JPH0349224A - 基板の処理方法 - Google Patents
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- JPH0349224A JPH0349224A JP1185243A JP18524389A JPH0349224A JP H0349224 A JPH0349224 A JP H0349224A JP 1185243 A JP1185243 A JP 1185243A JP 18524389 A JP18524389 A JP 18524389A JP H0349224 A JPH0349224 A JP H0349224A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば半導体、電子デバイス等の電子部材に
適用される基板の表Ｗｉ精密洗浄、表面改質、レジスト
除去、エツチングなどの処理方法に関するものである。
適用される基板の表Ｗｉ精密洗浄、表面改質、レジスト
除去、エツチングなどの処理方法に関するものである。
［従来の技術］
第６図は、例えば特閏昭６１−７０２６１号公報に示さ
れた従来の半導体つｌ１１−の洗浄方法を示す構成図で
ある。
れた従来の半導体つｌ１１−の洗浄方法を示す構成図で
ある。
図において、（１）は製氷容器、（２）は）α体窒素源
、（３）は液体窒素、（４）は散気管、（５）は熱交換
器、（６）はノズル、（７）は純水源、（８）は水微粒
子、（９）はスクリューフィーダ、（ｌＯ）はホッパ、
（１１）はブラスト装置、（１２）は被処理基板、（１
３）は汚染微粒子を示す。
、（３）は液体窒素、（４）は散気管、（５）は熱交換
器、（６）はノズル、（７）は純水源、（８）は水微粒
子、（９）はスクリューフィーダ、（ｌＯ）はホッパ、
（１１）はブラスト装置、（１２）は被処理基板、（１
３）は汚染微粒子を示す。
例えば、断面が４００Ｘ ４０Ｇ（＋−〇で、高さが１
２００−１の容器（１）には、液体窒素源（２）から供
給された液体窒素（３）が高さ５００ｍ閣まで溝たされ
ている。この液体窒素（３）に、散気管（４）から窒素
ガスを３００９ ／ｍ１ｎ−ｓ２の割合で吹き出すこと
によって、液体窒素（３）の表面に数戴■の波を生じさ
せる。この窒素ガスは液体窒素Ｒ（２）から熱交換器（
５）を介して与えられる。一方、容器（ｌンの上部に設
けられたノズル（６）には、純水Ｒ（７）から２．０ｋ
ｇ／ａｍ２の圧力と０．Ｉ Ｑ ／ｗｉｎの流量で純水
が供給されるとともに２．０Ｊ／ｃｍ２の圧力と８．０
Ｎｆｆ ／１ｌＩｉｎの流量で窒素ガスが供給される。
２００−１の容器（１）には、液体窒素源（２）から供
給された液体窒素（３）が高さ５００ｍ閣まで溝たされ
ている。この液体窒素（３）に、散気管（４）から窒素
ガスを３００９ ／ｍ１ｎ−ｓ２の割合で吹き出すこと
によって、液体窒素（３）の表面に数戴■の波を生じさ
せる。この窒素ガスは液体窒素Ｒ（２）から熱交換器（
５）を介して与えられる。一方、容器（ｌンの上部に設
けられたノズル（６）には、純水Ｒ（７）から２．０ｋ
ｇ／ａｍ２の圧力と０．Ｉ Ｑ ／ｗｉｎの流量で純水
が供給されるとともに２．０Ｊ／ｃｍ２の圧力と８．０
Ｎｆｆ ／１ｌＩｉｎの流量で窒素ガスが供給される。
純水はノズル（６）から霧状になって液体窒素（３）内
に噴射され瞬時に水微粒子（８）になる。こうして製造
された氷の微粒子（８）は、例えばスクリューフィーダ
（９）によってホッパ（１０）内に輸送される。ホッパ
（１０）内の水微粒子（８）は次にブラスト装置（１１
）に供給される。ブラスト装置（１１）は、例えば高圧
気体エジェクタ方式のものであって５．０ｋｇ／ｃｍ”
の高圧で １．ＯＮ Ｑ ／ｌｌｌ１ｎの流量の窒素ガ
スによって、氷粒子（８）を０．３Ｑ／ｍａｉｎの割合
で噴射させる。この噴射された水微粒子（８）を被処理
基板（１２）の表面に吹き付けるスパッタ効果により汚
染微粒子（１３）や汚れを洗浄除去する。
に噴射され瞬時に水微粒子（８）になる。こうして製造
された氷の微粒子（８）は、例えばスクリューフィーダ
（９）によってホッパ（１０）内に輸送される。ホッパ
（１０）内の水微粒子（８）は次にブラスト装置（１１
）に供給される。ブラスト装置（１１）は、例えば高圧
気体エジェクタ方式のものであって５．０ｋｇ／ｃｍ”
の高圧で １．ＯＮ Ｑ ／ｌｌｌ１ｎの流量の窒素ガ
スによって、氷粒子（８）を０．３Ｑ／ｍａｉｎの割合
で噴射させる。この噴射された水微粒子（８）を被処理
基板（１２）の表面に吹き付けるスパッタ効果により汚
染微粒子（１３）や汚れを洗浄除去する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の氷の微粒子を噴射して洗浄する方法では
、スパッタ効果によって被処理基板上の不純微粒子や汚
れ等を除去できるが、硬度の小さい物質、例えば粘着性
有機物等は除去できないという問題があった。
、スパッタ効果によって被処理基板上の不純微粒子や汚
れ等を除去できるが、硬度の小さい物質、例えば粘着性
有機物等は除去できないという問題があった。
本発明は、スパッタのような物理的な除去作用に加え化
学的な洗浄作用、表面改質等を効果的に行える基板の処
理方法を提供することを目的としている。
学的な洗浄作用、表面改質等を効果的に行える基板の処
理方法を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明の基板の処理方法は、過酸化水素を含有する水の
粒子を基板面に噴射して、上記基板面を物理的、化学的
に処理するようにしたものである。
粒子を基板面に噴射して、上記基板面を物理的、化学的
に処理するようにしたものである。
また、本発明の別の発明の基板の処理方法は、氷の粒子
を基板面に噴射して上記基板面を物理的に清浄化した後
、上記基板面に過酸化水素を送給して上記基板面を化学
的に処理するようにしたものである。即ち、氷の粒子を
基板面に噴射して上記基板面を物理的に清浄化した後、
過酸化水素を含有する氷の粒子を上記基板面に噴射する
、または上記基板面に過酸化水素含有ガスもしくは過酸
化水素水を送給して化学的にも処理するものである。
を基板面に噴射して上記基板面を物理的に清浄化した後
、上記基板面に過酸化水素を送給して上記基板面を化学
的に処理するようにしたものである。即ち、氷の粒子を
基板面に噴射して上記基板面を物理的に清浄化した後、
過酸化水素を含有する氷の粒子を上記基板面に噴射する
、または上記基板面に過酸化水素含有ガスもしくは過酸
化水素水を送給して化学的にも処理するものである。
［作用］
本発明においては、噴射された過酸化水素を含有する氷
の粒子が基板表面上の不純微粒子や汚れ、レジスト等を
スパッタ除去するとともに、過酸化水素が有する化学作
用により化学的な洗浄作用や表面改質等を行う。
の粒子が基板表面上の不純微粒子や汚れ、レジスト等を
スパッタ除去するとともに、過酸化水素が有する化学作
用により化学的な洗浄作用や表面改質等を行う。
また、本発明の別の発明においては、噴射された氷の粒
子が基板表面上の不純微粒子や汚れ、レジスト等をスパ
ッタ除去するとともに、引続き過酸化水素含有氷粒子、
過酸化水素含有ガスあるいは過酸化水素水を被処理基板
表面に送給し、その化学作用により化学的に洗浄、表面
改質等を行う。
子が基板表面上の不純微粒子や汚れ、レジスト等をスパ
ッタ除去するとともに、引続き過酸化水素含有氷粒子、
過酸化水素含有ガスあるいは過酸化水素水を被処理基板
表面に送給し、その化学作用により化学的に洗浄、表面
改質等を行う。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる基板処理装置を示す
構成図で、例えば従来例と同様の水微粒子を生成する方
法により過酸化水素含有氷微粒子を生成し、上記ｉｌＡ
酸化水素含有氷微粒子を被処理基板が収容された容器中
に供給して上記基板表面を処理するようにしたものであ
る。
構成図で、例えば従来例と同様の水微粒子を生成する方
法により過酸化水素含有氷微粒子を生成し、上記ｉｌＡ
酸化水素含有氷微粒子を被処理基板が収容された容器中
に供給して上記基板表面を処理するようにしたものであ
る。
図において、（２８）は過酸化水素含有氷微粒子、（Ｉ
４）は基板（Ｉ２）を収容し、基板処理が施される基板
処理容器、（１５）は基板（Ｉ２）を保持する基板台、
（１６）は基板台（１５）に設けられた基板（１２）を
加熱する基板加熱用ヒー９−１（１７）、（１８）は流
量側ｍ装置、（１９）は放電装置、（２０）は電源、（
２りは排出口である０図中（＋）〜（１１）は第６図と
同等もしくは相当のものである。
４）は基板（Ｉ２）を収容し、基板処理が施される基板
処理容器、（１５）は基板（Ｉ２）を保持する基板台、
（１６）は基板台（１５）に設けられた基板（１２）を
加熱する基板加熱用ヒー９−１（１７）、（１８）は流
量側ｍ装置、（１９）は放電装置、（２０）は電源、（
２りは排出口である０図中（＋）〜（１１）は第６図と
同等もしくは相当のものである。
まず、酸票と水素は、混合気体中のそれぞれの濃度が一
定になるように流量制御装置（１７）、（１８）により
制御され、放電装置（１９）に供給される。放電装置（
１９）は、放電電極間に石英ガラスなどの誘電体を挟ん
だ電極構造をもち、電極間に電源（２０）から供給され
る交流高電圧が印加される。発生した過酸化水素ガスと
水蒸気は、ノズル（６）内で凝縮しながら窒素ガスとと
もに製氷容器（１）内に供給され、過酸化水素含有の水
微粒子（２８）になる。
定になるように流量制御装置（１７）、（１８）により
制御され、放電装置（１９）に供給される。放電装置（
１９）は、放電電極間に石英ガラスなどの誘電体を挟ん
だ電極構造をもち、電極間に電源（２０）から供給され
る交流高電圧が印加される。発生した過酸化水素ガスと
水蒸気は、ノズル（６）内で凝縮しながら窒素ガスとと
もに製氷容器（１）内に供給され、過酸化水素含有の水
微粒子（２８）になる。
過酸化水素含有の水微粒子（２８）は従来例のようにプ
ラス）！置（１１）により基板処理容器（１４）内の基
板（１２）表面に噴射され、物理的に汚染微粒子（１３
）や汚れを洗浄除去する。
ラス）！置（１１）により基板処理容器（１４）内の基
板（１２）表面に噴射され、物理的に汚染微粒子（１３
）や汚れを洗浄除去する。
基板台（１５）には、基板（１２）温度を制御するため
の基板加熱用ヒーター（１６）が具備されている。噴射
された過酸化水素含有氷微粒子（２８）による物理的洗
浄が終了後、基板加熱用ヒ−９−（１６）により基板温
度を上昇させ、噴出してくる過酸化水素含有氷微粒子（
２８）が基板（１２）表面上で過酸化水素水にして、そ
の化学作用により基板（１２）を化学的に洗浄したり、
表面改質等の処理を施すようにしている。粘着性有機物
等も除去できる。基板処理後の過酸化水素含有水微粒子
（２８）及び過酸化水素水は基板処理容器（１４）の下
部に設けた排出口（２１）より過酸化水素水として系外
へ排出される。
の基板加熱用ヒーター（１６）が具備されている。噴射
された過酸化水素含有氷微粒子（２８）による物理的洗
浄が終了後、基板加熱用ヒ−９−（１６）により基板温
度を上昇させ、噴出してくる過酸化水素含有氷微粒子（
２８）が基板（１２）表面上で過酸化水素水にして、そ
の化学作用により基板（１２）を化学的に洗浄したり、
表面改質等の処理を施すようにしている。粘着性有機物
等も除去できる。基板処理後の過酸化水素含有水微粒子
（２８）及び過酸化水素水は基板処理容器（１４）の下
部に設けた排出口（２１）より過酸化水素水として系外
へ排出される。
このように、この基板処理装置においては、同じ装置内
で物理的な洗浄除去作用に加え、化学的な洗浄作用、表
面改質等を簡単に行える。
で物理的な洗浄除去作用に加え、化学的な洗浄作用、表
面改質等を簡単に行える。
第２図は、本発明の一実施例に係わる基板処理装置の変
形例を示す構成図で、過酸化水素の酸化能力をさらに改
善し、迅速に、かつ完璧に基板処理を行えるようにした
ものである０図において、（１）〜（２１）、（２８）
は第１図と同様もしくは相当のものであり、（２２）は
基板処理容器（１４）内に設けた紫外線光［（少なくと
も波長範囲１８０ｎｍ〜２６０ｒｖの紫外線を含む）で
ある。
形例を示す構成図で、過酸化水素の酸化能力をさらに改
善し、迅速に、かつ完璧に基板処理を行えるようにした
ものである０図において、（１）〜（２１）、（２８）
は第１図と同様もしくは相当のものであり、（２２）は
基板処理容器（１４）内に設けた紫外線光［（少なくと
も波長範囲１８０ｎｍ〜２６０ｒｖの紫外線を含む）で
ある。
紫外線光！（２２）は例えば噴射された過酸化水素含有
水微粒子（２８）による物理的洗浄が終了した時点で加
熱と−９＝（１６）とともに始動させる。加熱ヒーター
（Ｉ６）により基板（１２）温度は上昇し、噴出してく
る過酸化水素含有水微粒子（２８）は基板（１２）表面
上で過酸化水素水になる。過酸化水素水は紫外線光源（
２２）から発せられる紫外線を吸収して化学作用を促進
させる。紫外線の役割は、基板（１２）上の過酸化水素
を分解してとドロキシルラシ”ｈルを生成させることに
ある。このヒドロキシルラシーｈルは極めて反応性が高
く、効率よ−く有ＩＩｌ物や基板を酸化することができ
る。
水微粒子（２８）による物理的洗浄が終了した時点で加
熱と−９＝（１６）とともに始動させる。加熱ヒーター
（Ｉ６）により基板（１２）温度は上昇し、噴出してく
る過酸化水素含有水微粒子（２８）は基板（１２）表面
上で過酸化水素水になる。過酸化水素水は紫外線光源（
２２）から発せられる紫外線を吸収して化学作用を促進
させる。紫外線の役割は、基板（１２）上の過酸化水素
を分解してとドロキシルラシ”ｈルを生成させることに
ある。このヒドロキシルラシーｈルは極めて反応性が高
く、効率よ−く有ＩＩｌ物や基板を酸化することができ
る。
従って、このように紫外線照射を併用することによ７て
、上記実施例より迅速かつ完全な処理効果が実現できる
。
、上記実施例より迅速かつ完全な処理効果が実現できる
。
なお、紫外線光源（２２）は基板処理容器（１４）内に
設ける必要はなく、基板処理容器（１４）の一部もしく
は全部を紫外線透過性の材料で構成し、紫外線光源（２
２）を基板処理容器（１４）外部に設置しても同等の効
果が期待できる。
設ける必要はなく、基板処理容器（１４）の一部もしく
は全部を紫外線透過性の材料で構成し、紫外線光源（２
２）を基板処理容器（１４）外部に設置しても同等の効
果が期待できる。
第３図は本発明の他の実施例に係わる基板処理装置を示
す構成図で、純水の水微粒子を被処理基板が収容された
容器中に供給して上記基板表面を処理後、過酸化水素含
有水微粒子を供給して上記基板表面を処理するようにし
たものである０図中の（１）〜（２８）は、第１図及び
第６図と同等もしくは相当のものである。
す構成図で、純水の水微粒子を被処理基板が収容された
容器中に供給して上記基板表面を処理後、過酸化水素含
有水微粒子を供給して上記基板表面を処理するようにし
たものである０図中の（１）〜（２８）は、第１図及び
第６図と同等もしくは相当のものである。
第３図の実施例においては、水微粒子製造装置は過酸化
水素用及び純水用の２つを用意した。各々の水微粒子の
製造過程は、従来例及び上記一実施例と同様である。こ
の場合、基板（１２）表面上の不純微粒子（１３）ある
いはレジスト等は まず純水の水微粒子（８）をブラス
ト装置（１１）に供給し、基板（１２）表面に噴射して
、純水の水微粒子で例えば９０％以上スパッタ除去する
。その後、辻上げに過酸化水素含有の水微粒子（２８）
をブラスト装置（１１）に供給し、基板（１２）表面に
噴射し、過酸化水素含有水微粒子（２８）で不純微粒子
（１３）等の残留物をスパッタ除去し、さらに上記実施
例と同様な方法により過酸化水素含有水微粒子（２８）
を溶解し、過酸化水素水の化学作用により表面処理を行
うものである。つまり、１富にある純水を使用した水微
粒子（８）をスパッタ除去に使用することにより過酸化
水素含有水微粒子（２８）を節約することを意図したも
のであり、純水の水微粒子を基板表面に供給して基板上
の不純微粒子や汚れ、ｌ、シー２）等をスパッタ除去し
、引続き過酸化水素含有水微粒子を基板表面に供給する
ことで上記実施例と同様化学的に洗浄、表面改質等を行
なえ、同一基板処理装置内で物理的処理と化学的処理を
行える効果がある第４図は本発明のさらに池の実施例に
係わる基板処理装置を示す構成図で、純水の水微粒子を
被処理基板が収容された容器中に供給して上記基板表面
を処理後、過酸化水素含有ガスを供給して上記基板表面
を処理するものである０図において、（２３）は過酸化
水素含有ガス供給管、（２４）は過酸化水素含有ガス供
給ノズルを示す、また図中（１）〜（２８）は、第１図
及び第６図と同等もしくは相当のものである。
水素用及び純水用の２つを用意した。各々の水微粒子の
製造過程は、従来例及び上記一実施例と同様である。こ
の場合、基板（１２）表面上の不純微粒子（１３）ある
いはレジスト等は まず純水の水微粒子（８）をブラス
ト装置（１１）に供給し、基板（１２）表面に噴射して
、純水の水微粒子で例えば９０％以上スパッタ除去する
。その後、辻上げに過酸化水素含有の水微粒子（２８）
をブラスト装置（１１）に供給し、基板（１２）表面に
噴射し、過酸化水素含有水微粒子（２８）で不純微粒子
（１３）等の残留物をスパッタ除去し、さらに上記実施
例と同様な方法により過酸化水素含有水微粒子（２８）
を溶解し、過酸化水素水の化学作用により表面処理を行
うものである。つまり、１富にある純水を使用した水微
粒子（８）をスパッタ除去に使用することにより過酸化
水素含有水微粒子（２８）を節約することを意図したも
のであり、純水の水微粒子を基板表面に供給して基板上
の不純微粒子や汚れ、ｌ、シー２）等をスパッタ除去し
、引続き過酸化水素含有水微粒子を基板表面に供給する
ことで上記実施例と同様化学的に洗浄、表面改質等を行
なえ、同一基板処理装置内で物理的処理と化学的処理を
行える効果がある第４図は本発明のさらに池の実施例に
係わる基板処理装置を示す構成図で、純水の水微粒子を
被処理基板が収容された容器中に供給して上記基板表面
を処理後、過酸化水素含有ガスを供給して上記基板表面
を処理するものである０図において、（２３）は過酸化
水素含有ガス供給管、（２４）は過酸化水素含有ガス供
給ノズルを示す、また図中（１）〜（２８）は、第１図
及び第６図と同等もしくは相当のものである。
第４図において、純水の水微粒子の製造過程は、従来例
と同様であり、過酸化水素含有ガスの製造過程も上記実
施例と同様である。この場合、基板（！２）表面上の不
純微粒子（１３）あるいはレジスト等は純水の氷Ｖ＆粒
子（８）をブラスト装置（１１）に供給して基板（１２
）表面に噴射し、純水の水微粒子（８）でスパッタ除去
する。その後、放ｘ装置（■９）より供給された過酸化
水素含有ガスを基板（１２）表面に吹き付は過酸化水素
含有ガスの化学作用により表面処理を行うものである。
と同様であり、過酸化水素含有ガスの製造過程も上記実
施例と同様である。この場合、基板（！２）表面上の不
純微粒子（１３）あるいはレジスト等は純水の氷Ｖ＆粒
子（８）をブラスト装置（１１）に供給して基板（１２
）表面に噴射し、純水の水微粒子（８）でスパッタ除去
する。その後、放ｘ装置（■９）より供給された過酸化
水素含有ガスを基板（１２）表面に吹き付は過酸化水素
含有ガスの化学作用により表面処理を行うものである。
この場合、基板（１２）表面を処理する過酸化水素の状
態は、基板（１２）の温度によって、ガス状、液状の両
方の状態を取ることが可能である。過酸化水素含有ガス
供給管（２３）およびノズル（２４）は、過酸化水素が
管壁などに凝縮しないよう加熱と一ター（図示無し）に
よる加熱ができるようにしである。この実施例において
も、上記実施例と同様、水微粒子噴射による基板の物理
的洗浄除去に引続き過酸化水素含有ガスを基板表面に供
給することで化学的に洗浄、表面改質等を行え、同一装
置内で基板の物理的、化学的処理が行える。
態は、基板（１２）の温度によって、ガス状、液状の両
方の状態を取ることが可能である。過酸化水素含有ガス
供給管（２３）およびノズル（２４）は、過酸化水素が
管壁などに凝縮しないよう加熱と一ター（図示無し）に
よる加熱ができるようにしである。この実施例において
も、上記実施例と同様、水微粒子噴射による基板の物理
的洗浄除去に引続き過酸化水素含有ガスを基板表面に供
給することで化学的に洗浄、表面改質等を行え、同一装
置内で基板の物理的、化学的処理が行える。
第５図は本発明のさらにまた他の実施例に係わる基板処
理装置を示す構成図で、純水の水微粒子を被処理基板が
収容された容器中に供給して上記基板表面を処理後、過
酸化水素水を供給して上記基板表面を処理するものであ
る０図において（２５）は過酸化水素液化タンク、（２
６）は過酸化水素水供給管を示す０図中の（１）〜（２
８）は、第１図、第４図及び第６図と同様もしくは相当
のものである。
理装置を示す構成図で、純水の水微粒子を被処理基板が
収容された容器中に供給して上記基板表面を処理後、過
酸化水素水を供給して上記基板表面を処理するものであ
る０図において（２５）は過酸化水素液化タンク、（２
６）は過酸化水素水供給管を示す０図中の（１）〜（２
８）は、第１図、第４図及び第６図と同様もしくは相当
のものである。
第５図において、純水の水微粒子の製造過程は、従来例
と同様であり、過酸化水素含有ガスの製造過程も上記実
施例と同様である。この場合、基板（１２）表面上の不
純微粒子（１３）あるいはレジスト等は純水の水微粒子
（８）をブラスト装置（１１）に供給して基板（１２）
表面に噴射し、純水の水微粒子でスパッタ除去する。過
酸化水素水は、過酸化水素含有ガスを放電装置（１９）
より過酸化水素液化タンク（２５）に供給し、例えば冷
却捕集法によりつくる。
と同様であり、過酸化水素含有ガスの製造過程も上記実
施例と同様である。この場合、基板（１２）表面上の不
純微粒子（１３）あるいはレジスト等は純水の水微粒子
（８）をブラスト装置（１１）に供給して基板（１２）
表面に噴射し、純水の水微粒子でスパッタ除去する。過
酸化水素水は、過酸化水素含有ガスを放電装置（１９）
より過酸化水素液化タンク（２５）に供給し、例えば冷
却捕集法によりつくる。
基板（１２）表面を水微粒子（８）でスパッタ処理後、
過酸化水素水を過酸化水素水供給管（２６）により基板
処理容器（１４）内に供給して基板（１２）表面を過酸
化水素水の化学作用により処理するものである。
過酸化水素水を過酸化水素水供給管（２６）により基板
処理容器（１４）内に供給して基板（１２）表面を過酸
化水素水の化学作用により処理するものである。
また、過酸化水素水は霧状にして基板（１２）表面上に
供給しても同様の効果が期待できる。
供給しても同様の効果が期待できる。
この実施例においても、上記実施例と同様、水微粒子噴
射による基板の物理的洗浄除去に引続き過酸化水素水を
基板表面に供給することで化学的に洗浄、表面改質等を
行え、同−Ｈ置内で基板の物理的、化学的処理が行える
。
射による基板の物理的洗浄除去に引続き過酸化水素水を
基板表面に供給することで化学的に洗浄、表面改質等を
行え、同−Ｈ置内で基板の物理的、化学的処理が行える
。
なお、上記実施例においては、放電により発生させた過
酸化水素ガスと水蒸気を用いている。これらは、原料ガ
スに高純度の酸素、水素ガスを用いているため不純物が
一切含まれない、従って、生成する過酸化水素含有水微
粒子、過酸化水素水も不純物のないものが出来るため、
不純物による不良は十分抑えることができる。
酸化水素ガスと水蒸気を用いている。これらは、原料ガ
スに高純度の酸素、水素ガスを用いているため不純物が
一切含まれない、従って、生成する過酸化水素含有水微
粒子、過酸化水素水も不純物のないものが出来るため、
不純物による不良は十分抑えることができる。
さらに、放電条件により水蒸気のみ発生させることもで
きるため、純水の水微粒子も放電により製造することも
できる。
きるため、純水の水微粒子も放電により製造することも
できる。
一方、市販の過酸化水素水を用いて従来法と同じ水微粒
子製造装置により過酸化水素含有の水微粒子を：Ａ製し
て利用したり、市販の過酸化水素水を化学処理だけに利
用することもできる。ただし、この場合、市販の過酸化
水素水は不純物が多いため半導体製造工程に用いるため
には不純物の除去対策が必要である。
子製造装置により過酸化水素含有の水微粒子を：Ａ製し
て利用したり、市販の過酸化水素水を化学処理だけに利
用することもできる。ただし、この場合、市販の過酸化
水素水は不純物が多いため半導体製造工程に用いるため
には不純物の除去対策が必要である。
また、上記実施例では、過酸化水素含有の水微粒子を溶
解させるために、基板台に基板加熱用ヒータを設けたも
のについて示したが、加熱せず自然に溶解させるように
してもよい。
解させるために、基板台に基板加熱用ヒータを設けたも
のについて示したが、加熱せず自然に溶解させるように
してもよい。
さらに、上記実施例では、基板の一方の表面のみを処理
する場合について示したが、基板表裏両面に水微粒子も
しくは過酸化水素含有の水微粒子を噴射する、または過
酸化水素を供給して同時に両面を処理するようにしても
よい。
する場合について示したが、基板表裏両面に水微粒子も
しくは過酸化水素含有の水微粒子を噴射する、または過
酸化水素を供給して同時に両面を処理するようにしても
よい。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、過酸化水素を含有する
氷の粒子を基板面に噴射して、上記基板面を物理的、化
学的に処理するようにしたので、また別の発明によれば
、氷の粒子を基板面に噴射して上記基板面を物理的に清
浄化した後、上記基板面に過酸化水素を送給して上記基
板面を化学的に処理するようにしたので、基板上の不純
微粒子や汚れ、レジスト等をスパッタ除去し、化学的に
洗浄、表面改質等を行うことができる、即ち物理的処理
と化学的処理を基板に施すことができる効果がある。
氷の粒子を基板面に噴射して、上記基板面を物理的、化
学的に処理するようにしたので、また別の発明によれば
、氷の粒子を基板面に噴射して上記基板面を物理的に清
浄化した後、上記基板面に過酸化水素を送給して上記基
板面を化学的に処理するようにしたので、基板上の不純
微粒子や汚れ、レジスト等をスパッタ除去し、化学的に
洗浄、表面改質等を行うことができる、即ち物理的処理
と化学的処理を基板に施すことができる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例に係わる基板処理装置を示
す構成図、第２図は第１図の変形例を示す構成図、第３
図、第４図、第５図は各々本発明の他の実施例を示す構
成図、第６図は従来例を示す構成図である。 図において、（１）は製氷容器、（８）は水微粒子、（
１１）はブラスト装置、（１２）は基板、（１３）は汚
染微粒子、（１４）は基板処理容器、（１５）は基板台
、（２４）は過酸化水素含有ガス供給ノズル、（２６〉
は過酸化水素水供給管、（２８）は過酸化水素含有の水
微粒子である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
す構成図、第２図は第１図の変形例を示す構成図、第３
図、第４図、第５図は各々本発明の他の実施例を示す構
成図、第６図は従来例を示す構成図である。 図において、（１）は製氷容器、（８）は水微粒子、（
１１）はブラスト装置、（１２）は基板、（１３）は汚
染微粒子、（１４）は基板処理容器、（１５）は基板台
、（２４）は過酸化水素含有ガス供給ノズル、（２６〉
は過酸化水素水供給管、（２８）は過酸化水素含有の水
微粒子である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）過酸化水素を含有する氷の粒子を基板面に噴射し
て、上記基板面を物理的、化学的に処理するようにした
基板の処理方法。 - （２）氷の粒子を基板面に噴射して上記基板面を物理的
に清浄化した後、上記基板面に過酸化水素を送給して上
記基板面を化学的に処理するようにした基板の処理方法
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185243A JPH0349224A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 基板の処理方法 |
| US07/546,446 US5081068A (en) | 1989-07-17 | 1990-07-03 | Method of treating surface of substrate with ice particles and hydrogen peroxide |
| DE4022401A DE4022401A1 (de) | 1989-07-17 | 1990-07-13 | Verfahren zur oberflaechenbehandlung eines substrats |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185243A JPH0349224A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349224A true JPH0349224A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16167393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185243A Pending JPH0349224A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 基板の処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5081068A (ja) |
| JP (1) | JPH0349224A (ja) |
| DE (1) | DE4022401A1 (ja) |
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- 1989-07-17 JP JP1185243A patent/JPH0349224A/ja active Pending
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- 1990-07-03 US US07/546,446 patent/US5081068A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4022401C2 (ja) | 1992-01-02 |
| US5081068A (en) | 1992-01-14 |
| DE4022401A1 (de) | 1991-01-31 |
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