JP3102721B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム基体上に
機能性膜を形成した電子写真感光体の製造方法に関し、
特に、珪素元素を含有したアルミニウム基体上にプラズ
マＣＶＤ法により珪素原子と水素原子を含む非単結晶堆
積膜を機能性膜として形成した電子写真感光体の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の堆積膜を形成するため
の基体としては、ガラス、耐熱性合成樹脂、ステンレ
ス、アルミニウムなどが提案されている。しかし、実用
的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった
電子写真プロセスに耐え、また画質を落とさないために
常に位置精度を高く保つため、金属を使用する場合が多
い。中でもアルミニウムは加工性が良好で、コストが低
く、重量が軽い点から電子写真感光体の基体として最適
な材料の１つである。

【０００３】電子写真感光体の基体の材質に関する技術
が、特開昭５９−１９３４６３号公報、特開昭６０−２
６２９３６号公報に記載されている。特開昭５９−１９
３４６３号公報には、支持体をＦｅ含有率が２０００ｐ
ｐｍ以下のアルミニウム合金にすることにより、良好な
画質のアモルファスシリコン電子写真感光体を得る技術
が開示されている。更に、該公報中では円筒状（シリン
ダー状）基体を基盤により切削を行い鏡面加工した後、
グロー放電によりアモルファスシリコンを形成するまで
の手順が開示されている。特開昭６０−２６２９３６号
公報には、Ｍｇを３．０〜６．０ｗｔ％を含有し、不純
物として、Ｍｎを０．３ｗｔ％以下、Ｃｒを０．０１ｗ
ｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、Ｓｉを０．１２
ｗｔ％以下に抑制し、残部Ａｌからなるアモルファスシ
リコンの蒸着性に優れた押し出しアルミニウム合金が開
示されている。しかし、これらの公報には特定の成分を
含む水による洗浄方法についての記載はない。

【０００４】電子写真感光体の基体の加工方法に関する
技術が、特開昭６１−１７１７９８号公報に記載されて
いる。該公報には、特定の成分による切削油を使用し、
基体を切削することにより良好な品質のアモルファスシ
リコン等の電子写真感光体を得る技術が開示されてい
る。また該公報中に切削後、基体をトリエタン（トリク
ロルエタン：Ｃ₂ Ｈ₃ Ｃｌ₃ ）で洗浄することが記載さ
れている。

【０００５】電子写真感光体の基体の表面処理に関する
技術として、特開昭５８−０１４８４１号公報、特開昭
６１−２７３５５１号公報、特開昭６３−２６４７６４
号公報、特開平１−１３０１５９号公報が提案されてい
る。

【０００６】特開昭５８−０１４８４１号公報には、ア
ルミニウム支持体表面の自然酸化物皮膜を除去した後、
温度６０℃以上の水中に浸漬して均一な酸化物皮膜を得
る技術が開示されている。

【０００７】特開昭６１−２７３５５１号公報には、Ｓ
ｅ等をアルミニウム基体上に蒸着して電子写真感光体を
作る際に、基体の前処理として、アルカリ洗浄、トリク
レン洗浄、水銀ランプによる紫外線照射洗浄の技術が挙
げられ、また、紫外線照射洗浄の前処理として円筒状ア
ルミニウム基体の表面に付着した油脂除去のため液体脱
脂洗浄、蒸気脱脂洗浄及び純水洗浄を行うことが記載さ
れている。

【０００８】特開昭６３−２６４７６４号公報には、水
ジェットにより基体表面を粗面化する技術が開示されて
いる。

【０００９】特開平１−１３０１５９号公報には、水ジ
ェットにより電子写真感光体支持体を洗浄する技術が開
示されている。該公報には感光体の例として、Ｓｅ、有
機光導電体と同時にアモルファス珪素が挙げられている
が、プラズマＣＶＤ法特有の問題点については全く触れ
られていない。

【００１０】一方、電子写真感光体以外の基体の前処理
方法として、特開昭６０−８７６号公報には、ウエーハ
面上に静電気による放電破壊が生じないように、超純水
に炭酸ガスを吹き込む技術が開示されている。しかし、
この技術はウエーハの様に高抵抗な基体に発生する静電
気に対する対策であり、アルミニウムのような導電性の
基体については全く触れられていない。

【００１１】電子写真感光体に用いる素子部材の技術と
しては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、アモル
ファスシリコン、フタロシアニン等の有機物など各種の
材料が提案されている。中でも、アモルファスシリコン
に代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積
膜、例えば水素及び（または）ハロゲン（例えば弗素、
塩素等）で補償されたアモルファスシリコン等のアモル
ファス堆積膜は高性能、高耐久性、無公害の感光体とし
て提案され、その幾つかは実用に付されている。特開昭
５４−８６３４１号公報には、光導電層を主としてアモ
ルファスシリコンで形成した電子写真感光体の技術が開
示されている。

【００１２】こうした珪素原子を主成分として含む非単
結晶堆積膜の形成方法として従来、スパッタリング法、
熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光に
より原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマ
により原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）
等、多数の方法が知られている。

【００１３】プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを
直流、高周波またはマイクロ波グロー放電等によって分
解し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子
写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法に最適で
あり、現在実用化が非常に進んでいる。中でも、近年堆
積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を用いた
プラズマＣＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣＶＤ法
が工業的にも注目されている。

【００１４】マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法
に比べ高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率と
いう利点を有している。こうした利点を生かしたマイク
ロ波プラズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許４，５
０４，５１８号に記載されている。該特許に記載の技術
は、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧によりマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法により高速の堆積速度で良質の堆積膜を得る
というものである。

【００１５】更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により
原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０
−１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記載
の技術は、概要、マイクロ波エネルギーの導入手段を取
り囲むように基体を配置して内部チャンバー（すなわち
放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を
非常に高めるようにしたものである。

【００１６】また、特開昭６１−２８３１１６号公報に
は、半導体部材製造用の改良形マイクロ波技術が開示さ
れている。すなわち、当該公報は、放電空間中にプラズ
マ電位制御として電極（バイアス電極）を設け、このバ
イアス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆
積膜へのイオン衝撃を制御しながら膜堆積を行うように
して堆積膜の特性を向上させる技術を開示している。

【００１７】基体としてアルミニウム合金製シリンダー
を用いた場合、これらの従来の技術による電子写真感光
体の製造方法は具体的には以下のように実施される。

【００１８】精密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥ
ＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤ
モンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモ
ンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角のすく
い角を得るようにセットする。次にこの旋盤の回転フラ
ンジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから白
燈油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引
を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．
０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡
面切削を施す。

【００１９】次に、この切削した基体をトリクロルエタ
ンにより洗浄を行い、表面に付着している切削油及び切
り粉の洗浄を行う。

【００２０】次にこれらを鏡面加工し、洗浄した基体上
に図３に示すグロー放電分解法による光導電部材の堆積
膜形成装置により、アモルファスシリコンを主体とした
堆積膜を形成する。

【００２１】図３において反応容器３０１は、ベースプ
レート３０２と壁３０３とトッププレート３０４から構
成され、この反応容器３０１内には、カソード電極３０
５が設けられており、アモルファスシリコン堆積膜が形
成される基体３０６はカソード電極３０５の中央部に設
置され、アノード電極も兼ねている。

【００２２】この堆積膜形成装置を使用してアモルファ
スシリコン堆積膜を基体３０６上に形成するには、ま
ず、原料ガス流入バルブ３０７及びリークバルブ３０８
を閉じ、排気バルブ３０９を開け、反応容器３０１を排
気する。真空計３１０の読みが約５×１０^-6Ｔｏｒｒに
なった時点で原料ガス流入バルブ３０７を開いてマスフ
ローコントローラ３１１内で所定の混合比に調整され
た、例えばＳｉＨ₄ ガス等の原料ガスを反応容器３０１
内に流入させる。そして基体３０６の表面温度が加熱ヒ
ーター３１２により所定の温度に設定されていることを
確認した後、高周波電源３１３を所望の電力に設定して
反応容器３０１内にグロー放電を生起させる。

【００２３】また、堆積膜形成を行っている間は、堆積
膜形成の均一化を図るために基体３０６をモーター３１
４により一定速度で回転させる。この様にして基体３０
６上に、アモルファスシリコン堆積膜を形成することが
できる。

【００２４】

【発明が解決しようとしている課題】しかし、これら従
来の電子写真感光体の製造方法では、特に堆積膜の堆積
速度の速い領域では、均一膜質で光学的及び電気的諸特
性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスにより画像形
成時に画像品質の高い堆積膜を定常的に安定して高収率
（高歩留まり）で得るのは難しいという解決すべき問題
点が残存している。

【００２５】即ち、従来の電子写真感光体は、堆積膜中
に異常成長の部分がありその部分は微小な面積の表面電
荷の乗らない部分となる。これらの現象は特にアモルフ
ァスシリコンのようにプラズマＣＶＤ法により堆積膜を
形成した電子写真感光体の場合特に顕著である。しか
し、それらの表面電位の乗らない部分は基体の表面加工
条件及び堆積条件の最適化を行えば最小限にくい止める
ことができ、従来は現像の解像力またはそれ以下の程度
であったため実用上問題は生じていなかった。

【００２６】しかし、近年のように、 １）電子写真装置の高画質化が要求され、それに伴い現
像の解像力が向上した。 ２）複写機の高速化が進み帯電条件が過酷になるに従
い、表面で電位の乗らない部分が実質上周辺の電位に対
して大きな影響を与えるようになった。

【００２７】このような状況では、従来問題となってい
なかったこれらの電荷の乗らない微小な部分も画像欠陥
として指摘されるようになってきた。

【００２８】さらに、従来はコピーの用途としては、活
字だけの原稿（いわゆるラインコピー）が中心であった
ので、これらの画像欠陥は実用上大きな問題とならなか
った。しかし、近来複写機の画質が上がるにつれて、写
真などのハーフトーンを含む原稿が多くコピーされるよ
うになり問題となってきた。特に、近来普及してきたカ
ラー複写機においては、これらの欠陥は、より視覚的に
明らかなものとなるため、大きな問題となってきた。

【００２９】これらの変化は微小なので、上部に電極を
付け導電率の測定を行っても検知することはできない。
しかし、電子写真感光体として電子写真プロセスにより
帯電、露光、現像を行ったとき、特にハーフトーンで均
一の画像を形成したとき、電子写真感光体表面上の僅か
な電位の差も画像欠陥と成って視覚的に顕著なものとし
て現われてくる。特に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法に
より作成した電子写真感光体においては、前述の問題は
更に顕著に現われてしまうのである。

【００３０】一方、この様な画像欠陥は、真空蒸着によ
り作製したＳｅ電子写真感光体、ブレード塗布法または
ディッピング法等により作製したＯＰＣ電子写真感光体
に比べ、プラズマＣＶＤ法で作製した電子写真感光体で
は特に顕著に現われるのである。

【００３１】また、同じくプラズマＣＶＤ法で作製する
デバイスでも太陽電池のように基板上の位置による微妙
な特性の差がその性能に影響しない、または後処理で補
修が可能なデバイスでは、上述の問題は発生しないので
ある。

【００３２】［発明の目的］本発明の目的は、上述のご
とき従来の電子写真感光体の製造方法における諸問題を
克服して、安価に安定して歩留まり良く高速形成し得
る、使いやすい電子写真感光体の製造方法を提供するこ
とにある。

【００３３】また、本発明の目的は、プラズマＣＶＤ法
で特に顕著な画像欠陥の発生という問題点を解決して、
均一な高品位の画像を得ることができる電子写真感光体
の製造方法を提供することにある。

【００３４】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の電子写
真感光体の製造方法は、アルミニウム基体上に珪素原子
を含む非単結晶堆積膜を形成する工程を含む電子写真感
光体の製造方法において、前記堆積膜を形成する工程の
前に基体の表面を二酸化炭素を導入して二酸化炭素を溶
解した水で洗浄する工程を備えていることを特徴として
いる。

【００３５】本発明者の検討では、アルミニウム基体を
用いたとき発生する画像欠陥の原因は、 （Ａ）基体上塵等が付着してそれが核となる。 （Ｂ）基体の表面欠陥が核となる。に大別できる。

【００３６】（Ａ）の塵等の付着は、切削、洗浄など基
体を取り扱う場所のクリーン化を図る、及び成膜炉内の
清掃を厳密に行うことと共に堆積膜形成の直前に基体表
面を洗浄することにより防止することが可能であった。
従来はトリクロルエタン等の塩素系溶剤で洗浄すること
によりこの目的を達成していた。しかし、近年オゾン層
の破壊等の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制限さ
れるようになってきたため、この問題点について新たに
検討をする必要が生じた。

【００３７】一方、（Ｂ）の欠陥を減少させることは従
来より非常に困難であった。

【００３８】本発明者は、特定の成分含有のアルミニウ
ムと特定の洗浄方法を組み合わせることによりこれらの
問題点を全て解決できないかという観点に立ち鋭意検討
を行った結果本発明の完成を得た。

【００３９】本発明者の検討により、アルミニウム中の
局所的に高硬度の部分があり、堆積膜形成に先立つ前加
工として、切削等の表面加工の際に加工機の刃にこれら
の高硬度の部分がえぐられ、アルミニウム基体上に表面
欠陥ができることが（Ｂ）の原因であることが明らかと
なった。

【００４０】更に、これらの現象を防ぐためには、通常
アルミニウムに含有される不純物は少ない方がよい、し
かし、非常に高純度のアルミニウムは基体の形状に原材
料のアルミニウムを加工するための溶解の際に必然的に
発生する酸化物が成長し、前述の欠陥発生の原因とな
る。これを防ぐためには、珪素原子を含有させることが
効果的であることが明らかとなった。

【００４１】基体表面の機械加工後、トリクロルエタン
等の塩素系の溶剤を用い洗浄を行う場合は、以上のこと
だけで基体の表面性による画像欠陥の発生は充分防止す
ることが可能である。

【００４２】しかし、近年ではさらに環境問題のために
これらの塩素系溶剤を安易には使うことができないた
め、本発明者は洗浄についても検討を行った。その結
果、アルミニウムは水により腐食が発生する、特にこれ
ら珪素原子を含むアルミニウムは、洗浄の際に水に漬け
ると珪素原子が局所的に多い部分を中心に水による腐食
が顕著になることを発見した。

【００４３】この現象は水の温度が高いほど顕著であ
り、またアルミニウム中に珪素原子と共に切削性を向上
する目的でマグネシウムを含む場合更に顕著となった。
アルミニウムの腐食を防ぐためには、各種の腐食防止剤
が提案されているが、本発明のように、珪素を含んだア
ルミニウム基体を電子写真感光体の基体に用いる場合は
大面積の基体上に僅かに発生した欠陥でも問題となるた
め、効果が不十分であり、さらに、これらの腐食防止剤
が洗浄後微量基体表面に残るため堆積膜形成後電子写真
特性に悪影響が発生するのである。即ち、アルミニウム
基体表面上に水と同時に速やかに揮発する成分以外の成
分が付着していると電子写真感光体を作製した場合、画
像上のしみ等の悪影響が発生するため従来の腐食防止剤
の使用は制限されるのである。

【００４４】本発明者は堆積膜形成に先立ち塵の付着を
除去するために行う洗浄の際用いる水に何らかの処理を
行うことで上記のような欠陥の発生を抑えることができ
ないかという点に着目して鋭意研究した結果、本発明を
完成させるに至った。

【００４５】本発明のメカニズムについては未だ解明さ
れていない点が多いが、本発明者は現在、次のように考
えている。

【００４６】アルミニウム表面に部分的に露出した珪素
原子が多い部分は周囲の通常のアルミニウムの部分と局
部的な電池を形成して腐食を促進する。

【００４７】一方、水に溶解した二酸化炭素は水中で炭
酸イオンとなり、これらの局部電池の部分に引き寄せら
れ周囲を覆うことにより水中の酸素等の接近を防ぎ効果
的に腐食を防止する。更に、炭酸イオンは珪素原子の多
い部分表面に何らかの変質をさせることにより、堆積膜
形成時にこの部分からの異常成長が発生することを防止
する。

【００４８】更に、本発明の予期せぬ効果として画像む
らの低減と電子写真特性の向上がみられた。

【００４９】プラズマＣＶＤ法により、例えばアモルフ
ァスシリコン堆積膜を基体上に形成する場合、反応は、
気相における原料ガスの分解過程、放電空間から基体表
面までの活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程
の３つに分けて考えることができる。中でも、表面反応
過程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割
を果たしている。そして、これらの表面反応は、基体表
面の温度、材質、形状、吸着物質などに大きな影響を受
けるのである。

【００５０】特に純度の高いアルミニウム基体は、切削
後トリクロルエタンのような非水溶剤で洗浄を行っただ
けの状態、または切削後に他の洗浄を行わずに純水によ
るジェット洗浄処理を行っただけの状態では、基体表面
上の水の吸着が部分的に異なる状態となっている。この
様な表面状態の基体上に例えばプラズマＣＶＤ法により
アモルファスシリコン膜の様な珪素原子と、水素原子及
び（又は）弗素原子とを含んだ堆積膜を形成すると、そ
の表面の反応は、基体表面上に残った水分子の量に特に
大きく影響される。この事により、基体の位置の水の吸
着量により、堆積膜の界面の組成及び構造が変化し、そ
の結果、電子写真プロセスの工程中にその部分の基体か
らの電荷の注入性が変化し、画像濃度を変えるに充分な
表面電位の差が現われるのである。

【００５１】本発明では、プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成前に基体表面に二酸化炭素を溶解した水で洗浄す
ることにより、基体表面を効果的に均一化することがで
き、上述の画像の濃度むらをなくすことに成功してい
る。

【００５２】更に炭酸イオンは、アルミニウム表面全体
を均一に僅かに溶解することにより表面の活性度を上
げ、堆積膜を形成する際良好な電荷のやりとりができる
界面を形成することができる。このため、帯電の向上、
残留電位の低減等電子写真特性の向上を果たすことが可
能となった。

【００５３】本発明は電子写真感光体の製造時において
発生する画像欠陥等を改善し、更にその電子写真特性を
向上させるための新規の表面処理方法であり、単なる表
面汚物質の洗浄とは全く異なった効果を達成している。

【００５４】更に本発明では切削工程後、二酸化炭素を
溶解した水の洗浄工程の前に前洗浄工程を設けることに
より本発明の効果を妨げる油脂及びハロゲン系の残留物
の除去を完全に行うことにより前述の効果を高めてい
る。特に、前洗浄工程は水または界面活性剤を加えた水
中で超音波洗浄を行うことにより、本発明の効果を最高
に高めることを可能にしている。

【００５５】［製造方法の手順の一例］アルミニウム合
金製シリンダーを基体として、本発明の電子写真感光体
の製造方法により電子写真感光体を実際に形成する手順
の一例を、図１で示す本発明による基体前処理装置、及
び、図２−ａ、図２−ｂに示す堆積膜形成装置を用いて
以下に説明する。

【００５６】精密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥ
ＵＭＯ ＰＲＥＣＬＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）に、ダイヤ
モンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモ
ンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角のすく
い角を得るようにセットする。次に、この旋盤の回転フ
ランジに、基体を真空チャックし、付設したノズルから
白燈油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸
引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度
０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるよう
に鏡面切削を施す。

【００５７】切削が終了した基体は、基体前処理装置に
より基体表面の処理を行う。図１に示す基体前処理装置
は、処理部１０２と基体搬送機構１０３よりなってい
る。処理部１０２は、基体投入台１１１、基体前洗浄槽
１２１、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１、
乾燥槽１４１、基体搬出台１５１よりなっている。前洗
浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３
１とも液の温度を一定に保つための温度調節装置（図示
せず）が付いている。搬送機構１０３は、搬送レール１
６５と搬送アーム１６１よりなり、搬送アーム１６１
は、レール１６５上を移動する移動機構１６２、基体１
０１を保持するチャッキング機構１６３及びチャッキン
グ機構１６３を上下させるためのエアーシリンダー１６
４よりなっている。

【００５８】切削後、投入台上１１１に置かれた基体１
０１は、搬送機構１０３により前洗浄槽１２１に搬送さ
れる。前洗浄槽１２１中の界面活性剤水溶液１２２中で
超音波処理されることにより表面に付着している切削油
及び切り粉の洗浄が行われる。

【００５９】次に基体１０１は、搬送機構１０３により
二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽１３１へ運ばれ、
２５℃の温度に保たれた二酸化炭素を溶解した水により
更に洗浄が行われる。二酸化炭素を溶解した水は工業用
導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）に
より随時導電率を測定し、必要に応じて二酸化炭素を溶
解することにより導電率がほぼ１０μＳ／ｃｍに維持す
るように制御される。二酸化炭素を溶解した水による洗
浄の終わった基体１０１は搬送機構１０３により乾燥槽
１４１へ移動され、ノズル１４２から高温の高圧空気を
吹き付けられ乾燥される。

【００６０】乾燥工程の終了した基体１０１は、搬送機
構１０３により搬出台１５１に運ばれる。

【００６１】次にこれらの切削加工及び前処理の終了し
た基体上に図２−ａおよび図２−ｂに示すプラズマＣＶ
Ｄ法による光導電部材堆積膜の形成装置により、アモル
ファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。

【００６２】図２−ａ、及び、図２−ｂにおいて、２０
１は反応容器であり、真空気密化構造を成している。ま
た、２０２は、マイクロ波電力を反応容器２０１内に効
率よく透過し、かつ真空気密を保持し得るような材料
（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成
されたマイクロ波導入誘電体窓である。２０３はマイク
ロ波電力の伝送を行う導波管であり、マイクロ波電源か
ら反応容器近傍までの矩形の部分と、反応容器に挿入さ
れた円筒形の部分からなっている。導波管２０３はスタ
ブチューナー（図示せず）、アイソレーター（図示せ
ず）とともにマイクロ波電源（図示せず）に接続されて
いる。誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を保持する
ために導波管２０３の円筒形の部分内壁に気密封止され
ている。２０４は、一端が反応容器２０１に開口し、他
端が排気装置（図示せず）に連通している排気管であ
る。２０６は基体２０５により囲まれた放電空間を示
す。電源２１１はバイアス電極２１２に直流電圧を印加
するための直流電源（バイアス電源）であり、電極２１
２に電気的に接続されている。

【００６３】こうした堆積膜形成装置を使用した電子写
真感光体の製造は以下のようにして行う。まず真空ポン
プ（図示せず）により排気管２０４を介して、反応容器
２０１を排気し、反応容器２０１内の圧力を１×１０^-7
Ｔｏｒｒ以下に調整する。ついでヒーター２０７によ
り、基体２０５の温度を所定の温度に加熱保持する。そ
こで原料ガスを不図示のガス導入手段を介して、アモル
ファスシリコンの原料ガスとしてシランガス、ドーピン
グガスとしてジボランガス、希釈ガスとしてヘリウムガ
ス等の原料ガスが反応容器２０１内に導入される。それ
と同時併行的にマイクロ波電源（図示せず）により周波
数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、導波管２０
３を通じ、誘電体窓２０２を介して反応容器２０１内に
導入する。更に放電空間２０６中のバイアス電極２１２
に電気的に接続された直流電源２１１によりバイアス電
極２１２に基体２０５に対して直流電圧を印加する。か
くして基体２０５により囲まれた放電空間２０６におい
て、原料ガスはマイクロ波のエネルギーにより励起され
て解離し、更にバイアス電極２１２と基体２０５の間の
電界により定常的に基体２０５上にイオン衝撃を受けな
がら、基体２０５表面に堆積膜が形成される。この時、
基体２０５が設置された回転軸２０９をモーター２１０
により回転させ、基体２０５を基体母線方向中心軸の回
りに回転させることにより、基体２０５全周に渡って均
一に堆積膜層を形成する。

【００６４】本発明において、前洗浄を行う場合は特に
界面活性剤等を含有した水系の洗浄が望ましい。水系の
洗浄を行う場合、界面活性剤を溶解する前の水の水質
は、いずれでも可能であるが、特に半導体グレードの純
水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的
には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は１ＭΩ
・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５
ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。上限値は理論
抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までの何れの値でも可
能であるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ以
下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ
・ｃｍ以下が本発明には適している。微粒子量として
は、０．２μｍ以上が１ミリリットル中に１００００個
以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００個以
下が本発明には適している。微生物量としては、総生菌
数が１ミリリットル中に１００個以下、好ましくは１０
個以下、最適には１個以下が本発明には適している。有
機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１０ｍｇ以下、好
ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下が本発明
には適している。

【００６５】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組
み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ま
しい。

【００６６】水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が
発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、
低すぎると洗浄効果が小さく、さらに本発明の効果が充
分得られない。この為、水の温度としては、１０℃以
上、９０℃以下、好ましくは２０℃以上、７５℃以下、
最適には３０℃以上、５５℃以下が本発明には適してい
る。

【００６７】本発明において前洗浄工程で用いられる界
面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活
性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、または
それらの混合したもの等いずれのものでも可能である。
中でも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル
塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤または、
脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤は特に本発明
では効果的である。ビルダーとしては、燐酸塩、炭酸
塩、珪酸塩、ほう酸塩等を用いることが有効である。キ
レート剤としては、グルコン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、
燐酸塩等を用いることが有効である。

【００６８】本発明において前洗浄工程に超音波を用い
ることは本発明の効果を出す上で有効である。超音波の
周波数は、好ましくは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以
下、更に好ましくは１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適
には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が効果的である。
超音波の出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上、
１ｋＷ／リットル以下、更に好ましくは１Ｗ／リットル
以上、１００Ｗ／リットル以下が効果的である。

【００６９】本発明において、二酸化炭素を溶解した水
による洗浄工程に使用される水の水質は、非常に重要で
あり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純
水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的
には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は１ＭΩ
・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５
ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。抵抗値の上限
は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までの何れの値
でも可能であるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ・
ｃｍ以下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１
３ＭΩ・ｃｍ以下が本発明には適している。微粒子量と
しては、０．２μｍ以上が１ミリリットル中に１０００
０個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００
個以下が本発明には適している。微生物量としては、総
生菌数が１ミリリットル中に１００個以下、好ましくは
１０個以下、最適には１個以下が本発明には適してい
る。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１０ｍｇ以
下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下が
本発明には適している。

【００７０】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組
み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ま
しい。

【００７１】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多す
ぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着
することによりスポット状のシミが発生する場合があ
る。更に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さ
くなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、
溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効果を
得ることができない。

【００７２】基体に要求される品質等を考慮しながら、
状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必要が
ある。

【００７３】一般的に本発明による好ましい二酸化炭素
の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４
０％以下の条件である。

【００７４】本発明において二酸化炭素の溶解量は水の
導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導
電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以
上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ
以上、３５μＳ／ｃｍ以下、６μＳ／ｃｍ以上、３０μ
Ｓ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は
３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、
５．０以下で本発明は効果が顕著である。導電率の測定
は導電率計等により行い、値としては温度補正により２
５℃に換算した値を用いる。

【００７５】水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が
発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、
低すぎると洗浄効果が小さく、さらに本発明の効果が充
分得られない。この為、水の温度としては、１０℃以
上、９０℃以下、好ましくは２０℃以上、７５℃以下、
最適には３０℃以上、５５℃以下が本発明には適してい
る。

【００７６】二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリン
グによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでも良い。本
発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いること
が重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム
等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオ
ンが本発明の効果を阻害してしまう。

【００７７】このようにして得られた二酸化炭素を溶解
した水により基体表面を洗浄するときは、ディッピング
により洗浄する方法、水圧を掛けて吹き付ける方法等が
ある。

【００７８】ディッピングにより洗浄する場合、二酸化
炭素を溶解した水を導入した水槽に基体を浸積すること
が基本であるが、その際に超音波を印加する、水流を与
える、空気等を導入することによりバブリングを行う等
を併用すると本発明は更に効果的なものとなる。

【００７９】吹き付ける場合、水の圧力は、弱すぎると
本発明の効果が小さいものとなり、強すぎると得られた
電子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像上で
梨肌状の模様が発生してしまう。この為、水の圧力とし
ては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ
² 以下、好ましくは１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以上、２００
ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下、最適には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ²
以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ² 以下が本発明に適してい
る。但し、本発明における圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ
² は、重力キログラム毎平方センチメートルを意味し、
１ｋｇ・ｆ／ｃｍ²は９８０６６．５Ｐａと等しい。

【００８０】水を吹き付ける方法には、ポンプにより高
圧化した水をノズルから吹き付ける方法、または、ポン
プで汲み上げた水を高圧空気とノズルの手前で混合し
て、空気の圧力により吹き付ける方法等がある。

【００８１】水の流量としては、発明の効果と、経済性
から、基体１本当り１リットル／ｍｉｎ以上、２００リ
ットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リットル／ｍｉｎ以
上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最適には５リットル
／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ以下が本発明には
適している。

【００８２】水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が
発生してしまい堆積膜の剥れ等の原因となる、さらに本
発明の効果が充分に得られない。また、安定して二酸化
炭素を水中に溶解しておくことが困難である。反対に、
低すぎてもやはり本発明の効果が充分得ることはできな
い。この為、水の温度としては、５℃以上、９０℃以
下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、最適には１５
℃以上、４０℃以下が本発明には適している。

【００８３】二酸化炭素を溶解した水による洗浄処理の
処理時間は、長すぎると基体上に酸化膜が発生してしま
い、短すぎると本発明の効果が小さいため、１０秒以
上、３０分以下、好ましくは２０秒以上、２０分以下、
最適には３０秒以上、１０分以下が本発明には適してい
る。

【００８４】本発明において、堆積膜形成時の基体表面
の酸化皮膜等の影響を取り除くために、堆積膜形成の直
前に基体表面の切削を行うことは重要なことである。

【００８５】切削から二酸化炭素を溶解した水による洗
浄処理までの時間は、長すぎると基体表面に再び酸化膜
が発生してしまい、短すぎると工程が安定しないため、
１分以上、１６時間以下、好ましくは２分以上、８時間
以下、最適には３分以上、４時間以下が本発明には適し
ている。

【００８６】二酸化炭素を溶解した水による洗浄処理か
ら堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発
明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定
しないため、１分以上、８時間以下、好ましくは２分以
上、４時間以下、最適には３分以上、２時間以下が本発
明には適している。

【００８７】乾燥工程は、温風乾燥、真空乾燥、温水乾
燥等いずれの乾燥方法も有効である。特に二酸化炭素を
溶解した温水による乾燥が本発明の効果を高めるために
好ましい。

【００８８】本発明において、二酸化炭素を溶解した水
による温水乾燥を行う場合、使用される水の水質は、非
常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレ
ードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望まし
い。具体的には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限
値は１ＭΩ・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、
最適には５ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。抵
抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）まで
の何れの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から
１７ＭΩ・ｃｍ以下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、
最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下が本発明には適している。
微粒子量としては、０．２μｍ以上が１ミリリットル中
に１００００個以下、好ましくは１０００個以下、最適
には１００個以下が本発明には適している。微生物量と
しては、総生菌数が１ミリリットル中に１００個以下、
好ましくは１０個以下、最適には１個以下が本発明には
適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１
０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍ
ｇ以下が本発明には適している。

【００８９】上記の水質の水を得る方法としては、活性
炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組
み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ま
しい。

【００９０】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多す
ぎると水温が変動したときに泡が発生し基体表面に付着
することによりスポット状のシミが発生する場合があ
る。更に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さ
くなるため基体にダメージを与える場合がある。一方、
溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効果を
得ることができない。

【００９１】基体に要求される品質等を考慮しながら、
状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必要が
ある。

【００９２】一般的に本発明による好ましい二酸化炭素
の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４
０％以下の条件である。

【００９３】本発明において二酸化炭素の溶解量は水の
導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導
電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以
上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ
以上、３５μＳ／ｃｍ以下、６μＳ／ｃｍ以上、３０μ
Ｓ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は
３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、
５．０以下で本発明は効果が顕著である。導電率の測定
は導電率計等により行い、値としては温度補正により２
５℃に換算した値を用いる。

【００９４】二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリン
グによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでも良い。本
発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いること
が重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム
等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イオ
ンが本発明の効果を阻害してしまう。

【００９５】水の温度は、高すぎると基体上に酸化膜が
発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、
低すぎると乾燥が不十分となり、さらに本発明の効果が
充分得られない。この為、水の温度としては、３０℃以
上、９０℃以下、好ましくは３５℃以上、８０℃以下、
最適には４０℃以上、７０℃以下が本発明には適してい
る。

【００９６】本発明において基体の材質はアルミニウム
を母体とするものであればいずれでも可能であるが、特
に珪素原子を含有したものを用いた場合本発明の効果が
顕著である。本発明において好ましい珪素原子の含有量
としては１ｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下、更に好ましくは
１０ｐｐｍ以上、０．１ｗｔ％以下の範囲である。

【００９７】本発明において基体の加工性を向上させる
ためにマグネシウムを含有させることは有効である。好
ましいマグネシウムの含有量としては、０．１ｗｔ％以
上、１０ｗｔ％以下、更に好ましくは０．２ｗｔ％以
上、５ｗｔ％以下の範囲である。

【００９８】更に本発明では、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂ
ｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ｃａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉ等如何なる物質をアルミニウム中に含有さ
せても有効である。

【００９９】本発明において基体の形状は任意の形状を
有し得るが、特に円筒形のものが本発明に最適である。
基体の大きさには特に制限はないが、実用的には直径２
０ｍｍ以上、５００ｍｍ以下、長さ１０ｍｍ以上、１０
００ｍｍ以下が好ましい。

【０１００】本発明で用いられる感光体は、アモルファ
スシリコン感光体、セレン感光体、硫化カドミニウム感
光体、有機物感光体等何れでも可能であるが、特にアモ
ルファスシリコン感光体等の珪素を含む非単結晶感光体
の場合その効果が顕著である。

【０１０１】珪素を含む非単結晶感光体の場合、堆積膜
形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ
₄ ）、ジシラン（Ｓｉ₂ Ｈ₆ ）、四弗化珪素（Ｓｉ
Ｆ₄ ）、六弗化二珪素（Ｓｉ₂ Ｆ₆ ）等のアモルファス
シリコン形成原料ガス又はそれらの混合ガスが挙げられ
る。

【０１０２】希釈ガスとしては水素（Ｈ₂ ）、アルゴン
（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。

【０１０３】又、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させ
る等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ₂ ）、アンモニア
（ＮＨ₃ ）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ₂ ）、一
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂ ）、酸化二窒素
（Ｎ₂ Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（Ｃ
Ｏ₂ ）等酸素原子を含む元素、メタン（ＣＨ₄ ）、エタ
ン（Ｃ₂ Ｈ₆ ）、エチレン（Ｃ₂ Ｈ₄ ）、アセチレン
（Ｃ₂ Ｈ₂ ）、プロパン（Ｃ₃ Ｈ₈ ）等の炭化水素、四
弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ₄ ）、弗化窒素（ＮＦ₃ ）等
の弗素化合物またはこれらの混合ガスが挙げられる。

【０１０４】また、本発明においては、ドーピングを目
的としてジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）、フッ化ほう素（Ｂ
Ｆ₃ ）、ホスフィン（ＰＨ₃ ）等のドーパントガスを同
時に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。

【０１０５】本発明の電子写真感光体では、基体上に堆
積した堆積膜の総膜厚はいずれでも良いが、５μｍ以
上、１００μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以上、７
０μｍ以下、最適には１５μｍ以上、５０μｍ以下にお
いて、電子写真感光体として特に良好な画像を得ること
ができた。

【０１０６】本発明では、堆積膜の堆積中の放電空間の
圧力がいずれの領域でも効果が認められたが、特に０．
５ｍＴｏｒｒ以上、１００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは
１ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下において、放電
の安定性及び堆積膜の均一性の面で特に良好な結果が再
現性良く得られた。

【０１０７】本発明において、堆積膜の堆積時の基体温
度は、１００℃以上、５００℃以下の範囲で有効である
が、特に１５０℃以上、４５０℃以下、好ましくは２０
０℃以上、４００℃以下、最適には２５０℃以上、３５
０℃以下において著しい効果が確認された。

【０１０８】本発明において、基体の加熱手段として
は、真空仕様の発熱体であればよく、より具体的にはシ
ース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セ
ラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体
等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。
加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミ
ニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹
脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反
応容器とは別に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反
応容器内に真空中で基体を搬送する等の方法も使用する
ことができる。以上の手段を単独にまたは併用して用い
ることが本発明では可能である。

【０１０９】本発明において、プラズマを発生させるエ
ネルギーは、ＤＣ、ＲＦ、マイクロ波等いずれでも可能
であるが、特に、プラズマの発生のエネルギーにマイク
ロ波を用いた場合、基体の表面欠陥による異常成長が顕
著に現われ且つ、吸着した水分にマイクロ波が吸収さ
れ、界面の変化がより顕著なものとなるため、本発明の
効果がより顕著なものとなる。

【０１１０】本発明において、プラズマ発生のためにマ
イクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を発生
させることができればいずれでも良いが、１００Ｗ以
上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以
下が本発明を実施するに当たり適当である。

【０１１１】本発明において、堆積膜形成中に放電空間
に電圧（バイアス電圧）を印加することは有効であり、
少なくとも基体に陽イオンが衝突する方向に電界が掛か
ることが好ましい。バイアスを全く掛けない場合、本発
明の効果は著しく低減してしまうため、ＤＣ成分の電圧
が１Ｖ以上、５００Ｖ以下、好ましくは５Ｖ以上、１０
０Ｖ以下であるバイアス電圧を堆積膜形成中に印加する
ことが、本発明の効果を得るためには望ましい。

【０１１２】本発明において、反応容器内に誘電体窓を
用いてマイクロ波を導入する場合、誘電体窓の材質とし
てはアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。

【０１１３】複数の基体で放電空間を取り囲む構成の堆
積膜形成方法においては基体の間隔は１ｍｍ以上、５０
ｍｍ以下が好ましい。基体の数は放電空間を形成できる
ならばいずれでも良いが３本以上、より好ましくは４本
以上が適当である。

【０１１４】本発明は、いずれの電子写真感光体の製造
方法にも適用が可能であるが、特に、放電空間を囲むよ
うに基体を設け、少なくとも基体の一端側から導波管に
よりマイクロ波を導入する構成により堆積膜を形成する
場合大きな効果がある。

【０１１５】図６に本発明の方法で製造された電子写真
感光体を用いた一般的な転写式電子写真装置の概略構成
例を示す。

【０１１６】図において、６０１は像担持体としての電
子写真感光体であり、これは軸６０１ａを中心として矢
印方向に所定の周速で回転駆動される。この電子写真感
光体は、その回転過程で帯電手段６０２によりその周面
に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光
部によって不図示の像露光手段により光像露光Ｌ（スリ
ット露光、レーザービーム走査露光など）を受ける。こ
れにより感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次
形成されていく。

【０１１７】この静電潜像は次いで現像手段６０４でト
ナー現像され、トナー現像像が転写手段により、不図示
の給紙部から感光体６０１と転写手段６０５との間に感
光体６０１の回転と同期取りされた転写材Ｐの表面に順
次転写されていく。

【０１１８】像転写を受けた転写材Ｐは、感光体面から
分離されて像定着手段６０８へ導入され、ここで像定着
を受けたのち複写物（コピー）として機外へプリントア
ウトされる。

【０１１９】像転写後の感光体６０１の表面は、クリー
ニング手段６０６による転写残りトナーの除去を受けて
清浄面化され、さらに前露光手段６０７により除電処理
されたのち、繰り返して像形成に使用される。

【０１２０】感光体６０１の均一帯電手段６０２として
は、コロナ帯電装置が一般に広く使用されている。また
転写装置６０５にもコロナ帯電装置が一般に広く使用さ
れている。電子写真装置として、上述の感光体や現像手
段、クリーニング手段などの構成要素のうち、複数のも
のを装置ユニットとして一体に結合して構成し、このユ
ニットを装置本体に対して着脱自在の構成にしてもよ
い。この場合、上記の装置ユニットの方に帯電手段及び
（または）現像手段を伴って構成しても良い。

【０１２１】光像露光Ｌは、電子写真装置を複写機やプ
リンタとして使用する場合には、原稿からの反射光や透
過光であってもよく、あるいは原稿を読みとって信号化
した信号によるレーザービームの走査、ＬＥＤアレーの
駆動、または液晶シャッターアレイの駆動などによって
得られたものであってもよい。

【０１２２】ファクシミリのプリンターとして使用する
場合には、光像露光Ｌは受信データをプリントするため
の露光になる。図７はこの場合の１例をブロック図で示
したものである。

【０１２３】コントローラ７１１は画像読取部７１０と
プリンター７１９を制御する。コントローラ７１１全体
はＣＰＵ７１７により制御されている。画像読取部７１
０からの読取データは、送信回路７１３を通して相手局
に送信される。相手局から受けたデータは受信回路７１
２を通してプリンター７１９に送られる。画像メモリ７
１６には所定の画像データが記憶される。プリンタコン
トローラ７１８はプリンター７１９を制御している。７
１４は電話である。

【０１２４】回線７１５から受信された画像情報（回線
を介して接続されたリモート端子からの画像情報）は、
受信回路７１２で復調された後、ＣＰＵ７１７で復号処
理が行われ、順次画像メモリ７１６に格納されると、そ
のページの画像記録を行う。ＣＰＵ７１７は、メモリ７
１６より１ページ分の画像情報を読出し、プリンタコン
トローラ７１８に復号された１ページの画像情報を送出
する。プリンタコントローラ７１８は、ＣＰＵ７１７か
らの１ページの画像情報を受け取ると、そのページの画
像情報記録を行うようにプリンターを制御する。

【０１２５】なお、ＣＰＵ７１７は、プリンター７１９
による記録中に、次のページの画像情報を受信してい
る。

【０１２６】以上のようにして、画像の受信と記録が行
われる。

【０１２７】本発明の方法で製造された電子写真感光体
は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービ
ームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンタ
ー、液晶プリンター、レーザー製版機などの電子写真応
用分野にも広く用いることができる。

【０１２８】以下、本発明の効果を、実験例を用いて具
体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定され
るものではない。

【０１２９】［実験例１］水中に溶解する二酸化炭素の
量を変化させて画像欠陥の発生と相関を調べた。珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径
１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体
を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手
順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。

【０１３０】切削工程終了１５分後に図１に示す表面処
理装置により、表１に示す条件により洗剤（非イオン性
界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水に
よる洗浄を行った。但しこの時二酸化炭素を溶解した水
としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素を
溶解することにより導電率を１μＳ／ｃｍから５０μＳ
／ｃｍにした水を用いた。

【０１３１】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。図４におい
て、４０１，４０２，４０３及び４０４は、それぞれア
ルミニウム基体、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層
を示している。

【０１３２】この様にして作成した電子写真感光体の電
子写真的特性の評価を以下のようにして行った。作成し
た電子写真感光体を実験用に予めプロセススピードを２
００〜８００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で任意に変更できるよ
うに改造を行ったキヤノン社製複写機、ＮＰ７５５０に
いれ、帯電器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコロナ帯電
を行い、通常の複写プロセスにより転写紙上に画像を作
製し、下の手順により画像性の評価を行った。このよう
にして同一作製条件で製造した電子写真感光体を各１０
本づつ評価を行い、評価結果を表３に示した。

【０１３３】画像欠陥の評価 プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿及び文字
原稿を原稿台に置いてコピーした時に得られた画像サン
プル中で一番画像欠陥の多く現われる画像サンプルを選
び評価を行った。評価の方法としては画像サンプル上を
拡大鏡で観察し同一面積内にある白点の状態により評価
を行った。 ◎ … 良好。 ○ … 一部微少な白点有り。 △ … 全面に微少な白点があるが文字の認識には支障
無し。 × … 白点が多い為一部文字が読みにくい部分が有
る。

【０１３４】黒しみの評価 プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿を原稿台
に置いて得られた画像の平均濃度が０．４±０．１とな
るように画像を出力した。このようにして得られた画像
サンプル中で一番しみの目立つものを選び評価を行っ
た。評価の方法としてはこれらの画像を目より４０ｃｍ
離れたところで観察して、黒しみが認められるか調べ、
以下の基準で評価を行った。 ◎ … いずれのコピー上にも黒しみは認められない。 ○ … わずかに黒しみが認められるものがあった。しかし軽微であり全く問題無し。

【０１３５】△ … いずれのコピー上にも黒しみが認
められる。しかし軽微であり実用上支障ない。

【０１３６】× … 全数のコピー上に大きな黒しみが
認められる。

【０１３７】電子写真特性の評価 通常のプロセススピードで同一の帯電電圧を与えたとき
に現像位置で得られる感光体の表面電位を帯電能として
相対値により評価する。但し、比較実験例１で得られた
電子写真感光体の帯電能を１００％としている。

【０１３８】環境性の評価 ○ … 前処理工程にオゾン層の破壊に係わる物質を用
いない。 × … 前処理工程にオゾン層の破壊に係わる物質を用
いている。

【０１３９】［比較実験例１］実験例１と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウム基体を同様の
手順で切削を行った。

【０１４０】切削が終了した基体は、図８に示す従来の
基体表面洗浄装置により表４の条件で基体表面の処理を
行った。図８に示す基体洗浄装置は、処理槽８０２と基
体搬送機構８０３よりなっている。処理槽８０２は、基
体投入台８１１、基体洗浄槽８２１、基体搬出台８５１
よりなっている。洗浄槽８２１は液の温度を一定に保つ
ための温度調節装置（図示せず）が付いている。搬送機
構８０３は、搬送レール８６５と搬送アーム８６１より
なり、搬送アーム８６１は、レール８６５上を移動する
移動機構８６２、基体８０１を保持するチャッキング機
構８６３、及びこのチャッキング機構８６３を上下させ
るためのエアーシリンダー８６４よりなっている。

【０１４１】切削後、投入台上８１１に置かれた基体８
０１は、搬送機構８０３により洗浄槽８２１に搬送され
る。洗浄槽８２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ 旭化成工業社製）８２２により表面に付着し
ている切削油及び切り粉を除去するための洗浄が行われ
る。

【０１４２】洗浄後、基体８０１は、搬送機構８０３に
より搬出台８５１に運ばれる。

【０１４３】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１４４】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を比較実験例１とし
て同じく表３に示す。

【０１４５】［比較実験例２］実験例１と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウム基体を同様の
手順で切削後、切削工程終了後１５分後に表５に示す条
件により洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び
純水による洗浄を行った。表面処理装置としては図１の
ものを用い、但し、洗浄槽１３１中には二酸化炭素を溶
解しない純水を導入した。

【０１４６】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１４７】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を比較実験例１とし
て同じく表３に示す。

【０１４８】表３により明らかなように、本発明による
電子写真感光体の製造方法で作製した電子写真感光体
は、二酸化炭素を溶解した水溶液の導電率が２μＳ／ｃ
ｍから４０μＳ／ｃｍの範囲で画像欠陥等について非常
に良好な効果が得られた。

【０１４９】［実験例２］珪素原子の含有量を変化させ
たアルミニウム基体を実験例１と同様の手順で切削後、
切削工程終了後１５分後に図１に示す表面処理装置を用
い、表６に示す条件により二酸化炭素を溶解する水によ
る洗浄を行った。但しこの時水としては抵抗率１０ＭΩ
・ｃｍの純水中に二酸化炭素を溶解することにより導電
率を２０μＳ／ｃｍ、ｐＨをほぼ４．２にした水を用い
た。

【０１５０】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１５１】この様にして作成した電子写真感光体を実
験例１と同様の方法で評価した結果を実験例２として表
７に示す。表７により明らかなように、本発明による電
子写真感光体の製造方法で作製した電子写真感光体は基
体のアルミニウム中に珪素原子を１ｐｐｍから１ｗｔ％
含有した範囲で画像欠陥について非常に良好な効果が得
られた。

【０１５２】［実験例３］実験例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表６に示す条件により基体表面の
前処理を行った。

【０１５３】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１５４】本実験例では、二酸化炭素を溶解した水に
よる洗浄工程時に使用する純水の水質（抵抗率）を変化
させ電子写真感光体を作製した。このようにして得られ
た電子写真感光体をキヤノン社製複写機ＮＰ７５５０改
造機にいれ、実験例１と同様の手順で同様の評価を行っ
た。評価としては同一の作製条件で作製した電子写真感
光体を各１０本づつ評価し、得られた評価結果を表８に
示した。

【０１５５】また比較実験例１及び２で作製した電子写
真感光体も同様の評価を行い表８に比較実験例として同
時に示す。但し、表中コストについては以下の基準で評
価を行った。

【０１５６】コストの評価 必要な洗浄液を必要量得る場合 ◎ … 非常に安価に手にはいる。 ○ … 安価に手にはいる。 △ … やや高価である。 × … 高価である。

【０１５７】表８より明らかなように、二酸化炭素を溶
解した水による洗浄工程で使用する純水の抵抗率が二酸
化炭素を溶解前に１ＭΩ・ｃｍ以上のとき本発明の電子
写真感光体の製造方法により作製した電子写真感光体は
画像性について非常に良好な結果が得られた。

【０１５８】

【実施例】以上の実験例により本発明の構成が決定され
た。次に、本発明の実施例及び比較例により更に具体的
に説明する。

【０１５９】［実施例１］珪素原子を１００ｐｐｍ含有
したアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８
ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による
電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で
表面の切削を行い、切削工程終了１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表９に示す条件により基体表面の
処理を行った。但し洗剤としては、非イオン性界面活性
剤と陰イオン性界面活性剤の混合したものを用いた。

【０１６０】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１６１】この様にして作成した電子写真感光体の電
子写真的特性の評価を以下のようにして行った。但し、
同一成膜条件で作製した感光体を各１０本づつ評価を行
った。

【０１６２】作成した電子写真感光体の外観を目視によ
り膜はがれを観察し評価した後、キヤノン社製複写機Ｎ
Ｐ７５５０を実験用に改造した複写装置にいれ、通常の
複写プロセスにより転写紙上に画像を作製し、画像性の
評価を行った。但し、この時、帯電器に６ｋＶの電圧を
印加してコロナ帯電を行った。これらの評価結果を「本
発明」として表１０に示した。

【０１６３】画像欠陥の評価 実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１６４】黒しみの評価 実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１６５】電子写真特性の評価 実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１６６】環境性の評価 実験例１と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１６７】画像むらの評価 Ａ３方眼紙（コクヨ社製）を複写機の原稿台に置き、複
写機の絞りを変えることにより原稿の露光量を、グラフ
の線が辛うじて認められる程度から白地の部分がかぶり
始める程度迄の範囲の画像が得られるように変え、濃度
の異なる１０枚のコピーを出力した。

【０１６８】これらの画像を目より４０ｃｍ離れたとこ
ろで観察して、濃度の違いが認められるか調べ、以下の
基準で評価を行った。 ◎ … いずれのコピー上にもむらは認められない。 ○ … 画像むらが認められるコピーと認められないコ
ピーがある。しかし、いずれも軽微でありまったく問題無い。

【０１６９】△ … いずれのコピー上にも画像むらが
認められる。しかし少なくとも１枚のコピー上では画像むらが軽微で
あり実用上支障ない。

【０１７０】× … 全数のコピー上に大きな画像むら
が認められる。

【０１７１】白地かぶりの評価 白地に全面文字よりなる通常の原稿を原稿台に置いてコ
ピーした時に得られた画像サンプルを観察し、白地の部
分のかぶりを評価した。 ◎ … 良好。 ○ … 一部わずかにかぶりあり。 △ … 全面に渡りかぶりあるが文字の認識には全く支
障無し。 × … かぶりのため文字が読みにくい部分がある。

【０１７２】［比較例１］珪素元素を含有しないアルミ
ニウム実施例１と同様の基体を同様の手順で切削後、図
８に示す従来の基体表面の洗浄装置を用いて、従来の方
法に従って、表４に示す条件により基体表面の洗浄を行
った。

【０１７３】更にその後、図３で示す堆積膜形成装置を
用い、表１１の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１７４】この様にして得られた電子写真感光体につ
いて実施例１と同様の評価を行い、結果を「従来例１」
として表１０に示す。

【０１７５】［比較例２］珪素原子を含有しないアルミ
ニウム基体を実施例１と同様の手順で切削後、図９に示
す基体表面の水洗浄装置を用いて、基体表面の洗浄を行
った。図９に示す基体洗浄装置は、基体９０１を固定し
回転させるための回転軸９０２、基体に洗浄液を噴出す
るための噴射器９０３、ノズル９０４からなっている。

【０１７６】本比較例ではこの洗浄装置を用い、従来の
方法に従って、表１２に示す条件により基体表面の洗浄
を行った。

【０１７７】更にその後、図３で示す堆積膜形成装置を
用い、表１１の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１７８】この様にして得られた電子写真感光体につ
いて実施例１と同様の評価を行い、結果を「従来例２」
として表１０に示す。

【０１７９】本発明の電子写真感光体の製造方法により
製造した電子写真感光体は、従来の方法により製造した
電子写真感光体に比べ表に示されるいずれの項目におい
ても非常に良好な結果が得られた。

【０１８０】［実施例２］実施例１とは電子写真感光体
の層構成を変え、本発明の電子写真感光体の製造方法に
より電子写真感光体を製造した。実施例１と同様の基体
を同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に
示す表面処理装置を用いて、表９に示す条件により基体
表面の処理を行った。

【０１８１】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂに
示す堆積膜形成装置を用い、表１３の条件で、基体上
に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図５に
示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１８２】図５において、５０１はアルミニウム基
体、５０５は赤外線吸収層、５０２は電荷注入阻止層、
５０３は光導電層、５０４は表面層を示している。

【０１８３】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果、本実施例におい
ても、本発明の電子写真感光体の製造方法で製造した電
子写真感光体は、実施例１と同様、いずれの項目でも非
常に良好な結果が得られた。

【０１８４】［実施例３］実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表９に示す条件により基体表面の
処理を行った。

【０１８５】更にその後、図３に示す堆積膜形成装置を
用い、表１１の条件で、基体上に、アモルファスシリコ
ン堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成の阻止型電子
写真感光体を作製した。

【０１８６】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果、本実施例におい
ても本発明の電子写真感光体の製造方法で作成した電子
写真感光体は実施例１と同様いずれの項目でも非常に良
好な結果が得られた。

【０１８７】［実施例４］珪素原子を３００ｐｐｍ含有
と同時にマグネシウム原子を２ｗｔ％含有するアルミニ
ウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５
ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光
体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を
行い、切削工程終了１５分後に図１に示す表面処理装置
により、表１４に示す条件により基体表面の前処理を行
った。但し、本実施例では前洗浄工程で使用する洗剤は
非イオン性界面活性剤を用いた。

【０１８８】更にその後、図２−ａ、及び、図２−ｂで
示す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で、基体上に、
アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１８９】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果、本実施例におい
ても、本発明の電子写真感光体の製造方法で作成した電
子写真感光体は、実施例１と同様、いずれの項目でも非
常に良好な結果が得られた。

【０１９０】更にマグネシウムの含有の効果として切削
性が向上し、切削での不良率が半減した。

【０１９１】［実施例５］実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表９に示す条件により基体表面の
処理を行った。

【０１９２】更にその後、基体上に有機光半導体よりな
る堆積膜の形成を行い電子写真感光体を作製した。

【０１９３】こうして得られた電子写真感光体はアモル
ファスシリコン感光体の場合と同様、本発明を用いない
場合に比べ画像性で良好な結果が得られた。

【０１９４】［実施例６］実施例１と同様の基体を同様
の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表９に示す条件により基体表面の
処理を行った。

【０１９５】更にその後、基体上にセレンよりなる堆積
膜の形成を行い電子写真感光体を作製した。

【０１９６】こうして得られた電子写真感光体はアモル
ファスシリコン感光体の場合と同様、本発明を用いない
場合に比べ画像性で良好な結果が得られた。

【０１９７】

【表１】

【０１９８】

【表２】

【０１９９】

【表３】

【０２００】

【表４】

【０２０１】

【表５】

【０２０２】

【表６】

【０２０３】

【表７】

【０２０４】

【表８】

【０２０５】

【表９】

【０２０６】

【表１０】

【０２０７】

【表１１】

【０２０８】

【表１２】

【０２０９】

【表１３】

【０２１０】

【表１４】

【０２１１】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、アルミニウム基体上に機能性膜を形成する工程を含
む電子写真感光体の製造方法において、特にアルミニウ
ム基体上に水素原子及び弗素原子のいずれか一方または
両方と珪素原子とを含む非単結晶堆積膜をプラズマＣＶ
Ｄ法により形成する工程を含む電子写真感光体の製造方
法において、前記堆積膜を形成する工程の前に基体の表
面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程を行う
ようにしたので、均一な高品位の画像を与える電子写真
感光体を安価に安定して製造することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施する
ために使用される前処理装置の概略縦断面図。

【図２】ａはマイクロ波プラズマＣＶＤ法により円筒状
基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略
縦断面図。ｂはａの横断面図。

【図３】ＲＦプラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆
積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面図。

【図４】電子写真感光体の層構成を示す断面図。

【図５】他の電子写真感光体の層構成を示す断面図。

【図６】一般的な転写式電子写真装置の概略構成図。

【図７】図６の電子写真装置をプリンターとして使用し
たファクシミリのブロック図。

【図８】従来の方法において堆積膜形成の前処理として
基体の洗浄を行うための洗浄装置の概略的縦断面図。

【図９】従来の方法において堆積膜形成の前処理として
基体の洗浄を行うための他の洗浄装置の概略的縦断面
図。

【符号の説明】

１０１，８０１，９０１ 基体 １０２，８０２ 処理部 ９０２ 回転軸 １０３，８０３ 基体搬送機構 ９０３ 噴射器 １１１，８１１ 基体投入台 １２１ 基体前洗浄槽 ８２１ 基体洗浄槽 １２２ 前洗浄液 ８２２，９０５ 洗浄液 １３１ 二酸化炭素を溶解した水による洗浄槽 １３２ 二酸化炭素を溶解した水 １４２，９０４ ノズル １４１ 乾燥槽 １５１，８５１ 基体搬出台 １６１，８６１ 搬送アーム １６２，８６２ 移動機構 １６３，８６３ チャッキング機構 １６４，８６４ エアーシリンダー １６５，８６５ レール ２０１ 反応容器 ２０２ マイクロ波導入窓 ２０３ 導波管 ２０４ 排気管 ２０５ 基体 ２０６ 放電空間 ２０７ ヒーター ２０９ 回転軸 ２１０ モーター ２１１ 直流電源 ２１２ バイアス電極 ３０１ 反応容器 ３０２ ベースプレート ３０３ 壁 ３０４ トッププレート ３０５ カソード電極 ３０６ 基体 ３０７ 原料ガス流入バルブ ３０８ リークバルブ ３０９ 排気バルブ ３１０ 真空計 ３１１ マスフローコントローラ ３１２ ヒーター ３１３ 高周波電源 ３１４ モーター ４０１，５０１ 基体 ４０２，５０２ 電荷注入阻止層 ４０３，５０３ 光導電層 ４０４，５０４ 表面層 ５０５ 赤外線吸収層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−281758（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 5/08,5/00

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミニウム基体上に珪素原子を含む非
   単結晶堆積膜を形成する工程を含む電子写真感光体の製
   造方法において、 前記堆積膜を形成する工程の前に、前記基体の表面を二
   酸化炭素を導入して二酸化炭素を溶解した水により洗浄
   する工程を備えていることを特徴とする電子写真感光体
   の製造方法。
2. 【請求項２】 前記二酸化炭素を溶解した水の導電率が
   ２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下であることを特
   徴とする請求項１記載の電子写真感光体の製造方法。
3. 【請求項３】 前記二酸化炭素を溶解した水のｐＨが
   ３．８以上、６．０以下であることを特徴とする請求項
   １に記載の電子写真感光体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記二酸化炭素を溶解した水が、抵抗率
   １ＭΩ・ｃｍ以上の純水に二酸化炭素を溶解した水であ
   ることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３
   記載の電子写真感光体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記アルミニウム基体上に珪素原子を含
   む非単結晶堆積膜を形成する工程が、プラズマＣＶＤ法
   によりアルミニウム基体上に形成する工程を含むことを
   特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写
   真感光体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記堆積膜は水素原子及び弗素原子のい
   ずれか一方または両方を含有することを特徴とする請求
   項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記アルミニウム基体が、少なくとも珪
   素原子を微量に含有したアルミニウム基体であることを
   特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写
   真感光体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記アルミニウム基体が、少なくとも珪
   素原子を１ｐｐｍから１ｗｔ％含有したアルミニウム基
   体であることを特徴とする請求項７記載の電子写真感光
   体の製造方法。