JP4753757B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記吐出部に前記キャリアガスを導くガス供給部をさらに備え、前記吐出部の上部において前記処理液供給部に接続される処理液管が前記吐出部の内部に設けられ、前記処理液管の先端と前記誘導電極との間において前記処理液の前記液滴が生成される。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記処理液管全体が、絶縁体により形成され、前記処理液供給部の前記接液部以外の部位が、絶縁体により形成される。
3,3a〜3c 吐出部
4 洗浄液供給部
6 誘導電極
9 基板
30 中心軸
31 吐出口
32 洗浄液管
41 導電性接液部
71 表面電位計
83 制御部
321 先端部
S11〜S16,S21 ステップ
Claims (11)
- 処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
基板の主面に向けて非導電性の処理液の液滴を吐出する吐出部と、
前記吐出部の外部に設けられ、前記吐出部に前記処理液を導く処理液供給部と、
前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の周囲に配置され、前記処理液供給部に設けられた導電性の接液部との間において電位差が付与されることにより、前記吐出口近傍において前記処理液の前記液滴に、処理により生じる前記基板の電位とは逆極性の電荷を誘導する誘導電極と、
を備え、
前記接液部に導電線が接続され、前記接液部が前記導電線を介して接地されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記吐出部が、前記処理液とキャリアガスとを前記吐出部の内部または前記吐出口近傍にて混合することにより前記処理液の前記液滴を生成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記吐出部に前記キャリアガスを導くガス供給部をさらに備え、
前記吐出部の上部において前記処理液供給部に接続される処理液管が前記吐出部の内部に設けられ、
前記処理液管の先端と前記誘導電極との間において前記処理液の前記液滴が生成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記処理液管全体が、絶縁体により形成され、
前記処理液供給部の前記接液部以外の部位が、絶縁体により形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記誘導電極が、前記吐出口の中心軸を囲む円環状であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記誘導電極が、前記吐出部と一体的に設けられることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記接液部が導電性樹脂または導電性カーボンにより形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記主面における電位を測定する表面電位計と、
前記吐出部からの前記処理液の吐出と並行して前記表面電位計からの出力に基づいて前記接液部と前記誘導電極との間の電位差を制御する制御部と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
a)処理液供給部に接続された吐出部から基板の主面に向けて非導電性の処理液の液滴を吐出する工程と、
b)前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の周囲に配置された誘導電極と、前記処理液供給部に設けられた導電性の接液部との間に電位差を付与することにより、前記a)工程と並行して前記吐出口近傍において前記処理液の前記液滴に、処理により生じる前記基板の電位とは逆極性の電荷を誘導する工程と、
を備え、
前記処理液供給部が前記吐出部の外部に設けられ、前記接液部に導電線が接続され、前記接液部が前記導電線を介して接地されることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項9に記載の基板処理方法であって、
前記a)工程および前記b)工程と並行して、
c)前記基板の前記主面における電位を測定する工程と、
d)前記c)工程において測定された前記電位に基づいて前記接液部と前記誘導電極との間の電位差を制御する工程と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項9または10に記載の基板処理方法であって、
前記a)工程が行われている間、前記b)工程が継続的に行われることを特徴とする基板処理方法。
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