JPS63156661A - ウエ−ハ研磨装置 - Google Patents
ウエ−ハ研磨装置Info
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- JPS63156661A JPS63156661A JP30471886A JP30471886A JPS63156661A JP S63156661 A JPS63156661 A JP S63156661A JP 30471886 A JP30471886 A JP 30471886A JP 30471886 A JP30471886 A JP 30471886A JP S63156661 A JPS63156661 A JP S63156661A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既要〕
水滴噴霧を含んだ高圧ガスを中間圧を形成するようにし
た中間圧力タンク内に噴出し、断熱膨張冷却により氷粒
を作り、これを噴射してウェーハを研会し、汚れのない
研磨面を得る。
た中間圧力タンク内に噴出し、断熱膨張冷却により氷粒
を作り、これを噴射してウェーハを研会し、汚れのない
研磨面を得る。
本発明は半導体ウェーハの研磨を氷粒の噴射により行う
研磨装置の構造に関する。
研磨装置の構造に関する。
半導体ウェーハは、その厚さの不均一性や平行度のｆα
正など形状の修正、或いは表面の損傷その他の不要物を
除去する目的をもって研磨仕上げを行う。
正など形状の修正、或いは表面の損傷その他の不要物を
除去する目的をもって研磨仕上げを行う。
従来、表面を粗面に仕上げる研磨の方法は、研磨布の上
に研磨粉をオイルに懸濁した液を注ぎながら、これにウ
ェーハを押しつけて研磨するラッピング法と、ウェーハ
に研磨粉の噴射流を吹きつけて行う噴射法がある。研磨
粉としては、アルミナまたはカーボランダムが通常使用
される。これらばいづれも、ウェーハに直接研磨粉があ
たり、その表面を削りとるもので、研磨速度は大きいが
、ウェーハに食い込んだ研磨粉が後工程の洗浄その他の
工程で除去しきれないものが生じ、これが半導体装置の
汚染の原因となることがある。
に研磨粉をオイルに懸濁した液を注ぎながら、これにウ
ェーハを押しつけて研磨するラッピング法と、ウェーハ
に研磨粉の噴射流を吹きつけて行う噴射法がある。研磨
粉としては、アルミナまたはカーボランダムが通常使用
される。これらばいづれも、ウェーハに直接研磨粉があ
たり、その表面を削りとるもので、研磨速度は大きいが
、ウェーハに食い込んだ研磨粉が後工程の洗浄その他の
工程で除去しきれないものが生じ、これが半導体装置の
汚染の原因となることがある。
本発明による研磨装置によれば、清浄な粗面研磨面をも
つウェーハを得ることが可能である。
つウェーハを得ることが可能である。
（従来の技術〕
第２図は従来例におけるウェーハ研磨装置の構造模式図
である。
である。
この図において、１６はエアガンで圧力、３〜７Ｋｇ／
ｃｍ”の高圧エアをノズルから噴出させ、これの吸引力
により、アルミナ等の研磨粉を水にといた懸濁液を吸い
上げ、研磨粉ブラスト１７として噴射する。噴射流の速
度は４０〜３００…／Ｓである。
ｃｍ”の高圧エアをノズルから噴出させ、これの吸引力
により、アルミナ等の研磨粉を水にといた懸濁液を吸い
上げ、研磨粉ブラスト１７として噴射する。噴射流の速
度は４０〜３００…／Ｓである。
ウェーハ保持台１４に真空吸引により保持したウェーハ
７に、高速の研磨粉ブラスト１７が当たり表面を削りと
ることにより研磨がおこなわれ、粗い研磨面を得ること
が出来る。１２はフードで、これで噴霧が周囲に飛び散
るのを防止し、下方より排気、排水する。通常、使用し
た研磨粉は回収し循環再使用する。
７に、高速の研磨粉ブラスト１７が当たり表面を削りと
ることにより研磨がおこなわれ、粗い研磨面を得ること
が出来る。１２はフードで、これで噴霧が周囲に飛び散
るのを防止し、下方より排気、排水する。通常、使用し
た研磨粉は回収し循環再使用する。
高速の研磨粉ブラスト１７の研磨粉はウェーハ表面に衝
突すると、ウェーハを削りとると同時に殆どのものがウ
ェーハ表面から離れて付着することがないが、極く僅か
であるがウェーハ表面に突き刺さったままになるものが
生ずる。
突すると、ウェーハを削りとると同時に殆どのものがウ
ェーハ表面から離れて付着することがないが、極く僅か
であるがウェーハ表面に突き刺さったままになるものが
生ずる。
ウェーハ表面に突きささった研磨粉は後工程の洗浄では
完全に除去することが困難であり、若し残留すると汚染
の原因となる。従って、この研磨工程後に適量のポリッ
シング、あるいはエツチングにより突きささった研磨粉
を除去する工程を有しない場合、例えば粗面のままの状
態の表面仕上げにするとき特に問題となる。
完全に除去することが困難であり、若し残留すると汚染
の原因となる。従って、この研磨工程後に適量のポリッ
シング、あるいはエツチングにより突きささった研磨粉
を除去する工程を有しない場合、例えば粗面のままの状
態の表面仕上げにするとき特に問題となる。
また、飛散した研磨粉はフード内部の全ゆる場所に飛散
して付着し汚すので、ウェーハ保持台、エアガンを始め
とする研磨装置のメインテナンスが面倒である。また、
微細研磨粉を吸入すると衛生上、有害であり、取扱いに
注意を要する。
して付着し汚すので、ウェーハ保持台、エアガンを始め
とする研磨装置のメインテナンスが面倒である。また、
微細研磨粉を吸入すると衛生上、有害であり、取扱いに
注意を要する。
ウェーハを研磨したとき、研磨面に有害な研磨粉が残留
する。また、研磨装置が研磨粉で汚れメインテナンスが
面倒である。
する。また、研磨装置が研磨粉で汚れメインテナンスが
面倒である。
上記問題点の解決は、水滴噴霧を含む高圧ガスをノズル
から中間圧力タンク内に噴出し、断熱膨張により米粒含
有ガス流を形成し、この氷粒含有ガス流を前記中間圧力
タンクの噴出口より更に噴射することによりウェーハを
研磨する本発明によるウェーハ研磨装置により達成され
る。
から中間圧力タンク内に噴出し、断熱膨張により米粒含
有ガス流を形成し、この氷粒含有ガス流を前記中間圧力
タンクの噴出口より更に噴射することによりウェーハを
研磨する本発明によるウェーハ研磨装置により達成され
る。
特に、前記水滴噴霧の水を純水とすることにより本発明
は容易に実施することが出来る。
は容易に実施することが出来る。
高圧ガスのなかに純水を噴出し噴霧を作り、これを中間
圧力タンク内に吹き出し、断熱効果により微細氷粒とす
４゜更にこれを高速で噴出させ、ウェーハを研磨する。
圧力タンク内に吹き出し、断熱効果により微細氷粒とす
４゜更にこれを高速で噴出させ、ウェーハを研磨する。
研磨粉が氷粒であるためウェーハ、研磨装置共に汚れる
ことがない。
ことがない。
第１図は本発明におけるウェーハ研磨装置の構造模式図
である。
である。
この図において、２は液体酸素或いは液体窒素等の高圧
液化ガスで、これを気化器８で気化して１００気圧程度
の高圧ガス９として中間圧力タンク４にノズル３より噴
出させる。ノズル３の噴出断面積は５ｃｍ”程度であり
、この場合、ここでの流速は２００ｍ／ｓ、圧力（動圧
）は１０気圧程度となる。中間圧力タンク４に至るまで
に高圧ガス９のなかにインジェクタ１０により純水を噴
出し、高圧ガス９と微細水滴との混合である水滴噴霧１
の状態にする。
液化ガスで、これを気化器８で気化して１００気圧程度
の高圧ガス９として中間圧力タンク４にノズル３より噴
出させる。ノズル３の噴出断面積は５ｃｍ”程度であり
、この場合、ここでの流速は２００ｍ／ｓ、圧力（動圧
）は１０気圧程度となる。中間圧力タンク４に至るまで
に高圧ガス９のなかにインジェクタ１０により純水を噴
出し、高圧ガス９と微細水滴との混合である水滴噴霧１
の状態にする。
水滴噴霧１は、圧力を６気圧程度にするようにした中間
圧力タンク４にノズル３より噴出されるとき、断熱膨張
部１１で圧力が急減するので微細水滴は氷粒となり、米
粒含有ガス流５となる。中間圧力タンク４には噴出口６
があり、ここから氷粒含有ガス流５は、略大気圧に近い
圧力のフード１２内に氷ブラスト１３として噴射される
。
圧力タンク４にノズル３より噴出されるとき、断熱膨張
部１１で圧力が急減するので微細水滴は氷粒となり、米
粒含有ガス流５となる。中間圧力タンク４には噴出口６
があり、ここから氷粒含有ガス流５は、略大気圧に近い
圧力のフード１２内に氷ブラスト１３として噴射される
。
中間圧力タンク４の断面積は１００ｃｍ”程度とする。
このとき、中間圧力タンク４内部での流速はｌ Ｑ ｍ
／ ｓ程度となる。噴出口６の断面積を１ｃｍ”程度
とすることによって、氷ブラストの流速として１０００
ｍ／ｓのものを得ることが出来る。
／ ｓ程度となる。噴出口６の断面積を１ｃｍ”程度
とすることによって、氷ブラストの流速として１０００
ｍ／ｓのものを得ることが出来る。
ウェーハ保持台１４には真空吸引により保持したウェー
ハ７カ（あり、これに氷ブラスト１３が当たると、高速
の微細氷粒のもつエネルギーによりウェーハ７の表面が
研磨される。
ハ７カ（あり、これに氷ブラスト１３が当たると、高速
の微細氷粒のもつエネルギーによりウェーハ７の表面が
研磨される。
研磨の際、研磨粒である氷粒がウェーハに突きささるこ
とがあっても、温度が上がれば水となって溶けるので汚
れの原因となることはない。またフードの内部も研磨粒
が氷であるため汚れとして残ることがなくメインテナン
スが非常に容易となる。
とがあっても、温度が上がれば水となって溶けるので汚
れの原因となることはない。またフードの内部も研磨粒
が氷であるため汚れとして残ることがなくメインテナン
スが非常に容易となる。
以上詳細に説明したように、本発明によると、純水によ
る氷ブラストでうニームを研磨するので１、研磨面に除
去困難な汚れが残らない。また研磨装置も汚れが非常に
少な（なるので、メインテナンスが容易となる。
る氷ブラストでうニームを研磨するので１、研磨面に除
去困難な汚れが残らない。また研磨装置も汚れが非常に
少な（なるので、メインテナンスが容易となる。
第１図は本発明におけるウェーハ研磨装置の構造模式図
、 第２図は従来例におけるウェーハ研磨装置の構造模式図
である。 この図において、 １は水滴噴霧、 ２は高圧液化ガス、 ３はノズル、 ４は中間圧力タンク、 ５は米粒含有ガス流、 ６は噴出口、 ７はウェーハ、 ８は気化器、 ９は高圧ガス、 １０はインジェクタ、 １１は断熱膨張部、 １２はフード、 １３は氷ブラスト、 １４はウェーハ保持台、 １５は水（純水） メ２ フード゛ 偽 ２ 閏
、 第２図は従来例におけるウェーハ研磨装置の構造模式図
である。 この図において、 １は水滴噴霧、 ２は高圧液化ガス、 ３はノズル、 ４は中間圧力タンク、 ５は米粒含有ガス流、 ６は噴出口、 ７はウェーハ、 ８は気化器、 ９は高圧ガス、 １０はインジェクタ、 １１は断熱膨張部、 １２はフード、 １３は氷ブラスト、 １４はウェーハ保持台、 １５は水（純水） メ２ フード゛ 偽 ２ 閏
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕水滴噴霧（１）を含有する高圧ガス（２）をノズ
ル（３）から中間圧力タンク（４）内に噴出し、断熱膨
張により氷粒含有ガス流（５）を形成し、 この氷粒含有ガス流（５）を前記中間圧力タンク（４）
の噴出口（６）より更に噴射して氷ブラスト（１３）を
作り、この氷ブラスト（１３）によりウェーハ（７）を
研磨する ことを特徴とするウェーハ研磨装置。 〔２〕前記水滴噴霧（１）の水が純水であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のウェーハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30471886A JPS63156661A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ウエ−ハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30471886A JPS63156661A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ウエ−ハ研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63156661A true JPS63156661A (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=17936376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30471886A Pending JPS63156661A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ウエ−ハ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63156661A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4022401A1 (de) * | 1989-07-17 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur oberflaechenbehandlung eines substrats |
| US5025597A (en) * | 1987-06-23 | 1991-06-25 | Taiyo Sanso Co., Ltd. | Processing apparatus for semiconductor wafers |
| US5283989A (en) * | 1990-05-30 | 1994-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for polishing an article with frozen particles |
| WO2002092283A3 (en) * | 2001-05-14 | 2003-11-13 | Universal Ice Blast Inc | Ice blast cleaning cabinet |
| JP2005044920A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Asahi Sunac Corp | 基板の加工方法及び加工装置 |
| JP2008525205A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | シリコン電極アセンブリのエッチング速度及びエッチング均一性を回復する方法 |
| JP2016093870A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | 株式会社東芝 | 処理装置 |
| JP2016093871A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | 株式会社東芝 | 処理装置およびノズル |
| US9947571B2 (en) | 2014-11-14 | 2018-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus |
| JP2021522081A (ja) * | 2018-05-04 | 2021-08-30 | クリット テクニークス ジェット フルイド エ ユジナージュ | 材料を表面処理するための装置および方法 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30471886A patent/JPS63156661A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11559872B2 (en) | 2018-05-04 | 2023-01-24 | Critt Techniques Jet Fluide Et Usinage | Device and method for the surface treatment of a material |
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