JPS63141320A - キヤリア洗浄方法およびその装置 - Google Patents

キヤリア洗浄方法およびその装置

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JPS63141320A
JPS63141320A JP28821086A JP28821086A JPS63141320A JP S63141320 A JPS63141320 A JP S63141320A JP 28821086 A JP28821086 A JP 28821086A JP 28821086 A JP28821086 A JP 28821086A JP S63141320 A JPS63141320 A JP S63141320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
ice particles
dust
ultrapure water
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28821086A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuna Nakamura
中村 靖奈
Hayaaki Fukumoto
福本 隼明
Toshiaki Omori
大森 寿朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63141320A publication Critical patent/JPS63141320A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造工程において、ウェハ処理用のキャ
リアを洗浄するキャリア洗浄方法およびその装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来の半導体製造工程においてウェハを処理するキャリ
アを洗浄する場合、超純水を用いて洗浄するのが一般的
である。第2図は従来のキャリア洗浄装置の概略を示す
断面図で、キャリア洗浄装置1は上部が開口され底部に
排水口を有する洗浄槽2を備えている。この洗浄槽2の
下部にはウェハを処理するキャリア3を保持する保持装
置4が設けられ、上部の両回側には前記キャリア3に向
かって超純水を噴射するシャワーノズル5が設けられて
いる。また、洗浄槽2の上部の中央部にはブラシ6が回
転自在にかつキャリア3に対して進退自在に配設されて
いる。
そして、先ずキャリア3を保持装置4で保持し、次いで
、シャワーノズル5から超純水を噴射すると同時に、ブ
ラシ6を回転させながら、キャリア3の内面に沿って走
査させることによって、キャリア3を洗浄している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、このような装置では、キャリアの洗浄が必、ず
しも確実にはなされない不具合があった。
これは、超微小塵埃(10μm以下)の情密洗浄が不可
能であるばかりでなく、ブラシ6の摩耗によってキャリ
ア3に汚染が生じたり、ブラシ6との摩擦によって静電
気が発生するために洗浄効果が低下するからである。ま
た、シャワーノズル5から噴出された高圧ジェットの水
によりキャリア3を形成しているPTFE’PPPの表
面が削られてごみが発生したり材質がいたむ問題があっ
た。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、その目
的は、キャリアの洗浄をより確実にすることができ、し
かもキャリアを損傷するおそれがないキャリア洗浄方法
およびその装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係るキャリア洗浄方法は、水から製造した氷粒
子をキャリアに吹きつけるものである。
また、キャリア洗浄装置は水から氷粒子を製造する氷粒
子製造装置と、この装置で製造された氷粒子をキャリア
に吹きつける噴出装置とを備えたものである。
〔作用〕
本発明においては、氷粒子がキャリアに衝突し、キャリ
ア表面の塵埃を付着させて反射すると考えられ、超微小
塵埃も洗浄される。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により詳細に説明する。第
1図は本発明に係るキャリア洗浄方法を実施するための
キャリア洗浄装置の概略を示す断面図で、同図において
符号11で示すものはキャリア洗浄装置を示す。このキ
ャリア洗浄装置11は図示しないが従来のものと同様に
キャリア3を保持する保持装置および、これらを収容す
る洗浄槽を備えている。
12は水としての超純水を製造する超純水製造装置であ
る。13は炭酸ガス管路14を介して超純水製造装置1
2に接続された炭酸ガスボンベで、超純水製造袋212
で製造された超純水に炭酸ガスを混入するものである。
15は炭酸ガスが混入された超純水から粒径が1μm〜
5mmに制御された微氷粒子を製造する微氷粒子製造装
置である。この微氷粒子製造装置15は液体窒素管路工
6を介して液化窒素タンク17に接続された微氷粒子製
造容器18を備えている。この微氷粒子製造容器18は
高さが1200mmで断面が400X400mmの四角
形胴部を有する筒形状に形成され、下部に液化窒素19
が500mmの深さに溜められており、この液化窒素1
9中に散気管21が配設されている。また、微米粒子製
造容器18の頂部には混合器22およびノズル23が配
設されている。混合器22は水管路24で超純水製造装
置12に接続され、窒素ガス管路25で熱交換2S26
を介して液化窒素タンク17に接続されており、炭酸ガ
スを混入した低比抵抗の超純水(2,0kg/crA 
−G、  0.11 / m1n)と窒素ガス(2,0
kg/cnl−G、  8 N l 7m1n)とを混
合する。ノズル23は混合器22で混合された超純水と
窒素ガスとを微氷粒子製造容器18内に霧状にして噴射
する。
前記散気管21は窒素ガス管路27で熱交換器26の下
流側に接続されており、窒素ガスが30QJ/m1n)
の割合で供給され、液化窒素19の表面に波高が数mm
程度の波を生じさせる。
31はノズル23で霧状になった超純水と、散気管21
で生じた波とによって、液化窒素19中に20μmレベ
ルで製造された微氷粒子32を微氷粒子製造容器18外
へ搬出するスクリューフィーダで、下端部を液化窒素1
9中に沈ませた状態で微米粒子製造容器18に取付けら
れている。このスクリューフィーダ31の上端部は微氷
粒子32を溜めるホッパー33内に臨んでいる。このホ
ッパー33の下方には木管路34を介して噴出装置とし
てのエジェクタ35が接続されている。このエジェクタ
35は窒素ガス管路36で熱交換器26の下流側に接続
されており、窒素ガス管路36から供給される窒素ガス
(5,0kg/cJ −G。
INj2/m1n)で微氷粒子32を0.31! /m
 inの割合で吸引し、微氷粒子32を5〜10kg/
Cl11の圧力でキャリア3の表面に吹きつけるもので
ある。
次にこのキャリア洗浄装置11を使用したキャリア洗浄
方法について説明すると、超純水製造装置12および炭
酸ガスボンベ13で炭酸ガスが混入された低比抵抗の超
純水を製造し、微氷粒子製造装置15でこの超純水から
微米粒子32を製造した後、微氷粒子32をエジェクタ
35でキャリア3に吹きつけるのである。すなわち、散
気管21で表面が波立ってい不液化窒素19の上方に、
超純水をノズル23で霧化させた状態で供給することに
より、液化窒素19中に粒径が20μmレベルの微氷粒
子32を製造し、この微氷粒子32をスクリューフィー
ダ31で回収し、ホッパー33に溜めてエジェクタ35
から噴射するのである。
したがって、微氷粒子32をキャリア3に衝突させるこ
とができ、キャリア表面に付着した塵埃、特に10μm
以下の超微小塵埃も洗浄することができる。これは、微
米粒子32がキャリア表面の塵埃をその表面に付着させ
た状態で反射するためと考えられる。その結果、微氷粒
子32で洗浄効果が向上し、従来のようにブラシによっ
てキャリア3が汚染されたり、静電気が発生することが
ないので、キャリア3の洗浄をより確実にすることがで
きる。
本実施例においては、超純水に炭酸ガスを混入させるこ
とによって、微米粒子32の比抵抗を低(することがで
きるから、静電気の発生をより低く抑え、洗浄をさらに
確実にすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、水から氷粒子を製
造する氷粒子製造装置と、この装置で製造された氷粒子
をキャリアに吹きつける噴出装置とを備え、水から製造
した氷粒子をキャリアに吹きつけるようにしたから、氷
粒子をキャリアに衝突させることができる。
したがって、氷粒子はキャリア表面の塵埃を付着させて
反射すると考えられ、超微小塵埃も洗浄することができ
ると共に、従来ブラシを使用することによって生じてい
たキャリアの汚染や静電気の発生を抑えて洗浄効果を向
上することができるので、キャリアの洗浄がより確実に
行える。また、氷粒子をキャリアにそれほど強く吹きつ
ける必要がないので、キャリアが氷粒子によって損傷す
ることがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るキャリア洗浄方法を実施するため
のキャリア洗浄装置の概略を示す断面図、第2図は従来
のキャリア洗浄装置の概略を示す断面図である。 3・・・・キャリア、12・・・・超純水製造装置、1
5・・・・微米粒子製造装置、17・・・・液化窒素タ
ンク、32・・・・微氷粒子、35・・・・エジェクタ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)水から製造した氷粒子をウェハ処理用のキャリア
    に吹きつけることを特徴とするキャリア洗浄方法。
  2. (2)水は超純水であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のキャリア洗浄方法。
  3. (3)超純水には炭酸ガスが混入されていることを特徴
    とする特許請求の範囲第2項記載のキャリア洗浄方法。
  4. (4)水から氷粒子を製造する氷粒子製造装置と、この
    装置で製造された氷粒子をウェハ処理用のキャリアに吹
    きつける噴出装置とを備えたことを特徴とするキャリア
    洗浄装置。
  5. (5)水は超純水であることを特徴とする特許請求の範
    囲第4項記載のキャリア洗浄装置。
  6. (6)超純水には炭酸ガスが混入されていることを特徴
    とする特許請求の範囲第5項記載のキャリア洗浄装置。
JP28821086A 1986-12-03 1986-12-03 キヤリア洗浄方法およびその装置 Pending JPS63141320A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02270322A (ja) * 1989-04-11 1990-11-05 Taiyo Sanso Co Ltd 半導体ウェハの洗浄装置
JPH07312358A (ja) * 1995-01-31 1995-11-28 Sony Corp 洗浄装置
JP2003039028A (ja) * 2001-07-27 2003-02-12 Kakizaki Mamufacuturing Co Ltd 筐体洗浄方法および筐体洗浄装置
WO2019051970A1 (zh) * 2017-09-15 2019-03-21 苏州博努奇纺织有限公司 一种纺织机械控制箱除尘装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02270322A (ja) * 1989-04-11 1990-11-05 Taiyo Sanso Co Ltd 半導体ウェハの洗浄装置
JPH07312358A (ja) * 1995-01-31 1995-11-28 Sony Corp 洗浄装置
JP2003039028A (ja) * 2001-07-27 2003-02-12 Kakizaki Mamufacuturing Co Ltd 筐体洗浄方法および筐体洗浄装置
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