JP2008078268A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置において、処理中における基板の帯電を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1は、処理液の液滴を吐出する吐出口46を複数有する吐出手段41、および、各吐出口46近傍に配置される円環状の電極部材44aから構成される誘導電極ユニット44を備える。処理液供給管412は導電線49を介して接地される。誘導電極ユニット44は電源45に接続され、処理液供給管412と誘導電極ユニット44との間に電位差が付与されることにより、吐出口46近傍の処理液に電荷が誘導される。基板処理装置1では、電荷が誘導された処理液の液滴により基板2を洗浄することにより、洗浄中および洗浄後における基板2の帯電を抑制できる。また、誘導電極ユニットが複数の電極部材から構成されることにより、複数の吐出口を有する吐出手段に対して、簡単な構成で誘導電極ユニットを配置できる。
【選択図】図1
【解決手段】基板処理装置1は、処理液の液滴を吐出する吐出口46を複数有する吐出手段41、および、各吐出口46近傍に配置される円環状の電極部材44aから構成される誘導電極ユニット44を備える。処理液供給管412は導電線49を介して接地される。誘導電極ユニット44は電源45に接続され、処理液供給管412と誘導電極ユニット44との間に電位差が付与されることにより、吐出口46近傍の処理液に電荷が誘導される。基板処理装置1では、電荷が誘導された処理液の液滴により基板2を洗浄することにより、洗浄中および洗浄後における基板2の帯電を抑制できる。また、誘導電極ユニットが複数の電極部材から構成されることにより、複数の吐出口を有する吐出手段に対して、簡単な構成で誘導電極ユニットを配置できる。
【選択図】図1
Description
この発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
従来より、半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用基板などの基板に対して微細パターンを形成する工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要があり、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる。基板の洗浄処理では、例えば、基板に対して純水等の洗浄液を噴射することにより、基板の表面に付着したパーティクル等が除去される。
ところで、このような洗浄処理では、基板と純水との接触により、基板の表面全体が帯電することが知られている。例えば、液晶表示装置用ガラス基板はマイナスに帯電する。基板の帯電量が大きくなると、洗浄中や洗浄後におけるパーティクルの再付着が発生する恐れがある。そこで、基板処理装置では、基板の帯電を抑制する様々な技術が提案されている。
例えば、特許文献1では、回転する基板上に洗浄液を供給して洗浄する洗浄装置において、イオン化した窒素ガスを基板上の処理空間にパージした状態で洗浄を行うことにより、基板表面の帯電を抑制する技術が開示されている。また、特許文献2では、洗浄液が貯溜された処理槽に基板を浸漬して洗浄する洗浄装置において、洗浄液の交換時に基板に噴射する液体を、純水に炭酸ガスを溶解させた導電性のCO2溶解水とすることにより、基板表面の帯電を抑制する技術が開示されている。
特許文献3では、純水をノズルから高速にて噴出してノズルとの流動摩擦により帯電した純水の微小液滴を生成し、当該液滴を帯電した物質と接触させることにより、帯電物質の静電気を除去する除電装置が開示されており、当該除電装置の適用対象として、洗浄後の帯電した半導体基板が挙げられている。
ところで、特許文献1のようにイオン化したガス雰囲気における洗浄処理では、基板表面に対してイオン化ガスを継続して効率良く供給することが難しく、特に液晶表示用ガラス基板のように大型基板に対しては、基板の帯電抑制に限界がある。また、特許文献2のようにCO2溶解水を基板に噴射する装置では、噴射前の純水にCO2を溶かし込むユニットが必要となるため、装置構造の複雑化および大型化が避けられない。一方、特許文献3の除電装置では、洗浄中における基板の帯電を抑制することはできない。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置において、処理中における基板の帯電を抑制することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置であって、処理液と接液可能な導電性の接液部を有し、接液部を介して処理液を吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、接液部と電気的に絶縁されながら吐出口に近接して配置された、複数の電極部材で構成された誘導電極ユニットと、接液部と誘導電極ユニットの各電極部材との間に電位差を付与することにより接液部に接液する処理液に電荷を誘導する電位差付与手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、吐出手段は処理液と接液可能な導電性の接液部を有し、誘導電極ユニットが接液部と電気的に絶縁されながら吐出手段の吐出口に近接して配置されている。そして、電位差付与手段は、接液部と誘導電極ユニットとの間に電位差を付与することにより接液部に接液する処理液に電荷を誘導する。このとき、吐出手段から吐出された処理液と基板との接触により基板が帯電するときの基板の帯電極性と逆極性の電荷(以下、単に「逆極性の電荷」という)を接液部に接液する処理液に誘導することにより、逆極性の電荷が処理液とともに基板の主面に供給される。これにより、処理中における基板の帯電を抑制することができる。
さらに、この発明によれば、吐出手段の吐出口に近接して配置された誘導電極ユニットが、複数の電極部材から構成されている。これにより、一定方向に長い吐出口を有する吐出手段や、吐出口を複数有する吐出手段に対しても、簡単な構成で誘導電極ユニットを配置することができる。また、基板の大型化に伴って基板処理装置が大型化した場合にも、容易に対応することができる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、吐出手段は、吐出口から処理液の液滴を基板に向けて噴出することを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、吐出手段は吐出口から処理液の液滴を基板に向けて噴出する。処理液の液滴を基板に噴出する処理は、吐出手段から柱状の流れの処理液を吐出して基板を処理する場合に比べ、基板の帯電量が多いため、基板の帯電をより有効に抑制することができる。また、吐出手段は、処理液とガスとを吐出手段の内部にて混合することにより処理液の液滴を生成する構成であってもよい。
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置であって、吐出手段は、吐出口を複数有しており、各吐出口近傍に電極部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、吐出手段は、基板に向けて処理液を噴出する吐出口を複数有している。各吐出口近傍には、電極部材がそれぞれ配置されているので、いずれの吐出口から噴出される処理液に対しても逆極性の電荷が誘導され、逆極性の電荷が処理液とともに基板の主面に供給される。これにより、処理中における基板の帯電を抑制することができる。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、電極部材が、吐出口の中心軸を囲む円環状であることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、電極部材が、吐出口の中心軸を囲む円環状とされることにより、吐出口からの処理液の吐出を妨げることなく、吐出口近傍に均一に電荷を誘導することができる。
請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、複数の吐出口が所定方向に一列に配置されており、電極部材は、所定方向に長い矩形体であり、複数の吐出口を挟むように複数の電極部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、複数の吐出口が所定方向に一列に配置されており、その所定方向に沿って複数の電極部材が配置されているので、電極部材の構成を簡易化しつつ、各吐出口近傍に均一に電荷を誘導することができる。
請求項7に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置であって、吐出手段は、スリット状に形成された吐出口を有しており、電極部材は、吐出口のスリットの長手方向に長い矩形体であり、スリットを挟むように複数の電極部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、吐出手段は、スリット状に形成された吐出口を有している。電極部材は、吐出口のスリットの長手方向に長い矩形体であり、スリットを挟むように複数の電極部材が配置されている。これにより、吐出口近傍に均一に電荷を誘導することができる。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の基板処理装置であって、電極部材は、吐出口のスリットの長手方向の長さと同等またはそれ以上の長さを有することを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、電極部材は、吐出口のスリットの長手方向の長さと同等またはそれ以上の長さを有している。これにより、スリットの長手方向において均一に電荷を誘導することができる。
請求項9に記載の発明は、請求項1乃至8のいずれかに記載の基板処理装置であって、複数の電極部材に対して、電位差付与手段が共通に設けられていることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、複数の電極部材を有する誘導電極ユニットに対して、電位差付与手段が共通に設けられているので、各電極部材毎に電位差付与手段を設置する場合に比べて、基板処理装置の構造を簡素化することができる。
請求項10に記載の発明は、請求項1乃至9のいずれかに記載の基板処理装置であって、接液部は、導電性樹脂または導電性カーボンにより形成されることを特徴とする基板処理装置である。
接液部が金属材料により形成された場合は、処理液中への金属成分の溶出によって処理液が汚染される恐れがあるが、この構成によれば、接液部が導電性樹脂または導電性カーボンにより形成されるので、金属成分の溶出による処理液の汚染を防止することができる。
請求項11に記載の発明は、請求項1乃至10のいずれかに記載の基板処理装置であって、接液部が接地されることを特徴とする基板処理装置である。
この構成によれば、基板処理装置の構造を簡素化することができる。
請求項12に記載の発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理方法であって、a)吐出手段に設けられた導電性の接液部に処理液を接液させながら吐出手段の内部で流通させ吐出手段の吐出口から基板の主面に向けて吐出される処理液吐出工程と、b)接液部と、接液部と電気的に絶縁されながら吐出口に近接して配置された、複数の電極部材で構成された誘導電極ユニットとの間に電位差を付与することにより、a)工程と並行して接液部に接液する処理液に電荷を誘導する工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法である。
この方法により、請求項1記載の発明と同様な効果を実現できる。
請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の基板処理方法であって、a)工程において、処理液の液滴を基板に向けて噴出することを特徴とする基板処理方法である。
この方法により、請求項2記載の発明と同様な効果を実現できる。
図1は本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の構造を図解的に示す側面図である。基板処理装置1は、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機EL表示装置等のフラットパネル表示装置の製造に用いられる矩形のガラス基板2(以下、「基板2」という。)を洗浄する装置である。基板処理装置1内には基板2を水平な状態で搬送するための搬送機構3が設けられている。搬送機構3は、下方から基板2を支持して搬送方向31に搬送するための多数のローラ32が配列され、図示しない駆動機構がいくつかのローラ32を回転させることにより、基板2が搬送方向31に搬送される。
基板処理装置1は、全体が本体カバー11に覆われており、本体カバー11には、処理前の基板2を搬入するための搬入口12および処理後の基板2を搬出するための搬出口13が形成されている。本体カバー11内には、基板2に洗浄処理を施すための洗浄機構4および洗浄された基板2を乾燥するための乾燥機構5が設けられている。
洗浄機構4は、基板2の上方に配置されて上側の主面(以下、「上面」という。)に向けて処理液を吐出する吐出手段41、吐出手段41に処理液を供給する処理液供給源42、吐出手段41に気体を導くガス供給源43、および、吐出手段41と基板2との間において吐出手段41の吐出口46近傍に配置された誘導電極ユニット44とを備えている。
図2は、吐出手段41を搬送方向31から見たときの図解的な側面図である。
吐出手段41は、複数のノズル411から構成されており、各ノズル411は、ノズル411の内部で生成された処理液の液滴を吐出する吐出口46を有している。複数のノズル411は、搬送方向31に搬送される基板2の、搬送方向31に直交する幅方向の長さにおいて、所定の間隔を置いて一列に均等に配置されている。複数のノズル411は、1つのノズル411の吐出口46から吐出される液滴の吐出幅を考慮して、基板2の搬送方向31に直交する幅方向にわたって隙間なくかつ均一に液滴が吐出されるように配置されている。これにより、基板2の搬送方向31に直交する幅方向にわたって均一に液滴を吐出することができる。
図3は、ノズル411の図解的な縦断面図である。
図3に示すように、ノズル411は内部混合型の二流体ノズルであり、ノズル411の中心軸46a(吐出口46の中心軸でもある。)を中心とする円筒状の処理液供給管412を内部に備える。処理液供給管412は、ノズル411の上部において処理液供給源42に接続されており、処理液供給管412の内部の空間は、処理液供給源42から供給された処理液が流れる処理液流路413となる。ノズル411の外壁部416と処理液供給管412との間の空間は、ガス供給源43に接続されているガス供給管415から供給されたキャリアガス(例えば、窒素(N2)ガスや空気)が流れるガス流路414となっており、ガス流路414は処理液流路413の周囲を囲む。
ノズル411では、処理液供給管412の先端が吐出口46よりも内側(すなわち、図3中の上側)に位置しており、処理液供給管412から噴出される処理液がノズル411の内部においてキャリアガスと混合されることにより、処理液の微小な液滴が生成されてキャリアガスと共に吐出口46から基板2(図1参照)に向けて噴出される。吐出口46の内径は約2〜3mmである。
処理液供給管412は、導電性カーボンまたは導電性樹脂により形成される。導電性カーボンとしては、アモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状カーボンにより形成されるのが好ましい。導電性樹脂としては、例えば、導電性PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)や導電性PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)により形成される。なお、本実施形態では、処理液供給管412は、ガラス状の導電性カーボンにより形成される。ガラス状カーボンは、均質かつ緻密な構造を有する硬質な炭素材料であり、導電性や耐薬品性、耐熱性等に優れる。
このように、本実施形態では、処理液供給管412が本発明における「処理液と接液可能な導電性の接液部」として機能している。また、処理液供給管412には導電線49が接続されており、導電線49を介して処理液供給管412が接地されている。
誘導電極ユニット44は、複数の電極部材44aから構成されている。各電極部材44aは円環状に形成されており、図3に示すように、ノズル411の吐出口46の近傍に、吐出口46の中心軸46aを囲むように円環状に配置されている。電極部材44aは、外径が約15mm、内径が約8mmであり、吐出口46の高さ位置より下方位置、つまり吐出口46に対して基板2に近い位置に配置される。本実施形態では、中心軸46a方向に関する電極部材44aと吐出口46との間の距離は約3〜4mmとされている。なお、電極部材44aは処理液供給管412とは電気的に絶縁されている。
電極部材44aの材料はステンレス鋼製等の金属材料であってもよいが、処理液中への金属粉の混入や金属成分の溶出による処理液の汚染を防止する観点から、導電性カーボンまたは導電性樹脂により形成されるのが好ましい。導電性カーボンとしてはアモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状カーボンにより形成されるのが好ましい。導電性樹脂としては、例えば、導電性PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)や導電性PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)により形成される。
このように本実施形態では、誘導電極ユニット44は、複数の電極部材44aから構成されており、吐出手段41を構成する複数のノズル411の各吐出口46に対して、電極部材44aがそれぞれ配置されている。
このように、吐出手段41が複数の吐出口46を有している場合、各吐出口46に対してそれぞれ個別に電極部材44aを配置することにより、誘導電極ユニット44を容易に配置することができ、更に、吐出手段41と基板2との間に大きな空間を必要とすることなく誘導電極ユニット44を配置することができる。更に、基板処理装置の大型化にも容易に対応することができる。
また、図2に示すように、電極部材44aは、配線45aによって共通の電源45に電気的に接続されている。そして、電源45がON(電圧印加)されると、導電性の接液部である処理液供給管412と、電極部材44aとの間に電位差が付与される。本実施形態では、電源45のマイナス側の端子が導電性の配線45aを介して電極部材44aと接続されており、電極部材44aにはマイナスの電位が与えられる。これにより、処理液供給管412に接液する処理液にプラスの電荷が誘導され、プラスの電荷を有する処理液の液滴が吐出口46から噴出される。このように、本実施形態では、電源45が、本発明の「電位差付与手段」として機能する。
なお、本実施形態では、配線45aによって一つの電源45から各電極部材44aに対して接続されている。このように、誘導電極ユニット44が複数の電極部材45aから構成されている場合も、各電極部材44aに対して一つの電源45を接続することにより、装置構成を簡単にすることができる。
なお、これらの電極部材44aは図示しないブラケットにより各ノズル411に保持され、各ノズル411は図示しないブラケットにより本体カバー11に支持されている。
図1に戻って説明を続ける。乾燥機構5は、基板2の上面に気体を噴射するエアナイフ装置51および基板2の下面に気体を噴射するエアナイフ装置52を備えている。エアナイフ装置51、52は、基板2の搬送方向31と直交する幅方向に延びたスロット状の開口51a、52aをそれぞれ有している。エアナイフ装置51は、基板2の上面に対して、この基板2の全幅に渡り、搬送方向31とは反対方向に向かって斜め下方に傾斜した方向に、スロット状の開口51aから気体(たとえば空気)を噴射する。同様に、エアナイフ装置52は、基板2の下面に対して、この基板2の全幅に渡り、搬送方向31とは反対方向に向かって斜め上方に傾斜した方向に、上記スロット状開口52aから気体(たとえば空気)を噴射する。ローラ32によって基板2が搬送方向31に搬送されていくことにより、基板2の上下面においてエアナイフ装置51、52からの気流の供給を受ける位置が刻々と変化する。これにより、基板2の上下面に付着している処理液は、搬送方向31の上流側へと押しやられ、基板2の後端縁がエアナイフ装置51、52を通過する時点では、基板2全面に付着している処理液が除去される。
次に、基板処理装置1による基板2の洗浄処理について説明する。図4は、基板処理装置1による基板2の洗浄の動作を示すプロセスフローである。なお、本実施形態では、ガス供給源43から供給されるガスとして窒素ガスを用い、処理液供給源42から供給される処理液としては純水を用いている。
図1に示すように、本体カバー11の搬入口12から搬入された基板2は、複数のローラ32によってほぼ水平に支持されつつ搬送方向31に搬送される(ステップS1)。
続いて、電極部材44aと処理液供給管412との間に電位差が付与される。このとき、処理液供給管412の内部空間、つまり処理液流路413は純水で充填されており、処理液供給管412の先端部には、純水が供給された状態となっている。本実施形態では、誘導電極ユニット44に対してマイナス電位(およそ−1000V)が与えられ、誘導電極ユニット44と接液部、つまりノズル411の処理液供給管412との間に電位差が付与される。その結果、吐出口46近傍(すなわち、処理液供給管412の先端部)に接液する純水にプラスの電荷が誘導される(ステップS2)。
そして、この状態において、処理液供給源42から処理液供給管412に純水が供給され、ガス供給源43からガス供給管415に窒素ガスが供給される。これにより、プラスの電荷が誘導された純水の微小な液滴が生成されるとともに吐出口46から基板2の上面へ向けて吐出される(ステップS3)。吐出口46から吐出された液滴は、円環状に形成された電極部材44aの中央領域(内部空間領域)を通り抜けて基板2の上面に到達する。すなわち、プラスに帯電した液滴が基板2の上面に供給される。
基板処理装置1では、基板2が搬送方向31に搬送されつつ、吐出手段41から純水の液滴が吐出されることにより、基板2の前端縁から順次、純水の液滴が吐出され、上面に付着しているパーティクル等の異物が除去される。基板処理装置1では、基板2に対する純水の液滴の吐出が行われている間、電極部材44aによる液滴への電荷の誘導が並行して継続的に行われる。
基板2の後端縁が吐出手段41の下方を通過して、基板2の上面全体に対する液滴の吐出が行われると、処理液供給源42からの純水の供給およびガス供給源43からの窒素ガスの供給が停止され、吐出手段41からの液滴の吐出が停止される。また、電極部材44aと電源45との電気的接続が切られて液滴への電荷の誘導が停止される。基板2は搬送方向31に搬送されることによって、乾燥機構5によって基板の前端縁から順次乾燥させられ、基板2の後端縁がエアナイフ装置51、52の下方を通過すると、基板2の上下面全面が乾燥させられる(ステップS4)。その後、基板2は搬出口13から搬出されて基板2に対する洗浄処理が終了する(ステップS5)。
このように、本実施形態の基板処理装置1では、基板2の上面に純水の微小な液滴を高速にて衝突させることにより、上面に形成された微細なパターンを損傷することなく、上面に付着している有機物等の微小なパーティクルを効率良く除去することができる。
さらに、このような純水の微小な液滴による洗浄処理では、基板2と純水との接触により、ガラス基板2はマイナスに帯電するが、本実施形態の基板処理装置1では、洗浄後の基板電位とは逆極性の電荷(すなわち、プラスの電荷)が誘導された純水の液滴により基板2を洗浄することにより、洗浄中および洗浄後における基板2の帯電を抑制することができる。また、上記電荷の誘導は、吐出手段41の吐出口46近傍に設けられた電極部材44aにより、基板処理装置1の構造を簡素化しつつ容易に実現することができる。
また、基板処理装置1では、基板2に対する洗浄が行われている間、吐出手段41に対する電荷の誘導が継続的に行われることにより、基板2の帯電をより一層抑制することができる。
また、本実施形態では、基板2の搬送方向31に直交する幅方向にわたって複数の吐出口46を有する吐出手段41に対して、各吐出口46毎に電極部材44aが配置されることにより、誘導電極ユニット44が一体的に配置されるよりも、誘導電極ユニット44を容易に配置することができる。また、各電極部材44aは、配線45aによって一つの電源45に接続されることにより、各電極部材44a毎に電源45が配置されるよりも、装置構成を簡単にすることができる。
本実施形態では、さらに、電極部材44aが吐出口46の中心軸46aを囲む円環状とされることにより、吐出口46からの純水の吐出を妨げることなく、吐出口46近傍におよそ均等に電荷を誘導することができる。その結果、純水の多数の液滴に対しておよそ均等に電荷を誘導することができ、基板2の表面全体において帯電をほぼ均等に抑制することができる。
また、処理液供給管412が導電性カーボンまたは導電性樹脂により形成されることにより、処理液供給管412が金属により形成される場合と異なり、接液部における導電性を確保しつつ、純水中への金属粉等の混入や接液部の材料の溶出による純水の汚染を防止することができる。これにより、洗浄中における基板2に対する金属粉の付着等が防止される。特に、処理液供給管412がガラス状カーボンにより形成されることにより、接液部の材料が純水中に溶出することをより確実に防止することができる。
また、本実施形態では、処理液として純水を用いたが、処理液として炭酸水が用いられてもよい。用いられる炭酸水の比抵抗は、1×102Ωm以上4×103Ωm以下であるのがよく、5×102Ωm以上4×103Ωm以下がさらに好ましい。このように、純水よりも比抵抗が低い処理液が用いられることによって、基板2の帯電をより一層抑制することができる。
次に、本発明の第2の実施形態における基板処理装置1について説明する。
図5は、本発明の第2の実施形態における基板処理装置1の洗浄機構4に備えられた吐出手段41および誘導電極ユニット60の図解的な側面図であり、図6は、吐出手段41および誘導電極ユニット60の図解的な底面図である。第2の実施形態では、誘導電極ユニット60を構成する電極部材60aが、一方向に長い矩形体に形成されている。その他の構成は第1の実施形態と同じである。
図5、図6に示すように、誘導電極ユニット60は、基板2の搬送方向31と直交する幅方向に長い矩形体に形成された、2つの電極部材60aから構成されている。2つの電極部材60aは、吐出口46の高さ位置より下方位置、つまり吐出口46に対して基板2に近い位置に配置され、かつ、基板2の搬送方向31と直交する方向に一列に配置された複数の吐出口46にわたった長さを有し、かつ、複数の吐出口46を挟むようにして互いに平行に配置されている。なお、電極部材60aは処理液供給管412とは電気的に絶縁されている。
電極部材60aの材料はステンレス鋼製等の金属材料であってもよいが、処理液中への金属粉の混入や金属成分の溶出による処理液の汚染を防止する観点から、導電性カーボンまたは導電性樹脂により形成されるのが好ましい。導電性カーボンとしてはアモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状カーボンにより形成されるのが好ましい。導電性樹脂としては、例えば、導電性PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)や導電性PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)により形成される。
このように、一列に配置された複数の吐出口46に沿うように電極部材60aを配置することにより、電極部材60aの構成を簡易化しつつ、各吐出口46近傍に均一に電荷を誘導することができる。
図7は、本発明の第3の実施形態における基板処理装置1の洗浄機構4に備えられた吐出手段70および誘導電極ユニット80の図解的な斜視図である。その他の構成は第1の実施形態と同じである。
吐出手段70は、その先端部に搬送方向31と直交する方向に延びるスリット状の細長い吐出口71を有し、吐出手段70の内部で処理液とガスとを混合させてミスト状の処理液(液滴)を生成し、吐出口71から基板2に向けて処理液の液滴を吐出する。また、吐出手段70と基板2との間において、吐出手段70の吐出口71近傍に誘導電極ユニット80が配置されている。
誘導電極ユニット80は、複数の電極部材80aから構成されており、図7に示すように、スリット状の吐出口71の近傍において、吐出口71の長手方向に延びるように形成された、板状の電極部材80aが吐出口71を挟むようにして平行に2つ配置されている。
本実施形態では、吐出手段70が一方向に長いスリット状の吐出口71を有しており、このような場合、誘導電極ユニット80を2つの電極部材80aに分割して配置することにより、吐出口71を囲むようにして誘導電極ユニット80を一体的に配置するよりも、誘導電極ユニット80を容易に配置することができる。
電極部材80aの材料はステンレス鋼製等の金属材料であってもよいが、処理液中への金属粉の混入や金属成分の溶出による処理液の汚染を防止する観点から、導電性カーボンまたは導電性樹脂により形成されるのが好ましい。導電性カーボンとしては、アモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状カーボンにより形成されるのが好ましい。導電性樹脂としては、例えば、導電性PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)や導電性PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)により形成される。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
上記実施の形態に係る基板処理装置では、洗浄処理により生じる基板の電位の極性および帯電量は、基板の種類によって異なるため、基板処理装置において誘導電極ユニットと吐出手段との間に付与される電位差は、基板の種類に合わせて様々に変更される。例えば、基板上にレジスト膜が形成されている場合、洗浄により基板の上面がプラスに帯電するため、誘導電極ユニットにはプラスの電圧がかけられ、処理液にマイナスの電荷が誘導される。
また、基板処理装置では、吐出手段から必ずしも処理液の液滴が吐出される必要はなく、例えば、柱状の処理液の水流が吐出されて基板の洗浄が行われてもよく、また、超音波が付与された処理液が吐出されて基板の洗浄が行われてもよい。なお、上述のように、基板処理装置は、基板の洗浄による帯電を抑制することができるため、液柱による洗浄処理よりも基板の帯電量が大きくなる液滴による洗浄処理に特に適している。
また、基板処理装置では、処理液として純水や炭酸水以外の液体が利用されてもよく、例えば、フッ素系洗浄液である日本ゼオン株式会社のゼオローラ(登録商標)や、スリーエム社のノベック(登録商標)HFEが洗浄液として利用されてもよい。
上記の実施形態に係る基板処理装置は、基板の洗浄処理以外の様々な処理に利用されてもよく、例えば、薬液洗浄された後の基板のリンス処理に利用されてもよい。この場合、純水等のリンス液が基板に供給される処理液として用いられる。また、基板処理装置は、プリント配線基板や半導体基板等、フラットパネル表示装置に使用されるガラス基板以外の様々な基板の処理に利用されてよい。
1 基板処理装置
2 基板
41、70 吐出手段
44、60、80 誘導電極ユニット
44a、60a、80a 電極部材
45 電源
46、71 吐出口
49 導電線
2 基板
41、70 吐出手段
44、60、80 誘導電極ユニット
44a、60a、80a 電極部材
45 電源
46、71 吐出口
49 導電線
Claims (13)
- 処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置であって、
処理液と接液可能な導電性の接液部を有し、前記接液部を介して処理液を吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、
前記接液部と電気的に絶縁されながら前記吐出口に近接して配置された、複数の電極部材で構成された誘導電極ユニットと、
前記接液部と前記誘導電極ユニットとの間に電位差を付与することにより、前記接液部に接液する処理液に電荷を誘導する電位差付与手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は、前記吐出口から処理液の液滴を基板に向けて噴出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は、処理液とガスとを前記吐出手段の内部にて混合することにより処理液の液滴を生成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は、前記吐出口を複数有しており、各吐出口近傍に電極部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記電極部材が、前記吐出口の中心軸を囲む円環状であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
複数の前記吐出口が所定方向に一列に配置されており、
前記電極部材は、前記所定方向に長い矩形体であり、複数の前記吐出口を挟むように複数の前記電極部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は、スリット状に形成された前記吐出口を有しており、
前記電極部材は、前記吐出口のスリットの長手方向に長い矩形体であり、前記スリットを挟むように複数の前記電極部材が配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記電極部材は、前記吐出口のスリットの長手方向の長さと同等またはそれ以上の長さを有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
複数の前記電極部材に対して、前記電位差付与手段が共通に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記接液部は、導電性樹脂または導電性カーボンにより形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記接液部が接地されることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理方法であって、
a)吐出手段に設けられた導電性の接液部に処理液を接液させながら前記吐出手段の内部で流通させ、前記吐出手段の吐出口から基板の主面に向けて吐出される処理液吐出工程と、
b)前記接液部と、前記接液部と電気的に絶縁されながら前記吐出口に近接して配置された、複数の電極部材で構成された誘導電極ユニットとの間に電位差を付与することにより、前記a)工程と並行して前記接液部に接液する処理液に電荷を誘導する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項12に記載の基板処理方法であって、
前記a)工程において、処理液の液滴を基板に向けて噴出することを特徴とする基板処理方法。
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---|---|---|---|
JP2006253980A JP2008078268A (ja) | 2006-09-20 | 2006-09-20 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018206983A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 旭サナック株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
-
2006
- 2006-09-20 JP JP2006253980A patent/JP2008078268A/ja not_active Abandoned
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