JPH0869115A

JPH0869115A - 電子写真用感光体の製造方法及び該感光体に用いられる基体の洗浄方法

Info

Publication number: JPH0869115A
Application number: JP20341494A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Katagiri; 宏之片桐; Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Yoshio Seki; 好雄瀬木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-08-29
Filing date: 1994-08-29
Publication date: 1996-03-12

Abstract

(57)【要約】【目的】洗浄水の藻類や細菌類の繁殖を抑制し、微少
な画像欠陥を防ぎ且つ電子写真特性の向上を図り更に均
一な高品位の画像を与える洗浄を行い、電子写真用感光
体を安価に安定して得る。【構成】光半導体と接触させた、二酸化炭素を溶解し
た水を用いて洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真用感光体の製造
方法及び該感光体に用いられる基体の洗浄方法に関し、
更に詳しくは、洗浄工程に水を用いた工程を有する電子
写真用感光体の製造方法及び該感光体に用いられる基体
の洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真技術を用いた複写機、レ
ーザービームプリンタに代表されるプリンタのより一層
の高画質化の要求に伴って、現像での解像力の一層の向
上が要求されている。

【０００３】また一方、印刷又は複写速度の高速化の要
求に伴って、感光体の帯電条件が一層過酷になり、従来
問題とならなかった感光体表面の電荷が充分に乗らない
微小な部分が実質上、その周辺の電位に大きな影響を与
えることが指摘されはじめている。

【０００４】さらに、近年では、複写機の画質向上に伴
って画線部のみを有する原稿の複写にとどまらず、階調
を有する写真原稿の複写を行なう機会が増加し、より一
層の画質向上が要求されている。特に、カラー複写機に
おいては、上記微小部分による問題もカラーバランスの
乱れから目立ち易く、従来に増しての感光体の品質の向
上と均一性が要求されている。

【０００５】電子写真用感光体は基体と該基体上に電荷
注入阻止層、光導電層、表面層などの機能性膜（総称し
て感光層と称する）を有している。機能性膜（感光層）
を形成する基体としては、ガラス、耐熱性合成樹脂、ス
テンレス＋アルミニウムなどの金属など多くの材料が提
案されている。

【０００６】実用的には、帯電、露光、現像、クリーニ
ングといった電子写真プロセスに耐え、また、画質の劣
化などが生じないように常に高精度の位置精度を保ち、
基体の厚さが均一で、機能性膜（感光層）の形成による
問題が生じないという点から金属を用いることが多い。
中でもアルミニウムは加工性に優れ、重量が軽く、性能
を考えれば相対的に低コストであるので電子写真用感光
体の基体として用いるに最適な材料の一つである。

【０００７】ところで、電子写真用感光体の基体はアル
ミニウムを主成分とする材料に各種の処理を施して使用
するのが一般的である。

【０００８】たとえば、アルミニウム基体の表面を切削
したり、表面に付着した不純物や酸化物を除去したりし
てから、光導電層などの感光層を基体上に形成してい
る。

【０００９】より具体的には、アルミニウム支持体表面
に形成された自然酸化物皮膜を化学エッチング法、機械
的エッチング法あるいはスパッタリング法、プラズマエ
ッチング法などにより除去した後、比抵抗１０⁶ Ω・ｃ
ｍ以上、６０℃以上の水に浸漬し均一な酸化皮膜を形成
すること（特開昭５８−１４８４１号公報）、支持体表
面に高圧水を噴射して支持体表面を所望の表面粗さに粗
面化すること（特開昭６３−２６４７６４号公報）、ま
た、支持体表面をバイトなどにより研削すること（特開
昭６０−１６８１５６号公報）などが知られている。

【００１０】しかしながら、これ等には支持体表面の処
理もしくは加工について記載はなされているが、支持体
表面を洗浄するという観点での記載は成されていない。

【００１１】特開昭６１−１７１７９８号公報には電子
写真感光体の支持体を鉱油と不乾性の化学合成油とを混
合して切削した後トリエタンで洗浄し、アモルファスシ
リコンを成膜して感光体とすることが記載されている。

【００１２】しかしながら、該公報における洗浄は有機
溶剤であるトリエタンが使用されることが記載されるの
みである。

【００１３】溶剤の蒸発による作業環境や自然環境の悪
化や廃液処理に伴う自然環境の破壊を避けるためにはこ
のような有機溶剤の使用を極力減らすことが必要であ
る。

【００１４】そこで、環境に対して負荷の少ない洗浄シ
ステムとして水を用いることが考えられる。

【００１５】たとえば特開平１−１３０１５９号公報に
は感光層としてアモルファスセレン、酸化亜鉛、硫化カ
ドミウム、インジウム−錫の酸化物、アモルファス珪素
等の無機質材料や有機質材料を用いる電子写真感光体の
基体を純粋に界面活性剤を添加した流体の噴射により洗
浄することが記載されている。

【００１６】しかしながら、該公報では洗浄された水を
回収することについては触れられておらず、洗浄に使用
される水の量を考えると決して環境に負荷をかけていな
いとはいい難いものである。

【００１７】また、特開昭６１−２７３５５１号公報に
は、電子写真用感光体の基体表面に３４４ｎｍより短い
波長の光を照射して紫外洗浄をする技術が記載される。
そして紫外洗浄の前に表面に付着した油脂除去のため液
体脱脂洗浄、蒸気脱脂洗浄および純水洗浄を行なうこと
が記載されているが、具体的にどのようにして水を用い
て洗浄を行なうのかについては記載がない。

【００１８】尚、半導体ウエハーの洗浄に超純水が用い
られるが、超純水は比抵抗が高く、誘電体として作用す
るため、ウエハーを静電破壊することがあり、この問題
を解決するために超純水中に炭酸ガスを溶解させ比抵抗
を低下させ防電破壊を防止する技術が特開昭６０−８７
６号公報に記載されている。

【００１９】しかしながら、この場合も超純水が回収さ
れることは示されていない。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】このように、電子写真
感光体用の基体は必要に応じて切削などの処理工程を経
た後に、感光層が形成されて感光体とされるのである
が、感光層を形成する前に基体の表面が充分にかつ均一
な状態で洗浄されていないと多くの問題を生ずる場合が
ある。

【００２１】つまり、切削などで使用した切削油や切削
粉の基体表面への付着は感光層の均一な形成を妨げる要
因となるのである。特に特開昭５４−８６３４１号公報
に記載されるような非晶質シリコン材料を感光層として
使用する場合、均一に非晶質シリコン膜が形成されない
場合がある。

【００２２】従来の要求画質の場合、基体表面の加工条
件、洗浄条件、及び感光層の堆積条件を夫々最適化する
こことによって上記した微小部分による問題は回避する
ことができたが、上述のごとく、近年の更なる高画質化
の要請はそれらの最適化では充分に解決し得ない場合が
発生することを示唆している。

【００２３】それに加えて、洗浄に用いる溶液が対環
境、対人に対して夫々負荷をかけないシステムの構築の
要請も増々強いものになってきている。

【００２４】つまり、本発明は、上述したような諸問題
を解決し、安価で、高画質でバラツキがない電子写真用
感光体を低コストで歩留り良く製造することが可能な電
子写真用感光体の製造方法及び該感光体に用いられる基
体の洗浄方法を提供することを目的とする。

【００２５】また本発明は作業者及び自然環境に対する
負荷を軽減した電子写真用感光体の製造方法及び該感光
体に用いられる基体の洗浄方法を提供することを目的と
する。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
本発明の電子写真用感光体の製造方法は、アルミニウム
を主成分とする基体の表面を、光半導体が接触された二
酸化炭素を溶解した水を用いて洗浄する工程と、該洗浄
された基体の表面上に感光層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする。

【００２７】また、上記目的を達成する本発明の電子写
真用感光体に用いられる基体の洗浄方法は、アルミニウ
ムを主成分とする基体の表面を、光半導体が接触された
二酸化炭素を溶解した水を用いて洗浄することを特徴と
する。

【００２８】上記したような本発明の電子写真用感光体
の製造方法及び該感光体に用いられる基体の洗浄方法に
よれば、溶剤を使用しないので作業者及び自然環境に対
する負荷を軽減することが可能で、しかも低コストで安
定した洗浄を行なうことが可能であり、安価で高品質で
バラツキがない優れた特性を有する電子写真感光体を提
供することができる。

【００２９】また、本発明では、光半導体を二酸化炭素
を溶解した洗浄用の水に浸漬しているので、洗浄用の水
を循環系としても藻類や細菌類の繁殖を抑えるでき、洗
浄用の水の交換回数を減らすことが可能になり、水の使
用料を激減させ、汚染水の処理を含めた自然環境に対す
る負荷を一層低減することを可能とする。

【００３０】

【実施例】以下、本発明について説明する。

【００３１】アルミニウムを主成分とする基体上に感光
層を形成する場合、その基体表面の状態が形成される感
光層に影響を与える場合があることは上述したとおりで
ある。

【００３２】特に感光層としてプラズマＣＶＤ法によっ
て形成される非晶質シリコンなどの非晶質材料を用いた
感光体の場合には、真空蒸着により作製されるＳｅ系感
光体、ブレード塗布やディッピングによって作製される
有機感光体（ＯＰＣ）に較べて画像欠陥が発生し易い。

【００３３】本発明者が検討したところ、アルミニウム
基体を用いたとき発生する画像欠陥の原因は、（Ａ）基体上の粉塵、洗浄、乾燥工程の洗浄水の汚物等
が付着してそれが核となる。（Ｂ）基体の表面欠陥が核となる。に大別できることがわかった。

【００３４】（Ａ）の塵等の付着は切削、洗浄など基体
を取り扱う場所のクリーン化を図る及び成膜炉内の清掃
を厳密に行なうことと供に堆積膜形成の直前に基体表面
を洗浄することにより防止することが可能であった。従
来はトリクロルエタン等の塩素系溶剤で洗浄することに
よりこの目的を達成していた。しかし、近年オゾン層の
破壊等の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制限され
るようになってきたため、この問題点について新たに検
討する必要が生じた。

【００３５】一方、（Ｂ）の欠陥を減少させることは従
来より非常に困難であった。

【００３６】本発明者の検討により、アルミニウム中の
局所的に高硬度の部分があり、堆積膜形成に先立つ前加
工として、切削等の表面加工の際に加工機の刃にこれら
の高硬度の部分がえぐられアルミニウム基体上に表面欠
陥できることが（Ｂ）の原因であることがわかった。

【００３７】更に、これらの現象を防ぐためには、通常
アルミニウムに含有される不純物は少ない方がよい、し
かし、非常に高純度のアルミニウムは基体の形状に原材
料のアルミニウムを加工するための溶解の際に必然的に
は発生する酸化物が成長し、前述の欠陥発生の原因とな
る。これを防ぐためには、珪素原子を含有させることが
効果的であることがわかった。

【００３８】基体表面の機械加工後、トリクロルエタン
等の塩素系の溶剤を用い洗浄を行なう場合は、以上のこ
とだけで基体の表面性による画像欠陥の発生は充分防止
することが可能である。

【００３９】しかし、近年ではさらに環境問題のために
これらの塩素系溶剤を安易には使うことができないた
め、本発明者は洗浄に付いても検討を行なった。

【００４０】アルミニウムは水により腐食が発生する、
特にこれら珪素原子を含むアルミニウムは、洗浄の際に
水に漬けると珪素原子が局所的に多い部分を中心に水に
よる腐食が顕著になることを発見した。

【００４１】この現象は水の温度が高いほど顕著であ
り、またアルミニウム中に珪素原子と共に切削性を向上
する目的でマグネシウムを含む場合更に顕著となった。

【００４２】アルミニウムの腐食を防ぐためには、各種
の腐食防止剤が提案されているが、本発明のように、電
子写真用感光体の基体に用いる場合は大面積の基体上に
僅かに発生した欠陥でも問題となる。さらに、これらの
腐食防止剤が洗浄後微量基体表面に残ると堆積膜形成
後、電子写真特性に悪影響が発生する場合がある。

【００４３】即ち、アルミニウム基体表面上に水と同時
に速やかに揮発する成分以外の成分が付着していると電
子写真感光体を作製した場合、画像上のしみ等の悪影響
が発生する場合があるため腐食防止剤の使用は実質上制
限することが望まれる。

【００４４】本発明は堆積膜形成に先立ち塵の付着を除
去するために行なう洗浄の際用いる水に何らかの処理を
行なうことで上記の様な欠陥の発生を抑えることができ
ないかと言う点に着目して鋭意研究した結果、完成に至
ったものである。

【００４５】つまり、本発明は洗浄に用いる水に二酸化
炭素を溶解した水を用いることによって上記問題を解決
することを見出したことに基づいている。

【００４６】このメカニズムについては未だ解明されて
いない点が多いが、本発明者は現在、次のように考えて
いる。

【００４７】アルミニウム表面に部分的に露出した珪素
原子が多い部分は周囲の通常のアルミニウムの部分と局
部的な電池を形成して腐食を促進する。一方、水に溶解
した二酸化炭素は水中で炭酸イオンとなり、これらの局
部電池の部分に引き寄せられた周囲を覆うことにより水
中の酸素等の接近を防ぎ効果的に腐食を防止するものと
考えられる。また、炭酸イオンは珪素原子の多い部分表
面に何らかの変質をさせることにより、堆積膜形成時に
この部分からの異常成長が発生することを防止するもの
と考えられる。

【００４８】更に、二酸化炭素を含有することで画像む
らの低減と更なる電子写真特性の向上をはかることがで
きた。

【００４９】また洗浄工程に水を使用する事により別の
問題点として、洗浄工程の水中に藻類や細菌類が発生し
繁殖するという新たな問題点が発生する。

【００５０】藻類や細菌類の繁殖は温度が高い程、また
水の流れの少ない箇所に顕著である。藻類や細菌類の繁
殖を防ぐ手段としては（１）、薬剤による殺菌（２）、紫外線による殺菌（３）、熱湯による殺菌等が挙げられるが（１）の方法では、基体上に残留し悪
影響を与えたり（２）の方法では、コストが高くつくと
いった問題があった。また（３）の方法ではアルミニウ
ム基体が熱湯に触れるとアルミニウムが侵されてしまい
基体として使用し得なくなり、また、藻類や細菌類の繁
殖を防ぐ程に加熱するにはコストが高くつくという問題
があった。

【００５１】しかし近年注目されている技術として光半
導体を用いた水の殺菌技術がある。しかし電子写真感光
体の様に少しのゴミや付着物も影響を及ぼす精密洗浄で
は（１）微少なゴミまでもが堆積膜形成に寄与し欠陥とな
ってしまう。

【００５２】また、洗浄液中のゴミや、基体上に付着し
てしまったゴミを除去するために、循環系フィルターを
設けたり、フィルターリングされた水で基体表面にシャ
ワーを吹き付けゴミを除去する機構があったりする事
で、（２）洗浄装置の配管等が複雑である。

【００５３】また電子写真感光体と言う大面積の基体を
洗浄する為には、（３）比較的大きな洗浄槽が必要とな
ってくる等が挙げられ光半導体の設置部以外に発生した藻類や細
菌類に対しては電子写真感光体に影響を及ぼす藻類や細
菌類の除去の効果があがらなかった。

【００５４】たとえば、複雑に入り組んだ配管の中の藻
類や細菌類が除去しきれないという問題があることを見
出した。

【００５５】本発明は堆積膜形成に先立ち行なう洗浄の
際用いる水に何らかの処理を行なう事で上記の様な、藻
類や細菌類の発生を抑えることができないかないかと言
う点に着目して鋭意研究した結果、上記した二酸化炭素
を溶解した水の中に光半導体を浸漬することで藻類や細
菌類の発生を激減させることができることを見出したこ
とに基づいている。

【００５６】このメカニズムについては未だ解明されて
いない点が多いが、本発明者は現在、次のように考えて
いる。

【００５７】藻類や細菌類の繁殖に対して炭酸イオンが
光半導体により活性化される事により光半導体の効果の
薄い所まで行き届き充分な藻類や細菌類の除去効果が表
れたと考えている。なおこの効果は二酸化炭素（ＣＯ
₂ ）の濃度が不十分な場合や光半導体のみでは効果は表
れない。

【００５８】プラズマＣＶＤ法により例えばアモルファ
スシリコン堆積膜を基体上に形成する場合、反応は、気
相に於ける原料ガスの分解過程、放電空間から基体表面
までの活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程の
３つに分けて考えることができる。中でも、表面反応過
程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割を
果たしている。そして、これらの表面反応は、基体表面
の温度、材質、形状、吸着物質などに大きな影響を受け
るのである。

【００５９】特に純度の高いアルミニウム基体は、切削
後トリクロルエタンのような非水溶剤で洗浄を行なった
だけの状態、または切削後に他の洗浄を行なわずに純水
によるジェット洗浄を行なっただけの状態では、基体表
面上の水の吸着が部分的に異なる状態となっている。こ
の様な表面状態の基体上に例えばプラズマＣＶＤ法によ
りアモルファスシリコン膜の様な珪素原子と、水素原子
及び／又は弗素原子とを含んだ堆積膜を形成すると、そ
の表面の反応は、基体表面上に残った水分子の量に特に
大きく影響される。この事により、基体に吸着される水
の吸着量により、堆積膜の界面の組成及び構造が変化
し、その結果、電子写真プロセスの工程中にその部分の
基体からの電荷の注入性が変化し、画像濃度を変えるに
充分な表面電位の差が現われると考えられる。

【００６０】本発明では、プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成前に基体表面を二酸化炭素を溶解した水の中に光
半導体を接触させる事により、基体表面を効果的に均一
化する事が出来上述の画像の濃度むらをなくすと同時
に、藻類や殺菌類の発生を防止する事に成功している。

【００６１】更に炭酸イオンは、アルミニウム表面全体
を均一に僅かに溶解することにより表面の活性度を上
げ、堆積膜を形成する際良好な電荷のやりとりができる
界面を形成することができる。このため、帯電の向上、
残留電位、光感度の低減等電子写真特性の向上を果たす
ことが可能となった。

【００６２】本発明は電子写真感光体の製造時に於いて
発生する画像欠陥等を改善し、更にその電子写真特性を
向上させるための新規の表面処理方法とも云え、単なる
表面汚物質の洗浄とは全く異なった更なる効果を達成し
ている。

【００６３】更に本発明では切削工程後、二酸化炭素を
溶解した水の洗浄工程の前に前洗浄工程を設けることに
より本発明の効果を妨げる油脂及びハロゲン系の残留物
の除去を完全に行なうことにより前述の効果を高め、特
に、前洗浄工程は水または界面活性剤を加えた水中で超
音波洗浄を行なうことにより、本発明の効果をより一層
高めることが可能になる。

【００６４】以下、本発明を必要に応じて図面を参照し
ながら更に詳しく説明する。

【００６５】アルミニウムを主成分とするアルミニウム
合金製シリンダーを基体として用いた本発明による電子
写真用感光体の製造手順についてその好適な一例を説明
する。

【００６６】図１は基体の前処理装置を説明するための
模式的構成図、図２は基体上に堆積膜を形成するための
堆積膜形成装置を説明するための模式的説明図で、
（ａ）はその模式的側断面図、（ｂ）は模式的横断面図
である。

【００６７】図１において、１０１は基体、１０２は前
処理装置、１１１は基体投入台、１２１は基体の第１洗
浄槽、１２２は第１洗浄液、１３１は第２洗浄槽、１３
２は第２洗浄液、１３３は第２洗浄槽１３１内の第２洗
浄液１３２を管１３４、１３５を通して貯槽１３６内と
の間で循環させるためのポンプ、１３７は光半導体、１
４１は乾燥槽、１４２は乾燥用水、１４３は乾燥槽１４
１内の乾燥用水１４２を管１４４、１４５を通して貯槽
１４６内との間で循環させるためのポンプ、１４７は光
半導体、１５１は基体搬出台、１６０は基体搬送機構、
１６１は搬送アーム、１６２は移動機構、１６３はチャ
ッキング機構、１６４はエアーシリンダー、１６５は搬
送レールである。

【００６８】不図示の切削装置によって切削が終了した
基体は、前処理装置１０２の基体投入台１１１に載置さ
れる。載置された基体は、搬送アームに設けられたチャ
ッキング機構１６３をエアーシリンダー１６４によって
下方に移動させて保持される。チャッキング機構１６３
に保持された基体１０１はエアーシリンダー１６４によ
って上方に移動され、移動機構１６２によって搬送レー
ル１６５上を所定方向に移動する。

【００６９】第１洗浄槽１２１に対応する位置で移動機
構１６２は停止し、基体１０１は第１洗浄槽１２１内に
搬送される。第１洗浄槽１２１内には界面活性剤を含む
水（界面活性剤水溶液）が第１洗浄液１２２として入れ
られており、基体１０１は該第１洗浄液１２２に浸漬さ
れた状態でたとえば超音波を併用することにより基体１
０１の表面に付着している切削油、切り粉及びその他の
ゴミなどが洗浄される。

【００７０】洗浄が終了すると搬送機構１６０によって
基体１０１は第１洗浄槽１２１から第２洗浄槽１３１内
に搬送される。第２洗浄槽１３１内には二酸化炭素を溶
解した水が第２洗浄液１３２として貯溜されている。前
述したように、第２洗浄液１３２は第２洗浄槽１３１と
貯槽１３６との間で循環できるように構成されており、
第２洗浄液１３２は貯槽１３６内で光半導体１３７と接
触される。第２洗浄液１３２は工業用導電率計（商品
名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により随時導電率
を測定し、必要に応じて二酸化炭素を溶解することによ
り所望の導電率（たとえば約１０Ｓ／ｃｍ）に維持する
ように調整される。

【００７１】第２洗浄槽１３１内での洗浄が終った基体
１０１は搬送機構１６０によって第２洗浄槽１３１から
乾燥槽１４１内に搬送される。乾燥槽１４１内には乾燥
用水１４２として二酸化炭素を溶解した水が貯溜されて
いる。

【００７２】乾燥用水１４２は前述したように乾燥槽１
４１内と貯槽１４６内との間で循環可能に構成されてお
り、乾燥用水１４２は貯槽１４６内で光半導体１４７と
接触される。又、乾燥用水１４２は６０℃に保温され、
基体１０１は乾燥用水１４２中に浸漬された後不図示の
昇降機構により乾燥用水１４２から引き上げられて乾燥
される。乾燥用水１４２は工業用導電率計（商品名：α
９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により随時導電率を測定
し、必要により二酸化炭素を溶解することにより所望の
導電率（例えば２０μＳ／ｃｍ）に維持するように調整
される。

【００７３】乾燥された基体１０１は搬送機構１６０に
より乾燥槽１４１から基体搬出台１５１に搬送され、前
処理工程は終了する。

【００７４】尚、前処理工程の前に行なわれる切削工程
は基体１０１の表面を精密仕上げするために行なわれ、
たとえば、精密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥＵ
ＭＯＰＲＥＣＬＳＩＯＮＩＮＣ．製）に、ダイヤモン
ドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド
製）を、シリンダー中心角に対して５°の角のすくい角
を得るようにセットし、次に、この旋盤の回転フランジ
に、基体を真空チャックし、付設したノズルから白燈油
噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併
用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１
ｍｍ／Ｒの条件で外径が１０８ｍｍとなるように鏡面切
削される（外径１０８φの基体を作製する場合）。

【００７５】次にこれらの切削加工及び前処理の終了し
た基体上に図２（ａ）および図２（ｂ）に示すプラズマ
ＣＶＤ法による光導電部材堆積膜の形成装置により、シ
リコンを母体とした非晶質材料で構成される層を有する
堆積膜を感光層として形成する。

【００７６】図２において、２０１は反応容器であり、
真空気密化構造を成している。また、２０２は、マイク
ロ波電力を反応容器２０１内に効率よく透過し、かつ真
空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、ア
ルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入誘
電体窓である。２０３はマイクロ波電力の伝送を行なう
導波管であり、マイクロ波電源から反応容器近傍までの
矩形の部分と、反応容器に挿入された円筒形の部分を有
する。

【００７７】導波管２０３はスタブチューナー（図示せ
ず）、アイソレーター（図示せず）とともにマイクロ波
電源（図示せず）に接続されている。誘電体窓２０２は
反応容器内の雰囲気を保持するために導波管２０３の円
筒形の部分内壁に気密に封着されている。

【００７８】２０４は、一端が反応容器２０１に開口
し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気管
である。２０６は基体２０５により囲まれた放電空間を
示す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流電圧を印
加するための直流電源（バイアス電源）であり、電極２
１２に電気的に接続されている。

【００７９】こうした堆積膜形成装置を使用した電子写
真感光体の製造はたとえば以下のようにして行なう。ま
ず真空ポンプ（図示せず）により排気管２０４を介し
て、反応容器２０１を排気し、反応容器２０１内の圧力
を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。ついでヒーター
２０７により、基体２０５の温度を所望の温度に加熱保
持する。

【００８０】続いて、原料ガスを不図示のガス導入手段
を介して、アモルファスシリコンの原料ガスとしてシラ
ンガス、必要に応じてドーピングガスとしてジボランガ
ス、希釈ガスとして水素ガス、ヘリウムガス等の原料ガ
スが反応容器２０１内に導入される。それと同時併行的
にマイクロ波電源（図示せず）により周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を発生させ、導波管２０３を通じ、誘
電体窓２０２を介して反応容器２０１内に導入する。更
に放電空間２０６中のバイアス電極２１２に電気的に接
続された直流電源２１１によりバイアス電極２１２に基
体２０５に対して直流電圧を印加する。かくして基体２
０５により囲まれた放電空間２０６に於いて、原料ガス
はマイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、更
にバイアス電極２１２と基体２０５の間の電界により定
常的に基体２０５上にイオン衝撃を受けながら、基体２
０５表面に堆積膜が形成される。この時、基体２０５が
設置された回転軸２０９をモーター２１０により回転さ
せ、基体２０５を基体母線方向中心軸の回りに回転させ
ることにより、基体２０５全周に渡って均一に堆積膜層
を形成する。

【００８１】尚、感光層の形成は図示されるようなマイ
クロ波を用いたものに限られるわけではなく、ＲＦプラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法あるいはそれら
の組合せはもとより、スパッタリング法などの他の方法
を用いても良いものである。

【００８２】又、形成される感光層は、基体の表面状態
の影響を受け易いという点から、シリコンを母体とする
非晶質材料で構成された層を少なくとも有する藻のが好
ましいが、もちろんそれに限られるわけではない。その
他のＳｅ系感光層、Ｃｄ−Ｓ系感光層、Ｃｄ−Ｔｅ系感
光層などの無機系感光層、有機系感光層なども本発明に
は適用可能である。

【００８３】本発明に於いて、前洗浄を行なう場合は特
に界面活性剤等を含有した水系の洗浄が望ましい。水系
の洗浄を行なう場合、界面活性剤を溶解する前の水の水
質は、いずれでも可能であるが、特に半導体グレードの
純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体
的には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は好ま
しくは１ＭΩ−ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ−ｃｍ
以上、最適には５ＭΩ−ｃｍ以上とすることが望まし
い。

【００８４】上限値は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ−ｃ
ｍ）までの何れの値でも可能であるが、コスト、生産性
の面から鑑みて好ましくは１７ＭΩ−ｃｍ以下、より好
ましくは１５ＭΩ−ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ−ｃｍ
以下とすることが望ましい。

【００８５】含有される微粒子量としては、最も長い部
分が０．２μｍ以上のものが１ミリリットル中に好まし
くは１００００個以下、より好ましくは１０００個以
下、最適には１００個以下とするのが望ましい。

【００８６】含有される微生物量としては、総生菌数が
１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ま
しくは１０個以下、最適には１個以下とするのが望まし
い。

【００８７】含有される有機物量（ＴＯＣ）は、１リッ
トル中に好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍ
ｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下とするのが望ましい。

【００８８】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組
み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ま
しい。

【００８９】前洗浄工程における水の温度は、高すぎる
と基体上に不要な酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥
れ等の原因となる。また、低すぎると洗浄効果が小さ
く、さらに本発明の効果が充分得られない場合がある。
この為、水の温度としては、好ましくは５℃以上９０℃
以下、より好ましくは１０℃以上５５℃以下、最適には
１５℃以上４０℃以下とするのが望ましい。

【００９０】温水感光工程に於ける温水の温度は、上限
については洗浄工程と同じ理由で、また、より短時間で
基体表面に付着した水分が蒸発するようにするために、
上、下限が決められ、好ましくは３０℃以上９０℃以
下、より好ましくは３５℃以上８０℃以下、最適には４
０℃以上７０℃以下とするのが望ましい。

【００９１】本発明において前洗浄工程で用いられる界
面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活
性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、または
それらの混合したもの等のいずれのものでも可能であ
る。中でも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステ
ル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤又は、
脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤は好ましい。
ビルダーとしては、燐酸塩、炭酸塩、珪酸塩、ほう酸塩
等を有効に用いることができる。キレート剤としては、
グルコン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、燐酸塩等を有効に用
いることができる。

【００９２】本発明に於いて前述したごとく、前洗浄工
程に超音波を用いることは有効である。超音波の周波数
は、好ましくは１００Ｈｚ以上１０ＭＨｚ以下、更に好
ましくは１ｋＨｚ以上５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨ
ｚ以上１００ｋＨｚ以下とするのが望ましい。超音波の
出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上１ｋＷ／リ
ットル以下、更に好ましくは１Ｗ／リットル以上１００
Ｗ／リットル以下とするのが望ましい。

【００９３】尚、前洗浄工程は必ずしも必要ではない
が、歩留りの向上など結果としての生産性の向上を達成
する上では前洗浄工程を行なうことは望ましい。

【００９４】又、前洗浄工程を行なう場合は上述の工程
に必ずしも限られるわけではなく、また、前洗浄工程も
図示されるように一度でなく複数工程行なっても良い。

【００９５】更に図では基体を浸漬して超音波洗浄した
例を説明したが、貯留した水を噴射循環させるものであ
ってもかまわない。

【００９６】本発明に於いて、二酸化炭素を溶解した水
による洗浄工程に使用される水の水質は、非常に重要で
あり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純
水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的
には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は好まし
くは１ＭΩ−ｃｍ以上、より好ましくは３ＭΩ−ｃｍ以
上、最適には５ＭΩ−ｃｍ以上が望ましい。

【００９７】抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５Ｍ
９Ω−ｃｍ）までの何れの値でも可能であるが、コス
ト、生産性の面を鑑みれば好ましくは１７ＭΩ−ｃｍ以
下、より好ましくは１５ＭΩ−ｃｍ以下、最適には１３
ＭΩ−ｃｍ以下とするのが望ましい。

【００９８】含有される微粒子量としては、最も長い部
分が０．２μｍ以上のものが１ミリリットル中に好まし
くは１００００個以下、より好ましくは１０００個以
下、最適には１００個以下とするのが望ましい。

【００９９】含有される微生物量としては、総生菌数が
１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ま
しくは１０個以下、最適には１個以下とすることが望ま
しい。

【０１００】含有される有機物量（ＴＯＣ）は、好まし
くは１リットル中に１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍ
ｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下とすることが望まし
い。

【０１０１】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組
み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ま
しい。

【０１０２】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でもかまわないが、多すぎる
と水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着する
ことによりスポツト上のシミが発生する場合がある。更
に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さくなる
ため基体にダメージを与える場合がある。一方、溶解し
た二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効果を充分に
得ることができない。

【０１０３】従って、基体に要求される品質等を考慮し
ながら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を適宜決定
することが望ましい。

【０１０４】具体的に一般的に望ましい二酸化炭素の溶
解量を示せば飽和溶解度の好ましくは７０％以下、更に
好ましくは５０％以下の条件である。

【０１０５】但し、水の温度によってこの値は変化す
る。

【０１０６】本発明において二酸化炭素の溶解量は水の
導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導
電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以上
４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ以上
３０μＳ／ｃｍ以下、最適には６μＳ／ｃｍ以上２５μ
Ｓ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は
３．８以上６．０以下、更に好ましくは４．０以上５．
０以下とすることが望ましい。導電率の測定は導電率計
等により行ない、値としては温度補正により２５℃に換
算した値を用いる。

【０１０７】二酸化炭素を溶解した水を用いた洗浄で使
用される水の温度は、高すぎると基体上に不要な酸化膜
が発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。ま
た、低すぎると洗浄効果が小さく、さらに本発明の効果
が充分得られない場合がある。この為、水の温度として
は、好ましくは５℃以上９０℃以下、さらに好ましくは
１０℃以上５５℃以下、最適には１５℃以上４０℃以下
とすることが望ましい。

【０１０８】ただし、水の温度は、高すぎると安定して
二酸化炭素を水中に溶解しておくことがむずかしくなる
ので、二酸化炭素の溶解と効果のバランスを鑑みると好
ましくは１５℃以上８０℃以下、より好ましくは２０℃
以上７５℃以下、最適には２５℃以上６０℃以下とする
のが望ましい。

【０１０９】二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリン
グによる方法、隔膜を用いる方法、充分に二酸化炭素を
溶解した水を加える方法等いずれでも良い。本発明にお
いては、二酸化炭素を溶解した水を用いることが重要で
あり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸
塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオンが存在
するのであまり好ましくない。

【０１１０】このようにして得られた二酸化炭素を溶解
した水により基体表面を洗浄するときは、ディッピング
により洗浄する方法、水圧を掛けて吹き付ける方法等が
ある。

【０１１１】ディッピングにより洗浄する場合、二酸化
炭素を溶解した水を導入した水槽に基体を浸漬する事が
基本であるが、その際に超音波を印加する、水流を与え
る、空気二酸化炭素又は窒素、アルゴンなどの不活性ガ
ス等を導入することによりバブリングを行なう等の撹拌
手段を併用すると本発明は更に効果的なものとなる。

【０１１２】吹き付ける場合、水の圧力は、弱すぎると
洗浄の効果が小さいものとなり、強すぎると得られた電
子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像上で梨
肌状の模様が発生してしまう。この為、水の圧力として
は、好ましくは２ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、３００ｋｇ・
ｆ／ｃｍ² 以下、より好ましくは１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ²
以上、２００ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最適には２０ｋｇ
・ｆ／ｃｍ² 以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下とする
のが望ましい。但し、本発明に於ける圧力単位ｋｇ・ｆ
／ｃｍ² は、重力キログラム毎平方センチメートルを意
味し、１ｋｇ・ｆ／ｃｍ² は９８０６６．５Ｐａと等し
い。

【０１１３】水を吹き付ける方法には、ポンプにより高
圧化した水をノズルから吹き付ける方法、または、ポン
プで汲み上げた水を高圧空気又は高圧ガスとノズルの手
前で混合して、空気の圧力により吹き付ける方法等があ
る。

【０１１４】水の流量としては、洗浄の効果と、経済性
から、基体１本当り好ましくは１リットル／ｍｉｎ以
上、２００リットル／ｍｉｎ以下、より好ましくは２リ
ットル／ｍｉｎ以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最
適には５リットル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ
以下とするのが望ましい。

【０１１５】二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理に
おける基体と水との接触する処理時間は、長すぎると基
体上に不要な酸化膜が発生してしまい、短すぎると洗浄
の効果が小さいため、好ましくは１０秒以上３０分以
下、より好ましくは２０秒以上２０分以下、最適には３
０秒以上１０分以下とするのが望ましい。

【０１１６】尚、二酸化炭素を溶解した水と基体との接
触時間は期待される洗浄効果によって適宜決められるこ
とが基本であることは言うまでもない。そして、二酸化
炭素を溶解した水を用いた洗浄工程（図１の第２洗浄工
程）は１工程でも良いし多数工程行うこともかまわな
い。多数工程行うことで、より洗浄効果を向上すること
も可能である。もちろん以下に説明する乾燥工程に洗浄
工程の一端を担わせても良い。

【０１１７】本発明において、堆積膜形成時の基体表面
の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆積膜形成の直
前に基体表面の切削を行うことは重要なことである。

【０１１８】切削から二酸化酸素を溶解した水による洗
浄処理までの時間は、長すぎると基体表面に再び酸化膜
が発生してしまい、短すぎると工程が安定しないため、
好ましくは１分以上１６時間以下、より好ましくは２分
以上８時間以下、最適には３分以上４時間以下とするの
が望ましい。

【０１１９】乾燥工程は温風乾燥、真空乾燥、温水乾燥
等いずれの乾燥方法も有効である。特に二酸化炭素を溶
かした温水による乾燥が好ましい。

【０１２０】本発明において、二酸化炭素を溶解した水
による温水乾燥を行う場合、使用される水の水質は、非
常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレ
ードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望まし
い。具体的には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限
値は好ましくは１ＭΩ−ｃｍ以上、より好ましくは３Ｍ
Ω−ｃｍ以上、最適には５ＭΩ−ｃｍ以上とするのが望
ましい。

【０１２１】抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５Ｍ
Ω−ｃｍ）までの何れの値でも可能であるが、コスト、
生産性の面から好ましくは１７ＭΩ−ｃｍ以下、より好
ましくは１５ＭΩ−ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ−ｃｍ
以下とするのが望ましい。

【０１２２】含有される微粒子量としては、０．２μｍ
以上が１ミリリットル中に好ましくは１００００個以
下、より好ましくは１０００個以下、最適には１００個
以下とするのが望ましい。

【０１２３】含有される微生物量としては、総生菌数が
１ミリリットル中に好ましくは１００個以下、より好ま
しくは１０個以下、最適には１個以下とするのが望まし
い。又、含有される有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル
中に好ましくは１０ｍｇ以下、より好ましくは１ｍｇ以
下、最適には０．２ｍｇ以下とするのが望ましい。

【０１２４】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組
み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ま
しい。

【０１２５】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多す
ぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着
することによりスポット上のシミが発生する場合があ
る。更に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さ
くなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、
溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると二酸化炭素含有
による更なる効果を得ることができない。

【０１２６】従って基体に要求される品質と乾燥工程で
要求される質等を考慮しながら、状況に合わせて二酸化
炭素の溶解量を最適化する必要がある。

【０１２７】一般的に好ましい二酸化炭素の溶解量は飽
和溶解度の７０％以下、更に好ましくは５０％以下の条
件である。

【０１２８】本発明において二酸化炭素の溶解量は前述
と同様水の導電率またはｐＨで管理することが実用的で
あるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は５μＳ
／ｃｍ以上４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは６μＳ
／ｃｍ以上３５μＳ／ｃｍ以下、８μＳ／ｃｍ以上３０
μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は
３．８以上６．０以下、更に好ましくは４．０以上５．
０以下とするのが望ましい。導電率の測定は導電率計等
により行い、値としては温度補正により２５℃に換算し
た値を用いる。

【０１２９】二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリン
グによる方法、隔膜を用いる方法、充分に二酸化炭素を
溶解した水を加える方法等いずれでも良い。本発明にお
いては、二酸化炭素を溶解した水を用いることが重要で
あり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸
塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオンが洗浄
の効果を阻害してしまうので好ましくない。

【０１３０】乾燥工程における水の温度は、高すぎると
基体上に不要な酸化膜が発生してしまい、堆積膜の剥が
れ等の原因となる。また、低すぎると乾燥が不十分とな
る。この為、水の温度としては、好ましくは３０℃以上
９０℃以下、より好ましくは３５℃以上８０℃以下、最
適には４０℃以上７０℃以下とするのが望ましい。

【０１３１】引き上げ乾燥する際の引き上げ速度は非常
に重要であり、好ましい範囲は１００ｍｍ／ｍｉｎ以上
２０００ｍｍ／ｍｉｎ以下、更に好ましくは２００ｍｍ
／ｍｉｎ、最適には３００ｍｍ／ｍｉｎ以上１０００ｍ
ｍ／ｍｉｎ以下とするのが望ましい。

【０１３２】二酸化酸素を溶解した水による洗浄処理か
ら堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発
明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定
しないため、好ましくは１分以上８時間以下、より好ま
しくは２分以上４時間以下、最適には３分以上２時間以
下とするのが望ましい。

【０１３３】次に本発明に用いられる光半導体について
説明する。

【０１３４】本発明において用いられる光半導体として
は殺菌効果を示すものであれば特に制限はないが、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＴｉＯ₂、Ｓｉ、Ｓ
ｒＴｉＯ₂、ＷＯ₃、等が有効である。中でもＳｉ、Ｃｄ
Ｓ、ＴｉＯ₂が殺菌効果という面からみれば効果的であ
り、なおかつＴｉＯ₂が価格面、及び水中に剥離又は溶
解した場合の安全面の双方を考えると最も適している。

【０１３５】ただし、モビリティーが高く安全性が優
れ、低価格のものであればＴｉＯ₂以外でも充分に使用
し得るのは言うまでもない。

【０１３６】本発明において用いられている光半導体の
導入方法としては、循環用貯槽の内壁に溶射する方法
や、セラミックボールに溶射し貯槽内に設置する方法、
板状部材に付与して貯槽内に設置する方法、メッシュ状
部材の表面に光半導体を付与して貯槽内や循環路内に設
置する方法、その他、光半導体が二酸化炭素を溶解した
水と接触可能な位置にとされれば上記方法以外の多くの
方法又は変形あるいはそれらの組合せ等が挙げられどち
らの方法でも有効であるが、設備投資の面からみればセ
ラミックボールに溶射するタイプを用いることは望まし
い。

【０１３７】これは、ボール状であれば表面積を比較的
大きくとれ、水との接触面積を稼ぐことが可能で、設置
に際しても貯留槽中に投入するのみでこと足りるからで
ある。

【０１３８】光半導体層を有するセラミックボールの模
式的断面図を図３に示す。図３において、１７１はセラ
ミックでできた基材（セラミックボール）、１７２は光
半導体層である。このように、極めてシンプルな構成で
藻類や細菌類の繁殖を抑制することができる。

【０１３９】また、図４に示されるようにセラミックの
ボール１７１と光半導体層１７２との間にＣｒ、ＮｉＣ
ｒのような密着性を向上させるための密着層や導電層と
いった中間層１７３を形成しても良い。

【０１４０】形成される光半導体層の層厚は効果が出る
のであればいずれの厚さでもかまわないが、多くの実験
結果から、また、コストを鑑みて、好ましくは１μｍ〜
１ｍｍ、より好ましくは５μｍ〜５００μｍ、最適には
１０μｍ〜２００μｍとされるのが望ましい。

【０１４１】外形をボール状とした場合の光半導体の直
径については、必要な水との接触面積が保たれれば大き
さに制限はないが、他の形状の場合も含めて、１４００
ｍｍ²／ｌ以上の接触面積を有するようにすることは望
ましい。この場合、対称となる水の量は好ましくは少な
くとも貯槽内、より好ましくは貯槽と洗浄槽の合計量、
更に好ましくは、貯槽、洗浄槽、管及びポンプ内の全水
量に対して上記範囲とするのが望ましい。

【０１４２】光半導体を付与する基材はアルミナなどの
セラミック、ガラス、テフロンなどの樹脂などの絶縁体
及び金属などの導電体を適用することができる。

【０１４３】光半導体の設置場所は水との接触が充分に
行われるのであればその位置に制限はない。しかしなが
ら図２に示されるような循環系の場合は光半導体の設置
場所を通過して水が循環する形態とすることは好ましい
態様である。

【０１４４】また、光半導体は貯留槽内のみでなく、又
は貯留槽でなく、洗浄に支障が生じなければ洗浄槽中に
設置しても良い。いずれに設置しても、本発明のように
二酸化炭素を溶解した水と光半導体を組み合わせること
によって、水の存在する領域全てに亘って藻類や細菌類
の繁殖を効果的に抑制することができる。

【０１４５】光半導体には光を照射することが好まし
く、照射される光の波長は好ましくは２００ｎｍ〜８０
０ｎｍ、より好ましくは２５０ｎｍ〜７００ｎｍとする
のが望ましく、照射される光の強度は好ましくは０．０
１ｗ／ｍ²以上、より好ましくは０．１ｗ／ｍ²以上とす
るのが好ましい。

【０１４６】このような波長の光を放射する光源として
は、白熱球、ハロゲンランプ、蛍光燈、水銀灯その他多
くのものがあるが、低圧水銀ランプは２５０ｎｍ近傍の
波長を多く含んでおりより好ましい光源として使用する
ことができる。

【０１４７】本発明において基体の加工性を向上させる
ためにマグネシウムを含有させる事は有効である。好ま
しいマグネシウムの含有量としては、０．１ｗｔ％以上
１０ｗｔ％以下、更に好ましくは０．２ｗｔ％以上５ｗ
ｔ％以下の範囲である。

【０１４８】更に本発明では、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂ
ｅ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ等如何なる物質をアルミニウム中に含有さ
せても有効である。

【０１４９】本発明において基体の形状は任意の形状を
有し得るが、特に円筒形のものが本発明に最適である。
基体の大きさには特に制限はないが、実用的には直径２
０ｍｍ以上５００ｍｍ以下、長さ１０ｍｍ以上１０００
ｍｍ以下が好ましい。

【０１５０】本発明で用いられる感光体は、アモルファ
スシリコン感光体、セレン感光体、硫化カドミウム感光
体、有機物感光体等何れでも可能であるが、特にアモル
ファスシリコン感光体等の珪素含む非単結晶（非晶質、
微晶質、多結晶質及びそれらから選ばれるものの混合質
の総称）感光体の場合その効果が顕著である。

【０１５１】珪素含む非単結晶感光体の場合、堆積膜形
成時に使用される原料ガスとしては、シラン（Ｓｉ
Ｈ₄）、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）、四弗化珪素（Ｓｉ
Ｆ₄）、六弗化二珪素（Ｓｉ₂Ｆ₆）等のアモルファスシ
リコン形成原料ガス又はそれらの混合ガスが挙げられ
る。

【０１５２】希釈ガスとしては水素（Ｈ₂）、アルゴン
（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。

【０１５３】又、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させ
る等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ₂）、アンモニア
（ＮＨ₃）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ₂）、一酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、酸化二窒素
（Ｎ₂Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂）
等酸素原子を含む元素、メタン（ＣＨ₄）、エタン（Ｃ₂
Ｈ₆）、エチレン（Ｃ₂Ｈ₄）、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）、
プロパン（Ｃ₃Ｈ₈）等の炭化水素、四弗化ゲルマニウム
（ＧｅＦ₄）、弗化窒素（ＮＦ₃）等の弗素化合物または
これらの混合ガスが挙げられる。

【０１５４】また、本発明においては、ドーピングを目
的としてジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）、フッ化ほう素（Ｂ
Ｆ₃）、ホスフィン（ＰＨ₃）等のドーパントガスを同時
に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。

【０１５５】本発明の電子写真用感光体では、基体上に
堆積した堆積膜の総膜厚はいずれでも良いが、好ましく
は５μｍ以上１００μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ
以上７０μｍ以下、最適には１５μｍ以上５０μｍ以下
において、電子写真感光体として特に良好な画像を得る
事ができた。

【０１５６】本発明では、堆積膜の堆積中の放電空間の
圧力がいずれの領域でも効果が認められたが、特に好ま
しくは０．５ｍｔｏｒｒ以上１００ｍｔｏｒｒ以下、よ
り好ましくは１ｍｔｏｒｒ以上５０ｍｔｏｒｒ以下にお
いて、放電の安定性及び堆積膜の均一性の面で特に良好
な結果が再現性良く得られた。

【０１５７】本発明において、堆積膜の堆積時の基体温
度は、１００℃以上５００℃以下の範囲で有効である
が、特に好ましくは１５０℃以上４５０℃以下、より好
ましくは２００℃以上４００℃以下、最適には２５０℃
以上３５０℃以下の範囲とするのが望ましい。

【０１５８】本発明において、基体の加熱手段として
は、真空仕様の発熱体であれば良く、より具体的にはシ
ース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セ
ラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体
等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。
加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミ
ニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹
脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反
応容器とは別に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反
応容器内に真空中で基体を搬送する等の方法も使用する
ことができる。以上の手段を単独にまたは併用して用い
ることが本発明では可能である。

【０１５９】本発明において、プラズマを発生させるエ
ネルギーは、ＤＣ、ＲＦ、マイクロ波等いずれでも可能
であるが、特に、プラズマの発生のエネルギーにマイク
ロ波を用いた場合、基体の表面欠陥による異常成長が顕
著に現れ且つ、吸着した水分にマイクロ波が吸収され、
界面の変化がより顕著なものとなるため、本発明の効果
がより顕著なものとなる。

【０１６０】本発明において、プラズマ発生のためにマ
イクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を発生
させることができればいずれでも良いが、好ましくは１
００Ｗ以上１０ｋＷ以下、より好ましくは５００Ｗ以上
４ｋＷ以下とするのが望ましい。

【０１６１】本発明において、堆積膜形成中に放電空間
に電圧（バイアス電圧）を印加することは有効であり、
少なくとも基体に陽イオンが衝突する方向に電界が掛か
ることが好ましい。バイアスを全く掛けない場合、所望
の堆積膜が形成されない場合があるので、ＤＣ成分の電
圧が好ましくは１Ｖ以上５００Ｖ以下、より好ましくは
５Ｖ以上１００Ｖ以下であるバイアス電圧を堆積膜形成
中に印加することはより好ましい。

【０１６２】本発明において、反応容器内に誘電体窓を
用いてマイクロ波導入する場合、誘電体窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。

【０１６３】複数の基体で放電空間を取り囲む構成の堆
積膜形成方法においては基体の間隔は１ｍｍ以上、５０
ｍｍ以下が好ましい。基体の数は放電空間を形成できる
ならばいずれでも良いが３本以上、より好ましくは４本
以上が適当である。

【０１６４】本発明は、いずれの電子写真感光体製造方
法にも適用が可能であるが、特に、放電空間を囲むよう
に基体を設け、少なくとも基体の一端側から導波管によ
りマイクロ波を導入する構成により堆積膜を形成する場
合大きな効果がある。

【０１６５】図５に本発明の方法で製造された電子写真
感光体を用いた一般的な転写式電子写真装置の概略構成
例を示す。

【０１６６】図において、５０１は像担持体としての電
子写真感光体であり、これは軸５０１ａを中心として矢
印方向に所定の周速で回転駆動される。この電子写真感
光体は、その回転過程で帯電手段５０２によりその周面
に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光
部によって不図示の像露光手段により光像露光Ｌ（スリ
ット露光、レーザービーム走査露光など）を受ける。こ
れにより感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次
形成されていく。

【０１６７】この静電潜像は次いで現像手段５０４でト
ナー現像され、トナー現像像が転写手段により、不図示
の給紙部から感光体５０１と転写手段５０５との間に感
光体５０１の回転と同期取りされた転写材Ｐの表面に順
次転写されていく。

【０１６８】像転写を受けた転写材Ｐは、感光体面から
分離されて像定着手段５０８へ導入され、ここで像定着
を受けたのち複写物（コピー）として機外へプリントア
ウトされる。

【０１６９】像転写後の感光体５０１の表面は、クリー
ニング手段５０６による転写残りトナーの除去を受けて
清浄面化され、さらに前露光手段５０７により除電処理
されたのち、繰り返して像形成に使用される。

【０１７０】感光体５０１の均一帯電手段５０２として
は、コロナ帯電装置が一般に広く使用されている。また
転写装置５０５にもコロナ帯電装置が一般に広く使用さ
れている。電子写真装置として、上述の感光体や現像手
段、クリーニング手段などの構成要素のうち、複数のも
のを装置ユニットとして一体に結合して構成し、このユ
ニットを装置本体に対して着脱自在の構成にしてもよ
い。この場合、上記の装置ユニットの方に帯電手段及び
（または）現像手段を伴って構成しても良い。

【０１７１】光像露光Ｌは、電子写真装置を複写機やプ
リンタとして使用する場合には、原稿からの反射光や透
過光であってもよく、あるいは原稿を読みとって信号化
した信号によるレーザービームの走査、ＬＥＤアレーの
駆動、または液晶シャッターアレイの駆動などによって
得られたものであってもよい。

【０１７２】ファクシミリのプリンターとして使用する
場合には、光像露光Ｌは受信データをプリントするため
の露光になる。図６はこの場合の１例をブロック図で示
したものである。

【０１７３】コントローラ６１１は画像読取部６１０と
プリンター６１９を制御する。コントローラ６１１全体
はＣＰＵ６１７により制御されている。画像読取部６１
０からの読取データは、送信回路６１３を通して相手局
に送信される。相手局から受けたデータは受信回路６１
２を通してプリンター６１９に送られる。画像メモリ６
１６には所定の画像データが記憶される。プリンタコン
トローラ６１８はプリンター６１９を制御している。６
１４は電話である。

【０１７４】回線６１５から受信された画像情報（回線
を介して接続されたリモート端子からの画像情報）は、
受信回路６１２で復調された後、ＣＰＵ６１７で復号処
理が行われ、順次画像メモリ６１６に格納されると、そ
のページの画像記録を行う。ＣＰＵ６１７は、メモリ６
１６より１ページ分の画像情報を読出し、プリンタコン
トローラ６１８に復号された１ページの画像情報を送出
する。プリンタコントローラ６１８は、ＣＰＵ６１７か
らの１ページの画像情報を受け取ると、そのページの画
像情報記録を行うようにプリンターを制御する。

【０１７５】なお、ＣＰＵ６１７は、プリンター６１９
による記録中に、次のページの画像情報を受信してい
る。

【０１７６】以上のようにして、画像の受信と記録が行
われる。

【０１７７】本発明の方法で製造された電子写真感光体
は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービ
ームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンタ
ー、液晶プリンター、レーザー製版機などの電子写真応
用分野にも広く用いることができる。

【０１７８】以下、本発明の効果を、実験例を用いて具
体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定され
るものではない。

【０１７９】〔実験例１〕洗浄工程の水中に溶解する二
酸化炭素の量を変化させて画像欠陥の発生と相関を調べ
た。

【０１８０】珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミ
ニウムを主成分とする直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電
子写真用感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で
表面の切削を行った。

【０１８１】切削工程終了１５分後に図１に示す表面処
理装置により、表１に示す条件により洗剤（非イオン性
界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水に
よる洗浄、を行い乾燥には二酸化炭素を溶解した温水に
より引き上げ乾燥を行った。乾燥で使用する温水は抵抗
率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解する事に
より導電率を２５μＳ／ｃｍに固定して行った。また、
この時二酸化炭素を溶解した洗浄工程の水としては抵抗
率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解する事に
より導電率を１μＳ／ｃｍから５０μＳ／ｃｍにした水
を用いた。

【０１８２】洗浄工程の循環用の貯槽の内部には光半導
体としてＴｉＯ₂を溶射したセラミックボールを沈め外
部より蛍光灯の光（図示せず）を照射した。

【０１８３】更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を
用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン
堆積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写
真感光体を作製した。図７において、７０１、７０２、
７０３及び７０４は、それぞれアルミニウム基体、電荷
注入阻止層、光導電層及び表面層を示している。

【０１８４】この様にして作成した電子写真感光体の電
子写真的特性の評価を以下のようにして行った。作成し
た電子写真感光体を実験用に予めプロセススピードを２
００〜８００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で任意に変更できるよ
うに改造を行ったキヤノン社製複写機、ＮＰ６０６０に
いれ、帯電器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコロナ帯電
を行い、通常の複写プロセスにより転写紙上に画像を作
製し、下の手順により画像性の評価を行った。このよう
にして同一作製条件で製造した電子写真感光体を各１０
本づつ評価を行い、評価結果を表３に示した。

【０１８５】画像欠陥の評価プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿及び文字
原稿を原稿台に置いてコピーした時に得られた画像サン
プル中で一番画像欠陥の多く現れる画像サンプルを選び
評価を行った。評価の方法としては画像サンプル上を拡
大鏡で観察し同一面積内にある白点の状態により評価を
行った。 ◎…良好。 ○…一部微小な白点有り。 △…全面に微小な白点があるが文字の認識には支障無
し。 ×…白点が多い為一部文字が読みにくい部分が有る。

【０１８６】黒しみの評価プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿を原稿台
に置いて得られた画像の平均濃度が０．４±０．１にな
るように画像を出力した。このようにして得られた画像
サンプル中で一番しみの目立つものを選び評価を行っ
た。評価の方法としてはこれらの画像を目より４０ｃｍ
離れたところで観察して、黒しみが認められるか調べ、
以下の基準で評価を行った。 ◎…いずれのコピー上にも黒しみは認められない。 ○…わずかに黒しみが認められるものがあった。しかし
軽微であり全く問題無し。 △…いずれのコピー上にも黒しみが認められる。しかし
軽微であり実用上支障ない。 ×…全数のコピー上に大きな黒しみが認められる。

【０１８７】電子写真特性の評価通常のプロセススピードで同一の帯電電圧を与えたとき
に現像位置で得られる感光体の表面電位を帯電能として
相対値により評価する。但し、比較実験例１で得られた
電子写真感光体の帯電能を１００％としている。

【０１８８】電子写真特性の評価通常のプロセススピードで同一の帯電電圧を与えた後、
光を照射し一定の電位に下がった時に得られる光量を感
度として相対値により評価する。但し、比較実験例１で
得られた電子写真感光体の帯電能を１００％としてい
る。

【０１８９】藻類や細菌類の発生状況の評価１ヶ月連続で液を交換せず補充のみ行い洗浄を行った後
の藻類や細菌類の発生状況を評価した。 ○…全く発生していない。 △…多少発生している（水の滞留し易い部分にのみ発
生）。 ×…沢山発生している（水が流れている部分においても
発生）。

【０１９０】〔比較実験例１〕実験例１と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウム基体を同様の
手順で切削を行った。

【０１９１】切削が終了した基体は、図８に示す基体表
面洗浄装置により表４の条件で基体表面の処理を行っ
た。図８に示す基体洗浄装置は、処理槽８０２と基体搬
送機構８０３を有す。処理槽８０２は、基体投入台８１
１、基体洗浄槽８２１、基体搬出台８５１を有す。洗浄
槽８２１は液の温度を一定に保つための温度調節装置
（図示せず）が付いている。搬送機構８０３は、搬送レ
ール８６５と搬送アーム８６１よりなり、搬送アーム８
６１は、レール８６５上を移動する移動機構８６２、基
体８０１を保持するチャッキング機構８６３、及びこの
チャッキング機構８６３を上下させるためのエアーシリ
ンダー８６４を有する。

【０１９２】切削後、投入台上８１１に置かれた基体８
０１は、搬送機構８０３により洗浄槽８２１に搬送され
る。洗浄槽８２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ旭化成工業社製）８２２により表面に付着し
ている切削油及び切り粉を除去するための洗浄が行われ
る。つまり、この比較例では二酸化炭素を溶解した水を
洗浄液として使用しなかった場合の例である。

【０１９３】洗浄後、基体８０１は、搬送機構８０３に
より搬出台８５１に運ばれる。

【０１９４】更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を
用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン
堆積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写
真感光体を作製した。

【０１９５】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を比較実験例１とし
て同じく表３に示す。

【０１９６】〔比較実験例２〕実験例１と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウム基体を同様の
手順で切削後、切削工程終了後１５分後に表５に示す条
件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び
純水による洗浄と乾燥を行った。

【０１９７】洗浄工程の循環用の貯槽の内部には光半導
体としてＴｉＯ₂を溶射したセラミックボールを沈め外
部より蛍光灯の光（図示せず）を照射した。

【０１９８】更にその後、図に示す堆積膜形成装置を用
い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆
積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写真
感光体を作製した。

【０１９９】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を比較実験例２とし
て同じく表３に示す。

【０２００】〔比較実験例３〕実験例１と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウム基体を同様の
手順で切削後、切削工程終了後１５分後に表６に示す条
件により実験例１と同様の手順で洗浄と乾燥を行った。
但し光半導体は用いなかった。

【０２０１】更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を
用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン
堆積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写
真感光体を作製した。

【０２０２】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を比較実験例３とし
て同じく表３に示す。

【０２０３】表３より明らかなように、本発明による電
子写真感光体製造方法で作成した電子写真感光体は、洗
浄工程で二酸化炭素を溶解した水の導電率が２μＳ／ｃ
ｍから４０μＳ／ｃｍで、特に６μＳ／ｃｍから２５μ
Ｓ／ｃｍの範囲で非常に良好な結果が得られた。また一
定の値以上の二酸化炭素を溶解した水と光半導体を用い
る事により藻類や細菌類の発生を抑える事が出来た。

【０２０４】〔実験例２〕珪素原子の含有量を変化させ
たアルミニウム基体を実験例１と同様の手順で切削後、
切削工程終了後１５分後に図１に示す表面処理装置を用
い、表７に示す条件により二酸化炭素を溶解する水によ
る洗浄を行った。但しこの時洗浄工程の水としては抵抗
率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解すること
により導電率を１５μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ５．５にし
た水を用いた。

【０２０５】乾燥には温水による引き上げ乾燥を行っ
た。乾燥に使用する温水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍ
の純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電率を２
５μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．０にした温水を用いた。
更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を用い、表２の
条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成
を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作
製した。

【０２０６】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を実験例２として表
９に示す。表９により明らかなように、本発明による電
子写真感光体製造方法で作製した電子写真感光体は基体
のアルミニウム中に珪素原子を１ｐｐｍから１ｗｔ％含
有した範囲で画像欠陥について非常に良好な効果が得ら
れた。

【０２０７】〔実験例３〕実験例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表８に示す条件により基体表面の
前処理を行った。

【０２０８】更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を
用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン
堆積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写
真感光体を作製した。

【０２０９】本実験例では、二酸化炭素を溶解した水に
よる洗浄工程で使用する純水の水質（抵抗率）を変化さ
せ電子写真感光体を作製した。このようにして得られた
電子写真感光体をキヤノン社製複写機ＮＰ６０６０改造
機にいれ、実験例１と同様の手順で同様の評価を行っ
た。評価としては同一の作製条件で作製した電子写真感
光体を各１０本づつ評価し、得られた評価結果を表１０
に示した。

【０２１０】また比較実験例１、２及び３で作製した電
子写真感光体も同様の評価を行い表１０に比較実験例
１、比較実験例２、及び比較実験例３として同時に示
す。但し、表中のコストについては以下の基準で評価を
行った。

【０２１１】コストの評価必要な洗浄液を必要量得る場合、通常の水（水道水を）
２週間に１回全溶液（洗浄用、乾燥用を含む）を交換し
た場合にかかるコストを１として、以下のように評価し
た。 ◎…非常に安価に手にはいる（１．０以下）。 ○…安価に手にはいる（１．２〜１．０）。 △…やや高価である（１．５〜１．２）。 ×…高価である（１．５以上）。

【０２１２】表１０より明らかなように、二酸化炭素を
溶解した水による洗浄工程で使用する純水の抵抗率が二
酸化炭素を溶解前に１ＭΩ−ｃｍ以上のとき本発明の電
子写真感光体製造方法により作製した電子写真感光体は
画像性について非常に良好な結果が得られた。また一定
の値以上の二酸化炭素を溶解した水と光半導体を用いる
事により藻類や細菌類の発生を抑える事が出来た。

【０２１３】〔実験例４〕実験例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表８に示す条件により基体表面の
前処理を行った。その際に循環用の配管を１ｍから３０
ｍまで変化させ、各、長さでそれぞれ１０００本洗浄を
行った後に洗浄工程中に発生する藻類や細菌類の発生状
況の評価を実験例１と同様の方法で評価した結果を表１
１に示す。

【０２１４】〔比較実験例４〕実験例１と同様の基体を
同様の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に
示す表面処理装置により、表１２に示す条件により洗剤
（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び純水による洗
浄を行った。実験例４と同様に配管を１ｍから３０ｍま
で変化させ、各、長さでそれぞれ１０００本洗浄を行っ
た後に洗浄工程中に発生する藻類や細菌類の発生状況の
評価を実験例１と同様の方法で評価した結果を実験例４
と同様に比較実験例４として表１１に示す。

【０２１５】〔比較実験例５〕実験例１と同様の基体を
同様の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に
示す表面処理装置により、表６に示す条件により洗浄を
行った。実験例４と同様に配管を１ｍから３０ｍまで変
化させ、各、長さでそれぞれ１０００本洗浄を行った後
に洗浄工程中に発生する藻類や細菌類の発生状況の評価
を実験例１と同様の方法で評価した結果を実験例５と同
様に比較実験例５として表１１に示す。

【０２１６】表１１より明らかなように二酸化炭素と光
半導体を併用した洗浄工程においては配管の長さに関係
なく藻類や細菌類の繁殖を抑える事ができる。また一定
の値以上の二酸化炭素を溶解した水と光半導体を用いる
事により光半導体からの距離に関係なく藻類や細菌類の
発生を抑える事が出来た。

【０２１７】次に、本発明の実施例及び比較例により更
に具体的に説明する。

【０２１８】〔実施例１〕珪素原子を１００ｐｐｍ含有
したアルミニウムを主成分とする直径１０８ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明
による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の
手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分後に図１
に示す表面処理装置により、表１３に示す条件により基
体表面の処理を行った。但し洗剤としては、非イオン性
界面活性剤と陰イオン性界面活性剤の混合したものを用
い、循環用の配管の長さは５ｍとした。

【０２１９】洗浄工程の循環用の貯槽の内部には光半導
体としてＴｉＯ₂を溶射したセラミックボールを沈め外
部より蛍光灯の光（図示せず）を照射した。

【０２２０】更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を
用い、表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン
堆積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子写
真感光体を作製した。

【０２２１】この様にして作成した電子写真感光体の電
子写真的特性の評価を以下のようにして行った。但し、
同一成膜条件で作製した感光体を各１０本づつ評価を行
った。

【０２２２】作成した電子写真感光体の外観を目視によ
り膜はがれを観察し評価した後、キヤノン社製複写機Ｎ
Ｐ６０６０を実験用に改造した複写装置にいれ、通常の
複写プロセスにより転写紙上に画像を作製し、画像性の
評価を行った。但し、この時、帯電器に６ｋＶの電圧を
印加してコロナ帯電を行った。これらの評価結果を「本
発明」として表１４に示した。

【０２２３】画像欠陥の評価実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０２２４】黒しみの評価実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０２２５】電子写真特性の評価実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０２２６】水藻、又は殺菌の発生状況の評価実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。画像むらの評価Ａ３方眼紙（コクヨ社製）を複写機の原稿台に置き、複
写機の絞りを変える事により原稿の露光量を、グラフの
線が辛うじて認められる程度から白地の部分がかぶり始
める程度迄の範囲の画像が得られるように変え、濃度の
異なる１０枚のコピーを出力した。

【０２２７】これらの画像を目より４０ｃｍ離れたとこ
ろで観察して、濃度の違いが認められるか調べ、以下の
基準で評価を行った。 ◎…いずれのコピー上にも画像のむらは認められない。 ○…画像むらが認められるコピーと認められないコピー
がある。しかし、いずれも軽微でありまったく問題無
い。 △…いずれのコピー上にも画像むらが認められる。しか
し少なくとも１枚のコピー上では画像むらが軽微であり
実用上支障ない。 ×…全数のコピー上に大きな画像むらが認められる。

【０２２８】白地かぶりの評価白地に全面文字よりなる通常の原稿を原稿台に置いてコ
ピーした時得られた画像サンプルを観察し、白地の部分
のかぶりを評価した。 ◎…良好。 ○…一部僅かにかぶりあり。 △…全面に渡りかぶりあるが文字の認識には全く支障無
し。 ×…かぶりのため文字が読みにくい部分がある。

【０２２９】〔比較例１〕珪素元素を含有しないアルミ
ニウム実施例１と同様の基体を同様の手順で切削後、図
８に示す従来の基体表面の洗浄装置を用いて、表４に示
す条件により基体表面の洗浄を行った。

【０２３０】更にその後、図９で示す堆積膜形成装置を
用い、表１５の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に、図７に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２３１】図９にはＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成装置が示されている。図９において、９０１は反
応容器、９０２はベースプレート、９０３は壁、９０４
はトッププレート、９０５はカソード電極、９０６は基
体、９０７は原料ガス流入バルブ、９０８はリークバル
ブ、９０９は排気バルブ、９１０は真空計、９１１はマ
スフローコントローラー、９１２はヒーター、９１３は
高周波電源、９１４はモーターである。

【０２３２】反応容器９０１はベースプレート９０２、
壁９０３、トッププレート９０４で構成され、内部の気
体は排気バルブ９０９を介して真空ポンプ（不図示）に
より排出される。高周波電源９１３からの電力は一方は
反応容器９０１内に設置された基体９０６に、他方は該
基体９０６に対向して設けられたカソード電極９０５に
電気的に接続され、基体９０６とカソード電極９０５と
の間でグロー放電を生じせしめ、マスフローコントロー
ラー９１１によって流量を調整され、原料ガス流入バル
ブ９０７を介して反応容器９０１内に供給された原料ガ
スを分解してヒーター９１２によって所定温度に加熱さ
れた基体９０６上に所望の堆積膜を形成する。

【０２３３】堆積膜形成後、リークバルブ９０８より気
体をリークして基体９０６を取り出す。

【０２３４】この様にして得られた電子写真感光体につ
いて実施例１と同様の評価を行い、結果を「比較例１」
として表１４に示す。

【０２３５】〔比較例２〕珪素原子を含有しないアルミ
ニウム基体を実施例１と同様の手順で切削後、図１０に
示す基体表面の水洗浄装置を用いて、基体表面の洗浄を
行った。図１０に示す基体洗浄装置は、基体１００１を
固定し回転させるための回転軸１００２、基体に洗浄液
を噴出するための噴射器１００３、ノズル１００４を有
する。

【０２３６】本比較例ではこの洗浄装置を用い、表１６
に示す条件により純水になる基体表面の洗浄を行った。

【０２３７】更にその後、図９で示す堆積膜形成装置を
用い、表１５の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に、図７に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２３８】この様にして得られた電子写真用感光体に
ついて実施例１と同様の評価を行い、結果を「比較例
２」として表１４に示す。

【０２３９】本発明の電子写真用感光体製造方法により
製造した電子写真用感光体は、比較例の方法により製造
した電子写真感光体に比べ成膜条件が基体表面の水分の
影響を受けやすい堆積方法を用いたにもかかわらず表に
示されるいずれの項目においても非常に良好な結果が得
られた。

【０２４０】〔実施例２〕実施例１とは電子写真感光体
の層構成を変え、本発明の電子写真用感光体の製造方法
により電子写真用感光体を製造した。実施例１と同様の
基体を同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図
１に示す表面処理装置を用いて、表１３に示す条件によ
り基体表面の処理を行った。

【０２４１】更にその後、図２に示す堆積膜形成装置を
用い、表１７の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、図１１に示す層構成の阻止型電
子写真感光体を作製した。

【０２４２】図１１において、１１０１はアルミニウム
基体、１１０５は赤外線吸収層、１１０２は電荷注入阻
止層、１１０３は光導電層、１１０４は表面層を示して
いる。

【０２４３】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果、本実施例におい
ても、本発明の電子写真用感光体製造方法で製造した電
子写真用感光体は、実施例１と同様、いずれの項目でも
非常に良好な結果が得られた。

【０２４４】〔実施例３〕実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表１３に示す条件により基体表面
の処理を行った。

【０２４５】更にその後、図９に示す堆積膜形成装置を
用い、表１５の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、図７に示す層構成の阻止型電子
写真感光体を作製した。

【０２４６】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果、本実施例におい
ても、本発明の電子写真用感光体製造方法で作成した電
子写真用感光体は、実施例１と同様いずれの項目でも非
常に良好な結果が得られた。

【０２４７】〔実施例４〕実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表１３に示す条件により基体表面
の処理を行った。

【０２４８】更にその後、基体上に有機光半導体の感光
層の形成を行い電子写真用感光体を作製した。

【０２４９】こうして得られた電子写真感光体はアモル
ファスシリコン感光体の場合と同様、本発明を用いない
場合に比べ画像性で良好な結果が得られた。

【０２５０】〔実施例５〕実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表１３に示す条件により基体表面
の処理を行った。

【０２５１】更にその後、基体上にセレンの感光層の形
成を行い電子写真用感光体を作成した。

【０２５２】こうして得られた電子写真感光体はアモル
ファスシリコン感光体の場合と同様、本発明を用いない
場合に比べ画像性で良好な結果が得られた。

【０２５３】〔実施例６〕実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表１３に示す条件により基体表面
の処理を行った。

【０２５４】但し、洗浄工程に用いる光半導体として
は、ＴｉＯ₂の代わりにＣｄＳを用いた。

【０２５５】こうして作成した電子写真感光体を実施例
１と同様の方法で評価し実施例１と比較した結果を実施
例６として表１８に示す。表１８より明らかなように光
半導体にＣｄＳを用いても良好な結果が得られた。

【０２５６】〔実施例７〕実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表１３に示す条件により基体表面
の処理を行った。

【０２５７】但し、洗浄工程に用いる光半導体として
は、ＴｉＯ₂の代わりにＳｉを用いた。

【０２５８】こうして作成した電子写真感光体を実施例
１と同様の方法で評価し実施例１と比較した結果を実施
例６と同様に表１８に示す。表１８より明らかなように
光半導体にＳｉを用いても良好な結果が得られた。

【０２５９】

【表１】

【０２６０】

【表２】

【０２６１】

【表３】

【０２６２】

【表４】

【０２６３】

【表５】

【０２６４】

【表６】

【０２６５】

【表７】

【０２６６】

【表８】

【０２６７】

【表９】

【０２６８】

【表１０】

【０２６９】

【表１１】

【０２７０】

【表１２】

【０２７１】

【表１３】

【０２７２】

【表１４】

【０２７３】

【表１５】

【０２７４】

【表１６】

【０２７５】

【表１７】

【０２７６】

【表１８】

【０２７７】

【発明の効果】上記したように本発明の電子写真用感光
体の製造方法及び該感光体に用いられる基体の洗浄方法
は、溶剤を使用しないので作業者及び自然環境に対する
負荷を軽減することが可能で、しかも低コストで安定し
た洗浄を行うことが可能であり、安価で高品質でバラツ
キがない優れた特性を有する電子写真感光体を提供する
ことができる。

【０２７８】また、本発明は、光半導体を二酸化炭素を
溶解した洗浄用の水に浸漬しているので、洗浄用の水を
循環系としても藻類や細菌類の繁殖を抑えることがで
き、洗浄用の水の交換回数を減らすことが可能になり、
水の使用量を激減させ、汚染水の処理を含めた自然環境
に対する負荷を一層低減することを可能とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の前処理工程を説明するための模式的構
成図である。

【図２】マイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ装置を説明
するための模式的構成図で、（ａ）は模式的側断面図、
（ｂ）は模式的横断面図である。

【図３】本発明に適用可能な光半導体を有するセラミッ
クボールの層構成の一例を説明するための模式的断面図
である。

【図４】本発明に適用可能な光半導体を有するセラミッ
クボールの層構成の一例を説明するための模式的断面図
である。

【図５】電子写真装置の主要部の概略的構成図である。

【図６】電子写真装置をファクシミリ用プリンターに適
用した場合の概略的ブロック構成図である。

【図７】電子写真用感光体の感光層の層構成の一例を説
明するための模式的断面図である。

【図８】基体洗浄を行う洗浄装置の一例を説明するため
の模式的構成図である。

【図９】ＲＦ波を用いたプラズマＣＶＤ装置を説明する
ための模式的構成図である。

【図１０】基体洗浄を行う洗浄装置の一例を説明するた
めの模式的構成図である。

【図１１】電子写真感光体の感光層の層構成の一例を説
明するための模式的断面図である。

【符号の説明】

１０１基体１０２前処理装置１１１基体投入台１２１第１洗浄槽１２２第１洗浄液１３１第２洗浄槽１３２第２洗浄液１３３ポンプ１３４管１３５管１３６貯槽１３７光半導体１４１乾燥槽１４２乾燥用水１４３ポンプ１４４管１４５管１４６貯槽１４７光半導体１５１基体搬出台１６０基体搬送機構１６１搬送アーム１６２移動機構１６３チャッキング機構１６４エアーシリンダー１６５搬送レール１７２基材１７２光半導体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウムを主成分とする基体の表面
を、光半導体が接触された二酸化炭素を溶解した水を用
いて洗浄する工程と、該洗浄された基体の表面上に感光
層を形成する工程とを有することを特徴とする電子写真
感光体の製造方法。
【請求項２】前記感光層は無機系感光層である請求項
１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項３】前記感光層は有機系感光層である請求項
１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項４】前記感光層は非単結晶材料で構成された
層を有する請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項５】前記非単結晶材料はシリコンを母体とす
る非晶質材料を有する請求項４に記載の電子写真用感光
体の製造方法。
【請求項６】前記感光層は光導電層を有する請求項１
に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項７】前記感光層は電荷注入層、表面層、赤外
線吸収層から選ばれる少なくとも一層を有する請求項１
に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項８】前記感光層は電荷発生層及び電荷輸送層
を有する請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項９】前記感光層はプラズマＣＶＤ法によって
形成される請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項１０】前記感光層はマイクロ波を用いてプラ
ズマを生起させるマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって
形成される請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項１１】前記感光層はディッピングによって形
成される請求項３に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項１２】前記洗浄工程の前に水を用いた前洗浄
工程を有する請求項１に記載の電子写真用感光体の製造
方法。
【請求項１３】前記洗浄工程の後に乾燥工程を有する
請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項１４】前記洗浄工程は複数有する請求項１に
記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項１５】前記洗浄工程の前に前記基体の切削工
程を有する請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項１６】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水の温度は５℃以上９０℃以下である請求項１に
記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項１７】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水の導電率は２５℃において２μＳ／ｃｍ以上、
４０μＳ／ｃｍ以下である請求項１に記載の電子写真用
感光体の製造方法。
【請求項１８】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水のｐＨは３．８以上、６．０以下である請求項
１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項１９】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水は二酸化炭素を飽和溶解度の７０％以下含む請
求項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項２０】前記水は２Ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、３
０Ｋｇ・ｆ／ｃｍ²以下の水圧で前記基体に噴射される
請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項２１】前記水は撹拌される請求項１に記載の
電子写真用感光体の製造方法。
【請求項２２】前記撹拌は超音波の付与、水流、バブ
リングから選択される少なくとも一つの方法によって成
される請求項２１に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項２３】前記水と前記基体との接触時間は１０
秒以上、３０分以下である請求項１に記載の電子写真用
感光体の製造方法。
【請求項２４】前記乾燥工程は二酸化炭素を溶解した
水を有する請求項１３に記載の電子写真用感光体の製造
方法。
【請求項２５】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水の温度は３０℃以上９０℃以下である請求項２
４に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項２６】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水の導電率は２５℃において５μＳ／ｃｍ以上、
４０μＳ／ｃｍ以下である請求項２４に記載の電子写真
用感光体の製造方法。
【請求項２７】前記乾燥工程における二酸化炭素を
溶解した水のｐＨは３．８以上、６．０以下である請求
項２４に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項２８】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水は二酸化炭素を飽和溶解度の７０％以下含む請
求項２４に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項２９】前記乾燥工程における前記水からの引
き上げ速度は１００ｍｍ／ｍｉｎ以上、２０００ｍｍ／
ｍｉｎ以下である請求項２４に記載の電子写真用感光体
の製造方法。
【請求項３０】前記光半導体はＳｉＣ、ＧａＡｓ、Ｃ
ｄＳ、ＣｄＳｅ、ＴｉＯ₂ 、Ｓｉ、ＳｒＴｉＯ₂ 、ＷＯ
₃ からなる群から少なくとも１つ選択される請求項１に
記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項３１】前記光半導体はセラミック、ガラス、
樹脂、金属から成る群から選択される基材上に設けられ
る請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項３２】前記光半導体の層厚は１μｍ〜１ｍｍ
の範囲である請求項１に記載の電子写真用感光体の製造
方法。
【請求項３３】前記光半導体の水との接触面積は１４
００ｍｍ² ／ｌ以上とされる請求項Λに記載の電子写真
用感光体の製造方法。
【請求項３４】前記光半導体は前記水を貯溜する貯槽
内に配される請求項１に記載の電子写真用感光体の製造
方法。
【請求項３５】前記光半導体は前記水の経路内に配さ
れる請求項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項３６】前記光半導体は更に光照射される請求
項１に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項３７】前記光照射される光の波長は２００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの範囲である請求項１に記載の電子写真
用感光体の製造方法。
【請求項３８】前記水は光半導体と接触されている請
求項２４に記載の電子写真用感光体の製造方法。
【請求項３９】前記光半導体は前記水の経路中に配さ
れている請求項３８に記載の電子写真用感光体の製造方
法。
【請求項４０】前記光半導体は基材上に中間層を介し
て設けられる請求項１に記載の電子写真用感光体の製造
方法。
【請求項４１】アルミニウムを主成分とする基体の表
面を、光半導体が接触された二酸化炭素を溶解した水を
用いて洗浄することを特徴とする電子写真用感光体に用
いられる基体の洗浄方法。
【請求項４２】前記洗浄工程の前に水を用いた前洗浄
工程を有する請求項４１に記載の電子写真用感光体に用
いられる基体の洗浄方法。
【請求項４３】前記洗浄工程の後に乾燥工程を有する
請求項４１に記載の電子写真用感光体に用いられる基体
の洗浄方法。
【請求項４４】前記洗浄工程は複数有する請求項４１
に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄方
法。
【請求項４５】前記洗浄工程の前に前記基体の切削工
程を有する請求項４１に記載の電子写真用感光体に用い
られる基体の洗浄方法。
【請求項４６】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水の温度は５℃以上９０℃以下である請求項４１
に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄方
法。
【請求項４７】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水の導電率は２５℃において２μＳ／ｃｍ以上、
４０μＳ／ｃｍ以下である請求項４１に記載の電子写真
用感光体に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項４８】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水のｐＨは３．８以上、６．０以下である請求項
４１に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄
方法。
【請求項４９】前記洗浄工程における二酸化炭素を溶
解した水は二酸化炭素を飽和溶解度の７０％以下含む請
求項４１に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の
洗浄方法。
【請求項５０】前記水は２Ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、３
０Ｋｇ・ｆ／ｃｍ²以下の水圧で前記基体に噴射される
請求項４１に記載の電子写真用感光体に用いられる基体
の洗浄方法。
【請求項５１】前記水は撹拌される請求項４１に記載
の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項５２】前記撹拌は超音波の付与、水流、バブ
リングから選択される少なくとも一つの方法によって成
される請求項５１に記載の電子写真用感光体に用いられ
る基体の洗浄方法。
【請求項５３】前記水と前記基体との接触時間は１０
秒以上、３０分以下である請求項４１に記載の電子写真
用感光体に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項５４】前記乾燥工程は二酸化炭素を溶解した
水を有する請求項４３に記載の電子写真用感光体に用い
られる基体の洗浄方法。
【請求項５５】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水の温度は３０℃以上９０℃以下である請求項５
４に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄方
法。
【請求項５６】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水の導電率は２５℃において５μＳ／ｃｍ以上、
４０μＳ／ｃｍ以下である請求項５４に記載の電子写真
用感光体に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項５７】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水のｐＨは３．８以上、６．０以下である請求項
５４に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄
方法。
【請求項５８】前記乾燥工程における二酸化炭素を溶
解した水は二酸化炭素を飽和溶解度の７０％以下含む請
求項５４に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の
洗浄方法。
【請求項５９】前記乾燥工程における前記水からの引
き上げ速度は１００ｍｍ／ｍｉｎ以上、２０００ｍｍ／
ｍｉｎ以下である請求項５４に記載の電子写真用感光体
に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項６０】前記光半導体はＳｉＣ、ＧａＡｓ、Ｃ
ｄＳ、ＣｄＳｅ、ＴｉＯ₂ 、Ｓｉ、ＳｒＴｉＯ₂ 、ＷＯ
₃ からなる群から少なくとも１つ選択される請求項４１
に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗浄方
法。
【請求項６１】前記光半導体はセラミック、ガラス、
樹脂、金属から成る群から選択される基材上に設けられ
る請求項４１に記載の電子写真用感光体に用いられる基
体の洗浄方法。
【請求項６２】前記光半導体の層厚は１μｍ〜１ｍｍ
の範囲である請求項４１に記載の電子写真用感光体に用
いられる基体の洗浄方法。
【請求項６３】前記光半導体の水との接触面積は１４
００ｍｍ² ／ｌ以上とされる請求項４１に記載の電子写
真用感光体に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項６４】前記光半導体は前記水を貯留する貯槽
内に配される請求項４１に記載の電子写真用感光体に用
いられる基体の洗浄方法。
【請求項６５】前記光半導体は前記水の経路内に配さ
れる請求項４１に記載の電子写真用感光体に用いられる
基体の洗浄方法。
【請求項６６】前記光半導体は更に光照射される請求
項４１に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の洗
浄方法。
【請求項６７】前記光照射される光の波長は２００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの範囲である請求項４１に記載の電子写
真用感光体に用いられる基体の洗浄方法。
【請求項６８】前記水は光半導体と接触されている請
求項５４に記載の電子写真用感光体に用いられる基体の
洗浄方法。
【請求項６９】前記光半導体は前記水の経路中に配さ
れている請求項６８に記載の電子写真用感光体に用いら
れる基体の洗浄方法。
【請求項７０】前記光半導体は基材上に中間層を介し
て設けられる請求項４１に記載の電子写真用感光体に用
いられる基体の洗浄方法。