JP2004200246A - 基板洗浄方法及び装置 - Google Patents
基板洗浄方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004200246A JP2004200246A JP2002364363A JP2002364363A JP2004200246A JP 2004200246 A JP2004200246 A JP 2004200246A JP 2002364363 A JP2002364363 A JP 2002364363A JP 2002364363 A JP2002364363 A JP 2002364363A JP 2004200246 A JP2004200246 A JP 2004200246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- aqueous solution
- alkaline aqueous
- ozone water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】オゾン水とアルカリ性水溶液とを基板上で混合してオゾンによる酸化とアルカリによる還元とにより洗浄する基板洗浄方法及び装置を提供する。
【解決手段】オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板1を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄方法及び装置であって、オゾン水を供給するオゾン供給源12と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源14と、オゾン供給源12に接続してオゾン水を基板1上に放出する第1ノズル10a及びアルカリ供給源14に接続してアルカリ性水溶液を基板1上に放出する第2ノズル10bを有した放出手段10とを備え、基板1の近傍に第1ノズル10a及び第2ノズル10bを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに、基板1の表面上に放出した薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板1を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄方法及び装置であって、オゾン水を供給するオゾン供給源12と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源14と、オゾン供給源12に接続してオゾン水を基板1上に放出する第1ノズル10a及びアルカリ供給源14に接続してアルカリ性水溶液を基板1上に放出する第2ノズル10bを有した放出手段10とを備え、基板1の近傍に第1ノズル10a及び第2ノズル10bを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに、基板1の表面上に放出した薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設ける。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板洗浄方法及び装置に係り、より詳細には、シリコンウェハに代表される半導体基板や液晶用ガラス基板などの高度に清浄な表面を要求される基板に所定の薬液を放出して洗浄する基板洗浄方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
【特許文献1】
特開2002−1243号公報(第2−5頁、第1図)
【0003】
従来、基板洗浄方法及び装置では、IC、LSI等の半導体装置の製造工程において、半導体基板(シリコンウェハ)やガラス基板(LCD)などの基板をRCA洗浄と呼ばれる高濃度の薬液を用いて洗浄する高温洗浄技術が知られている。このRCA洗浄は、使用する薬液によってリンスに要する純水などの洗浄コストの圧迫、大量に排出される排液や薬液を高温高濃度で使用するために発生する薬液排気による環境負荷が問題となっている。
【0004】
そこで、従来の基板洗浄方法及び装置では、環境負荷が少なく一定の洗浄効果が得られるオゾンを純水に溶解したオゾン水と、異物及び基板表面のゼータ電位を同極性にするアルカリ性水溶液との薬液を用いて洗浄する基板洗浄方法(例えば、特許文献1参照)が開発されている。図3は、このようなオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液を用いた従来の基板洗浄装置の一実施形態を示す構成図である。
【0005】
図3に示すように、従来の基板洗浄装置の一実施形態は、基板1を保持してモータ2により回転可能にするチャック3と、純水にオゾンを混合してオゾン水を供給するオゾン供給源31と、このオゾン供給源31からオゾン水を送り出す供給管32と、この供給管32に注入部34aからアルカリ性水溶液をポンプ34bにより注入するアルカリタンク34と、オゾン水とアルカリ性水溶液とを混合する混合部33と、この混合部33で混合した薬液を基板1に放出するノズル30とを備えている。ここで、供給管32には、基板1の洗浄効果を増強するため、注入部36aに酸を供給する酸タンク36と、ノズル30の近傍でフッ酸を供給するフッ酸タンク38とを更に備え、ポンプ36b、38bにより注入可能に設けている。
【0006】
このような従来の基板洗浄装置の一実施形態を用いてオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液で洗浄する基板洗浄方法は、まず、オゾン供給源31に純水とオゾンとを供給してオゾン水を製造し、このオゾン水を供給管32により送り出す。この供給管32には、アルカリタンク34から注入部34aにポンプ34bでアルカリ性水溶液を少量注入する。そして、このオゾン水とアルカリ性水溶液とは、混合部33において均一に混合されてアルカリ性オゾン水としての薬液になる。このアルカリ性オゾン水としての薬液は、アルカリによる還元でアルカリ性にすることで水に溶解したオゾンの分解が促進されて酸素を生成するため、酸素水に近似する水に変質して結果的に洗浄除去効果の高い薬液になる。その後、チャック3に基板1を保持して回転させるとともに、薬液を混合部33からノズル30に供給して放出することで、基板1の表面を効果的に洗浄する。尚、薬液は、オゾン水にアルカリ性水溶液のみを混合することに限定されず、例えば、酸タンク36またはフッ酸タンク38から酸或いはフッ酸を少量混合して洗浄効果を向上することも可能である。
【0007】
このように、従来の基板洗浄方法及び装置では、半導体基板や液晶用ガラス基板などの清浄な基板表面を要求される洗浄において、オゾン水と少量のアルカリ性水溶液とで構成される極めて簡単な薬液を用いることで、環境負荷が少なく装置全体を極めて簡単な構造にするとともに、RCA洗浄に匹敵する洗浄効果が得られるように形成していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板洗浄方法及び装置では、オゾン水とアルカリ性水溶液とからなる薬液をノズル30から放出する前に混合部33で予め均一に混合するため、この混合部33内でアルカリによる還元とともに水に溶解したオゾンが分解して酸素を早く生成してしまい、ノズル30から放出する薬液が酸素水に近似しない水(酸素が抜けた水)に変質し、結果的に洗浄除去効果が低減するという不具合があった。
本発明はこのような課題を解決し、オゾン水とアルカリ性水溶液とを基板上で混合してオゾンによる酸化とアルカリによる還元とにより洗浄する基板洗浄方法及び装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄方法であって、オゾン水及びアルカリ性水溶液を基板の近傍まで各々個別に供給するとともに、基板の表面近傍で各々放出させて基板の表面上で薬液をお互いに混合して反応させることで洗浄処理する洗浄工程を備える。
ここで、洗浄工程は、オゾン水とアルカリ性水溶液とを前記基板上の同一地点に同時に供給することが好ましい。また洗浄工程の他の実施例として、アルカリ性水溶液が予め供給された状態の基板上にオゾン水を後から供給することが好ましい。また、洗浄工程の更なる他の実施例として、オゾン水が予め供給された状態の基板上にアルカリ性水溶液を後から供給することが好ましい。また、洗浄工程では、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給時に基板上を走査して供給することが好ましい。また、洗浄工程では、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給時に空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して混合し、高速流気体として加速させて基板上に噴射することが好ましい。また、洗浄工程は、オゾン水及びアルカリ性水溶液による洗浄後に純水を用いて水洗する水洗工程を更に設けることが好ましい。
【0010】
また、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄装置は、オゾン水を供給するオゾン供給源と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源と、オゾン供給源に接続して前記オゾン水を基板上に放出する第1ノズル及びアルカリ供給源に接続してアルカリ性水溶液を基板上に放出する第2ノズルを有した放出手段とを備え、基板の近傍に第1ノズル及び第2ノズルを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに基板の表面上に放出した薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設ける。一方、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄装置の他の実施形態として、オゾン水を供給するオゾン供給源と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源と、オゾン供給源及びアルカリ供給源に各々接続されてオゾン水或いはアルカリ性水溶液から選択的に一方の薬液を基板上に放出する第1ノズル及び他方の薬液を基板上に放出する第2ノズルを有した放出手段とを備え、基板の近傍に第1ノズル及び第2ノズルを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに、基板の表面上に放出した薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設ける。
ここで、放出手段は、第1ノズル及び第2ノズルのいずれか一方或いは両方が基板の表面上を走査可能に設けることが好ましい。また、放出手段は、第1ノズルまたは第2ノズルのいずれか一方或いは両方に気体供給源から空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して薬液と混合し、高速流気体として加速させて基板上に噴射することが好ましい。また、第1ノズル及び第2ノズルの近傍には、薬液による洗浄後に純水を供給して基板を水洗する水洗用のノズルを更に設けることが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による基板洗浄方法及び装置の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態を示す構成図である。また、図2は、本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を示す構成図である。
【0012】
図1に示すように、本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態は、図3に示した従来技術と同様に、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により半導体基板(シリコンウェハ)やガラス基板(LCD)などの基板1を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する装置であって、オゾン水を供給するオゾン供給源12と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源14とを備えている。また、第1の実施形態は、図3に示した従来技術とは異なり、オゾン供給源12に接続してオゾン水を独立して基板1上に放出する第1ノズル10aと、アルカリ供給源14に接続してアルカリ性水溶液を独立して基板1上に放出する第2ノズル10bとからなる放出手段10を備えている。
【0013】
従って、第1の実施形態では、基板1の近傍に第1ノズル10a及び第2ノズル10bを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を各々個別に供給し、基板1の表面近傍から放出して基板1の表面上で薬液をお互いに混合して反応させることで洗浄処理できるように形成している。即ち、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液を基板1上に同時或いは相前後して供給することで、基板1の表面上で薬液が混合してアルカリによる還元と、水に溶解したオゾンの分解が促進して酸素を生成する反応とが同時に起こり、その基板1上の酸素水に近似した薬液が酸化還元リフトオフし、付着した微粒子を効果的に除去する。尚、オゾン水単体による効果としては金属コンタミネーションのイオン溶出除去及び有機物コンタミネーションの酸化分解除去であり、アルカリ性水溶液単体による効果としては液中微粒子の再付着を制御できる。このように第1の実施形態は、図3に示した従来技術のように混合部でオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液を混合するのではなく、基板1上に放出して混合させることで、微粒子を除去する酸化還元リフトオフの効果が基板1上でのみ起こるように形成している。
【0014】
また、基板1は、第1ノズル10a及び第2ノズル10bの近傍に配置し、モータ2に軸支した回転可能なチャック3に保持される。そして、この第1ノズル10a及び第2ノズル10bの近傍には、純水を供給する純水供給源16を備え、この純水供給源16に接続して薬液の洗浄後に純水を供給して基板1の表面を水洗する第3ノズル17と、基板1の裏面を水洗する第4ノズル18とを更に設けている。
【0015】
このような構成の本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態を用いてオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液で洗浄する基板洗浄方法は、まず、チャック3に基板1を保持してモータ2により回転させる。その後、第1ノズル10a及び第2ノズル10bにおいて、オゾン供給源12とアルカリ供給源14とからオゾン水及びアルカリ性水溶液を各々個別に供給し、基板1上の同一地点に薬液を同時に放出することで、従来技術のような酸化還元リフトオフにより効果的に洗浄工程を実行する。ここで、オゾン水とアルカリ性水溶液とを第1ノズル10a及び第2ノズル10bから同時に供給して洗浄する基板洗浄方法を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、基板1上にオゾン水またはアルカリ性水溶液いずれか一方の薬液を予め供給した状態にし、後から他方の薬液を供給することも可能である。そして、洗浄工程が終了すると、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給を停止し、純水供給源16から純水を供給して第3ノズル17及び第4ノズル18により基板1の表面と裏面とを各々水洗する水洗工程を実行する。以後、前述した動作を繰り返し行うことにより複数の基板1を処理する。
【0016】
このように、本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態によると、第1ノズル10a及び第2ノズル10bを設けてオゾン水とアルカリ性水溶液とを各々個別に供給して基板1上に同時に或いは相前後して放出するため、基板1の表面上でのみオゾンによる酸化とアルカリによる還元とが同時に起こり、その酸化還元リフトオフによって基板1に付着した微粒子を効果的に除去できる。
【0017】
次に、図2を参照して、本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を詳細に説明する。図2に示すように、本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態は、図1に示した第1の実施形態と同様に、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板1を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する装置であって、オゾン水を供給するオゾン供給源22と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源24とを備えている。また、第2の実施形態は、図1に示した第1の実施形態とは異なり、オゾン供給源22及びアルカリ供給源24に各々接続して、オゾン水或いはアルカリ性水溶液から選択的に一方の薬液を基板1上に放出する第1ノズル20aと、これとは異なる他方の薬液を基板1上に放出する第2ノズル20bとを有した放出手段20を備えている。
【0018】
従って、放出手段20は、第1の実施形態とは異なり、第1ノズル20aと第2ノズル20bとの両ノズルが、オゾン水及びアルカリ性水溶液の両方を選択的に放出できるようにオゾン供給源22とアルカリ供給源24とに供給管を介して各々接続している。また、放出手段20は、第1ノズル20aと第2ノズル20bとのいずれか一方または両方(図2では第1ノズル20a)に、空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して薬液と混合し、高速流気体として加速させて基板1上に噴射する気体供給源21を接続している。さらに、放出手段20は、第1ノズル20a及び第2ノズル20bのいずれか一方或いは両方(図2では両方)が基板1の表面上を走査可能に設けている。詳しく説明すると、放出手段20は、垂直上方に延在する軸27と、この軸27からほぼ直角に延在するアーム28とをモータ26に回転可能に軸支し、このアーム28の一端に第1ノズル20aと第2ノズル20bとを固定している。従って、放出手段20は、モータ26が回転して軸27とともにアーム28を水平方向に回転させることで、軸27を中心に第1ノズル20aと第2ノズル20bとが回転して走査する構造を備えている。一方、図2において、純水を供給する純水供給源16と、これに接続した第3ノズル17及び第4ノズル18と、基板1を回転可能に軸支するモータ2及びチャック3とは、図1に示した第1の実施形態と同一の構成要素であり、同じ構成要素には同一符号を記載するとともに、重複する説明は省略する。
【0019】
このような構造の本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を用いてオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液で洗浄する基板洗浄方法は、まず、チャック3に基板1を保持してモータ2により回転させる。その後、第1ノズル20a及び第2ノズル20bにおいて、オゾン水とアルカリ性水溶液とが各々個別に放出できるようにオゾン供給源22とアルカリ供給源24とから薬液を供給する。ここでは、第1ノズル20aにオゾン供給源22からオゾン水を供給し、第2ノズル20bにアルカリ供給源24からアルカリ性水溶液を供給した実施例を以下に説明する。まず、第1ノズル20aは、オゾン供給源22からオゾン水を供給するとともに、気体供給源21から所定の気体を供給してオゾン水に混合して加速させることで基板1上に噴射させる。これと同時に第2ノズル20bは、アルカリ供給源24からアルカリ性水溶液を供給し、このアルカリ性水溶液を第1ノズル20aが噴射する基板1上の同一地点に放出する。
【0020】
ここで、第2の実施形態では、上述した実施例とは異なり、第1ノズル20aと第2ノズル20bとの薬液供給を切り替えて、第1ノズル20aにアルカリ性水溶液を供給して噴射させることも可能である。また、第2の実施形態では、第1ノズル20aの噴射と第2ノズル20bの放出とを同時に行うことに限定するのではなく、例えば、両薬液を相前後させて供給することも可能である。さらに、第2の実施形態では、第1ノズル20aのみに気体供給源21を接続することに限定されず、例えば、気体供給源21を第1ノズル20a及び第2ノズル20bの両方に接続して両薬液を基板1上に噴射させることも可能である。
【0021】
また、放出手段20は、薬液を放出及び噴射する場合、図2に示したモータ26を駆動させて軸27及びアーム28を回転させることで、第1ノズル20a及び第2ノズル20bが基板1の表面上で走査するように摺動させる。このように、第2の実施形態では、気体供給源21による噴射と、モータ26の駆動による走査とにより、第1の実施形態に比べて効果的に基板1の表面を洗浄することができる。尚、第2の実施形態では、気体供給源21の噴射とモータ26の駆動による走査とのいずれか一方のみの動作、または両方を停止して第1の実施形態と同様の動作を選択的に行うことも可能である。
【0022】
そして、洗浄工程が終了すると、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給を停止し、純水供給源16から純水を供給して第3ノズル17及び第4ノズル18により基板1の表面と裏面とを各々水洗する水洗工程を実行する。以後、前述した動作を繰り返し行うことにより複数の基板1を処理する。
【0023】
このように本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態によると、オゾン水とアルカリ性水溶液とを個別に供給して放出することで基板1上で薬液がお互いに混合して反応するため、第1の実施形態と同様の効果が得られるとともに、気体供給源21による薬液の噴射及びノズルの走査により第1の実施形態に比べて一層効果的に基板1を洗浄することが可能になる。
【0024】
以上、本発明による基板洗浄方法及び装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、第1ノズル及び第2ノズルからなる放出手段を設けた実施例を説明したが、これに限定されるものではなく、従来技術のように必要に応じて酸やフッ酸を供給する他のノズルを付加することも可能である。
【0025】
【発明の効果】
このように本発明による基板洗浄方法及び装置によれば、第1ノズル及び第2ノズルを設けてオゾン水とアルカリ性水溶液とを各々個別に供給して基板上に同時に或いは相前後して放出するため、基板の表面上でのみオゾンによる酸化とアルカリによる還元とが同時に起こり、その酸化還元リフトオフによって基板に付着した微粒子を効果的に除去することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態を示す構成図。
【図2】本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を示す構成図。
【図3】従来の基板洗浄装置の一実施形態を示す構成図。
【符号の説明】
1 基板
2 モータ
3 チャック
10 放出手段
10a 第1ノズル
10b 第2ノズル
12 オゾン供給源
14 アルカリ供給源
16 純水供給源
17 第3ノズル
18 第4ノズル
【発明の属する技術分野】
本発明は基板洗浄方法及び装置に係り、より詳細には、シリコンウェハに代表される半導体基板や液晶用ガラス基板などの高度に清浄な表面を要求される基板に所定の薬液を放出して洗浄する基板洗浄方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
【特許文献1】
特開2002−1243号公報(第2−5頁、第1図)
【0003】
従来、基板洗浄方法及び装置では、IC、LSI等の半導体装置の製造工程において、半導体基板(シリコンウェハ)やガラス基板(LCD)などの基板をRCA洗浄と呼ばれる高濃度の薬液を用いて洗浄する高温洗浄技術が知られている。このRCA洗浄は、使用する薬液によってリンスに要する純水などの洗浄コストの圧迫、大量に排出される排液や薬液を高温高濃度で使用するために発生する薬液排気による環境負荷が問題となっている。
【0004】
そこで、従来の基板洗浄方法及び装置では、環境負荷が少なく一定の洗浄効果が得られるオゾンを純水に溶解したオゾン水と、異物及び基板表面のゼータ電位を同極性にするアルカリ性水溶液との薬液を用いて洗浄する基板洗浄方法(例えば、特許文献1参照)が開発されている。図3は、このようなオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液を用いた従来の基板洗浄装置の一実施形態を示す構成図である。
【0005】
図3に示すように、従来の基板洗浄装置の一実施形態は、基板1を保持してモータ2により回転可能にするチャック3と、純水にオゾンを混合してオゾン水を供給するオゾン供給源31と、このオゾン供給源31からオゾン水を送り出す供給管32と、この供給管32に注入部34aからアルカリ性水溶液をポンプ34bにより注入するアルカリタンク34と、オゾン水とアルカリ性水溶液とを混合する混合部33と、この混合部33で混合した薬液を基板1に放出するノズル30とを備えている。ここで、供給管32には、基板1の洗浄効果を増強するため、注入部36aに酸を供給する酸タンク36と、ノズル30の近傍でフッ酸を供給するフッ酸タンク38とを更に備え、ポンプ36b、38bにより注入可能に設けている。
【0006】
このような従来の基板洗浄装置の一実施形態を用いてオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液で洗浄する基板洗浄方法は、まず、オゾン供給源31に純水とオゾンとを供給してオゾン水を製造し、このオゾン水を供給管32により送り出す。この供給管32には、アルカリタンク34から注入部34aにポンプ34bでアルカリ性水溶液を少量注入する。そして、このオゾン水とアルカリ性水溶液とは、混合部33において均一に混合されてアルカリ性オゾン水としての薬液になる。このアルカリ性オゾン水としての薬液は、アルカリによる還元でアルカリ性にすることで水に溶解したオゾンの分解が促進されて酸素を生成するため、酸素水に近似する水に変質して結果的に洗浄除去効果の高い薬液になる。その後、チャック3に基板1を保持して回転させるとともに、薬液を混合部33からノズル30に供給して放出することで、基板1の表面を効果的に洗浄する。尚、薬液は、オゾン水にアルカリ性水溶液のみを混合することに限定されず、例えば、酸タンク36またはフッ酸タンク38から酸或いはフッ酸を少量混合して洗浄効果を向上することも可能である。
【0007】
このように、従来の基板洗浄方法及び装置では、半導体基板や液晶用ガラス基板などの清浄な基板表面を要求される洗浄において、オゾン水と少量のアルカリ性水溶液とで構成される極めて簡単な薬液を用いることで、環境負荷が少なく装置全体を極めて簡単な構造にするとともに、RCA洗浄に匹敵する洗浄効果が得られるように形成していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板洗浄方法及び装置では、オゾン水とアルカリ性水溶液とからなる薬液をノズル30から放出する前に混合部33で予め均一に混合するため、この混合部33内でアルカリによる還元とともに水に溶解したオゾンが分解して酸素を早く生成してしまい、ノズル30から放出する薬液が酸素水に近似しない水(酸素が抜けた水)に変質し、結果的に洗浄除去効果が低減するという不具合があった。
本発明はこのような課題を解決し、オゾン水とアルカリ性水溶液とを基板上で混合してオゾンによる酸化とアルカリによる還元とにより洗浄する基板洗浄方法及び装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄方法であって、オゾン水及びアルカリ性水溶液を基板の近傍まで各々個別に供給するとともに、基板の表面近傍で各々放出させて基板の表面上で薬液をお互いに混合して反応させることで洗浄処理する洗浄工程を備える。
ここで、洗浄工程は、オゾン水とアルカリ性水溶液とを前記基板上の同一地点に同時に供給することが好ましい。また洗浄工程の他の実施例として、アルカリ性水溶液が予め供給された状態の基板上にオゾン水を後から供給することが好ましい。また、洗浄工程の更なる他の実施例として、オゾン水が予め供給された状態の基板上にアルカリ性水溶液を後から供給することが好ましい。また、洗浄工程では、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給時に基板上を走査して供給することが好ましい。また、洗浄工程では、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給時に空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して混合し、高速流気体として加速させて基板上に噴射することが好ましい。また、洗浄工程は、オゾン水及びアルカリ性水溶液による洗浄後に純水を用いて水洗する水洗工程を更に設けることが好ましい。
【0010】
また、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄装置は、オゾン水を供給するオゾン供給源と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源と、オゾン供給源に接続して前記オゾン水を基板上に放出する第1ノズル及びアルカリ供給源に接続してアルカリ性水溶液を基板上に放出する第2ノズルを有した放出手段とを備え、基板の近傍に第1ノズル及び第2ノズルを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに基板の表面上に放出した薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設ける。一方、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄装置の他の実施形態として、オゾン水を供給するオゾン供給源と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源と、オゾン供給源及びアルカリ供給源に各々接続されてオゾン水或いはアルカリ性水溶液から選択的に一方の薬液を基板上に放出する第1ノズル及び他方の薬液を基板上に放出する第2ノズルを有した放出手段とを備え、基板の近傍に第1ノズル及び第2ノズルを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに、基板の表面上に放出した薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設ける。
ここで、放出手段は、第1ノズル及び第2ノズルのいずれか一方或いは両方が基板の表面上を走査可能に設けることが好ましい。また、放出手段は、第1ノズルまたは第2ノズルのいずれか一方或いは両方に気体供給源から空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して薬液と混合し、高速流気体として加速させて基板上に噴射することが好ましい。また、第1ノズル及び第2ノズルの近傍には、薬液による洗浄後に純水を供給して基板を水洗する水洗用のノズルを更に設けることが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による基板洗浄方法及び装置の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態を示す構成図である。また、図2は、本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を示す構成図である。
【0012】
図1に示すように、本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態は、図3に示した従来技術と同様に、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により半導体基板(シリコンウェハ)やガラス基板(LCD)などの基板1を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する装置であって、オゾン水を供給するオゾン供給源12と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源14とを備えている。また、第1の実施形態は、図3に示した従来技術とは異なり、オゾン供給源12に接続してオゾン水を独立して基板1上に放出する第1ノズル10aと、アルカリ供給源14に接続してアルカリ性水溶液を独立して基板1上に放出する第2ノズル10bとからなる放出手段10を備えている。
【0013】
従って、第1の実施形態では、基板1の近傍に第1ノズル10a及び第2ノズル10bを配置してオゾン水及びアルカリ性水溶液を各々個別に供給し、基板1の表面近傍から放出して基板1の表面上で薬液をお互いに混合して反応させることで洗浄処理できるように形成している。即ち、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液を基板1上に同時或いは相前後して供給することで、基板1の表面上で薬液が混合してアルカリによる還元と、水に溶解したオゾンの分解が促進して酸素を生成する反応とが同時に起こり、その基板1上の酸素水に近似した薬液が酸化還元リフトオフし、付着した微粒子を効果的に除去する。尚、オゾン水単体による効果としては金属コンタミネーションのイオン溶出除去及び有機物コンタミネーションの酸化分解除去であり、アルカリ性水溶液単体による効果としては液中微粒子の再付着を制御できる。このように第1の実施形態は、図3に示した従来技術のように混合部でオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液を混合するのではなく、基板1上に放出して混合させることで、微粒子を除去する酸化還元リフトオフの効果が基板1上でのみ起こるように形成している。
【0014】
また、基板1は、第1ノズル10a及び第2ノズル10bの近傍に配置し、モータ2に軸支した回転可能なチャック3に保持される。そして、この第1ノズル10a及び第2ノズル10bの近傍には、純水を供給する純水供給源16を備え、この純水供給源16に接続して薬液の洗浄後に純水を供給して基板1の表面を水洗する第3ノズル17と、基板1の裏面を水洗する第4ノズル18とを更に設けている。
【0015】
このような構成の本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態を用いてオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液で洗浄する基板洗浄方法は、まず、チャック3に基板1を保持してモータ2により回転させる。その後、第1ノズル10a及び第2ノズル10bにおいて、オゾン供給源12とアルカリ供給源14とからオゾン水及びアルカリ性水溶液を各々個別に供給し、基板1上の同一地点に薬液を同時に放出することで、従来技術のような酸化還元リフトオフにより効果的に洗浄工程を実行する。ここで、オゾン水とアルカリ性水溶液とを第1ノズル10a及び第2ノズル10bから同時に供給して洗浄する基板洗浄方法を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、基板1上にオゾン水またはアルカリ性水溶液いずれか一方の薬液を予め供給した状態にし、後から他方の薬液を供給することも可能である。そして、洗浄工程が終了すると、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給を停止し、純水供給源16から純水を供給して第3ノズル17及び第4ノズル18により基板1の表面と裏面とを各々水洗する水洗工程を実行する。以後、前述した動作を繰り返し行うことにより複数の基板1を処理する。
【0016】
このように、本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態によると、第1ノズル10a及び第2ノズル10bを設けてオゾン水とアルカリ性水溶液とを各々個別に供給して基板1上に同時に或いは相前後して放出するため、基板1の表面上でのみオゾンによる酸化とアルカリによる還元とが同時に起こり、その酸化還元リフトオフによって基板1に付着した微粒子を効果的に除去できる。
【0017】
次に、図2を参照して、本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を詳細に説明する。図2に示すように、本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態は、図1に示した第1の実施形態と同様に、オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板1を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する装置であって、オゾン水を供給するオゾン供給源22と、アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源24とを備えている。また、第2の実施形態は、図1に示した第1の実施形態とは異なり、オゾン供給源22及びアルカリ供給源24に各々接続して、オゾン水或いはアルカリ性水溶液から選択的に一方の薬液を基板1上に放出する第1ノズル20aと、これとは異なる他方の薬液を基板1上に放出する第2ノズル20bとを有した放出手段20を備えている。
【0018】
従って、放出手段20は、第1の実施形態とは異なり、第1ノズル20aと第2ノズル20bとの両ノズルが、オゾン水及びアルカリ性水溶液の両方を選択的に放出できるようにオゾン供給源22とアルカリ供給源24とに供給管を介して各々接続している。また、放出手段20は、第1ノズル20aと第2ノズル20bとのいずれか一方または両方(図2では第1ノズル20a)に、空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して薬液と混合し、高速流気体として加速させて基板1上に噴射する気体供給源21を接続している。さらに、放出手段20は、第1ノズル20a及び第2ノズル20bのいずれか一方或いは両方(図2では両方)が基板1の表面上を走査可能に設けている。詳しく説明すると、放出手段20は、垂直上方に延在する軸27と、この軸27からほぼ直角に延在するアーム28とをモータ26に回転可能に軸支し、このアーム28の一端に第1ノズル20aと第2ノズル20bとを固定している。従って、放出手段20は、モータ26が回転して軸27とともにアーム28を水平方向に回転させることで、軸27を中心に第1ノズル20aと第2ノズル20bとが回転して走査する構造を備えている。一方、図2において、純水を供給する純水供給源16と、これに接続した第3ノズル17及び第4ノズル18と、基板1を回転可能に軸支するモータ2及びチャック3とは、図1に示した第1の実施形態と同一の構成要素であり、同じ構成要素には同一符号を記載するとともに、重複する説明は省略する。
【0019】
このような構造の本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を用いてオゾン水とアルカリ性水溶液との薬液で洗浄する基板洗浄方法は、まず、チャック3に基板1を保持してモータ2により回転させる。その後、第1ノズル20a及び第2ノズル20bにおいて、オゾン水とアルカリ性水溶液とが各々個別に放出できるようにオゾン供給源22とアルカリ供給源24とから薬液を供給する。ここでは、第1ノズル20aにオゾン供給源22からオゾン水を供給し、第2ノズル20bにアルカリ供給源24からアルカリ性水溶液を供給した実施例を以下に説明する。まず、第1ノズル20aは、オゾン供給源22からオゾン水を供給するとともに、気体供給源21から所定の気体を供給してオゾン水に混合して加速させることで基板1上に噴射させる。これと同時に第2ノズル20bは、アルカリ供給源24からアルカリ性水溶液を供給し、このアルカリ性水溶液を第1ノズル20aが噴射する基板1上の同一地点に放出する。
【0020】
ここで、第2の実施形態では、上述した実施例とは異なり、第1ノズル20aと第2ノズル20bとの薬液供給を切り替えて、第1ノズル20aにアルカリ性水溶液を供給して噴射させることも可能である。また、第2の実施形態では、第1ノズル20aの噴射と第2ノズル20bの放出とを同時に行うことに限定するのではなく、例えば、両薬液を相前後させて供給することも可能である。さらに、第2の実施形態では、第1ノズル20aのみに気体供給源21を接続することに限定されず、例えば、気体供給源21を第1ノズル20a及び第2ノズル20bの両方に接続して両薬液を基板1上に噴射させることも可能である。
【0021】
また、放出手段20は、薬液を放出及び噴射する場合、図2に示したモータ26を駆動させて軸27及びアーム28を回転させることで、第1ノズル20a及び第2ノズル20bが基板1の表面上で走査するように摺動させる。このように、第2の実施形態では、気体供給源21による噴射と、モータ26の駆動による走査とにより、第1の実施形態に比べて効果的に基板1の表面を洗浄することができる。尚、第2の実施形態では、気体供給源21の噴射とモータ26の駆動による走査とのいずれか一方のみの動作、または両方を停止して第1の実施形態と同様の動作を選択的に行うことも可能である。
【0022】
そして、洗浄工程が終了すると、オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給を停止し、純水供給源16から純水を供給して第3ノズル17及び第4ノズル18により基板1の表面と裏面とを各々水洗する水洗工程を実行する。以後、前述した動作を繰り返し行うことにより複数の基板1を処理する。
【0023】
このように本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態によると、オゾン水とアルカリ性水溶液とを個別に供給して放出することで基板1上で薬液がお互いに混合して反応するため、第1の実施形態と同様の効果が得られるとともに、気体供給源21による薬液の噴射及びノズルの走査により第1の実施形態に比べて一層効果的に基板1を洗浄することが可能になる。
【0024】
以上、本発明による基板洗浄方法及び装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、第1ノズル及び第2ノズルからなる放出手段を設けた実施例を説明したが、これに限定されるものではなく、従来技術のように必要に応じて酸やフッ酸を供給する他のノズルを付加することも可能である。
【0025】
【発明の効果】
このように本発明による基板洗浄方法及び装置によれば、第1ノズル及び第2ノズルを設けてオゾン水とアルカリ性水溶液とを各々個別に供給して基板上に同時に或いは相前後して放出するため、基板の表面上でのみオゾンによる酸化とアルカリによる還元とが同時に起こり、その酸化還元リフトオフによって基板に付着した微粒子を効果的に除去することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板洗浄装置の第1の実施形態を示す構成図。
【図2】本発明による基板洗浄装置の第2の実施形態を示す構成図。
【図3】従来の基板洗浄装置の一実施形態を示す構成図。
【符号の説明】
1 基板
2 モータ
3 チャック
10 放出手段
10a 第1ノズル
10b 第2ノズル
12 オゾン供給源
14 アルカリ供給源
16 純水供給源
17 第3ノズル
18 第4ノズル
Claims (12)
- オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄方法において、
前記オゾン水及びアルカリ性水溶液を前記基板の近傍まで各々個別に供給するとともに、前記基板の表面近傍で各々放出させて前記基板の表面上で前記薬液をお互いに混合して反応させることで洗浄処理する洗浄工程を備えたことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記オゾン水とアルカリ性水溶液とを前記基板上の同一地点に同時に供給することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記アルカリ性水溶液が予め供給された状態の前記基板上に前記オゾン水を後から供給することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記オゾン水が予め供給された状態の前記基板上に前記アルカリ性水溶液を後から供給することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項2乃至4のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給時に前記基板上を走査して供給することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項2乃至5のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記オゾン水及びアルカリ性水溶液の供給時に空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して混合し、高速流気体として加速させて前記基板上に噴射することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記オゾン水及びアルカリ性水溶液による洗浄後に純水を用いて水洗する水洗工程を更に設けたことを特徴とする基板洗浄方法。 - オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄装置において、
前記オゾン水を供給するオゾン供給源と、
前記アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源と、
前記オゾン供給源に接続して前記オゾン水を前記基板上に放出する第1ノズル及び前記アルカリ供給源に接続して前記アルカリ性水溶液を前記基板上に放出する第2ノズルを有した放出手段とを備え、
前記基板の近傍に前記第1ノズル及び第2ノズルを配置して前記オゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに、前記基板の表面上に放出した前記薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設けたことを特徴とする基板洗浄装置。 - オゾン水とアルカリ性水溶液との薬液により基板を一枚づつ枚葉式に洗浄処理する基板洗浄装置において、
前記オゾン水を供給するオゾン供給源と、
前記アルカリ性水溶液を供給するアルカリ供給源と、
前記オゾン供給源及びアルカリ供給源に各々接続され、前記オゾン水或いはアルカリ性水溶液から選択的に一方の薬液を前記基板上に放出する第1ノズル及び他方の薬液を基板上に放出する第2ノズルを有した放出手段とを備え、
前記基板の近傍に前記第1ノズル及び第2ノズルを配置して前記オゾン水及びアルカリ性水溶液を個別に供給して各々放出するとともに、前記基板の表面上に放出した前記薬液がお互いに混合して反応することで洗浄処理するように設けたことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項8または9に記載の基板洗浄装置において、
前記放出手段は、前記第1ノズル及び第2ノズルのいずれか一方或いは両方が前記基板の表面上を走査可能に設けたことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項8乃至10のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
前記放出手段は、前記第1ノズルまたは第2ノズルのいずれか一方或いは両方に気体供給源から空気または窒素ガスいずれかの気体を供給して前記薬液と混合し、高速流気体として加速させて前記基板上に噴射することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項8乃至11のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
前記第1ノズル及び第2ノズルの近傍には、前記薬液による洗浄後に純水を供給して前記基板を水洗する水洗用のノズルを更に設けたことを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002364363A JP2004200246A (ja) | 2002-12-16 | 2002-12-16 | 基板洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002364363A JP2004200246A (ja) | 2002-12-16 | 2002-12-16 | 基板洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004200246A true JP2004200246A (ja) | 2004-07-15 |
Family
ID=32762253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002364363A Pending JP2004200246A (ja) | 2002-12-16 | 2002-12-16 | 基板洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004200246A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010517255A (ja) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト | 表面を洗浄する方法 |
JP2010199125A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 表面処理装置 |
TWI713104B (zh) * | 2018-07-11 | 2020-12-11 | 日商Sumco股份有限公司 | 半導體晶圓的洗淨方法及使用該洗淨方法的半導體晶圓的製造方法 |
CN112435938A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-03-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板清洗设备及基板清洗方法 |
JP2022068831A (ja) * | 2020-10-22 | 2022-05-10 | セメス株式会社 | 基板処理装置 |
-
2002
- 2002-12-16 JP JP2002364363A patent/JP2004200246A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010517255A (ja) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト | 表面を洗浄する方法 |
JP2010199125A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 表面処理装置 |
TWI713104B (zh) * | 2018-07-11 | 2020-12-11 | 日商Sumco股份有限公司 | 半導體晶圓的洗淨方法及使用該洗淨方法的半導體晶圓的製造方法 |
JP2022068831A (ja) * | 2020-10-22 | 2022-05-10 | セメス株式会社 | 基板処理装置 |
JP7227323B2 (ja) | 2020-10-22 | 2023-02-21 | セメス株式会社 | 基板処理装置 |
US11850635B2 (en) | 2020-10-22 | 2023-12-26 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
CN112435938A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-03-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板清洗设备及基板清洗方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6942737B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
KR100891062B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
JP4339561B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN106796875B (zh) | 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质 | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4358486B2 (ja) | 高圧処理装置および高圧処理方法 | |
JP2008071875A (ja) | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 | |
CN101354542A (zh) | 光刻胶的去除方法 | |
KR101456914B1 (ko) | 표면 세정 방법 | |
US8137576B2 (en) | Substrate developing method and developing apparatus | |
JP3665715B2 (ja) | 現像方法及び現像装置 | |
KR20000035132A (ko) | 처리장치 및 처리방법 | |
KR20100050397A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법 | |
JP2003234323A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004200246A (ja) | 基板洗浄方法及び装置 | |
KR20110064059A (ko) | 세정 장치 및 방법 | |
JPH01111337A (ja) | ウエーハ洗浄装置 | |
JP5743939B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
JP2001269631A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP3035450B2 (ja) | 基板の洗浄処理方法 | |
CN112768376B (zh) | 一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法 | |
JP2009016464A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP2002261068A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006156919A (ja) | 有機被膜の除去方法及び除去剤 | |
JP4347765B2 (ja) | 基板処理装置 |