KR100227018B1 - 세정장치 및 세정방법 - Google Patents

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토시아끼 오모리
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다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
요시토미 마사오
료덴 세미컨덕터 시스템 엔지니어링 (주)
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Abstract

[목적]
본 발명은, 기판상의 오염물을 효과 있게 제거할 수 있도록 개량된 장치를 제공하는 것이다.
[구성]
해당 장치는, 액체의 방울(21)을 기판(1)에 향해서 분출하는 분출노즐(11)을 구비한다.
분출노즐(11)에는, 액체공급수단(23) 및 가스 공급수단(22)가 접속된다.
분출노즐(11)내에는, 분출노즐(11)에 공급된 액체와 기체와를 혼합하며, 액체를 액체의 방울(21)로 바꾸는 혼합수단이 설치되어 있다.

Description

세정장치 및 세정방법
제 1 도는 실시예 1에 관련한 세정장치의 개념도.
제 2 도는 실시예 1에 관련한 세정장치에 사용하는 분출노즐의 단면도.
제 3 도는 액체의 공급압력과 오염물의 제거율과의 관계를 표시하는 그래프.
제 4 도는 액체방울의 분출속도와 오염물의 제거율과의 관계를 표시하는 그래프.
제 5 도는 액체방울의 입자의 크기와 오염물의 제거율과의 관계를 표시하는 그래프.
제 6 도는 본 발명의 기본적 개념을 설명하기 위한 도면.
제 7 도는 액체방울의 충돌각도와 제거율과의 관계를 표시한 그래프.
제 8 도는 실시예 2에 관련한 세정장치의 개념도.
제 9 도는 실시예 3에 관련한 세정장치의 개념도.
제 10 도는 실시예 4에 관련한 세정장치의 개념도.
제 11 도는 실시예 5에 관련한 세정장치의 개념도.
제 12 도는 액체방울을 형성하는 분출노즐의 다른 구체예의 단면도.
제 13 도는 액체방울을 형성하는 분출노즐의 또 다른 구체예의 단면도.
제 14 도는 액체방울을 형성하는 분출노즐의 또 다른 구체예의 단면도.
제 15 도는 종래의 고압 제트 수세정을 실현하는 장치의 개념도.
제 16 도는 종래의 고압 제트 수세정장치로부터 분출된 액체의 단면도.
제 17 도는 종래의 메가소닉 유수세정을 실현하는 장치의 모식도.
제 18 도는 종래의 아이스 스크러버(ice scrubber)세정을 실현하는 장치의 모식도.
[산업상의 이용분야]
본 발명은 일반적으로 세정장치에 관한 것이며, 보다 특정적으로는 기판 위에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정장치에 관한 것이다. 본 발명은 또 기판위에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정방법에 관한 것이다.
[종래의 기술]
웨이퍼 상에 CVD법 또는 스퍼터링 법에 의해 막을 형성하면 그 표면에 입자 모양의 오염물이 부착된다. 또한, 레지스트의 잔재가 웨이퍼의 표면에 부착하는 일이 있다. 이 오염물들을 제거하는 방법으로서, 고압제트 수세정 메가소닉 유수세정 및 아이스 스크러버 세정 등이 제안되고 있다.
제 15 도는, 고압 제트 수세정이라고 칭하는 종래의 세정법을 실현하는 장치의 개념도이다.
해당 장치는 액체 가압기(3), 분출노즐(4), 웨이퍼(1)를 지지하고, 이것을 회전시키는 스테이지(2)를 구비한다. 이 세정방법에서는 먼저, 액체 가압기(3)에 의해 압축된 순수한 물 등의 액체가 분출노즐(4)에서, 웨이퍼(1)의 표면을 향해서 연속적으로 고속 분출된다. 고속으로 분출된 액체가 웨이퍼(1)의 표면에 층돌함으로써 웨이퍼(1)의 표면에 부착되어 있는 오염물이 제거되어 세정이 행해진다. 스테이지(2)를 회전시킴으로써 웨이퍼(1)를 회전시켜, 분출노즐(4)을 이동시켜 웨이퍼(1)의 표면 전체가 세정된다. 이 방법에서는 제 16 도를 참조하여, 분출노즐(4)에서 분출된 액체는 액체의 기둥(20)이 되어, 웨이퍼(1)의 표면에 충돌한다.
[발명이 해결하고자 하는 과제]
이 방법의 문제점은, 다음과 같다.
즉, 다량의 순수한 물 등의 액체가, 고속으로 웨이퍼(1)의 표면에 충돌하므로 웨이퍼(1)의 표면에 정전기(靜電氣)가 발생하며, 더 나아가서는 웨이퍼(1)의 표면에 형성되어 있는 디바이스에 손상을 주고 만다는 문제가 있다.
이 손상의 저감대책으로서, 순수한 물 중에 CO2 가스 등을 혼입시켜 순수한 물의 비저항(比抵抗)을 내리고, 더 나아가서는, 웨이퍼(1)의 표면에 발생하는 정전기를 저감시키는 방법도 있지만, 완전하지는 못 하다. 또한, 이 방법에 의한 또 하나의 문제점은, 1㎛ 이하의 미소이물(파티클)을 충분히 제거할 수 없다는 것이다.
제 17 도는, 메가소닉 유수세정이라고 칭하는 종래의 세정방법을 표시하는 모식도이다.
세정장치는, 웨이퍼(1)를 회전시키는 스테이지(2)와, 순수한 물 등의 액체에 1.5MHz 정도의 고주파를 인가하고, 이것을 방출하는 노즐(5)을 구비한다. 이것을 웨이퍼(1)를 향하여 방출함으로써 웨이퍼(1)의 세정을 행한다.
이 방법의 문제점은, 다음과 같다.
고압제트 수세정과 마찬가지로, 1㎛ 이하의 미소이물(파티클)을 충분히 제거할 수 없는 점이다. 또한, 스테이지(2)의 회전을 빨리 함으로써 세정효과는 다소 높아진다. 그러나, 이 경우, 웨이퍼(1)의 주변부에서는 세정효과가 크지만, 웨이퍼(1)의 중앙부에서는 세정효과가 적다. 그 때문에, 웨이퍼(1)의 표면에 세정 얼룩이 생긴다는 문제점도 있었다. 더욱이, 웨이퍼(1)의 표면에 형성된 디바이스의 미세 패턴을 파괴한다는 문제점도 있었다. 디바이스의 파괴와 세정효과 사이에는, 상관 관계가 있다고 인정되고 있다. 이 세정방법에서는 디바이스의 파괴 및 세정효과를 제어하는 파라미터로서, 인가하는 고주파의 주파수 및 출력, 스테이지(2)의 회전 수, 노즐(5)과 웨이퍼(1) 사이의 거리가 있다. 그러나, 이들의 파라미터의 제어범위가 좁아서, 이들을 제어하는 것이 곤란했다.
제 18 도는 아이스 스크러버 세정이라고 칭하는 종래의 세징방법을 실현하는 장치의 모식도이다.
해당 세정장치는, 얼음 입자를 생성하는 제빙호퍼(6)를 구비한다. 제빙호퍼(6)에는 피동결액(被凍結液)인 순수한 물을 제빙호퍼(6) 내에 공급 스프레이(7)가 설치되어 있다. 제빙호퍼(6)의 저부에는, 얼음 입자를 웨이퍼(1)를 향하여 분출하는 분출노즐(8)이 설치되어 있다.
다음에, 동작에 대해서 설명한다.
액체질소 등의 액화가스를, 제빙호퍼(6) 내에 공급한다. 순수한 물 등의 피동결액을 공급 스프레이(7)에 의해, 제빙호퍼(6) 내에 미분무(微噴霧)한다. 제빙호퍼(6)에서 생성한 수 ㎛에서 수십 ㎛에 이르는 얼음 입자를 가스 이젝터 방식의 분출노즐(8)로부터 웨이퍼(1)를 향하여 분출하면 웨이퍼(1)의 표면의 세정이 행하여진다. 이 세정방법은, 상술한 고압제트 수세정이나 메가소닉 유수세정에 비하여, 세정효과는 높다.
그러나, 세정력을 결정하고 있는 얼음 입자의 분출속도가, 가스 이젝터관련된 분출노즐(8)을 사용하고 있어서, 음속(sonic velocity)을 넘을 수가 없고, 세정력에 한계가 있었다. 또, 얼음 입자를 형성하기 때문에, 다량의 액체질소를 사용하고 있어, 액체질소의 공급설비에 초기 투자비용이 높아지고, 또한 운영비용도 높다는 문제점이 있었다.
또한, 상술한 디바이스의 파괴문제는, 얼음 입자의 분출속도를 제어함으로써 억제된다. 그러나, 장치상의 문제를 고려하면, 얼음 입자의 분출속도는 현재 100∼330m/sec 의 범위밖에 제어할 수 없으므로 제어 폭이 좁다. 그 때문에, 디바이스의 파괴를 완전하게 억제할 수 없다는 문제점이 있었다. 또한, 이와 같은 세정에서의 문제점은, 빈도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정기판, 포토마스크 등 기판 상에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 경우에도 생기고 있었다.
그래서, 본 발명의 목적은, 기판의 표면상에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 기판 상에 부착되어 있는 1㎛ 이하의 미소이물을 제거할 수 있도록 개량된 세정장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 운영비용이 저렴한 세정장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판표면에 손상을 주지 않고, 기판 상에 부착되어 있는 오염물 입자를 제거할 수 있도록 개량된 세정장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판 상에 부착되어 있는 오염물입자를 제거하는 세정방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판의 표면에 손상을 주지 않고, 기판 상에 부착되어 있는 오염물 입자를 제거할 수 있도록 개량된 세정방법을 제공하는 데에 있다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명의 제 1 국면에 따르는 세정장치는, 기판의 표면상에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 장치에 관련된 것이다. 해당 세정장치는, 액체방울을 상기 기판을 향하여 분출하는 분출노즐을 구비하고 있다. 상기 분출노즐에, 그 분출노즐 내에 액체를 공급하는 액체공급 수단이 접속되어 있다. 상기 분출노즐에, 그 분출노즐 내에 기체를 공급하는 가스공급수단이 접속되어 있다. 상기 분출노즐 내에, 그 분출노즐 내에 공급된 상기 액체와 상기 기체를 혼합하여, 상기 액체를 액체방울로 바꾸는 혼합수단이 설치되어 있다.
본 발명의 제 2 국면에 따르는 세정장치는, 기판의 표면에 부착하고 있는 오염물을 제거하는 세정장치에 관련된 것이다. 해당 세정장치는, 약액(藥液)을 상기 기판을 향하여 공급하는 약액공급노즐과, 순수한 물의 액체방울을 상기 기판을 향해서 분출하는 분출노즐을 구비한다. 상기 분출노즐에, 그 분출노즐 내에 순수한 물을 공급하는 순수한 물 공급수단이 접속되어 있다. 상기 분출노즐 내에, 그 분출노즐 내에 공급된 상기 순수한 물과 상기 가스를 혼합하고, 상기 순수한 물을 액체 방울로 바꾸는 혼합수단이 설치되어 있다.
본 발명의 제 3 국면에 따르는 세정장치는, 기판의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정장치에 관련한 것이다. 해당 세정장치는, 액체방울을 상기 기판을 향하여 분출하는 분출노즐을 구비하고 있다. 상기 분출노즐에, 그 분출노즐내에 순수한 물을 공급하기 위한, 제 1 개폐 밸브를 가지는 순수한 물 공급수단이 접속되어 있다. 상기 분출노즐에, 분출노즐 내에 약액을 공급하기 위한 제 2 개폐밸브를 가지는 약액공급수단이 접속되어 있다. 상기 분출노즐에, 그 분출노즐 내에 가스를 공급하는 가스공급수단이 접속되어 있다. 상기 분출노즐 내에, 상기 순수한 물 또는 상기 액체와, 상기 가스를 혼합하고, 상기 순수한 물의 액체방울 또는 상기 액체의 액체방울로 만드는 혼합수단이 설치되어 있다.
본 발명의 제 4 국면에 따른 세정방법은, 기판의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 방법에 관련된 것이다. 분출노즐의 분출구를 기판에 향한다. 상기 분출노즐 내에 액체를 공급한다. 상기 분출노즐 내에 가스를 공급한다. 상기 분출노즐 내에서 상기 액체와 상기 기체를 혼합하여, 구하여진 액체를 상기 분출구로부터 분출한다.
본 발명의 제 5 국면에 따른 세정방법에서는, 먼저 기판의 표면을 세정액으로 세정한다. 상기 기판의 표면에, 순수한 물의 액체방울을 분출한다.
본 발명의 제 6 국면에 따른 세정방법에서는, 기판 상에 세정액의 액체방울을 분출한다.
본 발명의 제 7 국면에 따른 세정방법에서는, 먼저 기판 상에 세정액의 액체방울을 분출한다.
상기 기판 상에 순수한 물의 액체방울을 분출한다.
[작용]
본 발명의 제 1 국면에 따른 세정장치에 의하면, 분출노즐 내에, 그 분출노즐 내에 공급된 액체와 기체를 혼합하고, 액체를 액체방울로 바꾸는 혼합수단이 설치되어 있어서, 액체방울이 용이하게 형성된다.
본 발명의 제 2 국면에 따른 세정장치에 의하면, 약액을 기판에 향해서 공급하는 약액공급노즐을 구비하므로, 약액을 기판의 표면에 공급할 수가 있다.
본 발명의 제 3 국면에 따른 세정장치에 의하면, 제 1개폐밸브를 가지는 순수한 물공급수단과 제 2 개폐밸브를 가지는 약액공급수단이 설치되어 있어서, 밸브를 전환함으로써, 약액의 액체방울과 순수한 물의 액체방울을, 각각 선택적으로 형성할 수가 있다.
본 발명의 제 4 국면에 따른 세정방법에 의하면, 기판상의 오염물이, 액체방울에 의해 제거된다.
본 발명의 제 5 국면에 따른 세정방법에 의하면, 먼저, 기판의 표면을 세정액으로 세정함으로, 기판과 오염물과의 사이의 결합이 완화해진다.
본 발명의 제 6 국면에 따른 세정방법에 의하면, 세정액을 액체방울의 형태로 하여, 기판 상에 분출함으로, 기판상의 오염물은 효과적으로 제거된다.
본 발명의 제 7 국면에 따른 세정방법에 의하면, 기판 상에 세정액의 액체방울을 분출한 후, 기판 상에 순수한 물 액체방울을 분출하므로, 기판상의 오염물이 효과적으로 제거된다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예를, 도면에 대해서 설명한다.
[실시예 1]
제 1 도는, 실시예 1에 관련한, 예컨대 웨이퍼 세정장치의 개념도이다. 해당장치는, 반도체 웨이퍼(1)의 표면상에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 것이다. 해당장치는, 액체방울을 반도체 웨이퍼(1)를 향해서 분출하는 분출노즐(11)을 구비한다. 분출노즐(11) 내에 액체를 공급하는 액체공급수단(23)이 접속되어 있다. 분출노즐(11)에는, 분출노즐(11) 내에 기체를 공급하는 가스 공급수단(22)이 접속되어 있다.
제 2 도는, 분출노즐(11)의 단면도이다. 분출노즐은, 그 속을 기체가 통과하는 제 1 관로(30)의 외측으로부터, 제 1 관로(30)의 측벽을 관통하고, 제 1 관로(30) 내까지, 그 선단부가 뻗어, 그 속을 액체가 통과하는 제 2 관로(31)를 구비한다. 제 2 관로(31)의 선단부는, 제 1 관로(30)가 뻗는 방향과 같은 방향으로 뻗고있다. 제 1 도로 돌아가서, 액체공급수단(23)에는, 가압탱크나 레귤레이터 등이 설치되어 있어(도시되지 않음), 분출노즐(11)에의 액체의 공급압력 및 공급량은, 그것에 의해 제어된다. 액의 공급압력은,1∼10 Kg/㎠ 의 범위로 제어되는 것이 바람직하다.
제 3 도는, 액체의 공급압력과 오염물의 제거율의 관계를 표시하는 그래프이다. 제 3 도를 참조하여, 액의 공급압력을, 2∼4 Kg/㎠의 범위 내로 제어하면, 반도체 웨이퍼의 표면에 손상을 주지 않고, 오염물을 제거할 수 있다. 액의 공급압력을 4∼8Kg/㎠의 범위로 제어하면, 제거율이 향상한다.
액의 공급압력을 8Kg/㎠로 하면, 제거율은 거의 100%에 달하며, 공급압력을 이 이상 크게 해도, 제거율은 변화하지 않는다. 가스공급수단(22)에서도, 도시는 하지 않았지만, 레귤레이터 등이 설치되어 있어, 가스의 공급압력과 가스의 공급량이 제어된다. 가스의 공급압력은 1∼1O Kg/㎠ 의 범위로 제어되는 것이 바람직하다.
제 2 도를 참조하여, 분출노즐(11) 내에서는, 가스와 액이 혼합되고, 액체는 입자 모양의 액체방울(21)로 변화하며, 가스의 흐름과 함께 제 1 관로(30)의 선단으로부터 분출된다. 제 2 관로(31)의 선단에서 생성한 액체방울(21)은, 도면중 a-b 사이에서 제 1 관로(30) 내를 흐르는 가스의 흐름에 따라, 가속되며, 제 1 관로(30)의 선단으로부터 분출된다. 제 2 관로(31)의 선단(a)으로부터 제 1 관로(30)의 선단(b)까지의 거리 x는, 70mm 이상 필요하며, 바람직한 것은 100mm이상 필요하다. 거리 x가 70mm 미만의 경우, 액체방울(21)의 분출속도는 늦어지며, 세정효과가 저하한다. 액체방울(21)의 분출속도는, 액의 공급압력(공급량)과 가스의 공급압력(공급량)과, a-b 간의 거리 x와, 제 1 관로(30)의 내경에 의해 결정된다. 통상, a-b 간의 거리 x와 제 1 관로(30)의 내경은 고정되며, 더욱이 액체의 공급량은, 가스의 공급량의 1/100 정도로 하고 있다. 그 때문에, 액체방울(21)의 분출속도는, 주로 가스의 공급압력(및 공급량)에 의해 제어된다. 구체적으로는, 액체방울(21)의 분출속도는, 1m/sec ∼ 음속(330m/sec)의 범위 내로, 제어할 수 있다.
제 4 도는, 액체방울(21)의 분출속도와 오염물의 제거율의 관계를 표시하는 그래프이다. 액체방울의 분출속도를 10m/sec ∼ 100m/sec 의 범위로 제어하면, 반도체 웨이퍼의 표면의 손상은 저감된다. 한편, 액체방울(21)의 분출속도를 100m/sec 이상으로 하면, 오염물의 제거율이 증대한다. 액체방울(21)의 입자의 크기는, 액의 공급압력(공급량)과 가스의 공급압력(공급량)과 제 1 관로(30)의 내경과 제 2 관로(31)의 내경에 의해 결정된다. 통상, 제 2 관로(31)의 내경과 제 1 관로(30)의 내경은 고정되어 있고, 액체방울(21)의 입자의 크기는, 액체 및 가스의 공급압릭(공급량)에 의해 제어된다. 액체의 공급량을 적게 하고, 가스의 공급량을 많게 하면, 액체방울(21)의 입자의 크기는 작게 된다. 한펀, 액체를 많이, 가스를 적게 공급하면, 액체방울(21)의 입자의 크기는 크게 된다. 구체적으로는, 액체방울(21)의 입자의 크기는, 0.01㎛ ∼ 1000㎛의 범위 내에 제어할 수가 있다. 액체방울(21)의 입자의 크기를 조절함으로써 기판 상에 부착하고 있는 1㎛ 이하의 미소이물을 제거할 수가 있다.
제 5 도는 액체방울의 입자의 크기와 오염물의 제거율과의 관계를 표시하는 그래프이다. 액체방울(21)의 입자의 크기는, 0.01∼0.1 ㎛의 범위 내에서는, 액체방울(21)의 입자의 크기가 크게 됨에 따라 제거율은 조금 증가한다. 액체방울(21)의 입자의 크기는 0.1∼1 ㎛ 의 범위 내에서는, 액체방울(21)의 입자의 크기가 크게 됨에 따라서 제거율은 현저하게 증대한다. 액체방울(21)의 입자의 크기가 1∼100 ㎛의 범위 내에서는, 액체방울(21)의 입자의 크기가 아무리 크게 되어도, 제거율(100%)은 변하지 않는다. 액체방울(21)의 입자의 크기는 100∼1000 ㎛ 의 범위내에서는, 액체방울(21)의 입자의 크기가 크게 됨에 따라서, 제거율은 저하한다.
상술한 바와 같이, 액체방울(21)의 분출속도와 입자의 크기를 변화시킴으로써, 세정효과(제거율)와 디바이스에 주는 손상량을 제어하는 것이 가능하게 된다. 상술한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 상의 이물(입자)에 작용하는 외력(제거력)은 액체방울의 충돌속도에 의해 변화한다. 그리고, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 디바이스 패턴에도 같은 힘이 작용한다. 따라서, 액체방울(21)의 충돌속도가 큰 경우, 디바이스 패턴이 이지러진다는 문제가 생기는 일이 있다.
따라서, 디바이스에 손상을 주지 않는 범위에서, 액체방울의 분출속도를 제어할 필요가 있다. 또, 액체방울의 입자의 크기를 변화시켜도, 이물(입자)에 작용하는 제거력의 절대치는 변화하지 않지만, 액체방울이 충돌하는 면적(이것은, 세정효과에 영향을 준다)이 변화한다. 액체의 공급량을 일정하게 했을 경우, 액체방울의 입자의 크기를 작게 하면 액체방울의 수는 입자의 크기의 3승에 반비례하여 증가하고, 한편, 한 개의 액체방울의 충돌하는 면적은 입자의 크기의 자승에 반비례하여 감소한다. 결과는, 전체의 액체방울의 충돌하는 면적은 증가하고, 세정효과는 높아진다.
그러나, 제거해야 할 이물의 크기가 큰 경우, 예컨대 10㎛의 지름을 가지는 구형(球形)의 이물에서는 입자의 크기가 10㎛ 이하의 액체방울에서는 제거효과가 거의 인정되지 않는다. 이 경우에는, 100㎛ 정도의 지름을 가지는 크기의 액체방울을 사용하는 것이 필요하게 된다. 따라서, 제거해야 할 이물의 크기에 따라서 액체방울의 입자의 크기를 자유롭게 제어할 수 있도록 함으로써 효과적인 세정효과를 얻을 수 있다.
이 방법에 의하면, 기판 상에 부착되어 있는, 1㎛ 이하의 미소이물도 제거할 수가 있다.
또한, 본 실시예에 관한 방법에 의하면, 액체질소와 같은 고가의 재료를 사용하지 않으므로, 운영비용이 싸게 된다. 또한, 액체방울의 입자의 크기를 바꾸므로, 상술한 바와 같이, 디바이스에 주는 손상량을 제어할 수 있다. 예컨대, 1㎛ 폭의 배선 패턴의 경우, 입자의 크기가 1㎛ 이하의 액체방울을 사용하면, 손상을 주지 않고 세정이 가능하게 된다.
다음에, 구체적인 수치를 사용하여, 본 실시예를 설명한다.
제 2 도를 다시 참조하면, 액체가 흐르는 제 2 관로(31)의 외경은 3.2mm, 내경을 1.8mm로 한다. 가스가 흐르는 제 1 관로(30)의 외경을 6.35mm, 내경을 4.35mm로 한다. 제 2 관로(31)의 선단(a)과 제 1 관로(30)의 선단(b)의 거리 x를 200mm로 한다. 액체의 공급압력을 7Kg/㎠로 하고, 액체의 공급량을 2리터/min으로 한다. 가스의 공급량을 300리터/min으로 한다. 이와 같은 조건하에서, 액체방울(21)을 형성하면, 액체방울(21)의 입자의 크기는 1∼100㎛, 액체방울(21)의 분출속도는 음속(334m/sec)이 된다.
다음으로, 본 발명의 기본적 개념을 제 6 도를 사용하여 설명한다. 제 6 도(a)를 참조하여, 액체방울(21)이 웨이퍼(1) 위에 Vo의 속도로 충돌한다. 그것이 충돌할 때, 제 6 도(b)를 참조하여, 액체방울(21)의 하부에, 충격압 p라고 칭하는 압력이 생긴다. 제 6 도(c)를 참조하여, 이 충격압 p에 의해, 수평방향으로 방사류라고 칭하는 흐름이 생긴다. 충격압 p는, 다음의 식으로 표시된다.
[수 1]
충격압
식 중, V0은 충돌속도, ρL은 액체의 밀도, CL는 액체 속에서의 음속, CS는 기판 속에서의 음속,α는 다음 식에서 표시하는 저감계수를 나타내고 있다. 식 중에, ρs는 기판의 밀도를 나타내고 있다.
[수 2]
방사류의 속도 Vf는 다음 식으로 나타낸다.
[수 3]
웨이퍼(1) 위의 이물은, 이 방사류로부터 받는 힘에 의해 제거된다. 웨이퍼 (1) 위의 입자에 작용하는 외력(제거력) D는, 다음 식으로 나타낸다.
[수 4]
식 중의 CD는 항력계수이다. 레이놀드의 수(Reynold's number) R이 1O3보다도 크고, 또한 구형입자인 경우, 항력계수 CD는 0.47이 된다. 식에서, d는 입자의 크기를 나타내고 있다. 상기 모델에 따르면, 제거력을 결정하는 인자로서 액체방울의 충돌속도, 액체의 밀도, 액체 속에서의 음속과, 액체의 점도가 있다. 따라서, 제거력을 크게 하기 위해서는, 액의 재료로서는, 그 밀도가 크고, 또, 음속이 빠른 것이 바람직하다. 순수한 물을 사용했을 경우에, 액체의 은도를 제어함으로써 밀도와 음속을 변화시키는 것이 가능하다. 온도제어수단으로, 순수한 물의 온도를 4℃로 제어하면 순수한 물의 밀도와, 순수한 물 속에서의 음속을 가장 크게 할 수가 있다.
또한, 디바이스에 주는 전기적인 손상(정전기)을 고려하여, CO2등의 가스 또는 계면 활성제를 순수한 물 중에 혼입하여, 순수한 물의 비저항(比抵抗)을 피하는 것도, 본 실시예의 바람직한 변형예이다. 또한, 순수한 물이 아닐지라도, 순수한 물보다도 비중, 음속, 점도가 큰 액체 또는 액상물질(걸 상 물질을 포함한다)도 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제거력을 높이는 방법, 및 디바이스에 주는 패턴손상을 제어하는 방법으로서, 액체방울(21)의 충돌각도를 조절하는 것도 바람직하다.
액체방울(21)의 충돌각도 θ를 바꿈으로써 충격압 p는, 다음 식으로 나타낸다.
[수 5]
따라서, 액체방울(21)의 충돌각도를 크게 하면(웨이퍼 표면에 대해서 수직방향으로 한다) 충격압 p는 크게 되며, 이물에 작용하는 외력(제거력) D는 크게 된다. 그러나, 외력 D가 크게 되면, 디바이스 패턴이 이지러진다는 손상이 생기는 경우가 있다. 이 손상이 발생하지 않도록, 액체방울(21)의 충돌각도를 제어하는 것이 바람직하며 통상 15∼90°으로 설정된다.
제 7 도는, 충돌각도와 제거율의 관계를 표시한 그래프이다.
또한, 상기 실시예에서는, 기판으로서 웨이퍼를 예시했지만, 본 발명은 이에 한정되어 있는 것이 아니며, 액정기판, 포토마스크 등의 기판 상에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 경우에도 적용할 수가 있다.
[실시예 2]
제 8 도는, 실시예 2에 관련된 세정장치의 개념도이다.
해당장치는 순수한 물 액체방울을 분출하기 위한 노즐(41)을 구비한다. 노즐(41) 내에 순수한 물을 공급하기 위한 내관(42)이 설치되어 있다. 내관(42)에 순수한 물을 공급하기 위한 순수한 물 공급선에는 밸브(43)가 설치되어 있다. 노즐(41)에는, 가스(건조공기 또는 질소)를 공급하는 가스 공급선이 접속되어 있고 가스 공급선에는 밸브(44)가 설치되어 있다. 해당 세정장치는, 세정액(순수한 물 이외의, 산, 알칼리 계약액)을 스프레이하기 위한 노즐(45)을 구비한다. 노즐(45)은 세정액을 저장하는 탱크(46)와, 세정액 공급선에 의해 연결되어 있고, 세정액 공급선에는 밸브(47)가 설치되어 있다. 세정액을 저장하는 탱크(46)는 세정액 저장탱크(46)를 가압하기 위한 가스선이 설치되어 있고, 가스선에는 밸브(48)가 설치되어 있다. 피세정물인 웨이퍼(49)는 웨이퍼 스테이지(50) 위에 얹혀진다.
웨이퍼 스테이지(50)는 회전하도록 되어 있다. 웨이퍼(49) 상에는 액체층(51)이 형성된다. 다음에, 동작에 대해서 설명한다. 먼저, 세정액 저장탱크(46)를 가압함으로써 노즐(45)로부터 웨이퍼(49)의 표면에 세정액을 스프레이한다. 이때,세정액이 균일하게 웨이퍼(49)의 표면에 공급되도록, 웨이퍼 스테이지(50)를 회전시켜둔다. 이상의 처리로, 웨이퍼(49)와 그 표면의 오염물(미소입자 등)과의 부착력을 약화시킨다. 그후, 노즐(41) 내에서, 순수한 물과 가스가 혼합되어, 순수한 물이 액체방울의 모양으로 웨이퍼(51)의 표면에 분사되어, 오염물이 제거된다. 이 때, 액체방울의 입자의 크기는, 내관(42)의 형상과 순수한 물의 공급압력에 의해 결정되며,1∼100 ㎛의 범위로 제어할 수 있다. 또, 액체방울의 분사속도는, 가스의 압력을 조정함으로써 수 m/sec ∼ 330m/sec의 범위로 제어할 수 있다.
[실시예 3]
제 9 도는 실시예 3에 관련된 세정장치의 개념도이다. 해당 장치는 액체방울을 웨이퍼(49)를 향해서 분출하기 위한 노즐(41)을 구비한다. 분출노즐(41)에는 세정액 및 순수한 물을 공급하기 위한 내관(42)이 설치되어 있다. 내관(42)에는 밸브(43)를 가지는 순수한 물 공급선이 접속되어 있다. 분출노즐(41)에는 밸브(44)를 가지는 가스(건조공기 또는 질소) 공급선이 접속되어 있다. 순수한 물 공급선에는 밸브(47)가 있는 세정액 공급선이 접속되어 있다. 세정액 저장탱크(46)에는 밸브(48)가 있는 가스(질소 또는 건조공기)가 접속되어 있다. 피세정물인 웨이퍼(49)는 웨이퍼 스테이지(50) 상에 얹혀 있다. 웨이퍼 스테이지(50) 화살표의 방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 다음에 동작에 대해서 설명한다.
먼저, 밸브(43)를 닫고 밸브(47)를 오픈하고, 다시 밸브(48)를 오픈하고 세정액 저장탱크(46)를 가압함으로써 노즐(41)로부터 세정액의 액체방울을 가스와 함께, 웨이퍼(49)의 표면에 분사한다. 이때, 웨이퍼(49)의 전체 면을 세정하기 위하여, 웨이퍼 스테이지(50)를 회전시키는 동시에 노즐(41)을 한쪽 방향으로 이동시킨다. 이상의 처리로, 웨이퍼(49)의 표면의 오염물(미소입자 등)이 제거된다. 그후, 밸브(47)를 닫고, 밸브(43)를 오픈하면, 노즐(41)로부더 순수한 물이 물방울의 모양으로, 웨이퍼(49)의 표면에 분사되어 효과적으로 오염물이 제거된다.
[실시예 4]
제 10 도는, 실시예 4에 관련한 세정장치의 개념도이다.
분출노즐(11)이, 2개 설치되어 있다. 분출노즐(11)은, 같은 간격을 유지하면서, 수평방향으로 이동한다. 이 2개의 분출노즐(11)들은, 서로 교차하지 않도록 배치되어 있다. 분출노즐(11)의 한편은, 기판(1)의 주변에 액체방울을 분사하도록 배치된다. 분출노즐(11)의 타편은, 기판(1)의 중앙부에 액체방울을 분사하도록 배치된다. 기판(1)은 수평방향으로 회전한다. 각각의 분출노즐(11)은, 분출노즐(11) 내에 액체를 공급하는 액체 공급수단 및 가스를 공급하는 가스 공급수단을 구비한다.
이와 같이, 분출노즐(11)을 2개 설치함으로써 이물의 제거시간을 단축할 수 있으며, 또한, 기판상의 이물을 균일하게 제거할 수 있다. 또한, 상기 실시예에서는 2개의 분출노즐(11)에 대해서 설명했지만, 복수개의 분출노즐(11)을 등간격으로, 배치해도, 실시예와 같은 효과를 나타낸다.
[실시예 5]
제 11 도는 실시예 5 에 관련한 세정장치의 개념도이다.
해당 세정장치는 분출노즐(11)을 2개 구비한다. 분출노즐(11)의 각각이, 액체방울의 분출각도를 변화시킬 수 있도록 되어 있다. 또한, 제 11 도에 표시하는실시예에서는, 분출노즐(11)을 2개 설치하는 경우를 예시했지만, 본 발명은 이에한정된 것이 아니고, 복수개의 분출노즐(11)을 설치하고, 각각의 분출각도를 변화시킬 수 있도록 구성해도 실시예와 같은 효과가 있다.
[실시예 6]
제 12 도는, 액체와 가스를 혼합하고, 액체방울을 형성하는 분출노즐의 다른 구체예의 단면도이다.
분출노즐(11)은 제 1 관로(41)를 구비하고 있다. 분출노즐(11)은 제 1 관로(41)보다도 지름이 크고, 제 1 관로(41)와의 사이의 공간(42a)을 형성하도록, 제 1 관로(41)를 구비한다. 분출노즐(11)은 제 2 관로(41) 내까지, 그 선단이 뻗어있는 제 3 관로(43)를 구비한다. 제 3 관로(43) 내에는 액체가 통과한다. 제 1 관로(41) 내 및 제 1 관로(41)와 제 2 관로(42) 사이의 공간(42a)을 기체가 통과한다.
상기와 같이 분출노즐을 구성함으로써 액체방울(21)이 형성된다. 액체방울(21)은, 공간(42a)을 지나는 가스(31)에 의해 씌워지는 상태가 된다. 따라서, 만일, 제 2 관로(42)가 없으면, 대기저항에 의해 그 속도가 감소하고 있던 최외주(最外周)의 부분에 있는 액체방울(21)도 그 분출속도가 가속된다. 그 결과, 액체방울(21) 내의 속도의 변화가 없어진다. 그 결과, 이물제거의 효율이 거진다.
[실시예 7]
제 13 도는, 본 발명에 사용되는 분출노즐 외의 실시예의 단면도이다.
제 13 도에 표시하는 분출노즐은, 제 12 도에 표시하는 분출노즐과, 이하의 점을 제외하고는, 동일하므로 동일 또는 상당하는 부분에는, 동일한 참조번호를 부쳐서, 그 설명을 반복하지 않는다. 본 실시예에서는, 제 12 도에 표시하는 실시예와는 달라, 제 3 관로(43)의 선단부(43a)가 신축자재 할 수 있도록 되어 있다. 그결과, 제 3 관로(43)의 선단인 분출구(32)의 위치를 자유롭게 변화시킬 수 있다. 액체의 분출구(32)가, 제 2 관로(41)의 분출구(30)에 가까울 경우, 액체방울(21)은, 기판(1)에 충돌할 때까지 확산되며 또 분출속도도 감소한다. 또, 액체의 분출구(32)와 가스의 분출구(30)의 간격이 먼 경우는, 액체방울(21)의 분사범위는 좁아져, 분사속도를 줄일 수 없게 된다. 따라서, 제 13 도와 같이 분출노즐(11)을 구성함으로써 이물이나 기판의 표면상대에 알맞은 액체방울(21)의 분사범위 및 액체방울(21)의 분사속도를 선택할 수 있다. 실험에서는 액체분출구(32)와 기체분출구(30) 사이의 가장 알맞은 거리는, 100mm ∼ 200mm인 것을 발견했다.
[실시예 8]
제 14 도는, 실시예 8 에 관련된 분출노즐의 단면도이다.
분출노즐(11)은, 제 1 관로(44)가 구비되어 있다. 분출노즐(11)은, 제 1 관로(44)의 외측으로부터, 제 1 관로(44)의 측벽을 관통하고 그 선단부가 제 1 관로(44) 내에 뻗는 제 2 관로(45)를 구비한다. 제 2 관로(45)의 선단부는, 제 1 관로(44)가 뻗는 방향으로 뻗고 있다. 분출노즐(11)은 제 2 관로(45)의 외측으로부터그 제 2 관로(45)의 측벽을 관통하고, 그 선단부가 제 2 관로(45) 내까지 뻗는 제3 관로(46)를 구비한다. 제 3 관로(46)의 선단부는, 제 2 관로(45)가 뻗는 방향으로 뻗어 있다. 더욱이, 제 3 관로(46)의 선단은 제 2 관로(45)의 선단을 넘고 있다. 제 2 관로(45) 내에 액체가 공급된다. 제 1 관로(44) 및 제 3 관로(46) 내에 기체가 공급된다. 이 분출노즐(11)에 의하면, 분출된 액체방울(21)은 기판(1)에 충돌한 직후, 제 3 관로(46)로부터 분출되는 가스(34)에 의해 기판에서 제거된다. 그 결과, 기판(1)에 충돌하는 순간은 기판(1)상에 액이 존재하지 않는다. 그 결과, 이물을 효과 있게 제거할 수 있다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1 국면에 따르는 세정장치에 의하면, 분출노즐 내에, 액체와 기체와를 혼합하여, 액체를 액체방울로 바꾸는 혼합수단이 설치되어 있어, 액체방울이 용이하게 형성된다. 그 결과, 액체방울로 기판상의 오염물을 제거할 수 있으며, 더 나아가서는 세정의 효과가 높아진다.
본 발명의 제 2 국면에 따르는 세정장치에 의하면, 약액을 기판 위에 공급할 수 있기 때문에 기판과 오염물과의 결합을 완화시킬 수 있다. 그 후, 그 오염물을 순수한 물의 액체방울로 제거하므로 기판상의 오염물이 효과적으로 제거된다.
본 발명의 제 3 국면에 따르는 세정장치에 의하면, 분출노즐에, 제 1 개폐밸브를 가지는 순수한 물 공급수단과 제 2 개폐밸브를 가지는 약액공급수단이 접속되어 있어서, 밸브의 전환으로, 순수한 물의 액체방울을 선택적으로 형성할 수 있다. 그 결과, 밸브의 전환만으로, 기판의 표면에 약액의 액체방울을 공급할 수 있고, 그 후, 순수한 물의 액체방울을 공급할 수 있다. 더 나아가서는 기판상의 오염물이 효과적으로 제거된다.
본 발명의 제 4 국면에 따르는 세정방법에 의하면, 액체방울로, 기판상의 오염물을 제거하므로, 기판의 표면에 손상을 주지 않고, 기판 상에 부착되어 있는 오염물을 제거할 수 있다.
본 발명의 제 5 국면에 따르는 세정방법에 의하면, 먼저, 기판의 표면을 세정액으로 세정한다. 그 후, 기판의 표면에 순수한 물 액체방울을 분사하므로, 기판상의 오염물을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 제 6 국면에 따르는 세정방법에 의하면, 세정액의 액체방울을 만들어 이것을 기판 위에 분출한다. 그 결과, 기판상의 오염물이 효과적으로 제거된다.
본 발명의 제 7 국면에 따르는 세정방법에 의하면, 먼저, 기판 상에 세정액의 액체방울을 불출하고, 그 후, 순수한 물 액체방울울 분출한다. 세정액의 액체방울을 기판 위에 분출하므로, 기판과 오염물의 결합이 완화된다. 그 후, 순수한 물의 액체방울을 기판 상에 분출하므로, 기판상의 오염물은 효과적으로 제거된다.

Claims (21)

  1. 기판(1)의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정장치에 있어서, 상기 기판을 향해서 액체방울을 분출하는 분출노즐(11)과, 상기 분출노즐(11)에 연결되어 상기 분출노즐(11)에 액체를 공급하는 액체공급수단(23)과, 상기 분출노즐(11)에 연결되어 상기 분출노즐(11)에 기체를 공급하는 가스공급수단(22)과, 상기 분출노즐(11)에 설치되어 상기 분출노즐(11)에 공급되는 상기 액체와 상기 기체를 혼합하여 상기 액체를 상기 액체방울로 만드는 혼합수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 분출노즐(11)과 상기 혼합수단은, 상기 기체가 통과하는 제 1 관로(30)와, 선단부가 상기 제 1 관로(30)의 외측으로부터 상기 제 1 관로(30)의 측벽을 관통하여 상기 제 1 관로(30) 내까지 연장되고, 상기 액체가 통과하는 제 2관로(31)를 구비하고 있으며, 상기 제 2 관로(31)의 상기 선단부는 상기 제 1 관로(30)와 같은 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 분출노즐(11)이 서로 교차하지 않도록 똑 같은 간격으로 복수개가 설치되어 있는 것을 특징으로하는 세정장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 분출노즐(11)과 상기 혼합수단은, 제 1 관로(41)와, 상기 제 1 관로(41)보다도 지름이 크고 제 1 관로를 덮어 상기 제 1 관로(41)와 상기 제 2 관로(42) 사이에 공간을 형성하도록 하는 제 2 관로(42)와, 선단부가 상기 제 2 관로(42)의 외측으로부터 상기 제 1 관로(41)와 제 2 관로(42)의 측벽을 관통하여 상기 제 1 관로(41) 내까지 연장되어 있는 제 3 관로(43)를 구비하고 있으며, 상기 액체가 상기 제 3 관로(43) 속을 지나가며, 상기 기체가 상기 제 1,2 관로(41,42) 속을 지나가는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 3 관로(43)의 상기 선단부는 상기 제 1 관로(41)와 같은 방향으로 연장되어 있으며, 상기 제 3 관로(43)의 상기 선단부는 신축 가능한 것을 특징으로 하는 세정장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 분출노즐(11)과 상기 혼합수단은, 상기 제 1 관로(44)와, 선단부가 상기 제 1 관로(44)의 외측으로부터 상기 제 1 관로(44)의 측벽을 관통하여 상기 제 1 관로(44) 내까지 연장되고 상기 제 1 관로(44)와 같은 방향으로 연장되어 있는 제 2 관로(45)와, 선단부가 상기 제 2 관로(45)의 외측으로부터 상기 제 2 관로(45)의 측벽을 관통하여 상기 제 2 관로(45) 내까지 연장되고 상기 제 2 관로(45)와 같은 방향으로 연장되어 있는 제 3 관로(46)를 구비하고 있으며, 상기 액체는 상기 제 2 관로 내에 공급되고, 상기 기체는 상기 제 1,3 관로(44,46) 내에 공급되는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 관로(31)의 액체 분출구로부터 상기 제 1 관로(30)의 기체 분출구까지의 거리는 적어도 70mm인 것을 특징으로 하는 세정장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 액체 공급수단(23)은 상기 액체의 공급압력을 제어하는 수단을 포함하며, 상기 가스 공급수단(22)은 상기 기체의 공급압력을 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 분출노즐에 연결되어 상기 액체방울이 상기 기판에 충돌하는 각도를 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  10. 기판 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 장치에 있어서, 약액을 상기 기판(51)에 향해서 공급하는 약액공급 노즐(45)과, 순수한 물방울을 상기 기판(51)에 향해서 분출하는 분출노즐(41)과, 상기 분출노즐(41)에 접속되어 상기 분출노즐(41)에 순수한 물울 공급하는 순수한 물 공급수단과, 상기 분출노즐(41)에 접속되어 상기 분출노즐(41)에 가스를 공급하는 가스 공급수단과, 상기 분출노즐(41) 내에 설치되어 상기 분출노즐(41) 내에 공급된 상기 순수한 물과 상기 가스를 혼합하여 상기 순수한 물을 액체방울로 만드는 혼합수단(42)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  11. 기판의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정장치에 있어서, 상기 기판(49)을 향해서 액체방울을 분출하는 분출노즐(41)과, 상기 분출노즐(41)에 접속된 제 1 개페밸브(43)를 가지고 상기 분출노즐(41)에 순수한 물을 공급하는 순수한 물 공급수단과, 상기 분출노즐(41)에 접속된 제 2 개폐밸브(47)를 가지고 상기 분출노즐(41)에 약액을 공급하는 약액공급수단과, 상기 분출노즐(41)에 접속되어 상기 분출노즐(41)에 가스를 공급하는 공급수단과, 상기 분출노즐(41) 내에 설치되어, 상기 순수한 물 또는 상기 액체와 상기가스를 혼합하여, 상기 순수한 물 또는 액체를 액체방울로 바꾸는 혼합수단(42)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  12. 기판의 표면에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 세정방법에 있어서, 분출노즐(11)의 분출구를 상기 기판(1)에 향하게 하는 공정과, 상기 분출노즐(11)에 액체를 공급하는 공정과, 상기 분출노즐(11)에 가스를 공급하는 공정과,상기 분출노즐(11) 내에서 상기 액체와 상기 기체를 혼합하여 얻어진 액체방울을 상기 분출구로부터 분출하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 액체가 상기 분출노즐(11)에 공급되는 압력은 1∼10 Kg/㎠으로 설정되고, 상기 기체가 상기 분출노즐(11)에 공급되는 압력은 1∼10 Kg/㎠으로 설정되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 액체가 상기 분출노즐(11)에 공급되는 압력은 2∼4 Kg/㎠으로 설정되고, 상기 기체가 상기 분출노즐(11)에 공급되는 압력은 2∼4 Kg/㎠으로 설정되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 액체가 상기 분출노즐(11)에 공급되는 압력은 4∼8 Kg/㎠으로 설정되고, 상기 기체가 상기 분출노즐(11)에 공급되는 압력은 4∼8 Kg/㎠으로 설정되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 액체방울의 입자크기가 0.1㎛ ∼ 1000㎛가 되도록 상기 액체와 가스의 공급압력이 제어되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 액체방울의 입자크기가 1㎛ ∼ 100㎛가 되도록 상기 액체와 가스의 공급압력이 제어되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  18. 제 12 항에 있어서, 상기 액체방울이 상기 기판에 충돌하는 속도가 10m/sec ∼ 100m/sec이 되도록 상기 가스의 공급압력이 제어되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  19. 제 12 항에 있어서, 상기 액체방울이 상기 기판에 충돌하는 속도가 100m/sec ∼ 330m/sec이 되도록 상기 가스의 공급압럭이 제어되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  20. 제 12 항에 있어서, 상기 액체방울이 상기 기판에 충돌하는 각도가 15°∼ 90°로 제어되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  21. 제 12 항에 있어서, 순수한 물보다 더 큰 밀도를 가지는 액체가 상기 액체로서 사용되는 것을 특징으로 하는 세정방법.
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