JPH05155700A - 積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ - Google Patents
積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハInfo
- Publication number
- JPH05155700A JPH05155700A JP32078791A JP32078791A JPH05155700A JP H05155700 A JPH05155700 A JP H05155700A JP 32078791 A JP32078791 A JP 32078791A JP 32078791 A JP32078791 A JP 32078791A JP H05155700 A JPH05155700 A JP H05155700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gettering
- nuclei
- stacking fault
- produced
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、積層欠陥発生核を有するゲッタリ
ングウエハの製造方法および同方法により製造したシリ
コンウエハを提供することを目的とする。 【構成】 チョクラルスキー法により製造されたシリコ
ン単結晶を、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で１２５
０℃以上１４２０℃以下の温度で５分以上保持し、−１
℃／分以上−１０００℃／分以下の冷却速度で１０００
℃以下まで冷却する。 【効果】 上記の熱処理により、シリコン結晶内部に高
密度の積層欠陥発生核が生成され、ゲッタリング能に優
れたシリコンウエハを製造することが可能になる。
ングウエハの製造方法および同方法により製造したシリ
コンウエハを提供することを目的とする。 【構成】 チョクラルスキー法により製造されたシリコ
ン単結晶を、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で１２５
０℃以上１４２０℃以下の温度で５分以上保持し、−１
℃／分以上−１０００℃／分以下の冷却速度で１０００
℃以下まで冷却する。 【効果】 上記の熱処理により、シリコン結晶内部に高
密度の積層欠陥発生核が生成され、ゲッタリング能に優
れたシリコンウエハを製造することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハの内部
の欠陥に重金属の汚染物質を捕獲（以下ゲッタリングと
呼ぶ）させることにより、半導体デバイス製造工程の歩
留りを上げることが可能なゲッタリングウエハの製造方
法および同方法により製造されたシリコンウエハに関す
るものである。
の欠陥に重金属の汚染物質を捕獲（以下ゲッタリングと
呼ぶ）させることにより、半導体デバイス製造工程の歩
留りを上げることが可能なゲッタリングウエハの製造方
法および同方法により製造されたシリコンウエハに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化にとも
ない製造工程での重金属の汚染による動作不良が大きな
問題となっている。このためウエハの裏面あるいは内部
に故意に結晶欠陥を作り、その欠陥に重金属の汚染物質
をゲッタリングする技術が広く使われるようになってき
た。この目的のための欠陥の一つとしてとして積層欠陥
が用いられる。積層欠陥は、その発生核に酸化等の熱処
理を行うことにより発生するが、従来積層欠陥の発生核
は結晶作製時に作るか、あるいはウエハにスライス後、
サンドブラストなどのダメージにより裏面に作ることし
かできなかった。裏面に作られた積層欠陥はウエハの内
部に作られた欠陥に比べ、ウエハ表面にあるデバイス作
製領域から離れているため、この領域でのゲッタリング
能力が劣り、さらに裏面のサンドブラストによるダメー
ジは半導体デバイスプロセスに有害なパーティクルを発
生させる原因にもなる。一方、結晶作製時に作られる発
生核による積層欠陥は、ウエハの内部に発生するためゲ
ッタリング能力が優れているものの、結晶作製時の核発
生条件が明確でなく、高密度の積層欠陥発生核を安定し
て製造することは困難である。
ない製造工程での重金属の汚染による動作不良が大きな
問題となっている。このためウエハの裏面あるいは内部
に故意に結晶欠陥を作り、その欠陥に重金属の汚染物質
をゲッタリングする技術が広く使われるようになってき
た。この目的のための欠陥の一つとしてとして積層欠陥
が用いられる。積層欠陥は、その発生核に酸化等の熱処
理を行うことにより発生するが、従来積層欠陥の発生核
は結晶作製時に作るか、あるいはウエハにスライス後、
サンドブラストなどのダメージにより裏面に作ることし
かできなかった。裏面に作られた積層欠陥はウエハの内
部に作られた欠陥に比べ、ウエハ表面にあるデバイス作
製領域から離れているため、この領域でのゲッタリング
能力が劣り、さらに裏面のサンドブラストによるダメー
ジは半導体デバイスプロセスに有害なパーティクルを発
生させる原因にもなる。一方、結晶作製時に作られる発
生核による積層欠陥は、ウエハの内部に発生するためゲ
ッタリング能力が優れているものの、結晶作製時の核発
生条件が明確でなく、高密度の積層欠陥発生核を安定し
て製造することは困難である。
【０００３】このような問題点のため、積層欠陥を用い
たゲッタリング技術としては能力の劣る裏面のダメージ
による発生核を用いた積層欠陥しか使われていない。
たゲッタリング技術としては能力の劣る裏面のダメージ
による発生核を用いた積層欠陥しか使われていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のごとくゲッタリ
ングに積層欠陥を用いる場合、従来法ではウエハ裏面の
積層欠陥しか用いることができないという問題点があっ
たが、本発明は結晶作製後にウエハ内部に高密度の積層
欠陥の発生核を作ることにより、この問題点を解決し、
ゲッタリング能力の優れたウエハを提供することを目的
とするものである。
ングに積層欠陥を用いる場合、従来法ではウエハ裏面の
積層欠陥しか用いることができないという問題点があっ
たが、本発明は結晶作製後にウエハ内部に高密度の積層
欠陥の発生核を作ることにより、この問題点を解決し、
ゲッタリング能力の優れたウエハを提供することを目的
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はシリコン単結晶
に熱処理を施すことによって結晶内部に積層欠陥発生核
を作り、ゲッタリング能力の向上を図るもので、その要
旨とするところは、チョクラルスキー法によるシリコン
単結晶引き上げ後、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で
１２５０℃以上１４２０℃以下の温度から、−１℃／分
以上−１０００℃／分以下の冷却速度で冷却することを
特徴とするウエハ内部に積層欠陥発生核を有するゲッタ
リングウエハの製造方法にある。
に熱処理を施すことによって結晶内部に積層欠陥発生核
を作り、ゲッタリング能力の向上を図るもので、その要
旨とするところは、チョクラルスキー法によるシリコン
単結晶引き上げ後、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で
１２５０℃以上１４２０℃以下の温度から、−１℃／分
以上−１０００℃／分以下の冷却速度で冷却することを
特徴とするウエハ内部に積層欠陥発生核を有するゲッタ
リングウエハの製造方法にある。
【０００６】
【作用】熱処理雰囲気は不活性ガス雰囲気であればよい
が、ヘリウム、アルゴンは純度の高いガスが得られ、汚
染を最小限にすることができるのでより望ましい。また
酸化膜による表面保護効果がある酸化雰囲気も使用可能
である。熱処理温度に関しては１２５０℃未満であると
積層欠陥発生核の生成が行われず、１２５０℃以上が必
要である。また、シリコンの融点である１４２０℃超で
は単結晶が解けてしまい、不適当である。
が、ヘリウム、アルゴンは純度の高いガスが得られ、汚
染を最小限にすることができるのでより望ましい。また
酸化膜による表面保護効果がある酸化雰囲気も使用可能
である。熱処理温度に関しては１２５０℃未満であると
積層欠陥発生核の生成が行われず、１２５０℃以上が必
要である。また、シリコンの融点である１４２０℃超で
は単結晶が解けてしまい、不適当である。
【０００７】保持時間は５分以上必要であり、それ未満
であると結晶作製時にできた酸素析出物が完全に溶解し
ないため、積層欠陥発生核の生成が結晶の引き上げ作成
条件に依存するようになり、核生成が不安定になる。冷
却速度は−１℃／分〜−１０００℃／分の範囲が積層欠
陥発生核の発生が最も多く、この範囲外ではゲッタリン
グに必要な密度の積層欠陥発生核が得られない。冷却開
始温度が１３５０℃以上の場合は、冷却速度が−１００
０℃／分より大きい場合でも積層欠陥発生核が発生する
が、冷却が早すぎると結晶にスリップ転位が入り、デバ
イス製造時に支障をきたす。また、このスリップ転位発
生を避けるために、冷却開始直後は−１℃／分から−１
０℃／分の遅い冷却速度で冷却を行い、スリップ転位の
発生しにくい１３００℃以下から−１０℃／分以上の早
い冷却速度で冷却を行い、高密度の積層欠陥発生核を得
ることも可能である。
であると結晶作製時にできた酸素析出物が完全に溶解し
ないため、積層欠陥発生核の生成が結晶の引き上げ作成
条件に依存するようになり、核生成が不安定になる。冷
却速度は−１℃／分〜−１０００℃／分の範囲が積層欠
陥発生核の発生が最も多く、この範囲外ではゲッタリン
グに必要な密度の積層欠陥発生核が得られない。冷却開
始温度が１３５０℃以上の場合は、冷却速度が−１００
０℃／分より大きい場合でも積層欠陥発生核が発生する
が、冷却が早すぎると結晶にスリップ転位が入り、デバ
イス製造時に支障をきたす。また、このスリップ転位発
生を避けるために、冷却開始直後は−１℃／分から−１
０℃／分の遅い冷却速度で冷却を行い、スリップ転位の
発生しにくい１３００℃以下から−１０℃／分以上の早
い冷却速度で冷却を行い、高密度の積層欠陥発生核を得
ることも可能である。
【０００８】冷却は、１０００℃以下まで行えばよく、
そのまま室温まで冷却するのが望ましい。１０００℃以
下まで冷却しない場合には、冷却時に発生した積層欠陥
発生核が再び壊れてしまい、高密度の積層欠陥発生核を
得ることはできない。熱処理時の結晶の形状はウエハで
もよいが、ウエハをスライスする前のインゴットのまま
熱処理を行い、その後スライスしてウエハにすることも
可能である。
そのまま室温まで冷却するのが望ましい。１０００℃以
下まで冷却しない場合には、冷却時に発生した積層欠陥
発生核が再び壊れてしまい、高密度の積層欠陥発生核を
得ることはできない。熱処理時の結晶の形状はウエハで
もよいが、ウエハをスライスする前のインゴットのまま
熱処理を行い、その後スライスしてウエハにすることも
可能である。
【０００９】このようにして作られた積層欠陥発生核か
ら積層欠陥を成長させる処理としては、通常使われてい
る９００〜１１００℃での酸化雰囲気での熱処理が適し
ている。また本発明の熱処理を行ったウエハは１０５０
〜１２００℃の窒素雰囲気での熱処理によっても積層欠
陥を発生させることができる。デバイス製造プロセスに
上記の積層欠陥発生核を作ったウエハを用いる場合、こ
の積層欠陥を成長させる熱処理を行ってからプロセスに
投入するが、デバイス製造プロセスにおいて上記の積層
欠陥を作る熱処理と同等の熱処理があれば、それで代用
することも可能である。
ら積層欠陥を成長させる処理としては、通常使われてい
る９００〜１１００℃での酸化雰囲気での熱処理が適し
ている。また本発明の熱処理を行ったウエハは１０５０
〜１２００℃の窒素雰囲気での熱処理によっても積層欠
陥を発生させることができる。デバイス製造プロセスに
上記の積層欠陥発生核を作ったウエハを用いる場合、こ
の積層欠陥を成長させる熱処理を行ってからプロセスに
投入するが、デバイス製造プロセスにおいて上記の積層
欠陥を作る熱処理と同等の熱処理があれば、それで代用
することも可能である。
【００１０】
実施例１ 酸素濃度１９ｐｐｍａおよび１６ｐｐｍａのチョクラル
スキー法シリコン単結晶を用いた。積層欠陥の発生核を
作る熱処理として、ヘリウム中で１３９０℃、１２０分
の熱処理を行った後、−３００℃／分で室温まで冷却し
た。さらに積層欠陥発生核を成長させる熱処理として、
１１００℃、２３時間の熱処理を窒素中で行った。この
結晶の内部の積層欠陥密度を測るために化学エッチング
を行い、エッチピットを光学顕微鏡で測ったところ、そ
れぞれ３．３×１０9 個／ｃｍ3 および２．５×１０9
個／ｃｍ3 の積層欠陥が発生していた。上記の積層欠陥
発生核を作る熱処理を欠いた場合には、結晶内部に積層
欠陥は見られなかった。
スキー法シリコン単結晶を用いた。積層欠陥の発生核を
作る熱処理として、ヘリウム中で１３９０℃、１２０分
の熱処理を行った後、−３００℃／分で室温まで冷却し
た。さらに積層欠陥発生核を成長させる熱処理として、
１１００℃、２３時間の熱処理を窒素中で行った。この
結晶の内部の積層欠陥密度を測るために化学エッチング
を行い、エッチピットを光学顕微鏡で測ったところ、そ
れぞれ３．３×１０9 個／ｃｍ3 および２．５×１０9
個／ｃｍ3 の積層欠陥が発生していた。上記の積層欠陥
発生核を作る熱処理を欠いた場合には、結晶内部に積層
欠陥は見られなかった。
【００１１】実施例２ 酸素濃度１９ｐｐｍａのチョクラルスキー法シリコン単
結晶を用いた。積層欠陥の発生核を作る熱処理として、
ヘリウム中で１３９０℃１２０分の熱処理を行った後、
−１℃／分で１３００℃まで冷却を行い，次いで−５０
０℃／分で室温まで冷却した。さらに積層欠陥を測るた
めに、化学エッチングを行い、エッチピットを光学顕微
鏡で測ったところ、２．４×１０7 個／ｃｍ3の積層欠
陥が認められた。上記の積層欠陥の発生核を作る熱処理
を欠いた場合には、結晶内部に積層欠陥は認められなか
った。
結晶を用いた。積層欠陥の発生核を作る熱処理として、
ヘリウム中で１３９０℃１２０分の熱処理を行った後、
−１℃／分で１３００℃まで冷却を行い，次いで−５０
０℃／分で室温まで冷却した。さらに積層欠陥を測るた
めに、化学エッチングを行い、エッチピットを光学顕微
鏡で測ったところ、２．４×１０7 個／ｃｍ3の積層欠
陥が認められた。上記の積層欠陥の発生核を作る熱処理
を欠いた場合には、結晶内部に積層欠陥は認められなか
った。
【００１２】
【発明の効果】以上に示したように本発明を用いれば、
結晶作製後にウエハ内部に積層欠陥発生核を高密度に作
ることができ、優れたゲッタリング能力を持つシリコン
ウエハを提供することが可能になる。
結晶作製後にウエハ内部に積層欠陥発生核を高密度に作
ることができ、優れたゲッタリング能力を持つシリコン
ウエハを提供することが可能になる。
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法によるシリコン単結
晶引き上げ後、不活性雰囲気または酸化性雰囲気で１２
５０℃以上１４２０℃以下の温度から、−１℃／分以上
−１０００℃／分以下の冷却速度で冷却することを特徴
とするウエハ内部に積層欠陥発生核を有するゲッタリン
グウエハの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法により製造されたシ
リコンウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32078791A JPH05155700A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32078791A JPH05155700A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05155700A true JPH05155700A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18125241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32078791A Withdrawn JPH05155700A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05155700A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014776A3 (en) * | 1998-09-02 | 2000-08-24 | Memc Electronic Materials | Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers |
| US6236104B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-05-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon |
| US6284384B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| US6306733B1 (en) | 1997-02-26 | 2001-10-23 | Memc Electronic Materials, Spa | Ideal oxygen precipitating epitaxial silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
| US6339016B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone |
| US6361619B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermally annealed wafers having improved internal gettering |
| US6555194B1 (en) | 1997-04-09 | 2003-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US6599815B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-07-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone |
| US6666915B2 (en) | 1999-06-14 | 2003-12-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| US6713370B2 (en) | 1998-09-02 | 2004-03-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the preparation of an ideal oxygen precipitating silicon wafer capable of forming an enhanced denuded zone |
| US6828690B1 (en) | 1998-08-05 | 2004-12-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices |
| US6955718B2 (en) | 2003-07-08 | 2005-10-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing a stabilized ideal oxygen precipitating silicon wafer |
| EP1914796A2 (en) * | 1998-09-02 | 2008-04-23 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process for making non-oxygen precititating Czochralski silicon wafers |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP32078791A patent/JPH05155700A/ja not_active Withdrawn
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537368B2 (en) | 1997-02-26 | 2003-03-25 | Memc Electronic Materials Spa | Ideal oxygen precipitating epitaxial silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
| US6306733B1 (en) | 1997-02-26 | 2001-10-23 | Memc Electronic Materials, Spa | Ideal oxygen precipitating epitaxial silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
| US6849119B2 (en) | 1997-02-26 | 2005-02-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
| US7442253B2 (en) | 1997-04-09 | 2008-10-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for forming low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US7229693B2 (en) | 1997-04-09 | 2007-06-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US6896728B2 (en) | 1997-04-09 | 2005-05-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US6555194B1 (en) | 1997-04-09 | 2003-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US7618879B2 (en) | 1998-08-05 | 2009-11-17 | Memc Electronics Materials, Inc. | Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices |
| US7242037B2 (en) | 1998-08-05 | 2007-07-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for making non-uniform minority carrier lifetime distribution in high performance silicon power devices |
| US6828690B1 (en) | 1998-08-05 | 2004-12-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices |
| US6361619B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermally annealed wafers having improved internal gettering |
| US6342725B2 (en) | 1998-09-02 | 2002-01-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure having a low defect density handler wafer and process for the preparation thereof |
| EP2261958A3 (en) * | 1998-09-02 | 2010-12-22 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process for making non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers |
| US6236104B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-05-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon |
| EP1914796A3 (en) * | 1998-09-02 | 2008-07-09 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process for making non-oxygen precititating Czochralski silicon wafers |
| US6686260B2 (en) | 1998-09-02 | 2004-02-03 | Memc Electronics Materials, Inc. | Process for producing thermally annealed wafers having improved internal gettering |
| US6709511B2 (en) | 1998-09-02 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for suppressing oxygen precipitation in vacancy dominated silicon |
| US6713370B2 (en) | 1998-09-02 | 2004-03-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the preparation of an ideal oxygen precipitating silicon wafer capable of forming an enhanced denuded zone |
| US6432197B2 (en) | 1998-09-02 | 2002-08-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the preparation of non-oxygen precipitating Czochralski silicon wafers |
| US6849901B2 (en) | 1998-09-02 | 2005-02-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Device layer of a silicon-on-insulator structure having vacancy dominated and substantially free of agglomerated vacancy-type defects |
| WO2000014776A3 (en) * | 1998-09-02 | 2000-08-24 | Memc Electronic Materials | Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers |
| EP1914796A2 (en) * | 1998-09-02 | 2008-04-23 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process for making non-oxygen precititating Czochralski silicon wafers |
| US6336968B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-01-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers |
| US6958092B2 (en) | 1998-12-09 | 2005-10-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof |
| US6537655B2 (en) | 1998-12-09 | 2003-03-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof |
| US6284384B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| JP2002532875A (ja) * | 1998-12-09 | 2002-10-02 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 内部ゲッタリングを有するエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造法 |
| US6666915B2 (en) | 1999-06-14 | 2003-12-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| US6339016B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone |
| US6599815B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-07-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone |
| US6955718B2 (en) | 2003-07-08 | 2005-10-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing a stabilized ideal oxygen precipitating silicon wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW583351B (en) | A method of producing a bonded wafer and the bonded wafer | |
| US6641888B2 (en) | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer. | |
| US6413310B1 (en) | Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer | |
| JP4448547B2 (ja) | 非酸素析出性のチョクラルスキーシリコンウエハの製造方法 | |
| KR101494730B1 (ko) | 모노크리스탈 실리콘으로 구성된 반도체 웨이퍼 및 그 생성 방법 | |
| KR100829767B1 (ko) | 고저항 실리콘 웨이퍼 및 이의 제조방법 | |
| JP4970724B2 (ja) | 高抵抗シリコンウエーハの製造方法 | |
| KR100768378B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 실리콘 웨이퍼 표면 결함 평가 방법 | |
| US7837791B2 (en) | Silicon single crystal wafer for particle monitor | |
| US6878451B2 (en) | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer | |
| JPH05155700A (ja) | 積層欠陥発生核を有するゲッタリングウエハの製造方法および同方法により製造されたシリコンウエハ | |
| JP2007045662A (ja) | 半導体シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
| JPH10229093A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2004503086A (ja) | 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置 | |
| JP3870293B2 (ja) | シリコン半導体基板及びその製造方法 | |
| TW201542894A (zh) | 由矽構成的半導體晶圓和其製造方法 | |
| JP2003086596A (ja) | シリコン半導体基板およびその製造方法 | |
| KR20030023509A (ko) | 실리콘 반도체기판 및 그 제조방법 | |
| JP2000026196A (ja) | シリコン半導体基板及びその製造方法 | |
| JPH11204534A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2006005088A (ja) | シリコン半導体基板とその製造方法 | |
| JP2006278892A (ja) | シリコン単結晶ウェーハの品質評価方法 | |
| JP2000277527A (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法。 | |
| JPH0714755A (ja) | シリコン半導体基板及びその製造方法 | |
| JPS59119842A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |