JPS60876A - ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 - Google Patents
ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置Info
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- JPS60876A JPS60876A JP9448783A JP9448783A JPS60876A JP S60876 A JPS60876 A JP S60876A JP 9448783 A JP9448783 A JP 9448783A JP 9448783 A JP9448783 A JP 9448783A JP S60876 A JPS60876 A JP S60876A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ウェーハ面上を超純水で洗浄中に静電気によ
る放電破壊現象が生じるのを阻止すべく、この超純水中
に炭酸ガスを吹きこみ溶解させ、比抵抗値を低下させる
もので、炭酸ガスの超純水中への吹きこみ量を電磁弁で
調節し、均一に炭酸ガスを溶解するフィルターの出口に
配した比抵抗値センサでこの電磁弁を制御し、ウェーハ
面上に噴出される超純水の比抵抗値を常に一定範囲に保
つ超純水の製法並びにその装置に関する。
る放電破壊現象が生じるのを阻止すべく、この超純水中
に炭酸ガスを吹きこみ溶解させ、比抵抗値を低下させる
もので、炭酸ガスの超純水中への吹きこみ量を電磁弁で
調節し、均一に炭酸ガスを溶解するフィルターの出口に
配した比抵抗値センサでこの電磁弁を制御し、ウェーハ
面上に噴出される超純水の比抵抗値を常に一定範囲に保
つ超純水の製法並びにその装置に関する。
ＩＣウェーハなどの製造には超純水が使用される。
この超純水とは、微粒子、微生物、イオン性化合物質は
全んど含まず、比抵抗値は１６〜１８ＭΩ・ｃｍ（２５
°Ｃ）と筒く絶縁性を呈する。超薄板の砥石でウェーハ
を細断する行程において、その摩擦によりウェーハ面に
は静電気が発生し、スピンナー洗浄（筒圧水ジェット方
式）の際にこの面に超純水を噴出すると、誘電体でもあ
る超純水を通して静電気による放電破壊が生じ、ウェー
ハ面上の微細回路は一部浴断し短絡する。放電破壊を防
ぐには超純水の比抵抗を低げれば良いが、自由電子をも
つ金属イオンの混入は拡散により工Ｃウェーハ自体を毀
損するので採用できず、ウェーハ面に噴出でせる超純水
の水圧や噴射角度の調節により可及的に放電破壊を阻止
している。
全んど含まず、比抵抗値は１６〜１８ＭΩ・ｃｍ（２５
°Ｃ）と筒く絶縁性を呈する。超薄板の砥石でウェーハ
を細断する行程において、その摩擦によりウェーハ面に
は静電気が発生し、スピンナー洗浄（筒圧水ジェット方
式）の際にこの面に超純水を噴出すると、誘電体でもあ
る超純水を通して静電気による放電破壊が生じ、ウェー
ハ面上の微細回路は一部浴断し短絡する。放電破壊を防
ぐには超純水の比抵抗を低げれば良いが、自由電子をも
つ金属イオンの混入は拡散により工Ｃウェーハ自体を毀
損するので採用できず、ウェーハ面に噴出でせる超純水
の水圧や噴射角度の調節により可及的に放電破壊を阻止
している。
しかし、噴射角度の調節等では歩留りはさほどに向上せ
ず別途の放電対策が考えられてきた。本発明は、純度が
向く水に可溶な炭酸ガスを超純水に吹きこみ比抵抗を著
るしく低下する方法を採択し、ある程度の導電性を有す
る超純水で静電気による放電を阻止するもので、以下図
面に基づいて詳しく説明する。
ず別途の放電対策が考えられてきた。本発明は、純度が
向く水に可溶な炭酸ガスを超純水に吹きこみ比抵抗を著
るしく低下する方法を採択し、ある程度の導電性を有す
る超純水で静電気による放電を阻止するもので、以下図
面に基づいて詳しく説明する。
（１）は純度の論い炭酸ガスを充填したボンベ、（２）
は減圧弁、（３）は電磁弁で比抵抗調節器（４）により
開閉を繰シ返す除 ｏ（５）はフィルターでガス中の不純分を俸去する。（
６）は手動調節弁、（８）は電磁弁、（９）は逆止弁で
これら炭酸ガス供は 給手段からの炭酸ガス舎ガス流路ｕＵ）で超純水流路０
υに吹きこまれる。超純水流路αυの手前に炭酸ガスの
逆流を阻止する逆止弁ｕ′２）を配し、ガス流路Ｉ］０
）との交差部の下流側に気泡状の炭酸ガスの微細化と超
純水中の微粒子や微生物を除去するフィルター（１３）
を配する。超純水流路αυの更に下流に比抵抗調節器（
４）の入力となる比抵抗値センサ（Ｉ４）と比抵抗警報
器（１５）の入力となる比抵抗値センサ（Ｉ６）を配置
えた時に電磁弁（３）は俯成し、下限値以下になった時
に器底するようになっている。（１７）はノズノペ（１
８）は洗浄されるウェーハである。
は減圧弁、（３）は電磁弁で比抵抗調節器（４）により
開閉を繰シ返す除 ｏ（５）はフィルターでガス中の不純分を俸去する。（
６）は手動調節弁、（８）は電磁弁、（９）は逆止弁で
これら炭酸ガス供は 給手段からの炭酸ガス舎ガス流路ｕＵ）で超純水流路０
υに吹きこまれる。超純水流路αυの手前に炭酸ガスの
逆流を阻止する逆止弁ｕ′２）を配し、ガス流路Ｉ］０
）との交差部の下流側に気泡状の炭酸ガスの微細化と超
純水中の微粒子や微生物を除去するフィルター（１３）
を配する。超純水流路αυの更に下流に比抵抗調節器（
４）の入力となる比抵抗値センサ（Ｉ４）と比抵抗警報
器（１５）の入力となる比抵抗値センサ（Ｉ６）を配置
えた時に電磁弁（３）は俯成し、下限値以下になった時
に器底するようになっている。（１７）はノズノペ（１
８）は洗浄されるウェーハである。
次に作動について説明する。超純水は逆止弁０２）、フ
ィルター１３）、比抵抗値センサ（Ｉ４）、ｔｔｔａ、
ノズルα力からなる流路系ｔ−ｗの圧力で流れており、
ボンベ（１）内の炭酸ガスは減圧弁（２）で所冗圧に減
圧され、閉成している電磁弁（３）に達している。ノズ
ル０７）を通過する超純水の比抵抗値は第２図のように
およそ１８１ｖｌＱ４（２５°Ｃ）である。
ィルター１３）、比抵抗値センサ（Ｉ４）、ｔｔｔａ、
ノズルα力からなる流路系ｔ−ｗの圧力で流れており、
ボンベ（１）内の炭酸ガスは減圧弁（２）で所冗圧に減
圧され、閉成している電磁弁（３）に達している。ノズ
ル０７）を通過する超純水の比抵抗値は第２図のように
およそ１８１ｖｌＱ４（２５°Ｃ）である。
比抵抗調節器（４）を調節しその上限値を１．０ＮＩ（
’ｌ”へ下限値を０、Ｉ Ｍ＆’ｌ−ｎにセットし、手
動調節弁（６）を開成すると、比抵抗値センサ０４）は
比抵抗調節器（４）を作動し電磁弁（３）を開成する。
’ｌ”へ下限値を０、Ｉ Ｍ＆’ｌ−ｎにセットし、手
動調節弁（６）を開成すると、比抵抗値センサ０４）は
比抵抗調節器（４）を作動し電磁弁（３）を開成する。
炭酸ガスはフィルター（５）を通過し一層純度を尚めた
のちガス流路（１０）を経て超純水流路０υに吹きこま
れる。
のちガス流路（１０）を経て超純水流路０υに吹きこま
れる。
圧入された気泡状の炭酸ガスはフィルター０により微細
□化され均一に超純水中に溶解する。このフィルター（
Ｉ３）を通過した超純水は微粒子等を一層除去されると
共に浴けこんだ炭酸ガスが水分子と熱的平衡解離を生じ
水素イオンを電離させて比抵抗を低下させる。溶解する
炭酸ガスの割合に応じて比抵抗は低下する。比抵抗値が
比抵抗調節器（４）の設に下限値である０、ＩＭ＆）・
鍋近傍に達すると、比抵抗値センサ（１４）はこれを検
知し電磁弁（３）を閉成し炭酸ガスの吹きこみを停止す
る。同時に、電磁弁（８）を数秒間はど開成してガス流
路００）に混入した超純水を残留炭酸ガス圧により排出
し再び閉じる。炭酸カスの吹きこみ停止により比抵抗値
センサ（１４）を通過する超純水の比抵抗は、第２図の
波形のように緩やかに上昇する。上昇した比抵抗が設定
上限値である１、０ｍ）−（ｍ近傍に達すると、比抵抗
調節器（４）は再び電磁弁（３）を開成し、炭酸ガスを
超純水流路Ｕυ内に圧入して超純水の比抵抗を低下させ
る０比抵抗値センサαａがこの設定上限値と下限値を検
知し比抵抗調節器（４）により電磁弁（３）の開閉を繰
り返すことで、ノズル（１７）から噴出される超純水の
比抵抗は第２図のように繰り返し波形を採り、常に一尾
範囲内の比抵抗値を有するように制御される。噴出され
る超純水が設定許容範囲から外れると、比抵抗値センサ
（１６）を入力とする比抵抗警報器＋１５）が警報を発
する。
□化され均一に超純水中に溶解する。このフィルター（
Ｉ３）を通過した超純水は微粒子等を一層除去されると
共に浴けこんだ炭酸ガスが水分子と熱的平衡解離を生じ
水素イオンを電離させて比抵抗を低下させる。溶解する
炭酸ガスの割合に応じて比抵抗は低下する。比抵抗値が
比抵抗調節器（４）の設に下限値である０、ＩＭ＆）・
鍋近傍に達すると、比抵抗値センサ（１４）はこれを検
知し電磁弁（３）を閉成し炭酸ガスの吹きこみを停止す
る。同時に、電磁弁（８）を数秒間はど開成してガス流
路００）に混入した超純水を残留炭酸ガス圧により排出
し再び閉じる。炭酸カスの吹きこみ停止により比抵抗値
センサ（１４）を通過する超純水の比抵抗は、第２図の
波形のように緩やかに上昇する。上昇した比抵抗が設定
上限値である１、０ｍ）−（ｍ近傍に達すると、比抵抗
調節器（４）は再び電磁弁（３）を開成し、炭酸ガスを
超純水流路Ｕυ内に圧入して超純水の比抵抗を低下させ
る０比抵抗値センサαａがこの設定上限値と下限値を検
知し比抵抗調節器（４）により電磁弁（３）の開閉を繰
り返すことで、ノズル（１７）から噴出される超純水の
比抵抗は第２図のように繰り返し波形を採り、常に一尾
範囲内の比抵抗値を有するように制御される。噴出され
る超純水が設定許容範囲から外れると、比抵抗値センサ
（１６）を入力とする比抵抗警報器＋１５）が警報を発
する。
静電気を帯びたウェーッ・（１８）に面圧の超純水が噴
射され洗浄キれるが、この超純水の比抵抗が低くある程
度の導電性を有するために、表面の静電気は流れる超純
水を辿して吸収され消滅する。従来の超純水のように比
抵抗が極めて尚く誘電体（絶縁体）として機能する時は
、液中放電破壊が生じやすく、ウェーハ（１８）は溶断
損傷を受けるが、本発明の比抵抗の低い超純水を使用す
る場合には、このような静電気による放電は生じない。
射され洗浄キれるが、この超純水の比抵抗が低くある程
度の導電性を有するために、表面の静電気は流れる超純
水を辿して吸収され消滅する。従来の超純水のように比
抵抗が極めて尚く誘電体（絶縁体）として機能する時は
、液中放電破壊が生じやすく、ウェーハ（１８）は溶断
損傷を受けるが、本発明の比抵抗の低い超純水を使用す
る場合には、このような静電気による放電は生じない。
炭酸ガスの吹きこみによる比抵抗値の許容範囲とは、超
純水のウェーハ（１８）面上への噴出時に、ウェーハ（
１８）面上の静電気が、放電で逸散することなく、低い
比抵抗値によるある程度の導電性で消滅しえる範囲であ
り、第２図の範囲に限定されるものでない。ウェー／・
（１８１の電極パターンやその表面の静電荷量などによ
り適宜この範囲は決められる０また、炭酸ガスを均一に
超純水中に溶解する手段としてフィルター（１３）に代
へて周知の渦流や乱流発生機構を使用しても良い。洗浄
される対象としてウェーッ・０８）を説明してきたが、
電子ビーム描画によるマスク基板の洗浄に際しても轟然
に適用される。
純水のウェーハ（１８）面上への噴出時に、ウェーハ（
１８）面上の静電気が、放電で逸散することなく、低い
比抵抗値によるある程度の導電性で消滅しえる範囲であ
り、第２図の範囲に限定されるものでない。ウェー／・
（１８１の電極パターンやその表面の静電荷量などによ
り適宜この範囲は決められる０また、炭酸ガスを均一に
超純水中に溶解する手段としてフィルター（１３）に代
へて周知の渦流や乱流発生機構を使用しても良い。洗浄
される対象としてウェーッ・０８）を説明してきたが、
電子ビーム描画によるマスク基板の洗浄に際しても轟然
に適用される。
以上の如く、本発明はウェーハα８）面上などに供給さ
れる超純水中に炭酸ガスを吹きこみ、均一に浴解し、且
つ吹きこみ量を定量的に制御するため、比抵抗の低い超
純水が安定して得られ、ウェーハ（１８）面に静電気に
よる放電破壊を生じることなくウェーハ（１８）を洗浄
することができ、工Ｃ製品の歩留ｐを飛躍的に向上させ
る。
れる超純水中に炭酸ガスを吹きこみ、均一に浴解し、且
つ吹きこみ量を定量的に制御するため、比抵抗の低い超
純水が安定して得られ、ウェーハ（１８）面に静電気に
よる放電破壊を生じることなくウェーハ（１８）を洗浄
することができ、工Ｃ製品の歩留ｐを飛躍的に向上させ
る。
図面は本発明実施の一例を示すもので、第１図は炭酸ガ
スを超純水に吹きこむブロック回路の説明図、第２図は
縦軸が超純水の比抵抗値を示す実測結果のグラフ図であ
る。 １・・ボンベ ３・・電磁弁 ４・・比抵抗調節器１０
・・ガス流路 １１・・超純水流路 １３・・フィルタ
ー１４・・比抵抗値センサ
スを超純水に吹きこむブロック回路の説明図、第２図は
縦軸が超純水の比抵抗値を示す実測結果のグラフ図であ
る。 １・・ボンベ ３・・電磁弁 ４・・比抵抗調節器１０
・・ガス流路 １１・・超純水流路 １３・・フィルタ
ー１４・・比抵抗値センサ
Claims (2)
- （１） ウェーハ面上などに供給される超純水中に炭酸
ガスを吹きこみ、均一に溶解させ、ウェーハ面上に静電
気による放電破壊が生じないように炭酸ガスの吹きこみ
量を足置的に制御する、ウェーハの洗浄などに使用する
比抵抗の低い超純水の製法。 - （２）超純水に炭酸ガスを吹きこむ炭酸ガス供給源と、
この吹きこみ量を調節する電磁弁と、吹きこまれた炭酸
ガスを均一に俗解するフィルターと、このフィルターの
出口に比抵抗値センサとを配し、ウェーハ面上などに噴
出される超純水が一短軛囲の比抵抗値を有するように比
抵抗値センサで上記電磁弁を制御する、ウェーハの洗浄
などに使用する比抵抗の低い超純水装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9448783A JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9448783A JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60876A true JPS60876A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0373355B2 JPH0373355B2 (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=14111644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9448783A Granted JPS60876A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60876A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226629A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Taiyo Sanso Kk | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS62226632A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Taiyo Sanso Kk | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
| JPS6386526A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Taiyo Sanso Kk | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
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| US6391394B1 (en) | 1993-12-22 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electrophotographic photosensitive member and jig used therein |
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-
1983
- 1983-05-27 JP JP9448783A patent/JPS60876A/ja active Granted
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| US10991602B2 (en) | 2016-05-09 | 2021-04-27 | Ebara Corporation | Substrate washing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373355B2 (ja) | 1991-11-21 |
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