JPH07248635A

JPH07248635A - 電子写真感光体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07248635A
Application number: JP3938294A
Authority: JP
Inventors: Yasuyoshi Takai; 康好高井; Tetsuya Takei; 哲也武井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-03-10
Filing date: 1994-03-10
Publication date: 1995-09-26

Abstract

(57)【要約】【目的】画像欠陥及び画像濃度むらがなく、電子写真
特性に優れ、さらに密着性の高い電子写真感光体及び該
電子写真感光体の製造方法を提供する。【構成】珪素原子及びマグネシウム原子のいずれか一
方或は両方を特定量含有し、かつ、表面の結晶粒径及び
介在物の大きさを特定の大きさ以内に制御した支持体１
０１を二酸化炭素を溶解した水１３２により表面処理を
施した後に、プラズマＣＶＤ法により、水素及び／又は
ハロゲン原子を含む非単結晶堆積膜を形成し、電子写真
感光体とする。これにより画像欠陥の発生を防ぎ、画像
特性及び電子写真特性に優れ、かつ支持体との密着性に
すぐれた均一な高品質の画像を与える電子写真感光体を
安価に安定して提供することが可能となった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム又はアル
ミニウム合金支持体上に光導電膜等の機能性堆積膜を形
成した電子写真感光体及びその製造方法に関し、特に、
珪素原子及びマグネシウム原子のいずれか一方あるいは
両方を含有したアルミニウム合金支持体上にプラズマＣ
ＶＤ法により、構成元素として、水素原子及びハロゲン
原子のいずれか一方または両方を含む珪素原子を母体と
する非単結晶堆積膜を機能性膜として形成した電子写真
感光体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の堆積膜を形成するため
の支持体としては、ガラス、耐熱性合成樹脂、ステンレ
ス、アルミニウムなどが提案されている。しかし、実用
的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった
電子写真プロセスに耐え、また画質を落とさないために
常に位置制度を高く保つため、金属を使用する場合が多
い。中でもアルミニウムは加工性が良好で、コストが低
く、重量が軽い点から電子写真感光体の支持体として最
適な材料の１つである。

【０００３】電子写真感光体の支持体の材質に関する技
術が、特開昭５９−１９３４６３号公報、特開昭６０−
２６２９３６号公報に記載されている。特開昭５９−１
９３４６３号公報には、支持体をＦｅ含有率が２０００
ｐｐｍ以下のアルミニウム合金とすることにより、良好
な画質のアモルファスシリコン電子写真感光体を得る技
術が開示されている。更に該公報中では円筒状（シリン
ダー状）支持体を旋盤により切削を行い鏡面加工した
後、グロー放電によりアモルファスシリコンを形成する
までの手順が開示されている。特開昭６０−２６２９３
６号公報には、Ｍｇを３．０〜６．０ｗｔ％含有し、不
純物としてＭｎを０．３ｗｔ％以下、Ｃｒを０．０１ｗ
ｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、Ｓｉを０．１２
ｗｔ％以下に制御し、残部Ａｌから成るアモルファスシ
リコンの蒸着性に優れた押し出しアルミニウム合金が開
示されている。しかし、これらの公報には、アルミニウ
ム合金支持体の表面の結晶粒径を特定すること、及び特
定の成分を含む水によって表面処理をする技術に関する
記載はない。

【０００４】また、支持体の材質及び支持体表面の結晶
粒径に関する技術が、特開昭６１−２６０５６号公報、
特開昭６１−２５５３４９号公報、特開昭６１−２５５
３５０号公報に記載されている。

【０００５】特開昭６１−２６０５６号公報にはアモル
ファスシリコン感光層を有する感光体の支持体として、
支持体表面の結晶粒径が１ｃｍ以下の大きさになされた
アルミニウム又はアルミニウム合金を用いる技術が開示
されている。

【０００６】特開昭６１−２５５３４９号公報には、光
導電部材の支持体として表面に複数の球状痕跡窪みを有
し、結晶粒の大きさが最大３００μｍ以下であるアルミ
ニウムを基質とする技術が開示されている。さらに同公
報には、該支持体に含有する介在物の大きさが１０μｍ
以下であること、Ｍｇを０．５〜１０ｗｔ％含有するこ
とについても開示されている。

【０００７】特開昭６１−２５５３５０号公報には、光
導電部材の支持体として表面に複数の球状痕跡窪みを有
し、アルミニウムを基質とし、かつ、珪素含有量が０．
５ｗｔ％未満であり、さらに含有する介在物の大きさが
１０μｍ以下とする技術が開示されている。さらに同公
報には、該支持体の結晶粒の平均の大きさが１００μｍ
以下であることについても開示されている。しかしこれ
らの公報には、特定の成分を含む水によって表面処理を
する技術に関する記載はない。

【０００８】電子写真感光体の支持体又は支持体表面を
処理する技術として、特開昭５６−７４２５６号公報、
特開昭５８−１４８４１号公報が提案されている。

【０００９】特開昭５６−７４２５６号公報には、アル
ミニウム又はアルミニウム合金から成る支持体を焼鈍し
た後に所定の形状寸法に切削加工し、電子写真感光体の
支持体とすることが開示されている。

【００１０】特開昭５８−１４８４１号公報にはアルミ
ニウム支持体表面の自然酸化皮膜を除去した後、温度６
０℃以上の水中に浸漬して均一な酸化物の皮膜を得る技
術が開示されている。しかし、これらの公報にも、アル
ミニウム合金支持体の表面の結晶粒径を特定すること、
及び特定の成分を含む水によって表面処理をする技術に
関する記載はない。

【００１１】一方、電子写真感光体以外の支持体の前処
理方法として、特開昭６０−８７６号公報には、ウエハ
ー面上に静電気による放電破壊が生じないように、超純
水に炭酸ガスを吹き込む技術が開示されている。しか
し、この技術はウエハーのように高抵抗な支持体に発生
する静電気に対する対策であり、アルミニウムのような
導電性の支持体については全く触れられていない。

【００１２】電子写真感光体における素子部材の技術と
しては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、アモル
ファスシリコン、フタロシアニン等の有機物など各種の
材料が提案されている。中でもアモルファスシリコンに
代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積
膜、例えば水素及び／又はハロゲン（例えば弗素、塩素
等）で補償されたアモルファスシリコン（以下ｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）と記す）等のアモルファス堆積膜は、高
性能、高耐久性、無公害の感光体として提案され、その
幾つかは実用に付されている。特開昭５４−８６３４１
号公報には、光導電層を主として水素を含有するｎＣ−
Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）で形成した電子写真感光体の技術が開
示されている。

【００１３】こうした珪素原子を主成分として含む非単
結晶堆積膜の形成方法として従来、スパッタリング法、
熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光に
より原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマ
により原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）
等、多数の方法が知られている。

【００１４】プラズマＣＶＤ法、即ち、原料ガスを直
流、高周波、又はマイクロ波グロー放電等によって分解
し、支持体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子
写真用ｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成方法に最適
であり、現在実用化が非常に進んでいる。中でも近年堆
積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を用いた
プラズマＣＶＤ法が工業的にも注目されている。

【００１５】マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法
に比べ高い堆積速度と、高い原料ガス利用効率という利
点を有している。こうした利点を生かしたマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許第４，５０
４，５１８号に記載されている。該特許に記載の技術
は、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧によりマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法により高速の堆積速度で良質の堆積膜を得る
というものである。

【００１６】更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により
原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０
−１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記載
の技術は、概要、マイクロ波エネルギーの導入手段を取
り囲むように支持体を配置して、内部チャンバー（即ち
放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を
非常に高めるようにしたものである。

【００１７】また、特開昭５１−２８３１１６号公報に
は、半導体部材製造用の改良型マイクロ波技術が開示さ
れている。即ち、当該公報は、放電空間にプラズマ電位
制御手段として電極（バイアス電極）を設け、このバイ
アス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆積
膜へのイオン衝撃を制御しながら膜堆積を行うようにし
て、堆積膜の特性を向上させる技術を開示している。

【００１８】支持体としてアルミニウム又はアルミニウ
ム合金製シリンダーを用いた場合、これらの従来の技術
による電子写真感光体の製造方法は具体的には以下のよ
うに実施される。

【００１９】精密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥ
ＵＭＯＰＲＥＣＬＳＩＯＮＩＮＣ．製）にダイヤモ
ンドバイト（商品名：ミラクルバイト：東京ダイヤモン
ド製）を、シリンダー中心角に対して５°のすくい角を
得るようにセットする。次にこの旋盤の回転フランジ
に、支持体を真空チャックし、付設したノズルから白灯
油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を
併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０
１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面
切削を施す。

【００２０】次に、この切削した支持体をトリクロルエ
タンにより洗浄を行い、表面に付着している切削油及び
切り粉の洗浄を行う。

【００２１】次にこれらを鏡面加工し、洗浄した支持体
上に図２に示すグロー放電分解法による電子写真感光体
の堆積膜形成装置により、ｎＣ−Ｓｉを主体とした堆積
膜を形成する。

【００２２】図２において反応容器２０１は、ベースプ
レート２０２と壁２０３とトッププレート２０４から構
成され、この反応容器２０１内には、カソード電極２０
５が設けられており、ｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜が
形成される支持体２０６はカソード電極２０５の中央部
に設置され、アノード電極も兼ねている。

【００２３】この堆積膜形成装置を使用してｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜を支持体２０６上に形成するに
は、まず、原料ガス流入バルブ２０７及びリークバルブ
２０８を閉じ、排気バルブ２０９を開け、反応容器２０
１を排気する。真空系２１０の読みが約５×１０^-6Ｔｏ
ｒｒになった時点で原料ガス流入バルブ２０７を開いて
マスフローコントローラー２１１内で所定の混合比を調
整された、例えばシランガス等の原料ガスを反応容器２
０１内に流入させる。そして支持体２０６の表面温度が
加熱ヒーター２１２により所定の温度に設定されている
ことを確認した後、高周波電源２１３を所望の電力に設
定して反応容器２０１内にグロー放電を生起させる。

【００２４】また、堆積膜形成を行っている間は、堆積
膜の均一化を図るために支持体２０６をモーター２１４
により一定速度で回転させる。このようにして支持体２
０６上にｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜を形成すること
ができる。

【００２５】

【発明が解決しようとしている課題】しかし、これら従
来の電子写真感光体、及び電子写真感光体の製造方法
は、特に堆積膜の堆積速度の速い領域では、均一膜質で
光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、かつ電子写真
プロセスにより画像形成時に画像品質が高く、膜の密着
性に優れた電子写真感光体を定常的に安定して高収率
（高歩留り）で得るのは難しいという解決すべき問題点
が残存している。

【００２６】即ち、従来の電子写真感光体は、堆積膜中
に異常成長の部分があり、その部分は微小な面積の表面
電荷の乗らない部分となる。これらの現象は特にｎＣ−
Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）のようにプラズマＣＶＤ法により堆積
膜を形成した電子写真感光体の場合特に顕著である。し
かし、それらの表面電位の乗らない部分は支持体の表面
加工条件及び堆積条件の最適化を行えば最小限に抑制す
ることができ、従来は現象の解像力又はそれ以下の程度
であったため実用上問題は生じていなかった。

【００２７】また、従来の電子写真感光体は、その電気
的及び光学的特性も感光体の表面全体では若干不均一で
あった。この不均一性は帯電電位のむらとして現れる。
即ち、上記微小領域の問題とは別に、電子写真感光体の
表面全体をみた場合、必ずしも均一には帯電しておら
ず、ある程度の帯電むら、それに伴う画像むらが生じて
いた。特に前述のｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）のようにプラ
ズマＣＶＤ法により堆積膜を形成した電子写真感光体の
場合特に顕著である。しかし、この問題も、支持体の表
面加工条件及び堆積条件の最適化、或は現像条件の調整
等により、実用上問題のないレベルまで抑制されてい
た。

【００２８】しかし、近年のように、電子写真装置の高画質化が要求され、それに伴い現像
の解像力が向上した。複写機の高速化が進み帯電条件を中心とした複写プロ
セスが感光体に対して過酷になるに従い、表面での電位
の乗らない部分が実質上周辺の電位に対して大きな影響
を与えるようになった。

【００２９】このような状況下では、従来問題となって
いなかったこれらの電荷の乗らない微小な部分も画像欠
陥として指摘されるようになってきた。或は、画像の微
妙なむらも問題視されるようになってきた。

【００３０】さらに、従来はコピーの用途としては、活
字だけの原稿（いわゆるラインコピー）が中心であった
ので、これらの画像欠陥は実用上大きな問題とならなか
った。しかし、近来複写機の画質が上がるにつれて、写
真などのハーフトーンを含む原稿が多くコピーされるよ
うになり問題となってきた。特に近来普及してきたカラ
ー複写機においては、これらの欠陥、及びむらは視覚的
により明らかになるため、大きな問題となってきた。

【００３１】これらの欠陥或はむらによる表面電位の変
化は微小であるため、上部に電極を付け導電率の測定を
行っても検知することはできない。しかし、電子写真感
光体として電子写真プロセスにより帯電、露光、現像を
行ったとき、特にハーフトーンで均一の画像を形成した
とき、電子写真感光体表面上の僅かな電位の差も画像欠
陥及び画像むらとなって視覚的に顕著なものとして現れ
てくる。特にマイクロ波プラズマＣＶＤ法により作製し
た電子写真感光体においては、前述の問題はさらに顕著
に現れてしまう。このような画像欠陥は、真空蒸着によ
り作製したＳｅ電子写真感光体、ブレード塗布法又はデ
ィッピング法等により作製したＯＰＣ（有機光導電体）
電子写真感光体に比べ、プラズマＣＶＤ法で作製した電
子写真感光体では特に顕著に現れるのである。

【００３２】一方、同じくプラズマＣＶＤ法で作製する
デバイスでも、太陽電池のように基板上の位置による微
妙な特性の差がその性能に影響しない（微小領域の特性
が全体の特性に与える影響が小さい）、又は後処理で補
修が可能（容易）なデバイスでは、上述の問題は発生し
ない。また、太陽電池は、電子写真感光体と比較して、
一般に膜厚が薄く（電子写真感光体＝１０μｍ〜１００
μｍ；太陽電池＝数ミクロン）、仮に異常成長の核（表
面欠陥）が存在しても、異常成長の部分が、充分成長せ
ず、問題になりにくい。

【００３３】さらに別の問題点として、プラズマＣＶＤ
法で電子写真感光体のような比較的厚い膜を形成する場
合、量産効率を上げるために、堆積速度をさらに上げよ
うとすると、支持体表面からの膜剥れが起こる場合があ
る。

【００３４】

【発明の目的】本発明の目的は、上述のごとき従来の電
子写真感光体及び電子写真感光体の製造方法における諸
問題を克服して、特に堆積膜の堆積速度の速い領域で、
均一膜質で光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、か
つ電子写真プロセスにより画像形成時に画像品質が高
く、膜の密着性に優れた電子写真感光体、及び該感光体
を定常的に安定して高収率（高歩留り）で得ることがで
きる製造方法を提供することにある。

【００３５】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の電子写
真感光体は、アルミニウム又はアルミニウム合金より成
る支持体上に機能性堆積膜を形成した電子写真感光体に
おいて、前記支持体は、表面の結晶粒径が、最大で１０
ｍｍ以下、平均で５ｍｍ以下であり、介在物の大きさ
が、最大で５０μｍ以下、平均で３０μｍ以下であり、
かつ、二酸化炭素を溶解した水により表面処理を行った
ものであることを特徴としている。

【００３６】さらに、本発明の電子写真感光体の製造方
法は、アルミニウム又はアルミニウム合金より成る支持
体上に機能性堆積膜を形成する工程を含む電子写真感光
体の製造方法において、前記支持体は、その表面の結晶
粒径を特定の範囲内に制御したものであり、かつ、前記
機能性堆積膜を形成する工程の前に、前記支持体の表面
を二酸化炭素を溶解した水により表面処理する工程を備
えていることを特徴としている。

【００３７】本発明者の検討では、アルミニウム又はア
ルミニウム合金を支持体として用いた時に発生する画像
欠陥（異常成長）の原因は、（Ａ）支持体上の塵等が付着してそれが核となる。（Ｂ）支持体の表面欠陥が核となる。に大別できる。

【００３８】また、不均一性の原因は、（Ｃ）支持体の表面性の均一性（表面状態が不均一であ
ると膜の特性もそれを反映する）（Ｄ）膜の堆積時の均一性（膜厚むら、組成むら等の不
均一要因を誘発する。）に大別できる。

【００３９】（Ａ）の塵等の付着は、切削洗浄など支持
体を取り扱う場所のクリーン化を図る、及び反応容器内
の清掃を厳密に行うことと共に堆積膜形成の直前に支持
体表面を洗浄することにより防止することが可能であっ
た。従来はトリクロルエタン等の塩素系溶剤で洗浄する
ことによりこの目的を達成していた。しかし、近年オゾ
ン層の破壊等の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制
限されるようになってきたため、この問題について新た
に検討をする必要が生じた。

【００４０】（Ｂ）の支持体表面の欠陥を減少させるこ
とは、従来より非常に困難であった。

【００４１】（Ｃ）の支持体表面の均一性についても
（Ｂ）と同様に非常に困難であった。

【００４２】（Ｄ）の膜の堆積時における均一性に対し
ては、従来より、処方の最適化、反応容器のディメンジ
ョンの最適化等の対策により実用上問題のないレベルま
で改善されている。

【００４３】本発明者は、特定の成分含有のアルミニウ
ムの結晶粒径及び介在物の大きさを特定し、さらに特定
の表面処理を組み合わせることによりこれらの問題を全
て解決できないかという観点に立ち鋭意検討を行った結
果本発明の完成を得た。

【００４４】本発明者の検討により、アルミニウム又は
アルミニウム合金支持体上の表面欠陥は主に以下の要因
になることが解明された。即ち、アルミニウム中に局所
的に高硬度の部分があり、堆積膜形成に先立つ前加工と
して、切削等の表面加工の際に加工機の刃にこれらの高
硬度の部分がえぐられ、アルミニウム支持体上に表面欠
陥ができることが（Ｂ）の原因であることが明らかとな
った。

【００４５】さらに、これらの現象を防ぐためには、通
常アルミニウムに含有される不純物は少ない方がよい。
しかし、非常に高純度のアルミニウムは支持体の形状に
原材料のアルミニウムを加工するための溶解の際に必然
的に発生する酸化物が成長し、前述の欠陥発生の原因と
なる。これを防ぐためには、珪素原子を含有させること
が効果的であることが明らかとなった。さらにマグネシ
ウムを含有させることにより、強度及び切削性が向上す
ることも明らかとなった。

【００４６】支持体の表面欠陥による画像欠陥を部分防
止するだけであるならば、支持体表面の機械加工後、従
来通りのトリクロルエタン等の塩素系の溶剤を用い洗浄
を行うことだけで十分実用に耐え得る。

【００４７】しかし、支持体の表面欠陥以外のコピー画
像むらに影響を与えると考えられる表面性の微妙なむ
ら、即ち（Ｃ）の原因、或は高速堆積時における膜剥れ
に耐え得る密着性の向上の問題を解決するには、さらに
支持体の表面性を制御する必要がある。加えて近年では
環境問題のためにこれらの塩素系溶剤を容易には使うこ
とができないため、本発明者は環境問題も考慮した上
で、洗浄効果をも含めた形で表面処理の検討を行った。
その結果、特定の成分含有のアルミニウムの結晶粒径及
び介在物の大きさを特定し、さらに特定の成分を含む水
による表面処理により支持体表面の均一化及び活性化が
可能であることを見い出した。

【００４８】アルミニウムは水により腐食が発生する、
特にこれら珪素原子を含むアルミニウムは、水に漬ける
と珪素原子、或はマグネシウム原子が局所的に多い部分
を中心に水による腐食が顕著になることを発見した。

【００４９】この現象は水の温度が高いほど顕著であ
り、またアルミニウム中に珪素原子と共に切削性を向上
する目的でマグネシウムを含む場合、さらに顕著となっ
た。アルミニウムの腐食を防ぐためには、各種の腐食防
止剤が提案されているが、本発明のように、珪素原子及
びマグネシウム原子をいずれか一方、又は両方を含有し
たアルミニウム支持体を電子写真感光体の支持体に用い
る場合は大面積の支持体上に僅かに発生した欠陥でも問
題となるため、効果が不十分であり、さらにこれらの腐
食防止剤が洗浄後微量に支持体表面に残存するため、堆
積膜形成後、電子写真特性に悪影響を与える。即ち、ア
ルミニウム支持体表面上に水と同時に速やかに揮発する
成分以外の成分が付着していると、電子写真感光体を作
製した場合、画像上のしみ等の悪影響が発生するため従
来の腐食防止剤の使用は制限される。

【００５０】また、腐食の度合いは、支持体表面のアル
ミニウム結晶粒径、及び介在物の大きさにも依存するこ
とが解った。

【００５１】本発明者は、堆積膜の形成に先立ち何らか
の処理を行った水で支持体の表面処理を行うこと、及び
支持体表面の結晶粒径、及び介在物の大きさを特定する
ことにより上記のような欠陥の発生を抑え、均一性の高
い活性化した支持体表面を得ることができないかという
点に着目して鋭意研究した結果、本発明を完成させるに
至った。

【００５２】本発明のメカニズムについては未だ解明さ
れていない点が多いが、本発明者は現在、次のように考
えている。

【００５３】アルミニウム表面に部分的に露出した珪素
原子或はマグネシウム原子が多い部分は、それらの元素
のイオン化傾向の違いが主要因と思われるが、周囲の通
常のアルミニウムの部分と局部的な電池を形成して腐食
を促進する。

【００５４】一方、水に溶解した二酸化炭素は水中で炭
酸イオンとなり、これらの局部電池の部分に引き寄せら
れ周囲を覆うことにより水中の酸素等の接近を防ぎ効果
的に腐食を防止する。さらに、炭酸イオンは珪素原子の
多い部分表面に何らかの変質をさせることにより、堆積
膜形成時にこの部分からの異常成長が発生することを防
止する。

【００５５】また、支持体表面のアルミニウムの結晶粒
径及び介在物の大きさを特定の値以下に抑えることによ
って、この炭酸イオンの効果をさらに高めることができ
る。これは、結晶粒径、及び介在物の大きさを特定の値
以下に制御することによって前述の珪素原子、或はマグ
ネシウム原子が局所的に多い部分は均一に分散し、均一
な表面状態に近づくためであると考えられる。即ち、表
面の結晶粒径及び介在物の大きさを特定し、さらに二酸
化炭素を溶解した水により表面処理することにより、均
一に活性化された表面となるものと考えられる。

【００５６】以上の条件及び処理により表面欠陥（画像
欠陥）の低減及び均一性（画像むら）の向上が認められ
た。

【００５７】プラズマＣＶＤ法により、例えばｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜を支持体上に形成する場合、反応
は気相における原料ガスの分解過程、放電空間から支持
体表面までの活性種の輸送過程、支持体表面での表面反
応過程の３つに分けて考えることができる。中でも、表
面反応過程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大き
な役割を果たしている。そしてこれらの表面反応は、支
持体表面の温度、材質、形状、吸着物質などに大きな影
響を受ける。

【００５８】特に純度の高いアルミニウム支持体は、切
削後トリクロルエタンのような非水溶剤で洗浄を行った
だけの状態、又は切削後の他の洗浄を行わずに純水ジェ
ット洗浄処理を行っただけの状態では、支持体表面上の
水の吸着が部分的に異なる状態となっている。このよう
な表面状態の支持体上に例えばプラズマＣＶＤ法により
ｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）膜のような珪素原子と、水素原
子及び／又はハロゲン原子とを含んだ堆積膜を形成する
と、その表面の反応は、支持体上に残った水分子の量に
特に大きく影響される。このことにより、支持体の位置
の水の吸着量により、堆積膜の界面の組成及び構造が変
化し、その結果、電子写真プロセスの工程中にその部分
の支持体からの電荷の注入性が変化し、画像濃度を変え
るに十分な表面電位の差が現れる。

【００５９】本発明では、プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成前に支持体表面に二酸化炭素を溶解した水で表面
処理することにより、支持体表面を効果的に均一にする
ことができ、上述の画像の濃度むらをなくすことに成功
している。

【００６０】さらに、本発明の効果として電子写真特性
及び膜の密着性が向上する。

【００６１】炭酸イオンはアルミニウム表面全体を僅か
に溶解することにより表面の活性度を上げ、堆積膜を形
成する際良好な電荷のやりとりができる界面を形成する
ことができる。さらに本発明では、支持体表面の結晶粒
径及び介在物の大きさを特定してあるため、前述のよう
に支持体表面はより均一に活性化される。このため、帯
電能の向上、残留電位の低減等電子写真特性の向上と同
時に膜の密着性の向上を果たすことが可能となった。

【００６２】本発明は電子写真感光体の製造時において
発生する画像欠陥、画像むら等を改善し、さらにその電
子写真特性及び密着性を向上させるための新規の表面処
理方法であり、単なる表面汚染物質の洗浄とは全く異な
った効果を達成している。

【００６３】さらに本発明では切削工程後、二酸化炭素
を溶解した水の表面処理工程の前に前洗浄工程を設ける
ことにより本発明の効果を妨げる油脂及びハロゲン系の
残留物の除去を完全に行うことにより、本発明の効果を
最高に高めることを可能にしている。

【００６４】［製造方法手順の一例］アルミニウム合金
製シリンダーを支持体として、本発明の電子写真感光体
の製造方法により、本発明の電子写真感光体を実際に形
成する手順の一例を、図１に示す本発明による支持体処
理装置、及び、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆積膜形成装置
を用いて以下に説明する。

【００６５】精密切削用のエアダンパー付旋盤（ＰＮＥ
ＵＭＯＰＲＥＣＬＳＩＯＮＩＮＣ．製）にダイヤモ
ンドバイト（商品名：ミラクルバイト：東京ダイヤモン
ド製）を、シリンダー中心角に対して５°のすくい角を
得るようにセットする。次ぎにこの旋盤の回転フランジ
に、支持体を真空チャックし、付設したノズルから白灯
油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を
併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０
１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面
切削を施す。

【００６６】切削が終了した支持体は、支持体前処理装
置により支持体表面の処理を行う。図１に示す支持体前
処理装置は、処理部１０２と支持体搬送機構１０３より
なっている。処理部１０２は、支持体投入台１１１、支
持体前洗浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した水による表
面処理槽１３１、乾燥槽１４１、支持体搬出台１５１よ
りなっている。前洗浄槽１２１、二酸化炭素を溶解した
水による表面処理槽１３１とも液の温度を一定に保つた
めの温度調節装置（不図示）が付いている。搬送機構１
０３は搬送レール１６５と搬送アーム１６１よりなり、
搬送アーム１６１は、レール１６５上を移動する移動機
構１６２、支持体１０１を保持するためのチャッキング
機構１６３及びチャッキング機構１６３を上下させるた
めのエアーシリンダー１６４よりなっている。

【００６７】切削後、投入台１１１に置かれた支持体１
０１は、搬送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送され
る。前洗浄槽１２１中の界面活性剤水溶液１２２中で超
音波洗浄されることにより表面に付着している切削油及
び切り粉の洗浄が行われる。

【００６８】次に支持体１０１は、搬送機構１０３によ
り二酸化炭素を溶解した水による表面処理槽１３１へ運
ばれ、２５℃の温度に保たれた二酸化炭素を溶解した水
により表面処理が行われる。二酸化炭素を溶解した水は
工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ；堀場製作所
製）により随時導電率を測定し、必要に応じて二酸化炭
素を溶解することにより導電率がほぼ１０μＳ／ｃｍに
維持されるように制御される。二酸化炭素を溶解した水
による表面処理の終わった支持体１０１は搬送機構１０
３により乾燥槽１４１へ移動され、ノズル１４２から高
温の乾燥した高圧空気又は不活性ガスを吹きつけられ乾
燥される。

【００６９】乾燥工程の終了した支持体１０１は、搬送
機構１０３により搬出台１５１に運ばれる。

【００７０】次に、この切削加工及び表面処理の終了し
た支持体を図３Ａ及び図３Ｂに示すグロー放電分解法に
よる電子写真感光体の堆積膜形成装置により、ｎＣ−Ｓ
ｉを主体とした堆積膜を形成する。

【００７１】図３Ａは製造装置の模式的縦断面図であ
り、図３ＢはそのＸ−Ｘ線断面の図である。図中、３０
１は反応容器であり、真空機密化構造となっている。ま
た３０２は、マイクロ波電力を反応容器３０１内に効率
よく透過し、かつ真空機密を保持できるような材質（例
えば石英ガラス、アルミナセラミックス等）からなるマ
イクロ波導入誘電体窓である。３０３はマイクロ波電力
の伝送を行う導波管であり、マイクロ波電源から反応容
器近傍までの矩形の部分と、反応容器に挿入された円筒
形の部分から成っている。

【００７２】動波管３０３はスタブチューナー（不図
示）、アイソレーター（不図示）とともにマイクロ波電
源（不図示）に接続されている。誘電体窓３０２は、反
応容器内の雰囲気を保持するために動波管３０３の円筒
形の部分の内壁に機密封止されている。３０４は一端が
反応容器３０１に開口し、他端が排気装置（不図示）に
連通している排気管である。なお、排気管及び排気装置
は、反応容器内の空気を排気する場合と、成膜用のガス
（反応又は未反応）を排気する場合とで、各々独立した
ものを使用するのが、排気管内及び排気装置内での残留
ガスと空気による反応を防止する上で好ましい。３０６
は支持体３０５により取り囲まれた放電空間を示す。電
源３１１はバイアス電極３１２に直流電圧を印加するた
めの直流電源（バイアス電源）である。このような製造
装置を用いて、電子写真感光体の製造を以下の手順で行
う。

【００７３】まず、排気装置（不図示）により排気管３
０４を介して、反応容器３０１を排気し、反応容器３０
１内の圧力を１×１０^-7以下とする。この時、反応容器
内のダスト等を舞い上げないように、始めの排気はゆっ
くり（スロー排気）行うことが望ましい。

【００７４】次いでヒーター３０７により、支持体３０
５を所定の温度まで加熱保持する。尚、この時、ヒータ
ーと支持体の間の熱伝導を向上させ、短時間で均一に加
熱するために、熱に対して安定でしかも支持体と反応し
ない気体（例えば不活性ガス、水素等）を導入しても良
い。また、支持体の表面に酸化膜を形成する場合は酸素
を含む雰囲気中で加熱することも有効である。

【００７５】支持体が所定の温度に達したら、一旦反応
容器内を真空にして、第１層の原料ガスをガス導入手段
（不図示）を介して導入する。即ち、ｎＣ−Ｓｉ：
（Ｈ，Ｘ）の原料ガスとしてシランガス、ドーピングガ
スとしてジボランガス、希釈ガスとしてヘリウムガス等
の原料ガスを反応容器内に導入する。それと同時並行的
に、マイクロ波電源（不図示）により周波数５００ＭＨ
ｚ以上、好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生
させ、動波管３０３を通じ、誘電体窓３０２を介して反
応容器３０１内に導入する。

【００７６】さらに放電空間３０６中のバイアス電極３
１２に支持体３０５に対して直流電圧を印加する。この
ようにして支持体３０５によって囲まれた放電空間３０
６において、原料ガスはマイクロ波のエネルギーにより
励起されて解離し、中性ラジカル粒子、イオン粒子、電
子などが生成され、それらが相互に反応して支持体３０
５表面に堆積膜を形成する。この時、支持体３０５が設
置された回転軸３０９をモーター３１０により回転させ
ることにより、支持体３０５を支持体母線方向中心軸の
周りに回転させることにより、支持体３０５全周にわた
って均一に堆積膜を形成する。

【００７７】このようにして形成された第１層上への第
２層の形成は、第１層形成時とは原料ガスの組成（組成
比）を変えて反応容器３０１内に原料ガスを導入し、第
１層形成時と同様にして放電を開始することによって行
う。

【００７８】この時、反応容器３０１内は必ずしも真空
度を成膜時よりも高くする必要はなく、ガス流量制御手
段（不図示）を手動又はコンピュター等による制御によ
って、放電を維持した状態で、第１領域形成のガス組成
から第２領域形成のガス組成（組成比）へと徐々に切り
換えていくことも可能である。

【００７９】本発明において、前洗浄を行う場合は特に
界面活性剤等を含有した水系の洗浄が望ましい。水系の
洗浄を行う場合、界面活性剤を溶解する前の水の水質は
いずれでも可能であるが、特に半導体グレードの純水、
特に超ＬＳＩグレードの純水が望ましい。具体的には、
水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は１ＭΩ・ｃｍ
以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・
ｃｍ以上が本発明には適している。上限値は理論抵抗値
（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも可能で
あるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ以下、
好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃ
ｍ以下が本発明には適している。微粒子量としては、
０．２μｍ以上の粒子が１ミリリットル中に１００００
個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００個
以下が本発明には適している。微生物量としては、総生
菌数が１ミリリットル中に１００個以下、好ましくは１
０個以下、最適には１個以下が本発明には適している。
有機物量は（ＴＯＣ）は、１リットル中に１０ｍｇ以
下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下が
本発明には適している。

【００８０】上記水質の水を得る方法としては、活性炭
法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み
合わせて用い、要求される水質まで高めることが望まし
い。

【００８１】水の温度は高すぎると支持体表面を荒らし
てしまい、堆積膜剥れ、或は表面欠陥の原因となる。ま
た低すぎると洗浄効果が小さく、さらに本発明の効果が
充分得られない。このため、水の温度としては、１０℃
以上、９０℃以下、好ましくは２０℃以上、７５℃以
下、最適には３０℃以上、５５℃以下が本発明には適し
ている。

【００８２】本発明において前洗浄工程で用いられる界
面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活
性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、または
それらの混合したもの等のいずれのものでも可能であ
る。中でもカルボン酸塩、スルホンサン酸塩、硫酸エス
テル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤また
は、脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤は特に本
発明では効果的である。ビルダーとしては、燐酸塩、炭
酸塩、珪酸塩、ほう酸塩等を用いることが有効である。
キレート剤としては、グルコン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴ
Ａ、燐酸塩等を用いることが有効である。

【００８３】本発明において前洗浄工程に超音波を用い
ることは本発明の効果を出す上で有効である。超音波の
周波数は、好ましくは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以
下、さらに好ましくは１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最
適には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が効果的であ
る。超音波の出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以
上、１ｋＷ／リットル以下、さらに好ましくは１Ｗ／リ
ットル以上、１００Ｗ／リットル以下が効果的である。

【００８４】本発明において、二酸化炭素を溶解した水
による表面処理工程に使用される水の水質は非常に重要
であり、二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの
純水、特に超ＬＳＩグレードの純水が望ましい。具体的
には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は１ＭΩ
・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５
ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。上限値は理論
抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの値でも
可能であるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ
以下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３Ｍ
Ω・ｃｍ以下が本発明には適している。微粒子量として
は、０．２μｍ以上の粒子が１ミリリットル中に１００
００個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１０
０個以下が本発明には適している。微生物量としては、
総生菌数が１ミリリットル中に１００個以下、好ましく
は１０個以下、最適には１個以下が本発明には適してい
る。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中１０ｍｇ以
下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下が
本発明には適している。

【００８５】上記水質の水を得る方法としては、活性炭
法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み
合わせて用い、要求される水質まで高めることが望まし
い。

【００８６】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多す
ぎると水温が変動したときに泡が発生し支持体表面に付
着することによりスポット状のシミが発生する場合があ
る。更に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さ
くなるために支持体にダメージを与える場合がある。一
方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効
果を得ることができない。

【００８７】支持体に要求される品質等を考慮しなが
ら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必
要がある。

【００８８】一般的に本発明による好ましい二酸化炭素
の溶解量は飽和溶解量の６０％以下、さらに好ましくは
４０％以下の条件である。

【００８９】本発明において二酸化炭素の溶解量は水の
導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導
電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以
上、４０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは４μＳ／ｃ
ｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、６μＳ／ｃｍ以上、３０
μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は
３．８以上、６．０以下、さらに好ましくは４．０以
上、５．０以下で本発明は効果が顕著である。導電率の
測定は導電率計により行い、値としては温度補正により
２５℃に換算した値を用いる。

【００９０】二酸化炭素を水に溶解する方法は、バブリ
ングによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでもよい。
本発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いるこ
とが重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウ
ム等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イ
オンが本発明の効果を疎外してしまう。

【００９１】このようにして得られた二酸化炭素を溶解
した水により支持体表面を表面処理するときは、ディッ
ピングにより表面処理する方法、水圧をかけて吹きつけ
る方法等がある。

【００９２】ディッピングにより表面処理する場合、二
酸化炭素を溶解した水を導入した水槽に支持体を浸漬す
ることが基本であるが、その際に超音波を印加する。水
流を与える、気体を導入することによりバブリングを行
う等を併用すると本発明はさらに効果的なものとなる。

【００９３】吹きつける場合、水の圧力は、弱すぎると
本発明の効果が小さいものとなり、強すぎると得られた
電子写真感光体の画像上、特にハーフトーンの画像上で
梨肌状の模様が発生してしまう。このため水の圧力とし
ては、２ｋｇ・ｆ／ｃｍ²以上、３００ｋｇ・ｆ／ｃｍ
²以下、好ましくは、１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ²以上、２０
０ｋｇ・ｆ／ｃｍ²以下、最適には２０ｋｇ・ｆ／ｃｍ
²以上、１５０ｋｇ・ｆ／ｃｍ²以下が本発明には適し
ている。但し、本発明における圧力単位ｋｇ・ｆ／ｃｍ
²は、重力キログラム毎平方センチメートルを意味し、
１ｋｇ・ｆ／ｃｍ²は９８０６６．５Ｐａと等しい。

【００９４】水を吹きつける方法には、ポンプにより高
圧化した水をノズルから吹きつける方法または、ポンプ
で汲み上げた水を高圧気体とノズルの手前で混合して気
体の圧力により吹きつける方法等がある。

【００９５】水の量としては、発明の効果と、経済性か
ら、支持体１本当たり１リットル／ｍｉｎ以上、２００
リットル／ｍｉｎ以下、好ましくは２リットル／ｍｉｎ
以上、１００リットル／ｍｉｎ以下、最適には５リット
ル／ｍｉｎ以上、５０リットル／ｍｉｎ以下が本発明に
は適している。

【００９６】水の温度は高すぎると支持体表面を荒らし
てしまい、堆積膜剥れ、或は表面欠陥の原因となる。さ
らに本発明の効果が充分に得られない。また安定して二
酸化炭素を水中に溶解しておくことが困難である。反対
に低過ぎても表面処理効果が小さく、本発明の効果が充
分得られない。このため、水の温度としては、５℃以
上、９０℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、
最適には１５℃以上、４０℃以下が本発明には適してい
る。

【００９７】二酸化炭素を溶解した水による表面の処理
時間は、長すぎると支持体上が荒れてしまい、短すぎる
と本発明の効果が小さいため、１０秒以上、３０分以
下、好ましくは２０秒以上、２０分以下、最適には３０
秒以上、１０分以下が本発明には適している。

【００９８】本発明において、堆積膜形成時の支持体
（素管）表面の変質物、或は付着物を取り除くために、
堆積膜形成の直前に支持体（素管）表面の切削を行うこ
とは重要なことである。

【００９９】切削から二酸化炭素を溶解した水による洗
浄処理までの時間は長すぎると支持体表面が再び汚染さ
れてしまい、短すぎると工程が安定しないため、１分以
上、１６時間以下、好ましくは２分以上、８時間以下、
最適には３分以上、４時間以下が本発明には適してい
る。但し、切削後の支持体を、クリーン度の高い真空雰
囲気、あるいは支持体と反応しない雰囲気中（例えば不
活性ガス雰囲気中）で保管すれば、上記時間の範囲に制
約されることはない。

【０１００】二酸化炭素を溶解した水による表面処理か
ら堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発
明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定
しないため、１分以上、８時間以下、好ましくは２分以
上４時間以下、最適には３分以上２時間以下が本発明に
適している。但し、切削後の支持体を、クリーン度の高
い真空雰囲気、あるいは支持体と反応しない雰囲気中
（例えば不活性ガス雰囲気中）で保管すれば、上記時間
の範囲に制約されることはない。

【０１０１】乾燥工程は、温風乾燥、真空乾燥、温水乾
燥、等いずれの乾燥法も有効である。特に二酸化炭素を
溶解した温水による乾燥が本発明の効果を高めるために
好ましい。

【０１０２】本発明において、二酸化炭素を溶解した水
による温水乾燥を行う場合、使用される水の水質は非常
に重要であり、二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレ
ードの純水、特に超ＬＳＩグレードの純水が望ましい。
具体的には、水温２５℃の時の低効率として、下限値は
１ＭΩ・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適
には５ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。上限値
は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までのいずれの
値でも可能であるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ
・ｃｍ以下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には
１３ＭΩ・ｃｍ以下が本発明には適している。微粒子量
としては、０．２μｍ以上の粒子が１ミリリットル中に
１００００個以下、好ましくは１０００個以下。最適に
は１００個以下が本発明には適している。微生物量とし
ては、総生菌数が１ミリリットル中に１００個以下、好
ましくは１０個以下、最適には１個以下が本発明には適
している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中１０ｍ
ｇ以下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以
下が本発明には適している。

【０１０３】上記水質の水を得る方法としては、活性炭
法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸
透、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み
合わせて用い、要求される水質まで高めることが望まし
い。

【０１０４】これらの水に溶解する二酸化炭素の量は飽
和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だか、多す
ぎると水温が変動したときに泡が発生し支持体表面に付
着することによりスポット状のシミが発生する場合があ
る。更に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さ
くなるために支持体にダメージを与える場合がある。一
方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効
果を得ることがきない。

【０１０５】支持体に要求される品質等を考慮しなが
ら、状況に合わせて二酸化炭素の溶解量を最適化する必
要がある。

【０１０６】一般的に本発明による好ましい二酸化炭素
の溶解量は飽和溶解量の６０％以下、さらに好ましくは
４０％以下の条件である。

【０１０７】本発明において二酸化炭素の溶解量は水の
導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導
電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以
上、４０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは４μＳ／ｃ
ｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、６μＳ／ｃｍ以上、３０
μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は
３．８以上、６．０以下、さらに好ましくは４．０以
上、５．０以下で本発明は効果が顕著である。導電率の
測定は導電率計により行い、値としては温度補正により
２５℃に換算した値を用いる。

【０１０８】二酸化炭素を水に溶解する方法は、バブリ
ングによる方法、隔膜を用いる方法等いずれでもよい。
本発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いるこ
とが重要であり、炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウ
ム等の炭酸塩を用いた場合、ナトリウムイオン等の陽イ
オンが本発明の効果を疎外してしまう。

【０１０９】水の温度は高すぎると支持体表面を荒らし
てしまい、堆積膜削れ、或は表面欠陥の原因となる。ま
た低すぎると乾燥が不十分となり、さらに本発明の効果
が充分得られない。このため、水の温度としては、３０
℃以上、９０℃以下、好ましくは３５℃以上、８０℃以
下、最適には４０℃以上、７０℃以下が本発明には適し
ている。

【０１１０】本発明においては、支持体の材質はアルミ
ニウムを母体とするものであればいずれでも可能である
が、特に珪素原子及びマグネシウム原子のうちいずれか
一方又は両方を含有したものを用いた場合本発明の効果
が顕著である。本発明において好ましい珪素原子の含有
量としては１ｗｔｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下、さらに好
ましくは１０ｗｔｐｐｍ以上、０．１ｗｔ％以下の範囲
である。また好ましいマグネシウム原子の含有量として
は、０．１ｗｔｐｐｍ以上、１０ｗｔ％以下、さらに好
ましくは０．２ｗｔｐｐｍ以上、５ｗｔ％以下の範囲で
ある。

【０１１１】さらに本発明では、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，
Ｂｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ｃａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉ等如何なる物質をアルミニウム中に含有さ
せても有効である。

【０１１２】本発明において、支持体表面の結晶粒径及
び介在物の大きさは、特定の値よりも大きくなると、二
酸化炭素を溶解した水で表面処理を行った場合、表面処
理が均一にならず、コピー画像の画像むらを誘発する。
このため表面の結晶粒径が、好ましくは最大で１０ｍｍ
以下、平均で５ｍｍ以下であり、介在物の大きさが、最
大で５０μｍ以下、平均で３０μｍ以下であり、より好
ましくは、最大で５ｍｍ以下、平均で２ｍｍ以下であ
り、介在物の大きさが最大で３０μｍ以下、平均で１５
μｍ以下であり、最適には、最大で３ｍｍ以下、平均で
１ｍｍ以下であり、介在物の大きさが、最大で２０μｍ
以下、平均で１０μｍ以下であることが本発明には適し
ている。

【０１１３】また、アルミニウム支持体表面の結晶粒径
を制御する方法としては、いずれの方法でも本発明には
有効であるが、例えば特開昭６１−２６０５６号公報に
記載の以下の方法が挙げられる。

【０１１４】アルミニウム或はアルミニウム合金系
をその溶融状態から凝固させる段階で超音波を照射す
る。超音波による結晶粒の微細化は初晶粒子と溶融液と
の間に働く摩擦力による破壊作用及びキャビテーション
作用によって行われる。

【０１１５】アルミニウム或はアルミニウム合金を
固相線直下の温度まで長時間加熱する焼きなまし処理を
行い、結晶粒を縮小させると同時に成分を拡散させ均一
化を図る。

【０１１６】相変化の起こる温度領域を適当な速さ
で冷却することにより溶液からの核発生とその成長速度
を制御することによって結晶粒の微細化を図る。一般的
には冷却速度が速くなるほど過冷現象が起こり核発生の
度合いが大きくなるとともに、拡散による溶質原子の補
給が不足し、新相の成長が遅くなるから結晶組織が微細
になる。

【０１１７】上記の適宜の方法で基板表面の結晶粒の微
細化を図ればよいが、アルミニウム或はアルミニウム系
合金の母体の結晶粒の微細化を図っても、例えば円筒状
素管として押し出し、引き抜きを行えば、加工方向に沿
って結晶組織が引き伸ばされることもあるので、支持体
として仕上げするための表面研磨や摩擦、エッチングな
どの処理においても微細化を維持する考慮を払う必要が
ある。

【０１１８】本発明のおいて支持体の形状は任意の形状
を有し得るが、特に円筒形のものが本発明に最適であ
る。支持体の大きさには特に制限はないが、実用的には
直径２０ｍｍ以上、５００ｍｍ以下、長さ１０ｍｍ以上
１０００ｍｍ以下が好ましい。

【０１１９】本発明で用いられる感光体は、ｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）感光体、セレン感光体、硫化カドミニウ
ム感光体、有機物感光体等いずれでも可能であるが、特
にｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）感光体等の珪素を含む非単結
晶感光体の場合その効果が顕著である。

【０１２０】珪素を含む非結晶感光体の場合、堆積膜形
成時に使用される原料ガスとしては、シラン（Ｓｉ
Ｈ₄）、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）、四弗化珪素（ＳｉＦ
₄）、六弗化二珪素（Ｓｉ₂Ｆ₆）、等のｎＣ−Ｓｉ：
（Ｈ，Ｘ）形成原料ガス又はそれらの混合ガスが挙げら
れる。

【０１２１】希釈ガスとしては水素（Ｈ₂）、アルゴン
（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。

【０１２２】又、堆積膜の光学的バンドギャップを変化
させる、比誘電率を変化させる等の特性改善ガスとして
窒素（Ｎ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）等の窒素原子を含
む元素、酸素（Ｏ₂）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒
素（ＮＯ₂）、酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ₂）等酸素原子を含む元素、メ
タン（ＣＨ₄）、エタン’（Ｃ₂Ｈ₆）、エチレン（Ｃ
₂Ｈ₄）、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）、プロパン（Ｃ₃Ｈ
₈）等の炭化水素、四弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ₄）、
弗化窒素（ＮＦ₃）等の弗素化合物又はこれらの混合ガ
スが挙げられる。

【０１２３】また、本発明においては、ドーピングを目
的としてジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）、弗化ホウ素（Ｂ
Ｆ₃）、ホスフィン（ＰＨ₃）等のドーパントガスを同
時に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。

【０１２４】本発明の電子写真感光体では、支持体上に
堆積した総膜厚はいずれでもよいが、５μｍ以上、１０
０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上、７０μｍ
以下、最適には１５μｍ以上、５０μｍ以下において、
電子写真感光体として特に良好な画像を得ることができ
た。

【０１２５】本発明では、堆積膜の堆積中の放電空間の
圧力がいずれの領域でも効果が認められるが、特に０．
５ｍＴｏｒｒ以上、１００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは
１ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下において、放電
の安定性及び堆積膜の均一性の面で特に良好な結果が再
現性良く得られた。

【０１２６】本発明において、堆積膜の堆積時の支持体
の温度は、１００℃以上、５００℃以下の範囲で有効で
あるが、特に１５０℃以上、４５０℃以下、好ましくは
１５０℃以上、４００℃以下、最適には２００℃以上、
３５０℃以下において著しい効果が確認された。

【０１２７】本発明において、支持体の加熱手段として
は、真空仕様の発熱体であればいずれでもよく、より具
体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒ
ーター、セラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハ
ロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、
液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体が挙げ
られる。

【０１２８】加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッ
ケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐
熱性高分子樹脂等を使用することができる。また、それ
以外にも、反応容器とは別に加熱専用の容器を設け、加
熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送する等の
方法も使用することができる。以上の手段を単独にまた
は併用して用いることが本発明では可能である。

【０１２９】本発明において、プラズマを発生させるエ
ネルギーは、ＤＣ、ＲＦ、ＶＨＦ、マイクロ波等いずれ
でも可能であるが、特にプラズマの発生のエネルギーに
マイクロ波を用いた場合、支持体の表面欠陥による異常
成長が顕著に現れかつ、吸着した水分にマイクロ波が吸
収され、界面の変化がより顕著なものとなるため、本発
明の効果がより顕著なものとなる。

【０１３０】本発明において、プラズマ発生のためにマ
イクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を発生
させることができればいずれでも良いが、１００Ｗ以
上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以
下が本発明を実施するに当たり適当である。

【０１３１】本発明において、堆積膜形成中に放電空間
に電圧（バイアス電圧）を印加することは有効であり、
少なくとも支持体に陽イオンが衝突する方向に電界がか
かることが好ましい。バイアスを全くかけない場合、堆
積膜の特性は著しく低減してしまうため、ＤＣ成分の電
圧が１Ｖ以上、５００Ｖ以下、好ましくは５Ｖ以上１０
０Ｖ以下であるバイアス電圧を堆積膜形成中に印加する
ことが本発明の効果をより顕著にするためには望まし
い。

【０１３２】本発明において、反応容器内に誘導体窓を
用いてマイクロ波を導入する場合、誘導体窓の材質とし
てはアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。

【０１３３】複数の支持体で放電空間を取り囲む堆積膜
形成方法においては支持体の間隔は１ｍｍ以上、５０ｍ
ｍ以下が好ましい。支持体の本数は放電空間を形成でき
るならばいずれでも良いが３本以上、より好ましくは４
本以上が適当である。

【０１３４】本発明は、いずれの電子写真感光体及び電
子写真感光体の製造方法にも適用可能であるが、特に放
電空間を取り囲むように支持体を設け、少なくとも支持
体の一端側から導波管によりマイクロ波を導入する構成
により堆積膜を形成する場合大きな効果がある。

【０１３５】図６に本発明の方法で製造された電子写真
感光体を用いた一般的な転写式電子写真装置の概略構成
例を示す。

【０１３６】図において、６０１は像担持体としての電
子写真感光体であり、これは軸６０１ａを中心として矢
印方向に所定の周速で回転駆動される。この電子写真感
光体は、その回転過程で帯電手段６０２によりその周面
に正又は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光部
によって不図示の像露光手段により光像露光Ｌ（スリッ
ト露光、レーザービーム走査露光など）を受ける。これ
により感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次形
成されていく。

【０１３７】この静電潜像は次いで現像手段６０４でト
ナー現像され、トナー現像が転写手段６０５により、不
図示の給紙部から感光体６０１と転写手段６０５との間
に感光体６０１の回転と周期取りされた転写材Ｐの表面
に順次転写されていく。

【０１３８】像転写を受けた転写材Ｐは、感光体面から
分離されて像定着手段６０８へ導入され、ここで像定着
を受けた後、複写物（コピー）として機外へプリントア
ウトされる。

【０１３９】像転写後の感光体６０１の表面は、クリー
ニング手段６０６による転写残りトナーの除去を受けて
清浄面化され、さらに前露光手段６０７により除電処理
されたのち、繰り返して像形成に使用される。

【０１４０】感光体６０１の均一帯電手段６０２として
は、コロナ帯電装置が一般に広く使用されている。また
転写装置６０５にもコロナ帯電装置が一般に広く使用さ
れている。電子写真装置として、上述の感光体や現像手
段、クリーニング手段などの構成要素のうち、複数のも
のを装置ユニットとして一体に結合して構成し、このユ
ニットを装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。
この場合、上記の装置ユニットの方に帯電手段及び／又
は現像手段を構成してもよい。

【０１４１】光像露光Ｌは、電子写真装置を複写機やプ
リンタとして使用する場合には、原稿からの反射光や透
過光であってもよく、或は原稿を読み取って信号化した
信号によるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆
動、又は液晶シャッターアレイの駆動などによって得ら
れたものであってもよい。

【０１４２】ファクシミリのプリンターとして使用する
場合には、光像露光Ｌは受信データをプリントするため
の露光になる。図７はこの場合の１例をブロック図で示
したものである。

【０１４３】コントローラ−７１１は画像読み取り部７
１０とプリンター７１９を制御する。コントローラー７
１１全体はＣＰＵ７１７により制御されている。画像読
み取り部７１０からの読み取りデータは、送信回路７１
３を通して相手局に送信される。相手局から受けたデー
タは受信回路７１２を通してプリンター７１９に送られ
る。画像メモリ７１６は所定の画像データが記憶され
る。プリンターコントローラ７１８はプリンター７１９
を制御している。７１４は電話である。

【０１４４】回線７１５から受信された画像情報（回線
を介して接続されたリモート端子からの画像情報）は受
信回路７１２で復調された後、ＣＰＵ７１７で複号処理
が行われ、順次画像メモリ７１６に格納されると、その
ページの画像記録を行う。ＣＰＵ７１７は、メモリ７１
６より１ページ分の画像情報を読み出し、プリンターコ
ントローラー７１８に複号された１ページの画像情報を
送出する。プリンターコントローラー７１８は、ＣＰＵ
７１７からの１ページの画像情報を受け取ると、そのペ
ージの画像情報記録を行うようにプリンターを制御す
る。

【０１４５】尚、ＣＰＵ１７は、プリンター７１９によ
る記録中に、次のページの画像情報を受信している。

【０１４６】以上のようにして画像の受信と記録が行わ
れる。

【０１４７】本発明の電子写真感光体は、電子写真複写
機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、
ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンタ
ー、レーザー製版機などの電子写真応用分野にも広く用
いることができる。

【０１４８】以下、本発明の効果を実験例を用いて具体
的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定される
ものではない。

【０１４９】〔実験例・比較実験例〕〔実験例１〕アルミニウム支持体中の珪素原子含有量を
変化させて、切削加工を行い、支持体表面に発生する表
面欠陥との相関を調べた。

【０１５０】珪素原子の含有量を０ｐｐｍ〜２．０ｗｔ
％まで変化させた。直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、
肉厚５ｍｍの円筒状アルミニウム支持体を、前述の本発
明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様
の手順で表面の切削を行った。

【０１５１】切削終了後、支持体表面を光学顕微鏡によ
り、支持体表面の任意の３ｃｍ×３ｃｍの領域１０箇所
（計３０ｃｍ²）の明視野、及び暗視野像を観察し、表
面欠陥の発生状況を調べ、以下の評価を行い、評価結果
を表３に示した。

【０１５２】◎・・・極めて良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題なし ×・・・実用上問題有り表３より明らかなように、珪素原子の含有量が１ｗｔｐ
ｐｍ〜１．０ｗｔ％の範囲で表面欠陥の発生が抑えられ
ることが確認された。

【０１５３】〔実験例２〕アルミニウム支持体中のマグ
ネシウム原子含有量を変化させて、切削加工を行い、支
持体表面に発生する筋状の切削傷を調べることにより、
切削性との相関を調べた。

【０１５４】マグネシウム原子の含有量を０ｐｐｍ〜１
５ｗｔ％まで変化させた、直径１０８ｍｍ、長さ３５８
ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状アルミニウム支持体を、前述
の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例
と同様の手順で表面の切削を行った。

【０１５５】切削終了後、支持体表面を光学顕微鏡によ
り、支持体表面の任意の３ｃｍ×３ｃｍの領域１０箇所
（計３０ｃｍ²）の明視野、及び暗視野を観察し、筋状
の切削傷の発生状況を調べ、以下の評価を行い、評価結
果を表４に示した。

【０１５６】◎・・・極めて良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題なし ×・・・実用上問題有り表４より明らかなように、マグネシウム原子の含有量が
０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲で切削性が良好である
ことが確認された。

【０１５７】〔実験例３〕アルミニウム支持体中の珪素
原子含有量及びマグネシウム含有量を変化させて、切削
加工を行い、実験例１、２と同様に支持体表面に発生す
る表面欠陥及び筋状の切削傷との相関を調べた。その結
果、実施例１、２と同様の原子が、珪素原子は１ｗｔｐ
ｐｍから１ｗｔ％、マグネシウム原子は０．１ｗｔ％か
ら１０ｗｔ％の範囲にあるときに、切削加工時に表面欠
陥が発生しにくく、切削性も良好であることが確認され
た。

【０１５８】〔実験例４〕水中に溶解する二酸化炭素の
量、結晶粒径及び介在物の大きさを変化させて画像欠陥
の発生と相関を調べた。

【０１５９】珪素原子の含有量が１００ｗｔｐｐｍ、マ
グネシウム原子の含有量が２．０ｗｔ％の結晶粒径が最
大で２ｍｍ、平均で１ｍｍ、介在物の大きさが最大で１
０μｍ、平均で５μｍのアルミニウムよりなる直径１０
８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状支持体
を、実験例１と同様の手順で表面の切削を行った。

【０１６０】切削終了１５分後に図１に示す表面処理装
置により、表１に示す条件により洗剤（非イオン性界面
活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による
表面処理を行った。但し、この時二酸化炭素を溶解した
水としては抵抗率１０ＭΩ・ｃｍの純水中に二酸化炭素
を溶解することにより導電率を１μＳ／ｃｍ〜５０μＳ
／ｃｍに調製した水を用いた。

【０１６１】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表２の条件で支持体上にｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成
の阻止型電子写真感光体を作製した。図４において、４
０１、４０２、４０３及び４０４は、それぞれアルミニ
ウム支持体、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を示
している。このようにして作製した電子写真感光体の電
子写真特性を以下のようにして行った。作製した電子写
真感光体を実験用に予めプロセススピードを２００〜８
００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で任意に変更できるように改造
を行ったキャノン社製複写機ＮＰ７５５０に搭載し、帯
電器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコロナ帯電を行い、
通常の複写プロセスにより転写紙上に画像を作製し、以
下の手順により画像性の評価を行った。このようにして
同一作製条件で製造した電子写真感光体を各１０本づつ
評価を行い、評価結果を表５に示した。

【０１６２】画像欠陥の評価プロセススピードを変え、全面ハーフトーン原稿（型番
号：ＦＹ９−９０４２−０２０）及び文字原稿（型番
号：ＦＹ９−９０５８−０００）を原稿台に置いてコピ
ーしたときに得られた画像サンプル中で一番画像欠陥の
多く現れる画像サンプルを選び評価を行った。評価の方
法としては画像サンプル上を拡大鏡で観察し同一面積内
にある白点の状態により評価を行った。

【０１６３】◎・・・極めて良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題なし ×・・・実用上問題有り黒しみの評価プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿（型番
号：ＦＹ９−９０４２−０２０）を原稿台に置いて得ら
れた画像の平均濃度が０．４±０．１になるように画像
を出力した。このようにして得られた画像サンプルの中
で一番しみの目立つものを選び評価を行った。評価の方
法としてはこれらの画像を目より４０ｃｍ離れたところ
で観察して、黒しみが認められるかを調べ、以下の基準
で評価を行った。

【０１６４】◎・・・極めて良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題なし ×・・・実用上問題有り電子写真特性の評価通常のプロセススピードで同一の帯電電圧を与えた時に
現像位置で得られる感光体の表面電位を帯電能として相
対値により評価する。比較実験例１で得られた電子写真
感光体の帯電能を１００％としている。

【０１６５】環境性の評価 ○・・・前処理工程にオゾン層の破壊にかかわる物質を
用いない。

【０１６６】×・・・前処理工程にオゾン層の破壊にか
かわる物質を用いている。

【０１６７】＜比較実験例１＞実験例４と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍ、マグネシウム原子の含有量
が２．０ｗｔ％のアルミニウム支持体を同様の手順で切
削を行った。

【０１６８】切削が終了した支持体は、図８に示す従来
の支持体表面洗浄装置により表６の条件で支持体表面の
洗浄を行った。図８に示す支持体洗浄装置は、処理槽８
０２と支持体搬送機構８０３よりなっている。処理槽８
０２は、支持体投入台８１１、支持体洗浄槽８２１、支
持体搬出台８５１よりなっている。洗浄槽８２１は液の
温度を一定に保つための温度調節装置（不図示）が付い
ている。搬送機構８０３は、搬送レール８６５と搬送ア
ーム８６１よりなり、搬送アーム８６１は、レール８６
５上を移動する移動機構８６２、支持体８０１を保持す
るチャッキング機構８６３及びこのチャッキング機構８
６３を上下させるためのエアーシリンダー８６４よりな
っている。

【０１６９】切削後、投入台８１１に置かれた支持体８
０１は、搬送機構８０３により洗浄槽８２１に搬送され
る。洗浄槽８２１中のトリクロルエタン（商品名：エタ
ーナＶＧ旭化成工業社製）８２２にり表面に付着して
いる切削油及び粉を除去するための洗浄が行われる。

【０１７０】洗浄後、支持体８０１は、搬送機構８０３
により搬出台８５１に運ばれる。

【０１７１】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表２の条件で支持体上にｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成
の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１７２】このようにして作製した電子写真感光体を
実験例４と同様の方法で評価した結果を比較実験例１と
して同じく表５に示す。

【０１７３】＜比較実験例２＞実験例４と同様に珪素原
子の含有量が１００ｐｐｍ、マグネシウム原子の含有量
が２．０ｗｔ％のアルミニウム支持体を同様の手順で切
削後、切削終了１５分後に表７に示す条件により洗剤
（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び純水による洗
浄を行った。表面処理装置としては図１のものを用い
た。但し、表面処理槽１３１中には二酸化炭素を溶解し
ない純水を導入した。

【０１７４】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表２の条件で支持体上にｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成
の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１７５】このようにして作製した電子写真感光体を
実験例４と同様の方法で評価した結果を比較実験例２と
して同じく表５に示す。

【０１７６】表５により明らかなように、本発明による
電子写真感光体の製造方法で作製した電子写真感光体
は、画像欠陥及び電子写真特性について非常に良好な結
果が得られた。

【０１７７】また、結晶粒径及び介在物の大きさを種々
変化させて同様の実験を行ったところ、二酸化炭素を溶
解した水溶液の導電率が２μＳ／ｃｍ〜４０μＳ／ｃｍ
の範囲であり、かつ表面の結晶粒径が、最大で１０ｍｍ
以下、平均で５ｍｍ以下であり、介在物の大きさが、最
大で５０μｍ以下、平均で３０μｍ以下であるとき画像
欠陥及び電子写真特性について良好な結果が得られ、二
酸化炭素を溶解した水溶液の導電率が４μＳ／ｃｍ〜３
５μＳ／ｃｍの範囲であり、かつ表面の結晶粒径が、最
大で５ｍｍ以下、平均で２ｍｍ以下であり、介在物の大
きさが、最大で３０μｍ以下、平均で１５μｍ以下であ
るとき画像欠陥及び電子写真特性について良好な結果が
得られ、二酸化炭素を溶解した水溶液の導電率が６μＳ
／ｃｍ〜３０μＳ／ｃｍの範囲であり、かつ表面の結晶
粒径が、最大で３ｍｍ以下、平均で１ｍｍ以下であり、
介在物の大きさが、最大で２０μｍ以下、平均で１０μ
ｍ以下であるとき画像欠陥及び電子写真特性について極
めて良好な結果が得られた。

【０１７８】さらにアルミニウムに含有される珪素原子
及びマグネシウム原子の含有量を実験例３と同様に種々
変化させて同様の実験を行ったところ同様に良好な結果
が得られた。

【０１７９】また、この二酸化炭素を溶解した水溶液の
ｐＨを測定したところ、３．８〜６．０の範囲であっ
た。

【０１８０】〔実験例５〕実験例４と同様の支持体を同
様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に図１に示す
表面処理装置により、表８に示す条件により支持体表面
の前処理を行った。

【０１８１】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表２の条件で支持体上にｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成
の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０１８２】本実験では、二酸化炭素を溶解した水によ
る洗浄工程時に使用する純水の水質（抵抗率）を変化さ
せて電子写真感光体を作製した。このようにして得られ
た電子写真感光体をキャノン社製複写機ＮＰ７５５０改
造機に搭載し、実験例４と同様の手順で同様の評価を行
った。評価としては同一の作製条件で電子写真感光体を
各１０本づつ評価し、得られた画像評価を表９に示し
た。

【０１８３】また、比較実験例１及び２で作製した電子
写真感光体も同様の評価を行い表９に比較実験例として
同時に示す。但し、表中コストについては以下の基準で
評価を行った。

【０１８４】コストの評価必要な洗浄液を必要量得る場合 ◎・・・非常に安価に手に入る ○・・・安価に手に入る △・・・やや高価である ×・・・高価である表９より明らかなように、二酸化炭素を溶解した水によ
る表面処理工程で使用する純水の抵抗率が、二酸化炭素
を溶解前に１ＭΩ・ｃｍ以上の時に本発明の電子写真感
光体の製造方法により作製した電子写真感光体の画像特
性及び電子写真特性について非常に良好な結果が得られ
た。

【０１８５】〔実験例６〕本発明の表面処理と、堆積膜
の密着性との相関を調べた。

【０１８６】実験例１〜５及び比較実験例１〜２と同様
の条件で種々の支持体を作製し、図３Ａ及び図３Ｂに示
す堆積膜形成装置を用い、表２の条件で支持体上にｎＣ
−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層
構成の阻止型電子写真感光体を作製した。さらに、各ガ
スの組成比のみ表２に従うようにして、ガス流量を種々
変化させること、又は、ガスの条件のみ表２に従うよう
にしてマイクロ波電力を種々変化させることによって、
膜の堆積速度を種々変化させて電子写真感光体を作製し
た。次に作製した電子写真感光体の膜の付着状態を観察
し、さらにヒートショックテスト、ひっかきテスト等に
より膜の密着性を評価した。その結果、実験例４と同様
に、二酸化炭素を溶解した水溶液の導電率が２μＳ／ｃ
ｍ〜４０μＳ／ｃｍの範囲であり、かつ表面の結晶粒径
が、最大で１０ｍｍ以下、平均で５ｍｍ以下であり、介
在物の大きさが、最大で５０μｍ以下、平均で３０μｍ
以下であるとき堆積膜の密着性が非常に優れていること
が確認された。

【０１８７】以上の実験例により本発明の構成が決定さ
れた。次に本発明の実施例及び比較例によりさらに具体
的に説明する。

【０１８８】

【実施例】

〔実施例・比較例〕［実施例１］珪素原子の含有量が１００ｗｔｐｐｍ、マ
グネシウム原子の含有量が２．０ｗｔ％の結晶粒径が最
大で２ｍｍ、平均で０．８ｍｍ、介在物の大きさが最大
で２０μｍ、平均で８μｍに制御したアルミニウムより
なる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円
筒状支持体を、実験例１と同様の手順で表面の切削を行
った。

【０１８９】切削終了１５分後に図１に示す表面処理装
置により、表１０に示す条件により支持体表面の表面処
理を行った。但し、洗剤としては非イオン性界面活性剤
と陰イオン性活性剤の混合したものを用いた。

【０１９０】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表２の条件で支持体上にｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成
の阻止型電子写真感光体を作製した。このようにして同
一作製条件で製造した電子写真感光体を各１０本づつ以
下のように評価を行った。

【０１９１】作製した電子写真感光体の外観を目視によ
り膜剥がれを観察し、評価した後、キャノン社製複写機
ＮＰ７５５０を実験用に改造した複写機に搭載し、通常
の複写プロセスにより転写紙上に画像を作製し、画像性
の評価を行った。但し、この時、帯電器に６ｋＶの電圧
を印加してコロナ帯電を行った。これらの評価結果を
「本発明」として表１１に示した。

【０１９２】画像欠陥の評価実験例４と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１９３】黒しみの評価実験例４と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１９４】電子写真特性の評価実験例４と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１９５】環境性の評価実験例４と同様の手順で同様の評価基準により行った。

【０１９６】画像むらの評価Ａ３方眼紙（コクヨ社製）を複写機の原稿台の上に置
き、複写機の絞りを変えることにより原稿の露光量を、
グラフの線が辛うじて認められる程度から白地の部分が
かぶり始める程度までの範囲の画像が得られるように変
え、濃度の異なる１０枚のコピーを出力した。

【０１９７】これらの画像を目により４０ｃｍ離れたと
ころで観察して、濃度の違いが認められるか調べ、以下
の基準で評価を行った。

【０１９８】◎・・・極めて良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題なし ×・・・実用上問題有り白地かぶり評価白地に全面文字よりなる通常の原稿（型番号：ＦＹ９−
９０５８−０００）を原稿台に置いてコピーした時に得
られた画像サンプルを観察し、白地部分のかぶりを評価
した。

【０１９９】◎・・・極めて良好 ○・・・良好 △・・・実用上問題なし ×・・・実用上問題有り＜比較例１＞珪素原子及びマグネシウム原子を含有しな
いアルミニウム支持体を用い、実施例１と同様の手順で
切削後、図８に示す従来の支持体上表面の洗浄装置を用
いて、表６に示す条件により支持体表面の洗浄を行っ
た。

【０２００】さらにその後、図２で示す堆積膜形成装置
を用い、表１２の条件で、支持体上にｎＣ−Ｓｉ：
（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に図４
に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２０１】このようにして得られた電子写真感光体に
ついて実施例１と同様の評価を行い、結果を実施例１と
同様に表１１に示す。

【０２０２】＜比較例２＞珪素原子及びマグネシウム原
子を含有しないアルミニウム支持体を用い、実施例１と
同様の手順で切削後、図９に示す支持体上表面の水洗装
置を用いて、支持体表面の洗浄を行った。図９に示す洗
浄装置は、支持体９０１を固定し、回転させるための回
転軸９０２、支持体に洗浄液を噴出するための噴射器９
０３、ノズル９０４からなっている。

【０２０３】本比較例では、この洗浄装置を用い、従来
の方法に従って、表１３に示す条件により支持体表面の
洗浄を行った。

【０２０４】さらにその後、図２で示す堆積膜形成装置
を用い、表１２の条件で、支持体上にｎＣ−Ｓｉ：
（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に図４
に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２０５】このようにして得られた電子写真感光体に
ついて実施例１と同様の評価を行い、結果を実施例１と
同様に表１１に示す。

【０２０６】＜比較例３＞珪素原子及びマグネシウム原
子を含有しないアルミニウム支持体を用いた以外は実施
例１と全く同様の条件で支持体上にｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，
Ｘ）堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に図４に示す
層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２０７】このようにして得られた電子写真感光体に
ついて実施例１と同様の評価を行い、結果を実施例１と
同様に表１１に示す。

【０２０８】＜比較例４＞支持体表面の結晶粒径及び介
在物の大きさを、本発明の特定する範囲からはずした以
外は実施例１と全く同様の条件で支持体上にｎＣ−Ｓ
ｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、実施例１と同様に
図４に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２０９】このようにして得られた電子写真感光体に
ついて実施例１と同様の評価を行い、結果を実施例１、
比較例１、比較例２及び比較例３と同様に表１１に示
す。

【０２１０】＜比較例５＞二酸化炭素を溶解した水によ
り支持体の表面処理を行う工程を、比較例１及び２の従
来の洗浄工程に置き換えた以外は実施例１と全く同様の
条件で支持体上にｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成
を行い、実施例１と同様に図４に示す層構成の阻止型電
子写真感光体を作製した。

【０２１１】このようにして得られた電子写真感光体に
ついて実施例１と同様の評価を行い、結果を実施例１、
比較例１、比較例２、比較例３及び比較例４と同様に表
１１に示す。

【０２１２】表１１から明らかなように、本発明の電子
写真感光体の製造方法により作製した電子写真感光体
は、従来の方法より作製した電子写真感光体と比較して
いずれの項目においても非常に良好な結果が得られた。
さらに、特定の成分を含有するアルミニウム支持体の、
結晶粒径及び介在物の大きさを特定し、さらに特定の成
分を含む水によって表面処理するという条件が満たされ
ることにより、本発明の効果が最大限発揮されることが
確認された。

【０２１３】［実施例２］実施例１とは電子写真感光体
の層構成を変え、本発明の電子写真感光体の製造方法に
より電子写真感光体を作製した。実施例１と同様の支持
体を同様の手順で切削後、切削工程終了後１５分後に図
１に示す表面処理装置を用いて、表１０に示す条件によ
り支持体表面の処理を行った。

【０２１４】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表１４に示す条件で、支持体上に
ｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図５に示
す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。

【０２１５】図５において、５０１はアルミニウム支持
体、５０５は赤外線吸収層、５０２は電荷注入阻止層、
５０３は光導電層、５０４は表面層を示している。

【０２１６】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果本実施例において
も、本発明の電子写真感光体の製造方法で作製した電子
写真感光体は、実施例１と同様にいずれの項目でも非常
に良好な結果が得られた。

【０２１７】［実施例３］実施例１とは電子写真感光体
の層構成を変え、本発明の電子写真感光体の製造方法に
より電子写真感光体を作製した。実施例１と同様の手順
で切削後、切削工程終了後１５分後に図１に示す表面処
理装置を用いて、表１０に示す条件により支持体表面の
処理を行った。

【０２１８】さらにその後、図３Ａ及び図３Ｂに示す堆
積膜形成装置を用い、表１５に示す条件で、支持体上に
ｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成を行い、図１０に
示す層構成の電子写真感光体を作製した。

【０２１９】図１０において、１００１はアルミニウム
支持体、１００２は光導電領域１、１００３は光導電領
域２、１００４は表面層を示している。

【０２２０】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果本実施例において
も、本発明の電子写真感光体の製造方法で作製した電子
写真感光体は、実施例１と同様にいずれの項目でも非常
に良好な結果が得られた。

【０２２１】［実施例４］実施例１と同様の支持体を同
様の手順で切削後、切削終了後１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表１０に示す条件により支持体表
面の処理を行った。

【０２２２】さらにその後図２に示す堆積膜形成装置を
用い表１２の条件で、支持体上にｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，
Ｘ）堆積膜の形成を行い、図４に示す層構成の阻止型電
子写真感光体を作製した。

【０２２３】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果本実施例において
も、本発明の電子写真感光体の製造方法で作製した電子
写真感光体は、実施例１と同様にいずれの項目でも非常
に良好な結果が得られた。

【０２２４】［実施例５］洗浄工程、表面処理工程及び
乾燥工程の条件を表１６に示す条件に変えた以外は、実
施例１と全く同様の条件により電子写真感光体を作製し
た。

【０２２５】こうして得られた電子写真感光体を実施例
１と同様の手順で評価した。その結果本実施例において
も、本発明の電子写真感光体の製造方法で作製した電子
写真感光体は、実施例１と同様にいずれの項目でも非常
に良好な結果が得られた。

【０２２６】［実施例６］実施例１と同様の支持体を同
様の手順で切削後、切削終了後１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて、表１０に示す条件により支持体表
面の処理を行った。

【０２２７】さらにその後、支持体上に有機光半導体よ
りなる堆積膜の形成を行い電子写真感光体を作製した。

【０２２８】こうして得られた電子写真感光体はｎＣ−
Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）感光体と同様に、本発明を用いない場
合と比較して画像性で良好な結果が得られた。

【０２２９】［実施例７］実施例１と同様の支持体を同
様の手順で切削後、切削終了後１５分後に図１に示す表
面処理装置を用いて表１０に示す条件により支持体表面
の処理を行った。

【０２３０】さらにその後、支持体上に非晶質セレンよ
りなる堆積膜の形成を行い電子写真感光体を作製した。

【０２３１】こうして得られた電子写真感光体はｎＣ−
Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）感光体と同様に、本発明を用いない場
合と比較して画像性で良好な結果が得られた。

【０２３２】［実施例８］実施例１〜７及び比較例１〜
５において、本発明のアルミニウム支持体中の珪素原子
及びマグネシウム原子の含有量、結晶粒径及び介在物の
大きさ、さらに二酸化炭素を溶解した水の組成を各々変
化させて同様の実験・評価を行ったところ、支持体表面
の結晶粒径が、最大で１０ｍｍ以下、平均５ｍｍ以下で
あり、介在物の大きさが最大で５０μｍ以下、平均で３
０μｍ以下であり、支持体に含有される珪素原子及びマ
グネシウム原子の含有量が、珪素原子は１ｗｔｐｐｍか
ら１ｗｔ％、マグネシウム原子は０．１ｗｔ％から１０
ｗｔ％の範囲であり、さらに二酸化炭素を溶解した水の
導電率が、２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下（ｐ
Ｈで制御する場合はｐＨが３．８以上、６．０以下）で
あるときに、実施例１と同様に本発明の効果が確認され
た。

【０２３３】

【表１】

【０２３４】

【表２】

【０２３５】

【表３】

【０２３６】

【表４】

【０２３７】

【表５】

【０２３８】

【表６】

【０２３９】

【表７】

【０２４０】

【表８】

【０２４１】

【表９】

【０２４２】

【表１０】

【０２４３】

【表１１】

【０２４４】

【表１２】

【０２４５】

【表１３】

【０２４６】

【表１４】

【０２４７】

【表１５】

【０２４８】

【表１６】

【０２４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アルミニウム支持体上に機能性膜を形成する工程を含む
電子写真感光体及びその製造方法において、特にアルミ
ニウム支持体上に水素原子及びハロゲン原子のいずれか
一方又は両方と珪素原子とを含むｎＣ−Ｓｉ：（Ｈ，
Ｘ）堆積膜をプラズマＣＶＤ法により形成する工程を含
む電子写真感光体及びその製造方法について、アルミニ
ウム支持体の結晶粒径、介在物の大きさ、及び含有元素
を特定し、さらに前記堆積膜を形成する工程の前に支持
体の表面を二酸化炭素を溶解した水により表面処理を行
う工程を設けたので、画像特性及び電子写真特性に優
れ、かつ支持体との密着性にすぐれた均一な高品質の画
像を与える電子写真感光体を安価に安定して提供するこ
とが可能となった。

【０２５０】また、上述の特定の結晶粒径、及び介在物
の大きさとして、アルミニウム又はアルミニウム合金の
支持体表面の結晶粒径を、最大で１０ｍｍ以下、平均で
５ｍｍ以下とし、介在物の大きさを、最大で５０μｍ以
下、平均で３０μｍ以下とした支持体を用い、かつ、こ
のような支持体表面を、二酸化炭素を溶解した水とし
て、導電率が、２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下
であり、ｐＨが３．８以上、６．０以下である水により
表面処理することにより、上述した本発明の効果は、よ
り大きくなる。

【０２５１】また、支持体の特定の含有元素として、少
なくとも珪素原子及びマグネシウム原子のいずれか一方
又は両方を微量に含有し、その含有量が、珪素原子は１
ｗｔｐｐｍから１ｗｔ％、マグネシウム原子は０．１ｗ
ｔ％から１０ｗｔ％の範囲である支持体を用いることに
より、上述した本発明の効果は、より大きくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施し、
本発明の電子写真感光体を製造するために使用される前
処理の装置を示す概略縦断面図。

【図２】ＲＦプラズマＣＶＤ法により円筒状支持体上に
堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面
図。

【図３】Ａはマイクロ波プラズマＣＶＤ法により円筒状
支持体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概
略縦断面図であり、ＢはＡのＸ−Ｘ部分の横断面図。

【図４】電子写真感光体の層構成を示す断面図。

【図５】電子写真感光体の層構成を示す断面図。

【図６】一般的な転写式電子写真装置の概略構成図。

【図７】図６の電子写真装置をプリンターとして使用し
たファクシミリのブロック図。

【図８】従来の方法において堆積膜形成の前処理として
支持体の洗浄を行うための洗浄装置の略縦断面図。

【図９】従来の方法において堆積膜形成の前処理として
支持体の洗浄を行うための他の洗浄装置の概略断面図。

【図１０】電子写真感光体の層構成を示す断面図。

【符号の説明】

１０１、８０１、９０１支持体１０２、８０２処理部９０２回転軸１０３、８０３支持体搬送機構９０３噴射器１１１、８１１支持体投入器１２１支持体前洗浄層８２１支持体洗浄層１２２前洗浄液８２２、９０５洗浄液１３１二酸化炭素を溶解した水による表面処理槽１３２二酸化炭素を溶解した水１４２、９０４ノズル１４１乾燥槽１５１、８５１支持体搬出台１６１、１８６搬送アーム１６２、８６１移動機構１６３、８６３チャッキング機構１６４、８６４エアーシリンダー１６５、８６５レール２０１反応容器２０１ベースプレート２０３壁２０４トッププレート２０５カソード電極２０６支持体２０７原料ガス流入バルブ２０８リークバルブ２０９排気バルブ２１０真空計２１１マスフローコントローラー２１２ヒーター２１３高周波電源２１４モーター３０１反応容器３０２マイクロ波導入窓３０３導波管３０４排気管３０５支持体３０６放電空間３０７ヒーター３０９回転軸３１０モーター３１１直流電源３１２バイアス電極４０１、５０１支持体４０２、５０２電荷注入阻止層４０３、５０３光導電層４０４、５０４、１００４表面層５０５赤外線吸収層１００２光導電領域１１００３光導電領域２

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウム又はアルミニウム合金より
成る支持体上に機能性堆積膜を形成した電子写真感光体
において、前記支持体は、表面の結晶粒径が、最大で１０ｍｍ以
下、平均で５ｍｍ以下であり、介在物の大きさが、最大
で５０μｍ以下、平均で３０μｍ以下であり、かつ、二
酸化炭素を溶解した水により表面処理を行ったものであ
ることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】前記支持体表面の結晶粒径が、最大で５
ｍｍ以下、平均で２ｍｍ以下であり、前記介在物の大き
さが、最大で３０μｍ以下、平均で１５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】前記支持体表面の結晶粒径が、最大で３
ｍｍ以下、平均で１ｍｍ以下であり、前記介在物の大き
さが、最大で２０μｍ以下、平均で１０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項４】前記二酸化炭素を溶解した水の導電率
が、２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下であること
を特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項５】前記二酸化炭素を溶解した水のｐＨが
３．８以上、６．０以下であることを特徴とする請求項
１に記載の電子写真感光体。
【請求項６】前記二酸化炭素を溶解した水が、抵抗率
１ＭΩ・ｃｍ以上の純水に二酸化炭素を溶解した水であ
ることを特徴とする請求項１、４、又は５に記載の電子
写真感光体。
【請求項７】前記機能性堆積膜が、構成元素として水
素原子及びハロゲン原子のいずれか一方または両方を含
む珪素原子を主成分とする非単結晶堆積膜であることを
特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写
真感光体。
【請求項８】前記支持体が、少なくとも珪素原子及び
マグネシウム原子のいずれか一方または両方を微量に含
有したアルミニウム支持体であることを特徴とする請求
項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】前記支持体に含有される珪素原子及びマ
グネシウム原子の含有量が、珪素原子は１ｗｔｐｐｍか
ら１ｗｔ％、マグネシウム原子は０．１ｗｔ％から１０
ｗｔ％の範囲であることを特徴とする請求項８に記載の
電子写真感光体。
【請求項１０】アルミニウム又はアルミニウム合金よ
り成る支持体上に機能性堆積膜を形成する工程を含む電
子写真感光体の製造方法において、前記支持体は、その表面の結晶粒径を特定の範囲内に制
御したものであり、かつ、前記機能性堆積膜を形成する
工程の前に、前記支持体の表面を二酸化炭素を溶解した
水により表面処理する工程を備えていることを特徴とす
る電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】前記支持体表面の結晶粒径が、最大で
１０ｍｍ以下、平均で５ｍｍ以下であり、介在物の大き
さが最大で５０μｍ以下、平均で３０μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の電子写真感光体の製
造方法。
【請求項１２】前記支持体表面の結晶粒径が、最大で
５ｍｍ以下、平均で２ｍｍ以下であり、前記介在物の大
きさが最大で３０μｍ以下、平均で１５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子写真感光体の
製造方法。
【請求項１３】前記支持体表面の結晶粒径が、最大で
３ｍｍ以下、平均で１ｍｍ以下であり、前記介在物の大
きさが、最大で２０μｍ以下、平均で１０μｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１０に記載の電子写真感光体
の製造方法。
【請求項１４】前記二酸化炭素を溶解した水の導電率
が、２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下であること
を特徴とする請求項１０に記載の電子写真感光体の製造
方法。
【請求項１５】前記二酸化炭素を溶解した水のｐＨが
３．８以上、６．０以下であることを特徴とする請求項
１０に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１６】前記二酸化炭素を溶解した水が、抵抗
率１ＭΩ・ｃｍ以上の純水に二酸化炭素を溶解した水で
あることを特徴とする請求項１０、１４、又は１５に記
載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１７】前記機能性堆積膜が、構成元素とし
て、水素原子及びハロゲン原子のいずれか一方または両
方を含む珪素原子を主成分とする非単結晶堆積膜を、プ
ラズマＣＶＤ法により形成する工程を含むことを特徴と
する請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の電子写真
感光体の製造方法。
【請求項１８】前記支持体が、少なくとも珪素原子及
びマグネシウム原子のいずれか一方または両方を微量に
含有したアルミニウム支持体であることを特徴とする請
求項１０〜１７のいずれか１項に記載の電子写真感光体
の製造方法。
【請求項１９】前記支持体に含有される珪素原子及び
マグネシウム原子の含有量が、珪素原子は１ｗｔｐｐｍ
から１ｗｔ％、マグネシウム原子は０．１ｗｔ％から１
０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする請求項１８に記
載の電子写真感光体の製造方法。