JPH05267307A - 半導体ウェーハの処理方法 - Google Patents
半導体ウェーハの処理方法Info
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- JPH05267307A JPH05267307A JP4091771A JP9177192A JPH05267307A JP H05267307 A JPH05267307 A JP H05267307A JP 4091771 A JP4091771 A JP 4091771A JP 9177192 A JP9177192 A JP 9177192A JP H05267307 A JPH05267307 A JP H05267307A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハに機械的歪を導入する際に不
純物による汚染を少なくし、かつ、不純物を効果的に取
り除き、しかも、半導体ウェーハに導入される格子欠陥
の密度を思うように変化させて制御する。 【構成】 半導体ウェーハに粒子を衝突させ、前記半導
体ウェーハ表面に意図的に格子歪を導入する方法におい
て、３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である物質を
０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、前記粒子を
半導体ウェーハ表面に衝突させることにより半導体ウェ
ーハ表面に格子歪を導入させる。
純物による汚染を少なくし、かつ、不純物を効果的に取
り除き、しかも、半導体ウェーハに導入される格子欠陥
の密度を思うように変化させて制御する。 【構成】 半導体ウェーハに粒子を衝突させ、前記半導
体ウェーハ表面に意図的に格子歪を導入する方法におい
て、３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である物質を
０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、前記粒子を
半導体ウェーハ表面に衝突させることにより半導体ウェ
ーハ表面に格子歪を導入させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの処理
方法に関し、より詳しくは、半導体ウェーハに機械的歪
を導入する際に不純物汚染が少なく、かつ、不純物を効
果的に取り除けるようにした半導体ウェーハの処理方法
に関する。
方法に関し、より詳しくは、半導体ウェーハに機械的歪
を導入する際に不純物汚染が少なく、かつ、不純物を効
果的に取り除けるようにした半導体ウェーハの処理方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置がより小型化、高集積
化されるに伴ない、半導体装置の基板材料となる半導体
ウェーハに対する要求もより高度化している。その要求
の一つとして、半導体装置の製造工程において、半導体
ウェーハよりなる基板での結晶欠陥の発生の抑制があ
る。
化されるに伴ない、半導体装置の基板材料となる半導体
ウェーハに対する要求もより高度化している。その要求
の一つとして、半導体装置の製造工程において、半導体
ウェーハよりなる基板での結晶欠陥の発生の抑制があ
る。
【０００３】このような結晶欠陥の抑制の技術として、
素子形成工程で導入される重金属を主とする不純物を、
素子形成領域外に歪場を作り、そこに集めてしまうゲッ
タリング法が知られている。このゲッタリング法は、イ
ントリンシックゲッタリング（ＩＧ）とエックストリン
シックゲッタリング（ＥＧ）とに大別される。
素子形成工程で導入される重金属を主とする不純物を、
素子形成領域外に歪場を作り、そこに集めてしまうゲッ
タリング法が知られている。このゲッタリング法は、イ
ントリンシックゲッタリング（ＩＧ）とエックストリン
シックゲッタリング（ＥＧ）とに大別される。
【０００４】このうち、イントリンシックゲッタリング
法はＩＢＭ社のＴａｎ等によって提案されたもので、、
ウェーハ表面に無欠陥層を形成し内部に高欠陥密度層を
形成させることを基本原理としており、チョクラルスキ
ー法（ＣＺ法）により引き上げられるＣＺ結晶中に導入
された過飽和の酸素を１０００℃近傍の熱処理によって
これらの酸素をクリストバライトのような酸化物として
析出させ、これを高欠陥密度発生源層として利用しよう
とするものである。そして、この方法には、６５０℃〜
８００℃の低温と１０００℃以上の高温の熱処理の組み
合わせにより３種類に分類される方法がある。イントリ
ンシックゲッタリングはエックストリンシックゲッタリ
ングと異なり、外部から付加すべき不純物が少なく工程
終了まで効果が維持されるという特長を有するが、バル
ク結晶中の酸素濃度の正確な制御と均一な分布を必要と
する点に困難性がある。
法はＩＢＭ社のＴａｎ等によって提案されたもので、、
ウェーハ表面に無欠陥層を形成し内部に高欠陥密度層を
形成させることを基本原理としており、チョクラルスキ
ー法（ＣＺ法）により引き上げられるＣＺ結晶中に導入
された過飽和の酸素を１０００℃近傍の熱処理によって
これらの酸素をクリストバライトのような酸化物として
析出させ、これを高欠陥密度発生源層として利用しよう
とするものである。そして、この方法には、６５０℃〜
８００℃の低温と１０００℃以上の高温の熱処理の組み
合わせにより３種類に分類される方法がある。イントリ
ンシックゲッタリングはエックストリンシックゲッタリ
ングと異なり、外部から付加すべき不純物が少なく工程
終了まで効果が維持されるという特長を有するが、バル
ク結晶中の酸素濃度の正確な制御と均一な分布を必要と
する点に困難性がある。
【０００５】エックストリンシックゲッタリングには、
機械的方法と物理・化学的方法とがある。機械的方法は
ウェーハ裏面に機械的損傷を与えて熱処理し、転位を発
生させるものである。物理・化学的方法には、リン拡散
法やウェーハ裏面へのイオン打ち込みによるゲッタリン
グがある。機械的方法として、従来は、石英粒子やアル
ミナ粒子を半導体ウェーハ裏面に噴射する方法が採られ
てきた。ここで、半導体ウェーハ裏面に導入された格子
歪をバックサイドダメージと呼び、その大きさは上記ゲ
ッタリング技術の重要な要素である。
機械的方法と物理・化学的方法とがある。機械的方法は
ウェーハ裏面に機械的損傷を与えて熱処理し、転位を発
生させるものである。物理・化学的方法には、リン拡散
法やウェーハ裏面へのイオン打ち込みによるゲッタリン
グがある。機械的方法として、従来は、石英粒子やアル
ミナ粒子を半導体ウェーハ裏面に噴射する方法が採られ
てきた。ここで、半導体ウェーハ裏面に導入された格子
歪をバックサイドダメージと呼び、その大きさは上記ゲ
ッタリング技術の重要な要素である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来のバックサイドダメージ形成方法においては、噴
射された石英粒子やアルミナ粒子がさらに小さい破片と
なり、かかる半導体ウェーハ上に残され、異物となり、
ＬＳＩ等の半導体装置製造時に不良要因となり、問題が
あった。さらに、石英の破片やアルミナ中には半導体基
板の材質と異なる不純物が高濃度に含まれており、半導
体装置製造プロセスにおける汚染源となり、半導体ウェ
ーハ中に格子欠陥を生成させ、ゲッタリング効果を発現
させ歩留まりを向上させるどころか、却って歩留まり低
下の要因となってしまっていた。
な従来のバックサイドダメージ形成方法においては、噴
射された石英粒子やアルミナ粒子がさらに小さい破片と
なり、かかる半導体ウェーハ上に残され、異物となり、
ＬＳＩ等の半導体装置製造時に不良要因となり、問題が
あった。さらに、石英の破片やアルミナ中には半導体基
板の材質と異なる不純物が高濃度に含まれており、半導
体装置製造プロセスにおける汚染源となり、半導体ウェ
ーハ中に格子欠陥を生成させ、ゲッタリング効果を発現
させ歩留まりを向上させるどころか、却って歩留まり低
下の要因となってしまっていた。
【０００７】この点を解決するために氷の粒子を半導体
ウェーハの背面に噴射する方法が提案されている。しか
し、この方法では、氷の粒子は比重が一定であり、粒子
の直径を決めると自動的にその重量が決まってしまい、
また、硬度も一定しており、導入される格子欠陥の密度
を思うように変化させて制御することができず、特に、
氷の場合、比重が０．９１７ｇ／cm3 と小さいため、粒
子に付与し得る運動エネルギーの大きさにはおのずから
限界があり、半導体ウェーハに与え得るダメージの大き
さにも限界があった。
ウェーハの背面に噴射する方法が提案されている。しか
し、この方法では、氷の粒子は比重が一定であり、粒子
の直径を決めると自動的にその重量が決まってしまい、
また、硬度も一定しており、導入される格子欠陥の密度
を思うように変化させて制御することができず、特に、
氷の場合、比重が０．９１７ｇ／cm3 と小さいため、粒
子に付与し得る運動エネルギーの大きさにはおのずから
限界があり、半導体ウェーハに与え得るダメージの大き
さにも限界があった。
【０００８】本発明は、上記の点を解決しようとするも
ので、その目的は、半導体ウェーハに粒子を衝突させ、
バックサイドダメージを形成させる際に、上記のような
汚染の少ないバックサイドダメージの導入の仕方を継承
しながら、半導体ウェーハに導入される格子欠陥の密度
を思うように変化させて制御することができ、かつバッ
クサイドダメージの大きさの上限を拡げることができる
半導体ウェーハの処理方法を提供することにある。
ので、その目的は、半導体ウェーハに粒子を衝突させ、
バックサイドダメージを形成させる際に、上記のような
汚染の少ないバックサイドダメージの導入の仕方を継承
しながら、半導体ウェーハに導入される格子欠陥の密度
を思うように変化させて制御することができ、かつバッ
クサイドダメージの大きさの上限を拡げることができる
半導体ウェーハの処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体ウェーハに衝突させる粒子の比重及び硬度を選択で
きるように、かつ、粒子を構成する物質を除去し易くす
るようなものとすることにより達成される。すなわち、
本発明によれば、半導体ウェーハに粒子を衝突させ、前
記半導体ウェーハ表面に意図的に格子歪を導入する方法
において、３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である
物質を０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、前記
粒子を半導体ウェーハ表面に衝突させることにより半導
体ウェーハ表面に格子歪を導入させることを特徴とする
半導体ウェーハの処理方法が提供される。
導体ウェーハに衝突させる粒子の比重及び硬度を選択で
きるように、かつ、粒子を構成する物質を除去し易くす
るようなものとすることにより達成される。すなわち、
本発明によれば、半導体ウェーハに粒子を衝突させ、前
記半導体ウェーハ表面に意図的に格子歪を導入する方法
において、３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である
物質を０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、前記
粒子を半導体ウェーハ表面に衝突させることにより半導
体ウェーハ表面に格子歪を導入させることを特徴とする
半導体ウェーハの処理方法が提供される。
【００１０】本発明においては、粒子を構成する物質と
して３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である物質が
採用される。本発明おいては、粒子の半導体ウェーハへ
の衝突後、洗浄することが必須であるので、粒子を構成
する物質は、この洗浄する温度で極めて水あるいは水溶
液に溶解し易いことが要求される。本発明者らがこの粒
子を構成する物質について、種々試行してみたところ、
無機物質は金属不純物が混入されており、これがさらに
汚染源となるため本発明の目的に適合しないことが判明
した。本発明の粒子を構成する物質は３０℃以下に融点
を持つために、半導体ウェーハに衝突させた後、半導体
ウェーハ面にこの粒子構成物質が付着しても、雰囲気温
度をこの粒子構成物質の温度以上にすることにより半導
体ウェーハ面で液状化させることができる。液状化する
とそれだけでも半導体ウェーハ面から除去し易くなる
が、この粒子構成物質は水溶性であるため、水または水
溶液によってより一層半導体ウェーハから除去し易い。
従って、例えば粒子衝突後に８０℃以上の温度でＲＣＡ
洗浄を行なえば、上記粒子構成物質は極めて容易に除去
することができる。
して３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である物質が
採用される。本発明おいては、粒子の半導体ウェーハへ
の衝突後、洗浄することが必須であるので、粒子を構成
する物質は、この洗浄する温度で極めて水あるいは水溶
液に溶解し易いことが要求される。本発明者らがこの粒
子を構成する物質について、種々試行してみたところ、
無機物質は金属不純物が混入されており、これがさらに
汚染源となるため本発明の目的に適合しないことが判明
した。本発明の粒子を構成する物質は３０℃以下に融点
を持つために、半導体ウェーハに衝突させた後、半導体
ウェーハ面にこの粒子構成物質が付着しても、雰囲気温
度をこの粒子構成物質の温度以上にすることにより半導
体ウェーハ面で液状化させることができる。液状化する
とそれだけでも半導体ウェーハ面から除去し易くなる
が、この粒子構成物質は水溶性であるため、水または水
溶液によってより一層半導体ウェーハから除去し易い。
従って、例えば粒子衝突後に８０℃以上の温度でＲＣＡ
洗浄を行なえば、上記粒子構成物質は極めて容易に除去
することができる。
【００１１】有機物で室温より低温で固体となり得て、
かつ前記のバックサイドダメージを与えた直後の洗浄時
に水溶性の高い物質の具体例としては、アセトイン、ア
セトニトリル、アセトンアジン、２−アミノエタノー
ル、エタノール、蟻酸、酢酸、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、トリエチレングルコール、２，５
−ヘキサンジオン、ビニル酢酸、メタノール、酪酸等が
望ましいものとして挙げられる。
かつ前記のバックサイドダメージを与えた直後の洗浄時
に水溶性の高い物質の具体例としては、アセトイン、ア
セトニトリル、アセトンアジン、２−アミノエタノー
ル、エタノール、蟻酸、酢酸、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、トリエチレングルコール、２，５
−ヘキサンジオン、ビニル酢酸、メタノール、酪酸等が
望ましいものとして挙げられる。
【００１２】本発明においては、半導体ウェーハに粒子
を衝突させた半導体ウェーハ表面に格子歪を導入させた
後、前記半導体ウェーハを水または前記粒子を溶解し得
る水溶液により、５０℃〜１００℃の水または水溶液中
において前記粒子を構成する物質を溶解するための洗浄
を行う。これにより、半導体ウェーハへの粒子衝突後
に、半導体ウェーハ表面に粒子構成物質が残存していて
も、これを完全に除去することができる。この時の水ま
たは水溶液の温度を５０℃〜１００℃とすることにより
洗浄速度が速くなり、洗浄も完全に行なうことができ
る。
を衝突させた半導体ウェーハ表面に格子歪を導入させた
後、前記半導体ウェーハを水または前記粒子を溶解し得
る水溶液により、５０℃〜１００℃の水または水溶液中
において前記粒子を構成する物質を溶解するための洗浄
を行う。これにより、半導体ウェーハへの粒子衝突後
に、半導体ウェーハ表面に粒子構成物質が残存していて
も、これを完全に除去することができる。この時の水ま
たは水溶液の温度を５０℃〜１００℃とすることにより
洗浄速度が速くなり、洗浄も完全に行なうことができ
る。
【００１３】洗浄に使用する水は高度に純粋である必要
があり、重金属等発明の目的に合致しない成分は含まれ
ていないことが必須である。水溶液としては、アンモニ
ア水と過酸化水素水の混合水溶液が用いられる。この水
溶液についても、水の場合と同様に重金属等が含まれて
いないことが必要である。
があり、重金属等発明の目的に合致しない成分は含まれ
ていないことが必須である。水溶液としては、アンモニ
ア水と過酸化水素水の混合水溶液が用いられる。この水
溶液についても、水の場合と同様に重金属等が含まれて
いないことが必要である。
【００１４】本発明においては、半導体ウェーハへ衝突
させる粒子は、例えば、特開昭６２−２２６６３２号公
報に示された方法を採用することができる。その方法の
一例として、液体窒素温度で、上記の本発明の粒子構成
物質またはこの粒子構成物質の混合物を噴射し微細な微
粒子とする方法が挙げられる。この場合上記粒子構成物
質の混合物は有機物溶液である場合がある。
させる粒子は、例えば、特開昭６２−２２６６３２号公
報に示された方法を採用することができる。その方法の
一例として、液体窒素温度で、上記の本発明の粒子構成
物質またはこの粒子構成物質の混合物を噴射し微細な微
粒子とする方法が挙げられる。この場合上記粒子構成物
質の混合物は有機物溶液である場合がある。
【００１５】半導体ウェーハへの粒子の衝突は、ガスの
噴流で搬送された粒子の衝突により行なわれるのが好ま
しい。このガスの噴流は、上記粒子を製造する際に用い
た液化ガスが気化して生じた極く低温のガスが用いられ
る。すなわち、製造した粒子は製造直後に半導体ウェー
ハへ衝突させるようにするのが好ましい。こうすること
によって、粒子構成物質が液化したり、蒸発したりし
て、機械的衝撃に有効に使える割合が減少するのを防ぐ
ことができる。
噴流で搬送された粒子の衝突により行なわれるのが好ま
しい。このガスの噴流は、上記粒子を製造する際に用い
た液化ガスが気化して生じた極く低温のガスが用いられ
る。すなわち、製造した粒子は製造直後に半導体ウェー
ハへ衝突させるようにするのが好ましい。こうすること
によって、粒子構成物質が液化したり、蒸発したりし
て、機械的衝撃に有効に使える割合が減少するのを防ぐ
ことができる。
【００１６】
【作用】３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である物
質を０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、この粒
子を半導体ウェーハ表面に衝突させて半導体ウェーハ表
面に格子歪を導入させる。粒子構成物質を変化させるこ
とにより、粒子の比重や硬度を変化させることができ、
そのために半導体ウェーハ表面に衝突する際の衝撃エネ
ルギーを変化させることができる。これにより半導体ウ
ェーハ表面に導入される格子欠陥の密度を思うように変
化させて制御することができる。粒子構成物質が３０℃
以下に融点を持つ水溶性の物質の場合、粒子衝突時に半
導体ウェーハ表面に粒子構成物質が付着しても、昇温さ
せ、水あるいは水溶液で洗浄することにより容易に粒子
構成物資を洗浄除去することができる。そして、水ある
いは水溶液による洗浄であるために洗浄回数が少なくて
済み、洗浄後に重金属のような不純物が残留することが
ない。
質を０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、この粒
子を半導体ウェーハ表面に衝突させて半導体ウェーハ表
面に格子歪を導入させる。粒子構成物質を変化させるこ
とにより、粒子の比重や硬度を変化させることができ、
そのために半導体ウェーハ表面に衝突する際の衝撃エネ
ルギーを変化させることができる。これにより半導体ウ
ェーハ表面に導入される格子欠陥の密度を思うように変
化させて制御することができる。粒子構成物質が３０℃
以下に融点を持つ水溶性の物質の場合、粒子衝突時に半
導体ウェーハ表面に粒子構成物質が付着しても、昇温さ
せ、水あるいは水溶液で洗浄することにより容易に粒子
構成物資を洗浄除去することができる。そして、水ある
いは水溶液による洗浄であるために洗浄回数が少なくて
済み、洗浄後に重金属のような不純物が残留することが
ない。
【００１７】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例１ 本発明の実施にあたり、有機物質の微粒子を作成する方
法として、特開昭６２−２２６６３２号公報に示されて
いる方法に従った。特開昭６２−２２６６３２号公報に
示された方法は以下に示す内容である。すなわち、容器
中に貯められた液体窒素の溶液の上方から窒素ガスによ
りノズル中を押出された酢酸溶液の霧は瞬時に微細な氷
酢酸粒子となる。これらの微細な粒子径はかかる溶液の
噴射条件や液体窒素中の滞在時間等を調節することによ
り種々に制御することができる。すなわち、液体窒素温
度でかかる有機物質を噴射し、微細な微粒子とする方法
を採用した。上記公報記載の方法に示されているよう
に、約０．０７〜０．０８ｍｍの直径の粒子が得られ
た。この粒子を上記特開昭６２−２２６６３２号と比較
するために粒子構成物質を変える以外は全く同じ条件で
半導体ウェーハに噴射した。すなわち高圧エジエクタ方
式のものであって、５ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの高圧で１Ｎｌ／
ｍｉｎの流量の窒素ガスによって、半導体ウェーハ面に
噴射した。かかる半導体ウェーハを８５℃に熱したアン
モニア水と過酸化水素水の混合溶液中に浸し２０分間洗
浄した。
法として、特開昭６２−２２６６３２号公報に示されて
いる方法に従った。特開昭６２−２２６６３２号公報に
示された方法は以下に示す内容である。すなわち、容器
中に貯められた液体窒素の溶液の上方から窒素ガスによ
りノズル中を押出された酢酸溶液の霧は瞬時に微細な氷
酢酸粒子となる。これらの微細な粒子径はかかる溶液の
噴射条件や液体窒素中の滞在時間等を調節することによ
り種々に制御することができる。すなわち、液体窒素温
度でかかる有機物質を噴射し、微細な微粒子とする方法
を採用した。上記公報記載の方法に示されているよう
に、約０．０７〜０．０８ｍｍの直径の粒子が得られ
た。この粒子を上記特開昭６２−２２６６３２号と比較
するために粒子構成物質を変える以外は全く同じ条件で
半導体ウェーハに噴射した。すなわち高圧エジエクタ方
式のものであって、５ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの高圧で１Ｎｌ／
ｍｉｎの流量の窒素ガスによって、半導体ウェーハ面に
噴射した。かかる半導体ウェーハを８５℃に熱したアン
モニア水と過酸化水素水の混合溶液中に浸し２０分間洗
浄した。
【００１８】半導体ウェーハとしてシリコンウェーハを
用いて格子欠陥の導入の様子を調べた。すなわち、シリ
コンウェーハを１１００℃の温度でスチーム雰囲気下で
２時間熱処理をした後、室温まで冷却し、その表面の酸
化膜をフッ素で除去し、さらに選択エッチング法で格子
欠陥を見えるようにした後、光学顕微鏡でそれらの密度
をカウントした。
用いて格子欠陥の導入の様子を調べた。すなわち、シリ
コンウェーハを１１００℃の温度でスチーム雰囲気下で
２時間熱処理をした後、室温まで冷却し、その表面の酸
化膜をフッ素で除去し、さらに選択エッチング法で格子
欠陥を見えるようにした後、光学顕微鏡でそれらの密度
をカウントした。
【００１９】特開昭６２−２２６６３２号の場合と異な
り、粒子を構成する物質の種類により導入された格子欠
陥の密度が異なった。その結果を氷と対比させて酢酸の
場合について示すと、氷が１０3 ／ｃｍ2 の密度に対し
て、酢酸の場合には、１０4／ｃｍ2 となった。この違
いは、比重が氷の場合に０．９１７ｇ／ｃｍ3 、酢酸の
場合１．０６９ｇ／ｃｍ3 と違うため酢酸の方が、より
ダメージが大きかったためと考えられた。同様に、前記
粒子の原料が、アセトン、アセトニトリル、アセトンア
ジン、２−アミノエタノール、エタノール、蟻酸、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレン
グリコール、２，５−ヘキサンジオン、ビニル酢酸、メ
タノール、酪酸についても同様の結果となった。これら
の物質は３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である点
に特徴がある。すなわち、シリコンウェーハ上にこれら
の物質の粒子を吹きつけた後８５℃に熱したアンモニア
水と過酸化水素水の混合水溶液中に極めて容易に溶けウ
ェーハ表面上に残らないことに特徴があることがわかっ
た。
り、粒子を構成する物質の種類により導入された格子欠
陥の密度が異なった。その結果を氷と対比させて酢酸の
場合について示すと、氷が１０3 ／ｃｍ2 の密度に対し
て、酢酸の場合には、１０4／ｃｍ2 となった。この違
いは、比重が氷の場合に０．９１７ｇ／ｃｍ3 、酢酸の
場合１．０６９ｇ／ｃｍ3 と違うため酢酸の方が、より
ダメージが大きかったためと考えられた。同様に、前記
粒子の原料が、アセトン、アセトニトリル、アセトンア
ジン、２−アミノエタノール、エタノール、蟻酸、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレン
グリコール、２，５−ヘキサンジオン、ビニル酢酸、メ
タノール、酪酸についても同様の結果となった。これら
の物質は３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である点
に特徴がある。すなわち、シリコンウェーハ上にこれら
の物質の粒子を吹きつけた後８５℃に熱したアンモニア
水と過酸化水素水の混合水溶液中に極めて容易に溶けウ
ェーハ表面上に残らないことに特徴があることがわかっ
た。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、半導体ウェーハに機械的歪を導入する際に、不
純物による汚染が少なく、かつ、不純物を効果的に取り
除くことができ、しかも、半導体ウェーハに導入される
格子欠陥の密度を思うように変化させて制御することが
できる。また、粒子構成物質として水よりも比重の大き
い物質を使用することができるため、粒子に付与する運
動エネルギーを大きくし、衝突エネルギーを大きくして
半導体ウェーハに与え得るダメージの大きさを従来に比
較して格段に大きくできるものである。
よれば、半導体ウェーハに機械的歪を導入する際に、不
純物による汚染が少なく、かつ、不純物を効果的に取り
除くことができ、しかも、半導体ウェーハに導入される
格子欠陥の密度を思うように変化させて制御することが
できる。また、粒子構成物質として水よりも比重の大き
い物質を使用することができるため、粒子に付与する運
動エネルギーを大きくし、衝突エネルギーを大きくして
半導体ウェーハに与え得るダメージの大きさを従来に比
較して格段に大きくできるものである。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェーハに粒子を衝突させ、前記
半導体ウェーハ表面に意図的に格子歪を導入する方法に
おいて、３０℃以下に融点を持ち、かつ水溶性である物
質を０．００１〜１ｍｍの直径を持つ粒子にし、前記粒
子を半導体ウェーハ表面に衝突させることにより半導体
ウェーハ表面に格子歪を導入させることを特徴とする半
導体ウェーハの処理方法。 - 【請求項２】 前記粒子を半導体ウェーハに衝突させ、
半導体ウェーハ表面に格子歪を導入させた後、前記半導
体ウェーハを水または前記粒子構成物質を溶解し得る水
溶液により、５０〜１００℃の水または水溶液中におい
て前記粒子構成物質を溶解するための洗浄を行なう請求
項１記載の半導体ウェーハの処理方法。 - 【請求項３】 前記半導体ウェーハへの粒子の衝突が、
ガスの噴流で搬送された粒子の衝突により行なわれる請
求項１記載の半導体ウェーハの処理方法。 - 【請求項４】 前記粒子の原料が、アセトイン、アセト
ニトリル、アセトン、アセトンアジン、２−アミノエタ
ノール、エタノール、蟻酸、酢酸、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、トリエチレングリコール、
２，５−ヘキサンジオン、ビニル酢酸、メタノール及び
酪酸よりなる群から選択使用される請求項１記載の半導
体ウェーハの処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091771A JP2732392B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体ウェーハの処理方法 |
| EP93301922A EP0561577A3 (en) | 1992-03-17 | 1993-03-12 | Method for treatment of semiconductor wafer |
| US08/031,119 US5348893A (en) | 1992-03-17 | 1993-03-12 | Method for treatment of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091771A JP2732392B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体ウェーハの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267307A true JPH05267307A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2732392B2 JP2732392B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=14035842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4091771A Expired - Lifetime JP2732392B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体ウェーハの処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5348893A (ja) |
| EP (1) | EP0561577A3 (ja) |
| JP (1) | JP2732392B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019021664A1 (ja) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 |
| JP2019029491A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3250090B2 (ja) * | 1995-06-27 | 2002-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
| US5989353A (en) * | 1996-10-11 | 1999-11-23 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| DE19716374A1 (de) * | 1997-04-18 | 1998-10-22 | Wacker Chemie Gmbh | Brechen von Reinstsilicium auf Eis |
| DE19847098A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226632A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Taiyo Sanso Kk | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3738344A1 (de) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu |
| DE3844649C2 (ja) * | 1987-06-23 | 1992-04-23 | Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp | |
| JPH0349224A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 基板の処理方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4091771A patent/JP2732392B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-12 EP EP93301922A patent/EP0561577A3/en not_active Withdrawn
- 1993-03-12 US US08/031,119 patent/US5348893A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226632A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Taiyo Sanso Kk | 不純物原子のゲツタリングのための格子欠陥を半導体ウエハ背面に導入する方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019021664A1 (ja) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 |
| JP2019029491A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 |
| US11574821B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-02-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732392B2 (ja) | 1998-03-30 |
| EP0561577A2 (en) | 1993-09-22 |
| US5348893A (en) | 1994-09-20 |
| EP0561577A3 (en) | 1996-10-16 |
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