JPS62226632A - 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 - Google Patents
不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法Info
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- JPS62226632A JPS62226632A JP7026286A JP7026286A JPS62226632A JP S62226632 A JPS62226632 A JP S62226632A JP 7026286 A JP7026286 A JP 7026286A JP 7026286 A JP7026286 A JP 7026286A JP S62226632 A JPS62226632 A JP S62226632A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造ブＯセスに関し、特に不純物
原子のゲッタリングのための格子欠陥を半導体ウェハ背
面に導入する方法に関するものである。
原子のゲッタリングのための格子欠陥を半導体ウェハ背
面に導入する方法に関するものである。
［従来の技術］
第２図を参照して、半導体ウェハの背面に格子欠陥を導
入するためにバックサイドダメージを与える方法が概略
的に図解されている。半導体ウェハ２１は、石英ブラシ
２２またはＳｉ Ｏ２粒子の噴射装置２２によってバッ
クサイドダメージ２３が与えられる。
入するためにバックサイドダメージを与える方法が概略
的に図解されている。半導体ウェハ２１は、石英ブラシ
２２またはＳｉ Ｏ２粒子の噴射装置２２によってバッ
クサイドダメージ２３が与えられる。
〔発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のバックサイドダメージ形成方法にお
いては、噴射されたＳｉ ０２粒子やその破片または石
英ブラシの摩耗粒子が残存し、これらが後のプロセスに
おいてウェハの汚染源となるなどの問題があった。
いては、噴射されたＳｉ ０２粒子やその破片または石
英ブラシの摩耗粒子が残存し、これらが後のプロセスに
おいてウェハの汚染源となるなどの問題があった。
本発明はこのような問題を解消するためになされたもの
で、ウェハの汚染源を全く残存させないでバックサイ１
−ダメージを形成する方法を提供することを目的として
いる。
で、ウェハの汚染源を全く残存させないでバックサイ１
−ダメージを形成する方法を提供することを目的として
いる。
［問題点を解決するための手段］
本発明による方法は、氷の粒子を半導体ウェハの背面に
噴射することによってバックサイドダメージを形成する
ようにしたものである。
噴射することによってバックサイドダメージを形成する
ようにしたものである。
［作用コ
本発明による半導体ウェハのバックサイドダメージ形成
方法は、氷の粒子を半導体ウェハの背面に噴射衝突さぜ
るＩ＃撃によって格子欠陥を導入する。
方法は、氷の粒子を半導体ウェハの背面に噴射衝突さぜ
るＩ＃撃によって格子欠陥を導入する。
［弁明の実施例］
第１図を参照して、本発明による半導体ウェハ背面に格
子欠陥を導入する方法が概略的に図解されている。たと
えば、断面が４００ｘ４００ｍｍ２で高さが１２００ｍ
ｍの容器１は、液体窒素源２から供給された液体窒素３
によって高さ５００１１１ｍまで満されている。この液
体窒素３においで、散気管４からＮ素ガスを３００ｒＬ
、／ｍ ２−ｍ１ｎの割合で噴き出すことによって、液
体窒素３の表面に数ｍｍの波を生じさせる。この窒素ガ
スは液体窒素源２から熱交換器５を介して与えられる。
子欠陥を導入する方法が概略的に図解されている。たと
えば、断面が４００ｘ４００ｍｍ２で高さが１２００ｍ
ｍの容器１は、液体窒素源２から供給された液体窒素３
によって高さ５００１１１ｍまで満されている。この液
体窒素３においで、散気管４からＮ素ガスを３００ｒＬ
、／ｍ ２−ｍ１ｎの割合で噴き出すことによって、液
体窒素３の表面に数ｍｍの波を生じさせる。この窒素ガ
スは液体窒素源２から熱交換器５を介して与えられる。
一方、容器１の上部に設けられたノズル６には、純水源
７から１ 、２ ｋｇ、／ａｍ２Ｑの圧力と０．１ ｍ
ｍ１ｎ ノ流量で純水が供給されるとともに、１．２
ｋｇ、、／ａｍ２Ｇの圧力と４．５ＮｆＬ／ｍｉｎの流
量で窒素ガスが供給される。そして、純水がノズル６か
ら霧状に噴射される。こうして液体窒素３内に噴射され
た純水の霧は瞬時に微細な氷の粒子８となる。上記の噴
射条件では約７０〜８０μｍレベルの氷の粒子が得られ
るが、これらの微細な氷の粒径は純水の噴射条件や液体
窒素中の滞在時間などを調節することによって種々に制
御することができる。
７から１ 、２ ｋｇ、／ａｍ２Ｑの圧力と０．１ ｍ
ｍ１ｎ ノ流量で純水が供給されるとともに、１．２
ｋｇ、、／ａｍ２Ｇの圧力と４．５ＮｆＬ／ｍｉｎの流
量で窒素ガスが供給される。そして、純水がノズル６か
ら霧状に噴射される。こうして液体窒素３内に噴射され
た純水の霧は瞬時に微細な氷の粒子８となる。上記の噴
射条件では約７０〜８０μｍレベルの氷の粒子が得られ
るが、これらの微細な氷の粒径は純水の噴射条件や液体
窒素中の滞在時間などを調節することによって種々に制
御することができる。
こうして製造された氷の粒子８は、たとえばスクリュー
フィーダ９によってホッパ１０内に輸送される。ホッパ
１０内の氷粒子は次にブラスト装置１１に供給される。
フィーダ９によってホッパ１０内に輸送される。ホッパ
１０内の氷粒子は次にブラスト装置１１に供給される。
このブラスト装置１１はたとえば高圧気体エジェクタ方
式のものであって、５ｋｇ、７ｃｍ２Ｑの高圧でＩＮｆ
Ｌ、／ｍｉｎの流量の窒素がスによって、氷粒子を０．
３Ｑ／ｍｉｎの割合で噴射させる。この噴射された氷粒
子を半導体ウェハの背面に衝突させる衝撃によって格子
欠陥を導入してバックサイドダメージを形成する。
式のものであって、５ｋｇ、７ｃｍ２Ｑの高圧でＩＮｆ
Ｌ、／ｍｉｎの流量の窒素がスによって、氷粒子を０．
３Ｑ／ｍｉｎの割合で噴射させる。この噴射された氷粒
子を半導体ウェハの背面に衝突させる衝撃によって格子
欠陥を導入してバックサイドダメージを形成する。
このように、本発明によれば、格子欠陥を導入する衝撃
粒子として微細な氷粒子を用いるので、後の工程で汚染
源となるような粒子や摩耗物を残存させることがない。
粒子として微細な氷粒子を用いるので、後の工程で汚染
源となるような粒子や摩耗物を残存させることがない。
本発明のもう１つの実施例によれば、超純水に炭酸ガス
を含ませることによって１ＭΩ・ｃＩｌｌ以下の比抵抗
に下げられた水から製氷された氷粒子を噴射する。この
場合、低抵抗の水が静電気を解放するように作用するの
で、噴射衝撃詩における静電気による汚染物の吸着など
の心配を解消させる。
を含ませることによって１ＭΩ・ｃＩｌｌ以下の比抵抗
に下げられた水から製氷された氷粒子を噴射する。この
場合、低抵抗の水が静電気を解放するように作用するの
で、噴射衝撃詩における静電気による汚染物の吸着など
の心配を解消させる。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、氷の粒子を噴射するこ
とによって半導体ウェハの背面に格子欠陥を導入するの
で、石英ブラシやＳｉ ０２粒子を用いる場合のように
、残存する摩耗粒子や噴射粒子による後工程における汚
染の問題が解消される。
とによって半導体ウェハの背面に格子欠陥を導入するの
で、石英ブラシやＳｉ ０２粒子を用いる場合のように
、残存する摩耗粒子や噴射粒子による後工程における汚
染の問題が解消される。
第１図は本発明による半導体ウェハ背面に格子欠陥を導
入する方法を概略的に図解している。 第２図は従来の半導体ウェハのバックサイドダメージ形
成方法を概略的に図解している。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体
窒素、４は散気管、５は熱交換器、６はノズル、７は純
水源、８は氷の粒子、９はスクリューフィーダ、１ｏは
ホッパ、１１はブラスト装置、１２は半導体ウェハ、１
３はバックサイドダメージを示す。
入する方法を概略的に図解している。 第２図は従来の半導体ウェハのバックサイドダメージ形
成方法を概略的に図解している。 図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体
窒素、４は散気管、５は熱交換器、６はノズル、７は純
水源、８は氷の粒子、９はスクリューフィーダ、１ｏは
ホッパ、１１はブラスト装置、１２は半導体ウェハ、１
３はバックサイドダメージを示す。
Claims (6)
- （１）氷の粒子を半導体ウェハの背面に噴射することに
よつて格子欠陥を半導体ウェハ背面に導入する方法。 - （２）前記氷の粒子はガスの噴流によつて噴射されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （３）前記氷の粒子は１〜１００μｍの粒径であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
方法。 - （４）前記氷は超純水の氷であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかの項に記載さ
れた方法。 - （５）前記氷は超純水に炭酸ガスが混入された水の氷で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかの項に記載された方法。 - （６）前記超純水に炭酸ガスが混入された水は１ＭΩ・
ｃｍ以下の比抵抗を有することを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026286A JPS62226632A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026286A JPS62226632A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226632A true JPS62226632A (ja) | 1987-10-05 |
Family
ID=13426444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026286A Pending JPS62226632A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62226632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0561577A2 (en) * | 1992-03-17 | 1993-09-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for treatment of semiconductor wafer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532072A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-10 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS55106538A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Shimadzu Corp | Removing method of surface from substance |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7026286A patent/JPS62226632A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532072A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-10 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS55106538A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Shimadzu Corp | Removing method of surface from substance |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0561577A2 (en) * | 1992-03-17 | 1993-09-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for treatment of semiconductor wafer |
| JPH05267307A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの処理方法 |
| EP0561577A3 (en) * | 1992-03-17 | 1996-10-16 | Shinetsu Handotai Kk | Method for treatment of semiconductor wafer |
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