JPS62267742A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPS62267742A JPS62267742A JP61113010A JP11301086A JPS62267742A JP S62267742 A JPS62267742 A JP S62267742A JP 61113010 A JP61113010 A JP 61113010A JP 11301086 A JP11301086 A JP 11301086A JP S62267742 A JPS62267742 A JP S62267742A
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- mask
- ultrapure water
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造方法、特にマスクの洗浄方法に
関するものである。
関するものである。
第２図は従来のマスク洗浄装置を示す図であり、図にお
いて、電υはマスク、（２）はこのマスク（υを固定す
る支持部、（３）はマスク（υを回転させるための回転
台、（４）はマスク４１）を洗浄するための超純水、（
６）は超純水【４）を吹きつけるマスク＋１７に吹きつ
ける高圧ノズル、（６）はマスク＋１７上ξζ存在する
ダストである。尚、通常一般に使用されているマスクに
は、Ｃｒ を材料とするパターンが形成されている。
いて、電υはマスク、（２）はこのマスク（υを固定す
る支持部、（３）はマスク（υを回転させるための回転
台、（４）はマスク４１）を洗浄するための超純水、（
６）は超純水【４）を吹きつけるマスク＋１７に吹きつ
ける高圧ノズル、（６）はマスク＋１７上ξζ存在する
ダストである。尚、通常一般に使用されているマスクに
は、Ｃｒ を材料とするパターンが形成されている。
次に動作について説明する。マスク１１７を回転台（２
）上の支持部（２）に固定する。次いで回転台（３）が
回転する。次いで高圧ノズル（５）から超純水（４）が
マスク（υに吹きつけられ、回転台（３）の回転にとも
ないマスク＋１）の各部が洗浄され、ダスト（６）が洗
い流される。
）上の支持部（２）に固定する。次いで回転台（３）が
回転する。次いで高圧ノズル（５）から超純水（４）が
マスク（υに吹きつけられ、回転台（３）の回転にとも
ないマスク＋１）の各部が洗浄され、ダスト（６）が洗
い流される。
従来のマスク洗浄装置は以上のように構成されているの
で、漱細パターン間に入り込んだ超微小ダストについて
は、パターン間に水が入りにくいため精密洗浄が不可能
であった。また、超純水とマスク間の摩擦のため静電気
が発生し、Ｃｒはがれが生じる及び洗浄効果を低下させ
るなどの問題点があった。
で、漱細パターン間に入り込んだ超微小ダストについて
は、パターン間に水が入りにくいため精密洗浄が不可能
であった。また、超純水とマスク間の摩擦のため静電気
が発生し、Ｃｒはがれが生じる及び洗浄効果を低下させ
るなどの問題点があった。
この発明はと記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マスク上のＭ微小ダストの精密洗浄ができる
とともに、マスクにｖＰ電気が発生することを防ぎ、マ
スクのＣｒはかれ及び洗浄効果の低下を抑制することを
目的とする。
たもので、マスク上のＭ微小ダストの精密洗浄ができる
とともに、マスクにｖＰ電気が発生することを防ぎ、マ
スクのＣｒはかれ及び洗浄効果の低下を抑制することを
目的とする。
この発明に係る洗浄方法は、マスクの洗浄手段として、
超純水より精製した氷の敵粒子（１μｍ〜６鯖）を用い
た。また、この氷の微粒子を、炭酸ガスを混入した超純
水を冷却することにより製造したものである。
超純水より精製した氷の敵粒子（１μｍ〜６鯖）を用い
た。また、この氷の微粒子を、炭酸ガスを混入した超純
水を冷却することにより製造したものである。
この発明における洗浄方法は、氷の微粒子（１μｍ〜５
ｓｏｌ＋）を吹き付けると粒子の硬さと吹き付けの圧力
により、微細パターン間にも微水粒子が入り込み、ここ
に付着しているダストに衝突し、除去することができる
。衝突後、除去されたダストは水微粒子が俗解した氷と
共ξζ洗い流される。また、氷粒子の製氷加工に際し、
炭酸ガスを混入した超純水を用いることにより、超純水
の比抵抗を低下させ、マスク洗浄時における静電気の発
生を防止し、マスクのＣｒはかれ及び洗浄効果の低下を
防ぐ。
ｓｏｌ＋）を吹き付けると粒子の硬さと吹き付けの圧力
により、微細パターン間にも微水粒子が入り込み、ここ
に付着しているダストに衝突し、除去することができる
。衝突後、除去されたダストは水微粒子が俗解した氷と
共ξζ洗い流される。また、氷粒子の製氷加工に際し、
炭酸ガスを混入した超純水を用いることにより、超純水
の比抵抗を低下させ、マスク洗浄時における静電気の発
生を防止し、マスクのＣｒはかれ及び洗浄効果の低下を
防ぐ。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図Ｅこおいて、αのは炭酸ガスボンベ、口は液化窒素、
＠は液化窒素を窒素ガス化する熱交換器、（７）は超純
水を製造し、炭酸ガスを混入する超純水製造装ｅ、（８
＞は超純水と窒素ガスとの混合器、（９）は超純水と窒
素ガスを出すノズル、四は微水粒子製造容器、αηは微
水粒子製造谷器四内に溜まった液化窒素中（こ取り付け
られた散気管、（至）はスクリューフィーダ、−は微水
粒子製造容器四（ζ接続されたホッパー、ａ＜はホッパ
ー（至）と窒素ガス管とに接続された高圧エジェクター
、１υは被洗浄マスク、（６）はマスク１１）上のダス
ト、（ト）は高圧エジェクターから噴出される微水粒子
である。
図Ｅこおいて、αのは炭酸ガスボンベ、口は液化窒素、
＠は液化窒素を窒素ガス化する熱交換器、（７）は超純
水を製造し、炭酸ガスを混入する超純水製造装ｅ、（８
＞は超純水と窒素ガスとの混合器、（９）は超純水と窒
素ガスを出すノズル、四は微水粒子製造容器、αηは微
水粒子製造谷器四内に溜まった液化窒素中（こ取り付け
られた散気管、（至）はスクリューフィーダ、−は微水
粒子製造容器四（ζ接続されたホッパー、ａ＜はホッパ
ー（至）と窒素ガス管とに接続された高圧エジェクター
、１υは被洗浄マスク、（６）はマスク１１）上のダス
ト、（ト）は高圧エジェクターから噴出される微水粒子
である。
次に動作について説明する。断面が４００ Ｘ ４００
Ｕの四角調部を有する高さ１２００ＭｒＩの餓氷粒子製
造容器αｑに液化窒素（２）を高さ５００ ｔｇ溜め、
この液化窒素（２）に散気管（ロ）より窒素ガス８００
（１／７ｙ／ｍｉｎの割合で供給し液化窒素の表面に
数ｎの波を生じさせる。一方、超純水製造装置（７）で
精製され、炭酸ガスを炭酸ガスボンベａ嗜から混入した
低比抵抗の超純水（２，Ｏｋｑ／ｒｒＪ Ｇ 、 ０．
１ ｌ／ｍｉｎ ） ト！素カス（２，０ｋＩｉ／’ｃ
”ｄＧ 、 ８ Ｎｆｉ ／ｍｉ ｎ ）を混合器（８
）ヲ経てノズル（９）から噴出させる。この噴出と上記
の液化窒素に生じた波とにより、液化窒素（２）中に２
０μｍレベルの徽氷粒子（５）が製造される。製造され
た景氷粒子θ場をスクリューフィーダ（至）でホッパー
（７）ｉζ輸送し、高圧エジェクターＱ４にてマスク（
１）表面に噴出する。この高圧エジェクターα→は高圧
気体（５に９／ｃ４ ・Ｇ 、 Ｉ Ｎｌ ／ｍｉｎ
）の窒素ガスで微水粒子μｓを０．８１／ｍｉｎ の割
合で吸引し、マスク炙１）表面に吹き付ける。以上の工
程よりマスク（１）上のダスト、特に従来の技術では十
分に洗浄することができなかった１０μ以下の微小なダ
スト、微細パターン間に入り込んだダストｆζ対しても
精密洗浄ができる。
Ｕの四角調部を有する高さ１２００ＭｒＩの餓氷粒子製
造容器αｑに液化窒素（２）を高さ５００ ｔｇ溜め、
この液化窒素（２）に散気管（ロ）より窒素ガス８００
（１／７ｙ／ｍｉｎの割合で供給し液化窒素の表面に
数ｎの波を生じさせる。一方、超純水製造装置（７）で
精製され、炭酸ガスを炭酸ガスボンベａ嗜から混入した
低比抵抗の超純水（２，Ｏｋｑ／ｒｒＪ Ｇ 、 ０．
１ ｌ／ｍｉｎ ） ト！素カス（２，０ｋＩｉ／’ｃ
”ｄＧ 、 ８ Ｎｆｉ ／ｍｉ ｎ ）を混合器（８
）ヲ経てノズル（９）から噴出させる。この噴出と上記
の液化窒素に生じた波とにより、液化窒素（２）中に２
０μｍレベルの徽氷粒子（５）が製造される。製造され
た景氷粒子θ場をスクリューフィーダ（至）でホッパー
（７）ｉζ輸送し、高圧エジェクターＱ４にてマスク（
１）表面に噴出する。この高圧エジェクターα→は高圧
気体（５に９／ｃ４ ・Ｇ 、 Ｉ Ｎｌ ／ｍｉｎ
）の窒素ガスで微水粒子μｓを０．８１／ｍｉｎ の割
合で吸引し、マスク炙１）表面に吹き付ける。以上の工
程よりマスク（１）上のダスト、特に従来の技術では十
分に洗浄することができなかった１０μ以下の微小なダ
スト、微細パターン間に入り込んだダストｆζ対しても
精密洗浄ができる。
以上のように、この発明によればマスクの洗浄手段に氷
粒子（１μｍ〜５ｍ）を用いたので、従来の技術では十
分に除去できなかった微小ダストに対しても精密洗浄が
できる効果がある。
粒子（１μｍ〜５ｍ）を用いたので、従来の技術では十
分に除去できなかった微小ダストに対しても精密洗浄が
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
４１図はこの発明の一実施例によるマスク洗浄装置を示
す断面図、第２図は従来のマスク洗浄装置を示す断面図
である。 １１）マスク （７）超純水製造装置 （至）ホ
ッパー（２）支持部 （８）混合器 ａ
◆高圧エジェクター（３）回転台 （９）ノズル
（至）氷粒子（４）超純水 μＱ徽水氷粒
子製造容器四炭酸ガスボンベ（５）高圧ノズル 東散気
管 ａη窒素ガス製造装置（６）ダスト
（２）液化窒素 （ト）スクリューフィーダなお
、各図中同一符号は同一または相当部を示す。
す断面図、第２図は従来のマスク洗浄装置を示す断面図
である。 １１）マスク （７）超純水製造装置 （至）ホ
ッパー（２）支持部 （８）混合器 ａ
◆高圧エジェクター（３）回転台 （９）ノズル
（至）氷粒子（４）超純水 μＱ徽水氷粒
子製造容器四炭酸ガスボンベ（５）高圧ノズル 東散気
管 ａη窒素ガス製造装置（６）ダスト
（２）液化窒素 （ト）スクリューフィーダなお
、各図中同一符号は同一または相当部を示す。
Claims (3)
- （１）半導体製造プロセスにおけるマスクの洗浄に際し
、粒径制御（１μｍ〜５ｍｍ）された氷の粒子を用いて
洗浄することを特徴とする半導体製造方法。 - （２）マスクの洗浄に使用する氷の粒子を超純水から製
氷加工したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体製造方法。 - （３）マスクの洗浄に使用する氷を製氷加工する際、超
純水に炭酸ガスを混入したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61113010A JPS62267742A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61113010A JPS62267742A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62267742A true JPS62267742A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH0466500B2 JPH0466500B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=14601174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61113010A Granted JPS62267742A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62267742A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207182A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-21 | Taiyo Sanso Co Ltd | 基板表面の洗浄装置 |
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| JPH05152269A (ja) * | 1991-03-18 | 1993-06-18 | Taiyo Sanso Co Ltd | 表面処理装置 |
| KR100699787B1 (ko) | 2004-09-13 | 2007-03-27 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP61113010A patent/JPS62267742A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207182A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-21 | Taiyo Sanso Co Ltd | 基板表面の洗浄装置 |
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| JPH05152269A (ja) * | 1991-03-18 | 1993-06-18 | Taiyo Sanso Co Ltd | 表面処理装置 |
| KR100699787B1 (ko) | 2004-09-13 | 2007-03-27 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466500B2 (ja) | 1992-10-23 |
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