KR100699787B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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사토시 야마모토
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Abstract

본 발명은 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 표면으로 공급하여 기판의 처리를 행하는 경우에, 처리 불균일을 일으키지 않고 균일한 처리가 가능하며, 기판 상에 형성된 피막에 손상을 주지도 않는 장치를 제공한다.
기판(W)을 경사 자세로 지지하여 수평 방향으로 반송하는 롤러 컨베이어와, 기판의 주면으로 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 공급하는 노즐(12)과, 기판의 주면에 접촉 또는 근접하여 왕복 이동하여 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 평면 브러시(14)를 구비하여 장치를 구성하였다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 실시형태의 일례를 도시하고, 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 요부 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 기판 세정 장치의 요부 정면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 기판 세정 장치의 요부 측면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 기판 세정 장치의 구성 요소 중 하나인 제빙·송액부의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 5는 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 제조하기 위한 제빙·송액부의 구성예를 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 제조하기 위한 제빙·송액부의 구성예를 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시형태를 도시하고, 기판 회전식 세정 장치의 요부의 구성을 도시하는 개략 정면도이다.
〈도면의 요부분에 대한 부호의 설명〉
10:반송 롤러 12:노즐
14:평면 브러시 16:배관
20, 40, 80:제빙·송액부 22, 42, 82:용기
24:순수 공급구 26, 46, 86:얼음 슬러리 배출구
28:순수 공급용 배관 30, 70, 108:부동액
32, 72, 110:쿨러(냉각 장치) 34, 74, 112:회전 지지축
36, 76, 114:스크류 날 38, 78, 116:모터
44:과산화수소수 공급구 48:과산화수소수 공급용 배관
50:조합조 52, 92:펌프
58, 98:순수 공급관 60:과산화수소 공급관
62, 66:개폐 제어 밸브 64, 68:유량 조정 밸브
84:이산화탄소 수용액의 공급구
88:이산화탄소 수용액 공급용의 배관
90:조제조 102:탄산가스 공급관
120:스핀 척 122:회전 지지축
124:토출 노즐 W:기판
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치(LCD)용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이(PDP)용 유리 기판, 프린트 기판, 전자 디바이스 기판 등의 기판을 수평 방향으로 반송하면서, 기판의 주면에 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 공급하 여, 기판의 세정 등의 처리를 행하는 기판 처리 방법 및 그 방법을 실시하기 위해서 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들어, LCD, PDP 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 장치에서의 기판의 세정은, 엑시머 레이저의 UV 조사에 의한 유기물 오염의 제거 → 롤링 브러시를 사용한 스크럽 세정에 의한 1㎛ 이상의 오염 물질의 제거 → 치환 세정에 의한 약액 세정 후의 약액의 제거 → 2유체 세정에 의한 정밀 세정 → 최종 수세(水洗)에 의한 마무리 세정과 같은 일련의 공정으로 행하여진다. 또한, 최근에는, 롤링 브러시 세정 대신에, 예컨대 일본국 특허 제3380021호 공보에 개시되어 있는 것과 같이, 액체 중에 얼음의 미립자가 분산하여 셔벗 형상의 현탁액이 된 상태의 얼음 슬러리를 조제하고, 노즐로부터 얼음 슬러리를 기판의 표면으로 분사하여 얼음의 미립자를 기판에 충돌시켜 기판을 세정하는 것과 같은 세정 방법도 제안되어 실시되고 있다.
종래의 얼음 슬러리를 이용한 세정 방법은, 노즐로부터 얼음 슬러리를 기판의 표면으로 분사하여 얼음의 미립자를 기판에 충돌시켜 얼음의 미립자로 기판의 표면을 마찰시키는 것으로, 세정 효과를 높이기 위해서는, 얼음 슬러리를 가압하여 노즐로부터 소정의 압력으로 얼음 슬러리를 분출시킬 필요가 있다. 그런데, 미소한 얼음 입자라고는 해도 고형물을 포함한 액체를 기판 표면의 넓은 범위에 걸쳐 균일하게 분산시키는 것은 매우 곤란하고, 이 때문에, 얼음 슬러리를 가압하여 노즐로부터 분출시켰을 때에, 기판의 표면상의 위치에 의해서 얼음 슬러리가 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지에 불균일을 일으킨다. 특히, 최근과 같이 기판이 대형화하면, 기판 표면의 보다 넓은 범위에 걸쳐 얼음 슬러리를 확산시키기 위해서는, 노즐로부터의 얼음 슬러리의 토출 압력을 높일 필요가 있기 때문에, 얼음 슬러리를 노즐로부터 토출하여 기판 표면에 균일하게 분산시키는 것은 점점 곤란해져, 얼음 슬러리가 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지 불균일이 커진다. 그 결과, 세정 불균일 등의 처리 불균일을 일으킨다는 문제점이 있다.
또한, 예컨대 LCD의 제조에서는, 액정 패턴용의 금속막은, 알루미늄(Al)+ 몰리브덴(Mo) 등과 같이 물리적으로 부드러운 금속 재료로 형성되어 있어, 얼음의 미립자와 기판 표면의 충돌 에너지의 불균일에 의해, 금속막이 부분적으로 손상을 입는다는 문제점이 있다.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 표면으로 공급하여 기판의 세정 등의 처리를 행하는 경우에, 처리 불균일을 일으키지 않고 균일한 기판 처리가 가능하며, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 일도 없는 기판 처리 방법 및 그 방법을 적절하게 실시할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 기판의 주면으로 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에서, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하고, 혼합 부재를 기판의 주면에 접촉 또는 근접시켜 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 방법에서, 기판을 경사 자세로 지지하여 그 경사 방향과 직교하는 방향으로 또한 수평 방향으로 반송하고, 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 경사를 따라서 흘러내리게 하면서, 상기 혼합 부재에 의해 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 방법에서, 상기 혼합 부재가 평면 브러시이고, 그 평면 브러시를 기판의 주면을 따라서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 기판의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에서, 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 방법에서, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하고, 그 처리액을 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에서, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 방법에서, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하고, 그 처리액을 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 방법에서, 기판의 처리가 세정 처리인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과, 이 기판 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 주면으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 기판 처리 장치에서, 상기 처리액 공급 수단이, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하는 것으로서, 기판의 주면에 접촉 또는 근접하여 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 혼합 부재를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 기판 반송 수단이, 기판을 경사 자세로 지지하여 그 경사 방향과 직교하는 방향으로 또한 수평 방향으로 기판을 반송하는 것이고, 상기 처리액 공급 수단에 의해서 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 경사를 따라서 흘러내리도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 혼합 부재가 평면 브러시이고, 그 평면 브러시를, 상기 처리액 공급 수단에 의한 처리액의 공급 위치보다 기판 반송 방향에서의 전방 측에 설치하고, 상기 평면 브러시를 기판의 주면을 따라서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 기판의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동시키는 이동 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 처리액 공급 수단을, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 유출시키는 슬릿 형상 유출구를 가지는 노즐과, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 조제하여 상기 노즐로 보내는 제빙·송액 수단을 구비하여 구성한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 제빙·송액 수단을, 원통 형상의 내주 벽면을 가지고 공급구 및 배출구가 형성된 용기와, 이 용기의 벽면을 냉각하는 냉각 수단과, 상기 용기의 내주 벽면에 석출하여 성장한 얼음 결정을 긁어모아 순수 중에 확산시키는 긁어모음 수단과, 상기 용기 안으로 공급구를 통해서 순수를 공급하는 순수 공급 수단과, 상기 용기 안으로부터 배출구를 통해서 배출된 얼음의 미립자를 포함하는 순수를 상기 노즐에 보내기 위한 배관을 구비하여 구성한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서, 기판을 지지하는 기판 지지 수단과, 이 기판 지지 수단에 의해서 지지된 기판의 주면에, 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 처리액 공급 수단이, 소정 농도의 과산화수소수를 냉각하여 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 조제하는 처리액 조제 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 처리액 조제 수단이, 과산화수소와 순수를 소정의 비율로 혼합하여 상기 소정 농도의 과산화수소수를 조합하는 과산화수소수 조합 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 기판 지지 수단이, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단이고, 상기 처리액 공급 수단에 의해, 상기 기판 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 주면으로 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 공급되고, 기판의 주면 상에서 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 혼합 부재를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 기판의 주면으로 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서, 기판을 지지하는 기판 지지 수단과, 이 기판 지지 수단에 의해서 지지된 기판 주면으로, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 처리액 공급 수단이, 순수 중에 이산화탄소를 용해시킨 이산화탄소 수용액을 냉각하여, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 조제하는 처리액 조제 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 처리액 조제 수단이, 순수 중에 이산화탄소를 용해시켜 이산화탄소 수용액을 조제하는 이산화탄소 수용액 조제 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 상기 기판 지지 수단이, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단이며, 상기 처리액 공급 수단에 의해, 상기 기판 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 주면으로 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 공급되고, 기판의 주면 상에서 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 혼합 부재를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상술의 기판 처리 장치에서, 기판의 처리가 세정 처리인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 최선의 실시형태에 관해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1 내지 도 4는, 본 발명의 실시형태의 일례를 도시하고, 도 1은, 기판 처리 장치, 이 예에서는 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 요부 사시도이고, 도 2는 그 정면도이고, 도 3은 그 측면도이며, 도 4는 이 기판 세정 장치의 구성 요소 중 하나인 제빙·송액부의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
이 기판 세정 장치는, 서로 평행하게 병설된 복수의 반송 롤러(10)로 구성되고 기판(W)을 경사 자세로 지지하여 그 경사 방향과 직교하는 방향으로 또한 수평 방향으로 기판(W)을 반송하는 롤러 컨베이어(도 1 및 도 3에는 도시를 생략), 이 롤러 컨베이어에 의해서 반송되는 기판(W)의 주면에, 얼음의 미립자를 포함하는 순수(純水)(이하, 「얼음 슬러리」라고 함)를 공급하는 노즐(12) 및 기판(W)의 주면 상에서 얼음 슬러리를 혼합하는 평면 브러시(14)를 구비하여 구성되어 있다. 노즐 (12)은, 기판(W)의, 그 반송 방향과 직교하는 폭 방향의 치수와 거의 동등한 길이를 가지고, 기판(W)의 바로 위의 위치에, 기판 반송 방향과 교차하고 또한 기판(W)의 경사를 따르도록 설치되어 있다. 노즐(12)의 하단면에는, 그 길이 방향으로 슬릿 형상 유출구가 형성되어 있고, 그 슬릿 형상 유출구로부터 얼음 슬러리가 거의 가압되어 있지 않은 상태로 유출하도록 되어 있다. 이 노즐(12)에는, 그 내부에 형성된 유로에 연통하도록 배관(16)이 접속되어 있고, 노즐(12)은, 그 배관(16)을 통해서 후술하는 제빙·송액부(20)(도 4 참조)에 유로 접속되어 있다.
평면 브러시(14)는, 노즐(12)의 설치 위치보다 기판 반송 방향에서의 전방 측에 또한 노즐(12)의 근처에 설치되어 있고, 그 하면에 모헤어, 나일론 등의 털(18)이 평면 형상으로 심겨져(植設) 있다. 이 평면 브러시(14)는, 기판(W)의 폭 방향의 치수와 거의 동등한 길이를 가지고, 기판(W)의 바로 위의 위치에, 기판 반송 방향과 교차하고 또한 기판(W)의 경사에 따르도록 설치되어 있다. 또한, 도시를 생략하고 있으나, 평면 브러시(14)는, 털(18)의 선단이 기판(W)의 주면에 접촉 또는 근접하도록 지지·이동 기구에 지지되어, 지지·이동 기구에 의해서 길이 방향으로 기판(W)의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동시켜지게 되어 있다.
얼음 슬러리를 조제하여 노즐(12)로 보내는 제빙·송액부(20)는, 도 4에 도시하는 것과 같이, 이중벽 구조로 형성되어 원통 형상의 내주 벽면을 가지고 순수 공급구(24) 및 얼음 슬러리 배출구(26)가 형성된 용기(22)를 구비하고 있다. 용기(22)의 순수 공급구(24)는, 순수 공급원에 유로 접속된 순수 공급용 배관(28)에 연통하여 접속되어 있고, 얼음 슬러리 배출구(26)는, 노즐(12)에 유로 접속된 얼음 슬러리 송액용의 배관(16)에 연통하여 접속되어 있다. 용기(22)의 내벽과 외벽 사이의 공간에는, 부동액(30)이 충전되어 있다. 부동액(30)은, 용기(22)의 2중벽 안과 쿨러(냉각 장치)(32)의 사이에서 순환시켜지고 있고, 쿨러(32)에 의해서 빙점 이하의 온도로 냉각되어, 용기(22)의 내주 벽면이 빙점 이하의 온도로 냉각 유지되어 있다. 용기(22)의 내부에는, 그 축심 위치에 회전 지지축(34)이 삽입 통과되고, 회전 지지축(34)에 스크류 날(36)이 고착되어 있다. 회전 지지축(34)은, 용기(22)의 외부에 연장 설치된 단부가 모터(38)의 회전축에 연결되어 있다. 스크류 날(36)은, 용기(22)의 내주 벽면에 근접하는 외주 날끝을 가지고 있다. 그리고, 모터(38)에 의해서 회전 지지축(34)이 회전시켜지짐으로써, 스크류 날(36)은, 외주 날끝을 용기(22)의 내주 벽면에 근접시키면서 회전하게 되어 있다.
이 제빙·송액부(20)에서는, 순수 공급원으로부터 용기(22) 안으로 순수 공급구(24)를 통해서 순수가 공급되면, 그 순수의 일부가 용기(22)의 내주 벽면에서 냉각되어 빙결하여, 용기(22)의 내주 벽면에 석출하여 성장한 얼음 결정이, 스크류 날의 외주 날끝에 의해서 긁어모아진다. 그리고, 용기(22)의 내주 벽면으로부터 긁어모아진 얼음 결정은, 순수 중에 확산하여, 얼음 슬러리가 조제된다. 이 때 제조되는 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자는, 예컨대 1㎛∼200㎛ 정도의 입경이고, 세정하고자 하는 기판(W)의 표면에 형성된 패턴의 선 폭이나 홈 폭에 따라서, 용기(22)의 내주 벽면에서의 냉각 온도, 스크류 날(36)의 회전 속도, 용기(22) 안으로의 순수의 공급 유량 등의 조건을 적절히 설정함으로써, 얼음의 미립자의 입경을 조절하도록 하면 된다. 용기(22)의 내부에서 조제된 얼음 슬러리는, 스크류 날 (36)의 나선적 회전 운동에 의한 추진력을 얻어, 용기(22) 안으로부터 얼음 슬러리 배출구(26)를 통해서 배출되어, 배관(16)을 통하여 노즐(12)로 보내어진다. 그리고, 이 제빙·송액부(20)에 의하면 맥동이 없는 조용한 얼음 슬러리의 이송이 가능해진다. 또한, 이 제빙·송액부(20)는, 설치 스페이스를 그다지 필요로 하지 않아, 노즐(12)의 근방에 설치하는 것이 가능하고, 그만큼, 배관(16)의 길이도 짧게 할 수 있다.
상기한 구성을 가지는 기판 세정 장치에서는, 제빙·송액부(20)에서 조제되어 노즐(12)로 보내어진 얼음 슬러리는, 특별히 가압되지 않고 노즐(12)의 슬릿 형상 유출구로부터 유출하여, 롤러 컨베이어에 의해서 경사 자세로 수평 방향으로 반송되는 기판(W)의 주면에 공급된다. 기판(W)의 주면에 공급된 얼음 슬러리는, 기판(W)의 경사를 따라서 흘러내리면서, 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 왕복 이동하는 평면 브러시(14)에 의해서 기판(W)의 주면 상에서 혼합되어, 기판(W)의 낮은 위치 측의 단부 가장자리로부터 자연스럽게 유출한다. 이 때, 얼음 슬러리가 평면 브러시(14)에 의해서 기판(W)의 주면 상에서 혼합됨으로써, 기판(W)의 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 얼음 슬러리 및 그 융해수와 함께 기판(W)의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다.
또한 제빙·송액부(20)의 구성은, 상기 실시형태에서 설명한 것에 한하지 않고, 예컨대, 제빙부에서 조제된 얼음 슬러리를 버퍼 탱크 내에 저류(貯留)하고, 버퍼 탱크 안에서 얼음 슬러리를 조용하게 교반하면서, 버퍼 탱크 안으로부터 노즐 (12)로 펌프로 얼음 슬러리를 송액하도록 하여도 된다.
도 1 내지 도 3에 도시한 기판 세정 장치에서, 배관(16)을 통해서 노즐(12)로 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액(이하,「과산화수소 함유 얼음 슬러리」라고 한다)을 송액하고, 롤러 컨베이어에 의해서 반송되는 기판(W)의 주면에 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 공급하도록 구성하여도 된다.
즉, 제빙·송액부(20)를 대신하여 도 5에 도시하는 것과 같은 제빙·송액부(40)를, 노즐(12)에 배관(16)을 통하여 유로 접속한다. 제빙·송액부(40)는, 이중벽 구조로 형성되어 원통 형상의 내주벽면을 가지고 과산화수소 공급구(44) 및 얼음 슬러리 배출구(46)가 형성된 용기(42)를 구비하고 있다. 용기(42)의 얼음 슬러리 배출구(46)는, 노즐(12)에 유로 접속된 얼음 슬러리 송액용의 배관(16)에 연통하여 접속되어 있다. 용기(42)의 과산화수소수 공급구(44)는, 과산화수소수 공급용 배관(48)에 연통하여 접속되어 있고, 과산화수소수 공급용 배관(48)의 단부는, 조합조(調合槽)(50)의 내부에 삽입되어 있다. 또한, 과산화수소수 공급용 배관(48)에는, 펌프(52), 필터(54) 및 개폐 밸브(56)가 각각 개재하여 설치되어 있다. 조합조(50)에는, 순수 공급원에 유로 접속된 순수 공급관(58)의 공급구 및 과산화수소의 공급 탱크(비 도시)에 유로 접속된 과산화수소 공급관(60)의 공급구가 각각 연통 접속되어 있다. 순수 공급관(58)에는, 개폐 제어 밸브(62) 및 유량 조정 밸브(64)가 각각 개재하여 설치되어 있고, 또한, 과산화수소 송급관(60)에는, 개폐 제어 밸브(66) 및 유량 조절 밸브(68)가 각각 개재하여 설치되어 있다.
용기(42)의 내벽과 외벽 사이의 공간에는, 부동액(70)이 충전되어 있다. 부 동액(70)은, 용기(42)의 2중벽 안과 쿨러(냉각 장치)(72) 사이에서 순환시켜지고 있고, 쿨러(72)에 의해서 과산화수소수의 응고점 이하의 온도로 냉각되어, 용기(42)의 내주 벽면이 응고점 이하의 온도로 냉각 유지되어 있다. 용기(42)의 내부에는, 그 축심 위치에 회전 지지축(74)이 삽입 통과되어 있고, 회전 지지축(74)에 스크류 날(76)이 고착되어 있다. 회전 지지축(74)은, 용기(42)의 외부에 연장 설치된 단부가 모터(78)의 회전축에 연결되어 있다. 스크류 날(76)은, 용기(42)의 내주 벽면에 근접하는 외주 날끝을 가지고 있다. 그리고, 모터(78)에 의해서 회전 지지축(74)이 회전시켜짐으로써, 스크류 날(76)은, 외주 날끝을 용기(42)의 내주 벽면에 근접시키면서 회전하게 되어 있다.
이 제빙·송액부(40)에서는, 순수 공급관(58)에 설치된 개폐 제어 밸브(62)및 과산화수소 공급관(60)에 설치된 개폐 제어 밸브(66)를 각각 제어함으로써, 순수 공급관(58)을 통해서 조합조(50) 안으로 공급되는 순수와 과산화수소 공급관(60)을 통해서 조합조(50) 안으로 공급되는 과산화수소가, 조합조(50) 안에서 소정의 비율로 혼합되어 소정 농도, 예컨대 5% 또는 그 이하, 바람직하게는 1% 전후의 과산화수소수가 조합된다. 조합조(50) 안에서 조합된 소정 농도의 과산화수소수는, 펌프(52)에 의해 과산화수소수 공급용 배관(48)을 통해서 용기(42)의 과산화수소수 공급구(44)로 공급된다. 소정 농도의 과산화수소수가 과산화수소수 공급구(44)를 통하여 용기(42) 안으로 유입하면, 그 소정 농도의 과산화수소수의 일부가 용기(42)의 내주 벽면에서 냉각되어 빙결하여, 용기(42)의 내주 벽면에 석출하여 성장한 얼음 결정이, 스크류 날(76)의 외주 날끝에 의해서 긁어모아진다. 그리 고, 용기(42)의 내주 벽면으로부터 긁어모아진 얼음 결정은, 처리액 중에 확산하여, 과산화수소 함유 얼음 슬러리가 조제된다. 이 때 제조되는 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자에는 과산화수소가 함유되어 있다.
도 5에 도시한 제빙·송액부(40)에서 조제된 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 노즐(12)로 송액하여, 롤러 컨베이어에 의해 경사 자세로 수평 방향으로 반송되는 기판(W)의 주면에 공급하도록 하였을 때에는, 상술과 같이, 기판(W)의 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 과산화수소 함유 얼음 슬러리 및 그 융해수와 함께 기판(W)의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 또한, 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자에는 과산화수소가 함유되어 있으므로, 그 과산화수소의 산화 작용에 의해 기판(W) 상의 유기물이 분해되어 제거된다. 또한, 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자는 과산화수소를 함유하고 있어 비교적 부드럽기 때문에, 평면 브러시(14)의 요동 속도(평면 브러시(14) 대신에 롤링 브러시를 이용하는 경우에는 회전 속도)를 보다 높일 수 있어, 평면 브러시(14)에 의한 세정 성능을 보다 높일 수 있다. 또한, 평면 브러시(14)의 털(18)이 항상 과산화수소수와 접촉하게 되므로, 평면 브러시(14)에서의 박테리아의 발생을 억제할 수도 있다. 기판(W)의 주면 상으로부터 흘러내린 폐액 중에는 과산화수소가 포함되지만, 폐액 중에 포함되는 과산화수소는, 분위기의 배기를 행하면서 소정 시간만큼 폐액을 방치하면 증발하므로, 통상의 물로서 재사용하는 것이 가능하다.
또, 이 장치에서는, 상기와 같이 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 가압하지 않고 노즐(12)로부터 기판(W)의 주면에 공급하면 되지만, 과산화수소 함유 얼음 슬 러리를 가압하여 노즐(12)로부터 기판(W)의 주면으로 토출하도록 하더라도, 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자는 과산화수소를 함유하고 있어 비교적 부드럽기 때문에, 예컨대 액정 패턴용의 금속막이 부분적으로 손상을 받는 것과 같은 우려는 없다.
또한, 제빙·송액부(40)의 구성은, 상기 실시형태에서 설명한 것에 한하지 않고, 예컨대, 제빙부에서 과산화수소를 함유한 얼음의 미립자를 포함하는 얼음 슬러리를 조제하고, 그 조제된 얼음 슬러리를 버퍼 탱크 안에 저류하여, 버퍼 탱크 안에서 얼음 슬러리를 조용하게 교반하면서, 버퍼 탱크 안으로부터 노즐(12)로 펌프로 얼음 슬러리를 송액하도록 하여도 된다.
다음으로, 도 1 내지 도 3에 도시한 기판 세정 장치에서, 배관(16)을 통해서 노즐(12)로 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액(이하, 「탄산가스 용해 얼음 슬러리」라고 한다)을 송액하여, 롤러 컨베이어에 의해서 반송되는 기판(W)의 주면에 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 공급하도록 구성하여도 된다.
즉, 제빙·송액부(20) 대신에 도 6에 도시하는 것과 같은 제빙·송액부(60)를, 노즐(12)에 배관(16)을 통해서 유로 접속한다. 제빙·송액부(60)는, 이중벽 구조로 형성되어 원통 형상의 내주 벽면을 가지고 이산화탄소 수용액의 공급구(84) 및 얼음 슬러리의 배출구(86)가 형성된 용기(82)를 구비하고 있다. 용기(82)의 배출구(86)는, 노즐(12)에 유로 접속된 얼음 슬러리 송액용의 배관(16)에 연통하여 접속되어 있다. 용기(82)의 공급구(84)는, 이산화탄소 수용액 공급용의 배관(88)에 연통하여 접속되어 있고, 배관(88)의 단부는, 이산화탄소 수용액의 조제조(90) 의 내부에 삽입되어 있다. 또한, 배관(88)에는, 펌프(92), 필터(94) 및 개폐 밸브(96)이 각각 개재하여 설치되어 있다. 조제조(90)는 밀폐 구조이고, 이 조제조(90)에, 순수 공급원에 유로 접속되고 개폐 밸브(100)가 개재된 순수 공급관(98)의 공급구가 연통 접속되어 있다. 또한, 조제조(90)의 내부에는, 탄산가스 공급원에 유로 접속된 탄산가스 공급관(102)의 선단부가 삽입되어 있고, 탄산가스 공급관(102)의 선단의 취출구가 조제조(90)의 내저면 부근에 배치되어 있다. 탄산가스 공급관(102)에는, 개폐 제어 밸브(104) 및 유량 조정 밸브(106)가 각각 개재하여 설치된다.
용기(82)의 내벽과 외벽 사이의 공간에는, 부동액(108)이 충전되어 있다. 부동액(108)은, 용기(82)의 2중벽 안과 쿨러(냉각 장치)(110) 사이에서 순환시켜지고 있고, 쿨러(110)에 의해서 빙점 이하의 온도로 냉각되어, 용기(82)의 내주 벽면이 응고점 이하의 온도로 냉각 유지되고 있다. 용기(82)의 내부에는, 그 축심 위치에 회전 지지축(112)이 삽입 통과되어 있고, 회전 지지축(112)에 스크류 날(114)이 고착되어 있다. 회전 지지축(112)은, 용기(82)의 외부에 연장 설치된 단부가 모터(116)의 회전축에 연결되어 있다. 스크류 날(114)은, 용기(82)의 내주 벽면에 근접하는 외주 날끝을 가지고 있다. 그리고, 모터(116)에 의해서 회전 지지축(112)이 회전시켜짐으로써, 스크류 날(114)은, 외주 날끝을 용기(82)의 내주 벽면에 근접시키면서 회전하게 되어 있다.
이 제빙·송액부(80)에서는, 순수 공급관(98)을 통해서 조제조(90) 안으로 순수가 공급되어, 조제조(90) 안에 순수가 저류된다. 또한, 탄산가스 공급관(102) 에 설치된 개폐 제어 밸브(104)를 개방함으로써, 탄산가스 공급관(102)을 통해서 조제조(90) 안으로 탄산가스가 공급된다. 조제조(90) 안으로 공급된 탄산가스는, 탄산가스 공급관(102) 선단의 취출구로부터 조제조(90) 안의 순수 중으로 분출하여 버블링되어, 순수 중에 이산화탄소가 용해한 이산화탄소 수용액이 조제된다. 이 때, 조제조(90) 안의 순수를 냉각하여, 저온의 순수 중에서 탄산가스를 버블링하도록 하면, 보다 많은 이산화탄소를 순수 중에 용해시킬 수 있어, 이산화탄소 수용액의 저항값을 보다 낮출 수 있다.
조제조(90) 안에서 조제된 이산화탄소 수용액은, 펌프(92)에 의해 배관(88)을 통해서 용기(82)의 공급구(84)에 공급된다. 이산화탄소 수용액이 공급구(84)를 통과하여 용기(82) 안으로 유입하면, 그 이산화탄소 수용액의 일부가 용기(82)의 내주 벽면에서 냉각되어 빙결하여, 용기(82)의 내주 벽면에 석출하여 성장한 얼음 결정이, 스크류 날(114)의 외주 날끝에 의해서 긁어모아진다. 그리고, 용기(82)의 내주 벽면으로부터 긁어모아진 얼음 결정은, 처리액 중에 확산하여, 이산화탄소가 용해한 탄산가스 용해 얼음 슬러리가 조제된다.
도 6에 도시한 제빙·송액부(80)에서 조제된 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 노즐(12)로 송액하여, 롤러 컨베이어에 의해 경사 자세로 수평 방향으로 반송되는 기판(W)의 주면에 공급하도록 하였을 때에는, 상술과 같이, 기판(W)의 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 탄산가스 용해 얼음 슬러리 및 그 융해수와 함께 기판(W)의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 또한, 탄산가스 용해 얼음 슬러리는, 이산화탄소 수용액을 냉각하여 제조되어 있으므로, 탄산가스 용해 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자가 비교적 부드럽고, 이 때문에, 평면 브러시(14)의 요동 속도(평면 브러시(14) 대신에 롤링 브러시를 이용하는 경우에는 회전 속도)를 보다 크게 할 수 있어, 평면 브러시(14)에 의한 세정 성능을 보다 높일 수 있다. 또한, 탄산가스 용해 얼음 슬러리 중에는 이산화탄소가 용해하고 있으므로, 탄산가스 용해 얼음 슬러리의 비저항값이 비교적 작다. 이 때문에, 탄산가스 용해 얼음 슬러리가 배관(16) 안을 흘러 노즐(12)로 송급될 때에 정전기가 발생하기 어려워, 탄산가스 용해 얼음 슬러리가 기판(W)의 주면에 공급되었을 때에 기판(W) 상의 미세한 패턴이나 디바이스가 정전기에 의해서 파괴되는 것과 같은 우려가 없다. 그리고, 탄산가스 용해 얼음 슬러리는 저온이기 때문에, 이산화탄소는 액 중에 오래 용존시킨 상태로 유지된다.
또, 이 장치에서는, 상기와 같이, 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 가압하지 않고 노즐(12)로부터 기판(W)의 주면에 공급하면 좋으나, 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 가압하여 노즐(12)로부터 기판(W)의 주면으로 토출하도록 하더라도, 탄산가스 용해 얼음 슬러리가 이산화탄소 수용액을 냉각하여 제조되어 있으므로, 탄산가스 용해 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자는 비교적 부드럽다. 이 때문에, 기판(W)의 주면으로 토출된 탄산가스 용해 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자에 의해서, 예컨대 액정 패턴용의 금속막이 부분적으로 손상을 받는 것과 같은 우려가 없다.
또한, 도 6에 도시한 구성의 제빙·송액부(80)는, 조제조(90)에, 탄산가스 공급관(102)을 삽입하기 위한 구멍을 형성하기만 해도 되므로, 그 제작이 용이하고, 이 때문에 실용적이지만, 제빙·송액부(80)의 구성은, 도 6에 도시한 것에 한 하지 않는다. 예컨대, 제빙부에서 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 조제하고, 그 조제된 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 버퍼 탱크 안에 저류하여, 버퍼 탱크 안에서 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 조용하게 교반하면서, 버퍼 탱크 안으로부터 노즐(12)로 펌프로 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 송액하도록 하여도 좋다. 또한, 조제조(90)를 설치하지 않고, 탄산가스 공급관(102)을 용기(82)에 직접 연통 접속하여 용기(82) 안으로 탄산가스를 공급하여, 용기(82) 안의 순수 중에 탄산가스를 분출시켜 버블링함으로써, 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 용기(82) 안에서 조제하도록 하여도 좋다. 이 때에는, 용기(82) 안의 순수가 냉각되어 저온이 되어 있으므로, 보다 많은 이산화탄소를 순수 중에 용해시킬 수 있다. 또한, 순수 중에 이산화탄소를 용해시켜 이산화탄소 수용액을 조제하는 수단은, 상기 실시형태에서 설명한 바와 같이 순수 중에서 탄산가스를 버블링하는 구성에 한하지 않고, 예를 들어, 제빙부에 유로 접속된 순수 공급관의 도중에 가스 용해 모듈을 개재하여 설치하고, 가스 용해 모듈에, 탄산가스 공급원에 유로 접속된 탄산가스 공급관을 접속하여, 가스 용해 모듈 내를 통과하는 순수 중에 이산화탄소를 용해시키도록 하여도 좋다. 또한, 가스 용해 모듈을, 제빙부와 노즐(12)을 유로 접속하는 배관(16)의 도중에 개재하여 설치하도록 하여도 되고, 이 경우에는, 용기(82) 안에서 조제된 저온의 얼음 슬러리 중에 이산화탄소를 용해시키게 되므로, 보다 많은 이산화탄소를 얼음 슬러리 중에 용해시킬 수 있다.
또, 상기 실시형태에서는, 노즐(12)을 기판 반송 방향과 교차하고 또한 기판(W)의 경사를 따르도록 설치하였지만, 노즐을, 경사진 기판의 높은 위치 측의 단부 가장자리부의 바로 위의 위치에 기판 반송 방향을 따라서 설치하도록 하여도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는, 기판(W)을 경사 자세로 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 노즐(12)로부터 기판(W)의 주면에 얼음 슬러리를 공급하고, 평면 브러시(14)에 의해서 기판(W)의 주면 상에서 얼음 슬러리를 혼합하도록 하였지만, 기판(W)의 사이즈가 그다지 크지 않을 때에는, 기판(W)을 수평 자세로 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 노즐(12)로부터 기판(W)의 주면에 얼음 슬러리를 공급하여 평면 브러시(14)로 얼음 슬러리를 혼합하도록 하고, 그 후에, 기판(W)을 경사시켜 수세(水洗) 처리하도록 하여도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는, 평면 브러시(14)에 의해서 기판(W)의 주면 상에서 얼음 슬러리를 혼합하도록 하였으나, 평면 브러시(14) 대신에 롤링 브러시 등을 이용하도록 하여도 좋다.
도 7은, 본 발명의 별도의 실시형태를 도시하고, 기판 회전식 세정 장치(스핀 스크러버)의 요부의 구성을 도시하는 개략 정면도이다.
이 기판 회전식 세정 장치는, 기판(W)을 수평 자세로 유지하는 스핀 척(120)을 구비하고 있다. 스핀 척(120)은, 회전 지지축(122)에 의해 연직축 주위로 회전 자유롭게 지지되어 있고, 회전 지지축(122)에 연결된 모터(비 도시)에 의해서 연직축 주위로 회전시켜진다. 도시를 생략하고 있으나, 스핀 척(120)에 유지된 기판(W)의 주위에는, 기판(W) 상으로부터 주위로 비산하는 얼음 슬러리를 포집하기 위한 컵이 기판(W)을 둘러싸도록 설치되어 있다. 또한, 스핀 척(120)에 유지된 기판(W)의 위쪽에는, 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 기판(W)의 표면으로 토출하는 토출 노즐(124)이 설치되어 있다. 토출 노즐(124)에는, 얼음 슬러리 송액용의 배관 (126)이 접속되어 있고, 도시하지 않으나, 배관(126)은 제빙·송액부에 유로 접속되어 있다. 제빙·송액부의 구성은, 예컨대, 제빙부에서 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 조제하고, 그 조제된 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 버퍼 탱크 안에 저류하여, 버퍼 탱크 안에서 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 조용하게 교반하면서, 배관(126)의 도중에 개재하여 설치된 펌프에 의해, 버퍼 탱크 안으로부터 과산화수소 함유 얼음 슬러리를 가압하여 토출 노즐(124)로 송급하는 것이다.
도 7에 도시한 장치에서는, 스핀 척(120)에 의해 유지되어 회전하는 기판(W)의 표면으로, 과산화수소 함유 얼음 슬러리가 가압되어 토출 노즐(124)로부터 토출된다. 이에 따라, 기판(W)의 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져 과산화수소 함유 얼음 슬러리와 함께 기판(W)의 표면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이 경우에서, 토출 노즐(124)로부터 기판(W)의 표면으로 토출되는 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자는, 과산화수소를 함유하고 있으므로, 순수만을 냉각하여 제조되는 얼음의 미립자에 비하여 부드럽다. 이 때문에, 기판(W)의 표면상에서, 토출 노즐(124)로부터 토출되는 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자가 기판(W)의 표면에 충돌할 때의 에너지에 다소의 불균일이 있더라도, 기판(W)의 표면에 형성된 패턴 형상의 금속막 등이 부분적으로 손상을 받는 것과 같은 일이 방지된다. 또한, 기판(W)의 표면으로 토출되는 과산화수소 함유 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자에 과산화수소가 함유되어 있는 것에 의해, 그 과산화수소의 산화 작용으로 기판(W) 상의 유기물이 분해되어 제거되게 된다.
또한, 도 7에 도시한 기판 회전식 세정 장치에서, 과산화수소 함유 얼음 슬러리 대신에 탄산가스 용해 얼음 슬러리를, 배관(126)을 통해서 토출 노즐(124)로 송액하고, 스핀 척(120)에 의해 유지되어 회전하는 기판(W)의 표면으로 탄산가스 용해 얼음 슬러리를 토출 노즐(124)로부터 토출하도록 구성하여도 좋다. 이 경우에도, 상기와 같이, 기판(W)의 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 탄산가스 용해 얼음 슬러리와 같이 기판(W)의 표면상으로부터 유출하여 제거된다. 또한, 토출 노즐(124)로부터 기판(W)의 표면으로 토출되는 탄산가스 용해 얼음 슬러리는, 이산화탄소 수용액을 냉각하여 제조되어 있으므로, 탄산가스 용해 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자는, 순수만을 냉각하여 제조되는 얼음의 미립자에 비하여 비교적 부드럽다. 이 때문에, 기판(W)의 표면상에서, 토출 노즐(124)로부터 토출되는 탄산가스 용해 얼음 슬러리 중의 얼음의 미립자가 기판(W)의 표면에 충돌할 때의 에너지에 다소의 불균일이 있더라도, 기판(W)의 표면에 형성된 패턴 형상의 금속막 등이 부분적으로 손상을 받는 것과 같은 일이 방지된다. 또한, 탄산가스 용해 얼음 슬러리는, 이산화탄소가 용해하고 있는 것에 의해 비저항값이 비교적 작다. 이 때문에, 탄산가스 용해 얼음 슬러리가 배관(126) 안을 흘러 토출 노즐(124)에 송급되는 과정에서 정전기가 발생하기 어려워, 토출 노즐(124)로부터 탄산가스 용해 얼음 슬러리가 기판(W)의 주면에 공급되었을 때에 기판(W)상의 미세한 패턴이나 디바이스가 정전기에 의해서 파괴되는 것이 방지된다.
또, 상기한 각 실시형태에서는, 기판을 세정하는 처리에 관해서 설명하였지만, 본 발명은, 세정 이외의 기판의 처리에 관해서도 적용할 수 있는 것이다. 예 를 들어, 도 1 내지 도 3에 도시한 구성의 장치를, 기판의 에칭 처리 장치의 치환 수세부에서 사용할 때에는, 평면 브러시(14)에 의해서 에칭액과 얼음 슬러리를 혼합함으로써, 고점도의 에칭액을 순수로 희석하는 처리가 촉진되는 것 및 기판에 얼음 슬러리를 공급하는 것에 의해 기판 및 에칭액이 저온화함으로써, 에칭 반응을 고속으로 정지시킬 수 있고, 또한 순수에 의한 에칭액의 치환 효율이 향상하게 된다. 또한, 처리액의 종류는, 순수에 한정되지 않고, 약액이더라도 좋다.
청구항 1에 관한 발명의 기판 처리 방법에서는, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면에 공급되고, 그 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합됨으로써, 예를 들어 세정 처리에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 처리액과 함께 기판의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이와 같이, 얼음의 미립자가 기판의 주면에 충돌하는 힘에 의해서 오염 물질이 기판 상으로부터 제거되는 것이 아니라, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면 상에서 혼합됨으로써 오염 물질이 기판 상으로부터 제거되므로, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 노즐로부터 분출시킬 필요가 없다.
따라서, 청구항 1에 관한 발명의 기판 처리 방법에 의하면, 처리 불균일을 일으키지 않고 균일한 기판 처리를 행할 수 있고, 또한 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주지도 않는다.
청구항 2에 관한 발명의 기판 처리 방법에서는, 기판이 경사 자세로 지지되 어 반송되므로, 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액은, 기판의 경사를 따라서 흘러내리면서 혼합 부재에 의해 기판의 주면 상에서 혼합되어, 기판의 낮은 위치 측의 단부 가장자리로부터 자연스럽게 유출한다.
청구항 3에 관한 발명의 기판 처리 방법에서는, 평면 브러시가 기판의 주면을 따라서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 기판의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동함으로써, 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면 상에서 효율적으로 혼합된다.
청구항 4에 관한 발명의 기판 처리 방법에서는, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면으로 공급됨으로써, 예를 들어 세정 처리에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 처리액과 함께 기판의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이 경우에서, 얼음의 미립자는, 과산화수소를 함유하고 있으므로, 순수만을 냉각하여 제조되는 얼음의 미립자에 비하여 부드럽다. 이 때문에, 예를 들어 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 노즐로부터 분출시킨 경우에, 기판의 표면 상의 위치에 따라서 얼음의 미립자가 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지에 다소의 불균일이 있더라도, 예를 들어 액정 패턴용의 금속막이 부분적으로 손상을 입는 것과 같은 일이 방지된다. 또한 최근에는, FPD 등의 제조 메이커에 공급되는 유리 기판 등의 유기물 오염의 정도가 적어지고 있으나, 기판의 주면에 공급되는 처리액 중의 얼음의 미립자에 과산화수소가 함유되어 있으므로, 그 과산화수소의 산화 작용에 의해 기판 상의 유기물이 분해되어 제거된다.
따라서, 청구항 4에 관한 발명의 기판 처리 방법에 의하면, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 일이 없고, 또한, 기판의 유기물 오염의 정도가 그다지 크지 않은 경우 등에는, 기판의 일련의 세정 처리에서 유기물 오염의 제거 공정을 생략할 수 있다.
청구항 6에 관한 발명의 기판 처리 방법에서는, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면에 공급됨으로써, 예를 들어 세정 처리에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 처리액과 함께 기판의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이 경우에, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액은, 순수 중에 이산화탄소를 용해시킨 이산화탄소 수용액을 냉각하여 제조되므로, 순수만을 냉각하여 제조되는 얼음의 미립자에 비하여 부드럽다. 이 때문에, 예컨대 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 노즐로부터 분출시켰을 때에, 기판의 표면 상의 위치에 따라서 얼음의 미립자가 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지에 다소의 불균일이 있더라도, 예컨대 액정 패턴용의 금속막이 부분적으로 손상을 입는 것과 같은 일이 방지된다. 또한, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액 중에는 이산화탄소가 용해되어 있으므로, 순수에 비하여 처리액의 비저항값이 작다. 이 때문에, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액은, 배관 내를 흘러 노즐로 송급될 때에 정전기가 발생하기 어려워, 기판의 주면에 공급되었을 때에 기판 상의 미세한 패턴이나 디바이스가 정전기에 의해서 파괴될 우려가 없다.
따라서, 청구항 6에 관한 발명의 기판 처리 방법에 의하면, 기판 상에 형성 된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 일이 없고, 또한, 정전기에 의해서 기판 상의 미세한 패턴이나 디바이스를 파괴하는 일도 없다.
청구항 4 및 청구항 6에 관한 각 발명의 기판 처리 방법에 의하면, 예컨대 세정 처리에서는, 얼음의 미립자가 기판의 주면에 충돌하는 힘에 의해서 오염 물질이 기판 상으로부터 제거되는 것이 아니라, 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합됨으로써 오염 물질이 기판 상으로부터 제거되므로, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 노즐로부터 분출시킬 필요가 없다.
따라서, 청구항 4 및 청구항 6에 관한 각 발명의 기판 처리 방법에서는, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지 불균일에 의해서 처리 불균일을 일으키는 것과 같은 가능성이 없어져, 균일한 기판 처리를 행할 수 있고, 또한, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 것과 같은 일도 보다 확실히 방지할 수 있다.
청구항 8에 관한 발명의 기판 처리 방법에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 기판의 주면 상으로부터 제거된다.
청구항 9에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 공급 수단에 의해 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면에 공급되고, 혼합 부재가 기판의 주면에 접촉 또는 근접하여 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합함으로써, 예를 들어 세정 처리에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 처리액과 함께 기판의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이와 같이, 얼음의 미립자를 기판의 주면에 충돌시키는 힘에 의해서 오염 물질을 기판 상으로부터 제거하는 것이 아니라, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면 상에서 혼합함으로써 오염 물질을 기판 상으로부터 제거하므로, 처리액 공급 수단에 의해 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 기판의 주면으로 분출시킬 필요가 없다.
따라서, 청구항 9에 관한 발명의 기판 처리 장치를 사용하면, 처리 불균일을 일으키지 않고 균일한 기판 처리를 행할 수 있고, 또한, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 일도 없다.
청구항 10에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 기판 반송 수단에 의해 기판이 경사 자세로 지지되어 반송되므로, 처리액 공급 주단에 의해 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액은, 기판의 경사를 따라서 흘러내리면서 혼합 부재에 의해 기판의 주면 상에서 혼합되어, 기판의 낮은 위치 측의 단부 가장자리로부터 자연스럽게 유출한다.
청구항 11에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 이동 수단에 의해 평면 브러시가 기판의 주면을 따라서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 기판의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동하게 됨으로써, 처리액 공급 수단에 의해 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면 상에서 효율적으로 혼합할 수 있다.
청구항 12에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 제빙·송액 수단에 의해 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 조제되어 노즐로 보내어져, 얼음의 미립자를 포 함하는 처리액은, 특별히 가압되는 일없이 노즐의 슬릿 형상 유출구로부터 유출하여 기판의 주면에 공급된다.
청구항 13에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 냉각 수단에 의해 용기의 벽면이 냉각되어, 순수 공급 수단에 의해 용기 안으로 공급구를 통해서 공급된 순수의 일부가, 냉각된 용기의 벽면에서 냉각되어 빙결하고, 용기의 내주 벽면에 석출하여 성장한 얼음 결정이 긁어모음 수단에 의해 긁어모아져 순수 중에 확산하여, 얼음의 미립자를 포함하는 순수가 조제된다. 그리고, 얼음의 미립자를 포함하는 순수는, 용기 안으로부터 배출구를 통해서 배출되어 배관을 통하여 노즐에 보내어진다.
청구항 14에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 공급 수단에 의해서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면에 공급됨으로써, 예를 들어 세정 처리에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 처리액과 함께 기판의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이 때에 처리액 공급 수단에 의해서 기판의 주면에 공급되는 처리액 중의 얼음의 미립자는, 과산화수소를 함유하고 있으므로, 순수만을 냉각하여 제조되는 얼음의 미립자에 비하여 부드럽다. 이 때문에, 예를 들어 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 노즐로부터 분출시켰을 때에, 기판의 표면 상의 위치에 따라서 얼음의 미립자가 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지에 다소의 불균일이 있더라도, 예를 들어 액정 패턴용의 금속막이 부분적으로 손상을 받는 것과 같은 일이 방지된다. 또한, 기판의 주면에 공급되는 처리액 중의 얼음의 미립자에 과산화수소가 함유되어 있으므로, 그 과산화수소의 산화 작용에 의해 기판 상의 유기물이 분해되어 제거된다.
따라서, 청구항 14에 관한 발명의 기판 처리 장치를 사용하면, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 일이 없고, 또한, 기판의 유기물 오염 정도가 그다지 크지 않은 경우 등에는, 기판의 일련의 세정 처리에서 유기물 오염의 제거 공정을 생략할 수 있다.
청구항 15에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 공급 수단에서, 처리액 조제 수단에 의해 소정 농도의 과산화수소수가 냉각되어 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 조제된다.
청구항 16에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 조제 수단에서, 과산화수소수 조합 수단에 의해 과산화수소와 순수가 소정의 비율로 혼합되어 소정 농도의 과산화수소수가 조합된다.
청구항 18에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 공급 수단에 의해서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면에 공급됨으로써, 예를 들어 세정 처리에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 얼음의 미립자에 의해서 긁어내어져, 오염 물질이 처리액과 함께 기판의 주면 상으로부터 유출하여 제거된다. 이 때에 처리액 공급 수단에 의해서 기판의 주면에 공급되는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액은, 순수 중에 이산화탄소를 용해시킨 이산화탄소 수용액을 냉각하여 제조되므로, 순수만을 냉각하여 제조되는 얼음의 미립자에 비하여 부드럽다. 이 때문에, 예컨대 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하 여 노즐로부터 분출시켰을 때에, 기판의 표면 상의 위치에 따라서 얼음의 미립자가 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지에 다소의 불균일이 있더라도, 예를 들어 액정 패턴용의 금속막이 부분적으로 손상을 받는 것과 같은 일이 방지된다. 또한, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액 중에는 이산화탄소가 용해되어 있으므로, 순수에 비하여 처리액의 비저항값이 작다. 이 때문에, 기판의 주면에 공급되는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액은, 배관 안을 흘러 노즐에 송급될 때에 정전기가 발생하기 어려워, 기판의 주면에 공급되었을 때에 기판 상의 미세한 패턴이나 디바이스가 정전기에 의해서 파괴되는 것과 같은 우려가 없다.
따라서, 청구항 18에 관한 발명의 기판 처리 장치를 사용하면, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 일이 없으며, 또한, 정전기에 의해서 기판 상의 미세한 패턴이나 디바이스를 파괴하는 일도 없다.
청구항 19에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 공급 수단에서의 처리액 조제 수단에 의해, 순수 중에 이산화탄소를 용해시킨 이산화탄소 수용액이 냉각되어, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 조제된다.
청구항 20에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 처리액 조제 수단에서의 이산화탄소 수용액 조제 수단에 의해, 순수 중에 이산화탄소가 용해되어 이산화탄소 수용액이 조제된다.
청구항 14 및 청구항 18에 관한 각 발명의 기판 처리 장치에서는, 예를 들어 세정 처리에서는, 얼음의 미립자가 기판의 주면에 충돌하는 힘에 의해서 오염 물질이 기판 상으로부터 제거되는 것이 아니라, 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합됨으로써 오염 물질이 기판 상으로부터 제거되므로, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 가압하여 노즐로부터 분출시킬 필요가 없다.
따라서, 청구항 14 및 청구항 18에 관한 각 발명의 기판 처리 장치를 사용하면, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 표면에 충돌할 때의 에너지 불균일에 의해서 처리 불균일을 일으키는 것과 같은 가능성이 없어져, 균일한 기판 처리를 행할 수 있고, 또한, 기판 상에 형성된 금속막 등의 피막에 손상을 주는 것과 같은 일도 보다 확실하게 방지할 수 있다.
청구항 22에 관한 발명의 기판 처리 장치에서는, 기판 표면의 오목부 등에 존재하는 파티클 등의 오염 물질이 기판의 주면 상으로부터 제거된다.

Claims (22)

  1. 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하고, 혼합 부재를 기판의 주면에 접촉 또는 근접시켜 이동하면서 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    기판이 경사 자세로 지지되고 그 경사 방향과 직교하는 방향으로 또한 수평 방향으로 반송되어, 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 경사를 따라서 흘러내리면서, 상기 혼합 부재에 의해 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 혼합시켜지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 혼합 부재가 평면 브러시이고, 그 평면 브러시를 기판의 주면을 따라서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 기판의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하고, 혼합 부재를 기판의 주면 상에서 이동하면서, 그 처리액을 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 삭제
  6. 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하면서, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하고, 혼합 부재를 기판의 주면 상에서 이동하면서, 그 처리액을 기판의 주면 상에서 혼합 부재에 의해서 혼합하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 삭제
  8. 제1항 내지 제4항, 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판의 처리가 세정 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과,
    이 기판 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 주면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 처리액 공급 수단이, 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 기판의 주면에 공급하는 것이고, 기판의 주면에 접촉 또는 근접하여 이동하면서 기판의 주면 상에서 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 혼합 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기판 반송 수단이, 기판을 경사 자세로 지지하여 그 경사 방향과 직교하는 방향으로 또한 수평 방향으로 기판을 반송하는 것이고, 상기 처리액 공급 수단에 의해서 기판의 주면에 공급된 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 기판의 경사를 따라서 흘러내리도록 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 혼합 부재가 평면 브러시이고, 그 평면 브러시를, 상기 처리액 공급 수단에 의한 처리액의 공급 위치보다 기판 반송 방향에서의 전방 측에 설치하고, 상 기 평면 브러시를 기판의 주면을 따라서 기판 반송 방향과 교차하는 방향으로 기판의 전체 폭에 걸쳐 왕복 이동시키는 이동 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 처리액 공급 수단이,
    얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 유출시키는 슬릿 형상 유출구를 가지는 노즐과,
    얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 조제하여 상기 노즐에 보내는 제빙·송액 수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제빙·송액 수단이,
    원통 형상의 내주 벽면을 가지고 공급구 및 배출구가 형성된 용기와,
    이 용기의 벽면을 냉각하는 냉각 수단과,
    상기 용기의 내주 벽면에 석출하여 성장한 얼음 결정을 긁어모아 순수 중에 확산시키는 긁어모음 수단과,
    상기 용기 안으로 공급구를 통해서 순수를 공급하는 순수 공급 수단과,
    상기 용기 안으로부터 배출구를 통해서 배출된 얼음의 미립자를 포함하는 순수를 상기 노즐에 보내기 위한 배관을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 기판의 주면으로 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 기판 지지 수단과,
    이 기판 지지 수단에 의해서 지지된 기판의 주면에, 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비하고,
    상기 기판 지지 수단이, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단이고, 상기 처리액 공급 수단에 의해, 상기 기판 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 주면에 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 공급되고, 기판의 주면 상에서 이동하면서 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 혼합 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 처리액 공급 수단이, 소정 농도의 과산화수소수를 냉각하여 과산화수소를 함유하는 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 조제하는 처리액 조제 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 처리액 조제 수단이, 과산화수소와 순수를 소정의 비율로 혼합하여 상기 소정 농도의 과산화수소수를 조합하는 과산화수소수 조합 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 삭제
  18. 기판의 주면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 기판 지지 수단과,
    이 기판 지지 수단에 의해서 지지된 기판의 주면에, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비하고,
    상기 기판 지지 수단이, 기판을 지지하여 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단이고, 상기 처리액 공급 수단에 의해, 상기 기판 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 주면에 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액이 공급되고, 기판의 주면 상에서 이동하면서 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 혼합하는 혼합 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 처리액 공급 수단이, 순수 중에 이산화탄소를 용해시킨 이산화탄소 수용액을 냉각하여, 이산화탄소가 용해하고 얼음의 미립자를 포함하는 처리액을 조제하는 처리액 조제 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 처리액 조제 수단이, 순수 중에 이산화탄소를 용해시켜 이산화탄소 수 용액을 조제하는 이산화탄소 수용액 조제 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  21. 삭제
  22. 제9항 내지 제16항, 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판의 처리가 세정 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102017271B1 (ko) * 2017-04-03 2019-09-03 주식회사 케이씨텍 기판 연마 장치
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62267742A (ja) 1986-05-15 1987-11-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造方法
JPH0349224A (ja) * 1989-07-17 1991-03-04 Mitsubishi Electric Corp 基板の処理方法
JPH0394427A (ja) * 1989-09-06 1991-04-19 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面の洗浄方法
KR20010109346A (ko) * 1999-04-12 2001-12-08 페터 옐리히, 울리히 비블 기판 세척 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62267742A (ja) 1986-05-15 1987-11-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造方法
JPH0349224A (ja) * 1989-07-17 1991-03-04 Mitsubishi Electric Corp 基板の処理方法
JPH0394427A (ja) * 1989-09-06 1991-04-19 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面の洗浄方法
KR20010109346A (ko) * 1999-04-12 2001-12-08 페터 옐리히, 울리히 비블 기판 세척 장치 및 방법

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