JP2001274131A

JP2001274131A - バッチ式処理装置およびバッチ式処理方法

Info

Publication number: JP2001274131A
Application number: JP2000089284A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tomita; 寛冨田; Hisashi Oguchi; 寿史大口; Motoyuki Sato; 基之佐藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-03-28
Filing date: 2000-03-28
Publication date: 2001-10-05

Abstract

(57)【要約】【課題】複数のウェハの各上に形成されたレジストをオ
ゾン水を用いて同時に剥離する際における剥離むらを小
さくすること。【解決手段】複数のウェハ３にオゾン水を供給するとと
もに、処理槽１の外に設けられた回転モーター５によ
り、回転軸４を中心にして複数のウェハ３を高速回転さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のウェハの各
上に形成されたレジストを同時に剥離するなど、複数の
被処理基体を同時に処理するバッチ式処理装置およびバ
ッチ式処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体プロセスに用いられるレジストの
剥離方法の一つとして、硫酸と過酸化水素水との混合溶
液（ＳＰＭ）を用いた方法が知られている。この方法に
おけるレジストの剥離メカニズムは、過酸化水素水の酸
化力と、硫酸と過酸化水素水の反応熱による加熱とによ
り、レジストが溶解することだと考えられている。

【０００３】しかし、この種のＳＰＭを用いたレジスト
の剥離方法には以下のような問題がある。一般に、半導
体デバイスの高集積化が進むほど、製造プロセスのフォ
トリソグラフィ工程が増加し、それに伴いレジスト剥離
工程も増加する。レジスト剥離工程が増加するほど、Ｓ
ＰＭの使用量が増加する。これは、薬液（硫酸、過酸化
水素水）および純水の使用量削減の要請、すなわち環境
保護の観点から望まれるものではない。

【０００４】一方、薬液を用いないレジストの剥離方法
として、酸素ラジカルやオゾンを用いて、２００〜３０
０℃の温度でウェハを加熱し、レジスト膜を炭化させる
方法（アッシング方法）が知られている。

【０００５】しかし、アッシング方法には以下のような
問題がある。すなわち、アッシング方法はドライプロセ
スであるため、ウェハ上にレジスト剥離残渣が残ってし
まうという問題がある。

【０００６】このような背景から、近年、環境に優し
く、かつウエット処理を用いたレジストの剥離方法が求
められている。その一つとして、酸化力が強いガスであ
るオゾンガスを超純水に溶解させた液体（以下、オゾン
水という）をレジスト剥離に用いることが検討され始め
ている。例えば、オゾン水をスプレー状に複数のウェハ
に供給してレジストを剥離するバッチ式のレジスト剥離
方法が報告されている。

【０００７】しかし、この種のオゾン水を用いたバッチ
式のレジスト剥離方法には以下のような問題がある。す
なわち、オゾン水をスプレー状にウェハに供給するた
め、ウェハ面内のうちウェハキャリアーによって影にな
る部分にレジスト剥離むらが生じるという問題がある。

【０００８】他の方法としては、ウェハにオゾン水を介
して超音波を印加してレジストを剥離するバッチ式のレ
ジスト剥離方法が知られ、処理を行う槽(処理槽)に超音
波発信ユニットを直に貼り付ける直貼り方式のものと、
間接槽を設けて間接槽内に導入する水を介して超音波洗
浄する間接槽方式のものがある。

【０００９】最近の微細化に伴い回路パターンサイズが
縮小され、除去すべきパーティクルサイズもサブμｍオ
ーダーになっているため、超音波発振ユニットは、周波
数がＭＨｚ帯の超音波を使用している。

【００１０】しかし、超音波はＭＨｚ帯の周波数になる
とその直進性が強くなり、洗浄槽に配した超音波発信ユ
ニットの振動面直上には強い超音波が伝播するが、それ
以外の部分には非常に弱い超音波しか伝わらず、洗浄能
力にむらが生じてしまう。すなわち、レジスト剥離むら
が生じてしまう。

【００１１】ＭＨｚ帯の振動子はその短い振動波長によ
り照射面積の大きい振動子を作ることが困難である。そ
のため、大きな振動子を用いる代わりに、図８に示すよ
うに、洗浄槽５１内のウェハ５２上に超音波発信ユニッ
ト５３を密に敷き詰めることが行われている。しかし、
このような解決策を講じても、洗浄槽５１中の超音波能
力(音圧)を均一にすることは不可能に近く、やはり洗浄
能力にむらがあるのが実状である。

【００１２】他の解決策として、ウェハを洗浄中に移動
して均一な洗浄を行うことが提案されている。これは、
例えば、図９に示すように、処理槽５１内のウェハ支持
の部分にコロ状の部品５４を設けて、この部品５４を介
してウェハ５２を回転させることにより被洗浄面を移動
させ、むらのある洗浄効果領域をなるべく均一にすると
いうものである。

【００１３】しかし、コロ状の部品５４が超音波洗浄の
影になり、この影になる部分では洗浄効果が現れず、そ
の結果としてその部分ではむらは残り続けるという問題
や、部品５４が存在する分だけ洗浄領域が狭くなるとい
う問題がある。さらに、回転体であるコロ状の部品５４
がウェハ５２の近傍に位置するため、ここから発塵した
パーティクルが逆吸着するという問題もある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のオ
ゾン水または超音波を用いたバッチ式のレジスト剥離で
は、ウェハキャリアーまたはコロ状の部品によって影に
なる部分が存在するために、ウェハ面内に影になる部分
が生じ、レジスト剥離むらが生じるという問題がある。

【００１５】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、環境負荷が小さく、か
つ被処理基体面内における処理むらを小さくできるバッ
チ式処理装置およびバッチ式処理方法を提供することに
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係るバッチ式処理装置は、複数の被処理基
体および液体が導入される処理槽と、前記複数の被処理
基体を保持する、前記処理槽内に設けられた保持手段
と、前記保持手段と接続された回転軸と、この回転軸を
回転させる前記処理槽の外に設けられたモーターとを含
む、前記保持手段を回転させる回転手段と、前記保持手
段に保持された前記複数の被処理基体にオゾンを含む液
体を供給する液体供給手段または液体（純水等の環境負
荷が小さい液体）を介して超音波を印加する超音波印加
手段とを備えていることを特徴とする。

【００１７】本発明によれば、オゾンを含む液体または
超音波を用いて処理を行っているので、環境負荷を小さ
くできる。また、モーターを処理槽の外に設けているの
で、処理に対して影となる部分を少なくでき、その結果
として被処理基体面内における処理むらを小さくでき
る。

【００１８】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。

【００２０】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るバッチ式レジスト剥離装置の基本構成
を示す模式図である。同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）
は正面図を示している。

【００２１】図中、１はレジスト剥離を行う処理槽を示
しており、この処理槽１内にはウェハホルダー２が設け
られており、このウェハホルダー２は処理槽１内に導入
された複数のウェハ３を同時に保持している。各ウェハ
３上にはレジストが形成されている。

【００２２】ウェハホルダー２は回転軸４と接続してい
る。なお、ここでは、その接続状態は示されていない
が、第２の実施形態で具体的に説明する。回転軸４の一
部分は処理槽１の壁を貫通して処理槽１の外にあり、回
転軸４は処理槽１の外にある回転モーター５に直結して
いる。この回転モーター５が回転すると回転軸４が回転
し、その結果としてウェハホルダー２により保持された
複数のウェハ３が回転する。

【００２３】処理槽１の下面にはオゾン送水管６が設け
られ、このオゾン送水管６からオズン水が複数のウェハ
３に供給されるようになっている。オゾン送水管６の設
置位置は下面に限定されるものではなく、左右側面、そ
の他、処理槽形状に合わせて任意の箇所に設置できる。
ただし、オゾン水（剥離液）がウェハ３の中心を通って
直進的に供給されるようにすることが好ましい。

【００２４】本装置を用いたバッチ式レジスト剥離方法
は以下の通りである。すなわち、処理槽１内に複数のウ
ェハ３を導入し、これらのウェハ３をウェハホルダー２
により保持し、オゾン送水管６からオズン水を複数のウ
ェハ３に供給するとともに、回転モーター５を回転さ
せ、ウェハホルダー２を回転させて複数のウェハ３を回
転させる。

【００２５】本方法によれば、レジストの剥離をオゾン
水により行っているので、環境負荷を小さくできる。ま
た、回転モーター５を処理槽１の外に設けているので、
剥離処理に対して影となる部分を少なくでき、その結果
としてウェハ３面内における剥離むらを小さくできる。
さらに、後述するように、ウェハ３を高速回転させるこ
とによって剥離むらを十分に小さくできる。

【００２６】以下、本装置およびそれを用いたバッチ式
レジスト剥離方法についてより具体的に説明する。

【００２７】まず、装置上部の洗浄漕カバー（不図示）
を取り外して、処理層１内のウェハホルダー２に複数の
ウェハ３をセットする。

【００２８】次に上記洗浄漕カバーを取り付けた後、オ
ゾン送水管６からオゾン水をウェハ３に供給する。この
オズン水の条件は、ユースポイントでのオゾン濃度が５
ｐｐｍ以上となることが好ましい。図２に示すように、
レジストの剥離速度はオゾン水濃度に比例するので、オ
ゾン濃度度は高いことが好ましい。実用的な剥離速度を
確保するためには５ｐｐｍ以上とする。

【００２９】オゾン送水管６には直径が数ミリの穴が上
部に設けられており、ウェハ３に向かってオゾン水が送
水されるようになっている。オゾン水の送水速度は２Ｋ
ｇｆ／ｃｍ²で１０リットル／分程度以上が好ましい。
その理由は、ウェハ中央部にまでオゾン水が送水される
程度の送水圧が必要であるためである。

【００３０】ウェハ３の半分程度以上の部分が浸水する
量のオゾン水が供給されたら、ウェハ３を回転させる。
回転速度は１０ｒｐｍ以上、好ましくは１０〜１０００
ｒｐｍ程度が良い。その理由は後述する。

【００３１】処理槽１の内部全体がオゾン水で充満され
ると、余剰なオゾン水は回転軸４に設けられた隙間（排
水口）から外部に排水される。このとき、排水量は送水
量以下に調整する。これにより、処理槽１は常にオゾン
水で充填されていることになる。なお、排水口の設置個
所は回転軸４に限定されるものでは無く、例えば処理槽
１の上部等、ウェハ全体がオゾン水に浸水された状態を
実現できる位置であれば良い。

【００３２】図３に、ウェハ３を回転させないで、オゾ
ン水を１０リットル／分で２分間送水した場合のレジス
ト剥離途中の面内のレジスト残膜厚分布を示す。レジス
ト残膜厚の平均値は１４．７２７２ｎｍ、最大値は平均
値＋６５．３３９ｎｍ、最小値は平均値−７．０９６ｎ
ｍ、標準偏差値は５．４０１５６８ｎｍであった。

【００３３】図から、ウェハ３を回転させない場合、オ
ゾン送水管６上だけがエッチング量が大きく、その部分
ではレジスト残膜厚が薄くなっていることが分かる。し
たがって、ウェハ３を回転させることによって、レジス
トを効果的に除去できることが分かる。

【００３４】次に剥離処理に用いるオズン水およびウェ
ハ回転速度について説明する。オゾン水とレジストとの
エッチングにおける関係はオゾン水の供給律速状態にな
る。その理由を図２を参照して説明する。図４は、レジ
スト剥離処理時のウェハ回転速度と、レジスト剥離処理
後のレジスト残膜厚との関係を示す図である。より正確
には、ウェハ回転速度＝１０００ｒｐｍ、１００ｒｐ
ｍ、１０ｒｐｍのそれぞれについて、枚葉型洗浄装置に
てウェハ中央部からオゾン水を回転しているウェハ上の
レジストに供給して、レジストの剥離処理を行った後に
残ったレジストの、ウェハ中央を原点とした同径方向に
沿った膜厚分布を調べた結果を示す図である。

【００３５】図から、ウェハ回転速度＝１０ｒｐｍ、１
００ｒｐｍの場合、１２７ｍｍウェハの周辺部まではレ
ジストを剥離はできないが、ウェハ回転速度＝１０００
ｒｐｍの場合、１２７ｍｍウェハの周辺部までレジスト
を剥離できることが分かる。

【００３６】この剥離能力のウェハ回転速度の依存性
は、オゾン水によるレジストの剥離がオゾン水の供給に
より律速されることが原因で生じることが分かった。そ
の理由としては、オゾン水自体がレジストと反応してオ
ゾン濃度が低下すること、オゾン水中のオゾン自体が自
己分解して濃度低下が起こることの二つが考えられる。

【００３７】したがって、剥離能力を改善するために
は、ウェハへのオゾン水の供給が律速にならないように
ウェハにオゾン水を供給し、さらにオゾンが自己分解す
る前に効率良くオゾンとレジストとを反応させる必要が
ある。

【００３８】そのためには、回転速度でウェハをオゾン
水中で高速回転（１００ｒｐｍ以上の）させることが重
要であることが分かった。具体的には、処理槽の下部か
ら上方向にオゾン水を供給しつつ、ウェハを１００ｒｐ
ｍ以上の回転速度にて回転させることによって、バッチ
式洗浄装置でもレジストを十分に剥離できることが明ら
かになった。

【００３９】（第２の実施形態）図５は、本発明の第２
の実施形態に係るバッチ式レジスト剥離装置を示す模式
図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符
号を付してあり、詳細な説明は省略する。

【００４０】処理槽１内の下部には給水管７が設けら
れ、この給水管７からオゾン水等の液体が処理槽１内に
オーバーフロー状態になるように導入される。なお、処
理槽１内に導入する液体は処理の内容に変わる。給水管
７から処理槽１内に導入された液体は、必要に応じてウ
ェハ３間もしくはウェハ３に直に当たるように正確に制
御できるようになっている。処理槽１内に導入された液
体は槽上部のオーバーフロー受けドレイン８を介して排
出でき、これによって脱離したダスト等が逆吸着するこ
とを防止できるようなっている。

【００４１】オゾン処理（レジスト剥離）中は、オゾン
水とウェハ３の表面との相対速度を増すために、回転モ
ーター５によってウェハ３を高速回転させる。この速度
は数百ｒｐｍ、より好ましくは数千ｒｐｍである。な
お、この速度は処理（ここではレジスト剥離）の種類に
よって変わる。処理によっては数十ｒｐｍ〜数百ｒｐｍ
でも良い。

【００４２】本装置の場合、常にオーバーフロー状態で
剥離処理が行われるため、通常のパーティクルの数は低
減される。ただし、本装置の場合、回転軸３を高速で回
転させるため、軸系に由来するパーティクルやダストが
発生する。

【００４３】そこで、本装置では、ウェハホルダー２の
回転系の箇所、すなわち回転モーター５側とその反対側
の回転軸固定部分の近傍にはドレイン配管９を設け、そ
こから軸系由来のパーティクル等をオゾン水等の液体と
ともに排出する。このとき、オーバーフロー状態を保て
るように、オーバーフロー受けドレイン８からの排出量
を考慮して、ドレイン配管９からの排出量を設定する。
具体的には、オーバーフロー受けドレイン８からの排出
量とドレイン配管９からの排出量とがほぼ等しくなるよ
うに設定する。

【００４４】また、高速回転によるオゾン水の分解で発
生するオゾンガスおよび酸素ガス、ならびにレジストと
オゾンとの反応で発生する二酸化炭素等をレジスト剥離
中に排出するために、上部蓋１０に排気バルブ１１を設
置してある。

【００４５】排気バルブ９は単に排気のためだけではな
く、そこから不活性ガス等を処理槽１内に導入すること
で処理槽１内を適度な圧力下に保ち、オゾン水からのオ
ゾンの気化を抑制し、オゾンとレジストとの反応効率を
増加させるためにも使用される。また、処理時の酸素溶
解や、大気開放時におけるオゾン水の分解も防止でき
る。

【００４６】ウェハ３は、処理槽１に導入される際に
は、図示しないウェハ移動用アームから、処理槽１中の
三本のうち一本が取り外された状態のウェハホルダー２
に移載される。つまり、ウェハホルダー２が移動用アー
ムからウェハ３を受け取った後は、二本のウェハホルダ
ー２によってウェハ３が自立できる構造になっている。

【００４７】そして、ウェハ設置後、ウェハ固定用の可
動ホルダーが専用の移動ユニットによって処理槽１内に
導入され、上記可動ホルダーが固定用パーツによってウ
ェハホルダー２の本体と連結することにより、ウェハ３
は完全に三点固定される。

【００４８】また、ウェハホルダー２の一端は処理槽１
の外部に設置してある回転用モーター５の回転軸と直結
しており、処理の際にウェハ３を希望の回転数に回転さ
せることができるようになっている。回転数は前述した
とおりである。一方、回転用モーター５と反対側のウェ
ハホルダー２の他端は、図示しないベアリングを介して
処理槽本体と連結している。

【００４９】オゾン処理後は、ドレイン配管９からオゾ
ン水が排出され、給水管７からウェハ３をリンスための
純水が導入される。そして、十分リンスされた後に上記
純水は処理槽１から排出される。

【００５０】（第３の実施形態）図６は、本発明の第３
の実施形態に係るバッチ式レジスト剥離装置を示す模式
図である。なお、図１および図５と対応する部分には図
１および図５と同一符号を付してあり、詳細な説明は省
略する。

【００５１】本実施形態が第２の実施形態と主として異
なる点は、処理槽１の下部に、超音波発信ユニット１２
を設けたことにある。

【００５２】これにより、オゾン剥離中にＭＨｚ帯の周
波数の超音波１３をオゾン水を介してウェハ３に印加す
ることでレジスト剥離を十分に促進したり、あるいはリ
ンス処理中に超音波を印加することでパーティクルをよ
り効果的に除去できることにある。また、処理槽１の外
に設けた回転モーター５によりウェハ３を回転させてい
るので、超音波の直進性によって生じるレジストの剥離
むらや、パーティクルの除去むらを効果的に抑制できる
ようになる。これらは、処理後のウェハ表面の清浄化に
つながる。

【００５３】超音波発信ユニット１２は、図示しない発
振器用電源より供給される入力電圧により超音波発振を
行う。超音波発信ユニット１２の設置位置は、オゾン送
水管６の設置位置の場合と同様に、下面に限定されるも
のではなく、左右側面、その他、処理槽形状に合わせて
任意の箇所に設置でき、好ましくは超音波がウェハ３の
中心を通って直進的に印加するように設置する。

【００５４】また、本実施形態のように、超音波発信ユ
ニット１２を複数の個所に設置しても良い。この場合、
処理槽１の下部に設けた給水管７は、超音波発信ユニッ
ト１２から発生する超音波のダンパーになるため、洗浄
能力が減衰しないような配置にする。例えば、本実施形
態のように、超音波発信ユニット１２を敷き詰めた際
に、ちょうど隣り合う超音波発信ユニット１２の隙間に
給水管７を配置する。また、回転モーター５の回転数
は、超音波発信ユニット１２によるＭＨｚ効果がウェハ
面内で均一化になるように選択する。

【００５５】オゾン水および超音波がウェハ３の中心を
通って直進的にウェハ３に供給および印加させるために
は、例えば処理槽形状、ならびに給水管７および超音波
発信ユニット１２の設置個所を図７に示すようにすれば
良い。

【００５６】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、上記実施形態では、レジスト
剥離のバッチ処理について説明したが、本発明は複数枚
のウェハをまとめて洗浄するなど、他のバッチ処理に対
して適用可能である。

【００５７】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施できる。

【００５８】

【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、環
境負荷が小さく、かつ被処理基体面内における処理むら
が小さいバッチ処理を行えるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るバッチ式レジス
ト剥離装置の基本構成を示す模式図

【図２】レジストの剥離速度がオゾン水濃度に比例する
ことを示す図

【図３】ウェハを回転させないでオゾン水を送水した際
のレジスト剥離途中のレジスト残膜厚分布を示す図

【図４】レジスト剥離処理時のウェハ回転速度と、レジ
スト剥離処理後のレジスト残膜厚との関係を示す図

【図５】本発明の第２の実施形態に係るバッチ式レジス
ト剥離装置を示す模式図

【図６】本発明の第３の実施形態に係るバッチ式レジス
ト剥離装置を示す図

【図７】オゾン水および超音波がウェハの中心を通って
直進的にウェハに供給および印加させる方法を示す図

【図８】従来のバッチ式レジスト剥離装置を示す図

【図９】従来の他のバッチ式レジスト剥離装置を示す図

【符号の説明】

１…処理槽２…ウェハホルダー（保持手段）３…ウェハ４…回転軸（回転手段）５…回転モーター（回転手段）６…オゾン送水管（液体供給手段）７…給水管（液体供給手段）８…オーバーフロー受けドレイン９…ドレイン配管（排出手段）１０…上部蓋１１…排気バルブ１２…超音波発信ユニット（超音波印加手段）１３…超音波

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤基之神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 AB33 AB44 BB04 BB85 BB92 BB93 BB98 5F043 CC16 DD10 DD30 EE04 EE05 EE35 EE36 5F046 MA02 MA05 MA06 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の被処理基体が導入される処理槽と、前記複数の被処理基体を保持する、前記処理槽内に設け
られた保持手段と、前記保持手段と接続された回転軸と、この回転軸を回転
させる前記処理槽の外に設けられたモーターとを含む、
前記保持手段を回転させる回転手段と、前記保持手段に保持された前記複数の被処理基体にオゾ
ンを含む液体を供給する液体供給手段とを具備してなる
ことを特徴とするバッチ式処理装置。
【請求項２】複数の被処理基体および液体が導入される
処理槽と、前記複数の被処理基体を保持する、前記処理槽内に設け
られた保持手段と、前記保持手段と接続された回転軸と、この回転軸を回転
させる前記処理槽の外に設けられたモーターとを含む、
前記保持手段を回転させる回転手段と、前記保持手段に保持された前記複数の被処理基体に液体
を介して超音波を印加する超音波印加手段とを具備して
なることを特徴とするバッチ式処理装置。
【請求項３】前記被処理基体は、半導体基板およびその
上に形成されたレジストを含むことを特徴とする請求項
１または請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項４】前記回転手段は、前記被処理基体の中央部
に回転中心があるように、前記被処理基体を回転させる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のバッ
チ式処理装置。
【請求項５】前記回転手段は、前記被処理基体の回転速
度が１００ｒｐｍ以上となるべく前記保持手段を回転さ
せることを特徴とする請求項４に記載のバッチ式処理装
置。
【請求項６】前記回転軸の一部分は前記処理槽の壁を貫
通して前記処理槽の外にあり、この外にある部分が前記
モーターに接続されていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項７】前記回転軸の一部分は前記処理槽の中にあ
り、この中にある部分の周りの液体を優先的に排出する
ための排出手段をさらに有することを特徴とする請求項
１または請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項８】前記液体供給手段または前記超音波印加手
段は、前記液体または前記超音波が前記被処理基体の中
心を通るように、前記液体または前記超音波を前記被処
理基体に直進的に供給または印加することを特徴とする
請求項１または請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項９】処理槽内に複数の被処理基体を導入する工
程と、前記処理槽内に設けられた保持手段により、前記複数の
被処理基体を保持する工程と、前記複数の被処理基体にオゾンを含む液体を供給すると
ともに、前記保持手段に接続された回転軸を前記処理槽
の外に設けられたモーターにより回転させ、前記複数の
被処理基体を回転させる工程とを有することを特徴とす
るバッチ式処理方法。
【請求項１０】処理槽内に複数の被処理基体を導入する
工程と、前記処理槽内に設けられた保持手段により、前記複数の
被処理基体を保持する工程と、前記処理槽内に液体を導入し、この液体を介して前記複
数の被処理基体に超音波を印加するとともに、前記保持
手段に接続された回転軸を前記処理槽の外に設けられた
モーターを回転させ、前記複数の被処理基体を回転させ
る工程とを有することを特徴とするバッチ式処理方法。