CN107037688A - 光掩模相关基板所使用的基板清洗装置以及基板清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的课题在于,提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置以及基板清洗方法,所述基板清洗装置在进行清洗处理时,可以防止异物附着在基板上。为了解决上述课题,本发明提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,具备:保持构件,其只保持基板的端面;旋转机构,其使该保持构件旋转;以及,喷嘴,其向所述基板的至少表面侧供给液体,所述基板通过该旋转机构而与所述保持构件一起旋转;所述基板清洗装置的特征在于,至少一个所述保持构件的表面具有导电性,该具有导电性的保持构件接地。
Description
技术领域
本发明涉及一种对光掩模相关基板进行清洗处理的基板清洗装置以及基板清洗方法。
背景技术
以往,作为对光掩模相关基板进行清洗的装置,已知有回旋方式的基板清洗装置。
这种基板清洗装置可以通过保持构件将基板设置在保持台上,并且使保持的基板旋转,并向其旋转中心供给所需要的液体,来对基板进行清洗。
对基板进行清洗后,利用使保持台以高速旋转而产生的离心力对基板进行回旋干燥。回旋干燥后,使保持台的旋转停止,从保持台搬出基板。
一般来说,使基板旋转以获得离心力时,圆形基板稳定,但半导体基板、液晶显示面板用玻璃基板、半导体制造装置用掩模基板等方形固体基板(以下称作方形基板)不稳定。因此,当方形基板又薄又轻时,考虑以静电卡盘吸附背面等,通过在背面进行保持的机构加以保持来进行清洗的方法,以确实保持住方形基板。但是,特别是当方形基板为光掩模用基板等时,不能吸附背面。此时,由于方形基板可以利用保持构件来支持端面,因此主要通过保持方形基板的端面来使方形基板旋转。
一般来说,利用旋转的基板的离心力,并向其旋转中心部分供给液体,于是供给的液体以放射状扩散,由此使此液体遍布固体基板(以下只称作基板)上,在这种基板清洗方法中,想方法使颗粒不附着在基板上(专利文献1~4)。例如,在专利文献1中,公开有一种具有超纯水喷出喷嘴待机室的基板的清洗装置,所述超纯水喷出喷嘴待机室用于在利用超纯水清洗基板前后的待机过程中使超纯水喷出喷嘴待机,并且与基板清洗室之间以隔板相隔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-043584号公报;
专利文献2:日本特开2008-130728号公报;
专利文献3:日本特开2009-021448号公报;
专利文献4:日本特开2010-091774号公报。
发明内容
此处,异物(液体飞溅到周围形成雾的状态和环境中的颗粒等的总称)附着在基板上的原因多种多样。一般认为例如由于基板的表面以高速进行旋转,而与环境(空气)产生摩擦并带电。带电的表面会吸引漂浮在周围的异物,被吸引的异物会附着在基板上、或异物混入到滴至基板上的液体中、或者引起静电破坏。
在光掩模胚的制造中,成膜前的清洗中的这种异物在成膜步骤中会成为各无机材料功能性膜中的异物。另外,在成膜后的清洗中会成为光掩模胚表面的异物,在抗蚀剂涂布步骤中会成为涂布的抗蚀剂中的异物。
其结果为,这些异物会成为光掩模胚的致命缺陷的可能性变高。
另外,静电破坏会破坏产生静电破坏的位置,成为缺陷。
因此,对于优选为无缺陷的光掩模胚等而言,在对该基板进行清洗时,特别希望防止异物附着和产生静电破坏的带电。
另外,只要供给的液体的电阻值较低即可,但多数情况下,供给的液体的电阻值较高(例如超纯水),考虑含有气体或添加杂质以降低这种液体的电阻值,但气体和杂质会形成颗粒,因此不优选。
本发明是鉴于上述问题而完成,目的在于,提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置及基板清洗方法,所述基板清洗装置在进行清洗处理时,可以防止异物附着在基板上。
为了实现上述目的,本发明提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,具备:保持构件,其只保持基板的端面;旋转机构,其使该保持构件旋转;以及,喷嘴,其向所述基板的至少表面侧供给液体,所述基板通过该旋转机构而与所述保持构件一起旋转;所述基板清洗装置的特征在于,
至少一个所述保持构件的表面具有导电性,该具有导电性的保持构件接地。
如果是这种基板清洗装置,在进行基板清洗时,可以有效防止基板带电,防止异物附着在基板上。
另外,优选为,将所述液体供给到所述基板的旋转中心部分。
如果是这种基板清洗装置,可以向基板的整个面供给液体。
另外,所述基板的旋转速度也可以是30rpm以上且1500rpm以下。
如此一来,即便当基板以高速旋转时,如果是本发明的基板清洗装置,也可以防止异物附着在基板上。
另外,优选为,所述基板为方形基板。
本发明的基板清洗装置可以特别适用于清洗方形基板。
此时,优选为,所述保持构件只保持所述方形基板的角部。
如果是这种基板清洗装置,在供给的液体因离心力而扩散时,由于只在基板旋转的最外周端存在保持构件,因此即便供给的液体接触到保持构件,散布的异物再附着在基板上的可能性很小。
另外,从所述喷嘴供给的液体为清洗液,也可以通过该清洗液对所述基板进行清洗。
如此一来,本发明可以特别适用于对基板进行清洗处理。
另外,所述基板也可以是非导体。
另外,所述基板也可以是玻璃基板。作为玻璃基板,优选为石英玻璃。
如此一来,即便基板是容易带电的非导体(例如玻璃基板),如果是本发明的基板清洗装置,也可以防止异物附着在基板上。
另外,所述液体也可以是非导体。
如此一来,即便液体是容易带电的非导体(例如超纯水),如果是本发明的基板清洗装置,也可以防止异物附着在基板上或发生静电破坏。
进一步,本发明提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其利用保持构件只保持基板的端面,通过使该保持构件旋转来使所述基板旋转,并向所述基板的至少表面侧供给液体,使该液体遍布于所述基板上以清洗所述基板,所述基板清洗方法的特征在于,
将至少一个所述保持构件的表面设为具有导电性,并将该具有导电性的保持构件接地。
如果是这种基板清洗方法,进行清洗时,可以有效防止基板带电,防止异物附着在基板上。
另外,优选为,将所述液体供给到所述基板的旋转中心部分。
如果是这种基板清洗方法,可以向基板的整个面供给液体。
另外,可以将所述基板的旋转速度设为30rpm以上且1500rpm以下。
如此一来,即便当基板以高速旋转时,如果是本发明的基板清洗方法,也可以防止异物附着在基板上。
另外,即便所述基板是方形基板,也可以获得良好的结果。
本发明的基板清洗方法可以特别适用于对方形基板进行清洗。
此时,优选为,利用所述保持构件只保持所述方形基板的角部。
另外,可以将所述液体设为清洗液,利用该清洗液对所述基板进行清洗。
如此一来,本发明的基板清洗方法可以特别适用于对基板进行清洗处理。
另外,可以将所述基板设为非导体。
另外,可以将所述基板设为石英玻璃基板。作为玻璃基板,优选为石英玻璃。
如此一来,即便基板是容易带电的非导体(例如石英玻璃基板),如果是本发明的基板清洗方法,也可以防止异物附着在基板上。
另外,可以将所述液体设为非导体。
如此一来,即便液体是容易带电的非导体(例如超纯水),如果是本发明的基板清洗方法,也可以防止异物附着在基板上或发生静电破坏。
如果是本发明的基板清洗装置及基板清洗方法,进行清洗处理时,可以防止基板带电,并防止异物附着在基板上。
附图说明
图1是表示本发明的基板清洗装置的一个实例的概略图。
图2是表示本发明的基板清洗装置的一个实例的俯视图。
图3是表示本发明的基板清洗装置的另一个实例的俯视图。
图4是表示利用保持构件来保持正方形基板的各边的中心附近时的图。
图5是表示利用多个保持构件来保持正方形基板的各边的中心附近时的图。
图6是表示利用保持构件来保持长方形基板的各边的中心附近时的图。
图7是表示利用保持构件来保持正方形基板的四角时的图。
图8是表示利用保持构件来保持长方形基板的四角时的图。
图9是表示利用保持构件来保持长方形基板的各边的中心附近并使基板旋转时的图。
图10是表示利用保持构件来保持长方形基板的四角并使基板旋转时的图。
图11是表示与基板的侧面充分接触的保持构件的图。
图12是表示相对于基板的侧面有翘起的保持构件的图。
图13是表示本发明的基板清洗方法的顺序的一个实例的流程图。
图14是表示实施例1中的保持构件的配置的图。
图15是表示比较例1中的保持构件的配置的图。
图16是进行实施例1后的缺陷的扫描电子显微镜(Scan Electron Microscope,SEM)图像。
图17是进行比较例1后的缺陷的SEM图像。
图18是进行实施例1后的缺陷的原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)图像。
图19是进行比较例1后的缺陷的AFM图像。
图20是表示图18的直线的剖面中的缺陷的深度的图表。
图21是表示图19的直线的剖面中的缺陷的深度的图表。
其中,附图标记说明如下:
10 基板;
11 保持构件;
12 旋转机构;
13 喷嘴;
14 旋转轴;
15 支持部;
22 具有导电性的保持构件;
23 不具有导电性的保持构件;
100 基板清洗装置。
具体实施方式
以下,更详细地说明本发明。
如上所述,需要一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置以及基板清洗方法,所述基板清洗装置在进行清洗处理时,可以防止异物附着在基板上。
本发明人为了实现上述目的而进行潜心研究。其结果发现,一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置及一种光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,可以防止进行旋转的基板的表面带电,并可以防止异物附着在基板上,所述基板清洗装置向基板供给液体时,保持进行旋转的基板的端面的至少一个保持构件的表面具有导电性,该具有导电性的保持构件接地;所述基板清洗方法是将至少一个保持构件的表面设为具有导电性,并将该具有导电性的保持构件接地,从而完成本发明。
以下,参照附图对本发明的实施方式具体地进行说明,但本发明并不限定于这些实施方式。
[基板清洗装置]
首先,对本发明的基板清洗装置进行说明。图1是表示本发明的基板清洗装置的一个实例的概略图。另外,图2是表示本发明的基板清洗装置的一个实例的俯视图。如图1和图2所示,本发明的基板清洗装置100具备:保持构件11,其只保持基板10的端面;旋转机构12,其使保持构件11旋转;喷嘴13,其向基板10的至少表面侧供给液体,所述基板10通过旋转机构12而与保持构件11一起旋转。本发明的基板清洗装置100的至少一个保持构件11的表面具有导电性,该具有导电性的保持构件接地。而且,图3是表示本发明的基板清洗装置的另一个实例的俯视图,也可以如图3所示般配置保持构件11。由此,可以利用保持构件11来保持正方形的基板的四角。
本发明的基板清洗装置用于对光掩模相关基板进行清洗。此处,进行保持的基板的形状并无特别限定,可以列举例如圆形基板、方形基板等。
此处所说的光掩模相关基板包含:光掩模用基板;光掩模胚,其通过在此光掩模用基板上形成1层以上的无机膜来获得;光掩模(半导体制造装置用掩模基板),其对此光掩模胚进行加工而成;以及,制造光掩模胚的中间步骤的光掩模胚制造中间体,所述光掩模胚是将多个无机膜成膜而成;并且包含有利用此光掩模胚进行加工中途的带抗蚀剂光掩模胚等光掩模制造中间体。
对光掩模用基板具体地进行叙述,可以列举石英玻璃、氟化钙等对各种曝光的光的波长具有透光性的基板(透明基板)。如此一来,本发明中进行保持的基板也可以是容易带电的玻璃基板等非导体。作为玻璃基板,优选为石英玻璃。如果是本发明的基板清洗装置,即便是这种基板的清洗,也可以有效防止静电释放而附着异物。
其中,由方形基板、特别是石英基板(玻璃基板)构成的光掩模、光掩模胚或者它们的中间步骤的基板又厚又重,优选为,基板为绝缘物,而且无缺陷,因此特别理想使用本发明的基板清洗装置进行处置,以防止带电,并防止异物附着在基板上而由此形成缺陷。
保持构件的形状并无特别限定,可以列举例如圆柱形状和板状形状。
保持构件的材料并无特别限定,可以列举例如金属、树脂等。作为树脂的具体例,可以列举:聚醚醚酮树脂((Poly ether ether ketone,PEEK)树脂)、聚苯硫醚树脂((Polyphenylene sulfide,PPS)树脂)等。如果是包含这种树脂的保持构件,可以防止端面发生损伤,并能获得良好的清洁度和加工精度。作为金属的具体例,可以列举铝、不锈钢材料等。如果是包含这种金属的保持构件,不需要另外赋予导电性。
当保持构件的材料中使用树脂时,优选为含有碳粒子、金属粒子等导电性填料以对保持构件赋予导电性。另外,也优选为利用金属膜和导电性树脂等涂布表面。
保持构件的根数并无特别限定,如图1~3所示,例如,可以设为4~8根。此处,在本发明中,只要用以保持基板的所有保持构件中的一个以上是具有导电性的保持构件即可。例如,当利用8根保持构件来保持基板时,即便7根是不具有导电性的保持构件,只要剩余的1根是具有导电性的保持构件即可。此时,需要剩余的1根接地。2根以上、更优选为所有保持构件是具有导电性的保持构件,以充分防止带电。
此时,即便基板的尺寸公差和通过机械控制而设置的基板位置不同,基板的端面也能接触任一个赋予导电性的保持构件,能够更确实地在清洗基板时消除静电。
具有导电性的保持构件可以设为例如通过连接配线(未图示)来接地的保持构件。
设置保持构件的位置并无特别限定。只要对应进行清洗的基板的形状来变更设置的位置即可。以下,对保持方形基板的情况进行说明。
当通过端面来保持方形基板时,理想为先推算出基板的重心,并按照方形基板以此重心为中心进行旋转的方式来设置保持构件。
另外,由于只要在与基板的各边正相反的位置设置保持构件,保持会稳定,因此理想。另外,当能够充分地实现保持时,可以省略这些保持构件的一部分位置。另外,当保持不稳定时,理想为,除了这些正相反地配置的保持构件以外,适当地设置辅助保持构件,以防止方形基板从保持构件脱落、脱离。
作为保持构件的配置的一个实例,关于接近正方形的方形基板,可以列举利用保持构件来保持角形基板的各边的中心部分(中心附近)的配置(参照图4和图5)。当方形基板为长方形且旋转时变不稳定时,优选为通过多个保持构件来保持各边的配置(参照图6)。
另外,作为另一方式,可以列举利用保持构件只保持方形基板的角部(当为四角形基板时,只保持四角)的配置(参照图7和图8)。特别是当基板的形状为长方形时,优选为如此地保持基板的四角附近的配置(参照图8)。
当为正多边形基板时,作为保持构件的配置的例子,可以列举:保持各边的中心附近的配置和只保持基板的角部的配置;但即便为正多边形时,也优选为只保持基板的角部的配置。
另外,只保持四角(当为多边形基板时,保持角部)的配置,由于在基板的对角线的延长线上配置保持构件,因此供给的液体因离心力而扩散时,只在基板旋转的最外周端存在保持构件,所以即便供给的液体接触保持构件,散布的异物再附着在基板上的可能性也很小(参照图10)。另一方面,如果保持边的中心部,虽然具有由旋转中心与边的中心构成的半径的圆的内周部难以附着异物,但供给的液体会接触用以保持基板的长边的保持构件,异物也会散布到基板的外周部,因此外周部附着有异物的可能性变高(参照图9)。
在保持基板的端面的回旋方式的基板清洗装置中,旋转机构12可以设为以往所使用的机构,对于其形状等,并无特别限定。如图2和图3所示,可以设为具有旋转轴14和用以支持保持构件的支持部15。旋转机构的旋转速度并无特别限定。优选为例如,通过旋转机构12而与保持构件11一起旋转的基板10的旋转速度为30rpm以上且1500rpm以下。如此一来,即便当基板以高速旋转时,如果是本发明的基板清洗装置,也可以防止异物附着在基板上。
喷嘴13只要是以往在回旋方式的基板清洗装置中所使用的喷嘴即可,对于其形状等,并无特别限定。喷嘴13只要向基板10的至少表面侧供给液体即可。优选为喷嘴13向基板10的旋转中心部分供给液体。如果是这种基板清洗装置,可以向基板的整个面供给液体。此时,也可以另外设置向基板10的外周部供给液体的喷嘴。另外,也可以另外设置向基板10的背面供给液体的喷嘴,或者另外设置进一步向侧面等供给的喷嘴。通过设置向背面供给的喷嘴,可以同时对背面进行清洗。
关于从喷嘴供给的液体,当清洗是在制造光掩模胚的步骤中进行时,可以列举:超纯水、功能水(脱气水、氢气水等)、使用药品的液体等。如此一来,当从喷嘴供给的液体为清洗液时,可以利用该清洗液对基板进行清洗。
如上所述,在本发明中,从喷嘴供给的液体也可以是容易带电的非导体(例如超纯水)。如果是本发明的基板清洗装置,即便当向基板上供给这种液体时,也可以防止异物附着在基板上或发生静电破坏。
而且,本发明的基板清洗装置也可以与以往所使用的电离器和可以对液体赋予导电性的装置等并用。
[基板清洗方法]
接着,对本发明的基板清洗方法进行说明。本发明的基板清洗方法是一种光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其利用保持构件11只保持基板10的端面,通过使保持构件11旋转来使基板10旋转,并向基板10的至少表面侧供给液体,使该液体遍布在基板10上以对基板10进行清洗,
所述光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,将至少一个保持构件11的表面设为具有导电性,并将该具有导电性的保持构件接地。
将本发明的基板清洗方法的实施顺序的一个实例制成流程图且示于图13。首先,如图13的(1)所示,利用保持构件11只保持基板10的端面。此时,关于进行保持的基板的种类和形状、保持构件的材料和配置等,可以设为与上述基板清洗装置的项目中记载的相同。
在本发明中,理想为,具有导电性的保持构件与基板充分接触。
基本上,各保持构件理想为确实地保持方形基板等基板的各端面的保持构件。但是,实际上,由于设置保持构件时的精度的问题和重复进行基板清洗,因此有时保持构件的形状会缓慢地发生变形或是保持机构自身发生变形,而有各保持构件的保持力显现出变化的情况。
有例如充分保持基板的端面(侧面)的保持构件(参照图11),另一方面,有时存在稍微有“翘起”的保持构件(参照图12)。此时,对保持构件的抵接位置赋予导电性(将抵接位置设为具有导电性的位置),通过将此导电性赋予位置接地,可以去除由于各种原因带电的基板的带电,所述保持构件充分保持至少基板的端面。
当充分地进行保持的保持构件因重复进行基板清洗而发生变形或者位置精度不准确时,通过对所有保持构件的与基板抵接的位置或预料进行抵接的位置赋予导电性,并将这些赋予导电性的位置接地,以在对于旋转而言安全的范围内使用保持构件,可以长期稳定地防止基板带电。
另外,当具有导电性的保持构件发生变形时,通过将发生变形的具有导电性的保持构件更换为新的具有导电性的保持构件,也可以有效地防止基板表面带电。
如上所述,当保持构件中有充分接触基板的端面的位置和稍微翘起的位置时,通过将充分保持基板端面的保持构件(的位置)设为具有导电性,并将保持构件(的位置)接地,可以有效地防止基板表面带电。
接着,如图13的(2)所示,通过使保持构件11旋转来使基板10旋转。基板的旋转速度可以设为与上述基板清洗装置的项目中记载的相同。而且,当对基板进行清洗时,清洗时的基板的旋转速度可以设为30rpm以上且100rpm以下。
接着,如图13的(3)所示,向基板10的至少表面侧供给液体,使该液体遍布基板10上。液体的供给方法等可以设为与上述基板清洗装置的项目中记载的相同。此时,供给的液体的温度可以设为常温25℃,液体的供给时间可以设为90~120sec,但并不限定于此。
接着,如图13的(4)所示,可以使基板10干燥。例如,当利用清洗液对基板进行清洗时,优选为通过回旋干燥使基板干燥。此回旋干燥时的基板的旋转速度可以设为1500rpm左右。
[实施例]
以下,示出实施例和比较例更具体地说明本发明,但本发明并不限定于下述实施例。
(实施例1)
使用本发明的基板清洗装置,对边长6英寸的正方形(152mm×152mm)、厚度0.25英寸(6.35mm)的光掩模胚的表面和背面进行清洗。保持构件,如图14所示,只在基板的角部配置共8根,并将其中的1根设为具有导电性的保持构件22。作为具有导电性的保持构件,使用添加碳的导电性PPS(聚苯硫醚)。将具有导电性的保持构件接地。作为剩余7根保持构件,直接使用PPS。也就是,使用不具有导电性的保持构件23。作为清洗液,使用脱气水(去离子水(De-ionized Water,DIW))和添加氨的氢气水(H2水)。清洗液的温度设为常温25℃,供给时间设为90~120sec(最大供给时间120秒)。基板的旋转速度设为30~100rpm(最大转数100rpm)。
以下示出具体的清洗步骤的顺序。
1.背面DIW
2.背面DIW/表面添加H2水
3.背面DIW/表面添加H2水+超声波(Megasonic,MS)
4.背面DIW/表面添加H2水+MS/DIW
5.背面DIW/表面DIW
结束上述清洗后,进行基板的回旋干燥。此时,基板的旋转速度设为1500rpm。
(比较例1)
除了不使用具有导电性的保持构件(参照图15)以外,在与实施例1相同的条件下对光掩模胚的表面和背面进行清洗。
图16为进行实施例1后的缺陷的SEM(扫描电子显微镜)图像,图17为进行比较例1后的缺陷的SEM图像。另外,图18为进行实施例1后的缺陷的AFM(原子力显微镜)图像,图19为进行比较例1后的缺陷的AFM图像。图20为表示图18的直线的剖面中的缺陷的深度的图表,图21为表示图19的直线的剖面中的缺陷的深度的图表。而且,在图18和图19中,以颜色的浓淡表示缺陷深度,在各图像的右侧示出此颜色的深度的数值(单位:nm)。另外,图20和图21中的纵轴为高度(单位:nm),横轴为缺陷的位置(单位:μm)。另外,图18中的以三角形表示的位置与图20中的以三角形表示的位置对应,图19中的以三角形表示的位置与图21中的以三角形表示的位置对应。
如图16、图18以及图20所示,在实施例1中,虽然在光掩模胚的表面能观察到缺陷(膜的剥离),但其尺寸很小。另一方面,如图17、图19以及图21所示,在比较例1中,在光掩模胚的表面能观察到很大的缺陷(膜的剥离)。在实施例1中,由于使用具有导电性保持构件,因此可以有效地防止带电,其结果为,一般认为可以降低由静电破坏导致的基板的破坏。
另外,表1示出在实施例1的条件下清洗过的30片基板的缺陷的合计数和在比较例1的条件下清洗过的30片基板的缺陷的合计数。
[表1]
缺陷的数量 | |
实施例1 | 63 |
比较例1 | 266 |
(样本数量30个的合计)
如表1所示,在实施例1中,对30片基板进行清洗时的缺陷的合计数很少,为63处。另一方面,如表1所示,在比较例1中,对30片基板进行清洗时的缺陷的合计数产生很多,为266处。
(实施例2)
使用本发明的基板清洗装置对边长6英寸的正方形(152mm×152mm)、厚度0.25英寸(6.35mm)的光掩模胚的表面和背面进行清洗。保持构件,如图14所示,只在基板的角部配置共8根,并将其中1根设为具有导电性的保持构件22。作为具有导电性的保持构件,使用添加碳的导电性PPS(聚苯硫醚)。具有导电性的保持构件设为接地的保持构件。作为剩余7根保持构件,直接使用PPS。也就是,使用不具有导电性的保持构件23。作为清洗液,使用脱气水(DIW)和氢气水(H2水)。清洗液的温度设为常温25℃,供给时间设为90~120sec(最大供给时间120秒)。供给清洗液时的基板的旋转速度设为30rpm。
以下示出具体的清洗步骤的顺序。
1.背面DIW
2.背面DIW/表面添加H2水
3.背面DIW/表面添加H2水+MS(超声波)
4.背面DIW/表面添加H2水+MS/DIW
5.背面DIW/表面DIW
结束上述清洗后,进行基板的回旋干燥。此时,基板的旋转速度设为1500rpm。利用数字静电测定器(MODEL 2050)HUGLE股份有限公司(Hugle Electronics Inc.)对此清洗中的上述3步骤中的带电压(V)进行测定。测定位置为基板中心。
(实施例3)
使用本发明的基板清洗装置对边长6英寸的正方形(152mm×152mm)、厚度0.25英寸(6.35mm)的光掩模胚的表面和背面进行清洗。保持构件,如图14所示,只在基板的角部配置共8根,并将此所有保持构件设为具有导电性的保持构件22。作为具有导电性的保持构件,使用添加碳的导电性PPS(聚苯硫醚)。具有导电性的保持构件设为能接地的保持构件,关于其他条件,在与实施例2相同的条件下对光掩模胚的表面和背面进行清洗,与上述实施例2相同地测定带电压(V)。
(比较例2)
除了不使用具有导电性的保持构件以外,在与实施例2相同的条件下对光掩模胚的表面和背面进行清洗。
表2中示出实施例2、实施例3以及比较例2中测定的带电压(V)。
[表2]
带电压(V) | |
实施例2 | 1300 |
实施例3 | 10 |
比较例2 | 2300 |
如表2所示,可知在实施例2中,带电压(V)小于比较例2,能抑制基板表面带电。
根据这些情况可知,实施例2较比较例2更能抑制基板带电,结果难以产生由基板带电引起的异物附着和静电破坏。
而且,可知在实施例3中,带电压(V)进一步小于比较例2,很能抑制基板表面带电。从这些情况可知,实施例3较比较例2更能抑制基板带电,结果难以显著产生由基板带电引起的异物附着和静电破坏。
另外,本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为示例,具有与本发明的权利要求书所述的技术思想实质相同的结构并发挥相同作用效果的技术方案,均包含在本发明的技术范围内。
Claims (18)
1.一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,具备:保持构件,只保持基板的端面;旋转机构,使所述保持构件旋转;以及,喷嘴,向所述基板的至少表面侧供给液体,所述基板通过该旋转机构而与所述保持构件一起旋转;所述清洗装置的特征在于,
至少一个所述保持构件的表面具有导电性,所述具有导电性的保持构件接地。
2.如权利要求1所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,将所述液体供给到所述基板的旋转中心部分。
3.如权利要求1所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,所述基板的旋转速度为30rpm以上且1500rpm以下。
4.如权利要求1所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,所述基板为方形基板。
5.如权利要求4所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,所述保持构件只保持所述方形基板的角部。
6.如权利要求1所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,从所述喷嘴供给的液体为清洗液,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
7.如权利要求1所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,所述基板为非导体。
8.如权利要求1所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,所述基板为玻璃基板。
9.如权利要求1至8中任一项所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗装置,其中,所述液体为非导体。
10.一种光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,利用保持构件只保持基板的端面,通过使所述保持构件旋转来使所述基板旋转,并向所述基板的至少表面侧供给液体,使所述液体遍布于所述基板上以清洗所述基板,所述基板清洗方法的特征在于,
将至少一个所述保持构件的表面设为具有导电性,并将所述具有导电性的保持构件设为接地。
11.如权利要求10所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述液体供给到所述基板的旋转中心部分。
12.如权利要求10所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述基板的旋转速度设为30rpm以上且1500rpm以下。
13.如权利要求10所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述基板设为方形基板。
14.如权利要求13所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,利用所述保持构件只保持所述方形基板的角部。
15.如权利要求10所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述液体设为清洗液,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
16.如权利要求10所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述基板设为非导体。
17.如权利要求10所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述基板设为玻璃基板。
18.如权利要求10至17中任一项所述的光掩模相关基板所使用的基板清洗方法,其中,将所述液体设为非导体。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109698156A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 方形硅片兼容性旋转托盘及硅片清洗装置 |
CN110716393A (zh) * | 2018-07-15 | 2020-01-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 清洁方法及微影设备 |
CN111081627A (zh) * | 2018-10-22 | 2020-04-28 | 细美事有限公司 | 导销及具有其的掩膜支撑单元与掩膜清洗装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI782077B (zh) | 2017-09-11 | 2022-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 光罩清潔製程 |
US10955741B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle cleaning system and method for using the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW466665B (en) * | 1999-02-05 | 2001-12-01 | Hitachi Ltd | Cleaner of plate part and its method |
JP2004296899A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hoya Corp | 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法 |
CN103645603A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 清洁光掩模板的装置及方法 |
JP2014130901A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4114639A1 (de) * | 1991-05-04 | 1992-12-03 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum einbrennen von bedruckten substraten |
JPH07221062A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | スピン洗浄機とスピン洗浄方法 |
JP2000133626A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 基板洗浄装置 |
US7654596B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-02-02 | Mattson Technology, Inc. | Endeffectors for handling semiconductor wafers |
US6794662B1 (en) * | 2003-10-07 | 2004-09-21 | Ibis Technology Corporation | Thermosetting resin wafer-holding pin |
US7648576B2 (en) * | 2003-12-11 | 2010-01-19 | Sumco Corporation | Epitaxial wafer and method for producing same |
US8211242B2 (en) * | 2005-02-07 | 2012-07-03 | Ebara Corporation | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program |
US7914626B2 (en) * | 2005-11-24 | 2011-03-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
KR100900628B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2009-06-02 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP5090089B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7922562B2 (en) * | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for reducing electrostatic charge of semiconductor wafers |
JP6229933B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-11-15 | 株式会社Screenホールディングス | 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置 |
US9738975B2 (en) * | 2015-05-12 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making |
US10153218B2 (en) * | 2016-11-29 | 2018-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
-
2015
- 2015-10-20 JP JP2015206607A patent/JP2017077528A/ja active Pending
-
2016
- 2016-10-03 US US15/283,896 patent/US20170110355A1/en not_active Abandoned
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- 2016-10-19 TW TW105133723A patent/TW201726269A/zh unknown
- 2016-10-20 CN CN201610916600.1A patent/CN107037688A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW466665B (en) * | 1999-02-05 | 2001-12-01 | Hitachi Ltd | Cleaner of plate part and its method |
JP2004296899A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hoya Corp | 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法 |
JP2014130901A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
CN103645603A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 清洁光掩模板的装置及方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110716393A (zh) * | 2018-07-15 | 2020-01-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 清洁方法及微影设备 |
CN110716393B (zh) * | 2018-07-15 | 2021-10-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 清洁方法及微影设备 |
US11269261B2 (en) | 2018-07-15 | 2022-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Particle removal from wafer table and photomask |
CN111081627A (zh) * | 2018-10-22 | 2020-04-28 | 细美事有限公司 | 导销及具有其的掩膜支撑单元与掩膜清洗装置 |
CN111081627B (zh) * | 2018-10-22 | 2023-08-11 | 细美事有限公司 | 导销及具有其的掩膜支撑单元与掩膜清洗装置 |
CN109698156A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 方形硅片兼容性旋转托盘及硅片清洗装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170046083A (ko) | 2017-04-28 |
TW201726269A (zh) | 2017-08-01 |
JP2017077528A (ja) | 2017-04-27 |
US20170110355A1 (en) | 2017-04-20 |
SG10201608487TA (en) | 2017-05-30 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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Application publication date: 20170811 |