CN112435938A - 基板清洗设备及基板清洗方法 - Google Patents

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CN112435938A CN202011254801.2A CN202011254801A CN112435938A CN 112435938 A CN112435938 A CN 112435938A CN 202011254801 A CN202011254801 A CN 202011254801A CN 112435938 A CN112435938 A CN 112435938A
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ozone water
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李祥龙
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Abstract

本申请实施例提供了一种基板清洗设备及基板清洗方法。其中,该基板清洗设备包括混合装置和清洗装置。其中,所述混合装置用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;所述清洗装置用于利用所述混合装置中形成的所述臭氧水对所述基板进行清洗。本方案通过将臭氧溶解于水中,利用臭氧水对基板进行清洗,从而可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。

Description

基板清洗设备及基板清洗方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板清洗设备及基板清洗方法。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)器件的制备中,能级匹配是非常重要的器件设计原则。能级匹配的核心在于空穴载流子的调控,一般是通过对阳极进行表面处理,从而增强阳极的功函数和提高空穴注入能力,对阳极进行表面处理的常见方法是紫外光处理。
利用紫外光对基板进行处理的主要原理是在紫外光作用下,氧气被转化为臭氧,臭氧具有强氧化性,可以将基板表面的脏污清除,且能部分改善阳极的功函。然而,紫外光对没有光遮挡的基板上的薄膜晶体管电性影响较大。
发明内容
本申请实施例提供了一种基板清洗设备及基板清洗方法,可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。
第一方面,本申请实施例提供了一种基板清洗设备,包括:
混合装置,所述混合装置用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;
清洗装置,所述清洗装置用于利用所述混合装置中形成的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括检测装置;
所述检测装置用于检测所述混合装置中所述臭氧水的浓度;
当所述检测装置检测出所述混合装置中所述臭氧水的浓度为预设浓度时,所述清洗装置用于利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括分解装置;
所述分解装置用于对所述基板进行清洗后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括发生装置;
所述发生装置用于生成臭氧,并将所述臭氧输送至所述混合装置。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括计时装置;
所述计时装置用于对所述清洗装置清洗所述基板的时长进行计时;
所述清洗装置用于根据所述计时装置的预设时长利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述混合装置和所述清洗装置通过耐腐蚀管道连接,所述混合装置内的所述臭氧水通过所述耐腐蚀管道输送至所述清洗装置。
第二方面,本申请实施例提供了一种基板清洗方法包括:
将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水;
利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗方法中,在所述将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水之后,所述利用所述臭氧水对所述基板进行清洗之前,还包括:
对所述臭氧水的浓度进行检测;
当检测出的所述臭氧水的浓度为预设浓度时,利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗方法中,在利用所述臭氧水对所述基板进行清洗之后,还包括:
对所述基板进行清洗后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解。
在本申请实施例提供的基板清洗方法中,在所述利用所述臭氧水对所述基板进行清洗的同时,还包括:
对所述基板的清洗时长进行计时,以对所述基板清洗的时长进行计时。由上,本申请实施例提供的基板清洗设备包括混合装置和清洗装置。其中,所述混合装置用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;所述清洗装置用于利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。本方案通过将臭氧溶解于水中,利用臭氧水对基板进行清洗,从而可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的基板清洗设备的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的基板清洗设备的另一结构示意图。
图3是本申请实施例中基板清洗设备清洗基板的示意图。
图4是本申请实施例提供的基板清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种基板清洗设备及基板清洗方法,以下将分别进行详细说明。
请参阅图1,图1是本申请实施例提供的基板清洗设备的结构示意图。该基板清洗设备100包括混合装置10和清洗装置20。其中,该混合装置10用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水。该清洗装置20用于利用混合装置10中形成的臭氧水对基板进行清洗。需要说明的是,本实施例中混合装置10和清洗装置20通过耐腐蚀管道连接。其中,耐腐蚀管道的材质为高分子材料,例如,耐腐蚀管道的材质为聚四氟乙烯或聚偏氟乙烯。在一些实施例中,耐腐蚀管道上还可以设置阀门,阀门用于控制臭氧水在流速与时间。
其中,该混合装置10可以为高效气水涡轮混合器,通过该高效气水涡轮混合器使臭氧混合于水中,产生臭氧水。
请结合图2和图3,图3为基板清洗设备清洗基板W的示意图。基板清洗设备100还包括支撑构件70,支撑构件70用于固定清洗装置20。为了保证清洗的高效性和准确度,支撑构件70上设置有升降装置701,升降装置701可以控制支撑构件70的高度,从而控制清洗装置20和基板W的距离。并且,混合装置10通过耐腐蚀管道N与混合装置10连接,混合装置10通过耐腐蚀管道N将臭氧水输送至清洗装置20。
该基板清洗设备100还可以包括检测装置30。该检测装置30可以用于检测混合装置10中的臭氧水的浓度,以实时检测混合装置10中的臭氧水的浓度,确保清洗效果。此时,该清洗装置20可以根据检测装置30检测出的具有预设浓度的臭氧水对该基板进行清洗。其中,该预设浓度可以为10~200ppm。即,当检测装置30检测出的臭氧水的浓度小于预设浓度时,检测装置30将检测结果反馈至混合装置10,混合装置10继续工作形成臭氧水,以补偿臭氧水的浓度,使得混合装置10中臭氧水的浓度在预设浓度范围内。当检测装置30检测出混合装置10中臭氧水的浓度为预设浓度时,清洗装置20用于利用具有预设浓度的臭氧水对基板W进行清洗。在一可行的实施例中,检测装置30可以是浓度检测仪。
该基板清洗设备100还可以包括计时装置40。该计时装置40可以用于对清洗装置20清洗基板W的时长进行计时。此时,清洗装置20可以用于根据计时装置40的预设时长利用该臭氧水对基板清洗预设时长。其中,该预设时长可以为5~300s。在一些实施例中,计时装置40可以是计算机,当清洗装置20清洗基板W的时长等于预计时长时,计时装置40将时间反馈至清洗装置20,此时,清洗装置20停止工作。
在一些实施例中,该清洗装置20可以为一清洗槽。该清洗槽用于存储混合装置10生成的臭氧水。在对基板进行清洗时,可以将基板浸渍于该清洗槽中,从而保证基板清洗均匀度。
在一些实施例中,该清洗装置20可以为一喷淋装置。该喷淋装置可以由多个喷嘴组成。该喷淋装置可以用于喷淋混合装置10生成的臭氧水。在对基板进行清洗时,可以利用该喷淋装置将臭氧水喷淋至基板上。为了保证基板的清洗均匀度,可以将该喷淋装置固定于一可移动支架上。在对基板进行清洗时,通过该可移动支架控制喷淋装置由基板的一侧匀速移动到基板的另一侧。为了增加清洗效果,还可以在该可移动支架上设置一清洗刷,在该可移动支架控制喷淋装置由基板的一侧匀速移动到基板的另一侧的同时,该清洗刷对基板的表面进行刷洗。
在一些实施例中,该基板清洗设备100还可以包括一传送装置80。例如,该传送装置由多个滚筒组成,或者,传送装置80为传送带。例如,传送带可以用于运载基板W,使得基板W在传送带上水平移动。该清洗装置20可以包括一喷淋装置。该喷淋装置由多个喷嘴组成。该喷淋装置位于该传送装置的上方,且位于该传送装置的第二侧。在对基板进行清洗时,可以将基板放置于该传送装置上,该传送装置的滚筒滚动,将基板由传送装置的第一侧匀速的传送到第二侧。在基板的传送过程中,喷淋装置将臭氧水喷淋至基板上,对基板进行清洗。为了增加清洗效果,还可以在清洗装置20还可以包括一清洗刷,该清洗刷位于该传送装置的上方,且位于该传送装置的第二侧。该清洗刷可以在基板的传送过程中对基板的表面进行刷洗。
在一些实施例中,该清洗装置20还可以具有超声波施加装置。该超声波施加装置可以在对基板进行清洗的过程中对基板施加超声波,通过超声波振动使得基板表面残留的抗蚀剂等有机物、金属异物等更容易脱落,从而增加基板的清洗效果。
该基板清洗设备100还可以包括一干燥装置。在对基板清洗完成后,可以将该基板置于干燥装置中进行干燥处理。其中,干燥处理的方式可以为风干、烘干等。
该基板清洗设备100还可以包括分解装置50。该分解装置50可以用于对基板进行后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解,以避免臭氧对空气造成污染。具体的,该分解装置50可以通过加热使得臭氧发生分解反应。
由于臭氧很不稳定,随时都可能发生分解反应。因此,在本申请实施例中,该基板清洗设备100还可以包括发生装置60。该发生装置60可以用于生成臭氧,并将臭氧输送至混合装置10,从而避免臭氧不足。具体的,发生装置60通过管道M与混合装置10连接,管道M上还可以设置阀门,用于控制臭氧流通的速度与时间。
在一些实施例中,该发生装置60可以包括高频陶瓷。该发生装置60可以用于利用高频陶瓷沿面放电产生的高压静电,使电极附近空气中的氧分子电离,短时间内生成臭氧。
在一些实施例中,该发生装置60还可以用于将空气与紫外光进行接触,从而生成臭氧。
由于臭氧水具有易挥发性,臭氧水中的臭氧很容易挥发。为了避免臭氧水中的臭氧挥发导致臭氧水的浓度不足,在一些实施例中,可以将清洗装置20和基板放置在加压且恒温的密封腔体中,防止臭氧水中的臭氧在清洗基板的过程中挥发,以确定与基板相接触的臭氧水的浓度为预设浓度,保证清洗效果。
由上,本申请实施例提供的基板清洗设备100包括混合装置10和清洗装置20。其中,所述混合装置10用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;所述清洗装置20用于利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。本方案通过将臭氧溶解于水中,利用臭氧水对基板进行清洗,从而可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。
请参阅图4,图4是本申请实施例提供的基板清洗方法的流程示意图。该基板清洗方法的具体流程可以如下:
101、将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水。
具体的,请参考图3,混合装置10将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水。
102、利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
检测装置20利用所述臭氧水对基板W进行清洗。
在一些实施例中,在步骤“将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水”之后,在步骤“利用所述臭氧水对所述基板进行清洗”之前,还可以包括:
检测装置30对所述臭氧水的浓度进行检测。
此时,步骤“检测装置30对所述臭氧水的浓度进行检测”可以包括当所述检测装置检测出的所述臭氧水的浓度为预设浓度时,所述清洗装置20利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板W进行清洗。在一些实施例中,在步骤“利用所述臭氧水对所述基板进行清洗”之后,还可以包括:
分解装置50对所述基板W进行清洗后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解。
在一些实施例中,在利用所述臭氧水对所述基板W进行清洗的同时,还可以包括计时装置40对所述基板W的清洗时长进行计时,以对所述基板W清洗预设时长进行统计。
由上,本申请实施例提供的基板清洗方法包括将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水;利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。本方案通过将臭氧溶解于水中,利用臭氧水对基板进行清洗,从而可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种基板清洗设备及基板清洗方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种基板清洗设备,其特征在于,包括:
混合装置,所述混合装置用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;
清洗装置,所述清洗装置用于利用所述混合装置中形成的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
2.如权利要求1所述的基板清洗设备,其特征在于,所述基板清洗设备还包括检测装置;
所述检测装置用于检测所述混合装置中所述臭氧水的浓度;
当所述检测装置检测出所述混合装置中所述臭氧水的浓度为预设浓度时,所述清洗装置用于利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
3.如权利要求1所述的基板清洗设备,其特征在于,所述基板清洗设备还包括分解装置;
所述分解装置用于对所述基板进行清洗后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解。
4.如权利要求1所述的基板清洗设备,其特征在于,所述基板清洗设备还包括发生装置;
所述发生装置用于生成臭氧,并将所述臭氧输送至所述混合装置。
5.如权利要求1所述的基板清洗设备,其特征在于,所述基板清洗设备还包括计时装置;
所述计时装置用于对所述清洗装置清洗所述基板的时长进行计时;
所述清洗装置用于根据所述计时装置的预设时长利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
6.如权利要求1所述的基板清洗设备,其特征在于,所述混合装置和所述清洗装置通过耐腐蚀管道连接,所述混合装置内的所述臭氧水通过所述耐腐蚀管道输送至所述清洗装置。
7.一种基板清洗方法,其特征在于,包括:
将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水;
利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
8.如权利要求7所述的基板清洗方法,其特征在于,在所述将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水之后,所述利用所述臭氧水对所述基板进行清洗之前,还包括:
对所述臭氧水的浓度进行检测;
当检测出的所述臭氧水的浓度为预设浓度时,利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
9.如权利要求7所述的基板清洗方法,其特征在于,在利用所述臭氧水对所述基板进行清洗之后,还包括:
对所述基板进行清洗后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解。
10.如权利要求7所述的基板清洗方法,其特征在于,在所述利用所述臭氧水对所述基板进行清洗的同时,还包括:
对所述基板的清洗时长进行计时,以对所述基板清洗的时长进行计时。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200246A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板洗浄方法及び装置
WO2007108481A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Eiji Matsumura 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
WO2011054405A2 (en) * 2009-11-03 2011-05-12 Hamatech Ape Gmbh & Co. Kg Method and apparatus for treating substrates
CN109564886B (zh) * 2017-06-27 2020-06-23 深圳市柔宇科技有限公司 基板清洗装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200246A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板洗浄方法及び装置
WO2007108481A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Eiji Matsumura 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
WO2011054405A2 (en) * 2009-11-03 2011-05-12 Hamatech Ape Gmbh & Co. Kg Method and apparatus for treating substrates
CN109564886B (zh) * 2017-06-27 2020-06-23 深圳市柔宇科技有限公司 基板清洗装置

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