体そのものの特性改良が図られる一方で、上記のように問題が解決されるように、層構成、各層の化学的組成及び作製法等総合的な観点からの改良を図ることが必要とされている。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上述のごとき従来の電子写真感光体の製造方法における諸問題を克服して、安価に安定して歩留まりよく高速形成し得る、使いやすい電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具を提供することにある。
【００３１】
また、本発明の他の目的は、プラズマＣＶＤ法で特に顕著な画像欠陥の発生という問題点を解決して均一な高品位の画像を得ることができる電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具を提供することにある。
【００３２】
また、本発明はアルミニウム基体を基体ホルダーに装着させ減圧気相成長法により、該基体上にシリコン原子を母体とする単結晶材料を有する機能性膜を有する電子写真感光体の製造方法において、前記基体上に前記機能性膜を形成する工程の前に前記基体の表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程を有し、かつ前記基体ホルダーは金属を母体とし、少なくとも内側の表面はセラミックスが形成されている電子写真感光体の製造方法を提案することを目的とする。
【００３３】
更に、本発明は減圧気相成法によって治具に装着されたアルミニウム基体上に機能性膜を形成する機能性膜の製造方法に用いられる治具において、前記治具は金属を母体とし、少なくとも前記アルミニウム基体が装着される側とは反対の面にセラミックスが形成されている治具を提供することを目的とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決しようとするもので、その要旨は
アルミニウム基体を基体ホルダーに装着させ減圧気相成長法により、該基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料を有する機能性膜を有する電子写真感光体の製造方法において、前記基体上に前記機能性膜を形成する工程の前に前記基体の表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程を有し、かつ前記基体ホルダーは金属を母体とし、該基体ホルダーの少なくとも内側の表面にはセラミックスが形成されており、前記二酸化炭素を溶解した水が、抵抗率１ＭΩ・ｃｍ以上の純水に二酸化炭素を溶解した水であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法及び減圧気相成法によって治具に装着されたアルミニウム基体上に機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法に用いられる治具において、前記治具は金属を母体とし、少なくとも前記アルミニウム基体が装着される側とは反対の面にセラミックスが形成されている電子写真感光体の製造方法に用いられる治具にある。以下本発明を詳細に説明する。
【００３５】
本発明者の検討では、アルミニウム基体を用いたとき発生する画像欠陥の原因は、
（Ａ）基体上塵等が付着してそれが核となる。
（Ｂ）基体の表面欠陥が核となる。
とに大別できる。
【００３６】
（Ａ）の塵等の付着は切削、洗浄等基体を取り扱う場所のクリーン化を図る及び成膜炉内の清掃を厳密に行うことと共に堆積膜形成の直前に基体表面を洗浄することによりある程度防止することが可能であった。従来はトリクロルエタン等の塩素系溶剤で洗浄することによりこの目的を達成していた。しかし、近年オゾン層の破壊等の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制限されるようになってきたため、この問題点について新たに検討をする必要が生じた。また前述のように、画像欠陥を更に減少させる必要がある。
【００３７】
一方（Ｂ）の欠陥を減少させることは従来より非常に困難であった。
【００３８】
本発明者の検討により、アルミニウム中の局所的に高硬度の部分があり、堆積膜形成に先立つ前加工として、切削等の表面加工の際に加工機の刃にこれらの高硬度の部分がえぐられアルミニウム基体上に表面欠陥ができることが（Ｂ）の原因であることが明かとなった。
【００３９】
更に、これらの現象を防ぐためには、通常アルミニウムに含有される不純物は少ない方がよい、しかし、非常に高純度のアルミニウムは基体の形状に原材料のアルミニウムを加工するための溶解の際に必然的に発生する酸化物が成長し、前述の欠陥発生の原因となる。これを防ぐためには、珪素原子を含有させることが効果的であることが明らかとなった。
【００４０】
基体表面の機械加工後、トリクロルエタン等の塩素系の溶剤を用い洗浄を行う場合は、以上のことだけで基体の表面性による画像欠陥の発生は充分防止することが可能である。
【００４１】
しかし、近年では更に環境問題のためにこれらの塩素系溶剤を安易に使うことができないため、本発明者は洗浄についても検討を行った。その結果、アルミニウムは水により腐食が発生する、特にこれら珪素原子を含むアルミニウムは、洗浄の際に水につけると珪素原子が局所的に多い部分を中心に水による腐食が顕著になることを発見した。
【００４２】
この現象は水の温度が高いほど顕著でありまた、アルミニウム中に珪素原子と共に切削性を向上する目的でマグネシウムを含む場合更に顕著となった。アルミニウムの腐食を防ぐためには、各種の腐食防止剤が提案されているが、本発明のように、珪素を含んだアルミニウム基体を電子写真感光体の基体に用いる場合は大面積の基体上に僅かに発生した欠陥でも問題となるため、効果が不充分であり、更に、これらの腐食防止剤が洗浄後微量基体表面に残るため堆積膜形成後電子写真特性に悪影響が発生するのである。すなわち、アルミニウム基体表面上に水と同時に速やかに揮発する成分以外の成分が付着していると電子写真感光体を作製した場合、画像上のしみ等の悪影響が発生するため従来の腐食防止剤の使用は制限されるのである。
【００４３】
本発明者は堆積膜形成に先立ち塵の付着を除去するために行う洗浄の際用いる水に何らかの処理を行うことで上記のような欠陥の発生を抑えることができないか否かという点に着目して鋭意研究した結果、本発明を完成させるに至った。
【００４４】
本発明のメカニズムについては未だ解明されていない点が多いが、本発明者は現在、次のように考えている。
【００４５】
アルミニウム表面に部分的に露出した珪素原子が多い部分は周囲の通常のアルミニウムの部分と局部的な電池を形成して腐食を促進する。
【００４６】
一方、水に溶解した二酸化炭素は水中で炭酸イオンとなり、これらの局部電池の部分に引き寄せられ周囲を覆うことにより水中の酸素等の接近を防ぎ効果的に腐食を防止する。更に、炭酸イオンは珪素原子の多い部分表面に何らかの変質をさせることにより、堆積膜形成時にこの部分からの異常成長が発生することを防止する。
【００４７】
更に本発明者は塵の減少について鋭意研究した結果、通常の環境においては基体ホルダーからの塵はあまり問題ではないが、電子写真感光体形成のために基体を加熱する工程において発生する塵が問題となってくることを発見した。
【００４８】
つまり、従来、基体ホルダーは、基体との電気的接触及び／または基体ホルダーの接地のためにアルミニウム、ステンレス等の金属製のものが一般に用いられている。これら金属製の基体ホルダーは、基体の加熱の際に、熱膨張が生じる。このとき基体ホルダー内側に付着していたダストは、表面の形状変化により離脱し、真空容器内に滞留または、堆積する。そのため真空反応容器内が塵により汚染され、基体表面に塵が付着してしまう。
【００４９】
本発明では、基体ホルダー内側面にセラミックスを形成してある。セラミックスは、金属に比べて熱膨張率が低く、加熱により表面の形状変化が小さくなる。そのため、基体ホルダーからの発塵が大幅に低減される。
【００５０】
更に、セラミックスは硬度が高く、セラミックスの表面に塵が付着しにくく、これも、発塵を低減させる要因となっている。つまり、基体ホルダー表面の一部は、必然的に気相成長空間に露出してしまうため、その部分には基体表面と同様に堆積膜が形成される。こうした堆積膜は、いずれ脱落し塵の原因となるため毎回基体ホルダーの表面を更新する必要がある。この際、従来のようなアルミニウム等の金属の内側面の場合、更新処理中に生じる膜片が、内側面にいわゆる「突き刺さる」という状況が発生する。特に更新手段として、ガラスビーズを用いた液体ホーニングによるブラスト処理が行われる場合には、膜片の他に、ガラス片あるいは金属片といったものが表面に付着してしまう。この「突き刺さった」膜片等は通常の環境では離脱しにくいが、前述のように加熱により表面が熱膨張を起こすと、離脱してしまう。
【００５１】
本発明のように基体ホルダー内側面をセラミックスにした場合には、更新処理中に生じる膜片等は、表面の硬度が高いため前述の「突き刺さる」という状況が大幅に減少する。そのため表面に付着する塵の絶対量が減少するため、基体ホルダーからの発塵が大幅に低減される。
【００５２】
更に、本発明の予期せぬ効果として、電子写真特性の向上がみられた。
【００５３】
これは、炭酸イオンは、アルミニウム表面全体を均一に僅かに溶解することにより表面の活性度を上げ、堆積膜を形成する際良好な電荷のやり取りができる界面を形成することができる。このため、帯電の向上、残留電位の低減等電子写真特性の向上を果たすことが可能となったと考える。
【００５４】
更に、本発明では切削工程後、二酸化炭素を溶解した水の洗浄工程の前に前洗浄工程を設けることにより本発明の効果を妨げる油脂及びハロゲン系の残留物の除去を完全に行うことにより前述の効果を高めている。特に、前洗浄工程は水または界面活性剤を加えた水中で超音波洗浄を行うことにより、本発明の効果を最高に高めることを可能にしている。
【００５５】
更に、本発明の形成方法により、優れた電気特性及び画像特性を維持したまま、耐久性を飛躍的に向上させることができる。
【００５６】
すなわち、前述のように球状突起が減少するため、連続して大量に画像形成を行ってもクリーニングブレードや分離爪へのダメージが少なく、クリーニング性及び転写紙の分離性も良好になる。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的に向上することができる。更に、球状突起の数が減少するため、転写紙やクリーニングブレードと光受容部材が摺擦することにより発生する球状突起の欠落が大幅に減少され、長期間の使用による画像欠陥の増加を低減することができる。又、本発明者は、画像濃度ムラの低減に関し、鋭意検討を行ったところ、画像濃度ムラが、堆積膜形成後の円筒状の基体内側面の表面の変色と相関があることが解った。つまり、基体内側面の表面が変色していない部分と変色している部分、及び、変色の程度に応じて、画像濃度に差が生じるのである。この基体内側面の変色の程度は、面内において不均一であり、更に、堆積膜形成毎（ロット毎）で、発生場所及び変色の程度が異なっている。
【００５７】
基体内面の変色により、画像濃度ムラが発生するメカニズムに関しては確定はできないが現在のところ本発明者は以下のように考えている。
【００５８】
プラズマＣＶＤ法により例えばアモルファスシリコン堆積膜を基体上に形成する場合、反応は、気相における原料ガスの分解過程、放電空間から基体表面までの活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程の３つに分けて考えることができる。中でも、表面反応過程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割を果たしている。そして、これらの表面反応は、基体表面の温度、材質、形状、吸着物質等に大きな影響を受けるのである。この基体上での成長過程を水素を含むアモルファスシリコンを例にしてもう少し詳細に説明すると以下のようになる。 プラズマ中で分解して輸送されてきた分解種は基体上に付着してアモルファスシリコン膜のネットワークを形成するが、まだ３次元的にネットワークが完成されていないアモルファスシリコンの成長面では水素原子の脱離、ダングリングボンドへの水素原子や珪素原子の結合、エネルギー的に高い結合をもつ原子の再配置等により、構造欠陥の少なく、エネルギー的に安定な方向への化学的反応（緩和過程）が起こる。これらの結果、堆積膜としてはダングリングボンドの減少、ギャップ準位密度の低下、Ｓｉ−Ｈ２ 結合が減少してＳｉ−Ｈ結合が主となる等の現象が観察される。これらの反応は基体の熱エネルギーにより制御されるため、基体温度に場所的ムラが生じた場合、ダイレクトに堆積膜の特性に影響を与える。その結果、電荷（フォトキャリア）の走行性に場所的な不均一性が発生したり、堆積膜の基体との界面の組成及び構造が変化し、電子写真プロセスの工程中に基体からの電荷の注入性の場所的な不均一性が発生したりして、画像濃度を変えるに充分な表面電位の差が現われ、得られた画像上に画像濃度のムラが発生する。
【００５９】
該基体の加熱方法は、赤外線等を用いて気相成長面を直接加熱する手段もあるが、気相成長側に加熱手段を設けることが実装上困難であるため、通常は、基体ホルダーの内側に加熱手段が設けられる。
【００６０】
従って基体を所定の温度に加熱するためには、基体ホルダーの内面で受けた熱を間接的に伝達するようにする。そして、特に連続製造においては、基体と基体ホルダーとで構成される基体部材は、運搬工程を経て固定された部材である加熱手段とドッキングさせる必要があること、また更に、特性の均一化を図るために該基体部材を回転させる等の理由から、基体部材と加熱手段は非接触状態にすることが望ましい。その場合、熱の伝達は主として加熱手段から基体ホルダー内面への熱輻射により行われ、最後に、基体ホルダーから基体の内側面への熱輻射により行われる。そのため、基体内側面に色ムラが生じた場合には、色により熱輻射率が変化するため、色ムラに対応して基体表面に温度ムラが生じ、画像濃度ムラが発生すると考えられる。
【００６１】
本発明では、基体内側面の変色を大幅に抑制し、更に、変色ムラをなくすことにより、画像濃度ムラを大幅に改善している。このメカニズムに関しては、未だ解明されていないが、本発明者は現在以下のように考えている。
【００６２】
内側面の変色は、基体の温度を下げることにより低減され、基体の温度を上げることにより顕著となることから、温度により誘発される。よって、昇温されることにより内側面の表面に存在する物質が変質し、その結果が内側面の変色として現われると考えられる。また面内において、変色のムラが生じるのは、内側面の表面に存在する物質の不均一性によるか、あるいは昇温のされかたの不均一性によるものと考えられる。
【００６３】
本発明では前述のように、水に二酸化炭素を溶解させているため、水中には炭酸イオンが存在する。この炭酸イオンが前述の基体内側面の表面上に存在する物質に何らかの変質をさせる。この場合の炭酸イオンによる変質は昇温による変質とはメカニズムが異なるため基体の内側面は何ら変色を伴なわない。尚、このように炭酸イオンにより変質させられた物質は、昇温された場合でも変色が大幅に低減されている。
【００６４】
更に、金属を母体とし少なくとも内側の表面にセラミックスを有する基体ホルダー（治具）を用いることにより、基体内側面を均一に昇温することができ、変色の面内のムラ及び、ロット毎のムラをなくすことができる。前述のように、基体は基体ホルダーからの熱輻射により昇温する。よって基体内面を均一に昇温するためには、基体ホルダーを均一に昇温する必要がある。云いかえれば基体ホルダーの内側面状態に場所的な違いが生じた場合、それに応じて温度が変化してしまう。
【００６５】
この場合内側面の表面状態の違いとしては、表面の色、または表面の面粗さが考えられる。これら表面状態の違いが生じる原因としては定かではないが、表面の色に関しては、温度による表面の変質ではないかと考えられる。また、面粗さに関しては、基体ホルダー更新時のバラツキによるものと考えられる。つまり、基体ホルダー表面の一部は、必然的に気相成長空間に露出してしまうため、その部分には基体表面と同様に堆積膜が形成される。こうした堆積膜は、いずれ脱落しダストの原因となるため、毎回基体ホルダーの表面を更新する必要がある。この基体ホルダー更新時に、内面が何らかの影響を受け、それがバラツクと考えられる。
【００６６】
本発明においては、基体ホルダー内側の表面がセラミックスであるため、耐熱性が高い温度による表面の変質が抑制され、また硬度が高いため基体ホルダー更新時に生じる面粗さのバラツキも低減することができ、基体ホルダー内側で均一に輻射熱を受けることができる。
【００６７】
更に基体ホルダーが金属を母体としているため、更に均一性が向上する。これは、内側面のセラミックスで受けられた熱は基体ホルダー内部を熱伝導で伝わり、基体ホルダーの表面に伝えられるが、基体ホルダー内部は金属であるため熱伝導がよく更に均一性が向上する。
【００６８】
このように、二酸化炭素を溶解した水により洗浄された基体と、金属を母体とし少なくとも内側の表面がセラミックで構成された基体ホルダーを同時に用いることにより、その相乗効果により堆積膜の均一性が向上し、ハーフトーンでの画像濃度ムラが大幅に向上させることができる。
【００６９】
また、本発明では、球状突起の発生数を減少させ、その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状または、黒点状の画像欠陥を大幅に減少させることができる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００７０】
アルミニウム合金製シリンダーを基体として、本発明の電子写真感光体製造方法により電子写真感光体を実際に形成する手順の一例を、図２に示す本発明による基体前の処理の一例、図３に示す本発明の製造方法を説明するための基体部材の典型的な例を模式的に示した構成図及び、図４〜図６に示す堆積膜形成装置の一例を用いて以下に説明する。
【００７１】
精密切削用のエアダンパー付き旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角のすくい角を得るようにセットする。次に、この旋盤の回転フランジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから白灯油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。
【００７２】
切削が終了した基体は、基体前処理装置により基体表面の処理を行う。図２に示す基体前処理装置は、処理部１０２と基体搬送機構１０３を有している。処理部１０２は、基体投入台１１１、基体前洗浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１、乾燥槽１４１、基体搬出台１５１を有する。前洗浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１とも液の温度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いている。尚、温度調節装置は必ずしも必要というわけではないが、安定した処理のためには設けられることが望ましい。搬送機構１０３は、搬送レール１６５と搬送アーム１６１を有し、搬送アーム１６１は、レール１６５に沿って移動する移動機構１６２、基体１０１を保持するチャッキング機構１６３及びチャッキング機構１６３及びチャッキング機構１６３を上下させるためのエアーシリンダー１６４を有する。
【００７３】
切削後、投入台１１１に置かれた基体１０１は、搬送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送される。前洗浄槽１２１に搬送される。前洗浄槽１２１の中の界面活性体水浴液１２２中で超音波処理されることにより表面に付着している切削油及び切り粉の洗浄が行われる。
【００７４】
次に基体１０３は、搬送機構１０３により、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１へ運ばれ、２５℃の温度に保たれた二酸化炭素を溶解した水により更に洗浄が行われる。二酸化炭素を溶解した水は工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により随時導電率を測定し、必要に応じて二酸化炭素溶解することにより導電率がほぼ１０μＳ／ｃｍに維持するように制御される。二酸化炭素を溶解した水による洗浄の終った基体１０１は搬送機構１０３により乾燥槽１４１へ移動され、ノズル１４２から高温の高圧空気を吹き付けられ乾燥される。
【００７５】
乾燥工程の終了した基体１０１は、搬送機構１０３により搬出台１５１に運ばれる。
【００７６】
次に、これらの切削加工及び前処理の終了した基体を、図３に示すように基体ホルダーに装着し、基体上に図４〜図６に示すプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置によりアモルファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。
【００７７】
図３において２０２が基体ホルダーであり、該基体ホルダー２０２は、図中太線で示したセラミックスが形成された内側面２０３とその他の金属の母体から構成されている。
【００７８】
基体ホルダー２０２の内側面２０３は、加熱手段２０５からの輻射熱を直接受ける。内側面２０３で受けられた熱は基体ホルダー２０２内部を熱伝導で伝わり、更には、基体ホルダー２０２の表面に装着された基体２０１の内面に伝えられ最終的には基体２０１の表面２０８に伝えられる。
【００７９】
図３は、代表的な構成例であり、図示の補助基体部分２０４は必要に応じて省略してもよい。また置き台部分２０６については、これに換えてヒーターを支柱と兼用させるようにして用いることもできる。
【００８０】
以下、高周波プラズマＣＶＤ法及びマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための装置及び形成方法について詳述する。
【００８１】
図４は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真感光体の製造装置の好適な一例を示す模式的な構成図である。
【００８２】
図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別すると、堆積装置３００、原料ガスの供給装置３３０、反応容器３０１内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３００中の反応容器３０１内には、金属を母体とした内側面３１１にセラミックスを形成した基体ホルダー３０３に装着された導電性円筒状基体３０２が載置可能とされ、基体加熱用ヒーター３０４、原料ガス導入管３０５が夫々設置され、更にマッチングボックス３０６が接続されている。
【００８３】
原料ガス供給装置３３０は、ＳｉＨ４ ，Ｈ２ ，ＣＨ４ ，ＮＯ，Ｂ２ Ｈ６ ，ＧｅＨ４ 等の原料ガスのボンベ３３１〜３３６とバルブ３４１〜３４６，３５１〜３５６，３６１〜３６６及びマスフローコントローラ３７１〜３７６を有し、各原料ガスのボンベはバルブ３８０を介して反応容器３０１内のガス導入管３０５に接続されている。
【００８４】
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行うことができる。
【００８５】
まず、反応容器３０１内に金属を母体とした内面がセラミックスよりなる基体ホルダー３０３に装着された円筒状基体３０２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３０１内を排気する。
【００８６】
続いて、基体加熱用ヒーター３０４をＯＮする。すると、基体ホルダー３０３の内側面のセラミックス３１１（図中太線）が基体加熱用ヒーター３０４からの輻射熱を直接受ける。内側面で受けられた熱は基体ホルダー３０３の母体の金属内部を熱伝導で伝わり、更には、基体ホルダー３０３の表面に装着された円筒状基体３０２の内面に伝えられ最終的には円筒状基体３０２の温度を１００℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【００８７】
堆積膜形成用の原料ガス反応容器３０１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３４１〜３４６、反応容器のリークバルブ３０８が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ３５１〜３５６、流出バルブ３６１〜３６６、補助バルブ３８０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ３０９を開いて反応容器３０１及びガス配管内３０７を排気する。
【００８８】
次に真空計３１０の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３８０、流出バルブ３６１〜３６６を閉じる。
【００８９】
その後ガスボンベ３３１〜３３６より必要な各ガスをバルブ３４１〜３４６のうち必要なバルブを開いて導入し、圧力調整器３９１〜３３６により各ガス圧を（例えば２ｋｇ／ｃｍ２ ）調整する。次に、所望の流入バルブ３５１〜３５６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ３７１〜３７６内に導入する。以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状基体３０２上に例えば電荷注入阻止層、感光層、表面層等の各層の形成を行う。
【００９０】
円筒状基体３０２が所定の温度になったところで流出バルブ３６１〜３６６のうちの必要なもの及び補助バルブ３８０を徐々に開き、ガスボンベ３３１〜３３６から所定のガスをガス導入管３０５を介して反応容器３０１内に導入する。次にマスフローコントローラ３７１〜３７６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器３０１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計３１０を見ながらメインバルブ３０９の開口を調整する。内圧が安定したところで、ＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス３０６を通じて反応容器３０１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒基体３０２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００９１】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００９２】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまでもなく、またそれぞれのガスが反応容器３０１内、流出バルブ３６１〜３６６から反応容器３０１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ３６１〜３６６を閉じ、補助バルブ３８０を開き、更にメインバルブ３０９を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形成を行っている間は、円筒状基体３０２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させる。
【００９３】
上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【００９４】
円筒状基体３０２の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反応容器３０１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状基体３０２を加熱した後、反応容器３０１内に真空中で円筒状基体３０２を搬送する等の方法が用いられる。
【００９５】
次に、μＷ−ＰＣＶＤ法によって形成される電子写真感光体の製造方法について説明する。
【００９６】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）はマイクロ波プラズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法によって電子写真感光体の堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成図、図６は図５の堆積膜形成装置に原料ガスの配管を接続した状態の模式的説明図である。
【００９７】
この装置は、真空気密化構造をなした減圧にし得る反応容器４０１、原料ガスの供給装置３３０、及び反応容器内を減圧するための排気装置（不図示）を有している。反応容器４０１内にはマイクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓４０２、スタブチューナー（図示せず）及びアイソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せず）に接続されているマイクロ波の導波管４０３、金属を母体とし内側面にセラミックス４１２が形成された基体ホルダー４０４に装着された堆積膜を形成すべき円筒状基体４０５、基体加熱用ヒーター４０６、原料ガス導入管４０７、プラズマ電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための電極４０８が設置されており、反応容器４０１内は排気管４１１を通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。原料ガス供給装置３３０は、ＳｉＨ４ ，Ｈ２ ，ＣＨ４ ，ＮＯ，Ｂ２ Ｈ６ ，ＳｉＦ４ 等の原料ガスのボンベ３３１〜３３６とバルブ３４１〜３４６，３５１〜３５６及びマスフローコントローラ３７１〜３７６から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ３８０を介して反応容器内のガス導入管４０７に接続されている。また、円筒状基体４０５によって取り囲まれた空間４２０が放電空間を形成している。
【００９８】
μＷ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積膜の形成は、以下のように行うことができる。
【００９９】
まず、反応容器４０１内に金属を母体とした内側面にセラミックスとした基体ホルダー４０４に装着された円筒状基体４０５を設置し、駆動装置４１０によって基体４０５を回転し不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器４０１内を排気管４１を介して排気し、反応容器４０１内の圧力を１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、基体加熱用ヒーター４０６をＯＮする。すると基体ホルダー４０４の内側面のセラミックス（図中太線）が基体加熱用ヒーター４０６からの輻射熱を直接受ける。内側面で受けられた熱は基体ホルダー４０４の母体の金属内部を熱伝導で伝わり、更には、基体ホルダー４０４の表面に装着されて円筒状基体４０５の内面に伝えられた最終的には円筒状基体４０５の温度を５０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０１００】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４０１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３４１〜３４６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられていることを確認し、また流入バルブ３５１〜３５６、流出バルブ３６１〜３６６、補助バルブ３８０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（不図示）を開いて反応容器を４０１及びガス配管内３０７内を排気する。
【０１０１】
次に真空計（不図示）の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３８０、流出バルブ３６１〜３６６を閉じる。
【０１０２】
その後、ガスボンベ３３１〜３３６より各ガスをバルブ３４１〜３４６開いて導入し、圧力調整器３９１〜３９６により各ガス圧を（例えば２ｋｇ／ｃｍ２ ）調整する。次に、流入バルブ３５１〜３５６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ３７１〜３７６内に導入する。
【０１０３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状基体４０５上に例えば電荷注入阻止層、感光層、表面層の各層の形成を行う。
【０１０４】
円筒状基体４０５が所定の温度になったところで流出バルブ３６１〜３６６のうちの必要なもの及び補助バルブ３８０を徐々に開き、ガスボンベ３３１〜３３６から所定のガスをガス導入管４０７を介して反応容器４０１内の放電空間４２０に導入する。次にマスフローコントローラ３７１〜３７６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、放電空間４２０内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。内圧が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図示）を所望の電力に設定し、導波管４０３、マイクロ波導入窓４０２を介して放電空間４２０をμＷエネルギーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行的に、電源４０９から電極４０８に例えば直流等の電気バイアスを印加する。
【０１０５】
かくして基体４０５により取り囲まれた放電空間４２０において、導入された原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、円筒状基体４０５上に所定の堆積膜が形成される。このとき、層形成の均一化を図るため基体回転用モータ４１０によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１０６】
所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１０７】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１０８】
それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器４０１内、流出バルブ３６１〜３６６から反応容器４０１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ３６１〜３６６を閉じ、補助バルブ３８０を開き、更にメインバルブ（不図示）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１０９】
上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作製条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【０１１０】
円筒状基体４０５の加熱方法は、真空仕様であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反応容器４０１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状基体４０５を加熱した後、反応容器４０１内に真空中で円筒状基体４０５を搬送する等の方法が用いられる。
【０１１１】
μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内の圧力としては、好ましくは１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３×１０−３Ｔｏｒｒ以上、５×１０−２Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５×１０−３Ｔｏｒｒ以上３×１０−２Ｔｏｒｒ以下に設定することが望ましい。
【０１１２】
放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よりも低ければよいが、放電空間内の圧力が１×１０−１Ｔｏｒｒ以下では、また、特に顕著には５×１０−２Ｔｏｒｒ以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の３倍以上のとき、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。
【０１１３】
マイクロ波の反応炉までの導入方法としては導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられる。このとき、炉内へマイクロ波の導入窓の材質としてはアルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ２ ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等のマイクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。
【０１１４】
電極４０８と円筒状基体４０５間に発生させる電界は直流電界が好ましく、また、電界の向きは電極４０８から円筒状基体４０５に向けるのがより好ましい。電界を発生させるために電極４０８に印加する直流電圧の平均の大きさは、好ましくは１５Ｖ以上３００Ｖ以下、より好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。直流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形のものが本発明では有効である。つまり、時間によって電圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例えば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時間によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。
【０１１５】
また、交流電圧を印加することも有効である。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサイン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、実用的には、サイン波が適する。ただし、このとき電圧のいずれの場合も実効値を言う。
【０１１６】
電極４０８の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいずれのものでもよいが、実用上は直径０．１ｃｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。このとき、電極４０８の長さも、基体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設定できる。
【０１１７】
電極４０８の材質としては、表面が導電性となるものならばいずれのものでもよく、例えば、ステンレス、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等が通常使用される。
【０１１８】
本発明において、前洗浄を行う場合は特に界面活性剤等を含有した水系の洗浄が望ましい。水系の洗浄を行う場合、界面活性剤を溶解する前の水の水質は、いずれでも可能であるが、特に半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のときの抵抗率として、下限値は好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上のものが本発明には適している。上限値は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下のものが本発明に適している。微粒子量としては、０．２μｍ以上の最大長さを有するものが１ミリリットル中に好ましくは１００００個以下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下のものが本発明に適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ましくは１０個以下、最適には１個以下のものが本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は１リットル中に好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下のものが本発明には適している。
【０１１９】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１２０】
水の温度は、高過ぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また低すぎると洗浄効果が小さく、更に本発明の効果が充分得られない。このため、水の温度としては、好ましくは１０℃以上、９０℃以下、より好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０℃以上、５５℃以下が本発明には適している。
【０１２１】
本発明において前洗浄工程で用いられる界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混合したもの等いずれのものでも可能である。中でも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫化エステル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤または脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤は特に本発明では効果的である。ビルダーとしては、燐酸塩、炭酸塩、珪酸塩、ほう酸塩等を用いることが有効である。キレート剤としては、グルコン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、燐酸塩等を用いることが有効である。
【０１２２】
本発明において前洗浄工程に超音波を用いることは本発明の効果を出す上で有効である。超音波の出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上、１ｋＷ／リットル以下、更に好ましくは１Ｗ／リットル以上、１００Ｗ／リットル以下が効果的である。
【０１２３】
本発明において、二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程に使用される水の水質は、非常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のときの抵抗率として、下限値は好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上のものが本発明には適している。抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下のものが本発明に適している。微粒子量としては、最大長さ０．２μｍ以上のものが１ミリリットル中に好ましくは１００００個以下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下のものが本発明に適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ましくは１０個以下、最適には１個以下のものが本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下のものが本発明には適している。
【０１２４】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１２５】
これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多すぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着することによりスポット上のシミが発生する場合がある。更に、溶解した二酸化水素炭素の量が多いとｐＨが小さくなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると基体表面の均一性を高めるというような本発明の効果を得ることができない。
【０１２６】
基体に要求される品質等を考慮しながら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必要がある。
【０１２７】
一般的に本発明による好ましい二酸化炭素の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４０％以下の条件である。
【０１２８】
本発明において二酸化炭素の溶解量は水の導電性率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、最も好ましくは６μＳ／ｃｍ以上、３０μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、５．０以下とすることが望ましい。導電率の測定は導電率系等により行い、値としては温度補正により２５℃に換算した値を用いる。
【０１２９】
水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗浄効果が小さく、更に本発明の効果が充分得られない。このため、水の温度としては、好ましくは１０℃以上、９０℃以下、より好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０℃以上、５５℃以下とするのが望ましい。
【０１３０】
二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリングによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでもよい。本発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いることが重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオンが本発明の効果を阻害してしまうので適当でない。このようにして得られた二酸化炭素を溶解した水により基体表面を洗浄するときは、ディッピングにより洗浄する方法、水圧をかけて吹き付ける方法等がある。 ディッピングにより洗浄する場合、二酸化炭素を溶解した水を導入した水槽に基体を浸漬することが基本であるが、その際に超音波を印加する、水流を与える、空気等の気体を導入することによりバブリングを行う等を併用すると本発明は更に効果的なものとなる。
【０１３１】
吹き付ける場合、水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとなり、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしまう。このため、水の圧力としては、好ましくは２ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以下、より好ましくは１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以下、最適には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以下とするのが望ましい。ただし、本発明における圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ は、重力キログラム毎平方センチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ は９８０６６．５Ｐａと等しい。
【０１３２】
水を吹き付ける方法には、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付ける方法、または、ポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法等がある。
【０１３３】
水の流量としては、発明の効果と、経済性から、基体１本当たり好ましくは１リットル／ｍｉｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、より好ましくは２リットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ以下とするのが望ましい。
【０１３４】
ディッピングと同様、水の温度は高すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい堆積膜の剥れの原因となる。更に本発明の効果が充分に得られない。また、安定して二酸化炭素を水中に溶解しておくことが困難である。反対に低すぎてもやはり本発明の効果が充分得ることはできない。このため、水の温度としては、好ましくは５℃以上、９０℃以下、より好ましくは１０℃以上、５５℃以下、最適には１５℃以上、４０℃以下とするのが望ましい。
【０１３５】
二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理の処理時間は、長すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、短すぎると本発明の効果が小さいため、好ましくは１０秒以上、３０分以下、より好ましくは２０秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下とするのが望ましい。
【０１３６】
本発明において、堆積膜形成時の基体表面の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆積膜形成の直前に基体表面の切削を行うことは好ましい。
【０１３７】
切削から二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理までの時間は、長すぎると基体表面に再び酸化膜が発生してしまい、短すぎると工程が安定しないため、好ましくは１分以上、１６時間以下、より好ましくは２分以上、８時間以下、最適には３分以上、４時間以下とするのが望ましい。
【０１３８】
二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理から堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定しないため、好ましくは１分以上、８時間以下、より好ましくは２分以上、４時間以下、最適には３分以上、２時間以下とするのが望ましい。
【０１３９】
乾燥工程は、温風乾燥、真空乾燥、温水乾燥等いずれの乾燥方法も有効である。特に二酸化酸素を溶解した温水による乾燥が本発明の効果を高めるために好ましい。
【０１４０】
本発明において、二酸化炭素を溶解した水による温水乾燥を行う場合、使用される水の水質は、非常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のときの抵抗率として、下限値は好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上のものが本発明には適している。抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下のものが本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ以上の長さを有するものが１ミリリットル中に好ましくは１００００個以下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下のものが本発明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ましくは１０個以下、最適には１個以下のものが本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下のものが本発明には適している。
【０１４１】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１４２】
これらの水にも二酸化炭素を溶解することが望ましく、溶解する二酸化炭素の量は飽和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多すぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着することによりスポット上のシミが発生する場合がある。更に、溶解した二酸化水素炭素の量が多いとｐＨが小さくなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると基体表面の均一性を高めるという効果を得ることができない。
【０１４３】
基体に要求される品質等を考慮しながら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必要がある。
【０１４４】
一般的に本発明による好ましい二酸化炭素の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４０％以下の条件である。
【０１４５】
この場合の二酸化炭素の溶解量は前述同様水の導電性率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、最も好ましい範囲は６μＳ／ｃｍ以上、３０μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、５．０以下とすることが望ましい。導電率の測定は導電率計等により行い、値としては温度補正により２５℃に換算した値を用いる。
【０１４６】
二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリングによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでもよい。この場合においては、二酸化炭素を溶解した水を用いることが重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオンが本発明の効果を阻害してしまう。
【０１４７】
水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると乾燥が不充分となり、更に本発明の効果が充分得られない。このため、水の温度としては、好ましくは３０℃以上、９０℃以下、より好ましくは３５℃以上、８０℃以下、最適には４０℃以上７０℃以下とするのは望ましい。
【０１４８】
基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミック材料としては、特に制限はなく、例えばＡｌ２ Ｏ３ ，Ｃｒ２ Ｏ３ ，ＭｇＯ，ＴｉＯ２ ，ＳｉＯ２ ，等が挙げられるが、なかでもＡｌ２ Ｏ３ ，ＴｉＯ２ ，ＳｉＯ２ は耐酸性の優れた材料でありａ−Ｓｉ（Ｓｉを母体とする非晶質材料）を有する光受容部材の製造工程において使用する例えばハロゲン原子を含む化合物ガス（Ｆ２ ，ＣｌＦ３ ，ＳｉＦ４ ，ｅｔｃ）等に対する耐食性の面から好ましい。また、Ｃｒ２ Ｏ３ 等の輻射熱を受け易い材料も、多少表面の変質が生じても、その影響を殆ど受けないため好ましい。更に、耐酸性の優れた材料と輻射熱を受け易い材料の混合材料がより好ましい。
【０１４９】
混合材料を用いる場合その混合比は、両者の機能を得るために、耐酸性の優れた材料をａ（ｇ）、輻射熱を受け易い材料をｂ（ｇ）として、ａ：ｂが１：９９〜９９：１が好ましく、１０：９０〜９０：１がより好ましい。
【０１５０】
基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミック材料の気孔率は耐熱性の向上や、水分等の吸収防止のために１〜２０％が好ましく、１〜１５％がより好ましい。
【０１５１】
基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミックの表面性に関しては、表面積を増し輻射熱を効率的に得るために、表面は粗い方がよい。一方であまり表面性を粗くし表面積を増加させると、ダストが増加し、また発塵し易くなる。よって、表面性は十点平均粗さ（Ｒｚ）で、５〜２００μｍが好ましく、１０〜９０μｍがより好ましい。また、表面性は、内面全体において均一であることが好ましいが、面内における最大値と最小値の差が１００μｍ以内であれば実用上問題ない。
【０１５２】
基体ホルダー２０２の内側面２０３をセラミック材料で形成する手段としては特に制限はないが、ＣＶＤ法、メッキあるいは溶射手段等の表面コーティング法が挙げられる。中でも溶射手段がコスト面からあるいはコーティング対象物の大きさ形状の制限を受けにくいためより好ましく、特にプラズマ溶射法は、気孔率が低く密着性も良好なためより好ましい。また例えばセラミック材料からなる円筒を、金属製の基体ホルダーの内面に密着するように装着してもよい。
【０１５３】
基体ホルダー２０２の内側面２０３をセラミックス材料で形成する際には内面を清浄に処理した後セラミックスを上記手段により金属表面に形成するが、密着性を増すために、セラミックスと金属表面の間に例えばＡｌとＴｉの混合材等の下引き層を設ける方が好ましい。
【０１５４】
セラミックス材料は基体ホルダー２０２の内側面２０３の全面を覆うことが好ましいが、基体ホルダーの接地等のために覆われない部分が一部存在してもよい。 基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミックス材料の厚さは特に制限はないが、耐久性及び均一性を増すために、また伝熱性及び製造コストの面から１０〜１００００μｍが好ましく、２０〜５０００μｍがより好ましい。
【０１５５】
基本ホルダー２０２はその母材が金属製であれば特に制限されるものではなく、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属もしくはこれら金属を含む合金、たとえばステンレススチール、ジュラルミンなど、を好適に用いることができる。しかしながら、コスト、重量、耐久性および基体ホルダー２０２の形状への成形性等を考慮するとＡｌ又はＡｌを主体とする合金、ステンレススチールが好ましい。
【０１５６】
尚、堆積膜を形成する基体と同種類の金属材料もしくは合金を用いた基体ホルダーは、熱膨張による体積変化が基体と等しくなるので、基体と基体ホルダーとの密着性や基体と基体ホルダーとの間隔が安定して保てるので好ましい。特にこの場合は基体の歪みが生じにくく、基体と基体ホルダーとの間の電気的接触性を良好に保つことができるので堆積される膜の均一性を優れたものとすることができる。
【０１５７】
基体ホルダー２０２の厚さ（肉厚）は基体を保持している間に変形することがなければ特に制限はない。しかしながら、現実的な、コスト、取扱い性、強度、加熱時間、加熱温度などを考慮すると好ましくは０．５〜３０ｍｍ、より好ましくは１〜２０ｍｍとするのが望ましい。
【０１５８】
基体ホルダー２０２は少なくとも基体２０１と相対する部分に形成されていればよいが、基体２０１よりも長く形成されている方が形成される膜の均一性や取扱い面から好ましい。基体ホルダー２０２の長さは取付ける装置にもよるので一概には言えるものではないが、コスト等をも鑑みると１つの基体ホルダーに１つの基体を配する場合には、基体の長さを１００とすると好ましくは１００〜２００、より好ましくは１００〜１７０とするのが望ましい。１つの基体ホルダーに複数の基体を配する場合には、複数の基体の堆積膜形成面の長さ合計が上述した関係とされれば良い。
【０１５９】
基体ホルダーには基体ホルダーの運搬や基体の搬送のために図３に示されるような運搬用取手２０７を形成することが望ましい。尚、運搬のためのチャッキングが正確かつ確実に行われるのであれば、凸形状、凹形状等の様々な形状とすることが可能である。
【０１６０】
本発明において電子写真感光体用の基体の材質はアルミニウムを母体とするものであればいずれでも可能であるが、特に珪素原子を含有したものを用いた場合本発明の効果が顕著である。本発明において好ましい珪素原子の含有量としては１ｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下、更に好ましくは１０ｐｐｍ以上、０．１ｗｔ％以下の範囲である。
【０１６１】
本発明において基体の加工性を向上させるためにマグネシウムを含有させることは有効である。好ましいマグネシウムの含有量としては、０．１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下、更に好ましくは０．２ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下の範囲である。 更に本発明では、例えばＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ｃａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等の物質をアルミニウム中に含有させても有効である。
【０１６２】
本発明において基体の形状は任意の形状を有し得るが、特に円筒形のものが本発明に最適である。基体の大きさには特に制限はないが、実用的には直径２０ｍｍ以上、５００ｍｍ以下、長さ１０ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下が好ましい。
【０１６３】
珪素を含む非単結晶感光体の場合、堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４ ）、ジシラン（Ｓｉ２ Ｈ６ ）、四弗化珪素（ＳｉＦ４ ）、六弗化二珪素（Ｓｉ２ Ｆ６ ）等のアモルファスシリコン形成原料ガスまたはそれらの混合ガスが挙げられる。
【０１６４】
希釈ガスとしては水素（Ｈ２ ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
【０１６５】
また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ２ ），アンモニア（ＮＨ３ ）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ２ ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２ ）、酸化二窒素（Ｎ２ Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２ ）等酸素原子を含む元素、メタン（ＣＨ４ ）、エタン（Ｃ２ Ｈ６ ）、エチレン（Ｃ２ Ｈ４ ）、アセチレン（Ｃ２ Ｈ２ ）、プロパン（Ｃ３ Ｈ８ ）等の炭化水素、四弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ４ ）、弗化窒素（ＮＦ３ ）等のフッ素化合物またはこれらの混合ガスが挙げられる。
【０１６６】
また、本発明においては、ドーピングを目的としてジボラン（Ｂ２ Ｈ６ ）、フッ化ほう素（ＢＦ３ ）、ホスフィン（ＰＨ３ ）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。
【０１６７】
本発明の電子写真感光体では、基体上に堆積した機能性堆積膜の総膜厚はいずれでもよいが、好ましくは５μｍ以上、１００μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以上、７０μｍ以下、最適には１５μｍ、５０μｍ以下において、電子写真感光体として特に良好な画像を得ることができる。
【０１６８】
本発明において、堆積膜の堆積時の基体温度は、好ましくは１００℃以上、５００℃以下の範囲で有効であるが、特に、好ましくは１５０℃以上、４５０℃以下、より好ましくは２００℃以上、４００℃以下、最適には２５０℃以上、３５０℃以下において著しい効果が確認された。
【０１６９】
本発明において、プラズマを発生させるエネルギーはＤＣ、ＲＦ、マイクロ波等いずれでも可能であるが、特にプラズマの発生のエネルギーにマイクロ波を用いた場合、基体の表面欠陥による異常成長が顕著に現われやすく、かつ、吸着した水分にマイクロ波が吸収され、界面の変化がより顕著なものとなるため、本発明の効果が顕著なものとなる。
【０１７０】
本発明の方法で製造された電子写真感光体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、レーザー製版機等の電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【０１７１】
【実施例】
以下、本発明の効果を、具体的な実施例を用いて説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【０１７２】
（実施例１）
図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で、基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。図７（Ａ）において、７０１，７０２，７０３及び７０４は、それぞれ順にアルミニウム基体、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を示している。基体には直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍ、１００ｐｐｍの珪素原子を含有するアルミニウムの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行ったものを用いた。
【０１７３】
本実施例においては、以下に示す５種類の条件により電子写真感光体を作製した。
条件１
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗浄（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。但し、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２０μＳ／ｃｍ，ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件２
切削工程終了１５分後に表４に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び純水による洗浄を行った。表面処理装置として図１のものを用い、但し、洗浄槽１３１中には二酸化炭素を溶解しない純水を導入した。更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件３
切削工程終了１５分後に、図８に示す基体表面洗浄装置により表５の条件で基体表面の処理を行った。図８に示す基体洗浄装置は、処理槽８０２と基体搬送機構８０３を有している。処理槽８０２は、基体投入台８１１、基体洗浄槽８２１、基体搬出台８５１を有する。洗浄槽８２１は液の温度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）を有する。搬送機構８０３は、搬送レール８６５と搬送アーム８６１を有し、搬送アーム８６１は、レール８６５に沿って移動する移動機構８６２、基体８０１を保持するチャッキング機構８６３、及びこのチャッキング機構８６３を上下させるためのエアーシリンダー８６４を有している。
【０１７４】
切削後、投入台上８１１に置かれた基体８０１は、搬送機構８０３により洗浄槽８２１に搬送されている。洗浄槽８２１中のトリクロルエタン（商品名：エターナＶＧ旭化成工業社製）８２２により表面に付着している切削油及び切り粉を除去するための洗浄が行われる。
【０１７５】
洗浄後、基体８０１は、搬送機構８０３により搬出台８５１に運ばれる。
【０１７６】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件４
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。ただし、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２０μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。更にその後、表３Ｅの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件５
切削工程終了１５分後に表４に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び純水による洗浄を行った。表面処理装置としては図２のものを用い、ただし、洗浄槽１３１中には二酸化炭素を溶解しない純水を導入した。更にその後、表３Ｅの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
【０１７７】
作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を高速実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ、画像濃度ムラ、白ポチ等の電子写真特性について評価を行った。また感光体表面の球状突起の発生数及び環境性、基体内面の表面状態について評価を行った。
【０１７８】
各項目は、以下の方法で評価を行った。
（１）帯電能・帯電能ムラ
電子写真感光体を実験装置に配置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。電子写真感光体の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに暗部表面電位を測定する。同様の測定を周方向に４５°ずつ計８箇所行う。そして得られた暗部表面電位の平均をもって帯電能とし、バラツキ（標準偏差）をもって、帯電能ムラとする。
（２）感度・感度ムラ
電子写真感光体を、４２０Ｖの暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量を照射する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射した。このとき表面電位計により電子写真感光体の明部表面電位を測定する。電子写真感光体の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに明部表面電位を測定する。同様に測定を周方向に４５°ずつ計８箇所行う。そして得られ明部表面電位の平均をもって感度とし、バラツキ（標準偏差）をもって、感度ムラとする。
【０１７９】
このとき一定光量は、０．３５ ｌｕｘ・ｓｅｃとした。
（３）画像濃度ムラ
キヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ−９０４２）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像上で直径０．０５ｍｍの円形の領域を１単位として２００点の画像濃度を測定し、その画像濃度のばらつきを評価した。
【０１８０】
◎は「特に良好」
○は「良好」
△は「実用上問題無し」
×は「実用上問題のある場合がある」
（４）白ポチ
キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白ポチについて評価した。
【０１８１】
◎は「特に良好」
○は「良好」
△は「実用上問題無し」
×は「実用上問題のある場合がある」
（５）球状突起の発生数
電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察し、１００ｃｍ２ の面積内での直径１５μｍ以上の球状突起の個数を調べた。
（６）環境性の評価
○…前処理工程にオゾン層の破壊に係るといわれる物質を用いない。
【０１８２】
×…前処理工程にオゾン層の破壊に係るといわれる物質を用いている。
（７）基体内面状態
基体の内面を目視で観察し、堆積膜形成前の内面状態と比較して以下の基準で評価を行った。
【０１８３】
◎は、変化なし
○は、僅かに変色が認められる。
【０１８４】
△は、所々に変色が認められる。
【０１８５】
×は、大きな変化がある。
【０１８６】
このようにして得られた結果を表６に示す。表６において、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ及び球状突起の発生数は、条件５で得られた結果を１００とした相対評価を行っている。
【０１８７】
表４から明らかなように、二酸化炭素を溶解した水により基体の洗浄を行い、かつ内面がセラミックスで構成された基体ホルダーを用いることにより、画像結果、及び画像ムラが大幅に向上した電子写真感光体を作製することができようになった。
【０１８８】
【表１】
【０１８９】
【表２】
【０１９０】
【表３】
【０１９１】
【表４】
【０１９２】
【表５】
【０１９３】
【表６】
（実施例２）
水中に溶解珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０１９４】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗剤（非イオン界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行なった。ただし、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ−ｃｍの純水中から該純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を０．１μＳ／ｃｍから５０μＳ／ｃｍまでの１１段階にした水を用いた。
【０１９５】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で基体上に、アモルファスシリコン堆積膜形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例１と同様の方法で評価した結果を表７に示す。表７において、帯電能・帯電能ムラ、球状突起の発生数は、導電率を０．１μＳ／ｃｍ（純水のみ、ＣＯ２ 溶解せず）を１００としたときの、相対評価で示す。
【０１９６】
表７により明らかなように、本発明による電子写真感光体製造方法で作製した電子写真感光体は、二酸化炭素を溶解した水溶液の導電率が２μＳ／ｃｍから４０μＳ／ｃｍの範囲で画像欠陥等について非常に良好な効果が得られた。
【０１９７】
【表７】
（実施例３）
基体のアルミ中の珪素原子の含有量を珪素原子を含有しない場合から１．５ｗｔ％含有する場合までの８段階変化させたアルミニウム基体を実施例１と同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置を用い、表２に示す条件により二酸化炭素を溶解した水により洗浄を行った。ただしこのとき水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。
【０１９８】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。
【０１９９】
このようにして作製した電子写真感光体を実施例１と同様の方法で評価した結果を表８に示す。表８により明らかなように、本発明による電子写真感光体製造方法で作製した電子写真感光体は基体のアルミニウム中に珪素原子１ｐｐｍから１ｗｔ％含有した範囲で画像欠陥について非常に良好な効果が得られた。
【０２００】
【表８】
（実施例４）
実施例１と同様の基体を同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により基体表面の前処理を行った。
【０２０１】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で、基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。 本実施例では、二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程時に使用する純水の水質（抵抗率）を変化させ電子写真感光体を作製した。このようにして得られた電子写真感光体を、実施例１と同様の手順で同様に評価を行った。評価としては同一の作製条件で作製した電子写真感光体を各１０本づつ評価し、得られた評価結果を表９に示した。ただし、表中黒しみ、コストについては以下の基準で評価を行った。
黒しみの評価
プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿を原稿台に置いて得られた画像の平均濃度が０．４±０．１になるように画像を出力した。このようにして得られた画像サンプル中で一番しみの目立つものを選び評価を行った。評価の方法としてはこれらの画像を目より４０ｃｍ離れたところで観察し、黒しみが認められるか調べ、以下の基準で評価を行った。
【０２０２】
◎…いずれのコピー上にも黒しみは認められなかった。
【０２０３】
○…僅かに黒しみが認められるものがあった。
【０２０４】
しかし軽微であり全く問題無し。
【０２０５】
△…いずれのコピー上にも黒しみが認められる。
【０２０６】
しかし軽微であり実用上支障ない。
【０２０７】
×…全数のコピー上に大きな黒しみが認められる。
コストの評価
必要な洗浄液を必要量得る場合
◎…非常に安価に手にはいる。
【０２０８】
○…安価に手にはいる。
【０２０９】
△…やや高価である。
【０２１０】
×…高価である。
【０２１１】
表９より明らかな純粋の抵抗率が二酸化炭素を溶解前に１ＭΩ・ｃｍ以上のとき本発明の電子写真感光体製造方法により作製した電子写真感光体は画像性について非常に良好な結果が得られた。
【０２１２】
【表９】
（実施例５）
珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２１３】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。ただし、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２０μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。
【０２１４】
更にその後、表１０の寸法形状の基体ホルダーＡ〜Ｅにそれぞれ円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。
【０２１５】
（１）作製した電子写真用感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を高速実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能ムラ、感度ムラ、画像濃度ムラ等の電子写真特性について評価を行った。また受容部材表面の球状突起の発生数について実施例と同様な評価を行った。
【０２１６】
（２）次に、各々の基体ホルダーで更に電子写真用感光体を連続して作製した。このとき、毎回真空反応容器内は、ＣＩＦ３ とＡｒの混合ガスによるエッチングで、真空反応容器内に残留する生成物を除去した。そして４０回目に作製した電子写真感光体を（１）と同様の評価を行った。
【０２１７】
（３）更に、４０回目に作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、２００万枚の通紙耐久試験を行った。そして感度ムラ、画像濃度ムラ、等の電子写真特性について（１）と同様に評価を行った。
【０２１８】
このようにして、それぞれ得られた結果を、（１）の結果を表１１、（２）、（３）の結果を表１２に示す。
【０２１９】
表１１から明らかなように、本発明の感光体形成方法により、球状突起の発生数が大幅に減少し、画像欠陥の少ない感光体を作製することができることがわかった。また、特性の均一性も非常に良好である。
【０２２０】
更に表１２から明らかなように、基体ホルダーを長期使用後においても、均一性がよく、画像欠陥が少ない感光体を作製することができることがわかった。
【０２２１】
特に耐酸性の材料を用いた場合、または輻射熱を受け易い材料を用いた場合は良好な結果が得られ、更に耐酸性の材料と輻射熱を受け易い材料の混合系は非常に良好な結果が得られた。
【０２２２】
また、本発明の感光体形成方法により作製した電子写真感光体は、長時間使用後においても良好な電気的及び画像特性を維持している。
【０２２３】
【表１０】
【０２２４】
【表１１】
【０２２５】
【表１２】
（実施例６）
珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉圧５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２２６】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表１３に示す条件により基体の洗浄を行った。洗浄としては、非イオン性界面活性剤と陰イオン性界面活性剤の混合したものを用いた。
【０２２７】
更にその後、基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図５（Ａ）及びＦｉｇ５（Ｂ）に示す堆積膜形成装置を用い、表１４の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ｂ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。図７（Ｂ）において、７０１，７０３，７０４は、それぞれ順にアルミニウム基体、光導電層、表面層を示している。
【０２２８】
また、基体ホルダーは、材質ＪＩＳ５０００系アルミ合金を用い、基体ホルダーの内面は、アーク溶射にてＴｉＯ２ を、厚さ１００μｍコーティングしたものを用いた。
【０２２９】
作製した電子写真用感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ、画像濃度ムラ、白ポチ等の電子写真特性について評価を行った。
【０２３０】
各項目は、以下の方法で評価を行った。
【０２３１】
（１）帯電能・帯電能ムラ、
（２）感度・感度ムラ、
（３）画像濃度ムラ、
（４）白ポチ、の各評価は実施例１と同様な評価を行った。
【０２３２】
これらの評価結果を表１５に示す。表中、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラは、以下に示す比較例１の結果を１００とした相対評価で示してある。
【０２３３】
（比較例１）
珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉圧５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２３４】
切削工程終了１５分後に図８に示す表面処理装置により、表５に示す条件により基体のトリエタン洗浄を行った。
【０２３５】
更にその後、基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図５（Ａ）及び５（Ｂ）に示す堆積膜形成装置を用い、表１４の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ｂ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。また、基体ホルダーは、材質ＪＩＳ５０００系アルミ合金を用い、基体ホルダーの内面は、特に処理を行わなかった。
【０２３６】
作製した電子写真感光体を実施例６と同様な手段で同様に評価を行った。
【０２３７】
これらの評価結果を実施例６と共に表１５に示す。
【０２３８】
本発明の電子写真感光体の製造方法により製造した電子写真感光体は、従来の方法により製造した電子写真感光体に比べいずれの項目においても非常に良好な結果が得られた。
【０２３９】
【表１３】
【０２４０】
【表１４】
【０２４１】
【表１５】
（実施例７）
珪素原子の含有量が３００ｐｐｍ、マグネシウム原子の含有率が２ｗｔ％のアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２４２】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表１３に示す条件により基体の洗浄を行った。洗剤としては、非イオン性界面活性剤を用いた。
【０２４３】
更にその後、基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１６の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ｃ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。図７（Ｃ）において、７０１，７０２，７０３，７０４，７０５はそれぞれ順にアルミニウム基体、赤外線吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を示している。
【０２４４】
また、基体ホルダーは、材質ＪＩＳ５０００系アルミ合金を用い、基体ホルダーの内面は、プラズマ溶射にてＡｌ２ Ｏ３ とＣｒ２ Ｏ３ が１：１の質量比で厚さ１００μｍコーティングしたものを用いた。
【０２４５】
作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−９３３０を高速実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ、画像濃度ムラ、白ポチ等の電子写真特性について評価を行った。
【０２４６】
各項目は、以下の方法で評価を行った。
（１）帯電能・帯電能ムラ
実施例１と同様な評価を行った。
（２）感度・感度ムラ
電子写真用感光体を、４１０Ｖの暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量（１．４μＪ／ｃｍ２ ）を照射する。光源にはスポット系８０μｍの半導体レーザー（波長７８０ｎｍ）を使用した。このとき表面電位計により電子写真用感光体の明部表面電位を測定する。電子写真用感光体の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに明部表面電位を測定する。同様の測定を周方向４５°ずつ計８箇所行う。そして得られた明部表面電位の平均をもって感度とし、バラツキ（標準偏差）をもって、感度ムラとする。
（３）画像濃度ムラ
実施例１と同様の評価を行った。
（４）黒ポチ
白紙を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の黒ポチについて、評価した。
【０２４７】
◎は「特に良好」
○は「良好」
△は「実用上問題無し」
×は「実用上問題のある場合がある」
このように評価したところ、実施例６と同様に何れの項目も非常に良好な結果が得られた。
【０２４８】
【表１６】
尚、図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に示した構成に本発明で使用される電子写真感光体は限られるものではないのは言うまでもない。
【０２４９】
たとえば、図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）において表面層７０４及び又は電荷注入阻止層７０２は必ずしも設ける必要はなく、また、光導電性層７０３は図示されるような一層構成でなくたとえば電荷輸送層（ＣＴＬ）と電荷発生層（ＣＧＬ）を有するような多層構成としても良い。
【０２５０】
赤外線吸収層７０５としては、ゲルマニウム又はスズ原子を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶シリコン例えばａ−ＳｉＧｅ，ａ−ＳｉＳｎなど）やゲルマニウム原子を母体とする非単結晶ゲルマニウム（たとえばａ−Ｇｅなど）が挙げられる。また、赤外線吸収層７０５中には更に伝導性を制御する物質としてたとえば周期律表第ＩＩＩ 族及び第Ｖ族から選択される元素を含有して良い。
【０２５１】
電荷注入阻止層７０２としては、シリコン原子を母体とし伝導性を制御する物質として周期律表第ＩＩＩ族又は第Ｖ族の属する元素から選択される元素を含有する非単結晶（例えば周期律表第ＩＩＩ族又は第Ｖ族を含有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ（ＩＩＩ），ａ−Ｓｉ（Ｖ）など）が好ましい。上記、周期率表第ＩＩＩ族元素としてはホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）が好ましく選択され、中でもホウ素が好ましく選択される。また、周期律表第Ｖ族元素としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）が好ましく選択され、中でもヒ素が好ましく選択される。
【０２５２】
又、電荷注入阻止層７０２としては、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）から選択される少なくとも１つの元素を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶材料も好適に使用可能である。
【０２５３】
光導電層７０３としてはシリコン原子を母体とする非単結晶材料（例えばａ−Ｓｉ（非晶質シリコン））が好適に使用されるが、更に前述したような伝導性を制御する物質（周期律表第ＩＩＩ 族又は第Ｖ族元素）や酸素、窒素及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの元素を含有させても良い。これら更に含有させる周期率表第ＩＩＩ 族又は第Ｖ族元素、酸素、窒素、炭素の含有量は通常は前記電荷注入阻止層７０２として機能させるに必要な量より少なくするのが好ましい。
【０２５４】
表面層７０４としてはシリコン原子を母体とし、窒素及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの元素を有する非単結晶材料が好適に使用される。又、各層には更に水素原子及び又はハロゲン原子が含有されていることが望ましい。
【０２５５】
加えて、導電性を制御する物質、酸素、窒素、炭素、ゲルマニウム、スズを含有させる場合、支持体に並行な面においては均一で層厚方向に均一又は不均一に含有させて良い。
【０２５６】
これら層構成、元素などの含有量は所望とする電子写真感光体の特性に応じて適宜決められる。
【０２５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アルミニウム基体上に機能性能を形成する工程を含む電子写真感光体製造方法において、特にアルミニウム基体上に水素原子及び弗素原子のいずれか一方または両方と珪素原子とを含む非単結晶堆積膜をプラズマＣＶＤ方により形成する工程を含む電子写真感光体製造方法において、表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄された基体と金属を母体とし、少なくとも内側の表面にセラミックスが形成された基体ホルダーを用いることで、均一な高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に安定して製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示す図。
【図２】本発明の電子写真感光体製造方法を実施するために使用される前処理装置の一例を示す図。
【図３】本発明による感光体の形成方法の好適な実施態様例の構成を説明するための模式的構成図。
【図４】本発明における電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示すものであり、ＲＦグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図。
【図５】本発明における電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示すものであり、μＷグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図で、図５（Ａ）は、装置の側断面図であり、図５（Ｂ）は、Ｘ−Ｘ’における横断面図。
【図６】本発明における電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示すものであり、図３のＲＦグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置を図５の堆積装置に代えた模式的説明図。
【図７】図７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は夫々電子写真感光体の層構成を示す断面図。
【図８】従来の方法において堆積膜形成の前処理として基体の洗浄を行うための洗浄装置の概略的縦断面図。
【符号の説明】
１０１ 基体
１０２ 処理部
１０３ 基体搬送機構
１１１ 基体搬入台
１２１ 基体前洗浄槽
１２２ 前洗浄液
１３１ 二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽
１３２ 二酸化炭素を溶解した水
１４１ 乾燥槽
１４２ ノズル
１５１ 基体搬出台
１６２ 移動機構
１６３ チャッキング機構
１６４ エアシリンダー
１６５ レール
２０１ 基体
２０２ 基体ホルダー
２０３ 基体ホルダー内面
２０４ 補助基体
２０５ 加熱手段
２０６ 置き台
２０７ 運搬用取っ手
２０８ 基体表面
３００ ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置
３０１ 反応容器
３０２ 円筒上基体
３０３ 基体ホルダー
３０４ 基体加熱用ヒーター
３０５ 原料ガス導入管
３０６ マッチングボックス
３０７ 原料ガス配管
３０８ 反応容器リークバルブ
３０９ メイン排気バルブ
３１０ 真空計
３３０ 原料ガス供給装置
３３１〜３３６ 原料ガスボンベ
３５１〜３５６ ガス流入バルブ
３６１〜３６６ ガス流出バルブ
３７１〜３７６ マスフローコントローラー
３９１〜３９６ 圧力調整器
４００ μＷグロー放電による堆積膜形成装置
４０１ 反応容器
４０２ マイクロ波導入管
４０３ 導波管
４０４ 基体ホルダー
４０５ 円筒状基体
４０６ 基体加熱用ヒーター
４０７ 原料ガス導入管
４０８ バイアス電極
４０９ バイアス電源
４１０ 基体回転用モーター
４１１ 排気管
４２０ 放電空間
６０１ 真空反応容器
６０２ カソード電極
６０３ ゲート
６０４ 底壁
６０５ 碍子
６０６ 基体
６０７ 基体ホルダー
６０８ ヒーター
６０９ ガス導入管
６１０ ガス放出孔
６１１ ガスバルブ
６１２ ガス供給部
６１３ 排気管
６１４ 排気バルブ
６１５ 排気装置
６１６ 電源
８０１ 基体
８０２ 処理部
８０３ 基体搬送機構
８１１ 基体投入台
８２１ 基体洗浄槽
８２２ 洗浄液
８５１ 基体搬出台
８６１ 搬送アーム
８６２ 移動機構
８６３ チャッキング機構
８６４ エアーシリンダー
８６５ レール
【産業上の利用分野】
本発明は、アルミニウム基体上に機能性膜を形成した電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具に関し、更に詳しくは、特に珪素元素を含有したアルミニウム基体上にプラズマＣＶＤ法により形成された珪素原子と水素原子を含む非単結晶堆積膜を有する電子写真感光体に好適な電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体の堆積膜を形成するための基体としては、ガラス、耐熱性合成樹脂、ステンレス、アルミニウム等が提案されている。しかし、実用的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった電子写真プロセスに耐え、また画質を落さないために常に電子写真感光体表面の装置本体内における位置精度を高く保つため、金属を使用する場合が多い。中でもアルミニウムは加工性が良好で、コストが低く、重量が軽い点から電子写真感光体の基体として最適な材料の１つである。
【０００３】
電子写真感光体の基体の材質に関する技術が、特開昭５９−１９３４６３号公報、特開昭６０−２６２９３６号公報に記載されている。特開昭５９−１９３４６３号公報には、支持体をＦｅ含有率が２０００ｐｐｍ以下のアルミニウム合金にすることにより、良好な画質のアモルファスシリコン電子写真感光体を得る技術が開示されている。更に、該公報中では円筒状（シリンダー状）基体を旋盤により切削を行い鏡面加工した後、グロー放電によりアモルファスシリコンを形成するまでの手順が開示されている。特開昭６０−２６２９３６号公報には、Ｍｇを３．０〜６．０ｗｔ％を含有し、不純物として、Ｍｎを０．３ｗｔ％以下、Ｃｒを０．０１ｗｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、Ｓｉを０．１２ｗｔ％以下に抑制し、残部Ａｌからなるアモルファスシリコンの蒸着性に優れた押し出しアルミニウム合金が開示されている。しかし、これらの公報には基体の洗浄についての記載はない。
【０００４】
電子写真感光体の基体の加工方法に関する技術が、特開昭６１−１７１７９８号公報に記載されている。該公報には、特定の成分による切削油を使用し、基体を切削することにより良好な品質のアモルファスシリコン等の電子写真感光体を得る技術が開示されている。また該公報中に切削後、基体をトリエタン（トリクロルエタン：Ｃ２ Ｈ３ Ｃｌ３ ）で洗浄することが記載されている。
【０００５】
電子写真感光体の基体の表面処理に関する技術として、特開昭５８−０１４８４１号、特開昭６１−２７３５５１号公報、特開昭６３−２６４７６４号公報、特開平１−１３０１５９号公報が提案されている。
【０００６】
特開昭５８−０１４８４１号公報には、アルミニウム支持体表面の自然酸化物皮膜を除去した後、温度６０℃以上の水中に浸漬し均一な酸化物皮膜を得る技術が開示されている。
【０００７】
特開昭６１−２７３５５１号公報には、Ｓｅ等をアルミニウム基体上に蒸着して電子写真感光体を作る際に、基体の前処理として、アルカリ洗浄、トリクレン洗浄、水銀ランプによる紫外線照射洗浄の技術が挙げられ、また、紫外線照射洗浄の前処理として円筒状アルミニウム基体の表面に付着した油脂除去のため液体脱脂洗浄、蒸気脱脂洗浄及び純水洗浄を行うことが記載されている。
【０００８】
特開昭６３−２６４７６４号公報には、水ジェットにより基体表面を粗面化する技術が開示されている。
【０００９】
特開平１−１３０１５９号公報には、水ジェットにより電子写真感光体支持体を洗浄する技術が開示されている。該公報には感光体の例として、Ｓｅ、有機光導電体及びアモルファス珪素が挙げられている。しかしながら、プラズマＣＶＤ法によって形成される膜と水ジェットによる洗浄との間の問題点については全く触れられていない。
【００１０】
一方、電子写真感光体以外の基体の前処理方法としては、特開昭６０−８７６号公報のようなウェハー面上に静電気による放電破壊が生じないように、超純水に炭酸ガスを吹き込む技術が知られている。しかし、この技術はウェハーのように高抵抗な基体に発生する対策であり、アルミニウムのような導電性の基体に対する思想は見出せない。
【００１１】
ところで電子写真感光体に用いる光導電膜を含む感光体構成材料としてはセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコンなどの無機材料、フタロシアニン等の有機物等各種の材料が提案されている。中でも、アモルファスシリコンに代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積膜、例えばダンブリングボンドの補償のために水素及び（または）ハロゲン（例えば弗素、塩素等）を含有するアモルファスシリコン等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久性、無公害の感光体として提案され、そのいくつかは実用に付されている。たとえば特開昭５４−８６３４１号公報には、光導電層を主としてアモルファスシリコンで形成した電子写真感光体の技術が開示されている。
【００１２】
こうした珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積膜の形成方法として従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られている。
【００１３】
プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流、高周波（ＲＦ波、ＶＨＦ波を含む）またはマイクロ波グロー放電等によって分解し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子写真感光体用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法に最適であり、現在実用化が非常に進んでいる。中でも、近年堆積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を用いたプラズマＣＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣＶＤ法が工業的にも注目されている。
【００１４】
マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法に比べ高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率という利点を有している。こうした利点を生かしたマイクロ波プラズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許４，５０４，５１８号に記載されている。該特許には、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧によりマイクロ波プラズマＣＶＤ法により高速の堆積速度で良質の堆積膜を得るというものである。
【００１５】
更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０−１８６８４９号公報に記載されている。該公報には、概要、マイクロ波エネルギーの導入手段を取り囲むように基体を配置して内部チャンバー（すなわち放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を非常に高めるようにしたものである。
【００１６】
また、特開昭６１−２８３１１６号公報には、半導体部材製造用の改良形マイクロ波技術が開示されている。すなわち、当該公報は、放電空間中にプラズマ電位制御として電極（バイアス電極）を設け、このバイアス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆積膜へのイオン衝撃を制御しながら堆積膜を行うようにして堆積膜の特性を向上させる技術を開示している。
【００１７】
基体としてアルミニウム合金製シンリダーを用いた場合、これらの従来の技術による電子写真感光体製造方法は具体的には以下のように実施される。
【００１８】
精密切削用のエアーダンパー付き旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角をすくい角を得るようにセットする。次にこの旋盤の回転フランジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから白灯油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。
【００１９】
次に、この切削した基体をトリクロルエタンにより洗浄を行い、表面に付着している切削油及び切り粉の洗浄を行う。
【００２０】
次にこれらの鏡面加工し、洗浄した基体上に図１に示すグロー放電分解法による光導電部材の堆積膜形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。
【００２１】
図１は、典型的なプラズマＣＶＤ装置の一例の断面略図である。図中、６０１は反応容器全体を示す、６０２は反応容器の側壁を兼ねたカソード電極であり、６０３は反応容器の上壁となるゲート、６０４は反応容器の底壁である。前記カソード電極６０２と、上壁６０３及び底壁６０４とは、夫々、碍子６０５で絶縁されている。
【００２２】
６０６はアルミニウム等の単一材料からなる金属製の基体ホルダー６０７に装着された反応容器内に設置された基体であり、該基体６０６は接地されてアノード電極となるものである。基体６０６の中には、基体加熱用ヒーター６０８が設置されており、成膜前に基体を所定の温度に加熱したり、成膜中に基体を所定の温度に維持したり、あるいは成膜後基体にアニール処理を施こしたりするのに用いる。６０９は堆積膜形成用原料ガス導入管であって、反応空間内に該原料ガスを放出するためのガス放出孔６１０が多数設けられており、該原料ガス導入管６０９の他端は、バルブ６１１を介して堆積膜成形用原料ガス供給系６１２に連通している。６１３は、反応容器内を排気するための排気管であり、排気バルブ６１４を介して真空ポンプなどの排気装置６１５に連通している。６１６は、カソード電極６０２への電圧印加手段である。
【００２３】
こうしたプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の操作方法は次のようにして行われる。すなわち、反応容器内のガスを、排気管６１３を介して真空排気するとともに、加熱用ヒーター６０８により基体６０６を所定温度に加熱、保持する。次に原料ガス導入管６０９を介して、例えばａ−ＳｉＨ堆積膜を形成する場合であれば、シラン等の原料ガスを反応容器内に導入する。該原料ガスは導入管の原料ガス放出孔６１０から反応容器内に放出される。これと同時併行的に、電圧印加手段６１６から、例えば高周波をカソード電極６０２と基体（アノード電極）６０６間に印加しプラズマ放電を発生せしめる。かくして、真空反応容器内の原料ガスは励起され励起種化し、Ｓｉ＊ ，ＳｉＨ＊ 等（「＊ 」は励起状態を表わす。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子等が生成され、これらの粒子間または、これらの粒子と基体表面との化学的相互作用により、基体表面上に堆積膜を形成する。
【００２４】
このような、例えばａ−Ｓｉからなる電子写真感光体を形成する場合、円筒状基体を真空反応容器内に運搬ならびに保持する必要があることから、円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入することが行われる。また例えば特開昭６０−８６２７６号公報等に開示されているように、その特性を均一なものにする目的で、基体上下に補助基体を設ける必要があること等の理由からも円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入することが、一般に行われている。しかし、これら電子写真感光体製造方法では、より均一な膜質でより高度な光学的及び電気的特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスにより画像形成時により優れた画像品質を得られる堆積膜を定常的に安定して高収率（高歩留まり）で得るためにはまだ解決すべき点を有している。
【００２５】
すなわち、現在電子写真装置は更に一層の高画質、高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写真感光体においては、光学的特性や電気的特性の更なる向上及び均一性の向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあらゆる環境下で耐久性を延ばすことが求められている。特に、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真感光体に対する画像特性はより一層の向上が求められるようになった。
【００２６】
その結果、電子写真感光体の特性の場所的バラツキといった問題点は、今まで要求された程度のスピード及び解像力の複写システムにあっては必ずしも問題ではなく場合によっては無視することもできたが、特にディジタル方式のレーザー等の可干渉光光源を使用する高速の複写システム、ファクシミリシステム、プリンターシステム等の高速連続画像形成システムにおいては、大きな問題となりやすい。特に、近来普及してきたカラー複写機においては、再現色の違いや色ムラなど、より視覚的に明らかなものとなるため、大きな問題となる場合がある。
【００２７】
更に、画像の解像力が向上した結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状または黒点状の画像欠陥の減少、特に従来はあまり問題にされなかった微小な大きさの「ポチ」の減少が求められるようになってきた。特に、「ポチ」に関しては、その原因の殆どが球状突起と呼ばれる膜の異常成長であり、その発生数を減らすことが非常に重要である。
【００２８】
また、従来はコピーの用途としては、活字だけの原稿（いわゆるラインコピー）が中心であったが、近来複写機の画質が上がるにつれて、写真等のハーフトーンを含む原稿がコピーされるようになり、これらポチや特性の場所的バラツキに起因するようなムラの問題点は重大な問題であり、解決の要求されるところのものである。
【００２９】
したがって、電子写真感光体そのものの特性改良が図られる一方で、上記のように問題が解決されるように、層構成、各層の化学的組成及び作製法等総合的な観点からの改良を図ることが必要とされている。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上述のごとき従来の電子写真感光体の製造方法における諸問題を克服して、安価に安定して歩留まりよく高速形成し得る、使いやすい電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具を提供することにある。
【００３１】
また、本発明の他の目的は、プラズマＣＶＤ法で特に顕著な画像欠陥の発生という問題点を解決して均一な高品位の画像を得ることができる電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具を提供することにある。
【００３２】
また、本発明はアルミニウム基体を基体ホルダーに装着させ減圧気相成長法により、該基体上にシリコン原子を母体とする単結晶材料を有する機能性膜を有する電子写真感光体の製造方法において、前記基体上に前記機能性膜を形成する工程の前に前記基体の表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程を有し、かつ前記基体ホルダーは金属を母体とし、少なくとも内側の表面はセラミックスが形成されている電子写真感光体の製造方法を提案することを目的とする。
【００３３】
更に、本発明は減圧気相成法によって治具に装着されたアルミニウム基体上に機能性膜を形成する機能性膜の製造方法に用いられる治具において、前記治具は金属を母体とし、少なくとも前記アルミニウム基体が装着される側とは反対の面にセラミックスが形成されている治具を提供することを目的とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決しようとするもので、その要旨は
アルミニウム基体を基体ホルダーに装着させ減圧気相成長法により、該基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料を有する機能性膜を有する電子写真感光体の製造方法において、前記基体上に前記機能性膜を形成する工程の前に前記基体の表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程を有し、かつ前記基体ホルダーは金属を母体とし、該基体ホルダーの少なくとも内側の表面にはセラミックスが形成されており、前記二酸化炭素を溶解した水が、抵抗率１ＭΩ・ｃｍ以上の純水に二酸化炭素を溶解した水であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法及び減圧気相成法によって治具に装着されたアルミニウム基体上に機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法に用いられる治具において、前記治具は金属を母体とし、少なくとも前記アルミニウム基体が装着される側とは反対の面にセラミックスが形成されている電子写真感光体の製造方法に用いられる治具にある。以下本発明を詳細に説明する。
【００３５】
本発明者の検討では、アルミニウム基体を用いたとき発生する画像欠陥の原因は、
（Ａ）基体上塵等が付着してそれが核となる。
（Ｂ）基体の表面欠陥が核となる。
とに大別できる。
【００３６】
（Ａ）の塵等の付着は切削、洗浄等基体を取り扱う場所のクリーン化を図る及び成膜炉内の清掃を厳密に行うことと共に堆積膜形成の直前に基体表面を洗浄することによりある程度防止することが可能であった。従来はトリクロルエタン等の塩素系溶剤で洗浄することによりこの目的を達成していた。しかし、近年オゾン層の破壊等の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制限されるようになってきたため、この問題点について新たに検討をする必要が生じた。また前述のように、画像欠陥を更に減少させる必要がある。
【００３７】
一方（Ｂ）の欠陥を減少させることは従来より非常に困難であった。
【００３８】
本発明者の検討により、アルミニウム中の局所的に高硬度の部分があり、堆積膜形成に先立つ前加工として、切削等の表面加工の際に加工機の刃にこれらの高硬度の部分がえぐられアルミニウム基体上に表面欠陥ができることが（Ｂ）の原因であることが明かとなった。
【００３９】
更に、これらの現象を防ぐためには、通常アルミニウムに含有される不純物は少ない方がよい、しかし、非常に高純度のアルミニウムは基体の形状に原材料のアルミニウムを加工するための溶解の際に必然的に発生する酸化物が成長し、前述の欠陥発生の原因となる。これを防ぐためには、珪素原子を含有させることが効果的であることが明らかとなった。
【００４０】
基体表面の機械加工後、トリクロルエタン等の塩素系の溶剤を用い洗浄を行う場合は、以上のことだけで基体の表面性による画像欠陥の発生は充分防止することが可能である。
【００４１】
しかし、近年では更に環境問題のためにこれらの塩素系溶剤を安易に使うことができないため、本発明者は洗浄についても検討を行った。その結果、アルミニウムは水により腐食が発生する、特にこれら珪素原子を含むアルミニウムは、洗浄の際に水につけると珪素原子が局所的に多い部分を中心に水による腐食が顕著になることを発見した。
【００４２】
この現象は水の温度が高いほど顕著でありまた、アルミニウム中に珪素原子と共に切削性を向上する目的でマグネシウムを含む場合更に顕著となった。アルミニウムの腐食を防ぐためには、各種の腐食防止剤が提案されているが、本発明のように、珪素を含んだアルミニウム基体を電子写真感光体の基体に用いる場合は大面積の基体上に僅かに発生した欠陥でも問題となるため、効果が不充分であり、更に、これらの腐食防止剤が洗浄後微量基体表面に残るため堆積膜形成後電子写真特性に悪影響が発生するのである。すなわち、アルミニウム基体表面上に水と同時に速やかに揮発する成分以外の成分が付着していると電子写真感光体を作製した場合、画像上のしみ等の悪影響が発生するため従来の腐食防止剤の使用は制限されるのである。
【００４３】
本発明者は堆積膜形成に先立ち塵の付着を除去するために行う洗浄の際用いる水に何らかの処理を行うことで上記のような欠陥の発生を抑えることができないか否かという点に着目して鋭意研究した結果、本発明を完成させるに至った。
【００４４】
本発明のメカニズムについては未だ解明されていない点が多いが、本発明者は現在、次のように考えている。
【００４５】
アルミニウム表面に部分的に露出した珪素原子が多い部分は周囲の通常のアルミニウムの部分と局部的な電池を形成して腐食を促進する。
【００４６】
一方、水に溶解した二酸化炭素は水中で炭酸イオンとなり、これらの局部電池の部分に引き寄せられ周囲を覆うことにより水中の酸素等の接近を防ぎ効果的に腐食を防止する。更に、炭酸イオンは珪素原子の多い部分表面に何らかの変質をさせることにより、堆積膜形成時にこの部分からの異常成長が発生することを防止する。
【００４７】
更に本発明者は塵の減少について鋭意研究した結果、通常の環境においては基体ホルダーからの塵はあまり問題ではないが、電子写真感光体形成のために基体を加熱する工程において発生する塵が問題となってくることを発見した。
【００４８】
つまり、従来、基体ホルダーは、基体との電気的接触及び／または基体ホルダーの接地のためにアルミニウム、ステンレス等の金属製のものが一般に用いられている。これら金属製の基体ホルダーは、基体の加熱の際に、熱膨張が生じる。このとき基体ホルダー内側に付着していたダストは、表面の形状変化により離脱し、真空容器内に滞留または、堆積する。そのため真空反応容器内が塵により汚染され、基体表面に塵が付着してしまう。
【００４９】
本発明では、基体ホルダー内側面にセラミックスを形成してある。セラミックスは、金属に比べて熱膨張率が低く、加熱により表面の形状変化が小さくなる。そのため、基体ホルダーからの発塵が大幅に低減される。
【００５０】
更に、セラミックスは硬度が高く、セラミックスの表面に塵が付着しにくく、これも、発塵を低減させる要因となっている。つまり、基体ホルダー表面の一部は、必然的に気相成長空間に露出してしまうため、その部分には基体表面と同様に堆積膜が形成される。こうした堆積膜は、いずれ脱落し塵の原因となるため毎回基体ホルダーの表面を更新する必要がある。この際、従来のようなアルミニウム等の金属の内側面の場合、更新処理中に生じる膜片が、内側面にいわゆる「突き刺さる」という状況が発生する。特に更新手段として、ガラスビーズを用いた液体ホーニングによるブラスト処理が行われる場合には、膜片の他に、ガラス片あるいは金属片といったものが表面に付着してしまう。この「突き刺さった」膜片等は通常の環境では離脱しにくいが、前述のように加熱により表面が熱膨張を起こすと、離脱してしまう。
【００５１】
本発明のように基体ホルダー内側面をセラミックスにした場合には、更新処理中に生じる膜片等は、表面の硬度が高いため前述の「突き刺さる」という状況が大幅に減少する。そのため表面に付着する塵の絶対量が減少するため、基体ホルダーからの発塵が大幅に低減される。
【００５２】
更に、本発明の予期せぬ効果として、電子写真特性の向上がみられた。
【００５３】
これは、炭酸イオンは、アルミニウム表面全体を均一に僅かに溶解することにより表面の活性度を上げ、堆積膜を形成する際良好な電荷のやり取りができる界面を形成することができる。このため、帯電の向上、残留電位の低減等電子写真特性の向上を果たすことが可能となったと考える。
【００５４】
更に、本発明では切削工程後、二酸化炭素を溶解した水の洗浄工程の前に前洗浄工程を設けることにより本発明の効果を妨げる油脂及びハロゲン系の残留物の除去を完全に行うことにより前述の効果を高めている。特に、前洗浄工程は水または界面活性剤を加えた水中で超音波洗浄を行うことにより、本発明の効果を最高に高めることを可能にしている。
【００５５】
更に、本発明の形成方法により、優れた電気特性及び画像特性を維持したまま、耐久性を飛躍的に向上させることができる。
【００５６】
すなわち、前述のように球状突起が減少するため、連続して大量に画像形成を行ってもクリーニングブレードや分離爪へのダメージが少なく、クリーニング性及び転写紙の分離性も良好になる。従って、画像形成装置としての耐久性を飛躍的に向上することができる。更に、球状突起の数が減少するため、転写紙やクリーニングブレードと光受容部材が摺擦することにより発生する球状突起の欠落が大幅に減少され、長期間の使用による画像欠陥の増加を低減することができる。又、本発明者は、画像濃度ムラの低減に関し、鋭意検討を行ったところ、画像濃度ムラが、堆積膜形成後の円筒状の基体内側面の表面の変色と相関があることが解った。つまり、基体内側面の表面が変色していない部分と変色している部分、及び、変色の程度に応じて、画像濃度に差が生じるのである。この基体内側面の変色の程度は、面内において不均一であり、更に、堆積膜形成毎（ロット毎）で、発生場所及び変色の程度が異なっている。
【００５７】
基体内面の変色により、画像濃度ムラが発生するメカニズムに関しては確定はできないが現在のところ本発明者は以下のように考えている。
【００５８】
プラズマＣＶＤ法により例えばアモルファスシリコン堆積膜を基体上に形成する場合、反応は、気相における原料ガスの分解過程、放電空間から基体表面までの活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程の３つに分けて考えることができる。中でも、表面反応過程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割を果たしている。そして、これらの表面反応は、基体表面の温度、材質、形状、吸着物質等に大きな影響を受けるのである。この基体上での成長過程を水素を含むアモルファスシリコンを例にしてもう少し詳細に説明すると以下のようになる。 プラズマ中で分解して輸送されてきた分解種は基体上に付着してアモルファスシリコン膜のネットワークを形成するが、まだ３次元的にネットワークが完成されていないアモルファスシリコンの成長面では水素原子の脱離、ダングリングボンドへの水素原子や珪素原子の結合、エネルギー的に高い結合をもつ原子の再配置等により、構造欠陥の少なく、エネルギー的に安定な方向への化学的反応（緩和過程）が起こる。これらの結果、堆積膜としてはダングリングボンドの減少、ギャップ準位密度の低下、Ｓｉ−Ｈ２ 結合が減少してＳｉ−Ｈ結合が主となる等の現象が観察される。これらの反応は基体の熱エネルギーにより制御されるため、基体温度に場所的ムラが生じた場合、ダイレクトに堆積膜の特性に影響を与える。その結果、電荷（フォトキャリア）の走行性に場所的な不均一性が発生したり、堆積膜の基体との界面の組成及び構造が変化し、電子写真プロセスの工程中に基体からの電荷の注入性の場所的な不均一性が発生したりして、画像濃度を変えるに充分な表面電位の差が現われ、得られた画像上に画像濃度のムラが発生する。
【００５９】
該基体の加熱方法は、赤外線等を用いて気相成長面を直接加熱する手段もあるが、気相成長側に加熱手段を設けることが実装上困難であるため、通常は、基体ホルダーの内側に加熱手段が設けられる。
【００６０】
従って基体を所定の温度に加熱するためには、基体ホルダーの内面で受けた熱を間接的に伝達するようにする。そして、特に連続製造においては、基体と基体ホルダーとで構成される基体部材は、運搬工程を経て固定された部材である加熱手段とドッキングさせる必要があること、また更に、特性の均一化を図るために該基体部材を回転させる等の理由から、基体部材と加熱手段は非接触状態にすることが望ましい。その場合、熱の伝達は主として加熱手段から基体ホルダー内面への熱輻射により行われ、最後に、基体ホルダーから基体の内側面への熱輻射により行われる。そのため、基体内側面に色ムラが生じた場合には、色により熱輻射率が変化するため、色ムラに対応して基体表面に温度ムラが生じ、画像濃度ムラが発生すると考えられる。
【００６１】
本発明では、基体内側面の変色を大幅に抑制し、更に、変色ムラをなくすことにより、画像濃度ムラを大幅に改善している。このメカニズムに関しては、未だ解明されていないが、本発明者は現在以下のように考えている。
【００６２】
内側面の変色は、基体の温度を下げることにより低減され、基体の温度を上げることにより顕著となることから、温度により誘発される。よって、昇温されることにより内側面の表面に存在する物質が変質し、その結果が内側面の変色として現われると考えられる。また面内において、変色のムラが生じるのは、内側面の表面に存在する物質の不均一性によるか、あるいは昇温のされかたの不均一性によるものと考えられる。
【００６３】
本発明では前述のように、水に二酸化炭素を溶解させているため、水中には炭酸イオンが存在する。この炭酸イオンが前述の基体内側面の表面上に存在する物質に何らかの変質をさせる。この場合の炭酸イオンによる変質は昇温による変質とはメカニズムが異なるため基体の内側面は何ら変色を伴なわない。尚、このように炭酸イオンにより変質させられた物質は、昇温された場合でも変色が大幅に低減されている。
【００６４】
更に、金属を母体とし少なくとも内側の表面にセラミックスを有する基体ホルダー（治具）を用いることにより、基体内側面を均一に昇温することができ、変色の面内のムラ及び、ロット毎のムラをなくすことができる。前述のように、基体は基体ホルダーからの熱輻射により昇温する。よって基体内面を均一に昇温するためには、基体ホルダーを均一に昇温する必要がある。云いかえれば基体ホルダーの内側面状態に場所的な違いが生じた場合、それに応じて温度が変化してしまう。
【００６５】
この場合内側面の表面状態の違いとしては、表面の色、または表面の面粗さが考えられる。これら表面状態の違いが生じる原因としては定かではないが、表面の色に関しては、温度による表面の変質ではないかと考えられる。また、面粗さに関しては、基体ホルダー更新時のバラツキによるものと考えられる。つまり、基体ホルダー表面の一部は、必然的に気相成長空間に露出してしまうため、その部分には基体表面と同様に堆積膜が形成される。こうした堆積膜は、いずれ脱落しダストの原因となるため、毎回基体ホルダーの表面を更新する必要がある。この基体ホルダー更新時に、内面が何らかの影響を受け、それがバラツクと考えられる。
【００６６】
本発明においては、基体ホルダー内側の表面がセラミックスであるため、耐熱性が高い温度による表面の変質が抑制され、また硬度が高いため基体ホルダー更新時に生じる面粗さのバラツキも低減することができ、基体ホルダー内側で均一に輻射熱を受けることができる。
【００６７】
更に基体ホルダーが金属を母体としているため、更に均一性が向上する。これは、内側面のセラミックスで受けられた熱は基体ホルダー内部を熱伝導で伝わり、基体ホルダーの表面に伝えられるが、基体ホルダー内部は金属であるため熱伝導がよく更に均一性が向上する。
【００６８】
このように、二酸化炭素を溶解した水により洗浄された基体と、金属を母体とし少なくとも内側の表面がセラミックで構成された基体ホルダーを同時に用いることにより、その相乗効果により堆積膜の均一性が向上し、ハーフトーンでの画像濃度ムラが大幅に向上させることができる。
【００６９】
また、本発明では、球状突起の発生数を減少させ、その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状または、黒点状の画像欠陥を大幅に減少させることができる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００７０】
アルミニウム合金製シリンダーを基体として、本発明の電子写真感光体製造方法により電子写真感光体を実際に形成する手順の一例を、図２に示す本発明による基体前の処理の一例、図３に示す本発明の製造方法を説明するための基体部材の典型的な例を模式的に示した構成図及び、図４〜図６に示す堆積膜形成装置の一例を用いて以下に説明する。
【００７１】
精密切削用のエアダンパー付き旋盤（ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角のすくい角を得るようにセットする。次に、この旋盤の回転フランジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから白灯油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。
【００７２】
切削が終了した基体は、基体前処理装置により基体表面の処理を行う。図２に示す基体前処理装置は、処理部１０２と基体搬送機構１０３を有している。処理部１０２は、基体投入台１１１、基体前洗浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１、乾燥槽１４１、基体搬出台１５１を有する。前洗浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１とも液の温度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いている。尚、温度調節装置は必ずしも必要というわけではないが、安定した処理のためには設けられることが望ましい。搬送機構１０３は、搬送レール１６５と搬送アーム１６１を有し、搬送アーム１６１は、レール１６５に沿って移動する移動機構１６２、基体１０１を保持するチャッキング機構１６３及びチャッキング機構１６３及びチャッキング機構１６３を上下させるためのエアーシリンダー１６４を有する。
【００７３】
切削後、投入台１１１に置かれた基体１０１は、搬送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送される。前洗浄槽１２１に搬送される。前洗浄槽１２１の中の界面活性体水浴液１２２中で超音波処理されることにより表面に付着している切削油及び切り粉の洗浄が行われる。
【００７４】
次に基体１０３は、搬送機構１０３により、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１へ運ばれ、２５℃の温度に保たれた二酸化炭素を溶解した水により更に洗浄が行われる。二酸化炭素を溶解した水は工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により随時導電率を測定し、必要に応じて二酸化炭素溶解することにより導電率がほぼ１０μＳ／ｃｍに維持するように制御される。二酸化炭素を溶解した水による洗浄の終った基体１０１は搬送機構１０３により乾燥槽１４１へ移動され、ノズル１４２から高温の高圧空気を吹き付けられ乾燥される。
【００７５】
乾燥工程の終了した基体１０１は、搬送機構１０３により搬出台１５１に運ばれる。
【００７６】
次に、これらの切削加工及び前処理の終了した基体を、図３に示すように基体ホルダーに装着し、基体上に図４〜図６に示すプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置によりアモルファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。
【００７７】
図３において２０２が基体ホルダーであり、該基体ホルダー２０２は、図中太線で示したセラミックスが形成された内側面２０３とその他の金属の母体から構成されている。
【００７８】
基体ホルダー２０２の内側面２０３は、加熱手段２０５からの輻射熱を直接受ける。内側面２０３で受けられた熱は基体ホルダー２０２内部を熱伝導で伝わり、更には、基体ホルダー２０２の表面に装着された基体２０１の内面に伝えられ最終的には基体２０１の表面２０８に伝えられる。
【００７９】
図３は、代表的な構成例であり、図示の補助基体部分２０４は必要に応じて省略してもよい。また置き台部分２０６については、これに換えてヒーターを支柱と兼用させるようにして用いることもできる。
【００８０】
以下、高周波プラズマＣＶＤ法及びマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための装置及び形成方法について詳述する。
【００８１】
図４は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真感光体の製造装置の好適な一例を示す模式的な構成図である。
【００８２】
図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別すると、堆積装置３００、原料ガスの供給装置３３０、反応容器３０１内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３００中の反応容器３０１内には、金属を母体とした内側面３１１にセラミックスを形成した基体ホルダー３０３に装着された導電性円筒状基体３０２が載置可能とされ、基体加熱用ヒーター３０４、原料ガス導入管３０５が夫々設置され、更にマッチングボックス３０６が接続されている。
【００８３】
原料ガス供給装置３３０は、ＳｉＨ４ ，Ｈ２ ，ＣＨ４ ，ＮＯ，Ｂ２ Ｈ６ ，ＧｅＨ４ 等の原料ガスのボンベ３３１〜３３６とバルブ３４１〜３４６，３５１〜３５６，３６１〜３６６及びマスフローコントローラ３７１〜３７６を有し、各原料ガスのボンベはバルブ３８０を介して反応容器３０１内のガス導入管３０５に接続されている。
【００８４】
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行うことができる。
【００８５】
まず、反応容器３０１内に金属を母体とした内面がセラミックスよりなる基体ホルダー３０３に装着された円筒状基体３０２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３０１内を排気する。
【００８６】
続いて、基体加熱用ヒーター３０４をＯＮする。すると、基体ホルダー３０３の内側面のセラミックス３１１（図中太線）が基体加熱用ヒーター３０４からの輻射熱を直接受ける。内側面で受けられた熱は基体ホルダー３０３の母体の金属内部を熱伝導で伝わり、更には、基体ホルダー３０３の表面に装着された円筒状基体３０２の内面に伝えられ最終的には円筒状基体３０２の温度を１００℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【００８７】
堆積膜形成用の原料ガス反応容器３０１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３４１〜３４６、反応容器のリークバルブ３０８が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ３５１〜３５６、流出バルブ３６１〜３６６、補助バルブ３８０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ３０９を開いて反応容器３０１及びガス配管内３０７を排気する。
【００８８】
次に真空計３１０の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３８０、流出バルブ３６１〜３６６を閉じる。
【００８９】
その後ガスボンベ３３１〜３３６より必要な各ガスをバルブ３４１〜３４６のうち必要なバルブを開いて導入し、圧力調整器３９１〜３３６により各ガス圧を（例えば２ｋｇ／ｃｍ２ ）調整する。次に、所望の流入バルブ３５１〜３５６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ３７１〜３７６内に導入する。以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状基体３０２上に例えば電荷注入阻止層、感光層、表面層等の各層の形成を行う。
【００９０】
円筒状基体３０２が所定の温度になったところで流出バルブ３６１〜３６６のうちの必要なもの及び補助バルブ３８０を徐々に開き、ガスボンベ３３１〜３３６から所定のガスをガス導入管３０５を介して反応容器３０１内に導入する。次にマスフローコントローラ３７１〜３７６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器３０１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計３１０を見ながらメインバルブ３０９の開口を調整する。内圧が安定したところで、ＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス３０６を通じて反応容器３０１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒基体３０２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００９１】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００９２】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまでもなく、またそれぞれのガスが反応容器３０１内、流出バルブ３６１〜３６６から反応容器３０１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ３６１〜３６６を閉じ、補助バルブ３８０を開き、更にメインバルブ３０９を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形成を行っている間は、円筒状基体３０２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させる。
【００９３】
上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【００９４】
円筒状基体３０２の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反応容器３０１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状基体３０２を加熱した後、反応容器３０１内に真空中で円筒状基体３０２を搬送する等の方法が用いられる。
【００９５】
次に、μＷ−ＰＣＶＤ法によって形成される電子写真感光体の製造方法について説明する。
【００９６】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）はマイクロ波プラズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法によって電子写真感光体の堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成図、図６は図５の堆積膜形成装置に原料ガスの配管を接続した状態の模式的説明図である。
【００９７】
この装置は、真空気密化構造をなした減圧にし得る反応容器４０１、原料ガスの供給装置３３０、及び反応容器内を減圧するための排気装置（不図示）を有している。反応容器４０１内にはマイクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓４０２、スタブチューナー（図示せず）及びアイソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せず）に接続されているマイクロ波の導波管４０３、金属を母体とし内側面にセラミックス４１２が形成された基体ホルダー４０４に装着された堆積膜を形成すべき円筒状基体４０５、基体加熱用ヒーター４０６、原料ガス導入管４０７、プラズマ電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための電極４０８が設置されており、反応容器４０１内は排気管４１１を通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。原料ガス供給装置３３０は、ＳｉＨ４ ，Ｈ２ ，ＣＨ４ ，ＮＯ，Ｂ２ Ｈ６ ，ＳｉＦ４ 等の原料ガスのボンベ３３１〜３３６とバルブ３４１〜３４６，３５１〜３５６及びマスフローコントローラ３７１〜３７６から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ３８０を介して反応容器内のガス導入管４０７に接続されている。また、円筒状基体４０５によって取り囲まれた空間４２０が放電空間を形成している。
【００９８】
μＷ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積膜の形成は、以下のように行うことができる。
【００９９】
まず、反応容器４０１内に金属を母体とした内側面にセラミックスとした基体ホルダー４０４に装着された円筒状基体４０５を設置し、駆動装置４１０によって基体４０５を回転し不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器４０１内を排気管４１を介して排気し、反応容器４０１内の圧力を１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、基体加熱用ヒーター４０６をＯＮする。すると基体ホルダー４０４の内側面のセラミックス（図中太線）が基体加熱用ヒーター４０６からの輻射熱を直接受ける。内側面で受けられた熱は基体ホルダー４０４の母体の金属内部を熱伝導で伝わり、更には、基体ホルダー４０４の表面に装着されて円筒状基体４０５の内面に伝えられた最終的には円筒状基体４０５の温度を５０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０１００】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４０１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３４１〜３４６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられていることを確認し、また流入バルブ３５１〜３５６、流出バルブ３６１〜３６６、補助バルブ３８０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（不図示）を開いて反応容器を４０１及びガス配管内３０７内を排気する。
【０１０１】
次に真空計（不図示）の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３８０、流出バルブ３６１〜３６６を閉じる。
【０１０２】
その後、ガスボンベ３３１〜３３６より各ガスをバルブ３４１〜３４６開いて導入し、圧力調整器３９１〜３９６により各ガス圧を（例えば２ｋｇ／ｃｍ２ ）調整する。次に、流入バルブ３５１〜３５６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ３７１〜３７６内に導入する。
【０１０３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状基体４０５上に例えば電荷注入阻止層、感光層、表面層の各層の形成を行う。
【０１０４】
円筒状基体４０５が所定の温度になったところで流出バルブ３６１〜３６６のうちの必要なもの及び補助バルブ３８０を徐々に開き、ガスボンベ３３１〜３３６から所定のガスをガス導入管４０７を介して反応容器４０１内の放電空間４２０に導入する。次にマスフローコントローラ３７１〜３７６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、放電空間４２０内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。内圧が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図示）を所望の電力に設定し、導波管４０３、マイクロ波導入窓４０２を介して放電空間４２０をμＷエネルギーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行的に、電源４０９から電極４０８に例えば直流等の電気バイアスを印加する。
【０１０５】
かくして基体４０５により取り囲まれた放電空間４２０において、導入された原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、円筒状基体４０５上に所定の堆積膜が形成される。このとき、層形成の均一化を図るため基体回転用モータ４１０によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１０６】
所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１０７】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１０８】
それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器４０１内、流出バルブ３６１〜３６６から反応容器４０１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ３６１〜３６６を閉じ、補助バルブ３８０を開き、更にメインバルブ（不図示）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１０９】
上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作製条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【０１１０】
円筒状基体４０５の加熱方法は、真空仕様であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反応容器４０１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状基体４０５を加熱した後、反応容器４０１内に真空中で円筒状基体４０５を搬送する等の方法が用いられる。
【０１１１】
μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内の圧力としては、好ましくは１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３×１０−３Ｔｏｒｒ以上、５×１０−２Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５×１０−３Ｔｏｒｒ以上３×１０−２Ｔｏｒｒ以下に設定することが望ましい。
【０１１２】
放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よりも低ければよいが、放電空間内の圧力が１×１０−１Ｔｏｒｒ以下では、また、特に顕著には５×１０−２Ｔｏｒｒ以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の３倍以上のとき、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。
【０１１３】
マイクロ波の反応炉までの導入方法としては導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられる。このとき、炉内へマイクロ波の導入窓の材質としてはアルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ２ ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等のマイクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。
【０１１４】
電極４０８と円筒状基体４０５間に発生させる電界は直流電界が好ましく、また、電界の向きは電極４０８から円筒状基体４０５に向けるのがより好ましい。電界を発生させるために電極４０８に印加する直流電圧の平均の大きさは、好ましくは１５Ｖ以上３００Ｖ以下、より好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。直流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形のものが本発明では有効である。つまり、時間によって電圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例えば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時間によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。
【０１１５】
また、交流電圧を印加することも有効である。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサイン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、実用的には、サイン波が適する。ただし、このとき電圧のいずれの場合も実効値を言う。
【０１１６】
電極４０８の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいずれのものでもよいが、実用上は直径０．１ｃｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。このとき、電極４０８の長さも、基体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設定できる。
【０１１７】
電極４０８の材質としては、表面が導電性となるものならばいずれのものでもよく、例えば、ステンレス、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等が通常使用される。
【０１１８】
本発明において、前洗浄を行う場合は特に界面活性剤等を含有した水系の洗浄が望ましい。水系の洗浄を行う場合、界面活性剤を溶解する前の水の水質は、いずれでも可能であるが、特に半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のときの抵抗率として、下限値は好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上のものが本発明には適している。上限値は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下のものが本発明に適している。微粒子量としては、０．２μｍ以上の最大長さを有するものが１ミリリットル中に好ましくは１００００個以下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下のものが本発明に適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ましくは１０個以下、最適には１個以下のものが本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は１リットル中に好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下のものが本発明には適している。
【０１１９】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１２０】
水の温度は、高過ぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また低すぎると洗浄効果が小さく、更に本発明の効果が充分得られない。このため、水の温度としては、好ましくは１０℃以上、９０℃以下、より好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０℃以上、５５℃以下が本発明には適している。
【０１２１】
本発明において前洗浄工程で用いられる界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混合したもの等いずれのものでも可能である。中でも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫化エステル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤または脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤は特に本発明では効果的である。ビルダーとしては、燐酸塩、炭酸塩、珪酸塩、ほう酸塩等を用いることが有効である。キレート剤としては、グルコン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、燐酸塩等を用いることが有効である。
【０１２２】
本発明において前洗浄工程に超音波を用いることは本発明の効果を出す上で有効である。超音波の出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上、１ｋＷ／リットル以下、更に好ましくは１Ｗ／リットル以上、１００Ｗ／リットル以下が効果的である。
【０１２３】
本発明において、二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程に使用される水の水質は、非常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のときの抵抗率として、下限値は好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上のものが本発明には適している。抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下のものが本発明に適している。微粒子量としては、最大長さ０．２μｍ以上のものが１ミリリットル中に好ましくは１００００個以下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下のものが本発明に適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ましくは１０個以下、最適には１個以下のものが本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下のものが本発明には適している。
【０１２４】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１２５】
これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多すぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着することによりスポット上のシミが発生する場合がある。更に、溶解した二酸化水素炭素の量が多いとｐＨが小さくなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると基体表面の均一性を高めるというような本発明の効果を得ることができない。
【０１２６】
基体に要求される品質等を考慮しながら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必要がある。
【０１２７】
一般的に本発明による好ましい二酸化炭素の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４０％以下の条件である。
【０１２８】
本発明において二酸化炭素の溶解量は水の導電性率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、最も好ましくは６μＳ／ｃｍ以上、３０μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、５．０以下とすることが望ましい。導電率の測定は導電率系等により行い、値としては温度補正により２５℃に換算した値を用いる。
【０１２９】
水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると洗浄効果が小さく、更に本発明の効果が充分得られない。このため、水の温度としては、好ましくは１０℃以上、９０℃以下、より好ましくは２０℃以上、７５℃以下、最適には３０℃以上、５５℃以下とするのが望ましい。
【０１３０】
二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリングによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでもよい。本発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いることが重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオンが本発明の効果を阻害してしまうので適当でない。このようにして得られた二酸化炭素を溶解した水により基体表面を洗浄するときは、ディッピングにより洗浄する方法、水圧をかけて吹き付ける方法等がある。 ディッピングにより洗浄する場合、二酸化炭素を溶解した水を導入した水槽に基体を浸漬することが基本であるが、その際に超音波を印加する、水流を与える、空気等の気体を導入することによりバブリングを行う等を併用すると本発明は更に効果的なものとなる。
【０１３１】
吹き付ける場合、水の圧力は、弱すぎると本発明の効果が小さいものとなり、強すぎると得られた電子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像上で梨肌状の模様が発生してしまう。このため、水の圧力としては、好ましくは２ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以下、より好ましくは１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以下、最適には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ 以下とするのが望ましい。ただし、本発明における圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ は、重力キログラム毎平方センチメートルを意味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ２ は９８０６６．５Ｐａと等しい。
【０１３２】
水を吹き付ける方法には、ポンプにより高圧化した水をノズルから吹き付ける方法、または、ポンプで汲み上げた水を高圧空気とノズルの手前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法等がある。
【０１３３】
水の流量としては、発明の効果と、経済性から、基体１本当たり好ましくは１リットル／ｍｉｎ以上、２００リットル／ｍｉｎ以下、より好ましくは２リットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ以下とするのが望ましい。
【０１３４】
ディッピングと同様、水の温度は高すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい堆積膜の剥れの原因となる。更に本発明の効果が充分に得られない。また、安定して二酸化炭素を水中に溶解しておくことが困難である。反対に低すぎてもやはり本発明の効果が充分得ることはできない。このため、水の温度としては、好ましくは５℃以上、９０℃以下、より好ましくは１０℃以上、５５℃以下、最適には１５℃以上、４０℃以下とするのが望ましい。
【０１３５】
二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理の処理時間は、長すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、短すぎると本発明の効果が小さいため、好ましくは１０秒以上、３０分以下、より好ましくは２０秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下とするのが望ましい。
【０１３６】
本発明において、堆積膜形成時の基体表面の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆積膜形成の直前に基体表面の切削を行うことは好ましい。
【０１３７】
切削から二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理までの時間は、長すぎると基体表面に再び酸化膜が発生してしまい、短すぎると工程が安定しないため、好ましくは１分以上、１６時間以下、より好ましくは２分以上、８時間以下、最適には３分以上、４時間以下とするのが望ましい。
【０１３８】
二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理から堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定しないため、好ましくは１分以上、８時間以下、より好ましくは２分以上、４時間以下、最適には３分以上、２時間以下とするのが望ましい。
【０１３９】
乾燥工程は、温風乾燥、真空乾燥、温水乾燥等いずれの乾燥方法も有効である。特に二酸化酸素を溶解した温水による乾燥が本発明の効果を高めるために好ましい。
【０１４０】
本発明において、二酸化炭素を溶解した水による温水乾燥を行う場合、使用される水の水質は、非常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃のときの抵抗率として、下限値は好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上のものが本発明には適している。抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以下、より好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下のものが本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ以上の長さを有するものが１ミリリットル中に好ましくは１００００個以下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下のものが本発明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ましくは１０個以下、最適には１個以下のものが本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下のものが本発明には適している。
【０１４１】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１４２】
これらの水にも二酸化炭素を溶解することが望ましく、溶解する二酸化炭素の量は飽和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多すぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着することによりスポット上のシミが発生する場合がある。更に、溶解した二酸化水素炭素の量が多いとｐＨが小さくなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると基体表面の均一性を高めるという効果を得ることができない。
【０１４３】
基体に要求される品質等を考慮しながら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必要がある。
【０１４４】
一般的に本発明による好ましい二酸化炭素の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４０％以下の条件である。
【０１４５】
この場合の二酸化炭素の溶解量は前述同様水の導電性率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、最も好ましい範囲は６μＳ／ｃｍ以上、３０μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、５．０以下とすることが望ましい。導電率の測定は導電率計等により行い、値としては温度補正により２５℃に換算した値を用いる。
【０１４６】
二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリングによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでもよい。この場合においては、二酸化炭素を溶解した水を用いることが重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオンが本発明の効果を阻害してしまう。
【０１４７】
水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると乾燥が不充分となり、更に本発明の効果が充分得られない。このため、水の温度としては、好ましくは３０℃以上、９０℃以下、より好ましくは３５℃以上、８０℃以下、最適には４０℃以上７０℃以下とするのは望ましい。
【０１４８】
基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミック材料としては、特に制限はなく、例えばＡｌ２ Ｏ３ ，Ｃｒ２ Ｏ３ ，ＭｇＯ，ＴｉＯ２ ，ＳｉＯ２ ，等が挙げられるが、なかでもＡｌ２ Ｏ３ ，ＴｉＯ２ ，ＳｉＯ２ は耐酸性の優れた材料でありａ−Ｓｉ（Ｓｉを母体とする非晶質材料）を有する光受容部材の製造工程において使用する例えばハロゲン原子を含む化合物ガス（Ｆ２ ，ＣｌＦ３ ，ＳｉＦ４ ，ｅｔｃ）等に対する耐食性の面から好ましい。また、Ｃｒ２ Ｏ３ 等の輻射熱を受け易い材料も、多少表面の変質が生じても、その影響を殆ど受けないため好ましい。更に、耐酸性の優れた材料と輻射熱を受け易い材料の混合材料がより好ましい。
【０１４９】
混合材料を用いる場合その混合比は、両者の機能を得るために、耐酸性の優れた材料をａ（ｇ）、輻射熱を受け易い材料をｂ（ｇ）として、ａ：ｂが１：９９〜９９：１が好ましく、１０：９０〜９０：１がより好ましい。
【０１５０】
基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミック材料の気孔率は耐熱性の向上や、水分等の吸収防止のために１〜２０％が好ましく、１〜１５％がより好ましい。
【０１５１】
基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミックの表面性に関しては、表面積を増し輻射熱を効率的に得るために、表面は粗い方がよい。一方であまり表面性を粗くし表面積を増加させると、ダストが増加し、また発塵し易くなる。よって、表面性は十点平均粗さ（Ｒｚ）で、５〜２００μｍが好ましく、１０〜９０μｍがより好ましい。また、表面性は、内面全体において均一であることが好ましいが、面内における最大値と最小値の差が１００μｍ以内であれば実用上問題ない。
【０１５２】
基体ホルダー２０２の内側面２０３をセラミック材料で形成する手段としては特に制限はないが、ＣＶＤ法、メッキあるいは溶射手段等の表面コーティング法が挙げられる。中でも溶射手段がコスト面からあるいはコーティング対象物の大きさ形状の制限を受けにくいためより好ましく、特にプラズマ溶射法は、気孔率が低く密着性も良好なためより好ましい。また例えばセラミック材料からなる円筒を、金属製の基体ホルダーの内面に密着するように装着してもよい。
【０１５３】
基体ホルダー２０２の内側面２０３をセラミックス材料で形成する際には内面を清浄に処理した後セラミックスを上記手段により金属表面に形成するが、密着性を増すために、セラミックスと金属表面の間に例えばＡｌとＴｉの混合材等の下引き層を設ける方が好ましい。
【０１５４】
セラミックス材料は基体ホルダー２０２の内側面２０３の全面を覆うことが好ましいが、基体ホルダーの接地等のために覆われない部分が一部存在してもよい。 基体ホルダー２０２の内側面２０３を構成するセラミックス材料の厚さは特に制限はないが、耐久性及び均一性を増すために、また伝熱性及び製造コストの面から１０〜１００００μｍが好ましく、２０〜５０００μｍがより好ましい。
【０１５５】
基本ホルダー２０２はその母材が金属製であれば特に制限されるものではなく、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属もしくはこれら金属を含む合金、たとえばステンレススチール、ジュラルミンなど、を好適に用いることができる。しかしながら、コスト、重量、耐久性および基体ホルダー２０２の形状への成形性等を考慮するとＡｌ又はＡｌを主体とする合金、ステンレススチールが好ましい。
【０１５６】
尚、堆積膜を形成する基体と同種類の金属材料もしくは合金を用いた基体ホルダーは、熱膨張による体積変化が基体と等しくなるので、基体と基体ホルダーとの密着性や基体と基体ホルダーとの間隔が安定して保てるので好ましい。特にこの場合は基体の歪みが生じにくく、基体と基体ホルダーとの間の電気的接触性を良好に保つことができるので堆積される膜の均一性を優れたものとすることができる。
【０１５７】
基体ホルダー２０２の厚さ（肉厚）は基体を保持している間に変形することがなければ特に制限はない。しかしながら、現実的な、コスト、取扱い性、強度、加熱時間、加熱温度などを考慮すると好ましくは０．５〜３０ｍｍ、より好ましくは１〜２０ｍｍとするのが望ましい。
【０１５８】
基体ホルダー２０２は少なくとも基体２０１と相対する部分に形成されていればよいが、基体２０１よりも長く形成されている方が形成される膜の均一性や取扱い面から好ましい。基体ホルダー２０２の長さは取付ける装置にもよるので一概には言えるものではないが、コスト等をも鑑みると１つの基体ホルダーに１つの基体を配する場合には、基体の長さを１００とすると好ましくは１００〜２００、より好ましくは１００〜１７０とするのが望ましい。１つの基体ホルダーに複数の基体を配する場合には、複数の基体の堆積膜形成面の長さ合計が上述した関係とされれば良い。
【０１５９】
基体ホルダーには基体ホルダーの運搬や基体の搬送のために図３に示されるような運搬用取手２０７を形成することが望ましい。尚、運搬のためのチャッキングが正確かつ確実に行われるのであれば、凸形状、凹形状等の様々な形状とすることが可能である。
【０１６０】
本発明において電子写真感光体用の基体の材質はアルミニウムを母体とするものであればいずれでも可能であるが、特に珪素原子を含有したものを用いた場合本発明の効果が顕著である。本発明において好ましい珪素原子の含有量としては１ｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下、更に好ましくは１０ｐｐｍ以上、０．１ｗｔ％以下の範囲である。
【０１６１】
本発明において基体の加工性を向上させるためにマグネシウムを含有させることは有効である。好ましいマグネシウムの含有量としては、０．１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下、更に好ましくは０．２ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下の範囲である。 更に本発明では、例えばＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ｃａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等の物質をアルミニウム中に含有させても有効である。
【０１６２】
本発明において基体の形状は任意の形状を有し得るが、特に円筒形のものが本発明に最適である。基体の大きさには特に制限はないが、実用的には直径２０ｍｍ以上、５００ｍｍ以下、長さ１０ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下が好ましい。
【０１６３】
珪素を含む非単結晶感光体の場合、堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４ ）、ジシラン（Ｓｉ２ Ｈ６ ）、四弗化珪素（ＳｉＦ４ ）、六弗化二珪素（Ｓｉ２ Ｆ６ ）等のアモルファスシリコン形成原料ガスまたはそれらの混合ガスが挙げられる。
【０１６４】
希釈ガスとしては水素（Ｈ２ ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
【０１６５】
また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ２ ），アンモニア（ＮＨ３ ）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ２ ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２ ）、酸化二窒素（Ｎ２ Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２ ）等酸素原子を含む元素、メタン（ＣＨ４ ）、エタン（Ｃ２ Ｈ６ ）、エチレン（Ｃ２ Ｈ４ ）、アセチレン（Ｃ２ Ｈ２ ）、プロパン（Ｃ３ Ｈ８ ）等の炭化水素、四弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ４ ）、弗化窒素（ＮＦ３ ）等のフッ素化合物またはこれらの混合ガスが挙げられる。
【０１６６】
また、本発明においては、ドーピングを目的としてジボラン（Ｂ２ Ｈ６ ）、フッ化ほう素（ＢＦ３ ）、ホスフィン（ＰＨ３ ）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。
【０１６７】
本発明の電子写真感光体では、基体上に堆積した機能性堆積膜の総膜厚はいずれでもよいが、好ましくは５μｍ以上、１００μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以上、７０μｍ以下、最適には１５μｍ、５０μｍ以下において、電子写真感光体として特に良好な画像を得ることができる。
【０１６８】
本発明において、堆積膜の堆積時の基体温度は、好ましくは１００℃以上、５００℃以下の範囲で有効であるが、特に、好ましくは１５０℃以上、４５０℃以下、より好ましくは２００℃以上、４００℃以下、最適には２５０℃以上、３５０℃以下において著しい効果が確認された。
【０１６９】
本発明において、プラズマを発生させるエネルギーはＤＣ、ＲＦ、マイクロ波等いずれでも可能であるが、特にプラズマの発生のエネルギーにマイクロ波を用いた場合、基体の表面欠陥による異常成長が顕著に現われやすく、かつ、吸着した水分にマイクロ波が吸収され、界面の変化がより顕著なものとなるため、本発明の効果が顕著なものとなる。
【０１７０】
本発明の方法で製造された電子写真感光体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、レーザー製版機等の電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【０１７１】
【実施例】
以下、本発明の効果を、具体的な実施例を用いて説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【０１７２】
（実施例１）
図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で、基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。図７（Ａ）において、７０１，７０２，７０３及び７０４は、それぞれ順にアルミニウム基体、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を示している。基体には直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍ、１００ｐｐｍの珪素原子を含有するアルミニウムの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行ったものを用いた。
【０１７３】
本実施例においては、以下に示す５種類の条件により電子写真感光体を作製した。
条件１
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗浄（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。但し、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２０μＳ／ｃｍ，ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件２
切削工程終了１５分後に表４に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び純水による洗浄を行った。表面処理装置として図１のものを用い、但し、洗浄槽１３１中には二酸化炭素を溶解しない純水を導入した。更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件３
切削工程終了１５分後に、図８に示す基体表面洗浄装置により表５の条件で基体表面の処理を行った。図８に示す基体洗浄装置は、処理槽８０２と基体搬送機構８０３を有している。処理槽８０２は、基体投入台８１１、基体洗浄槽８２１、基体搬出台８５１を有する。洗浄槽８２１は液の温度を一定に保つための温度調節装置（図示せず）を有する。搬送機構８０３は、搬送レール８６５と搬送アーム８６１を有し、搬送アーム８６１は、レール８６５に沿って移動する移動機構８６２、基体８０１を保持するチャッキング機構８６３、及びこのチャッキング機構８６３を上下させるためのエアーシリンダー８６４を有している。
【０１７４】
切削後、投入台上８１１に置かれた基体８０１は、搬送機構８０３により洗浄槽８２１に搬送されている。洗浄槽８２１中のトリクロルエタン（商品名：エターナＶＧ旭化成工業社製）８２２により表面に付着している切削油及び切り粉を除去するための洗浄が行われる。
【０１７５】
洗浄後、基体８０１は、搬送機構８０３により搬出台８５１に運ばれる。
【０１７６】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件４
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。ただし、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２０μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。更にその後、表３Ｅの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
条件５
切削工程終了１５分後に表４に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び純水による洗浄を行った。表面処理装置としては図２のものを用い、ただし、洗浄槽１３１中には二酸化炭素を溶解しない純水を導入した。更にその後、表３Ｅの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、電子写真感光体を作製した。
【０１７７】
作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を高速実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ、画像濃度ムラ、白ポチ等の電子写真特性について評価を行った。また感光体表面の球状突起の発生数及び環境性、基体内面の表面状態について評価を行った。
【０１７８】
各項目は、以下の方法で評価を行った。
（１）帯電能・帯電能ムラ
電子写真感光体を実験装置に配置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。電子写真感光体の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに暗部表面電位を測定する。同様の測定を周方向に４５°ずつ計８箇所行う。そして得られた暗部表面電位の平均をもって帯電能とし、バラツキ（標準偏差）をもって、帯電能ムラとする。
（２）感度・感度ムラ
電子写真感光体を、４２０Ｖの暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量を照射する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射した。このとき表面電位計により電子写真感光体の明部表面電位を測定する。電子写真感光体の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに明部表面電位を測定する。同様に測定を周方向に４５°ずつ計８箇所行う。そして得られ明部表面電位の平均をもって感度とし、バラツキ（標準偏差）をもって、感度ムラとする。
【０１７９】
このとき一定光量は、０．３５ ｌｕｘ・ｓｅｃとした。
（３）画像濃度ムラ
キヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ−９０４２）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像上で直径０．０５ｍｍの円形の領域を１単位として２００点の画像濃度を測定し、その画像濃度のばらつきを評価した。
【０１８０】
◎は「特に良好」
○は「良好」
△は「実用上問題無し」
×は「実用上問題のある場合がある」
（４）白ポチ
キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白ポチについて評価した。
【０１８１】
◎は「特に良好」
○は「良好」
△は「実用上問題無し」
×は「実用上問題のある場合がある」
（５）球状突起の発生数
電子写真感光体の表面全域を光学顕微鏡で観察し、１００ｃｍ２ の面積内での直径１５μｍ以上の球状突起の個数を調べた。
（６）環境性の評価
○…前処理工程にオゾン層の破壊に係るといわれる物質を用いない。
【０１８２】
×…前処理工程にオゾン層の破壊に係るといわれる物質を用いている。
（７）基体内面状態
基体の内面を目視で観察し、堆積膜形成前の内面状態と比較して以下の基準で評価を行った。
【０１８３】
◎は、変化なし
○は、僅かに変色が認められる。
【０１８４】
△は、所々に変色が認められる。
【０１８５】
×は、大きな変化がある。
【０１８６】
このようにして得られた結果を表６に示す。表６において、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ及び球状突起の発生数は、条件５で得られた結果を１００とした相対評価を行っている。
【０１８７】
表４から明らかなように、二酸化炭素を溶解した水により基体の洗浄を行い、かつ内面がセラミックスで構成された基体ホルダーを用いることにより、画像結果、及び画像ムラが大幅に向上した電子写真感光体を作製することができようになった。
【０１８８】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
水中に溶解珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０１９４】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗剤（非イオン界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行なった。ただし、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ−ｃｍの純水中から該純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を０．１μＳ／ｃｍから５０μＳ／ｃｍまでの１１段階にした水を用いた。
【０１９５】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で基体上に、アモルファスシリコン堆積膜形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例１と同様の方法で評価した結果を表７に示す。表７において、帯電能・帯電能ムラ、球状突起の発生数は、導電率を０．１μＳ／ｃｍ（純水のみ、ＣＯ２ 溶解せず）を１００としたときの、相対評価で示す。
【０１９６】
表７により明らかなように、本発明による電子写真感光体製造方法で作製した電子写真感光体は、二酸化炭素を溶解した水溶液の導電率が２μＳ／ｃｍから４０μＳ／ｃｍの範囲で画像欠陥等について非常に良好な効果が得られた。
【０１９７】
【表７】
基体のアルミ中の珪素原子の含有量を珪素原子を含有しない場合から１．５ｗｔ％含有する場合までの８段階変化させたアルミニウム基体を実施例１と同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置を用い、表２に示す条件により二酸化炭素を溶解した水により洗浄を行った。ただしこのとき水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。
【０１９８】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。
【０１９９】
このようにして作製した電子写真感光体を実施例１と同様の方法で評価した結果を表８に示す。表８により明らかなように、本発明による電子写真感光体製造方法で作製した電子写真感光体は基体のアルミニウム中に珪素原子１ｐｐｍから１ｗｔ％含有した範囲で画像欠陥について非常に良好な効果が得られた。
【０２００】
【表８】
実施例１と同様の基体を同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により基体表面の前処理を行った。
【０２０１】
更にその後、表３Ａの寸法形状の基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１の条件で、基体上にアモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。 本実施例では、二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程時に使用する純水の水質（抵抗率）を変化させ電子写真感光体を作製した。このようにして得られた電子写真感光体を、実施例１と同様の手順で同様に評価を行った。評価としては同一の作製条件で作製した電子写真感光体を各１０本づつ評価し、得られた評価結果を表９に示した。ただし、表中黒しみ、コストについては以下の基準で評価を行った。
黒しみの評価
プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿を原稿台に置いて得られた画像の平均濃度が０．４±０．１になるように画像を出力した。このようにして得られた画像サンプル中で一番しみの目立つものを選び評価を行った。評価の方法としてはこれらの画像を目より４０ｃｍ離れたところで観察し、黒しみが認められるか調べ、以下の基準で評価を行った。
【０２０２】
◎…いずれのコピー上にも黒しみは認められなかった。
【０２０３】
○…僅かに黒しみが認められるものがあった。
【０２０４】
しかし軽微であり全く問題無し。
【０２０５】
△…いずれのコピー上にも黒しみが認められる。
【０２０６】
しかし軽微であり実用上支障ない。
【０２０７】
×…全数のコピー上に大きな黒しみが認められる。
コストの評価
必要な洗浄液を必要量得る場合
◎…非常に安価に手にはいる。
【０２０８】
○…安価に手にはいる。
【０２０９】
△…やや高価である。
【０２１０】
×…高価である。
【０２１１】
表９より明らかな純粋の抵抗率が二酸化炭素を溶解前に１ＭΩ・ｃｍ以上のとき本発明の電子写真感光体製造方法により作製した電子写真感光体は画像性について非常に良好な結果が得られた。
【０２１２】
【表９】
珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２１３】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表２に示す条件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。ただし、このとき二酸化炭素を溶解した水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２０μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用いた。
【０２１４】
更にその後、表１０の寸法形状の基体ホルダーＡ〜Ｅにそれぞれ円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ａ）に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。
【０２１５】
（１）作製した電子写真用感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を高速実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能ムラ、感度ムラ、画像濃度ムラ等の電子写真特性について評価を行った。また受容部材表面の球状突起の発生数について実施例と同様な評価を行った。
【０２１６】
（２）次に、各々の基体ホルダーで更に電子写真用感光体を連続して作製した。このとき、毎回真空反応容器内は、ＣＩＦ３ とＡｒの混合ガスによるエッチングで、真空反応容器内に残留する生成物を除去した。そして４０回目に作製した電子写真感光体を（１）と同様の評価を行った。
【０２１７】
（３）更に、４０回目に作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、２００万枚の通紙耐久試験を行った。そして感度ムラ、画像濃度ムラ、等の電子写真特性について（１）と同様に評価を行った。
【０２１８】
このようにして、それぞれ得られた結果を、（１）の結果を表１１、（２）、（３）の結果を表１２に示す。
【０２１９】
表１１から明らかなように、本発明の感光体形成方法により、球状突起の発生数が大幅に減少し、画像欠陥の少ない感光体を作製することができることがわかった。また、特性の均一性も非常に良好である。
【０２２０】
更に表１２から明らかなように、基体ホルダーを長期使用後においても、均一性がよく、画像欠陥が少ない感光体を作製することができることがわかった。
【０２２１】
特に耐酸性の材料を用いた場合、または輻射熱を受け易い材料を用いた場合は良好な結果が得られ、更に耐酸性の材料と輻射熱を受け易い材料の混合系は非常に良好な結果が得られた。
【０２２２】
また、本発明の感光体形成方法により作製した電子写真感光体は、長時間使用後においても良好な電気的及び画像特性を維持している。
【０２２３】
【表１０】
【表１１】
【表１２】
珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉圧５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２２６】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表１３に示す条件により基体の洗浄を行った。洗浄としては、非イオン性界面活性剤と陰イオン性界面活性剤の混合したものを用いた。
【０２２７】
更にその後、基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図５（Ａ）及びＦｉｇ５（Ｂ）に示す堆積膜形成装置を用い、表１４の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ｂ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。図７（Ｂ）において、７０１，７０３，７０４は、それぞれ順にアルミニウム基体、光導電層、表面層を示している。
【０２２８】
また、基体ホルダーは、材質ＪＩＳ５０００系アルミ合金を用い、基体ホルダーの内面は、アーク溶射にてＴｉＯ２ を、厚さ１００μｍコーティングしたものを用いた。
【０２２９】
作製した電子写真用感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−６０６０を実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ、画像濃度ムラ、白ポチ等の電子写真特性について評価を行った。
【０２３０】
各項目は、以下の方法で評価を行った。
【０２３１】
（１）帯電能・帯電能ムラ、
（２）感度・感度ムラ、
（３）画像濃度ムラ、
（４）白ポチ、の各評価は実施例１と同様な評価を行った。
【０２３２】
これらの評価結果を表１５に示す。表中、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラは、以下に示す比較例１の結果を１００とした相対評価で示してある。
【０２３３】
（比較例１）
珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉圧５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２３４】
切削工程終了１５分後に図８に示す表面処理装置により、表５に示す条件により基体のトリエタン洗浄を行った。
【０２３５】
更にその後、基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図５（Ａ）及び５（Ｂ）に示す堆積膜形成装置を用い、表１４の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ｂ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。また、基体ホルダーは、材質ＪＩＳ５０００系アルミ合金を用い、基体ホルダーの内面は、特に処理を行わなかった。
【０２３６】
作製した電子写真感光体を実施例６と同様な手段で同様に評価を行った。
【０２３７】
これらの評価結果を実施例６と共に表１５に示す。
【０２３８】
本発明の電子写真感光体の製造方法により製造した電子写真感光体は、従来の方法により製造した電子写真感光体に比べいずれの項目においても非常に良好な結果が得られた。
【０２３９】
【表１３】
【表１４】
【表１５】
珪素原子の含有量が３００ｐｐｍ、マグネシウム原子の含有率が２ｗｔ％のアルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。
【０２４２】
切削工程終了１５分後に図２に示す表面処理装置により、表１３に示す条件により基体の洗浄を行った。洗剤としては、非イオン性界面活性剤を用いた。
【０２４３】
更にその後、基体ホルダーに円筒状基体をセットし、図４に示す堆積膜形成装置を用い、表１６の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図７（Ｃ）に示す層構成の電子写真感光体を作製した。図７（Ｃ）において、７０１，７０２，７０３，７０４，７０５はそれぞれ順にアルミニウム基体、赤外線吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を示している。
【０２４４】
また、基体ホルダーは、材質ＪＩＳ５０００系アルミ合金を用い、基体ホルダーの内面は、プラズマ溶射にてＡｌ２ Ｏ３ とＣｒ２ Ｏ３ が１：１の質量比で厚さ１００μｍコーティングしたものを用いた。
【０２４５】
作製した電子写真感光体をキヤノン製複写機ＮＰ−９３３０を高速実験用に改造した電子写真装置に設置し、帯電能・帯電能ムラ、感度・感度ムラ、画像濃度ムラ、白ポチ等の電子写真特性について評価を行った。
【０２４６】
各項目は、以下の方法で評価を行った。
（１）帯電能・帯電能ムラ
実施例１と同様な評価を行った。
（２）感度・感度ムラ
電子写真用感光体を、４１０Ｖの暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量（１．４μＪ／ｃｍ２ ）を照射する。光源にはスポット系８０μｍの半導体レーザー（波長７８０ｎｍ）を使用した。このとき表面電位計により電子写真用感光体の明部表面電位を測定する。電子写真用感光体の一方の端部から他方の端部にかけて３ｃｍおきに明部表面電位を測定する。同様の測定を周方向４５°ずつ計８箇所行う。そして得られた明部表面電位の平均をもって感度とし、バラツキ（標準偏差）をもって、感度ムラとする。
（３）画像濃度ムラ
実施例１と同様の評価を行った。
（４）黒ポチ
白紙を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の黒ポチについて、評価した。
【０２４７】
◎は「特に良好」
○は「良好」
△は「実用上問題無し」
×は「実用上問題のある場合がある」
このように評価したところ、実施例６と同様に何れの項目も非常に良好な結果が得られた。
【０２４８】
【表１６】
【０２４９】
たとえば、図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）において表面層７０４及び又は電荷注入阻止層７０２は必ずしも設ける必要はなく、また、光導電性層７０３は図示されるような一層構成でなくたとえば電荷輸送層（ＣＴＬ）と電荷発生層（ＣＧＬ）を有するような多層構成としても良い。
【０２５０】
赤外線吸収層７０５としては、ゲルマニウム又はスズ原子を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶シリコン例えばａ−ＳｉＧｅ，ａ−ＳｉＳｎなど）やゲルマニウム原子を母体とする非単結晶ゲルマニウム（たとえばａ−Ｇｅなど）が挙げられる。また、赤外線吸収層７０５中には更に伝導性を制御する物質としてたとえば周期律表第ＩＩＩ 族及び第Ｖ族から選択される元素を含有して良い。
【０２５１】
電荷注入阻止層７０２としては、シリコン原子を母体とし伝導性を制御する物質として周期律表第ＩＩＩ族又は第Ｖ族の属する元素から選択される元素を含有する非単結晶（例えば周期律表第ＩＩＩ族又は第Ｖ族を含有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ（ＩＩＩ），ａ−Ｓｉ（Ｖ）など）が好ましい。上記、周期率表第ＩＩＩ族元素としてはホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）が好ましく選択され、中でもホウ素が好ましく選択される。また、周期律表第Ｖ族元素としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）が好ましく選択され、中でもヒ素が好ましく選択される。
【０２５２】
又、電荷注入阻止層７０２としては、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）から選択される少なくとも１つの元素を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶材料も好適に使用可能である。
【０２５３】
光導電層７０３としてはシリコン原子を母体とする非単結晶材料（例えばａ−Ｓｉ（非晶質シリコン））が好適に使用されるが、更に前述したような伝導性を制御する物質（周期律表第ＩＩＩ 族又は第Ｖ族元素）や酸素、窒素及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの元素を含有させても良い。これら更に含有させる周期率表第ＩＩＩ 族又は第Ｖ族元素、酸素、窒素、炭素の含有量は通常は前記電荷注入阻止層７０２として機能させるに必要な量より少なくするのが好ましい。
【０２５４】
表面層７０４としてはシリコン原子を母体とし、窒素及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの元素を有する非単結晶材料が好適に使用される。又、各層には更に水素原子及び又はハロゲン原子が含有されていることが望ましい。
【０２５５】
加えて、導電性を制御する物質、酸素、窒素、炭素、ゲルマニウム、スズを含有させる場合、支持体に並行な面においては均一で層厚方向に均一又は不均一に含有させて良い。
【０２５６】
これら層構成、元素などの含有量は所望とする電子写真感光体の特性に応じて適宜決められる。
【０２５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アルミニウム基体上に機能性能を形成する工程を含む電子写真感光体製造方法において、特にアルミニウム基体上に水素原子及び弗素原子のいずれか一方または両方と珪素原子とを含む非単結晶堆積膜をプラズマＣＶＤ方により形成する工程を含む電子写真感光体製造方法において、表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄された基体と金属を母体とし、少なくとも内側の表面にセラミックスが形成された基体ホルダーを用いることで、均一な高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に安定して製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示す図。
【図２】本発明の電子写真感光体製造方法を実施するために使用される前処理装置の一例を示す図。
【図３】本発明による感光体の形成方法の好適な実施態様例の構成を説明するための模式的構成図。
【図４】本発明における電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示すものであり、ＲＦグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図。
【図５】本発明における電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示すものであり、μＷグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図で、図５（Ａ）は、装置の側断面図であり、図５（Ｂ）は、Ｘ−Ｘ’における横断面図。
【図６】本発明における電子写真用感光体を形成するための装置の一例を示すものであり、図３のＲＦグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置を図５の堆積装置に代えた模式的説明図。
【図７】図７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は夫々電子写真感光体の層構成を示す断面図。
【図８】従来の方法において堆積膜形成の前処理として基体の洗浄を行うための洗浄装置の概略的縦断面図。
【符号の説明】
１０１ 基体
１０２ 処理部
１０３ 基体搬送機構
１１１ 基体搬入台
１２１ 基体前洗浄槽
１２２ 前洗浄液
１３１ 二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽
１３２ 二酸化炭素を溶解した水
１４１ 乾燥槽
１４２ ノズル
１５１ 基体搬出台
１６２ 移動機構
１６３ チャッキング機構
１６４ エアシリンダー
１６５ レール
２０１ 基体
２０２ 基体ホルダー
２０３ 基体ホルダー内面
２０４ 補助基体
２０５ 加熱手段
２０６ 置き台
２０７ 運搬用取っ手
２０８ 基体表面
３００ ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置
３０１ 反応容器
３０２ 円筒上基体
３０３ 基体ホルダー
３０４ 基体加熱用ヒーター
３０５ 原料ガス導入管
３０６ マッチングボックス
３０７ 原料ガス配管
３０８ 反応容器リークバルブ
３０９ メイン排気バルブ
３１０ 真空計
３３０ 原料ガス供給装置
３３１〜３３６ 原料ガスボンベ
３５１〜３５６ ガス流入バルブ
３６１〜３６６ ガス流出バルブ
３７１〜３７６ マスフローコントローラー
３９１〜３９６ 圧力調整器
４００ μＷグロー放電による堆積膜形成装置
４０１ 反応容器
４０２ マイクロ波導入管
４０３ 導波管
４０４ 基体ホルダー
４０５ 円筒状基体
４０６ 基体加熱用ヒーター
４０７ 原料ガス導入管
４０８ バイアス電極
４０９ バイアス電源
４１０ 基体回転用モーター
４１１ 排気管
４２０ 放電空間
６０１ 真空反応容器
６０２ カソード電極
６０３ ゲート
６０４ 底壁
６０５ 碍子
６０６ 基体
６０７ 基体ホルダー
６０８ ヒーター
６０９ ガス導入管
６１０ ガス放出孔
６１１ ガスバルブ
６１２ ガス供給部
６１３ 排気管
６１４ 排気バルブ
６１５ 排気装置
６１６ 電源
８０１ 基体
８０２ 処理部
８０３ 基体搬送機構
８１１ 基体投入台
８２１ 基体洗浄槽
８２２ 洗浄液
８５１ 基体搬出台
８６１ 搬送アーム
８６２ 移動機構
８６３ チャッキング機構
８６４ エアーシリンダー
８６５ レール
Claims (50)
- アルミニウム基体を基体ホルダーに装着させ減圧気相成長法により、該基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料を有する機能性膜を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記基体上に前記機能性膜を形成する工程の前に前記基体の表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程を有し、かつ前記基体ホルダーは金属を母体とし、該基体ホルダーの少なくとも内側の表面にはセラミックスが形成されており、
前記二酸化炭素を溶解した水が、抵抗率１ＭΩ・ｃｍ以上の純水に二酸化炭素を溶解した水であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 前記二酸化炭素を溶解した水の導電率が２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下である請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記二酸化炭素を溶解した水のｐＨが３．８以上、６．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記アルミニウム基体が、少なくとも珪素原子を含有したアルミニウム基体である請求項１乃至３項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記アルミニウム基体が、少なくとも珪素原子を１ｐｐｍから１ｗｔ％含有したアルミニウム基体である請求項４に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記セラミックスが耐酸性に勝れた材料である請求項１乃至５項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記セラミックスがＡｌ2Ｏ3またはＴｉＯ2またはＳｉＯ2のうち少なくとも一つである請求項６に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記セラミックが輻射熱を受け易い材料である請求項１乃至５項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記セラミックがＣｒ2Ｏ3である請求項８に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記セラミックが耐酸性に優れた材料と輻射熱を受け易い材料の混在系である請求項１乃至５項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１の二酸化炭素が溶解された水が水温２５℃の時の抵抗率が１ＭΩ・ｃｍ以上、１７ＭΩ・ｃｍ以下とされ、直径０．２μｍ以上の微粒子を１ｍｌ中に１００００個以下、総菌数が１ｍｌ中に１００個以下、有機物量を１ｍｌ中に１０ｍｇ以下含有する請求項１乃至５項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記二酸化炭素が溶解された水の温度は１０℃以上９０℃以下である請求項１乃至５項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記二酸化炭素が溶解された水による洗浄はディッピングにより行なわれる請求項１乃至５項のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記二酸化炭素が溶解された水による洗浄は吹き付けにより行なわれる請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１４において前記吹き付けの水圧は２ｋｇ・ｆ／ｃｍ2以上３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ2以下である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１４において、前記吹き付けの水量は１ｍｌ／分以上、２００リットル／ｍｉｎ以下とされる電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１４において前記二酸化炭素が溶解された水の温度は５℃以上、９０℃以下である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記二酸化炭素が溶解された水による洗浄は１０秒以上、３０分以下とされる電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記二酸化炭素が溶解された水による洗浄前の前洗浄工程を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記二酸化炭素を溶解した水は飽和量の６０％以下の二酸化炭素を含む電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１９において前記前洗浄工程は水を用いて行なわれる電子写真感光体の製造方法。
- 請求項２１において前記水は界面活性剤を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項２１において前記水は水温２５℃の時の抵抗率として１ＭΩ・ｃｍ以上、１７ＭΩ・ｃｍ以下の抵抗率を有し、直径が０．２μｍ以上の微粒子を１ｍｌ中に１００００個以下、微生物量として総菌数が１ｍｌ中に１００個以下、有機物量を１ｍｌ中に１０ｍｇ以下含有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項２１において前記水の水温は１０℃以上９０℃以下である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項２２において前記界面活性剤は陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤から成る群から少なくとも１つ選ばれる電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１９において前記前洗浄工程は更に超音波を用いる電子写真感光体の製造方法。
- 請求項２６において前記超音波は０．１Ｗ／リットル以上１ｋＷ／リットル以下の出力を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程の前に基体の切削工程を有する、電子写真感光体の製造方法。
- 請求項２８において前記切削工程から、前記二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程までの時間は１分以上１６時間以下である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程の後、１分以上８時間以下内に前記機能性膜を形成するための堆積膜形成装置に投入される、電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程の後に乾燥工程を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３１において前記乾燥工程は温風乾燥、真空乾燥、温水乾燥から選択される電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３１において前記乾燥工程は二酸化炭素を溶解した温水を使用する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３３において前記温水は３０℃以上９０℃以下である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３３において前記二酸化炭素を溶解した水による温水は、水温２５℃の時の抵抗率が１ＭΩ・ｃｍ以上、１７ＭΩ・ｃｍ以下であって、０．２μｍ以上の直径を有する微粒子を１ｍｌ中に１００００個以下、微生物量として総菌数が１ｍｌ中１００個以下、有機物量が１ｍｌ中に１０ｍｇ以下含有する純水に二酸化炭素を溶解した温水である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３３において前記二酸化炭素は飽和溶解度の６０％以下含有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３３において前記温水は２μＳ／ｃｍ以上４０μＳ／ｃｍ以下の導電率を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３３において前記温水は３．８以上６．０以下のｐＨを有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記アルミニウム基体はマグネシウム原子を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項３９において前記アルミニウム基体はマグネシウム原子を０．１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記機能性膜はアモルファスシリコン、アモルファスゲルマニウムシリコン、アモルファスシリコンカーバイドから選択される少なくとも１つの材料を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記機能性膜は光導電層を有する電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記機能性膜はＲＦプラズマＣＶＤ法又はマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって形成される電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１において前記機能性膜は５μｍ以上１００μｍ以下である電子写真感光体の製造方法。
- 請求項４３において前記機能性膜は１×１０-3Ｔｏｒｒ以上１×１０-1Ｔｏｒｒ以下の圧力で形成される電子写真感光体の製造方法。
- 請求項４３において前記機能性膜は１００℃以上５００℃以下の基体温度で形成される電子写真感光体の製造方法。
- 減圧気相成法によって治具に装着されたアルミニウム基体上に機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法に用いられる治具において、前記治具は金属を母体とし、少なくとも前記アルミニウム基体が装着される側とは反対の面にセラミックスが形成されていることを特徴とする電子写真感光体の製造方法に用いられる治具。
- 請求項４７において前記セラミックスはＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2又はＣｒ2Ｏ3から選ばれる電子写真感光体の製造方法に用いられる治具。
- 請求項４７において前記治具は搬送用のチャッキング部を有する電子写真感光体の製造方法に用いられる治具。
- 請求項４７において前記治具の金属は前記基体と同種の金属である電子写真感光体の製造方法に用いられる治具。
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| JP4770607B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-09-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、その製造方法および製造装置、電子写真画像形成装置 |
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| JP4996684B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-08-08 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法、並びに画像形成装置 |
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Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3992091A (en) | 1974-09-16 | 1976-11-16 | Xerox Corporation | Roughened imaging surface for cleaning |
| US4157941A (en) | 1977-06-03 | 1979-06-12 | Ford Motor Company | Method of adherency of electrodeposits on light weight metals |
| AU530905B2 (en) | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
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| AU528865B2 (en) | 1980-12-01 | 1983-05-19 | Yoshida Kogyo K.K. | Forming protective surface film on aluminum surfaces |
| JPS5814841A (ja) | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| US4504518A (en) | 1982-09-24 | 1985-03-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy |
| JPS59193463A (ja) | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
| JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
| JPS6086276A (ja) | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| US4619729A (en) | 1984-02-14 | 1986-10-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Microwave method of making semiconductor members |
| ATE45392T1 (de) | 1984-02-14 | 1989-08-15 | Energy Conversion Devices Inc | Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrophotographischer geraete. |
| JPS60262936A (ja) | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Kobe Steel Ltd | アモルフアスシリコンの蒸着特性の優れた押出アルミニウム合金 |
| JPS6169116A (ja) | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング用サセプター |
| US4759947A (en) | 1984-10-08 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound |
| JPS61171798A (ja) | 1985-01-24 | 1986-08-02 | Canon Inc | 切削油及びこれを用いる切削加工方法 |
| JPS61223756A (ja) | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Canon Inc | 複写装置 |
| JPS61273551A (ja) | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JP2552668B2 (ja) | 1987-04-21 | 1996-11-13 | 株式会社リコー | 電子写真感光体支持体の加工方法 |
| JPH01130159A (ja) | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Konica Corp | 感光体の製造方法 |
| US5079031A (en) | 1988-03-22 | 1992-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming thin films |
| JP2520694B2 (ja) | 1988-06-06 | 1996-07-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体 |
| US5091208A (en) | 1990-03-05 | 1992-02-25 | Wayne State University | Novel susceptor for use in chemical vapor deposition apparatus and its method of use |
| US5314780A (en) | 1991-02-28 | 1994-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for treating metal substrate for electro-photographic photosensitive member and method for manufacturing electrophotographic photosensitive member |
| US5336371A (en) | 1993-03-18 | 1994-08-09 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow |
| JP3102721B2 (ja) | 1993-03-23 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH0711446A (ja) | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
| AU7401498A (en) * | 1996-12-06 | 1998-06-29 | Henkel Corporation | Composition and method for cleaning/degreasing metal surfaces, especiall y composites of copper and aluminum |
| US6156472A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electrophotographic photosensitive member |
| JP3890153B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法及び製造装置 |
| US6248177B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-06-19 | Fluoroware, Inc. | Method of cleaning a wafer carrier |
| EP0957404B1 (en) * | 1998-05-14 | 2006-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image forming apparatus |
| JP4303365B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2009-07-29 | 日本ペイント株式会社 | アルミニウム系金属の洗浄水溶液およびその洗浄方法 |
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