JPS6386526A - 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 - Google Patents
不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法Info
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- JPS6386526A JPS6386526A JP23261586A JP23261586A JPS6386526A JP S6386526 A JPS6386526 A JP S6386526A JP 23261586 A JP23261586 A JP 23261586A JP 23261586 A JP23261586 A JP 23261586A JP S6386526 A JPS6386526 A JP S6386526A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造プロセスに関し、特に不純物
原子のゲッタリングのための格子欠陥を半導体ウェハ背
面に導入する方法に関するものである。
原子のゲッタリングのための格子欠陥を半導体ウェハ背
面に導入する方法に関するものである。
［従来の技術］
第２図を参照して、半導体ウェハの背面に格子欠陥を導
入するためにバックサイドダメージを与える方法が概略
的に図解されている。半導体ウェハ２１は、石英ブラシ
２２またはＳｉＯ２粒子の噴射装置２２によってバック
サイドダメージ２３が与えられる。
入するためにバックサイドダメージを与える方法が概略
的に図解されている。半導体ウェハ２１は、石英ブラシ
２２またはＳｉＯ２粒子の噴射装置２２によってバック
サイドダメージ２３が与えられる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のバックサイドダメージ形成方法にお
いては、噴射されたＳｉＯ２粒子やその破片または石英
ブラシの磨耗粒子が残存し１これらが後のプロセスにお
いてウェハの汚染源となるなどの問題があった。
いては、噴射されたＳｉＯ２粒子やその破片または石英
ブラシの磨耗粒子が残存し１これらが後のプロセスにお
いてウェハの汚染源となるなどの問題があった。
本発明はこのような問題を解消するためになされたもの
で、ウェハの汚染源を全く残存させないで効率良くバッ
クサイドダメージを形成する方法を提供することを目的
としている。
で、ウェハの汚染源を全く残存させないで効率良くバッ
クサイドダメージを形成する方法を提供することを目的
としている。
［問題点を解決するための手段コ
本発明による方法は、氷の粒子を半導体ウェハの背面に
対して３０〜７０°の角度で噴射することによってバッ
クサイドダメージを形成するようにしたものである。
対して３０〜７０°の角度で噴射することによってバッ
クサイドダメージを形成するようにしたものである。
［作用］
本発明による半導体ウェハのパックサイドダイメージ形
成方法は、氷の粒子を半導体ウェハの背面に３０〜７０
°の角度で噴射衝突させる衝撃によって格子欠陥を導入
する。
成方法は、氷の粒子を半導体ウェハの背面に３０〜７０
°の角度で噴射衝突させる衝撃によって格子欠陥を導入
する。
［発明の実施例］
第１図を参照して、本発明による半導体ウェハ背面に格
子欠陥を導入する方法が概略的に図解されている。たと
えば、断面が４００Ｘ４００ｍｎ＋で高さが１２００ｍ
ｍの容器１は、液体窒素源２から供給された液体窒素３
によって高さ５００ｍｍまで漏たれている。この液体窒
素３において、散気管４から窒素ガスを３００ｃＬ／ｍ
２ ・ｍｉｎの割合で噴き出すことによって、液体窒素
３の表面に数ｍｍの波を生じさせる。この窒素ガスは液
体窒素源２から熱交換機５を介して与えられる。
子欠陥を導入する方法が概略的に図解されている。たと
えば、断面が４００Ｘ４００ｍｎ＋で高さが１２００ｍ
ｍの容器１は、液体窒素源２から供給された液体窒素３
によって高さ５００ｍｍまで漏たれている。この液体窒
素３において、散気管４から窒素ガスを３００ｃＬ／ｍ
２ ・ｍｉｎの割合で噴き出すことによって、液体窒素
３の表面に数ｍｍの波を生じさせる。この窒素ガスは液
体窒素源２から熱交換機５を介して与えられる。
一方、容器１の上部に設けられたノズル６には、純水源
７から１．２ｋｇ／ａｍ２Ｇの圧力と０゜１ｆ１ｍｉｎ
の流量で純水が供給されるとともに、１．２ｋｇ／ｃｍ
２Ｇの圧力と４．５ＮＩｌ／ｍｉｎの流量で窒素ガスが
供給される。そして、純水がノズル６から霧状に噴射さ
れる。こうし、て液体窒素３内に噴射された純水の霧は
瞬時に微細な氷の粒子８となる。」二足の噴射条件では
約７０〜８０μｍレベルの氷の粒子が得られるが、これ
らの微細な氷の粒径は純水の噴射条件や液体窒素中の滞
在時間などを調節することによって種々に制御すること
ができる。
７から１．２ｋｇ／ａｍ２Ｇの圧力と０゜１ｆ１ｍｉｎ
の流量で純水が供給されるとともに、１．２ｋｇ／ｃｍ
２Ｇの圧力と４．５ＮＩｌ／ｍｉｎの流量で窒素ガスが
供給される。そして、純水がノズル６から霧状に噴射さ
れる。こうし、て液体窒素３内に噴射された純水の霧は
瞬時に微細な氷の粒子８となる。」二足の噴射条件では
約７０〜８０μｍレベルの氷の粒子が得られるが、これ
らの微細な氷の粒径は純水の噴射条件や液体窒素中の滞
在時間などを調節することによって種々に制御すること
ができる。
こうして製造された氷の粒子８は、たとえばスクリュー
フィーダ９によってホッパ１０内に輸送される。ホッパ
１０内の氷粒子は次にブラスト装置１１に供給される。
フィーダ９によってホッパ１０内に輸送される。ホッパ
１０内の氷粒子は次にブラスト装置１１に供給される。
このブラスト装置１１はたとえば高圧気体イジェクタ方
式のものであって、５ｋｇ／ｃｍ２Ｇの高圧でＩＮｕ／
ｍｉｎの流量の窒素ガスによって、氷粒子を０．３ｕ／
ｍｉｎの割合で噴射させる。この噴射された氷粒子を半
導体ウェハの背面に対して３０〜７０°の角度で衝突さ
せる衝撃によって格子欠陥を導入してバックサイドダメ
ージを形成する。
式のものであって、５ｋｇ／ｃｍ２Ｇの高圧でＩＮｕ／
ｍｉｎの流量の窒素ガスによって、氷粒子を０．３ｕ／
ｍｉｎの割合で噴射させる。この噴射された氷粒子を半
導体ウェハの背面に対して３０〜７０°の角度で衝突さ
せる衝撃によって格子欠陥を導入してバックサイドダメ
ージを形成する。
このように、本発明によれば、格子欠陥を導入する衝撃
粒子として微細な氷粒子を用いるので、後の工程で汚染
源となるような粒子や磨耗物を残存させることがない。
粒子として微細な氷粒子を用いるので、後の工程で汚染
源となるような粒子や磨耗物を残存させることがない。
さらに、本発明によれば、氷粒子を半導体ウェハの背面
に対して３０〜７０°の角度で噴射衝突させるので、ウ
ェハ背面で反射された氷粒子や窒素ガスによって入射氷
粒子のエネルギが低下させられることがなく、効率良く
格子欠陥を導入する＝ ５− ことができる。
に対して３０〜７０°の角度で噴射衝突させるので、ウ
ェハ背面で反射された氷粒子や窒素ガスによって入射氷
粒子のエネルギが低下させられることがなく、効率良く
格子欠陥を導入する＝ ５− ことができる。
本発明のもう１つの実施例によれば、超純水に炭酸ガス
を含ませることによって１ＭΩ・Ｃｎｌ以下の比抵抗に
下げられた水から製氷された氷粒子を噴射する。この場
合、低抵抗の水が静電気を解放するように作用するので
、噴射衝撃時における静電気による汚染物質の吸着など
の心配を解消させる。
を含ませることによって１ＭΩ・Ｃｎｌ以下の比抵抗に
下げられた水から製氷された氷粒子を噴射する。この場
合、低抵抗の水が静電気を解放するように作用するので
、噴射衝撃時における静電気による汚染物質の吸着など
の心配を解消させる。
［発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、氷の粒子を半導体ウェ
ハの背面に対して３０〜７０１の角度で噴射して格子欠
陥を導入するので、石英ブラシや５ｉ０２粒子を用いる
場合のように、残存する磨耗粒子や噴射粒子による後工
程における汚染の問題が解消される。
ハの背面に対して３０〜７０１の角度で噴射して格子欠
陥を導入するので、石英ブラシや５ｉ０２粒子を用いる
場合のように、残存する磨耗粒子や噴射粒子による後工
程における汚染の問題が解消される。
さらに、本発明によれば、氷粒子が半導体ウェハの背面
に対して３０〜７０°の角度で斜めに入射されるので、
反射された氷の粒子や窒素ガスが入射する氷粒子の抵抗
となることがない。したがって、入射する氷粒子のエネ
ルギが削減されることなく効率良く半導体ウェハ背面に
格子欠陥が導入される。
に対して３０〜７０°の角度で斜めに入射されるので、
反射された氷の粒子や窒素ガスが入射する氷粒子の抵抗
となることがない。したがって、入射する氷粒子のエネ
ルギが削減されることなく効率良く半導体ウェハ背面に
格子欠陥が導入される。
第１図は本発明による半導体ウェハ背面に格子欠陥を導
入する方法を概略的に示す図である。 第２図は従来の半導体ウェハのバックザイドダメージ形
成方法を概略的に示す図である。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体
窒素、４は散気管、５は熱交換器、６はノズル、７は純
水源、８は氷の粒子、９はスクリューフィーダ、１０は
ホッパ、１１はブラスト装置、１２は半導体ウェハ、１
３はバックサイドダメージを示す。
入する方法を概略的に示す図である。 第２図は従来の半導体ウェハのバックザイドダメージ形
成方法を概略的に示す図である。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体
窒素、４は散気管、５は熱交換器、６はノズル、７は純
水源、８は氷の粒子、９はスクリューフィーダ、１０は
ホッパ、１１はブラスト装置、１２は半導体ウェハ、１
３はバックサイドダメージを示す。
Claims (6)
- （１）氷の粒子を半導体ウェハの背面に３０〜７０°の
角度で噴射することによって格子欠陥を半導体ウェハ背
面に導入する方法。 - （２）前記氷の粒子はガスの噴流によって噴射されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （３）前記氷の粒子は１〜５０μｍの粒径であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
方法。 - （４）前記氷は超純水の氷であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかの項に記載さ
れた方法。 - （５）前記氷は超純水に炭酸ガスが混入された水の氷で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかの項に記載された方法。 - （６）前記超純水に炭酸ガスが混入された水は１ＭΩ・
ｃｍ以下の比抵抗を有することを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23261586A JPS6386526A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23261586A JPS6386526A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386526A true JPS6386526A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16942113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23261586A Pending JPS6386526A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386526A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532072A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-10 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS55106538A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Shimadzu Corp | Removing method of surface from substance |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23261586A patent/JPS6386526A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532072A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-10 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS55106538A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Shimadzu Corp | Removing method of surface from substance |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
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