KR101272668B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101272668B1
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liquid
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요시아키 구로카와
고이치 히구치
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시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

초음파 진동을 가한 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 직육면체형으로서, 길이 방향의 일단부의 하면에 개구되는 동시에 길이 방향의 타단부를 향해 경사지게 형성된 처리액의 공급로(35)를 가지는 발진체(發振體)와, 발진체의 상면에 설치되어 발진체를 초음파 진동시키는 진동자(34)와, 공급로에 공급되는 처리액을 냉각시키는 열교환기(42)를 구비한다.
초음파 진동, 처리액, 기판 처리 장치, 발진체, 진동자, 열교환기

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 초음파를 가한 처리액에 의해 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 과정에는, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판에 회로 패턴을 형성하는 리소그라피 프로세스가 있다. 이 리소그라피 프로세스는, 주지하는 바와 같이 상기 기판에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트에 회로 패턴이 형성된 마스크를 통하여 광을 조사(照射)하고, 그 다음에, 레지스트의 광이 조사되지 않은 부분(또는 광이 조사된 부분)을 제거하고, 제거된 부분을 에칭하는 등의 일련의 공정을 복수회 반복함으로써, 상기 기판에 회로 패턴을 형성하는 것이다.
상기 일련의 각 공정에 있어서, 상기 기판이 오염되어 있으면 회로 패턴을 정밀하게 형성할 수 없게 되어, 불량품의 발생 원인으로 된다. 따라서, 각각의 공정에서 회로 패턴을 형성할 때는, 레지스트나 먼지 등의 미립자가 잔류하지 않는 청정한 상태에서 상기 기판을 처리액에 의해 처리하는 것이 행해지고 있다.
상기 기판을 처리액에 의해 처리하는 장치로서는 스핀처리(spinning) 장치가 알려져 있다.
스핀처리 장치는 컵체를 가진다. 이 컵체 내에는 회전 테이블이 설치되고, 이 회전 테이블에는 상기 기판이 착탈할 수 있도록 지지된다.
상기 회전 테이블의 상부에는 노즐체가 설치되어 있다. 그리고, 상기 회전 테이블을 회전시키면서 노즐체로부터 기판을 향해 처리액을 공급함으로써, 이 기판을 처리하는 것이 행해진다.
기판에 처리액을 단지 공급하는 것만으로는, 기판에 부착된 오염물을 충분히 제거할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 기판에 공급되는 처리액에 초음파 진동을 가하여, 세정 효과를 높이는 것이 행해지고 있다.
종래, 초음파 진동이 가해진 처리액을 기판에 공급하는 데는 노즐체가 사용되고 있다. 노즐체는 처리액의 공급 포트와 분사구를 가지고, 내부에는 진동판이 설치되어 있다. 처리액은 공급 포트로부터 노즐체의 내부에 공급되고, 초음파 진동하는 상기 진동판에 접촉하여 초음파 진동이 가해지고나서, 개구면적이 좁혀진 상기 분사구에서 가속되어 기판에 분사되도록 되어 있다.
상기 기판을 향해 분사된 처리액은, 초음파 진동에 의해 가압과 감압이 반복됨으로써, 감압시에 그 처리액에 용해된 가스가 핵으로 되어 공동(空洞)이 생기고, 가압시에 그 공동이 압궤(壓潰)되어 충격파가 발생하는 캐비테이션(cavitation) 작용에 의해 상기 기판의 오염물을 제거한다.
처리액에 초음파 진동을 가함으로써 생기는 캐비테이션 작용은, 처리액의 온도가 높으면 커지는 것이 알려져 있다. 그러나, 처리액의 캐비테이션 작용이 크면, 그 캐비테이션 작용에 의해 기판에 형성된 미세한 배선이 손상되는 경우가 있 다. 따라서, 처리액에 초음파 진동을 가하는 경우, 처리액의 온도를 제어하는 것이 요구되고 있다.
그런데, 종래의 노즐체는, 전술한 바와 같이 처리액을 노즐체의 내부에 설치된 진동판에 접촉시켜 초음파 진동을 가하는 구조로 되어 있었다. 초음파 진동하는 진동판은, 진동판에 가해지는 에너지에 의해 고온으로 가열된다. 그러므로, 진동판에 접촉된 처리액은 온도가 상승하는 것을 피할 수 없으므로, 그 처리액에 초음파 진동을 가하여 기판을 처리하면, 기판이 손상되는 경우가 있었다.
또한, 노즐체의 분사구로부터 기판을 향해 분사하는 처리액은 가속된다. 그러므로, 가속된 처리액은 기판에 충격을 주게 되므로, 그에 의해서도 기판에 손상이 가해지는 경우가 있었다.
본 발명은, 초음파 진동이 가해진 처리액에 의해 기판을 세정할 때, 처리액의 온도를 확실하게 제어할 수 있도록 함으로써, 기판에 손상을 주지 않고 세정 처리할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
즉, 본 발명은, 초음파 진동을 가한 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
직육면체형으로서, 길이 방향의 일단부의 하면에 개구되는 동시에 길이 방향의 타단부를 향해 경사지게 형성된 상기 처리액의 공급로를 가지는 발진체(發振體)와,
상기 발진체의 상면에 설치되어 발진체를 초음파 진동시키는 진동자와,
상기 공급로에 공급되는 처리액을 냉각시키는 제1 냉각 수단
을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 관한 처리 장치로서의 스핀처리 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 스핀처리 장치의 암(arm)체에 설치되는 발진체의 길이 방향에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 X-X선에 따른 단면도이다.
도 4는 발진체의 하단부의 확대 단면도이다.
도 5는 처리액의 온도와 오염물의 제거율 및 대미지와의 관계를 측정한 그래프이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 일실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 관한 스핀처리 장치를 나타낸다. 이 스핀처리 장치는 컵체(1)를 구비하고 있다. 이 컵체(1)의 저부에는 복수개의 배출관(2)이 둘레 방향으로 소정 간격으로 접속되어 있다. 각 배출관(2)은 도시하지 않은 배기 펌프에 연통되어 있다.
상기 컵체(1) 내에는 회전 테이블(3)이 설치되어 있다. 이 회전 테이블(3)은 베이스부(3a)와, 이 베이스부(3a)에 일단을 연결한 4개의 암(3b)(2개만 도시함)을 가진다. 각 암(3b)의 선단부에는 각각 지지부(4)가 설치되어 있다. 각 지지 부(4)는 지지핀(5) 및 지지핀(5)보다 암(3b)의 선단측에 설치된 한쌍의 걸어맞춤핀(6)(1개만 도시함)으로 이루어진다. 걸어맞춤핀(6)은 지지핀(5)보다 깊이가 크게 설정되어 있다.
상기 회전 테이블(3)에는 액정 표시 장치를 형성하는 유리제의 기판 W가 공급된다. 회전 테이블(3)에 공급된 기판 W는 주변부의 코너부 하면이 상기 지지핀(5)에 의해 지지되고, 코너부의 한쌍의 측면이 상기 걸어맞춤핀(6)에 의해 걸어맞춤이 유지되도록 되어 있다.
상기 회전 테이블(3)은 제어 모터(11)에 의해 회전 구동된다. 이 제어 모터(11)는 통형의 고정자(12) 내에 동일하게 통형의 회전자(13)가 회전 가능하게 삽입되고, 이 회전자(13)에 상기 회전 테이블(3)의 베이스부(3a)가 동력 전달 부재(13a)를 통하여 연결되어 있다.
상기 제어 모터(11)는 제어 장치(14)에 의해 회전이 제어된다. 그에 따라 상기 회전 테이블(3)은 상기 제어 장치(14)에 의해 소정의 회전수로 회전되는 것이 가능하다
상기 회전자(13) 내에는 중공형(中空形)의 고정축(15)이 삽입되어 있다. 이 고정축(15)의 상단에는 상기 회전 테이블(3)의 상면 측에 위치하는 노즐 헤드(16)가 설치되어 있다. 즉, 노즐 헤드(16)는 회전 테이블(3)과 함께 회전하지 않는 상태로 되어 있다. 이 노즐 헤드(16)에는 처리액을 분사하는 복수개의 제1 노즐(17) 및 기체를 분사하는 제2 노즐(18)이 설치되어 있다.
그에 따라 상기 각 노즐(17, 18)로부터 회전 테이블(3)에 지지된 기판 W 하 면의 중앙 부분을 향해 처리액이나 기체를 선택적으로 분사할 수 있도록 되어 있다. 즉, 기판 W는 하면을 세정 및 건조 처리할 수 있도록 되어 있다.
상기 컵체(1)의 측방에는 암체(22)가 설치되어 있다. 이 암체(22)의 기단부는 중공형의 축체(23)의 상단에 연결되어 있다. 이 축체(23)의 하단은 회전 모터(24)에 연결되어 있다. 회전 모터(24)는 축체(23)를 소정 각도로 회전 구동시킨다. 그에 따라 상기 암체(22)는 회전 테이블(3)의 직경 방향을 따라 요동(搖動) 구동 가능하게 되어 있다.
상기 회전 모터(24)는 도시하지 않은 리니어 가이드에 의해 상하 방향을 따라 이동 가능한 가동판(25)에 장착되어 있다. 이 가동판(25)은 상하 구동 실린더(26)에 의해 상하 방향으로 구동된다.
상기 암체(22)의 선단에는 상기 회전 테이블(3)에 지지된 기판 W를 향해 순수(純水), 오존수, 과산화 수소수, 암모니아수 등의 처리액을 공급하기 위한 공급 장치(31)가 설치되어 있다. 이 공급 장치(31)은 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 석영 등의 내약품성 및 내열성을 가지는 재료에 의해 직육면체형으로 형성된 발진체(32)를 가진다. 이 발진체(32)의 하면에는, 단면이 산(山)형상의 복수개의 가이드홈(33)이 길이 방향의 전체 길이에 걸쳐, 또한 폭방향으로 병렬로 형성되어 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 가이드홈(33)을 형성하는 경사면(33a)의 각도 θ는 7~10도로 설정되어 있다.
상기 발진체(32)의 상면에는, 폭방향으로 이격된 밴드형의 2개의 진동자(34)가 길이 방향을 따라 접착 고정되어 있다. 이 진동자(34)에는 도시하지 않은 초음 파 발진 장치로부터 고주파 전압이 인가된다. 그에 따라 진동자(34)와 함께 상기 발진체(32)가 초음파 진동한다.
상기 경사면(33a)의 각도 θ를 7~10도로 설정하면, 발진체(32)의 상면의 진동자(34)의 초음파 진동이 발진체(32)의 하면으로 전파되었을 때, 그 하면의 경사면(33a)에서 전반사(全反射)하여 돌아오는 일 없이 투과한다.
상기 발진체(32)의 길이 방향 일단부에는 상단면에 일단이 개구된 처리액의 공급로(35)가 형성되어 있다. 이 공급로(35)의 타단부는 상기 발진체(32)의 길이 방향 일단부로부터 타단부를 향해 경사져 있고, 타단은 상기 발진체(32)의 일단부하면에 폭 방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 형성된 확산홈(38)에 연통되어 있다. 즉, 상기 공급로(35)의 타단은 상기 발진체(32)의 길이 방향 일단부의 하면에 확산홈(38)을 통하여 개구되어 있다.
상기 발진체(32)의 일단부 상면에는 접속 블록(39)이 하단면을 액밀(液密)하게 접촉되어 설치되어 있다. 이 접속 블록(39)에는 연통로(39a)가 형성되어 있다. 이 연통로(39a)의 일단은 상기 공급로(35)의 일단에 연통되어 있다.
상기 연통로(39a)의 타단에는 처리액을 공급하는 공급관(41)의 일단이 접속되어 있다. 이 공급관(41)은 도 1에 나타낸 바와 같이 암체(22)를 통해 외부에 도출되고, 그 타단은 도시하지 않은 처리액의 공급원에 접속되어 있다.
그리고, 상기 공급관(41)의 외부로 도출된 부분에는 도 1에 나타낸 바와 같이 처리액을 냉각시키기 위한 제1 냉각 수단으로서의 열교환기(42)와, 처리액에 질소 가스, 공기 또는 탄산 가스 등의 기체를 용해시키는 기체 용해기(43)가 차례로 접속되어 있다.
상기 열교환기(42)는 처리액을 원하는 온도로 냉각시키는 것이 가능하도록 되어있고, 이 실시예에서는 처리 장치가 설치되는 클린룸의 실온보다 낮은 온도인, 예를 들면 10~20℃의 범위로 냉각시키는 것이 가능하다.
상기 발진체(32)의 외주면의 높이 방향 중도부에는 콜러(44)가 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 발진체(32)의 측면의 상기 콜러(44)보다 윗쪽의 부분에는 제2 냉각 수단으로서의 냉각체(45)가 설치되어 있다. 이 냉각체(45)에는 냉각수 등의 냉각 매체를 흐르게 하는 유로(流路)(46)가 형성되어 있다.
상기 유로(46)에 냉각 매체를 흐르게 함으로써, 발진체(32) 및 이 발진체(32)를 통하여 그 상면에 설치된 진동자(34)가 냉각되도록 되어 있다. 그리고, 냉각체(45)는 발진체(32)의 측면이 아니고 상면에 설치해도 되고, 적어도 어느 한쪽에 설치하도록 하면 된다.
상기 발진체(32)의 상기 콜러(44)보다 상부는 내측 커버(47)에 의해 덮혀져 있다. 이 내측 커버(47)는 양 단부를 상기 콜러(44)의 하면에 도시하지 않은 패킹을 통하여 액밀하게 중첩된 외측 커버(49)에 의해 덮혀져 있다. 그에 따라 기판 W에 공급된 황산이나 과산화 수소수 등의 처리액이 컵체(1) 내에서 비산(飛散)되어도, 그 처리액 및 분위기가 진동자(34) 등에 부착되는 것을 방지할 수 있도록 되어 있다.
다음에, 상기 구성의 스핀처리 장치에 의해 기판 W에 부착된 오염물 등을 제거하는 경우에 대하여 설명한다.
먼저, 냉각체(45)의 유로(46)에 냉각 매체를 흐르게 하고, 암체(22)를 하방향으로 구동하고, 발진체(32)의 하면을 회전 테이블(3)에 지지된 기판 W의 상면의 중앙 부분에 약간 간격을 두고 대향시킨다. 이 때, 발진체(32)는, 기판 W의 직경 방향에 대하여, 하면에 개구된 공급로(35)의 선단이 기판 W의 회전 중심과 대략 일치하도록 위치결정시킨다.
다음에, 진동자(34)에 고주파 전압을 인가하고, 발진체(32)를 초음파 진동시키는 동시에, 발진체(32)에 접속된 공급관(41)으로부터 처리액을 공급한다. 그와 동시에, 암체(22)를 요동시켜, 공급 장치(31)를 기판 W의 회전 중심부와 직경 방향 외측단 사이에서 왕복이동시킨다.
처리액은, 상기 공급관(41)으로부터 발진체(32)에 형성된 공급로(35)를 통하여, 하면의 확산구(38)와 발진체(32)의 폭 방향의 대략 전체 길이에 걸쳐서 확산되고, 발진체(32)의 하면과 기판 W의 상면의 간극에 유출된다. 처리액은 확산홈(38)에서 확산되므로 공급로(35)를 흐르는 속도에 비해 가속되지 않고 기판 W 상을 흐른다.
상기 발진체(32)의 하면과 기판 W의 상면의 간극에 유출된 처리액은, 상기 공급로(35)의 하단부가 발진체(32)의 길이 방향 일단으로부터 타단을 향해 경사져 있으므로, 도 2에 화살표 A로 나타낸 바와 같이 상기 공급로(35)의 경사 방향을 따라 발진체(32)의 확산홈(38)이 하면으로 유출되고, 그 확산홈(38)으로부터 가이드홈(33)에 가이드되어 기판 W의 상면을 흐른다.
가이드홈(33)을 흐르는 처리액은 발진체(32)로부터 초음파 진동이 가해진다. 그러므로, 기판 W의 상면은 초음파 진동이 가해진 처리액에 의해 세정되게 된다. 기판 W의 상면을 세정한 처리액은 가이드홈(33)을 따라 소정 방향으로 원활하게 흘러 기판 W의 상면으로부터 유출된다.
그러므로, 초음파 진동이 가해진 처리액에 의해 제거된 기판 W의 오염물은, 이 처리액과 함께 기판 W의 상면으로부터 원활하고, 또한 신속히 유출되므로 기판 W의 상면에 재부착되는 것이 방지된다.
발진체(32)에 공급되는 처리액은 공급관(41)에 설치된 열교환기(42)에 의해 소정의 온도, 예를 들면, 장치가 설치되는 클린룸의 실온보다 낮은 온도, 예를 들면 10~20℃로 냉각되어 있다. 또한, 발진체(32)는 외주면에 설치된 냉각체(45)를 흐르는 냉각 매체에 의해 냉각되어 있다.
그러므로, 진동자(34)에 전압을 인가하여 초음파 진동시킴으로써, 이 진동자(34)가 발열해도, 그 열에 의해 발진체(32)나 발진체(32)에 형성된 공급로(35)를 흐르는 처리액이 가열되어 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 공급로(35)를 흐르는 처리액에 발진체(32)에 의해 초음파 진동을 가하고, 그 처리액의 캐비테이션 작용에 의해 기판 W를 세정 처리할 때, 처리액은 열교환기(42)에 의해 설정된 온도가 유지된 상태에서 기판 W를 세정 처리하기 때문에, 처리액의 온도 상승에 의해 기판 W이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 처리액의 온도와 세정된 기판의 오염물 제거율의 관계를 제1 꺾인 선 X로 나타내고, 처리액의 온도와 기판에 주어진 대미지의 관계를 제2 꺾인 선 Y로 나타낸 그래프이다. 즉, 상기 그래프 가로축에 처리액의 온도를 나타내고, 한쪽의 세로축에 오염물의 제거율을 나타내고, 다른 쪽의 세로축에 기판에 주어진 대미지를 나타낸다. 그리고, 대미지의 단위는 1cm2당 배선의 절단이나 배선의 넘어짐 등의 결함 개소의 수를 나타내고 있다.
도 5로부터 명백한 바와 같이, 오염물의 제거율은 처리액의 온도에 거의 영향을 받지 않고 대략 일정하다. 이에 대하여, 기판 W에 주어지는 대미지는 처리액의 온도가 22℃보다 18℃일 때는 약간 낮아지고, 18℃보다 10℃일 때는 대폭 저하되는 것을 확인할 수 있었다.
즉, 처리액의 온도가 낮아질 수록, 기판 W에 주어지는 대미지가 작아지는 것을 확인할 수 있다. 그리고, 약 10℃의 온도로 냉각한 처리액에 초음파 진동을 가하고, 그 처리액으로 기판 W를 처리하면, 기판 W에 대략 대미지를 주지 않고, 세정 처리할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
이상으로부터, 처리액의 온도는, 10℃ 내지 18℃의 범위로 설정하는 것이 가장 바람직하지만, 18℃ 내지 20℃의 범위라도 기판 W에 생기는 대미지를 어느 정도는 저감할 수 있다. 따라서, 처리액의 온도는 10℃ 내지 20℃의 범위로 설정하면 된다.
그리고, 처리액의 온도가 10℃일 때는 기판 W에 생기는 대미지의 수는 대략 0에 가까우므로, 처리액을 그 이상 낮은 온도로 설정해도, 기판 W에 생기는 대미지의 수는 거의 변화가 없는 것으로 생각된다.
처리액은, 공급로(35)로부터 확산홈(38)으로 확산되어 기판 W에 공급되므로, 공급로(35)를 흐르는 속도보다 가속되지 않고, 기판 W에 공급된다. 그러므로, 기판 W는 처리액의 유속(流速)에 의해 충격을 받지 않으므로, 이에 의해서도 기판 W에 대미지가 생기는 것을 방지할 수 있다.
처리액을 공급하는 공급관(41)에는 기체 용해기(43)가 설치되어 있다. 그러므로, 이 기체 용해기(43)에 의해 처리액에 용해되는 기체의 양을 조정할 수 있다. 처리액에 포함되는 기체의 양을 제어하면, 처리액에 초음파 진동을 가했을 때 생기는 캐비테이션 작용의 강도를 조정할 수 있다. 따라서, 처리액의 온도와 함께, 처리액에 포함되는 기체의 양을 제어하면, 처리액에 의한 세정 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
기판 W는, 단위 시간당 발진체(32)의 하면과 같은 크기의 면적의 부분이 세정 처리된다. 즉, 초음파 진동이 가해진 처리액은, 발진체(32)의 하면 전체와, 기판 W의 상기 하면 전체에 대향하는 부분 사이에 개재되므로, 처리액에 의한 처리를 발진체(32)의 하면에 대응한 면적에서 행할 수 있다. 그러므로, 노즐체를 사용하는 종래에 비해 단위 시간당의 처리 면적이 증대하기 때문에, 기판 W를 효율적으로 세정 처리하는 것이 가능해진다.
또한, 발진체(32)를 암체(22)에 설치하고, 이 암체(22)에 의해 상기 발진체(32)를 기판 W 상면의 직경 방향을 따라 요동시키도록 했기 때문에, 그에 의해서도 기판 W를 효율적으로 세정 처리하는 것이 가능해진다.
본 발명에 의하면, 제1 냉각 수단에 의해 냉각된 처리액은, 발진체의 길이 방향 일단부에 형성된 공급로를 통하고, 발진체를 초음파 진동시키는 진동자와 접촉되지 않고 초음파 진동이 가해져 상기 공급로로부터 유출된다. 그러므로, 처리액을 온도 상승시키지 않고 초음파 진동을 가하여 기판에 공급하는 것이 가능해진다.

Claims (7)

  1. 초음파 진동을 가한 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    직육면체형의 발진체(發振體)로서,
    상기 발진체의 하면에 형성되고, 상기 발진체의 길이 방향의 전체 길이에 걸쳐서 연장되며, 또한 상기 발진체의 폭 방향으로 실질적으로 병렬 배치된 복수개의 가이드홈;
    상기 발진체를 통하여 연장되며, 상기 발진체의 길이 방향의 일단부의 하면에서 개구되는 동시에 상기 발진체의 길이 방향의 타단부를 향해 경사지게 형성된, 처리액의 공급로; 및
    상기 발진체의 길이 방향의 일단부의 하면에 형성되며 상기 공급로와 연통하고 상기 발진체의 폭 방향으로 전체 길이에 걸쳐서 연장되는 확산홈
    을 포함하는 발진체;
    상기 발진체의 상면에 설치되어 발진체를 초음파 진동시키는 진동자; 및
    상기 공급로에 공급되는 처리액을 냉각시키는 냉각 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발진체에는 상기 발진체를 냉각시키는 냉각체가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 확산홈은, 상기 공급로에 의해 공급된 처리액이 상기 기판에 공급될 때 상기 처리액이 가속되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 수단은, 상기 처리액의 온도를 10℃ 내지 18℃로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 처리액의 공급로에는, 상기 처리액에 기체를 용해시키는 기체 용해 장치가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 지지하여 회전 구동시키는 회전 테이블과,
    상기 회전 테이블의 상면에서 상기 기판의 직경 방향을 따라 요동(搖動) 구동되는 암(arm)체를 가지고,
    상기 발진체는, 상기 발진체의 하면이 상기 기판에 대향하도록 된 상태로 상기 암체의 선단부에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 수단은 열교환기인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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