TWI579061B - 連串噴嘴及具有該連串噴嘴的基板處理裝置 - Google Patents

Description

連串噴嘴及具有該連串噴嘴的基板處理裝置

本發明是關於一種在基板之汙染、附著物的去除、洗淨步驟所使用的噴嘴及處理裝置。

電子元件的製程當中，是對一片基板反覆洗淨達50至100次。其洗淨的對象是會對元件可靠性造成影響的抗蝕劑膜或是聚合物膜等的有機物或微粒(particle)等。在該洗淨步驟中，通常是使用鹼性洗淨液與酸性洗淨液之組合或是其他過硫化氫及有機溶劑等的藥品，而且在為了去除其殘留物的洗淨步驟會使用大量的純水。其他，關於抗蝕劑的去除，一般是使用電漿灰化(plasma ashing)裝置，但是之後的殘留物及雜質的洗淨是使用其他洗淨裝置。在此，上述習知技術之洗淨及薄膜去除所使用的藥液具有以下缺點：1)昂貴；2)環境負荷大，需要特別的排水處理設備；3)為了確保作業員的安全衛生，裝置會大型化，需要特別的裝置內排氣設備，並且為了沖洗藥液，需要大量的純水；4)無法藉由一台裝置涵蓋薄膜去除到洗淨的步驟。

在上述技術課題之下，提案一種使用水蒸氣及水的基板處理方法(專利文獻1)。根據該方法，僅利用水蒸氣及水即可獲得高的物理衝擊力，因此可使抗蝕劑及聚合物膜剝離。因而在電子元件的製程中可減少藥液。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2009/013797手冊

由於基板之處理效率的問題，有時必須對基板噴射水蒸氣及水的混相流體而進行掃描的處理。然而，根據上述發明，利用掃描的一次處理並不容易處理大面積，無法獲得高的處理效率。因此，本發明之目的在於提供一種可藉由掃描有效地處理大面積基板的噴嘴及基板處理裝置。

本發明(1)之連串噴嘴係具備具有複數個加速噴嘴且該加速噴嘴係並列配置之連串加速噴嘴部，該加速噴嘴係具有：第一氣體導入孔；設在比前述第一氣體導入孔更下游的第一液體導入孔；使從該第一氣體導入孔供應的氣體及從該第一液體導入孔供應的液體加速的加速流路；以及噴射出經過加速之混相流體的噴出口。

在使用連串噴嘴的情況下從蒸氣產生器等導入氣體時，會有來自各噴嘴的氣體噴出量不均勻的問題。因此，會產生抗蝕劑等之去除對象物無法充分地被去除的問題。

因此，本發明(2)至(6)之目的在於提供一種在使用連串噴嘴時，可均一地調整來自各噴嘴之氣體噴出量的手段。

本發明(2)係為在前述發明(1)的連串噴嘴中，復具備氣體滯留部，該氣體滯留部係具備：第二氣體導入孔；及使從該第二氣體導入孔供應的氣體滯留，並經由前述第一氣體導入孔對前述複數個加速噴嘴供應氣體的氣體滯留空 間。

本發明(3)係為在前述發明(2)的連串噴嘴中，前述氣體滯留部在前述氣體滯留空間內的第二氣體導入孔附近復具備遮蔽棒，該遮蔽棒係將從該第二氣體導入孔噴出的氣體予以擴散。

本發明(4)係為在前述發明(3)的連串噴嘴中，前述遮蔽棒的寬度比前述氣體導入孔的內徑大。

本發明(5)係為在前述發明(3)或(4)連串噴嘴中，前述遮蔽棒具有與前述氣體導入孔之方向相對向的角形狀傾斜部位。

本發明(6)係為在前述發明(5)的連串噴嘴中，前述角形狀傾斜部位的傾斜角為30至150°。

在使用連串噴嘴對對象物噴射時，會有在噴嘴噴出口與噴嘴噴出口之間的衝擊力、與噴嘴噴出口正下方的衝擊力差異很大的問題。亦即，可得知在單使用連串噴嘴對對象物噴射時，施加在對象物上的衝擊力並不均勻。因此，本發明(7)至(8)之目的在於提供一種施加在對象物的衝擊力均一性高的連串噴嘴。

本發明(7)係為在前述發明(1)至(6)之任一種連串噴嘴中，前述複數個加速噴嘴係各自之噴出口朝橫向配置成一列，

從前述複數個加速噴嘴之噴出口的橫向端部到相鄰的噴出口之橫向端部的距離P相對於前述複數個加速噴嘴之噴出口的橫向擴展寬度W(([壓縮部橫寬]-[噴出口橫寬]) /2)的比([P]/[W])為0.2至1.0。

本發明(8)係為在前述發明(7)的連串噴嘴中，前述噴出口設有將相鄰的噴出口相連，並且朝噴出方向開放的狹縫(slit)。

在使用連串噴嘴對對象物噴射混相流體的情況，會有從各噴嘴噴出口噴射的液體量不均勻的問題。因此，本發明(9)至(10)之目的係在於提供一種在使用連串噴嘴時，可均一地調整來自各噴嘴之液體噴出量的手段。

本發明(9)係為在前述發明(1)至(8)之任一種連串噴嘴中，復具備液體滯留部，該液體滯留部具有：第二液體導入孔；及使從該第二液體導入孔導入的液體滯留，並經由前述第一液體導入孔對前述複數個加速噴嘴供應液體的液體滯留空間。

本發明(10)係為在前述發明(8)的連串噴嘴中，前述液體滯留部係設在前述連串噴嘴的側面，前述液體滯留空間具有橫長直方體形狀，前述第二液體導入孔係設在液體滯留空間之一端的上部，前述第一液體導入孔係設在前述液體滯留空間之另一端的上部。

本發明(11)之基板處理裝置係具備：前述發明(1)至(10)之任一種連串噴嘴；對前述連串噴嘴供應水蒸氣的蒸氣產生部；以及對前述連串噴嘴供應液體的水供應部。

本發明(12)係為在前述發明(11)的基板處理裝置中，復具備對前述連串噴嘴供應惰性氣體或清淨空氣的氣體供應部。

根據本發明之連串噴嘴，具有可藉由一次掃描有效地處理大面積基板的效果。

又，藉由設置本發明之氣體滯留部，從第二氣體導入孔所導入的氣體在暫時滯留之後會被供應至各噴嘴，因此具有從構成連串噴嘴的各加速噴嘴所噴出的混相流體之噴出量會變得均勻的效果。尤其，藉由在氣體滯留空間內設置遮蔽棒，從第二氣體導入孔所導入的氣體的氣流會受到遮蔽，使設置氣體滯留部所產生的均勻性之提升效果會更為顯著。

藉由將連串噴嘴的橫向擴展寬度W與距離P的比設定為前述的範圍，各噴嘴下及噴嘴噴出口間的衝擊力分布會展現出高度均勻性。而且，藉由在噴嘴噴出口間設置狹縫，衝擊力分布的均一性會更為提高。

由於復具有液體滯留部，供應至各噴嘴的水量就會一定，因此具有所噴射的混相流體也會變得均勻的效果。

使用圖式，並就本發明之實施形態加以說明。第1圖至第4圖係為顯示本發明之連串噴嘴的形態。第1圖係為本發明之連串噴嘴的前視圖，第2圖係為本發明之連串噴嘴的側視圖，第3圖係為本發明之連串噴嘴的下視圖，第 4圖係為本發明之連串噴嘴的俯視圖。此外，以虛線表示的部分係為顯示連串噴嘴之內部構造的透視線。

本發明之連串噴嘴1具備連串加速噴嘴部10，該連串加速噴嘴部10具備複數個加速噴嘴100，且該加速噴嘴100係為並列配置。複數個加速噴嘴100係排列成使噴出方向彼此平行。在此，雖顯示出設有8隻加速噴嘴100的例子(100a至h)，但是噴嘴的數量並沒有特別的限定。

使用第2圖來詳細說明加速噴嘴100。加速噴嘴100具有：設於該噴嘴之上游，並且在噴嘴內具有最大剖面積的第一氣體導入孔101；比該第一氣體導入孔更下游，並設在加速流路之側面的第一液體導入孔103；使從該第一氣體導入孔供應的氣體及從該第一液體導入孔所供應的液體加速的加速流路105；以及噴射出經過加速的混相流體的噴出口107。加速流路105具有：剖面積隨著越朝向下游越變小的導入路1051；在形成於該導入路之終端的流路內具有最小剖面積的壓縮部1053；以及接連於該壓縮部而形成，並且剖面積隨著越朝向下游越變大的加速路1055。此外，第一氣體導入孔101的剖面積較佳為比第一液體導入孔103的剖面積大。藉由採用此種構成，便可容易噴射出由連續相的氣體、以及分散相的液滴所構成的混相流體。此外，噴出口107的剖面形狀可為圓形、或是橢圓形，亦可為狹縫形。

連串加速噴嘴部10是使加速噴嘴100的噴出口107a至h朝橫向配置成一列(第1圖)。

如第5圖所示，從前述複數個加速噴嘴之噴出口的橫向端部到相鄰的噴出口之橫向端部的距離P相對於加速噴嘴之噴出口107的橫向擴展寬度W(([壓縮部橫寬]-[噴出口橫寬])/2)的比([P]/[W])，較佳為0.01至2.0，更佳為0.2至1.0。藉由採用該範圍的比，由連串噴嘴所噴射的混相流體就不會有間隙，施加在對象物的衝擊力會變為均勻。當設定為較該比更大的值時，噴出口與噴出口之間會過度打開，且由連串噴嘴所噴射的混相流體會產生間隙，而在噴出口下與噴出口間之衝擊力產生顯著的差異。此外，在設有後述之加速噴嘴噴出口間之狹縫109的情況(第5圖(b))，噴出口的橫寬是指狹縫之上端部的橫寬。(第5圖(c))。

再者，如第3圖、第6圖所示，連串噴嘴部的噴出口107較佳為設有將相鄰的噴出口相連，並且朝噴出方向開放的狹縫109。此外，第6圖之由圓圈包圍的部分係為狹縫109。狹縫109係設在各噴出口107之間(狹縫109a至g)。藉由設置該狹縫，因不會損及由連串噴嘴所噴出的混相流體的衝擊力，而可使噴流的擴散度增加，攻衝擊力的均勻性會更為提升。

此外，在本發明中，狹縫的寬度相對於噴出口之縱向寬度的比([狹縫寬度]/[噴出口之縱向寬度])，較佳為在0.3至1.0的範圍。狹縫的深度較佳為距離噴出口1至10mm。由於具有此種寬度及深度，因此衝擊力的均勻性會提高。

本發明之連串噴嘴1係具備：用以將氣體均勻地導入第一氣體導入孔101的氣體滯留部20。氣體滯留部20係具備：第二氣體導入孔201；以及使該第二氣體導入孔所供應的氣體滯留，並經由前述第一氣體導入孔對前述複數個加速噴嘴供應氣體的氣體滯留空間203。

氣體滯留空間203在其入口附近具有比第二氣體導入孔201之剖面積更大的剖面積，並且具有剖面積隨著越往下游越為狹窄的形狀。滯留空間出口2031係將前述連串噴嘴部10的複數個第一氣體導入孔101包入。由於所導入的氣體在氣體滯留空間203滯留，因此氣體會以均勻的壓力被供應至各加速噴嘴的第一氣體導入孔101。因此，從各加速噴嘴噴出的氣體量會變得均勻。

前述氣體滯留部20在氣體滯留空間203內的第二氣體導入孔201附近復具備遮蔽棒205，該遮蔽棒205係跨於全部的複數個第一氣體導入孔101的上游而配置，將該第二氣體導入孔201所噴出的氣體予以擴散。第7圖係為遮蔽棒205的構造圖，第7圖(a)係為側視圖，第7圖(b)係為正視圖，第7圖(c)係為aa剖面圖。遮蔽棒205係架設在形成滯留空間203的壁面。藉由配置遮蔽棒205，從第二氣體導入孔201所噴出的氣體流會受到遮蔽，以防止氣體不滯留在氣體滯留空間203而偏向供應至存在於第二氣體導入孔201之正下游部的連串噴嘴。

如第7圖所示，遮蔽棒205較佳係具有與第二氣體導入孔之方向相對向的角形狀傾斜部位2051。此外，角形狀傾斜部位2051的傾斜角度θ並沒有特別的限定，但較佳係 為30°至150°，更佳為60°至120°，為90°尤佳。藉由形成此種範圍的傾斜角度，可獲得適度的遮蔽效果，且氣體對於各加速噴嘴的供應量之均勻性會提升。又，亦可在遮蔽棒205的側面設置凹槽2053而構成為可轉動角形狀傾斜部位之位置。

如第4圖所示，遮蔽棒205的寬度d_a較佳為比第二氣體導入孔201的內徑d_b大。所謂遮蔽棒205的寬度d_a，係指相對於第二氣體導入孔201之方向垂直之成分的最大寬度。藉由該構成，氣流的遮蔽效果會更為顯著，從各噴嘴噴出的氣體的均勻性會提高。

本發明之連串噴嘴1係具備用以將水均勻地導入第一液體導入部103的液體滯留部30。液體滯留部30係具備：第二液體導入孔301；以及使該第二液體導入孔所導入的液體滯留，並經由前述第一液體導入孔對前述複數個加速噴嘴供應液體的液體滯留空間302。液體滯留部30係設在連串噴嘴的側面。液體滯留空間302具有橫長直方體形狀。再者，第二液體導入孔301係設在液體滯留空間302之橫向一端的上表面，液體供應孔303係設在前述液體滯留空間之橫向另一端之與第一液體導入部103相鄰的上部。該液體滯留部30在對於各加速噴嘴的氣體供應量藉由上述氣體滯留部20變得均勻的情況，液體供應量會變得特別地均勻。

第8圖係為本發明之基板處理裝置500的整體圖。本裝置500是具有水蒸氣供應部(A)、氣體供應部(B)、水供 應部(C)、2流體調整部(D)、混相流體噴射部(E)、以及基板保持/旋轉/上下機構部(F)的構成。以下詳述各部。

(A)水蒸氣供應部

水蒸氣供應部(A)係由以下構件所構成：用以供應純水的水供應管511；加溫至預定溫度D1(℃)以上而使水蒸氣產生，並控制水蒸氣之產生量而將水蒸氣加壓至預定值C1(MPa)的蒸氣產生器512；管理蒸氣之供應及其停止之可開閉的水蒸氣開閉閥513；用以計測從蒸氣產生器512供應至下游的水蒸氣之壓力的壓力計514；用以將蒸氣供應壓力調整至所希望的值之水蒸氣壓力調整閥515；調整供應水蒸氣內的微小液滴量之附有溫度控制機構的加熱蒸氣生成器兼飽和蒸氣濕度調整器516；以及作為安全裝置的安全閥517。水蒸氣的流量及壓力可以僅藉由水蒸氣壓力調整閥515加以控制。

(B)氣體供應部

氣體供應部(B)是由以下構件所構成：用來供應惰性氣體或清淨空氣的氣體供應管521；將惰性氣體或清淨空氣的供應壓力調整至所希望的值之氣體壓力調整閥522；管理惰性氣體或清淨空氣之停止及再開啟，並將流量調整至所希望的值的氣體開閉兼用流量調整閥523；用以調整惰性氣體或清淨空氣之溫度之附有氣體溫度控制機構的加熱部524；以及用來計測被供應至下游的氣體之壓力的氣體流量計525。藉由氣體壓力調整閥522將原來的壓力設定為固定(0.4MPa左右)，而可藉由氣體開閉兼用流量調整閥 523來控制輸出流量。

(C)水供應部

水供應部(C)係由以下構件所構成：用以供應水的水供應管531；用以使水具有熱能之附有水溫控制機構的加熱部532；用以確認水之流量的水流量計533；管理對於下游的水之供應的停止及再開啟的下游供應用水開閉閥534；以及用以調整流量及用以供水順暢地被導入氣體配管內的孔口(orifice)(流量調整閥)535。此外，在將該液體(此處為水)供應至噴嘴的情況，以非為如以往的氮氣等的混合體較佳。因為在前述混合體的情況，無法使氣體均等地混合至液體，會有氣泡不連續地進入配管內之虞。然而，亦可對噴嘴供應溶於該液體(此處為水)的氣體，例如若是水則為溶解有CO₂的液體狀態。水的流量可在將固定壓力(通常為0.4MPa)施加在純水槽(未圖示)的狀態下，調節孔口(流量調整閥)535，並藉由水流量計533一面確認並控制其輸出。

(D)2流體調整部

2流體調整部(D)係具有用以調整所生成的2流體之溫度及飽和水蒸氣之濕度之附有2流體溫度控制機構的加熱部541。

(E)混相流體噴射部

混相流體噴射部(E)係由以下構件所構成：用以對對象物噴射混相流體之可朝前後左右方向(第8圖的X軸噴嘴掃描範圍或Y軸噴嘴掃描範圍)移動的連串噴嘴1；用以使噴 嘴之移動順暢地進行的可撓(flexible)配管552；以及用以計測流體之噴嘴前方的壓力之壓力計553。連串噴嘴1係藉由朝X軸方向掃描，而可有效地處理基板。此外，第8圖所示的噴嘴係為連串噴嘴1之側面的概略構成圖。

(F)基板保持/旋轉部

基板保持/旋轉部(F)是由以下構件所構成：可搭載/保持對象物(基板)的工作台561；以及用以使工作台561旋轉的旋轉馬達562。

以下，說明本發明之裝置的作用。

本發明之裝置會噴射出將水蒸氣供應部所供應的水蒸氣、以及水供應部所供應的水在連串噴嘴1內混合而生成的混相流體。此外，藉由混合惰性氣體或清淨空氣，可抑制而降低水蒸氣的噴射量，並且獲得高的壓力。例如，在稀有金屬的剝離(lift off)步驟中，可一面使抗蝕劑殘留，一面僅剝離回收稀有金屬，因此亦可使惰性氣體或清淨空氣混合在水蒸氣當中。

在本發明之連串噴嘴1的第二氣體導入孔201係供導入從水蒸氣供應部所供應的水蒸氣、以及來自氣體供應部的氣體。從該第二氣體導入孔所導入的氣體可藉由遮蔽棒205暫時遮斷其氣流，並且在空氣滯留空間203內滯留之後，均勻地被供應至各加速噴嘴100的第一氣體導入孔101。

另一方面，水從水供應部供應至連串噴嘴1的第二液體導入孔301。此時，所供應的水亦可使用經添加藥液來 混合者。從第二液體導入孔301所導入的水在流到液體滯留空間302的底面部之後，會在該滯留空間內滯留，並從設於該空間內之上部的液體供應孔303均勻地被供應至各加速噴嘴的第一液體導入孔103。

在連串加速噴嘴部10內的各加速噴嘴內，從第一氣體導入孔101所導入的氣體、以及從加速流路側面的第一液體導入孔103所供應的液體係藉由該加速流路加速而從噴出口107噴出。由於各噴嘴的氣體及液體的供應量均勻，因此從各噴嘴所噴射的混相流體的量就會均勻。

如上所述，藉由一面噴射混相流體，一面使連串噴嘴1相對於經連接噴出口107的橫向(Y軸)而朝垂直方向(X軸)掃描基板，可有效地處理基板整體。又，由於從各加速噴嘴所噴出的混相流體的量為均勻，因此可均勻地處理基板表面上。再者，藉由在噴出口107設置狹縫109，可使衝擊力均勻，因而可以一次的掃描處理均勻地處理基板。

[實施例] 例1

在以下的條件下，使用設為有七隻加速噴嘴部的本發明之連串噴嘴1來噴射混相流體，並觀察從各噴嘴所噴出的流體之狀態。結果顯示於第9圖。再者，根據該條件，對於在形成有電極配線圖案(pattern)的抗蝕劑表面形成有金的薄膜之基板噴射混相流體(氣體：蒸氣+空氣、液體：水)，進行剝離不需要的金。

氣體整體的壓力：0.34MPa

蒸氣的溫度：68℃

蒸氣的流量：15kg/Hr．隻

空氣的溫度：25℃

空氣的流量：150L/min．隻

純水的流量：300cc/min．隻

純水的溫度：20℃

噴嘴GAP：10mm

噴嘴掃描：15mm/s

例2

以比較實驗而言，所使用之連串噴嘴，除了未設有遮蔽棒、及噴出口狹縫，且P/W比為7.0以外，其餘皆與例1相同構造，以與例1同樣的條件噴射混相流體，並觀察從各噴嘴噴出的混相流體之狀態。結果顯示於第9圖。再者，根據該條件，對於在形成有電極配線圖案的抗蝕劑表面形成有金的薄膜之基板噴射混相流體(氣體：蒸氣+空氣、液體：水)，進行剝離不需的金。

根據以上的結果，將利用例1之連串噴嘴噴射混相流體的情況與例2的情況進行比較，可觀察出來自各噴嘴的噴射量已變為均勻(第9圖)。再者，在進行金的剝離時，在使用例1之連噴嘴的情況下，可觀察到金被均勻地剝離的樣態，但是在例2之連串噴嘴的情況下，可觀察到一部分的金並沒有剝離而殘留的樣態。

衝擊力之均勻性的實驗

在以下的條件下，使用設為有七隻加速噴嘴的本發明 之連串噴嘴1來噴射混相流體，並測定從各噴嘴噴出的流體的衝擊力。此外，衝擊力的測定是使用荷重計(load cell)。結果顯示於第10圖、第11圖。

氣體整體的壓力：0.34MPa

蒸氣的溫度：68℃

蒸氣的流量：15kg/Hr．隻

空氣的溫度：25℃

空氣的流量：150L/min．隻

純水的流量：300cc/min．隻

純水的溫度：20℃

噴嘴GAP：10mm

噴嘴掃描：0mm/s

根據以上的結果，在未設有遮蔽棒的情況，從位於中心的加速噴嘴之氣體的噴射量會變多，而液體的噴射量會變少。藉由設置遮蔽棒而使來自各噴嘴之氣體、液體的各噴出量變得均一。尤其在角度為60°至120°時，來自各噴嘴之噴出量會具有高的均勻性。

更詳言之，使用設有180°遮蔽棒，未設有噴出口狹縫的連串噴嘴、以及例1所使用的連串噴嘴，並進行衝擊力的詳細測定。在上述噴設條件下，一面使噴嘴橫向位置從連串噴嘴的一端變化到另一端，一面測定衝擊力。結果顯示於第12圖。

結果，藉由在噴出口間設置[狹縫寬度]/[噴出口的縱向寬度]為0.4、且狹縫之深度為5mm的狹縫，並且將遮蔽 棒的角形狀傾斜部位的傾斜角度設定為90°，在各噴嘴下、以及噴嘴噴出口間的衝擊力分布顯示出高的均勻性。

[產業上的利用可能性]

本發明之噴嘴及裝置係可使用在半導體晶圓、液晶顯示器、硬碟等紀錄媒體、及印刷電路板、太陽電池基板等之製程中的剝離、洗淨步驟、以及發光二極體、半導體雷射等發光元件製程的電極形成步驟。

1‧‧‧連串噴嘴

10‧‧‧連串加速噴嘴部

20‧‧‧氣體滯留部

30‧‧‧液體滯留部

100‧‧‧加速噴嘴

101‧‧‧第一氣體導入孔

103‧‧‧第一液體導入孔

105‧‧‧加速流路

107、107a、107b、107c、107d、107e、107f、107g、107h‧‧‧噴出口

109‧‧‧狹縫

201‧‧‧第二氣體導入孔

203‧‧‧氣體滯留空間

205‧‧‧遮蔽棒

301‧‧‧第二液體導入孔

302‧‧‧液體滯留空間

303‧‧‧液體供應孔

511‧‧‧水供應管

512‧‧‧蒸氣產生器

513‧‧‧水蒸氣開閉閥

514‧‧‧壓力計

515‧‧‧水蒸氣壓力調整閥

516‧‧‧加熱蒸氣生成器兼飽和蒸氣濕度調整器

517‧‧‧安全閥

521‧‧‧氣體供應管

522‧‧‧氣體壓力調整閥

523‧‧‧氣體開閉兼用流量調整閥

524‧‧‧附有氣體溫度控制機構的加熱部

525‧‧‧氣體流量計

531‧‧‧水供應管

532‧‧‧附有水溫控制機構的加熱部

533‧‧‧水流量計

534‧‧‧下游供應用水開閉閥

535‧‧‧孔口

552‧‧‧可撓配管

553‧‧‧壓力計

561‧‧‧工作台

562‧‧‧旋轉馬達

1051‧‧‧導入路

1053‧‧‧壓縮部

1055‧‧‧加速路

2031‧‧‧滯留空間出口

2051‧‧‧角形狀傾斜部位

2053‧‧‧凹槽

A‧‧‧水蒸氣供應部

B‧‧‧氣體供應部

C‧‧‧水供應部

D‧‧‧2流體調整部

E‧‧‧混相流體噴射部

F‧‧‧基板保持/旋轉/上下機構部

第1圖係為本發明之連串噴嘴的前視圖。

第2圖係為本發明之連串噴嘴的側視圖。

第3圖係為本發明之連串噴嘴的下視圖。

第4圖係為本發明之連串噴嘴的俯視圖。

第5圖係為擴散寬度W(([壓縮部橫寬]-[噴出口橫寬])/2)與距離P的說明圖。

第6圖係為顯示本發明之連串噴嘴的狹縫構造的照片。

第7圖(a)至(c)係為顯示遮蔽棒構造的圖。

第8圖係為本發明之基板處理裝置的概略構成圖。

第9圖係為顯示從本發明之連串噴嘴噴射混相流體之樣態的照片。

第10圖(a)至(d)係為顯示測定從本發明之連串噴嘴噴出的流體之衝擊力的結果之圖表。

第11圖(a)至(c)係為顯示測定從本發明之連串噴嘴噴出的流體之衝擊力的結果之圖表。

第12圖(a)及(b)係為顯示使從本發明之連串噴嘴噴出的流體之衝擊力朝橫向改變位置並加以測定的結果之圖表。

101‧‧‧第一氣體導入孔

103‧‧‧第一液體導入孔

105‧‧‧加速流路

107‧‧‧噴出口

201‧‧‧第二氣體導入孔

203‧‧‧氣體滯留空間

205‧‧‧遮蔽棒

301‧‧‧第二液體導入孔

302‧‧‧液體滯留空間

1051‧‧‧導入路

1053‧‧‧壓縮部

1055‧‧‧加速路

2031‧‧‧滯留空間出口

Claims (13)

1. 一種連串噴嘴，係具備連串加速噴嘴部及遮蔽棒，該連串加速嘴部係具備複數個加速噴嘴且該加速噴嘴係並列配設，該加速噴嘴係具有：第一氣體導入孔；設在比起前述第一氣體導入孔更下游的第一液體導入孔；使從該第一氣體導入孔供應的氣體及從該第一液體導入孔供應的液體加速的加速流路；以及噴射出經過加速之混相流體的噴出口，該遮蔽棒係跨於全部的複數個該第一氣體導入孔的上游而配置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之連串噴嘴，復具備氣體滯留部，該氣體滯留部係具備：第二氣體導入孔；及使從該第二氣體導入孔供應的氣體滯留，並經由前述第一氣體導入孔對前述複數個加速噴嘴供應氣體的氣體滯留空間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之連串噴嘴，其中，前述遮蔽棒係配置在前述氣體滯留部之前述氣體滯留空間內的第二氣體導入孔附近，該遮蔽棒係將從該第二氣體導入孔噴出的氣體予以擴散。
4. 如申請專利範圍第3項所述之連串噴嘴，其中，前述遮蔽棒的寬度比前述第二氣體導入孔的內徑大。
5. 如申請專利範圍第2項所述之連串噴嘴，其中，前述遮蔽棒具有與前述第二氣體導入孔之方向相對向的角形狀傾斜部位。
6. 如申請專利範圍第5項所述之連串噴嘴，其中，前述角形狀傾斜部位的傾斜角為30至150°。
7. 如申請專利範圍第5項所述之連串噴嘴，其中，前述遮蔽棒設有使前述角形狀傾斜部位的位置可轉動之構造。
8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之連串噴嘴，其中，前述複數個加速噴嘴係各個噴出口朝橫向配置成一列，從前述複數個加速噴嘴之噴出口的橫向端部到相鄰的噴出口之橫向端部的距離P相對於前述複數個加速噴嘴之噴出口的橫向擴展寬度W(([壓縮部橫寬]-[噴出口橫寬])/2)的比([P]/[W])為0.2至1.0。
9. 如申請專利範圍第8項所述之連串噴嘴，其中，前述噴出口設有將相鄰的噴出口相連，並且朝噴出方向開放的狹縫。
10. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之連串噴嘴，其中，復具備液體滯留部，該液體滯留部係具備：第二液體導入孔；及使從該第二液體導入孔導入的液體滯留，並經由前述第一液體導入孔對前述複數個加速噴嘴供應液體的液體滯留空間。
11. 如申請專利範圍第10項所述之連串噴嘴，其中，前述液體滯留部係設在前述連串噴嘴的側面，前述液體滯留空間係具有橫長直方體形狀，前述第二液體導入孔係設在液體滯留空間之一端的上部， 前述第一液體導入孔係設在前述液體滯留空間之另一端的上部。
12. 一種基板處理裝置，係具備：申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之連串噴嘴；對前述連串噴嘴供應水蒸氣的蒸氣產生部；以及對前述連串噴嘴供應液體的水供應部。
13. 如申請專利範圍第12項所述之基板處理裝置，復具備：對前述連串噴嘴供應惰性氣體或清淨空氣的氣體供應部。