JPH10116809A

JPH10116809A - 洗浄方法及び洗浄システム

Info

Publication number: JPH10116809A
Application number: JP27035396A
Authority: JP
Inventors: Tadahiro Omi; 忠弘大見; Takayuki Jizaimaru; 隆行自在丸; Takehisa Nitta; 雄久新田
Original assignee: URUTORA CLEAN TECHNOL KAIHATSU; URUTORA CLEAN TECHNOL KAIHATSU KENKYUSHO KK
Current assignee: URUTORA CLEAN TECHNOL KAIHATSU; URUTORA CLEAN TECHNOL KAIHATSU KENKYUSHO KK
Priority date: 1996-10-11
Filing date: 1996-10-11
Publication date: 1998-05-06

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトレジスト等の有機膜を室温で剥離除去
することができ、単純な構造の有機物を、他の物質と混
合なしに希釈だけで使用するため洗浄液が長時間にわた
って劣化せず、しかも洗浄効果が高く、極めて優れた特
徴を有する洗浄方法及び洗浄システムを提供することを
目的とする。【解決手段】水溶性有機溶媒又はその希釈液からなる
槽内中の洗浄水に超音波を照射しながら基体を浸漬する
ことにより基体に付着する有機被膜を除去することを特
徴とする。あるいは基体に超音波の照射された上記洗浄
液を噴射する。水溶性有機溶媒はアセトン、ＩＰＡ、エ
タノール等である。イオン注入装置等に隣接して、上記
洗浄を行う洗浄装置を設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄方法及び洗浄
システムに係わり、特にフォトレジスト等を室温で剥
離、除去可能な洗浄方法及び洗浄システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体や液晶ディスプレイ製造時
におけるのレジスト剥離の方法として次の技術が用いら
れる。硫酸と過酸化水素水とを原液で混合し、この混合
した溶液を用いて１００〜１５０℃の高温で処理する方
法である。

【０００３】また、前述の溶液は強酸性であるために基
板の種類によっては基板等に影響を与え使用出来ない場
合がある。そのような場合は、高濃度の有機溶剤を用い
て高温で処理する方法が用いられている。

【０００４】また、フォトレジストをマスクとしてイオ
ン注入やリアクティブイオンエッチングを行うと、レジ
スト表面に大量のイオンが照射され、レジスト材料自身
が架橋し硬化するためウェット洗浄では、レジストの除
去が困難であり、酸素プラズマあるいは、紫外線（Ｕ
Ｖ）とオゾンガスによりプラズマを導入して、硬化した
レジスト部を燃焼除去した後に、残りのレジストを薬品
で除去している。

【０００５】しかし、硫酸と過酸化水素とを混合した溶
液を用いる方法は、高濃度、高温処理のためその洗浄液
やシリコンウエハ搬送の操作性が悪い。また、洗浄液中
の過酸化水素が分解してしまう結果、寿命が存在し、そ
のため液の交換及び補充が必要不可欠である。さらに硫
酸の廃液処理にコストがかかるという欠点があり、薬品
代および廃液処理等のランニングコストに影警が出る。

【０００６】有機溶剤を用いる方法も高温プロセスがほ
とんどであるため操作性が悪く、液質の管理も難しく回
収再利用は不可能である。

【０００７】プラズマ処理法は、処理後にウエハ上にレ
ジスト中に含まれている金属、微粒子等の汚染物が残存
するという欠点である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の洗浄方
法及び洗浄システムの問題を解決し、フォトレジスト等
の有機膜を室温で剥離除去することができ、単純な構造
の有機物を、他の物質と混合なしに希釈だけで使用する
ため洗浄液が長時間にわたって劣化せず、しかも洗浄効
果が高く、極めて優れた特徴を有する洗浄方法及び洗浄
システムを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、水
溶性有機溶媒又はその希釈液からなる槽内中の洗浄水に
超音波を照射しながら基体を浸漬することにより基体に
付着する有機被膜を除去することを特徴とする。

【００１０】前記水溶性有機溶媒はアセトン、イソプロ
ピルアルコール（以下ＩＰＡ）、エタノールが好まし
い。また、これらいずれか１種を含む混合液でもよい。

【００１１】水溶性有機溶媒の希釈は、純水あるいは超
純水で行えばよい。

【００１２】なお、水溶性有機溶媒による洗浄のみでは
基体表面に有機物が残存した場合には、その有機物を、
酸化による分解（例えばオゾン水による分解）により基
板から引き離せばよい。

【００１３】あるいは、基体表面のスライトエッチング
により基板から引き離してもよい。スライトエッチング
は例えば、フッ化化合物を含む溶液を用いて行えばよ
い。

【００１４】また、洗浄中に、前記基体を前記洗浄液内
外に引き上げ及び引き下げを行うことが好ましい。さら
に、洗浄中に、前記基体を洗浄液中で揺動させ、及び／
又は前記洗浄液に液中噴流シャワーを供給することが好
ましい。

【００１５】これにより、洗浄効果は一層高まり、洗浄
の均一性を向上して、洗浄時間を短縮することができ
る。

【００１６】また、前記洗浄液の入った槽を液体の入っ
た外槽に置き、該外槽に配設した超音波振動子により、
前記洗浄液に超音波を間接照射することを特徴とするこ
とも好ましい。

【００１７】これにより、洗浄液の温度を室温付近に保
つことができ、高い洗浄効果を維持することができる。

【００１８】また、前記洗浄液への超音波の照射は間欠
的に行うことによっても洗浄液の温度を室温付近に保つ
ことができ、高い洗浄効果を維持することができる。

【００１９】本発明の他の洗浄方法は、水溶性有機溶媒
又はその希釈溶液からなる洗浄液に超音波を照射しなが
ら、該洗浄液を基体に供給して基体に付着する有機被膜
を除去することを特徴とする。

【００２０】洗浄は、基体を回転させて行うことにより
洗浄効果を一段と向上させることができる。

【００２１】前記洗浄液はノズルを介して噴射させて基
体に供給すればよく、ノズルの吹き出し口は、細い円形
で基板の半径方向に往復させる、または、基板の半径方
向には線状で円周方向にはきわめてせまい吹き出し口を
有するライン状ノズルであり、その吹き出し口の大きき
は該洗浄液中の超音波の波長より大きくすることが好ま
しい。

【００２２】洗浄効率を上げるためにには超音波の周波
数は、０．１〜１０ＭＨｚが好ましい。

【００２３】本発明の洗浄システムは、イオン注入装置
あるいはリアクティブエッチング装置に隣接して、水溶
性有機溶媒又はその希釈液からなる洗浄水を収納する槽
と、当該槽中の洗浄水に超音波を照射するための手段と
を有する洗浄装置、又は、水溶性有機溶媒又はその希釈
溶液からなる洗浄液に超音波を照射しながら該洗浄液を
基体に供給する洗浄装置を設けたことを特徴とする。

【００２４】なお、前記洗浄装置とイオン注入装置ある
いはリアクティブエッチング装置との間にフォトレジス
トのアッシング装置及び／又はケミカルメカニカルポリ
ッシヤー（以下ＣＭＰ）を設けてもよい。

【００２５】本発明において、室温での洗浄が可能とな
り、前記洗浄液の温度は、１５〜４０℃の範囲内でコン
トロールされているが、加熱して使用してもかまわな
い。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１を用い
て説明する。

【００２７】図１は、本発明の洗浄方法を用いるため
に、バッチ処理用に用いられる洗浄槽の一例である。

【００２８】図１において、１０１は、有機溶剤及び／
又は、純水で希釈された有機溶剤からなる洗浄液を満た
した内槽である。１０２は超音波振動子であり、上部に
は純水等の液体が満たされている。

【００２９】洗浄方法は、基体を洗浄液槽に浸漬し、超
音波振動子１０２に電圧を印加する。振動子から発振さ
れる超音波は、外槽、液体、内槽を介して洗浄液に照射
され、超音波と洗浄液成分との相乗効果により、室温付
近の温度で基体上のフォトレジストが極めて効果的に剥
離除去される。

【００３０】洗浄液を１０３の脱気ユニットを通し１０
６のポンプで循環し、脱気することによりキャビテーシ
ョンが押さえられ、洗浄効果がいっそう高まる。その際
１０４のフィルターで、剥離されたレジスト等の不純物
を取り除き、パーティクルの再吸着を防止する。

【００３１】高い洗浄効果が得られる理由の詳細は、現
在のところ完全には明らかではないが、次の様に考えら
れる。まず、イソプロピルアルコールがレジスト内部に
または、特にレジストと基体の界面に浸透して、レジス
トを若干溶解、膨張する。その際レジストは超音波によ
って激しく振動し割れていき基板より剥離するものと考
えられる。さらに、超音波によって洗浄液中に生成する
ラジカル（Ｈラジカル、ＯＨラジカル）によってレジス
トと表面の化学結合を切断し、レジストの剥離を促進さ
せる。イソプロピルアルコールを用いることにより、基
体とレジストとの界面に浸透しレジストを基板から引き
離し、超音波によってレジストが剥離されるものと考え
られる。

【００３２】なお、レジスト膜を形成する前に、レジス
ト膜の基板への密着性を高めるために、基板表面の疎水
化処理（主に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処
理）が一般的に行われるが、このような密着性を高めた
場合であっても本発明の洗浄法により、レジスト膜は効
果的に除去される。

【００３３】オゾンを用いた洗浄の場合、オゾンに超音
波等を印加し、ＯＨラジカルを発生させることによりＨ
ＭＤＳ処理が行われた面が酸化され分解除去される。

【００３４】洗浄は、常温で行うのが好ましいが、加熱
装置等を用いて高温で洗浄しても構わない。ただ、その
際、液温や、蒸気の管理等難しくなり、ランニングコス
ト等に影響が生じる。

【００３５】なお、洗浄液温度は、超音波のパワー、周
波数、照射時間等の、条件によってその上昇する度合い
が変化する。温度を所定範囲に保つためには、種々の方
法があるが、例えば、図１のように熱交換装置１０５
と、１０７冷却ユニット用い洗浄液を循環しながら冷却
すれば良い。

【００３６】超音波の周波数は、０．１〜１０ＭＨｚの
範囲が好ましい。超音波が低い周波数では、キャビテー
ションが発生しやすく半導体素子の形状破壊が起こる場
合がある。また周波数が高くなると音圧（振動加速度）
が高くなり、フォトレジストの除去効果が一層高くなり
好ましいが、１０ＭＨｚを越えると、温度上昇が激しく
なり冷却能力の大きな装置が必要となるため、上記範囲
とするのが好ましい。

【００３７】また、液面付近で高いレジスト除去効果が
あることから、洗浄中に、基体の引き上げ及び引き下げ
を行うことが好ましい。これにより、レジスト除去効果
は一層向上する。この理由としては、液面においては、
超音波により速い洗浄液の流速が得られること、液面で
の直進波と反射波との合成波（定在波）の中で、界面近
傍の密になった活性部分ができること等により、洗浄効
果は高くなると考えられ、基体を界面で上下することで
レジストの剥離効果は増加する。

【００３８】さらに、基体を左右に揺動させることによ
り、音波が均一に照射され、洗浄効果をさらに高めるこ
とが可能となる。また、洗浄液中に１〜２以上のノズル
を配置して基板表面に洗浄液を噴射することにより、洗
浄効果をさらに高めることが可能となる。

【００３９】本発明において、アセトン等有機溶剤濃度
は、低濃度では、洗浄効果が低く、高濃度で行うことが
が好ましい。

【００４０】上記した洗浄法ではアセトン、イソプロピ
ルアルコールを用いたが、これに限らず、例えばメチル
アルコール、エチルアルコール、２−エトキシエタノー
ル等のアルコール、他のアセトン、メチルエチルケトン
等の有機溶剤を用いることができる。但し、洗浄効果お
よび安全性・取り扱い性から、アセトン、もしくはイソ
プロピルアルコールが最も好ましい。

【００４１】また、本発明において、レジスト表面に、
パターンを設けることにより、レジストの除去効果を一
層高めることができる。

【００４２】また、本発明の純水としては、洗浄の対象
となる基体の種類によるが不純物を抑えた物が用いら
れ、半導体基板のフォトレジスト除去を行う場合は、
０．０５μｍ以上の粒径のパーティクルが数個／ｍｌ以
下、比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上でＴＯＣ（全有機炭
素）やシリカの値が１ｐｐｂ以下の超純水が好ましい。

【００４３】なお、図１において用いられる純水等の液
体は、超音波を効率的に伝搬するために脱気したものを
用いるのが好ましい。また、洗浄液も同様脱気したもの
を用いるのが好ましい。気体成分が１ｐｐｍ以下、より
好ましくは５０ｐｐｂ以下である。

【００４４】本発明は、必ずしも図１の二槽構成とする
必要はなく、一槽構成としてその外壁に振動子を取り付
け、直接超音波を洗浄液に照射してもよく、その場合前
述したように、間欠照射、あるいは洗浄液を恒温槽との
間で循環させることにより温度を一定に保つことができ
る。振動子も一つに限らず、槽の側壁、底面、上面に設
けてもよい。また、洗浄液中に除去されたレジストを循
環過程でフィルタにより除去する必要がある。

【００４５】次に、本発明の洗浄方法の他の実施の形態
図２、３を用いて説明する。

【００４６】図２において、２０１は洗浄液供給装置、
２０２は超音波振動子、２０３は基体、２０４は回転装
置である。

【００４７】これにより、超音波が照射された洗浄液
を、回転する基体表面に噴射することにより、遠心力の
作用との相乗効果により、レジストが効率よく除去され
る。ここで、ノズルと基体の角度は４５度程度とするの
が好ましい。ノズルの吹き出し口は円形で、基板の半径
方向に往復させてもよいし、基板の半径方向には線状で
円周方向には狭い吹き出し口を有するライン状ノズルで
も良い。ノズル吹き出し口の大きさは、超音波が効率よ
く通過するために、洗浄液中の超音波の波長より大きく
しておく必要がある。本発明のレジスト除去は、従来の
方法のようにレジストを溶解するのではなく、剥離する
方法であるから剥離されたレジスト膜の基板への再付着
を抑えるために、図２の方法は特に好ましい。吹き出し
ノズルを複数個設ければ、レジスト剥離はさらに高速で
行える。

【００４８】図３は、超音波照射された洗浄液をシャワ
ー状に基体に供給する方法であり、上からの物理的な力
によってレジストは上から下へ剥離する。また、基体は
シャワーに対して平行に配置してもよく、その場合は基
体を移動させ、基体全体に均一に洗浄液を供給するのが
好ましい。シャワーの吹き出しロは、シャワーの方向を
変えるため例えば±１５゜の範囲で回転往復運動させる
と有効である。

【００４９】図３において、３０１は洗浄液供給装置付
き超音波振動子である。

【００５０】本発明は種々のフォトレジストの除去に好
適であり、耐熱性が高く除去が困難とされているＴＳＭ
Ｒ−８９００（東京応化工業株式会社製）についても、
極めて高い除去効果を有している。ｉ線用レジスト、エ
キシマレーザー用レジスト、電子線レジストにも有効で
ある。

【００５１】また、本発明はフォトレジストに限らず、
塗料や接着剤等の種々の高分子有機被膜、機械油等（焼
き付いて高分子化した物を含む）の皮膜、界面活性剤や
染料の除去等に適用できる。

【００５２】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されることがない
ことは言うまでもない。

【００５３】（実施例１）図１の洗浄装置を用いて、ア
セトン、イソプロピルアルコールの濃度とレジスト除去
されるまでの時間との関係を調べた。

【００５４】本実施例では、基体として、以下の手順で
レジストを形成した３３ｍｍφのシリコン板を用いた。

【００５５】（レジスト形成手順）基板プリベーク：１５０℃、５分ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）塗布：１分３０
秒レジスト（ＴＳＭＲ−８９００）塗布：８００ｒｐ
ｍ、２秒、３０００ｒｐｍ、４０秒（膜厚：１．０〜
１．３μｍ）ベーク：９０℃、１分３０秒超純水リンス：１分ポストベーク：１３０℃、５分なお、洗浄液は超純水にイソプロピルアルコールを希釈
したものを使用した。又、洗浄液の温度は、図１の純水
１０４を恒温槽間で循環して２５℃に保った。使用した
超音波の周波数は１ＭＨｚである。全面にレジストが塗
布されたサンプルの除去試験である。

【００５６】処理時間は、基体上のレジストが光学顕微
鏡観察で、残渣がなくなるまでの時間をレジスト１μｍ
厚さに対して換算した値である。結果を表１に示す。

【００５７】

【表１】アセトン濃度［％］処理時間［秒］ＩＰＡ濃度［％］処理時間［秒］１００６０１００４０８０７０８０５５６０９０６０７０４０２１０４０１６０＜２０＞６００＜２０＞６００

【００５８】表１から明らかになるように、アセトン及
びＩＰＡと超純水に超音波を照射してもレジストは剥離
できるが、高濃度のほうが処理時間が大きく短縮でき、
１００％で剥離効果は一層向上することが分かった。

【００５９】また、比較例として、硫酸・過酸化水素水
を用いて、１３０℃で従来の洗浄を行った。結果を表２
に示す。

【００６０】

【表２】

【００６１】（実施例２）図２の洗浄装置を用いて、実
施例１と同様にしてフオトレジストを形成した６インチ
シリコンウエハを３０００ｒｐｍの回転数で回転させ、
超音波（１．６ＭＨｚ）を照射した洗浄液を１リットル
／分で供給してレジスト除去の効果を調べたところ、３
０秒でレジストが除去されるのが確認された。

【００６２】また、同様のシリコンウエハを、図３の洗
浄装置を用いて、１０リットル／分の流量でシャワー供
給してレジスト除去効果を調べたところ、この場合も３
０秒でレジストが除去されるのが確認された。

【００６３】アセトン、ＩＰＡ等にメガソニック超音波
を印加して、レジストを基板表面から剥離する本発明の
洗浄装置を、イオン注入装置、リアクティブイオンエッ
チング（ＲＩＥ）装置に隣接して設置することはきわめ
て有効である。イオン注入、ＲＩＥ工程終了後のレジス
ト付きウェハは、金属等で汚染されており、ウェハ搬送
路、ウェハ搬送ボックスを汚染し、他のウェハへのクロ
スコンタミネーションの原因となる。したがって、イオ
ン注入、ＲＩＥ工程終了後ただちに本発明による室温で
のレジスト剥離を行い、同じく本発明者がすでに開発し
ている室温ウェット洗浄、乾燥処理を施してから、ウェ
ハ搬送路、ウェハ搬送ボックスに送り込めば、クロスコ
ンタミネーションの問題は、一挙に解決される。

【００６４】

【発明の効果】本発明により、即ち、有機溶剤及び／又
は、純水で希釈された有機溶剤の洗浄液を用い、メガソ
ニック超音波を照射することによって、基体に付着した
有機被膜を剥離除去する洗浄方法により、極めて高い洗
浄効果が得られる。

【００６５】本発明のレジスト等の有機膜除去は、従来
の各種薬品の混合された剥離洗浄薬液によるものではな
いため液質の変化はほとんど無く、剥離されたレジスト
等の有機膜を循環ろ過すれば有機膜はフィルタで除去さ
れてしまうため、洗浄液は殆ど劣化せず長期間に渡る使
用が可能である。したがって図２、図３に示される装置
で使用後の洗浄液を粗性能フィルタ、中性能フィルタ、
高性能フィルタと順次通過させれば再利用できる。

【００６６】本発明で、アセトン、ＩＰＡが極めて優れ
たレジスト剥離を有することが確認できた。アセトン、
ＩＰＡ／ＭＳは、ＳｉＯ₂、ＰＳＧ、ＢＰＳＧをまった
くエッチングせず極めて望ましい。将来パターンのより
一層の微細化が進みエキシマレーザステッパ（ＫｒＦ：
２４８ｎｍ、ＡｒＦ＝１９３ｎｍ）の導入の時代にな
り、レジストが化学増幅型レジストとなるがアセトン、
ＩＰＡ／ＭＳで問題無く除去出きる。

【００６７】レジストの付いた半導体基板は汚染されて
いる。したがって、レジスト付き基板を搬送すると搬送
路や搬送ボックス内で異なる基板間のクロスコンタミネ
ーション（相互汚染）の原因となる。

【００６８】フォトリソ工程から、次のイオン注入やリ
アクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）まではレジスト
が本質的に要求される。ＲＩＥやイオン注入を終了した
基板からは、レジストをただちに除去することが好まし
い。

【００６９】本発明によるレジスト剥離技術を導入する
と引き続く、Ｏ₃添加超純水洗浄、界面活性剤添加ＨＦ
／Ｈ₂Ｏ₂（メガソニック）洗浄、超純水洗浄との組み合
わせにより、全て室温工程でレジスト剥離、表面洗浄が
行われ、極めてクリーンな基板が得られる。図１や図２
等に示される洗浄装置にＩＰＡベーパ乾燥やＮ₂ガスブ
ロー乾燥を導入して、ＲＩＥやイオン注入装置直後につ
なげれば、レジスト付着のない基板だけが搬送される。

【００７０】本発明は、特にフォトレジストの剥離に好
適に適用され、従来の剥離方法に比べて、高い洗浄除去
効果で、清浄な表面とすることができる。さらに、室温
付近での処理であるため、取り扱い性・安全性に優れ、
しかも廃液処理が容易である。

【００７１】従来のＲＣＡ洗浄とちがい高温高濃度薬品
をいっさい用いない室温ウエット洗浄技術は、すでに開
発されている（大見忠弘著、ウルトラクリーンＵＬＳＩ
技術、培風館１９９５年１２月刊行）。本発明のレジス
ト剥離技術と組み合わせることにより、半導体工場、液
晶工場から硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア等の高濃度薬
品を完全に駆逐できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の
一例を示す概念図である。

【図２】本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の
一例を示す概念図である。

【図３】本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の
一例を示す概念図である。

【符号の説明】

１０１内槽、１０２超音波振動子、１０３フィルター、１０４脱基ユニット、１０５熱交換装置、１０６循環ポンプ、１０７冷却ユニット、２０１洗浄液供給装置、２０２超音波振動子、２０３基体、２０４回転テーブル、３０１洗浄液供給装置付き超音波振動子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ１１Ｄ 7/50 Ｃ１１Ｄ 7/50 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者自在丸隆行宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉（無番地) 東北大学工学部電子工学科内 (72)発明者新田雄久東京都文京区本郷４−１−４株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】水溶性有機溶媒又はその希釈液からなる
槽内中の洗浄水に超音波を照射しながら基体を浸漬する
ことにより基体に付着する有機被膜を除去することを特
徴とする洗浄方法。
【請求項２】前記水溶性有機溶媒はアセトン、イソプ
ロピルアルコール（以下ＩＰＡ）、エタノールのいずれ
か１種であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方
法。
【請求項３】請求項１又は２記載の洗浄後、基体表面
に残存した有機物を、酸化による分解により基板から引
き離す洗浄方法及び洗浄装置。
【請求項４】前記酸化による分解は、オゾン水により
行うことを特徴とする請求項３記載の洗浄方法。
【請求項５】請求項１又は２記載の洗浄後、基体表面
に残存した有機物を、基体表面のスライトエッチングに
より基板から引き離すことを特徴とする洗浄方法。
【請求項６】前記スライトエッチングはフッ化化合物
を含む溶液を用いて行うことを特徴とする請求項５記載
の洗浄方法。
【請求項７】洗浄中に、前記基体を前記洗浄液内外に
引き上げ及び引き下げを行うことを特徴とする請求項１
ないし６のいずれか１項記載の洗浄方法。
【請求項８】洗浄中に、前記基体を洗浄液中で揺動さ
せ、及び／又は前記洗浄液に液中噴流シャワーを供給す
ることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記
載の洗浄方法。
【請求項９】前記洗浄液の入った槽を液体の入った外
槽に置き、該外槽に配設した超音波振動子により、前記
洗浄液に超音波を間接照射することを特徴とする請求項
１ないし８のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項１０】前記洗浄液への超音波の照射は間欠的
に行うことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１
項に記載の洗浄方法。
【請求項１１】水溶性有機溶媒又はその希釈溶液から
なる洗浄液に超音波を照射しながら、該洗浄液を基体に
供給して基体に付着する有機被膜を除去することを特徴
とする洗浄方法。
【請求項１２】前記基体を回転させることを特徴とす
る請求項１０に記載の洗浄方法。
【請求項１３】前記洗浄液をノズルを介して噴射させ
て基体に供給することを特徴とする請求項１１又は１２
記載の洗浄方法。
【請求項１４】ノズルの吹き出し口は、細い円形で基
板の半径方向に往復させる、または、基板の半径方向に
は線状で円周方向にはきわめてせまい吹き出し口を有す
るライン状ノズルであり、その吹き出し口の大ききは該
洗浄液中の超音波の波長より大きいことを特徴とする請
求項１３記載の洗浄方法。
【請求項１５】前記超音波の周波数は、０．１〜１０
ＭＨｚであることを特徴とする請求項１ないし１４のい
ずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項１６】前記有機被膜は、フォトレジストであ
ることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項
に記載の洗浄方法。
【請求項１７】有機被膜を除去した後の洗浄液はフィ
ルタで循環ろ過して再利用することを特徴とする請求項
の１ないし１６のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項１８】前記フィルタは除去可能粒子粒径が異
なり、その除去粒子径が次第に小さくなるフィルタを多
段に設けることを特徴とする請求項１７記載の洗浄方
法。
【請求項１９】前記フィルタを少なくとも２系統以上
設けることを、特徴とする請求項１７又は１８記載の洗
浄方法。
【請求項２０】イオン注入装置あるいはリアクティブ
エッチング装置に隣接して、水溶性有機溶媒又はその希
釈液からなる洗浄水を収納する槽と、当該槽中の洗浄水
に超音波を照射するための手段とを有する洗浄装置、又
は、水溶性有機溶媒又はその希釈溶液からなる洗浄液に
超音波を照射しながら該洗浄液を基体に供給する洗浄装
置を設けたことを特徴とする洗浄装置システム。
【請求項２１】前記洗浄装置とイオン注入装置あるい
はリアクティブエッチング装置との間にフォトレジスト
のアッシング装置及び／又はケミカルメカニカルポリッ
シヤー（以下ＣＭＰ）を設けたことを特徴とする請求項
２０記載の洗浄システム。