JPH11165136A - レジスト除去方法およびレジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去方法およびレジスト除去装置Info
- Publication number
- JPH11165136A JPH11165136A JP33521897A JP33521897A JPH11165136A JP H11165136 A JPH11165136 A JP H11165136A JP 33521897 A JP33521897 A JP 33521897A JP 33521897 A JP33521897 A JP 33521897A JP H11165136 A JPH11165136 A JP H11165136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- water
- ozone water
- ozone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低濃度のオゾン水を低流量でしかも短時間供
給するだけで、効果的にレジストを除去することのでき
るレジスト除去方法およびレジスト除去装置の提供が望
まれている。 【解決手段】 レジストを形成した基板Ｗのレジスト形
成面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去するレジスト除
去方法であり、洗浄水としてオゾン水を用い、基板をそ
の面方向に回転させつつ、洗浄液を基板のレジスト形成
面に供給する。また、レジストを形成した基板Ｗのレジ
スト形成面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去するレジ
スト除去装置１であり、洗浄水としてオゾン水を用いて
これを供給するオゾン水供給部２と、基板Ｗを保持する
とともに基板Ｗをその面方向に回転させる基板回転部３
とを備えている。
給するだけで、効果的にレジストを除去することのでき
るレジスト除去方法およびレジスト除去装置の提供が望
まれている。 【解決手段】 レジストを形成した基板Ｗのレジスト形
成面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去するレジスト除
去方法であり、洗浄水としてオゾン水を用い、基板をそ
の面方向に回転させつつ、洗浄液を基板のレジスト形成
面に供給する。また、レジストを形成した基板Ｗのレジ
スト形成面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去するレジ
スト除去装置１であり、洗浄水としてオゾン水を用いて
これを供給するオゾン水供給部２と、基板Ｗを保持する
とともに基板Ｗをその面方向に回転させる基板回転部３
とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造や液晶パネル製造等において、リソグラフィおよびエ
ッチングによって各種のパターンニングを行うため、あ
るいはイオン注入を行うために用いたレジストを基板か
ら剥離し、これを除去するためのレジスト除去方法およ
びレジスト除去装置に関する。
造や液晶パネル製造等において、リソグラフィおよびエ
ッチングによって各種のパターンニングを行うため、あ
るいはイオン注入を行うために用いたレジストを基板か
ら剥離し、これを除去するためのレジスト除去方法およ
びレジスト除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス製造や液晶パネル
製造等におけるリソグラフィ、エッチングあるいはイオ
ン注入のために用いたレジストを剥離除去する工程で
は、主に硫酸と過酸化水素水との混合液や発煙硝酸、有
機剥離液などの薬液にレジストを形成した半導体基板
（以下、ウエハと称する）を浸したり、ウエハを回転さ
せながら前記薬液をウエハ表面に供給したりして、レジ
ストの剥離除去処理を行っていた。
製造等におけるリソグラフィ、エッチングあるいはイオ
ン注入のために用いたレジストを剥離除去する工程で
は、主に硫酸と過酸化水素水との混合液や発煙硝酸、有
機剥離液などの薬液にレジストを形成した半導体基板
（以下、ウエハと称する）を浸したり、ウエハを回転さ
せながら前記薬液をウエハ表面に供給したりして、レジ
ストの剥離除去処理を行っていた。
【０００３】ところが、前記薬液は薬品自体の値段が高
かったり、その危険性により取り扱いが難しいため供給
のシステムに高い設備を要してしまうなど、供給全般の
コストが高くなっており、さらに、薬液使用後の排液の
処理コストも高くなっている。また、前記薬品は、その
使用中あるいは使用後に有害な酸性ガスや有機ガスを放
出するおそれがあり、地球環境に対しても悪影響を及ぼ
すおそれがある。
かったり、その危険性により取り扱いが難しいため供給
のシステムに高い設備を要してしまうなど、供給全般の
コストが高くなっており、さらに、薬液使用後の排液の
処理コストも高くなっている。また、前記薬品は、その
使用中あるいは使用後に有害な酸性ガスや有機ガスを放
出するおそれがあり、地球環境に対しても悪影響を及ぼ
すおそれがある。
【０００４】このような背景のもとに近年では、超純水
にオゾンガスを溶解してなるオゾン水を用い、これにウ
エハを浸して該ウエハ表面の有機物を除去する技術が開
発され、一部に実施されている。ここで、前記オゾン水
は、酸素ガスから放電法で製造したオゾンガスや、純水
を電気分解することで製造したオゾンガスを超純水に溶
解したものであり、供給コストが低く、また、自然に酸
素に分解するため排液コストも非常に低く、環境にも優
しい薬液である。
にオゾンガスを溶解してなるオゾン水を用い、これにウ
エハを浸して該ウエハ表面の有機物を除去する技術が開
発され、一部に実施されている。ここで、前記オゾン水
は、酸素ガスから放電法で製造したオゾンガスや、純水
を電気分解することで製造したオゾンガスを超純水に溶
解したものであり、供給コストが低く、また、自然に酸
素に分解するため排液コストも非常に低く、環境にも優
しい薬液である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記オ
ゾン水にウエハを浸して該ウエハ表面の有機物を除去す
る技術では、汚染物質となる有機物の分子層が数層であ
る微量の有機物汚染である場合、ウエハを短時間（数十
秒〜数分程度）オゾン水に浸すことで汚染物（有機物）
を除去できるものの、レジストのような数百〜千数百ｎ
ｍ程度の膜厚の有機物汚染である場合には、単にこれが
付着したウエハをオゾン水に浸すだけではこの汚染物
（有機物）を短時間で除去することができない。
ゾン水にウエハを浸して該ウエハ表面の有機物を除去す
る技術では、汚染物質となる有機物の分子層が数層であ
る微量の有機物汚染である場合、ウエハを短時間（数十
秒〜数分程度）オゾン水に浸すことで汚染物（有機物）
を除去できるものの、レジストのような数百〜千数百ｎ
ｍ程度の膜厚の有機物汚染である場合には、単にこれが
付着したウエハをオゾン水に浸すだけではこの汚染物
（有機物）を短時間で除去することができない。
【０００６】すなわち、オゾン水はその溶解オゾンの分
解速度が速く、溜め置き式の洗浄槽では処理中にオゾン
水濃度が低下してしまうため、このオゾン水中に比較的
長い時間ウエハを浸していてもオゾン水による洗浄効果
が十分に発揮されなくなってしまうからである。また、
洗浄槽に連続的にオゾン水を供給したとしても、図５に
示すようにウエハＷの表面近傍にはオゾンが分解して単
に酸素（Ｏ2 ）を溶解しただけとなった水が滞留し、こ
れにより供給されたオゾン水との置換が効率良く行われ
ず、したがって供給されたオゾン水中のオゾンがウエハ
Ｗと十分に接触できず、結果として十分な洗浄効果が得
られない。このような不都合を解消するべく、高濃度の
オゾン水を大流量で供給するといった方法が考えられる
が、その場合にはオゾン水製造のコストが高くなってし
まう。
解速度が速く、溜め置き式の洗浄槽では処理中にオゾン
水濃度が低下してしまうため、このオゾン水中に比較的
長い時間ウエハを浸していてもオゾン水による洗浄効果
が十分に発揮されなくなってしまうからである。また、
洗浄槽に連続的にオゾン水を供給したとしても、図５に
示すようにウエハＷの表面近傍にはオゾンが分解して単
に酸素（Ｏ2 ）を溶解しただけとなった水が滞留し、こ
れにより供給されたオゾン水との置換が効率良く行われ
ず、したがって供給されたオゾン水中のオゾンがウエハ
Ｗと十分に接触できず、結果として十分な洗浄効果が得
られない。このような不都合を解消するべく、高濃度の
オゾン水を大流量で供給するといった方法が考えられる
が、その場合にはオゾン水製造のコストが高くなってし
まう。
【０００７】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、低濃度のオゾン水を低流
量でしかも短時間供給するだけで、効果的にレジストを
除去することのできるレジスト除去方法およびレジスト
除去装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、低濃度のオゾン水を低流
量でしかも短時間供給するだけで、効果的にレジストを
除去することのできるレジスト除去方法およびレジスト
除去装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載のレジスト除去方法では、レジストを形成した基板
のレジスト形成面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去す
るにあたり、前記洗浄水としてオゾン水を用い、基板を
その面方向に回転させつつ、前記洗浄液を該基板のレジ
スト形成面に供給することを前記課題の解決手段とし
た。
記載のレジスト除去方法では、レジストを形成した基板
のレジスト形成面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去す
るにあたり、前記洗浄水としてオゾン水を用い、基板を
その面方向に回転させつつ、前記洗浄液を該基板のレジ
スト形成面に供給することを前記課題の解決手段とし
た。
【０００９】この方法によれば、基板をその面方向に回
転させるので基板表面近傍に供給された洗浄液の流れが
生じる。そして、この状態のもとでオゾン水からなる洗
浄液を連続的に供給すれば、基板表面近傍の、すでにオ
ゾンが分解して単に酸素を溶解しただけとなった水と新
しいオゾン水とが効率良く置換される。よって、基板の
レジスト形成面に常に新鮮なオゾン水が供給されること
により、オゾンの効果によるレジストの剥離が効果的に
進行する。なお、洗浄液に超音波を加えつつ基板のレジ
スト形成面に供給すれば、基板表面近傍での古い洗浄水
と新しい洗浄水との置換がより効率良く進行する。
転させるので基板表面近傍に供給された洗浄液の流れが
生じる。そして、この状態のもとでオゾン水からなる洗
浄液を連続的に供給すれば、基板表面近傍の、すでにオ
ゾンが分解して単に酸素を溶解しただけとなった水と新
しいオゾン水とが効率良く置換される。よって、基板の
レジスト形成面に常に新鮮なオゾン水が供給されること
により、オゾンの効果によるレジストの剥離が効果的に
進行する。なお、洗浄液に超音波を加えつつ基板のレジ
スト形成面に供給すれば、基板表面近傍での古い洗浄水
と新しい洗浄水との置換がより効率良く進行する。
【００１０】請求項４記載のレジスト除去装置では、レ
ジストを形成した基板のレジスト形成面を洗浄水で洗浄
し、レジストを除去するレジスト除去装置において、前
記洗浄水としてオゾン水を用い、これを供給するオゾン
水供給部と、基板を保持するとともに該基板をその面方
向に回転させる基板回転部とを備えてなることを前記課
題の解決手段とした。
ジストを形成した基板のレジスト形成面を洗浄水で洗浄
し、レジストを除去するレジスト除去装置において、前
記洗浄水としてオゾン水を用い、これを供給するオゾン
水供給部と、基板を保持するとともに該基板をその面方
向に回転させる基板回転部とを備えてなることを前記課
題の解決手段とした。
【００１１】この装置によれば、基板回転部によって基
板をその面方向に回転させることができ、またオゾン水
供給部によってオゾン水からなる洗浄水を供給すること
ができるので、基板をその面方向に回転させつつ、洗浄
液を該基板のレジスト形成面に供給することにより、前
述したようにオゾンの効果による基板上のレジストの剥
離を効果的に進行させることが可能になる。
板をその面方向に回転させることができ、またオゾン水
供給部によってオゾン水からなる洗浄水を供給すること
ができるので、基板をその面方向に回転させつつ、洗浄
液を該基板のレジスト形成面に供給することにより、前
述したようにオゾンの効果による基板上のレジストの剥
離を効果的に進行させることが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施形態例に
基づいて詳しく説明する。図１は本発明のレジスト除去
装置の一実施形態例を示す図であり、図１中符号１は枚
葉式のレジスト除去装置である。このレジスト除去装置
１は、レジストを形成した半導体基板（以下、ウエハＷ
と称する）のレジスト形成面を洗浄水で洗浄し、レジス
トを剥離除去する装置であり、オゾン水供給部２と基板
回転部３とを備えて構成されたものである。
基づいて詳しく説明する。図１は本発明のレジスト除去
装置の一実施形態例を示す図であり、図１中符号１は枚
葉式のレジスト除去装置である。このレジスト除去装置
１は、レジストを形成した半導体基板（以下、ウエハＷ
と称する）のレジスト形成面を洗浄水で洗浄し、レジス
トを剥離除去する装置であり、オゾン水供給部２と基板
回転部３とを備えて構成されたものである。
【００１３】オゾン水供給部２は、ウエハＷを洗浄する
ための洗浄水としてオゾン水を用いるもので、オゾン水
製造装置４とこの装置４で製造されたオゾン水を前記基
板回転部３上に供給するための供給系５とからなるもの
である。オゾン水製造装置４は、超純水を電気分解して
発生させたオゾンガスを純水中に溶解させ、オゾン水を
製造するもので、超純水電気分解装置６と、オゾンガス
溶解装置７と、オゾン濃度計８とを備えて構成されたも
のである。
ための洗浄水としてオゾン水を用いるもので、オゾン水
製造装置４とこの装置４で製造されたオゾン水を前記基
板回転部３上に供給するための供給系５とからなるもの
である。オゾン水製造装置４は、超純水を電気分解して
発生させたオゾンガスを純水中に溶解させ、オゾン水を
製造するもので、超純水電気分解装置６と、オゾンガス
溶解装置７と、オゾン濃度計８とを備えて構成されたも
のである。
【００１４】超純水電気分解装置６は、超純水供給装置
（図示略）に接続されてこれから流入した超純水を電気
分解し、オゾンを生成させるものである。オゾンガス溶
解装置７は、純水供給装置（図示略）および前記超純水
電気分解装置６に接続されたもので、純水供給装置から
流入した純水中に超純水電気分解装置６で生成させられ
たオゾンガスを溶解させ、オゾン水を調整製造するもの
である。オゾン濃度計８は、オゾンガス溶解装置７で調
整製造されて供給系５に送出されるオゾン水のオゾン濃
度を測定するものである。また、このオゾン濃度計８は
前記超純水電気分解装置６に接続されてその測定値を該
超純水電気分解装置６にフィードバックするようになっ
ており、これによって超純水電気分解装置６は生成する
オゾンの量を調整し、供給系５に送出されるオゾン水の
濃度を予め設定された所定値に維持するようになってい
る。
（図示略）に接続されてこれから流入した超純水を電気
分解し、オゾンを生成させるものである。オゾンガス溶
解装置７は、純水供給装置（図示略）および前記超純水
電気分解装置６に接続されたもので、純水供給装置から
流入した純水中に超純水電気分解装置６で生成させられ
たオゾンガスを溶解させ、オゾン水を調整製造するもの
である。オゾン濃度計８は、オゾンガス溶解装置７で調
整製造されて供給系５に送出されるオゾン水のオゾン濃
度を測定するものである。また、このオゾン濃度計８は
前記超純水電気分解装置６に接続されてその測定値を該
超純水電気分解装置６にフィードバックするようになっ
ており、これによって超純水電気分解装置６は生成する
オゾンの量を調整し、供給系５に送出されるオゾン水の
濃度を予め設定された所定値に維持するようになってい
る。
【００１５】供給系５は、オゾンガス溶解装置７に接続
したフレキシブル配管９と、該フレキシブル配管９の先
端に設けられたノズル１０とを備えて構成されたもので
ある。ノズル１０には、図２に示すようにその内部に超
音波振動板１１が設けられており、この超音波振動板１
１には超音波発振機１２が接続されている。このような
構成のもとにノズル１０は、フレキシブル配管９を通っ
てノズル１０内に流入したオゾン水に対し超音波を加
え、これにより該オゾン水を振動させた状態のままでノ
ズル口１０ａから吐出するようになっている。また、ノ
ズル１０には、図１中矢印Ａで示すように、該ノズル１
０を後述する洗浄チャンバ内の基板回転部３に保持され
たウエハＷの半径方向に移動させるための移動手段（図
示略）が設けられている。
したフレキシブル配管９と、該フレキシブル配管９の先
端に設けられたノズル１０とを備えて構成されたもので
ある。ノズル１０には、図２に示すようにその内部に超
音波振動板１１が設けられており、この超音波振動板１
１には超音波発振機１２が接続されている。このような
構成のもとにノズル１０は、フレキシブル配管９を通っ
てノズル１０内に流入したオゾン水に対し超音波を加
え、これにより該オゾン水を振動させた状態のままでノ
ズル口１０ａから吐出するようになっている。また、ノ
ズル１０には、図１中矢印Ａで示すように、該ノズル１
０を後述する洗浄チャンバ内の基板回転部３に保持され
たウエハＷの半径方向に移動させるための移動手段（図
示略）が設けられている。
【００１６】基板回転部３はスピン洗浄機と称されるも
ので、洗浄チャンバ１３内に配置されたものであり、ウ
エハチャック１４とこれを回転させるモータ１５とから
構成されたものである。ウエハチャック１４は、ウエハ
Ｗを例えば静電吸着して保持固定するものであり、モー
タ１５は、このウエハチャック１４を図１中矢印Ｂで示
すように回転させることにより、該ウエハチャック１４
に固定されたウエハＷをその周方向に回転させるもので
ある。
ので、洗浄チャンバ１３内に配置されたものであり、ウ
エハチャック１４とこれを回転させるモータ１５とから
構成されたものである。ウエハチャック１４は、ウエハ
Ｗを例えば静電吸着して保持固定するものであり、モー
タ１５は、このウエハチャック１４を図１中矢印Ｂで示
すように回転させることにより、該ウエハチャック１４
に固定されたウエハＷをその周方向に回転させるもので
ある。
【００１７】洗浄チャンバ１３には、これに連通した状
態でウエハカセット収納室１６が隣接しており、これら
洗浄チャンバ１３とウエハカセット収納室１６との間に
はウエハ搬送機構１７が配設されている。このウエハ搬
送機構１７はウエハカセット収納室１６に収納されたウ
エハカセット１８からウエハＷを引出し、これを移送し
て自動的に基板回転部３のウエハチャック１４上に載置
するものである。なお、洗浄チャンバ１３にはその底部
に排液配管（図示略）が設けられており、この排液配管
は排液槽（図示略）に接続している。
態でウエハカセット収納室１６が隣接しており、これら
洗浄チャンバ１３とウエハカセット収納室１６との間に
はウエハ搬送機構１７が配設されている。このウエハ搬
送機構１７はウエハカセット収納室１６に収納されたウ
エハカセット１８からウエハＷを引出し、これを移送し
て自動的に基板回転部３のウエハチャック１４上に載置
するものである。なお、洗浄チャンバ１３にはその底部
に排液配管（図示略）が設けられており、この排液配管
は排液槽（図示略）に接続している。
【００１８】次に、このような構成のレジスト除去装置
１の使用法に基づき、本発明のレジスト除去方法の一実
施形態例を説明する。まず、ウエハ搬送機構１７を動作
させてウエハカセット１８から被洗浄物となるウエハＷ
を移送してウエハチャック１４上に載置し、ここに保持
固定する。なお、当然のことながら、ウエハＷはそのレ
ジスト形成面、すなわち被洗浄面を上にしてウエハチャ
ック１４上に固定する。また、これとは別に、超純水電
気分解装置６に超純水を供給してオゾンガスを生成する
とともにオゾンガス溶解装置７に純水を供給し、所定濃
度のオゾン水を調整製造する。
１の使用法に基づき、本発明のレジスト除去方法の一実
施形態例を説明する。まず、ウエハ搬送機構１７を動作
させてウエハカセット１８から被洗浄物となるウエハＷ
を移送してウエハチャック１４上に載置し、ここに保持
固定する。なお、当然のことながら、ウエハＷはそのレ
ジスト形成面、すなわち被洗浄面を上にしてウエハチャ
ック１４上に固定する。また、これとは別に、超純水電
気分解装置６に超純水を供給してオゾンガスを生成する
とともにオゾンガス溶解装置７に純水を供給し、所定濃
度のオゾン水を調整製造する。
【００１９】そして、基板回転部３のモータ１５を起動
してウエハチャック１４を回転させ、ウエハＷをその周
方向に回転させる。また、このようにしてウエハＷを回
転させた状態のままで、オゾンガス溶解装置７からオゾ
ン水を送出し、供給系５を通じてそのノズル１０からオ
ゾン水をウエハＷのレジスト形成面上に供給する。この
とき、ノズル１０に設けた超音波発振機１２を作動さ
せ、超音波振動板１１を介してノズル１０内を通るオゾ
ン水に超音波を加える。また、ノズル１０については、
オゾン水の供給中にこれを前記移動手段によってウエハ
Ｗの半径方向に移動させる。
してウエハチャック１４を回転させ、ウエハＷをその周
方向に回転させる。また、このようにしてウエハＷを回
転させた状態のままで、オゾンガス溶解装置７からオゾ
ン水を送出し、供給系５を通じてそのノズル１０からオ
ゾン水をウエハＷのレジスト形成面上に供給する。この
とき、ノズル１０に設けた超音波発振機１２を作動さ
せ、超音波振動板１１を介してノズル１０内を通るオゾ
ン水に超音波を加える。また、ノズル１０については、
オゾン水の供給中にこれを前記移動手段によってウエハ
Ｗの半径方向に移動させる。
【００２０】このようにしてオゾン水をウエハＷのレジ
ストＲ…を形成した面上に供給すると、図３中矢印Ｃに
示すようにこのレジスト形成面上では、ノズル１０から
供給されたオゾン水がウエハＷの回転に伴って供給位置
からそのウエハＷの外側に流動する。そして、この状態
のもとでオゾン水が連続的に供給されることにより、ウ
エハＷ表面近傍の、すでにオゾンが分解して単に酸素を
溶解しただけとなった水と新しいオゾン水とが効率良く
置換される。
ストＲ…を形成した面上に供給すると、図３中矢印Ｃに
示すようにこのレジスト形成面上では、ノズル１０から
供給されたオゾン水がウエハＷの回転に伴って供給位置
からそのウエハＷの外側に流動する。そして、この状態
のもとでオゾン水が連続的に供給されることにより、ウ
エハＷ表面近傍の、すでにオゾンが分解して単に酸素を
溶解しただけとなった水と新しいオゾン水とが効率良く
置換される。
【００２１】よって、ウエハＷのレジスト形成面に常に
新鮮なオゾン水が供給されることにより、オゾンの効果
によるレジストＲの剥離が効果的に進行する。したがっ
て、このレジスト除去装置１を用いたレジスト除去方法
によれば、低濃度のオゾン水を低流量でしかも短時間供
給するだけで、効果的にレジストＲを除去することがで
きる。
新鮮なオゾン水が供給されることにより、オゾンの効果
によるレジストＲの剥離が効果的に進行する。したがっ
て、このレジスト除去装置１を用いたレジスト除去方法
によれば、低濃度のオゾン水を低流量でしかも短時間供
給するだけで、効果的にレジストＲを除去することがで
きる。
【００２２】また、オゾン水に超音波を加えつつ供給し
ているので、オゾン水がそれ自体微振動しているものと
なり、これによりウエハＷ表面近傍での古い洗浄水と新
しい洗浄水との置換をより効率良く進行させることがで
きる。さらに、オゾン水の供給中にノズル１０をウエハ
Ｗの半径方向に移動させているので、レジストＲの剥離
・除去をウエハＷ上にてより均一に進めることができ
る。
ているので、オゾン水がそれ自体微振動しているものと
なり、これによりウエハＷ表面近傍での古い洗浄水と新
しい洗浄水との置換をより効率良く進行させることがで
きる。さらに、オゾン水の供給中にノズル１０をウエハ
Ｗの半径方向に移動させているので、レジストＲの剥離
・除去をウエハＷ上にてより均一に進めることができ
る。
【００２３】なお、このようにして洗浄を行い、レジス
トＲを除去した後には、該ウエハＷをそのまま周方向に
回転させつつ、レジスト形成面に超純水を供給し、その
後該ウエハＷを乾燥させれば、洗浄工程から乾燥工程ま
での一連の流れで連続して行うことができ、したがって
生産性に優れ、工程管理も極めて容易になる。
トＲを除去した後には、該ウエハＷをそのまま周方向に
回転させつつ、レジスト形成面に超純水を供給し、その
後該ウエハＷを乾燥させれば、洗浄工程から乾燥工程ま
での一連の流れで連続して行うことができ、したがって
生産性に優れ、工程管理も極めて容易になる。
【００２４】図４は本発明のレジスト除去装置の他の実
施形態例を示す図であり、図４中符号２０はバッチ式レ
ジスト除去装置の基板回転部、２１はこの基板回転部２
０を収納した洗浄チャンバである。この実施形態例のレ
ジスト除去装置は、オゾン水供給部については図１に示
したオゾン水供給部２とほぼ同一の構成であり、基板回
転部２０のみが図１に示したものと異なる構成となって
いる。
施形態例を示す図であり、図４中符号２０はバッチ式レ
ジスト除去装置の基板回転部、２１はこの基板回転部２
０を収納した洗浄チャンバである。この実施形態例のレ
ジスト除去装置は、オゾン水供給部については図１に示
したオゾン水供給部２とほぼ同一の構成であり、基板回
転部２０のみが図１に示したものと異なる構成となって
いる。
【００２５】すなわち、本実施形態例の基板回転部２０
は、先の例のウエハチャック１４に代わって回転保持具
２２がモータ２３に接続されている。この回転保持具２
２は、ウエハカセット１８をそのまま保持固定するもの
で、この例では複数（図４では二つ）のウエハカセット
を同時に保持固定するものとなっている。なお、このウ
エハカセット１８は、当然その中にウエハＷを複数（例
えば２５枚）所定間隔をあけて収納したものであり、ま
た、ウエハカセット１８自体にはウエハＷとウエハＷと
の間のスペース部分にスリットが形成されている。ま
た、回転保持具２２はウエハカセット１８、１８を水平
方向に回転させるものであり、ウエハカセット１８はウ
エハＷ…を水平に収納した状態で回転保持具２２に保持
されるようになっている。そしてこのような構成により
ウエハＷ…は、モータ２３の起動によってその面方向に
回転するようになっている。
は、先の例のウエハチャック１４に代わって回転保持具
２２がモータ２３に接続されている。この回転保持具２
２は、ウエハカセット１８をそのまま保持固定するもの
で、この例では複数（図４では二つ）のウエハカセット
を同時に保持固定するものとなっている。なお、このウ
エハカセット１８は、当然その中にウエハＷを複数（例
えば２５枚）所定間隔をあけて収納したものであり、ま
た、ウエハカセット１８自体にはウエハＷとウエハＷと
の間のスペース部分にスリットが形成されている。ま
た、回転保持具２２はウエハカセット１８、１８を水平
方向に回転させるものであり、ウエハカセット１８はウ
エハＷ…を水平に収納した状態で回転保持具２２に保持
されるようになっている。そしてこのような構成により
ウエハＷ…は、モータ２３の起動によってその面方向に
回転するようになっている。
【００２６】洗浄チャンバ２１は、本例ではオゾン水供
給部２の供給系５のノズル１０を壁面および中央部に複
数固定した状態に備えたものとなっている。すなわち、
本例においては、多数のウエハＷを同時に処理するバッ
チ方式のものであることから、供給系５にノズル１０が
多数設けられ、これらが適宜な間隔で洗浄チャンバ２１
の壁面、および洗浄チャンバ２１の中心に設けられたノ
ズル固定管２４に固定されている。
給部２の供給系５のノズル１０を壁面および中央部に複
数固定した状態に備えたものとなっている。すなわち、
本例においては、多数のウエハＷを同時に処理するバッ
チ方式のものであることから、供給系５にノズル１０が
多数設けられ、これらが適宜な間隔で洗浄チャンバ２１
の壁面、および洗浄チャンバ２１の中心に設けられたノ
ズル固定管２４に固定されている。
【００２７】このような構成のレジスト除去装置でウエ
ハＷ上のレジストを除去するには、ウエハカセット１８
に収納した状態で複数のウエハＷ…を回転保持具２２に
保持固定する。なお、この例においても、ウエハＷはそ
のレジスト形成面、すなわち被洗浄面を上にしてセット
する。また、これとは別に、先の例と同様にオゾン水製
造装置４で所定濃度のオゾン水を調整製造する。
ハＷ上のレジストを除去するには、ウエハカセット１８
に収納した状態で複数のウエハＷ…を回転保持具２２に
保持固定する。なお、この例においても、ウエハＷはそ
のレジスト形成面、すなわち被洗浄面を上にしてセット
する。また、これとは別に、先の例と同様にオゾン水製
造装置４で所定濃度のオゾン水を調整製造する。
【００２８】そして、基板回転部２０のモータ２３を起
動して回転保持具２２を回転させ、ウエハカセット１８
を回転させることによりここに収納したウエハＷ…をそ
の面方向に回転させる。また、このようにしてウエハＷ
…を回転させた状態のままで、オゾン水製造装置４から
オゾン水を送出し、供給系５を通じて複数のノズル１０
…から同時にオゾン水を吐出する。すると、ノズル１０
…から吐出されたオゾン水は、ウエハカセット１８の開
口部、あるいは前記スリットからウエハカセット１８内
に入り、ウエハＷ…のレジスト形成面上に至る。なお、
この例においても、ノズル１０に設けた超音波発振機１
２を作動させ、超音波振動板１１を介してノズル１０内
を通るオゾン水に超音波を加える。
動して回転保持具２２を回転させ、ウエハカセット１８
を回転させることによりここに収納したウエハＷ…をそ
の面方向に回転させる。また、このようにしてウエハＷ
…を回転させた状態のままで、オゾン水製造装置４から
オゾン水を送出し、供給系５を通じて複数のノズル１０
…から同時にオゾン水を吐出する。すると、ノズル１０
…から吐出されたオゾン水は、ウエハカセット１８の開
口部、あるいは前記スリットからウエハカセット１８内
に入り、ウエハＷ…のレジスト形成面上に至る。なお、
この例においても、ノズル１０に設けた超音波発振機１
２を作動させ、超音波振動板１１を介してノズル１０内
を通るオゾン水に超音波を加える。
【００２９】このようにしてオゾン水をウエハＷ…のレ
ジスト形成面上に供給すると、これらレジスト形成面上
では、先の例と同様に、すでにオゾンが分解して単に酸
素を溶解しただけとなった水と新しいオゾン水とが効率
良く置換される。よって、ウエハＷ…のレジスト形成面
に常に新鮮なオゾン水を供給することにより、オゾンの
効果によるレジストの剥離を効果的に進行させることが
でき、したがって低濃度のオゾン水を低流量でしかも短
時間供給するだけで、効果的にレジストを除去すること
ができる。また、オゾン水に超音波を加えつつ供給して
いるので、先の例と同様にウエハＷ表面近傍での古い洗
浄水と新しい洗浄水との置換をより効率良く進行させる
ことができる。
ジスト形成面上に供給すると、これらレジスト形成面上
では、先の例と同様に、すでにオゾンが分解して単に酸
素を溶解しただけとなった水と新しいオゾン水とが効率
良く置換される。よって、ウエハＷ…のレジスト形成面
に常に新鮮なオゾン水を供給することにより、オゾンの
効果によるレジストの剥離を効果的に進行させることが
でき、したがって低濃度のオゾン水を低流量でしかも短
時間供給するだけで、効果的にレジストを除去すること
ができる。また、オゾン水に超音波を加えつつ供給して
いるので、先の例と同様にウエハＷ表面近傍での古い洗
浄水と新しい洗浄水との置換をより効率良く進行させる
ことができる。
【００３０】なお、この例においても、洗浄によりレジ
ストＲを除去した後には、該ウエハＷ…をそのまま面方
向に回転させつつ、これらウエハＷに超純水を供給し、
その後これらを乾燥させれば、洗浄工程から乾燥工程ま
での一連の流れで連続して行うことができ、したがって
生産性に優れ、工程管理も極めて容易になる。
ストＲを除去した後には、該ウエハＷ…をそのまま面方
向に回転させつつ、これらウエハＷに超純水を供給し、
その後これらを乾燥させれば、洗浄工程から乾燥工程ま
での一連の流れで連続して行うことができ、したがって
生産性に優れ、工程管理も極めて容易になる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジスト除
去方法は、基板をその面方向に回転させつつ、オゾン水
からなる洗浄液を該基板のレジスト形成面に供給する方
法であるから、基板表面近傍の、すでにオゾンが分解し
て単に酸素を溶解しただけとなった水と新しいオゾン水
とを効率良く置換することができ、これにより基板のレ
ジスト形成面に常に新鮮なオゾン水を供給してオゾンの
効果によるレジストの剥離を効果的に進行させることが
でき、したがって低濃度のオゾン水を低流量でしかも短
時間供給するだけで効果的にレジストを除去することが
できる。よって、レジスト除去工程におけるコスト低減
を行うことができ、かつ環境への影響を特別な設備を用
いることなく無くすことができる。
去方法は、基板をその面方向に回転させつつ、オゾン水
からなる洗浄液を該基板のレジスト形成面に供給する方
法であるから、基板表面近傍の、すでにオゾンが分解し
て単に酸素を溶解しただけとなった水と新しいオゾン水
とを効率良く置換することができ、これにより基板のレ
ジスト形成面に常に新鮮なオゾン水を供給してオゾンの
効果によるレジストの剥離を効果的に進行させることが
でき、したがって低濃度のオゾン水を低流量でしかも短
時間供給するだけで効果的にレジストを除去することが
できる。よって、レジスト除去工程におけるコスト低減
を行うことができ、かつ環境への影響を特別な設備を用
いることなく無くすことができる。
【００３２】本発明のレジスト除去装置は、オゾン水か
らなる洗浄水を供給するオゾン水供給部と、基板を保持
するとともに該基板をその面方向に回転させる基板回転
部とを備えてなるものであるから、基板回転部によって
基板をその面方向に回転させることができ、またオゾン
水供給部によってオゾン水からなる洗浄水を供給するこ
とができるので、基板をその面方向に回転させつつ、洗
浄液を該基板のレジスト形成面に供給することにより、
前述したようにオゾンの効果による基板上のレジストの
剥離を効果的に進行させることができる。したがって、
この装置にあっても、レジスト除去工程におけるコスト
低減を行うことができ、かつ環境への影響を特別な設備
を用いることなく無くすことができる。
らなる洗浄水を供給するオゾン水供給部と、基板を保持
するとともに該基板をその面方向に回転させる基板回転
部とを備えてなるものであるから、基板回転部によって
基板をその面方向に回転させることができ、またオゾン
水供給部によってオゾン水からなる洗浄水を供給するこ
とができるので、基板をその面方向に回転させつつ、洗
浄液を該基板のレジスト形成面に供給することにより、
前述したようにオゾンの効果による基板上のレジストの
剥離を効果的に進行させることができる。したがって、
この装置にあっても、レジスト除去工程におけるコスト
低減を行うことができ、かつ環境への影響を特別な設備
を用いることなく無くすことができる。
【図１】本発明のレジスト除去装置の一実施形態例の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】ノズルの内部構成を説明するための側断面図で
ある。
ある。
【図３】オゾン水の流動状態説明図である。
【図４】本発明のレジスト除去装置の他の実施形態例に
おける、基板回転部の概略構成図である。
おける、基板回転部の概略構成図である。
【図５】従来のレジスト除去についての課題説明図であ
る。
る。
１…レジスト除去装置、２…オゾン水供給部、３，２０
…基板回転部、１１…超音波振動板、１２…超音波発振
機、Ｗ…ウエハ
…基板回転部、１１…超音波振動板、１２…超音波発振
機、Ｗ…ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ 21/306 21/306 Ｊ Ｄ
Claims (7)
- 【請求項１】 レジストを形成した基板のレジスト形成
面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去するにあたり、 前記洗浄水としてオゾン水を用い、 基板をその面方向に回転させつつ、前記洗浄液を該基板
のレジスト形成面に供給することを特徴とするレジスト
除去方法。 - 【請求項２】 前記洗浄液に超音波を加えつつ基板のレ
ジスト形成面に供給することを特徴とする請求項１記載
のレジスト除去方法。 - 【請求項３】 前記洗浄液を基板のレジスト形成面に供
給してレジストを除去した後、該基板をその面方向に回
転させつつレジスト形成面に超純水を供給し、その後該
基板を乾燥させることを特徴とする請求項１記載のレジ
スト除去方法。 - 【請求項４】 レジストを形成した基板のレジスト形成
面を洗浄水で洗浄し、レジストを除去するレジスト除去
装置であって、 前記洗浄水としてオゾン水を用い、これを供給するオゾ
ン水供給部と、 基板を保持するとともに該基板をその面方向に回転させ
る基板回転部と、を備えてなることを特徴とするレジス
ト除去装置。 - 【請求項５】 前記オゾン水供給部が洗浄水供給のため
のノズルを有し、該ノズルに超音波発振機構が設けられ
てなることを特徴とする請求項４記載のレジスト除去装
置。 - 【請求項６】 前記基板回転部が、保持した基板をその
周方向に回転させるものであることを特徴とする請求項
４記載のレジスト除去装置。 - 【請求項７】 前記基板回転部が、複数の基板を同時に
保持するとともに、これらをその面方向に同時に回転さ
せるものであることを特徴とする請求項４記載のレジス
ト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33521897A JPH11165136A (ja) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33521897A JPH11165136A (ja) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11165136A true JPH11165136A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18286090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33521897A Pending JPH11165136A (ja) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11165136A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030165A1 (fr) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et dispositif d'elimination d'un film de photoresine |
| JP2006024822A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Casio Comput Co Ltd | レジスト除去方法 |
| JP2006024823A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Casio Comput Co Ltd | レジスト除去方法 |
| US7267130B2 (en) | 2000-09-22 | 2007-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US7479205B2 (en) | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2010245239A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Nomura Micro Sci Co Ltd | フォトレジスト除去装置 |
| JPWO2015152223A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体の製造方法およびウエハ基板の洗浄方法 |
-
1997
- 1997-12-05 JP JP33521897A patent/JPH11165136A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030165A1 (fr) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et dispositif d'elimination d'un film de photoresine |
| US6517998B1 (en) | 1998-11-13 | 2003-02-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for removing photoresist film and apparatus used therefor |
| US7965372B2 (en) | 1998-11-13 | 2011-06-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for removing photoresist film |
| US7267130B2 (en) | 2000-09-22 | 2007-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US7428907B2 (en) | 2000-09-22 | 2008-09-30 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US7479205B2 (en) | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2006024822A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Casio Comput Co Ltd | レジスト除去方法 |
| JP2006024823A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Casio Comput Co Ltd | レジスト除去方法 |
| JP4613535B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2011-01-19 | カシオ計算機株式会社 | レジスト除去方法 |
| JP2010245239A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Nomura Micro Sci Co Ltd | フォトレジスト除去装置 |
| JPWO2015152223A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体の製造方法およびウエハ基板の洗浄方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6743301B2 (en) | Substrate treatment process and apparatus | |
| JP3869566B2 (ja) | フォトレジスト膜除去方法および装置 | |
| JP3690619B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP2000147793A (ja) | フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置 | |
| JPH05152203A (ja) | 基板処理方法および処理装置 | |
| JPH069195B2 (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| JPH10261687A (ja) | 半導体等製造装置 | |
| KR19990088484A (ko) | 반도체장치의세정장비및반도체장치의세정방법 | |
| JP7010299B2 (ja) | マスクパターン形成方法、記憶媒体及び基板処理装置 | |
| KR100229687B1 (ko) | 유기물 피막의 제거방법 | |
| JPH11165136A (ja) | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 | |
| JP5006111B2 (ja) | フォトレジスト除去装置 | |
| JPH10116809A (ja) | 洗浄方法及び洗浄システム | |
| KR20060009232A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독가능한기록 매체 | |
| WO2006028983A2 (en) | Megasonic processing system with gasified fluid | |
| JP2002118085A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2891578B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH088222A (ja) | スピンプロセッサ | |
| JP2003236481A (ja) | 洗浄方法、洗浄装置ならびに半導体装置の製造方法およびアクティブマトリックス型表示装置の製造方法 | |
| JP3196963B2 (ja) | 有機物の除去方法 | |
| JP2002261068A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20050087210A1 (en) | Substrate cleaning device | |
| JP3101307B2 (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
| JP2001274131A (ja) | バッチ式処理装置およびバッチ式処理方法 | |
| KR20080099914A (ko) | 레지스트 제거 장치 및 제거 방법 |