CN107516698A - GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。包括:自下而上依次制备的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N‑GaAs层、量子阱层、P‑GaAs层和P‑GaP欧姆接触层;在P‑GaP欧姆接触层上制备金属接触层;在金属接触层上制备尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸的键合图形;根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N‑GaAs层上表面;在基板上依次制备键合层和反射层,将已经制备好反射层和键合层的基板与经上步处理的外延片键合,键合温度为300~400℃,键合时间为200~300ms;采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;将上步处理后的外延片置于丙酮溶液中,在30~60℃下超声震荡,超声波频率为30~60MHZ,震荡时间3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N‑GaAs层震荡掉;本发明可提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制备技术领域,特别涉及一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。
背景技术
GaAs基LED芯片既可作为发光器件,也可作为光电显示器件,并以其低能耗、高亮度的优势被广泛应用。在GaAs基LED芯片的制备工艺中,将整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒是不可或缺的一道工序。
目前,在对GaAs基倒装LED芯片进行切割时,是使用金刚刀实现,并对切割后的芯片进行清洗。
然而,由于GaAs材料比较脆,而且芯片正背面会蒸镀比较厚的金属材料,使得芯片本身的应力较大,再加上切割时金刚刀直接接触芯片,这就使得芯片加工时容易破碎,芯片周围边缘容易产生崩边、崩角、裂纹等,导致产品良率较低。
发明内容
为解决目前通过金刚刀对GaAs基倒装LED芯片进行切割时,导致产品良率比较低的技术问题,本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。
为了解决上述问题,本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其采用的技术方案如下:
S1、制备GaAs基倒装LED芯片的外延片;其中,外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
S2、在P-GaP欧姆接触层上表面制备金属接触层;
S3、在金属接触层上表面制备键合图形,其中,键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
S4、根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面;
S5、在基板上表面依次制备键合层和反射层,并将已经制备好反射层和键合层的基板与经步骤S4处理后的外延片进行键合,其中,键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms;
S6、采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
S7、将经步骤S6处理后的外延片置于丙酮溶液中,并在30~60℃的条件下进行超声震荡,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉。
可选的,所述步骤S4中湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液和步骤S6中化学腐蚀工艺采用的腐蚀液的成份均为H3PO4、H2O2和H2O的混合液;
其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。
可选的,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
可选的,所述金属接触层的厚度为所述反射层的厚度为
可选的,步骤S7中超声震荡的温度为45℃,超声波的频率为45MHZ,超声震荡的时间为5min。
本发明还提供了一种GaAs基倒装LED芯片,所述GaAs基倒装LED芯片包括:多个阵列结构和依次设置于多个阵列结构上的键合层、反射层、基板;其中:
初始结构包括外延片以及位于外延片上表面的金属接触层;
所述外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
切割道通过对所述初始结构依次进行湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后形成;
所述湿法刻蚀,用于根据预设在金属接触层上表面的键合图形,从金属接触层刻蚀至N-GaAs层上表面;所述键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
所述化学湿法腐蚀,用于去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
所述超声震荡,用于在丙酮溶液中进行超声震荡,以去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层;所述超声震荡时的温度条件为30~60℃,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min;
所述阵列结构为所述初始结构经过湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后的结构,其中,相邻阵列结构之间为切割道;
所述键合层、反射层和基板与多个阵列结构键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
可选的,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
可选的,所述金属接触层的厚度为所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
可选的,所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
本发明进一步提供了一种LED显示装置,所述LED显示装置包括如上所述的GaAs基倒装LED芯片。
本发明的有益效果是:
通过采用湿法刻蚀工艺制备切割道,并在后期与化学湿法腐蚀和超声震荡的方法相结合,有效减少因切割崩边、崩角、裂纹及未清洗干净的残渣造成LED芯片良率低的问题,因而提高了产品良率。另外,由于在键合之前已经形成切割道,所以键合时的气泡可以通过切割道排出,因而能够减少键合时的气泡,并形成有效化学键,使键合更加稳定。
附图说明
图1为本发明实施例1的流程图。
图2为外延片和金属接触层的示意图。
图3为制备得到的切割道的示意图。
图4为本发明实施例2的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
实施例1
如图1所示,本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片的制备方法,制备方法包括如下步骤S1至步骤S7:
S1、制备GaAs基倒装LED芯片的外延片;其中,外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层。
其中,N-GaAs层提供电子,量子阱层是发光层,P-GaAs层提供空穴层。
S2、在P-GaP欧姆接触层上表面制备金属接触层。
其中,金属接触层用于与P-GaP欧姆接触层。如图2所示,其为经过步骤S1和步骤S2制备得到的外延片和金属接触层的示意图。金属接触层为p电极层,在制备p电极时,通过对p电极层剥离即可得到。
可选地,金属接触层的材料为Au和/或AuBe。也就是说,P-GaP欧姆接触层的材料可以为Au,也可以为AuBe,还可以为Au和AuBe。其中,金属接触层的厚度为优选为其中,与“nm”之间的关系为
优选地,金属接触层的材料为Au/AuBe/Au。也就是说,在制备金属接触层时,先制备一层Au层,然后在Au层上制备一层AuBe层,最后再在AuBe层再制备一层Au层。在该种方式下,金属接触层的厚度优选为
S3、在金属接触层上表面制备键合图形,其中,键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸。
其中,切割道尺寸根据LED芯片的尺寸而定。LED芯片预设的切割道尺寸为预先根据LED芯片的尺寸设计的切割道的尺寸。
具体地,在金属接触层上表面制备键合图形时,键合图形的制作方法步骤包括涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶等工艺,具体可参见领域内的相关图形制备方法,本实施例对此不作详细阐述。
S4、根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面。
如图3所示,其为制备得到的切割道的示意图。通过该步骤即得到了切割道。
可选地,该步骤S4中湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液的成份为H3PO4、H2O2和H2O的混合液。其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。优选地,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶1∶20。
S5、在基板上表面依次制备键合层和反射层,并将已经制备好反射层和键合层的基板与经步骤S4处理后的外延片进行键合,其中,键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
其中,键合工艺在相应的键合设备中完成。
可选地,键合层的材料可以为Ti/Pt,即在制备键合层时,先制备一层Ti层,再制备一层Pt层。另外,当键合层的材料可以为Ti/Pt时,键合层的厚度可以为也就是说,键合层中Ti层的厚度为Pt层的厚度也为优选地,当键合层的材料为Ti/Pt时,键合层的厚度为
可选地,反射层的材料包括但不限于Au。反射层的厚度可以为优选为
S6、采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层。
其中,该步骤S6中化学湿法腐蚀工艺采用的腐蚀液的成份均为H3PO4、H2O2和H2O的混合液,其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。优选地,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶1∶20。
S7、将经步骤S6处理后的外延片置于丙酮溶液中,并在30~60℃的条件下进行超声震荡,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉。
可选地,步骤S7中超声震荡的温度为45℃,超声波的频率为45MHZ,超声震荡的时间为5min。试验表明,当满足这些超声条件时,不仅可以快速地去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层,而且去除地比较彻底。
完成该步骤后,通过领域中的相关划片、裂片等工艺即完成GaAs基倒装LED芯片的制备。
本发明实施例提供的制备方法,通过采用湿法刻蚀工艺制备切割道,并在后期与化学湿法腐蚀和超声震荡的方法相结合,有效减少因切割崩边、崩角、裂纹及未清洗干净的残渣造成LED芯片良率低的问题,因而提高了产品良率。另外,由于在键合之前已经形成切割道,所以键合时的气泡可以通过切割道排出,因而能够减少键合时的气泡,并形成有效化学键,使键合更加稳定。
实施例2
如图4所示,本实施例提供了一种GaAs基倒装LED芯片,该GaAs基倒装LED芯片采用实施例1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法制备得到,该GaAs基倒装LED芯片包括:
多个阵列结构和依次设置于多个阵列结构上的键合层、反射层、基板;其中:
初始结构包括外延片以及位于外延片上表面的金属接触层;
所述外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
切割道通过对所述初始结构依次进行湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后形成;
所述湿法刻蚀,用于根据预设在金属接触层上表面的键合图形,从金属接触层刻蚀至N-GaAs层上表面;所述键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
所述化学湿法腐蚀,用于去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
所述超声震荡,用于在丙酮溶液中进行超声震荡,以去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层;所述超声震荡时的温度条件为30~60℃,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min;
所述阵列结构为所述初始结构经过湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后的结构,其中,相邻阵列结构之间为切割道;
所述键合层、反射层和基板与多个阵列结构键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
可选的,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
可选的,所述金属接触层的厚度为所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
可选的,所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
关于GaAs基倒装LED芯片中各组成部分的材料、厚度及该GaAs基倒装LED芯片具体制备方法等内容,可以参见实施例1中的内容,此处不再赘述。
本实施例中的GaAs基倒装LED芯片,由于采用了实施例1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,因而可以提高产品良率。
实施例3
本实施例提供了一种LED显示装置,该LED显示装置包括实施例2所述的GaAs基倒装LED芯片。
本实施例中的LED显示装置,由于采用了实施例2所述的GaAs基倒装LED芯片,因而可以提高产品良率。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
S1、制备GaAs基倒装LED芯片的外延片;其中,外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
S2、在P-GaP欧姆接触层上表面制备金属接触层;
S3、在金属接触层上表面制备键合图形,其中,键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
S4、根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面;
S5、在基板上表面依次制备键合层和反射层,并将已经制备好反射层和键合层的基板与经步骤S4处理后的外延片进行键合,其中,键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms;
S6、采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
S7、将经步骤S6处理后的外延片置于丙酮溶液中,并在30~60℃的条件下进行超声震荡,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉。
2.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液和步骤S6中化学腐蚀工艺采用的腐蚀液的成份均为H3PO4、H2O2和H2O的混合液;
其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。
3.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,
所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
4.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,所述金属接触层的厚度为所述反射层的厚度为
5.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,步骤S7中超声震荡的温度为45℃,超声波的频率为45MHZ,超声震荡的时间为5min。
6.一种GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述GaAs基倒装LED芯片包括:多个阵列结构和依次设置于多个阵列结构上的键合层、反射层、基板;其中:
初始结构包括外延片以及位于外延片上表面的金属接触层;
所述外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
切割道通过对所述初始结构依次进行湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后形成;
所述湿法刻蚀,用于根据预设在金属接触层上表面的键合图形,从金属接触层刻蚀至N-GaAs层上表面;所述键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
所述化学湿法腐蚀,用于去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
所述超声震荡,用于在丙酮溶液中进行超声震荡,以去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层;所述超声震荡时的温度条件为30~60℃,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min;
所述阵列结构为所述初始结构经过湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后的结构,其中,相邻阵列结构之间为切割道;
所述键合层、反射层和基板与多个阵列结构键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
7.如权利要求6所述的一种GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
8.根据权利要求7所述的GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述金属接触层的厚度为所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
9.根据权利要求8所述的GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为。
10.一种LED显示装置,其特征在于,所述LED显示装置包括权利要求6-9任一项所述的GaAs基倒装LED芯片。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108364950A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-03 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法 |
CN113921670A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-01-11 | 天津三安光电有限公司 | 发光元件及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176230A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10116809A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Tadahiro Omi | 洗浄方法及び洗浄システム |
CN101359707A (zh) * | 2008-09-11 | 2009-02-04 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
CN101409319A (zh) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | 陈祖辉 | 一种使用键合技术的发光二极管制造方法 |
CN103390688A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 华中科技大学 | 一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法 |
CN106711291A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led垂直芯片结构及其制作方法 |
-
2017
- 2017-09-21 CN CN201710857620.0A patent/CN107516698A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176230A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10116809A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Tadahiro Omi | 洗浄方法及び洗浄システム |
CN101409319A (zh) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | 陈祖辉 | 一种使用键合技术的发光二极管制造方法 |
CN101359707A (zh) * | 2008-09-11 | 2009-02-04 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
CN103390688A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 华中科技大学 | 一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法 |
CN106711291A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led垂直芯片结构及其制作方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108364950A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-03 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法 |
CN108364950B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-11-10 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法 |
CN113921670A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-01-11 | 天津三安光电有限公司 | 发光元件及其制备方法 |
CN113921670B (zh) * | 2021-09-26 | 2024-04-12 | 天津三安光电有限公司 | 发光元件及其制备方法 |
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